TW201934320A - 老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座 - Google Patents

老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座 Download PDF

Info

Publication number
TW201934320A
TW201934320A TW108103544A TW108103544A TW201934320A TW 201934320 A TW201934320 A TW 201934320A TW 108103544 A TW108103544 A TW 108103544A TW 108103544 A TW108103544 A TW 108103544A TW 201934320 A TW201934320 A TW 201934320A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal material
test socket
group
treated metal
constituent element
Prior art date
Application number
TW108103544A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI717684B (zh
Inventor
遠藤智
Original Assignee
日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 filed Critical 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Publication of TW201934320A publication Critical patent/TW201934320A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI717684B publication Critical patent/TWI717684B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/013—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of an iron alloy or steel, another layer being formed of a metal other than iron or aluminium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/013—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of an iron alloy or steel, another layer being formed of a metal other than iron or aluminium
    • B32B15/015—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of an iron alloy or steel, another layer being formed of a metal other than iron or aluminium the said other metal being copper or nickel or an alloy thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/017—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of aluminium or an aluminium alloy, another layer being formed of an alloy based on a non ferrous metal other than aluminium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/18—Layered products comprising a layer of metal comprising iron or steel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/36—Phosphatising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0416—Connectors, terminals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0458—Details related to environmental aspects, e.g. temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/003—Environmental or reliability tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/54—Electroplating: Baths therefor from solutions of metals not provided for in groups C25D3/04 - C25D3/50
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/64—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of silver
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Contacts (AREA)

Abstract

提供一種老化測試插座用表面處理金屬材料，其用作老化測試插座用的觸頭時，能夠良好地抑制該插座的觸頭與插入的其他的金屬材料的接觸電阻。該老化測試插座用表面處理金屬材料包括：基材、形成於基材上的下層、形成於下層上的中層、以及形成於中層上的上層，下層的厚度為0.05μm以上且小於5.00μm，中層的厚度為0.01μm以上且小於0.40μm，上層的厚度為0.02μm以上且小於1.00μm。

