JPH07220788A - Ｉｃソケット用端子及びその製造方法 - Google Patents
Ｉｃソケット用端子及びその製造方法Info
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- JPH07220788A JPH07220788A JP2897094A JP2897094A JPH07220788A JP H07220788 A JPH07220788 A JP H07220788A JP 2897094 A JP2897094 A JP 2897094A JP 2897094 A JP2897094 A JP 2897094A JP H07220788 A JPH07220788 A JP H07220788A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ（集積回路）のバーンイン試験用ソケッ
トに組付けられる長寿命のＩＣソケット用端子を提供す
る。 【構成】 ＩＣバーンイン試験用ソケットに組付けられ
るＩＣソケット用端子において、前記ＩＣソケット用端
子４の少なくともＩＣリードと電気接続する接点部位６
に、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる少な
くとも１種の金属元素を主成分とする金属材中にＬｉ、
Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、
Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少なくとも１種の金属元素
が 0.5〜10at％添加された合金からなる接点被覆層を
0.1μｍ以上の厚さに形成する。 【効果】 接点部位６の耐摩耗性、耐酸化性が改善さ
れ、又接触抵抗が安定化して、ＩＣソケット用端子の寿
命が向上する。
トに組付けられる長寿命のＩＣソケット用端子を提供す
る。 【構成】 ＩＣバーンイン試験用ソケットに組付けられ
るＩＣソケット用端子において、前記ＩＣソケット用端
子４の少なくともＩＣリードと電気接続する接点部位６
に、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる少な
くとも１種の金属元素を主成分とする金属材中にＬｉ、
Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、
Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少なくとも１種の金属元素
が 0.5〜10at％添加された合金からなる接点被覆層を
0.1μｍ以上の厚さに形成する。 【効果】 接点部位６の耐摩耗性、耐酸化性が改善さ
れ、又接触抵抗が安定化して、ＩＣソケット用端子の寿
命が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ（集積回路）のバー
ンイン試験用ソケットに組付けられる長寿命のＩＣソケ
ット用端子に関する。
ンイン試験用ソケットに組付けられる長寿命のＩＣソケ
ット用端子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ（集積回路）は、その固有欠陥や製
品バラツキによって生じる初期故障又は短寿命品を取り
除く為、加熱下で通電試験が行われる。この試験のこと
をバーンイン試験と称し、この試験にＩＣソケットが用
いられる。ＩＣソケットは図１に例示したように、ソケ
ット本体１と蓋２からなり、ヒンジ３を軸にして、ソケ
ット本体１と蓋２が開閉自在に構成されている。そして
ソケット本体１の底部には２個のＩＣソケット用端子４
が組付けられている。前記ソケット本体１と蓋２は通
常、耐熱性が優れているポニフェニレンサルファイドで
構成されている。ＩＣソケット用端子４は、耐熱性とバ
ネ性に優れるベリリウム銅合金等を基体とし、この基体
表面にＮｉが下地メッキされ、その上にＡｕメッキが施
されたものが用いられていた。
品バラツキによって生じる初期故障又は短寿命品を取り
除く為、加熱下で通電試験が行われる。この試験のこと
をバーンイン試験と称し、この試験にＩＣソケットが用
いられる。ＩＣソケットは図１に例示したように、ソケ
ット本体１と蓋２からなり、ヒンジ３を軸にして、ソケ
ット本体１と蓋２が開閉自在に構成されている。そして
ソケット本体１の底部には２個のＩＣソケット用端子４
が組付けられている。前記ソケット本体１と蓋２は通
常、耐熱性が優れているポニフェニレンサルファイドで
構成されている。ＩＣソケット用端子４は、耐熱性とバ
ネ性に優れるベリリウム銅合金等を基体とし、この基体
表面にＮｉが下地メッキされ、その上にＡｕメッキが施
されたものが用いられていた。
【０００３】前記ＩＣソケットによるバーンイン試験は
次のようにして行われる。ＩＣソケット５内のＩＣソケ
ット用端子４の接点部位６上に試験すべきＩＣ７のリー
ド部８を載せ、このリード部８を可動押圧板９の押圧部
13で押圧し、押圧した状態で蓋２を被せ、 100℃を超え
る高温雰囲気下で少なくとも数時間、電気的負荷をかけ
てＩＣ７を動作させ、正常又は異常を判定する。図２は
前記ＩＣソケット用端子の説明図である。ＩＣソケット
用端子４の頂部にＩＣのリード部８と接触する接点部位
６が形成されている。
次のようにして行われる。ＩＣソケット５内のＩＣソケ
ット用端子４の接点部位６上に試験すべきＩＣ７のリー
ド部８を載せ、このリード部８を可動押圧板９の押圧部
13で押圧し、押圧した状態で蓋２を被せ、 100℃を超え