Description

老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座
本發明涉及一種老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座。
在為了預先排除半導體設備等的初期故障而進行的品質試驗中，為了通過溫度和電壓產生的加熱使得檢測體的劣化加速進行以縮短檢查的時間，實施了老化測試。
在老化測試中使用老化測試插座（專利文獻1），在與老化測試插座的檢測體電性接觸的部分，具有老化測試插座用連接器。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2010－109386號公報
發明要解決的技術問題
這裡，在實施將老化測試插座中使用的觸頭接觸作為檢測體的金屬材料，並在規定溫度下加熱並保溫規定時間的試驗時，其接觸電阻值會增大。若接觸電阻值增大，則存在錯誤判斷正在測試的IC的電阻值上升的擔憂，因此難以實施正確的老化測試。
本發明的目的在於解決上述技術問題，其目的在於，提供一種在用於老化測試插座用的觸頭時，能夠良好地抑制該插座的觸頭與插入的其他的金屬材料的接觸電阻的老化測試插座用表面處理金屬材料。
解決技術問題的方法
本發明人，經過深入的研究，結果發現，通過在基材上依次設置下層和中層和上層，下層和中層和上層使用規定的金屬，並且，形成規定的厚度以及組成，可得到能夠解決該技術問題的老化測試插座用表面處理金屬材料。
基於以上知識完成的本發明在一個方面，是老化測試插座用表面處理金屬材料，包括：基材；下層，其形成於該基材上，且由選自A構成元素群的1種或2種以上構成，該A構成元素群是由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的群；中層，其形成於該下層上，且由選自該A構成元素群的1種或2種以上和選自B構成元素群的1種或2種構成，該B構成元素群是由Sn以及In組成的群；上層，其形成於該中層上，且由選自該B構成元素群的1種或2種與選自C構成元素群的1種或2種以上而形成的合金構成，該C構成元素群是由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的群，該下層的厚度為0.05μm以上且小於5.00μm，該中層的厚度為0.01μm以上且小於0.40μm，該上層的厚度為0.02μm以上且小於1.00μm。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在一實施方式中，將該表面處理金屬材料的該上層側接觸其他的金屬材料並在180℃下保溫200小時之時，接觸電阻值為2.0mΩ以下。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在另一實施方式中，將該表面處理金屬材料的該上層側以2.4N的接觸負載接觸其他的金屬材料，並在180℃下保溫200小時之時，該其他的金屬材料的表面的被覆金屬元素朝向該表面處理金屬材料的擴散，不超過從該表面處理金屬材料的表面開始到0.5μm以下的深度。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在又一實施方式中，該上層含有10～50at%的該B構成元素群的金屬。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在又一實施方式中，該中層含有35at%以上的該B構成元素群的金屬。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在又一實施方式中，該A構成元素群的金屬，Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合計為50質量%以上，還含有選自由B、P、Sn以及Zn組成的群的1種或2種以上。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在又一實施方式中，該B構成元素群的金屬，Sn和In的合計為50質量%以上，還含有選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W以及Zn組成的群的1種或2種以上的金屬。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在又一實施方式中，該C構成元素群的金屬，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的合計為50質量%以上，還含有選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl以及Zn組成的群的1種或2種以上的金屬。
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料在又一實施方式中，在該下層與中層之間，還包括由A構成元素群的金屬與C構成元素群的金屬的合金構成的層。
本發明在另一方面，是包括本發明的表面處理金屬材料的老化測試插座用連接器。
本發明在又一方面，是包括本發明的連接器的老化測試插座。