る高温雰囲気下で少なくとも数時間、電気的負荷をかけ
てＩＣ７を動作させ、正常又は異常を判定する。図２は
前記ＩＣソケット用端子の説明図である。ＩＣソケット
用端子４の頂部にＩＣのリード部８と接触する接点部位
６が形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣのリード部は、通
常、その表面がＳｎやＳｎ合金（半田等）で被覆されて
いる。その為ＩＣソケットに前記ＩＣのリード部を挿抜
しバーンイン試験を繰返すうちに、ＩＣソケット用端子
の接点部位のＡｕメッキ層とＩＣリード部のＳｎやＳｎ
合金の被覆層（Ｓｎ被覆層と称す）が反応してＳｎ化合
物を生成する。このＳｎ化合物がＩＣソケット用端子の
接点部位に固着する。又機械的な擦り合わせによりＩＣ
リードのＳｎ被覆層のＳｎがソケット用端子のＡｕ層に
固相拡散し又は転移し、このＳｎが高温の酸化雰囲気下
で酸化する。これらの化合物や酸化物が接点部位を広く
覆いだすと、測定電流が酸化物のない低抵抗部分に集中
的に流れてジュール発熱が起き、その熱によってＩＣリ
ード表面の被覆層が軟化してＳｎ等の接点部位への固相
拡散や転移が促進する。このようにして、バーンイン試
験を繰返すうちに、ＩＣソケット用端子の接点部位にＳ
ｎ酸化物が厚く広く形成されてＩＣリードとの接触抵抗
が増大する。
常、その表面がＳｎやＳｎ合金（半田等）で被覆されて
いる。その為ＩＣソケットに前記ＩＣのリード部を挿抜
しバーンイン試験を繰返すうちに、ＩＣソケット用端子
の接点部位のＡｕメッキ層とＩＣリード部のＳｎやＳｎ
合金の被覆層（Ｓｎ被覆層と称す）が反応してＳｎ化合
物を生成する。このＳｎ化合物がＩＣソケット用端子の
接点部位に固着する。又機械的な擦り合わせによりＩＣ
リードのＳｎ被覆層のＳｎがソケット用端子のＡｕ層に
固相拡散し又は転移し、このＳｎが高温の酸化雰囲気下
で酸化する。これらの化合物や酸化物が接点部位を広く
覆いだすと、測定電流が酸化物のない低抵抗部分に集中
的に流れてジュール発熱が起き、その熱によってＩＣリ
ード表面の被覆層が軟化してＳｎ等の接点部位への固相
拡散や転移が促進する。このようにして、バーンイン試
験を繰返すうちに、ＩＣソケット用端子の接点部位にＳ
ｎ酸化物が厚く広く形成されてＩＣリードとの接触抵抗
が増大する。
【０００５】上記のＩＣソケット用端子の接点部位に成
長したＳｎ酸化物は固着力が強く、除去するのが困難で
あった。この為ＩＣリードとＩＣソケット用端子との接
触抵抗が許容値を超えると、ＩＣソケット用端子は廃棄
されていた。このＩＣソケット用端子の使用寿命は、通
常の金メッキしたコネクタ用端子に比べて著しく短かか
った。
長したＳｎ酸化物は固着力が強く、除去するのが困難で
あった。この為ＩＣリードとＩＣソケット用端子との接
触抵抗が許容値を超えると、ＩＣソケット用端子は廃棄
されていた。このＩＣソケット用端子の使用寿命は、通
常の金メッキしたコネクタ用端子に比べて著しく短かか
った。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】本発明は、このような状況
の中で鋭意研究を行いなされたもので、その目的とする
ところは、長寿命のＩＣソケット用端子及びその製造方
法を提供することにある。即ち、請求項１の発明は、Ｉ
Ｃバーンイン試験用ソケットに組付けられるＩＣソケッ
ト用端子において、前記ＩＣソケット用端子の少なくと
もＩＣリードと電気接続する接点部位に、Ｍｏ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる少なくとも１種の金属
元素を主成分とする金属材中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、
Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群か
ら選ばれる少なくとも１種の金属元素が 0.5〜10at％添
加された合金からなる接点被覆層が 0.1μｍ以上の厚さ
に形成されていることを特徴とするＩＣソケット用端子
である。
の中で鋭意研究を行いなされたもので、その目的とする
ところは、長寿命のＩＣソケット用端子及びその製造方
法を提供することにある。即ち、請求項１の発明は、Ｉ
Ｃバーンイン試験用ソケットに組付けられるＩＣソケッ
ト用端子において、前記ＩＣソケット用端子の少なくと
もＩＣリードと電気接続する接点部位に、Ｍｏ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる少なくとも１種の金属
元素を主成分とする金属材中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、
Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群か
ら選ばれる少なくとも１種の金属元素が 0.5〜10at％添
加された合金からなる接点被覆層が 0.1μｍ以上の厚さ
に形成されていることを特徴とするＩＣソケット用端子
である。
【０００７】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、ＩＣソケット用端子の接点部位に形成する接点被覆
層に酸素を１〜40at％含有させることを特徴とするもの
である。
て、ＩＣソケット用端子の接点部位に形成する接点被覆
層に酸素を１〜40at％含有させることを特徴とするもの
である。
【０００８】請求項３の発明は、ＩＣバーンイン試験用
ソケットに組付けられるＩＣソケット用端子において、
前記ＩＣソケット用端子の少なくともＩＣリードとの接
続部位にＭｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる
少なくとも１種の金属元素を主成分とする金属材中にＬ
ｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓ
ｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少なくとも１種を主成
分とする酸化物の群から選ばれる少なくとも１種の酸化
物が 0.1〜５wt％含有された接点被覆層が 0.1μｍ以上
の厚さに形成されていることを特徴とするＩＣソケット
用端子である。
ソケットに組付けられるＩＣソケット用端子において、
前記ＩＣソケット用端子の少なくともＩＣリードとの接
続部位にＭｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる
少なくとも１種の金属元素を主成分とする金属材中にＬ
ｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓ
ｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少なくとも１種を主成
分とする酸化物の群から選ばれる少なくとも１種の酸化
物が 0.1〜５wt％含有された接点被覆層が 0.1μｍ以上
の厚さに形成されていることを特徴とするＩＣソケット
用端子である。
【０００９】本発明において、ソケット用端子を構成す
る基体には、通常の端子材料、例えばベリリウム銅合金
を始めとして、ニッケルベリリウム銅合金、スピノーダ
ル合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系合金）、チタン銅合金、り
ん青銅合金等が適用される。前記基体上に接点被覆層を
形成するには、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレー
ティング法、ＣＶＤ法、湿式メッキ法等の常用の成膜技
術が適用できる。接点被覆層は基体上に直接形成して
も、基体にＮｉ下地メッキを施しその上にＡｕメッキを
施した従来のＩＣソケット用端子の接点部位に接点被覆
層を形成しても良い。接点被覆層は基体全面に形成して
も差し支えない。
る基体には、通常の端子材料、例えばベリリウム銅合金
を始めとして、ニッケルベリリウム銅合金、スピノーダ
ル合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系合金）、チタン銅合金、り
ん青銅合金等が適用される。前記基体上に接点被覆層を
形成するには、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレー
ティング法、ＣＶＤ法、湿式メッキ法等の常用の成膜技
術が適用できる。接点被覆層は基体上に直接形成して
も、基体にＮｉ下地メッキを施しその上にＡｕメッキを
施した従来のＩＣソケット用端子の接点部位に接点被覆
層を形成しても良い。接点被覆層は基体全面に形成して
も差し支えない。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３
の発明において、ＩＣソケット用端子と接点被覆層の間
にＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ｔｉの群から選ばれる少なくとも１
種の金属元素を主成分とする厚さ0.05μｍ以上の中間層
を介在させることを特徴とするものである。
の発明において、ＩＣソケット用端子と接点被覆層の間
にＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ｔｉの群から選ばれる少なくとも１
種の金属元素を主成分とする厚さ0.05μｍ以上の中間層
を介在させることを特徴とするものである。
【００１１】上記中間層はプラズマＣＶＤ法、スパッタ
リング法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティン
グ法等、常用の成膜法や電気メッキ法により形成でき、
又これら中間層を形成した後、熱処理による端子基材へ
の拡散処理を施すと、上記密着性がより向上する。その
厚さの上限はＩＣソケット用端子の製造コストや使用条
件から決めればよい。
リング法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティン
グ法等、常用の成膜法や電気メッキ法により形成でき、
又これら中間層を形成した後、熱処理による端子基材へ
の拡散処理を施すと、上記密着性がより向上する。その
厚さの上限はＩＣソケット用端子の製造コストや使用条
件から決めればよい。
【００１２】請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４
の発明において、ＩＣソケット用端子に形成された接点
被覆層の表面が酸化されていることを特徴とするＩＣソ
ケット用端子である。
の発明において、ＩＣソケット用端子に形成された接点
被覆層の表面が酸化されていることを特徴とするＩＣソ
ケット用端子である。
【００１３】請求項６の発明は、請求項５の発明のＩＣ
ソケット用端子を製造する方法で、接点部位に接点被覆
層を形成したＩＣソケット用端子を酸素含有雰囲気中で
100℃〜400 ℃の温度に加熱して酸化させることを特徴
とするものである。
ソケット用端子を製造する方法で、接点部位に接点被覆
層を形成したＩＣソケット用端子を酸素含有雰囲気中で