發明的效果
根據本發明，能夠提供一種用於老化測試插座用的觸頭時，可良好地抑制該插座的觸頭與插入的其他的金屬材料的接觸電阻的老化測試插座用表面處理金屬材料。
以下，對本發明的實施方式的老化測試插座用表面處理金屬材料進行說明。如圖1所示，實施方式的老化測試插座用表面處理金屬材料10，在基材11上形成有下層12，在下層12上形成有中層13，在中層13上形成有上層14。
＜老化測試插座用表面處理金屬材料的結構＞
（基材）
作為基材11，沒有特別限制，例如，能夠使用銅以及銅合金、Fe系材料、不銹鋼、鈦以及鈦合金、鋁以及鋁合金等金屬基材。
（上層）
上層14，由選自B構成元素群的1種或2種與選自C構成元素群的1種或2種以上而形成的合金構成，該B構成元素群是由Sn以及In組成的群，該C構成元素群是由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的群。
Sn以及In，是具有氧化性的金屬，具有在金屬之中柔性比較好的特徵。因此，Sn以及In表面上形成有氧化膜，例如在將電子部件用金屬材料用作接點材料進行配合時，也容易容易削掉氧化膜，使接點均為金屬，故而可得到低接觸電阻。
另外，Sn以及In，對於氯氣、亞硫酸氣體，硫化氫氣體等氣體的耐氣體腐蝕性優良，例如，在上層14使用耐氣體腐蝕性差的Ag、下層12使用耐氣體腐蝕性的Ni，基材11使用耐氣體腐蝕性差的銅以及銅合金的情況下，有改善電子部件用金屬材料的耐氣體腐蝕性的作用。需要說明的是，Sn以及In之中，基於厚生勞動省的與健康障礙防止相關的技術方針，In的管制嚴格，因此優選Sn。
Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir，具有在金屬之中比較耐熱的特徵。因此，可減少基材11、下層12以及中層13的組分向上層14側擴散而提高了耐熱性。另外，這些金屬，與上層14的Sn、In形成化合物並抑制Sn、In的氧化膜形成，改善了焊料浸潤性。另外，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir之中，基於導電率的觀點，Ag更優選。Ag的導電率高。例如，在高頻的信號用途中使用Ag的情況下，由於趨膚效應，阻抗電阻降低。
上層14的厚度必須為0.02μm以上且小於1.00μm。若上層14的厚度小於0.02μm，則基材11、下層12的組分容易向上層14側擴散並且耐熱性、焊料浸潤性變差。另外，微滑動導致上層磨損，且接觸電阻高的下層12容易露出，所以耐微滑動磨損性差，微滑動導致接觸電阻容易上升。進一步，由於容易露出耐氣體腐蝕性差的下層12因此耐氣體腐蝕性也變差，在進行氣體腐蝕試驗時外觀會變色。另一方面，若上層14的厚度為1.00μm以上，則硬的基材11或下層12產生的薄膜潤滑效果降低且粘著磨損變大。另外，機械耐久性降低，容易發生鍍層剝落。
上層14，優選含有10～50at%的B構成元素群的金屬。若B構成元素群的金屬小於10at%，則例如在C構成元素群的金屬為Ag的情況下，耐氣體腐蝕性差，在進行氣體腐蝕試驗時外觀會變色。另一方面，若B構成元素群的金屬超過50at%，則上層14中的B構成元素群的金屬的比例增大，粘著磨損會變大。
（中層）
在下層12與上層14之間，必須以0.01μm以上且小於0.40μm的厚度形成中層13，該中層13由選自A構成元素群的1種或2種以上和選自B構成元素群的1種或2種構成，該A構成元素群是由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的群，該B構成元素群是由Sn以及In組成的群。Sn以及In對於氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體的耐氣體腐蝕性優良，例如，在下層12使用耐氣體腐蝕性差的Ni，基材11使用耐氣體腐蝕性差的銅以及銅合金的情況下，有提高電子部件用金屬材料的耐氣體腐蝕性的作用。與Sn和In相比，Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu的皮膜更硬，因此難以發生粘著磨損，可防止基材11的構成金屬向上層14擴散，可提高耐久性，例如耐熱性試驗的耐久性、避免焊料浸潤性劣化的耐久性等。
若中層13的厚度小於0.01μm，則皮膜變軟而粘著磨損增大。另一方面，若中層13厚度為0.40μm以上，則彎曲加工性降低，另外機械耐久性降低，會發生鍍層剝落。
Sn以及In之中，基於厚生勞動省的與健康障礙防止相關的技術方針，In的管制嚴格，因此優選Sn。另外，Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu之中，優選Ni。這是由於，Ni硬而難以發生粘著磨損，另外可得到充分的彎曲加工性。
在中層13中，B構成元素群的金屬優選為35at%以上。Sn為35at%以上，因此皮膜會變硬並可減少粘著磨損。
（下層）
在基材11與中層13之間，必須形成下層12，該下層12由選自A構成元素群的1種或2種以上構成，該A構成元素群是由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的群。由於使用選自由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的群之A構成元素群的1種或2種以上的金屬形成下層12，因此通過形成硬的下層12，可提高薄膜潤滑效果並減少粘著磨損，下層12防止基材11的構成金屬向上層14擴散，並提高了耐熱性、焊料浸潤性等。
下層12的厚度必須為0.05μm以上。若下層12的厚度小於0.05μm，則硬的下層產生的薄膜潤滑效果降低而粘著磨損增大。基材11的構成金屬容易向上層14擴散，耐熱性、焊料浸潤性變差。另一方面，下層12的厚度必須小於5.00μm。若厚度為5.00μm以上，則彎曲加工性差。
在下層12與中層13之間，還可以包括由A構成元素群的金屬與C構成元素群的金屬的合金構成的層。作為該層，例如，優選Ni－Ag合金層。如果像這樣的層形成於下層12與中層13之間，那麼能進一步良好地防止基材11的構成金屬向上層14擴散並且可提高耐熱性、焊料浸潤性等。
（A構成元素群）
A構成元素群的金屬，Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合計為50質量%以上，還可以含有選自由B、P、Sn以及Zn組成的群的1種或2種以上。通過下層12的合金組成為這樣的組分，下層12可進一步硬化，因而可進一步提高薄膜潤滑效果並且進一步減少粘著磨損，下層12的合金化可進一步防止基材11的構成金屬向上層擴散，可提高耐熱性、焊料浸潤性等的耐久性。
（B構成元素群）
B構成元素群的金屬，Sn和In的合計為50質量%以上，還可以含有選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W以及Zn組成的群的1種或2種以上的金屬。通過這些金屬可進一步減少粘著磨損，另外可減少晶須的產生，可進一步提高耐熱性、焊料浸潤性等的耐久性。
（C構成元素群）
C構成元素群的金屬，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的合計為50質量%以上，還可以含有選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl以及Zn組成的群的1種或2種以上的金屬。通過這些金屬可進一步減少粘著磨損，另外可減少晶須的產生，可進一步提高耐熱性、焊料浸潤性等的耐久性。
＜老化測試插座用表面處理金屬材料的特性＞
將本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料的上層側接觸其他的金屬材料，並在180℃下保溫200小時，此時，接觸電阻值為2.0mΩ以下。因此，本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料，用作老化測試插座的連接器時，在與其他的金屬材料接觸的狀態下，即使在規定條件下加熱保溫，也能夠良好地抑制接觸電阻的增大。另外，該接觸電阻值，優選為1.8mΩ以下，更優選為1.6mΩ以下。
另外，將本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料的上層側以2.4N的接觸負載接觸其他的金屬材料，並在180℃下保溫200小時，此時，其他的金屬材料的表面的覆蓋金屬元素向表面處理金屬材料的擴散，從表面處理金屬材料的表面開始，不超過0.5μm以下的深度。因此，本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料，在用作老化測試插座的連接器時，在與其他的金屬材料接觸的狀態下，即使以規定條件施加負載並加熱保溫，也能夠良好地抑制接觸電阻的增大。另外，該其他的金屬材料的表面的覆蓋金屬元素向表面處理金屬材料的擴散，從表面處理金屬材料的表面開始，優選不超過0.4μm以下的深度，更優選不超過0.3μm以下的深度。
＜老化測試插座用表面處理金屬材料的用途＞
本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料，能夠用於老化試驗插座用的連接器。另外，能夠使用由本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料製作的連接器製作老化測試插座。在包括由本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料製作的連接器的老化測試插座中，可良好地抑制老化測試插座的觸頭與插入的其他的金屬材料的接觸電阻。
＜老化測試插座用表面處理金屬材料的製造方法＞
作為本發明的老化測試插座用表面處理金屬材料的製造方法，能夠使用濕式（電氣、無電解）鍍覆，幹式（濺射，離子鍍等）鍍覆等。
實施例
以下，共同示出本發明的實施例和比較例，但是提供這些示例僅僅是為了更好地理解本發明，本發明不意在限定於此。
首先，準備以下的板材和圓頂材作為原材料。
作為實施例1～16、比較例1～5、8、9、參考例6、7，按照以下的條件，在基材（圓頂材）的表面上，按照第1鍍覆、第2鍍覆、和／或第3鍍覆、磷酸酯系液處理以及熱處理的順序，進行表面處理。在表1中示出了各實施例、比較例、參考例的鍍覆種類，製造時的鍍層厚度，磷酸酯系液處理條件，以及熱處理條件。