100℃〜400 ℃の温度に加熱して酸化させることを特徴
とするものである。
【００１４】請求項７の発明は、請求項１乃至請求項５
記載のＩＣソケット用端子の製造方法である。即ち、Ｉ
Ｃソケット用端子の接点部位にイオン洗浄又は電子洗浄
を施し、次いで前記イオン洗浄又は電子洗浄を施した接
点部位に接点被覆層を物理蒸着法又は化学蒸着法により
形成することを特徴とするものである。
記載のＩＣソケット用端子の製造方法である。即ち、Ｉ
Ｃソケット用端子の接点部位にイオン洗浄又は電子洗浄
を施し、次いで前記イオン洗浄又は電子洗浄を施した接
点部位に接点被覆層を物理蒸着法又は化学蒸着法により
形成することを特徴とするものである。
【００１５】以下に、ＩＣソケット用端子の基体に接点
被覆層を形成する方法を具体的に説明する。先ずＩＣソ
ケット用端子となす基体の表面を平滑に研磨し、更に必
要が有れば、電解研磨等により精密研磨し、次にイオン
ボンバード、電子シャワー等により表面洗浄を行った
後、この基体の接点部位にプラズマＣＶＤ法、スパッタ
リング法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティン
グ法等の常用の成膜法を適用して、所望の組成、厚さの
接点被覆層を形成する。
被覆層を形成する方法を具体的に説明する。先ずＩＣソ
ケット用端子となす基体の表面を平滑に研磨し、更に必
要が有れば、電解研磨等により精密研磨し、次にイオン
ボンバード、電子シャワー等により表面洗浄を行った
後、この基体の接点部位にプラズマＣＶＤ法、スパッタ
リング法、イオンアシスト蒸着法、イオンプレーティン
グ法等の常用の成膜法を適用して、所望の組成、厚さの
接点被覆層を形成する。
【００１６】
【作用】請求項１記載のＩＣソケット用端子の接点被覆
層は、高融点・高硬度のＭｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗの群から選ばれる１種の金属元素を主成分とする
金属元素中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃ
ａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれ
る少なくとも１種の金属元素を添加して耐摩耗性、耐酸
化性を改善し且つ接触抵抗を安定化させたものである。
一般的に、接点被覆層がＭｏやＷで形成されたものは、
表面が絶縁性酸化物に覆われて接触抵抗が不安定にな
る。これに対し、本発明において接触抵抗が安定化する
理由は、接点被覆層の形成時やその後において、大気中
の酸素が表面に付着しても、前記添加元素に吸着または
結合して接点内部に侵入して、表面が絶縁性酸化物に覆
われて接触抵抗が不安定になることが防止され、接触抵
抗が安定に維持されるためと考えられる。上記添加量を
0.5 〜10at％の範囲に限定したのは、 0.5at％未満で
は、接触抵抗の安定化が十分達成されず、10at％を超え
ると接点被覆層の電気抵抗が高くなる為である。前記添
加元素は２種以上添加してもよい。
層は、高融点・高硬度のＭｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗの群から選ばれる１種の金属元素を主成分とする
金属元素中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃ
ａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれ
る少なくとも１種の金属元素を添加して耐摩耗性、耐酸
化性を改善し且つ接触抵抗を安定化させたものである。
一般的に、接点被覆層がＭｏやＷで形成されたものは、
表面が絶縁性酸化物に覆われて接触抵抗が不安定にな
る。これに対し、本発明において接触抵抗が安定化する
理由は、接点被覆層の形成時やその後において、大気中
の酸素が表面に付着しても、前記添加元素に吸着または
結合して接点内部に侵入して、表面が絶縁性酸化物に覆
われて接触抵抗が不安定になることが防止され、接触抵
抗が安定に維持されるためと考えられる。上記添加量を
0.5 〜10at％の範囲に限定したのは、 0.5at％未満で
は、接触抵抗の安定化が十分達成されず、10at％を超え
ると接点被覆層の電気抵抗が高くなる為である。前記添
加元素は２種以上添加してもよい。
【００１７】ＩＣソケット用端子の接点部位に形成する
接点被覆層の厚さを 0.1μｍ以上に限定したのは、 0.1
μｍ未満では耐摩耗性が十分でなく、満足な動作特性が
得られない為である。前記接点被覆層の厚さの上限はＩ
Ｃソケット用端子の使用条件やコスト等により適宜決め
られる。厚さが厚いと表面が荒れ易くなる。従ってコス
トの点とも相まって 100μｍ以下が好適である。
接点被覆層の厚さを 0.1μｍ以上に限定したのは、 0.1
μｍ未満では耐摩耗性が十分でなく、満足な動作特性が
得られない為である。前記接点被覆層の厚さの上限はＩ
Ｃソケット用端子の使用条件やコスト等により適宜決め
られる。厚さが厚いと表面が荒れ易くなる。従ってコス
トの点とも相まって 100μｍ以下が好適である。
【００１８】請求項１記載のＩＣソケット用端子の接点
被覆層に酸素を添加することにより接点被覆層に含有さ
れるＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、
Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ又はＴｈが一部酸化して接触抵抗が安定