（基材）
（1）板材：厚度0.25mm，寬度8mm，成分：黃銅，Sn鍍覆厚1.0μm
（2）圓頂材：厚度0.2mm，寬度12mm，成分：黃銅
（第1鍍覆條件）
・Ni鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：氨基磺酸Ni（150g／l）＋硼酸（30g／l）
鍍覆溫度：55℃
電流密度：0.5～4A／dm2
・Ni－Co鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：氨基磺酸Ni（60g／l）＋硫酸鈷（60g／l）＋硼酸（30g／l）
鍍覆溫度：55℃
電流密度：0.5～4A／dm2
（第2鍍覆條件）
・Ag鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：氰化Ag（10g／l）＋氰化鉀（30g／l）
鍍覆溫度：40℃
鍍覆密度：0.2～4A／dm2
・Ag－Sn鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：甲磺酸Ag（1g／l）＋甲磺酸Sn（50g／l）＋甲磺酸（180g／l）
鍍覆溫度：25℃
電流密度：3～5A／dm2
・Sn鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：甲磺酸Sn（50g／l）＋甲磺酸（200g／l）
鍍覆溫度：30℃
電流密度：5～7A／dm2
・In鍍覆條件
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：甲磺酸In（50g／l）＋甲磺酸（200g／l）
鍍覆溫度：40℃
電流密度：5～7A／dm2
（第3鍍覆條件）
・Sn鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：甲磺酸Sn（50g／l）＋甲磺酸（200g／l）
鍍覆溫度：30℃
電流密度：5～7A／dm2
・Sn－Ag鍍覆
表面處理方法：電鍍
鍍覆液：甲磺酸Ag（1g／l）＋甲磺酸Sn（50g／l）＋甲磺酸（180g／l）
鍍覆溫度：25℃
電流密度：3～5A／dm2
（磷酸酯系液處理）
在第1～第3鍍覆後，如表1所示，使用以下的磷酸酯種類（A1、A2）以及環狀有機化合物種類（B1、B2）按照以下條件在鍍覆表面上進行磷酸酯系液處理。磷酸酯系液處理之後的鍍覆表面的P附著量以及N附著量在表1中示出。
・磷酸酯種類：A1
月桂基酸磷酸單酯（磷酸單月桂酯）
・磷酸酯種類：A2
月桂酸磷酸二酯（磷酸二月桂酯）
・環狀有機化合物種類：B1
苯並三唑
・環狀有機化合物種類：B2
巰基苯並噻唑的Na鹽
表面處理，可以在形成上層14後的上層14的表面上塗覆磷酸酯系液，由此進行。塗覆的方法，可列舉噴塗、流塗、浸塗、輥塗等方法，基於生產率的觀點，優選浸塗或噴塗。另一方面，作為其他的處理方法，也可以將形成上層14後的金屬材料浸漬在磷酸酯系液中，以金屬材料為陽極進行電解，由此進行處理。使用該方法處理的金屬材料，有在高溫環境下的接觸電阻更加難以上升的優點。
目前為止說明的磷酸酯系液的表面處理，在形成上層14後，或者在形成上層14後的回流處理之後的某步驟實施均可。另外，表面處理的時間沒有特別限制，基於工業的觀點，優選進行連續的步驟。
（熱處理）
最後，將樣品放置在熱板上，確認熱板的表面為表1中示出的溫度後按照表1所示的氣氛以及熱處理時間實施熱處理。
（下層的厚度測量）
下層的厚度，使用螢光X射線膜厚計（Seiko Instruments製造 SEA5100，准直器0.1mmΦ）進行測量。
下層的厚度測量，對任意的10點進行評價並平均化。
（表層以及上層以及中層的結構［組成］的確定以及厚度測量）
得到的試樣的上層以及中層的結構的確定以及厚度測量，使用STEM（掃描型電子顯微鏡）分析中的線分析，由此進行。厚度，與根據線分析（或面分析）求出的距離對應。STEM裝置，使用日本電子株式會社製造的JEM－2100F。本裝置的加速電壓為200kV。
得到的試樣的上層以及中層的結構的確定以及厚度測量，對任意的10點進行評價並平均化。表層的厚度，與上層以及中層的厚度同樣地進行測量。
（評價）
按照以下的條件對各樣品進行接觸電阻評價。另外，圖2中示出了表示接觸電阻評價的樣態的樣品的觀察照片。圖2的左圖示出了圓頂材的整體俯視觀察照片，中圖示出了圓頂材的放大俯視觀察照片，右圖示出了圓頂材的側面觀察照片。
如圖2所示，將製作的板材插入圓頂材並使兩者接觸。接著，在使得板材和圓頂材保持接觸的狀態下，在180℃下保溫200小時。此時，使用山崎精機研究所製造的接點模擬器CRS－113－Au型，在接點負載1N、2N、3N以及5N的條件下通過4端子法測量接觸電阻。
另外，將製作的板材插入圓頂材並且以2.4N的接觸負載使兩者接觸，在180℃下保溫200小時之時，測量板材表面的被覆金屬元素朝向圓頂材的擴散從圓頂材的表面開始到達多深的深度。
各試樣的組成以及評價條件以及結果在表1以及2中示出。需要說明的是，表1的 “厚度”表示形成的第1～第3鍍層的厚度，表2的“厚度”表示合金化的鍍層的厚度。