化する。酸素の添加量を１〜40at％に限定したのは、１
at％未満ではその効果が十分でなく、40at％を超えると
接点被覆層の電気抵抗が大きくなる為である。
被覆層に酸素を添加することにより接点被覆層に含有さ
れるＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、
Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ又はＴｈが一部酸化して接触抵抗が安定
化する。酸素の添加量を１〜40at％に限定したのは、１
at％未満ではその効果が十分でなく、40at％を超えると
接点被覆層の電気抵抗が大きくなる為である。
【００１９】請求項３記載のＩＣソケット用端子の接点
被覆層は、高融点・高硬度のＭｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗの群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を主成分
とする金属材中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、
Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少
なくとも１種を主成分とする酸化物の群から選ばれる少
なくとも１種の酸化物を添加することにより、接触抵抗
を安定化させ、更に耐摩耗性、耐酸化性を改善したもの
である。前記酸化物の添加量を 0.1〜５wt％の範囲に限
定した理由は、0.1wt ％未満では接触抵抗の安定化が十
分になされず、５wt％を超えると接点被覆層の電気抵抗
が高くなるためである。これら酸化物は２種以上添加し
てもよい。
被覆層は、高融点・高硬度のＭｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗの群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を主成分
とする金属材中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、
Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少
なくとも１種を主成分とする酸化物の群から選ばれる少
なくとも１種の酸化物を添加することにより、接触抵抗
を安定化させ、更に耐摩耗性、耐酸化性を改善したもの
である。前記酸化物の添加量を 0.1〜５wt％の範囲に限
定した理由は、0.1wt ％未満では接触抵抗の安定化が十
分になされず、５wt％を超えると接点被覆層の電気抵抗
が高くなるためである。これら酸化物は２種以上添加し
てもよい。
【００２０】請求項１乃至請求項３記載のＩＣソケット
用端子において、接点被覆層と基体間に、軟質なＡｇ、
Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ
ｒ、Ｃｒ、Ｔｉ又はこれらの合金からなる中間層を介在
させることにより、基体と接点被覆層との密着性が高ま
り、成膜時に基体と接点被覆層の界面に発生するピンホ
ール数が低減する。同時に接点被覆層表面が平滑化す
る。更に接点被覆層の実質硬度が下がり、接触抵抗が安
定化する。前記中間層は電気伝導性が高く導通性が損な
われない。前記中間層は複数層介在させてもよい。中間
層の厚さを0.05μｍ以上に限定したのは、0.05μｍ未満
では前記ピンホール数の低減効果が十分に得られない為
である。
用端子において、接点被覆層と基体間に、軟質なＡｇ、
Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓ
ｒ、Ｃｒ、Ｔｉ又はこれらの合金からなる中間層を介在
させることにより、基体と接点被覆層との密着性が高ま
り、成膜時に基体と接点被覆層の界面に発生するピンホ
ール数が低減する。同時に接点被覆層表面が平滑化す
る。更に接点被覆層の実質硬度が下がり、接触抵抗が安
定化する。前記中間層は電気伝導性が高く導通性が損な
われない。前記中間層は複数層介在させてもよい。中間
層の厚さを0.05μｍ以上に限定したのは、0.05μｍ未満
では前記ピンホール数の低減効果が十分に得られない為
である。
【００２１】請求項１又は請求項４記載のＩＣソケット
用端子の接点被覆層の表面を酸化させることにより、接
点被覆層中に酸素が侵入し、接点被覆層に含有されるＬ
ｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂ等の添加元素が一部酸化し、接触
抵抗が安定化する。
用端子の接点被覆層の表面を酸化させることにより、接
点被覆層中に酸素が侵入し、接点被覆層に含有されるＬ
ｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂ等の添加元素が一部酸化し、接触
抵抗が安定化する。
【００２２】前記接点被覆層の表面を酸化させる方法
は、請求項６に記載したように、前記接点被覆層を大気
雰囲気中で加熱する方法が簡便である。加熱する温度は
100℃〜400 ℃が望ましく、100 ℃未満では十分に酸化
されず、 400℃を超えると酸化層が厚すぎて接触抵抗が
増大する。
は、請求項６に記載したように、前記接点被覆層を大気
雰囲気中で加熱する方法が簡便である。加熱する温度は
100℃〜400 ℃が望ましく、100 ℃未満では十分に酸化
されず、 400℃を超えると酸化層が厚すぎて接触抵抗が
増大する。
【００２３】基体に接点被覆層を形成するには、基体の
接点部位をイオン洗浄又は電子洗浄し、この洗浄した接
点部位に接点被覆層を物理蒸着法又は化学蒸着法により
形成する方法により、基体と接点被覆層との密着性が優
れ、割れ等の欠陥のない品質良好な接点被覆層が得られ
る。
接点部位をイオン洗浄又は電子洗浄し、この洗浄した接
点部位に接点被覆層を物理蒸着法又は化学蒸着法により
形成する方法により、基体と接点被覆層との密着性が優
れ、割れ等の欠陥のない品質良好な接点被覆層が得られ
る。
【００２４】本発明のＩＣソケット用端子に形成する接
点被覆層は、いずれも導電性を有し且つ硬質であり接点
材として好適である。しかもＣｕ、Ｓｎ、Ｐｂ等とは濡
れ性が悪く、又接触しても拡散や転移が起き難い。従っ
て本発明のＩＣソケット用端子は、接点被覆層が長期使
用後も初期の表面状態が保持される。
点被覆層は、いずれも導電性を有し且つ硬質であり接点
材として好適である。しかもＣｕ、Ｓｎ、Ｐｂ等とは濡
れ性が悪く、又接触しても拡散や転移が起き難い。従っ
て本発明のＩＣソケット用端子は、接点被覆層が長期使
用後も初期の表面状態が保持される。
【００２５】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
る。 実施例１ ＩＣソケット用端子となす基体にベリリウム銅合金製基
体を用い、この基体の接点部位に真空蒸着法により接点
被覆層を形成した。先ず有機洗浄した基体をチャンバー
内にセットし、チャンバー内を脱気した。次に基体をＡ
ｒイオンによるイオンボンバード洗浄した。次にイオン
洗浄後の基体をチャンバー内で 150℃に加熱保持し、電
子ビーム蒸発源からＷと添加元素を同時に蒸発させ、Ｗ
と添加元素（Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｔｈ）を
基体の接点部位に20Ａ／sec.の堆積速度で真空蒸着して
接点被覆層を形成して、ＩＣソケット用端子を製造し
た。比較の為、Ｗのみを蒸発させて接点被覆層を形成し
たものも製造した。
る。 実施例１ ＩＣソケット用端子となす基体にベリリウム銅合金製基
体を用い、この基体の接点部位に真空蒸着法により接点
被覆層を形成した。先ず有機洗浄した基体をチャンバー
内にセットし、チャンバー内を脱気した。次に基体をＡ
ｒイオンによるイオンボンバード洗浄した。次にイオン
洗浄後の基体をチャンバー内で 150℃に加熱保持し、電
子ビーム蒸発源からＷと添加元素を同時に蒸発させ、Ｗ
と添加元素（Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｔｈ）を
基体の接点部位に20Ａ／sec.の堆積速度で真空蒸着して
接点被覆層を形成して、ＩＣソケット用端子を製造し
た。比較の為、Ｗのみを蒸発させて接点被覆層を形成し
たものも製造した。
【００２６】実施例２ 電子ビーム蒸発源からＭｏと添加元素（Ｓｒ、Ｃｓ、Ｔ
ｈ）を同時に蒸発させた他は、実施例１と同じ方法によ
りＩＣソケット用端子を製造した。比較の為、Ｍｏのみ
を蒸発させて接点被覆層を形成したものも製造した。
ｈ）を同時に蒸発させた他は、実施例１と同じ方法によ
りＩＣソケット用端子を製造した。比較の為、Ｍｏのみ
を蒸発させて接点被覆層を形成したものも製造した。
【００２７】実施例３ 酸素分圧を制御したチャンバー内で、電子ビーム蒸発源
からＷとＳｒを同時に蒸発させて基体の接点部位にＷ−
Ｓｒ−Ｏ系の接点被覆層を形成した他は、実施例１と同
じ方法によりＩＣソケット用端子を製造した。
からＷとＳｒを同時に蒸発させて基体の接点部位にＷ−
Ｓｒ−Ｏ系の接点被覆層を形成した他は、実施例１と同
じ方法によりＩＣソケット用端子を製造した。
【００２８】実施例４ Ａｒ＋Ｏ2 のガス圧を10mTorr に制御したチャンバー内
で、Ｗと金属酸化物（ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏ、Ｃｅ
Ｏ2 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｈＯ2 ）をターゲットにして、
0.7ｋＷの直流マグネトロンスパッタ法で基体の接点部
位にＷ−金属酸化物からなる接点被覆層を形成した他
は、実施例１と同じ方法によりＩＣソケット用端子を製
造した。
で、Ｗと金属酸化物（ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏ、Ｃｅ
Ｏ2 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｈＯ2 ）をターゲットにして、
0.7ｋＷの直流マグネトロンスパッタ法で基体の接点部
位にＷ−金属酸化物からなる接点被覆層を形成した他
は、実施例１と同じ方法によりＩＣソケット用端子を製
造した。
【００２９】実施例５ ターゲットにＭｏと金属酸化物（ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ
2 Ｏ、ＣｅＯ2 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｈＯ2 ）を用いた他
は、実施例４と同じ方法によりＩＣソケット用端子を製
造した。
2 Ｏ、ＣｅＯ2 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｈＯ2 ）を用いた他
は、実施例４と同じ方法によりＩＣソケット用端子を製
造した。
【００３０】実施例６ 実施例１で製造した、接点被覆層がＷ−Ｓｒ系合金から
なるＩＣソケット用端子を大気中で24時間加熱して接点