【表1】














【表2】
實施例1～16，在使得圓頂材與板材接觸並在180℃下保溫200小時之時，接觸電阻值均為2.0mΩ以下，接觸電阻均得到良好的抑制。
另外，實施例1～16的接觸電阻，包括經時變化在內，均與由厚度為2μm的Ag構成上層的參考例6，由厚度為0.4μm的Au構成上層的參考例7為同等程度。
比較例1～5、8、9，在使得圓頂材與板材接觸並在180℃下保溫200小時之時，接觸電阻值均超過2.0mΩ，接觸電阻不良。
比較例1～3、5的表層或上層殘留有純Sn，進行了Sn鍍覆的板材同樣地有Sn存在於表面，因此不清楚擴散深度。
10‧‧‧老化測試插座用表面處理金屬材料
11‧‧‧基材
12‧‧‧下層
13‧‧‧中層
14‧‧‧上層
圖1是示出實施方式的電子部件用金屬材料的結構的示意圖；
圖2是樣品的觀察照片，其示出接觸電阻評價的樣態。

Claims (11)

  1. 一種老化測試插座用表面處理金屬材料，包括： 一基材； 一下層，其形成於該基材上，且由選自一A構成元素群的1種或2種以上構成，該A構成元素群是由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的群； 一中層，其形成於該下層上，且由選自該A構成元素群的1種或2種以上以及選自一B構成元素群的1種或2種構成，該B構成元素群是由Sn以及In組成的群； 一上層，其形成於該中層上，且由選自該B構成元素群的1種或2種與選自一C構成元素群的1種或2種以上而形成的合金構成，該C構成元素群是由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的群， 該下層的厚度為0.05μm以上且小於5.00μm， 該中層的厚度為0.01μm以上且小於0.40μm， 該上層的厚度為0.02μm以上且小於1.00μm。
  2. 如請求項1所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，將該表面處理金屬材料的該上層側接觸其他的金屬材料，並在180℃下保溫200小時之時，接觸電阻值為2.0mΩ以下。
  3. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，將該表面處理金屬材料的該上層側以2.4N的接觸負載接觸其他的金屬材料，並在180℃下保溫200小時之時，該其他的金屬材料的表面的被覆金屬元素朝向該表面處理金屬材料的擴散，不超過從該表面處理金屬材料的表面到0.5μm以下的深度。
  4. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，該上層含有10～50at%的該B構成元素群的金屬。
  5. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，該中層含有35at%以上的該B構成元素群的金屬。
  6. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，該A構成元素群的金屬，Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合計為50質量%以上，還含有選自由B、P、Sn以及Zn組成的群的1種或2種以上。
  7. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，該B構成元素群的金屬，Sn和In的合計為50質量%以上，還含有選自由Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W以及Zn組成的群的1種或2種以上的金屬。
  8. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，該C構成元素群的金屬，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os和Ir的合計為50質量%以上，還含有選自由Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl以及Zn組成的群的1種或2種以上的金屬。
  9. 如請求項1或2所述的老化測試插座用表面處理金屬材料，其中，在該下層與該中層之間，還包括由該A構成元素群的金屬與該C構成元素群的金屬的一合金構成的層。
  10. 一種老化測試插座用連接器，其包括如請求項1～9中任一項所述的表面處理金屬材料。
  11. 一種老化測試插座，其包括如請求項10所述的連接器。
TW108103544A 2018-02-01 2019-01-30 老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座 TWI717684B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018016777A JP6653340B2 (ja) 2018-02-01 2018-02-01 バーンインテストソケット用表面処理金属材料、それを用いたバーンインテストソケット用コネクタ及びバーンインテストソケット
JP2018-016777 2018-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201934320A true TW201934320A (zh) 2019-09-01
TWI717684B TWI717684B (zh) 2021-02-01

Family

ID=65268823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108103544A TWI717684B (zh) 2018-02-01 2019-01-30 老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190234994A1 (zh)
EP (1) EP3521014B1 (zh)
JP (1) JP6653340B2 (zh)
KR (1) KR20190093520A (zh)
CN (1) CN110103584B (zh)
TW (1) TWI717684B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7033034B2 (ja) * 2018-08-23 2022-03-09 株式会社日立製作所 腐食環境モニタリング方法および腐食環境モニタリングシステム
CN115298023A (zh) * 2020-03-18 2022-11-04 思力柯集团 纳米结构的基于钯的合金和相关方法
EP4386113A1 (en) * 2022-12-13 2024-06-19 Aptiv Technologies Limited Electrical terminal with metal conductive layer comprising silver

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2959872B2 (ja) * 1991-06-18 1999-10-06 古河電気工業株式会社 電気接点材料とその製造方法
JPH07220788A (ja) * 1994-01-31 1995-08-18 Furukawa Electric Co Ltd:The Ｉｃソケット用端子及びその製造方法
JP4525117B2 (ja) * 2004-03-12 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 トレイ
JP4348288B2 (ja) * 2004-12-20 2009-10-21 株式会社神戸製鋼所 コネクタ接点材料
USRE45924E1 (en) * 2005-09-22 2016-03-15 Enplas Corporation Electric contact and socket for electrical part
US7172450B1 (en) * 2006-01-11 2007-02-06 Qualitau, Inc. High temperature open ended zero insertion force (ZIF) test socket
WO2008067815A2 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Aarhus Universitet Use of thermoelectric materials for low temperature thermoelectric purposes
JP5384382B2 (ja) * 2009-03-26 2014-01-08 株式会社神戸製鋼所 耐熱性に優れるＳｎめっき付き銅又は銅合金及びその製造方法
JP2010109386A (ja) 2010-01-21 2010-05-13 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法及び検査用ソケット
JP5086485B1 (ja) * 2011-09-20 2012-11-28 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 電子部品用金属材料及びその製造方法
JP5138827B1 (ja) * 2012-03-23 2013-02-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
JP5275504B1 (ja) * 2012-06-15 2013-08-28 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
JP6029435B2 (ja) * 2012-06-27 2016-11-24 Ｊｘ金属株式会社 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
JP5427945B2 (ja) * 2012-06-27 2014-02-26 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
KR101705562B1 (ko) * 2012-07-25 2017-02-13 제이엑스금속주식회사 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법, 그것을 사용한 커넥터 단자, 커넥터 및 전자 부품
CN104604036A (zh) * 2012-08-31 2015-05-06 株式会社自动网络技术研究所 连接器用镀敷端子以及端子对
TWI485930B (zh) * 2012-10-04 2015-05-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Metal material for electronic parts and manufacturing method thereof
JP2014182976A (ja) * 2013-03-21 2014-09-29 Enplas Corp 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP6503159B2 (ja) * 2014-04-22 2019-04-17 Ｊｘ金属株式会社 電子部品用金属材料、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
WO2017038825A1 (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 古河電気工業株式会社 耐熱性に優れためっき材及びその製造方法
US10868383B2 (en) * 2017-01-30 2020-12-15 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Surface-treated plated material, connector terminal, connector, FFC terminal, FFC, FPC and electronic part
JP6309124B1 (ja) * 2017-02-15 2018-04-11 Ｊｘ金属株式会社 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US20190234994A1 (en) 2019-08-01
KR20190093520A (ko) 2019-08-09
CN110103584B (zh) 2020-12-01
CN110103584A (zh) 2019-08-09
EP3521014A2 (en) 2019-08-07
TWI717684B (zh) 2021-02-01
EP3521014B1 (en) 2020-12-09
EP3521014A3 (en) 2019-10-23
JP6653340B2 (ja) 2020-02-26
JP2019131873A (ja) 2019-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI489002B (zh) Surface treatment plating material and manufacturing method thereof, and electronic parts
EP2868773B1 (en) Electronic component metal material and manufacturing method thereof, and connector terminal, connector and electronic component using said electronic component metal material
US10530084B2 (en) Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same
TWI577542B (zh) Metal material for electronic parts and manufacturing method thereof
US9580783B2 (en) Electronic component metal material and method for manufacturing the same
TWI493798B (zh) Push-in terminals and electronic parts for their use
US10373730B2 (en) Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same
EP2868772B1 (en) Electronic component metal material and manufacturing method thereof, and connector terminal, connector and electronic component using said electronic component metal material
US9979110B2 (en) Electronic component metal material and method for manufacturing the same
TWI653363B (zh) 電子元件用金屬材料及其製造方法、使用該電子元件用金屬材料的連接器端子、連接器及電子元件
TWI717684B (zh) 老化測試插座用表面處理金屬材料，使用該材料的老化測試插座用連接器以及老化測試插座
EP2905356B1 (en) Metal material for use in electronic component
JP5298233B2 (ja) 電子部品用金属材料及びその製造方法
JP2014139345A (ja) 表面処理めっき材およびその製造方法、並びに電子部品
JP2017082307A (ja) 表面被覆層付き銅又は銅合金板条
TW202322483A (zh) 鍍覆材料及電子零件