被覆層の表面を酸化した。
なるＩＣソケット用端子を大気中で24時間加熱して接点
被覆層の表面を酸化した。
【００３１】実施例７ ベリリウム銅合金製基体の表面に、予め、Ａｇ、Ｎｉ、
Ａｌ、Ａｕ、Ｓｒ又はＣｒを真空蒸着した他は、実施例
１と同じ方法によりＩＣソケット用端子を製造した。
Ａｌ、Ａｕ、Ｓｒ又はＣｒを真空蒸着した他は、実施例
１と同じ方法によりＩＣソケット用端子を製造した。
【００３２】実施例１〜７にて製造したＩＣソケット用
端子をＩＣソケットに組付け、そのＩＣソケット２０個
にそれぞれＩＣを挿入し、初期の接触抵抗を測定した。
接触抵抗の測定方法は、端子間に１０ｍＡの電流（Ｉ）
を流し、低レベルの電圧（Ｖ）を測定して接触抵抗Ｒ
（Ω）＝Ｖ／Ｉを算出した。その後、２００℃で２８時
間加熱した後冷却してＩＣを抜くバーンイン試験を２０
回反復した。この挿抜の間に、端子間に１０ｍＡの電流
（Ｉ）を流し、低レベルの電圧（Ｖ）を測定して接触抵
抗Ｒ（Ω）＝Ｖ／Ｉを算出した。接触抵抗が１Ω以上で
ある場合をソケットの故障と数え、１Ω未満である場合
をソケットは良と判定し、各端子についてソケットの故
障率（％）を算出した。実施例１〜７の故障率をそれぞ
れ表１〜７に示した。
端子をＩＣソケットに組付け、そのＩＣソケット２０個
にそれぞれＩＣを挿入し、初期の接触抵抗を測定した。
接触抵抗の測定方法は、端子間に１０ｍＡの電流（Ｉ）
を流し、低レベルの電圧（Ｖ）を測定して接触抵抗Ｒ
（Ω）＝Ｖ／Ｉを算出した。その後、２００℃で２８時
間加熱した後冷却してＩＣを抜くバーンイン試験を２０
回反復した。この挿抜の間に、端子間に１０ｍＡの電流
（Ｉ）を流し、低レベルの電圧（Ｖ）を測定して接触抵
抗Ｒ（Ω）＝Ｖ／Ｉを算出した。接触抵抗が１Ω以上で
ある場合をソケットの故障と数え、１Ω未満である場合
をソケットは良と判定し、各端子についてソケットの故
障率（％）を算出した。実施例１〜７の故障率をそれぞ
れ表１〜７に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】
【表５】
【００３８】
【表６】
【００３９】
【表７】
【００４０】表１〜表７より明らかなように、本発明例
品（No.1〜11、16〜18、20〜24、26〜36、40〜45、46〜
50、52〜60) は故障率が低かった。中でも酸素を含有さ
せたもの( No.20 〜24) 、大気中で酸化処理を施したも
の(No.46〜50) 、中間層を介在させたもの(No.52〜60)
は、優れた特性を示した。他方、比較例品のNo.12,37は
元素又は酸化物の添加量が少なすぎて、No.13,38は前記
添加量が多過ぎて、No.14,39は接点被覆層が薄すぎて、
No.15,19は接点被覆層がＷ又はＭｏのみで形成された
為、いずれも接触抵抗と故障率が高かった。又No.51 は
酸化処理温度が高すぎて表面に酸化皮膜が生成して特性
が低下した。
品（No.1〜11、16〜18、20〜24、26〜36、40〜45、46〜
50、52〜60) は故障率が低かった。中でも酸素を含有さ
せたもの( No.20 〜24) 、大気中で酸化処理を施したも
の(No.46〜50) 、中間層を介在させたもの(No.52〜60)
は、優れた特性を示した。他方、比較例品のNo.12,37は
元素又は酸化物の添加量が少なすぎて、No.13,38は前記
添加量が多過ぎて、No.14,39は接点被覆層が薄すぎて、
No.15,19は接点被覆層がＷ又はＭｏのみで形成された
為、いずれも接触抵抗と故障率が高かった。又No.51 は
酸化処理温度が高すぎて表面に酸化皮膜が生成して特性
が低下した。
【００４１】上記実施例には示さなかったが、中間層を
介在させることによる接触抵抗及び故障率の低減効果
は、接点被覆層が金属材中に酸化物を含有させて構成し
たものであっても、実施例７の場合と同様に発揮され
る。又接点被覆層の表面を酸化させることによる前記効
果も、接点被覆層が基体との間に中間層を介在させた接
点被覆層に適用して、実施例６の場合と同様に発揮され
る。
介在させることによる接触抵抗及び故障率の低減効果
は、接点被覆層が金属材中に酸化物を含有させて構成し
たものであっても、実施例７の場合と同様に発揮され
る。又接点被覆層の表面を酸化させることによる前記効
果も、接点被覆層が基体との間に中間層を介在させた接
点被覆層に適用して、実施例６の場合と同様に発揮され
る。
【００４２】
【効果】以上述べたように、本発明のＩＣソケット用端
子は接点部位に、耐摩耗性、耐酸化性に優れ、又接触抵
抗の安定化に有効な接点被覆層が形成されているので、
ＩＣソケット用端子の寿命が向上し、工業上顕著な効果
を奏する。
子は接点部位に、耐摩耗性、耐酸化性に優れ、又接触抵
抗の安定化に有効な接点被覆層が形成されているので、
ＩＣソケット用端子の寿命が向上し、工業上顕著な効果
を奏する。
【図１】ＩＣソケットの縦断面図である。
【図２】ＩＣソケット用端子の説明図である。
【符号の説明】 １ ソケット本体 ２ 蓋 ３ ヒンジ ４ ＩＣソケット用端子 ５ ＩＣソケット ６ 接点部位 ７ ＩＣ ８ ＩＣのリード部 ９ 可動押圧板 10 可動押圧板の押圧部
Claims (7)
- 【請求項１】 ＩＣバーンイン試験用ソケットに組付け
られるＩＣソケット用端子において、前記ＩＣソケット
用端子の少なくともＩＣリードと電気接続する接点部位
に、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる少な
くとも１種の金属元素を主成分とする金属材中にＬｉ、
Ｋ、Ｃｅ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、
Ｔｈ、Ｒｂの群から選ばれる少なくとも１種の金属元素
が 0.5〜10at％添加された合金からなる接点被覆層が
0.1μｍ以上の厚さに形成されていることを特徴とする
ＩＣソケット用端子。 - 【請求項２】 ＩＣソケット用端子の少なくとも接点部
位に形成される接点被覆層に酸素が１〜40at％含有され
ていることを特徴とする請求項１記載のＩＣソケット用
端子。 - 【請求項３】 ＩＣバーンイン試験用ソケットに組付け
られるＩＣソケット用端子において、前記ＩＣソケット
用端子の少なくともＩＣリードとの接続部位にＭｏ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの群から選ばれる少なくとも１種の
金属元素を主成分とする金属材中にＬｉ、Ｋ、Ｃｅ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃ、Ｔｈ、Ｒｂの
群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする酸化物の
群から選ばれる少なくとも１種の酸化物が 0.1〜５wt％
含有された接点被覆層が 0.1μｍ以上の厚さに形成され
ていることを特徴とするＩＣソケット用端子。 - 【請求項４】 ＩＣソケット用端子と接点被覆層の間に
Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ｔｉの群から選ばれる少なくとも１種
の金属元素を主成分とする厚さ0.05μｍ以上の中間層が
介在されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３
記載のＩＣソケット用端子。 - 【請求項５】 ＩＣソケット用端子に形成された接点被
覆層の表面が酸化されていることを特徴とする請求項１
又は請求項４記載のＩＣソケット用端子。 - 【請求項６】 接点部位に接点被覆層を形成したＩＣソ
ケット用端子を酸素含有雰囲気中で 100℃〜400 ℃の温
度に加熱して酸化させることを特徴とする請求項５記載
のＩＣソケット用端子の製造方法。 - 【請求項７】 ＩＣソケット用端子の接点部位にイオン
洗浄又は電子洗浄を施し、次いで前記イオン洗浄又は電
子洗浄を施した接点部位に接点被覆層を物理蒸着法又は
化学蒸着法により形成することを特徴とする請求項１乃
至請求項５記載のＩＣソケット用端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2897094A JPH07220788A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | Ｉｃソケット用端子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2897094A JPH07220788A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | Ｉｃソケット用端子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220788A true JPH07220788A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12263284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2897094A Pending JPH07220788A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | Ｉｃソケット用端子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07220788A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045533A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-02-14 | Enplas Corp | コンタクトピン及び電気部品用ソケット |
| CN108193115A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-22 | 昆山胜典机电科技进出口有限公司 | 一种钼合金的制备方法、钼合金及其应用 |
| KR20190070743A (ko) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 현대자동차주식회사 | 내마모 코팅된 마찰부품 및 그 코팅방법 |
| JP2019131873A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | Ｊｘ金属株式会社 | バーンインテストソケット用表面処理金属材料、それを用いたバーンインテストソケット用コネクタ及びバーンインテストソケット |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP2897094A patent/JPH07220788A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003045533A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-02-14 | Enplas Corp | コンタクトピン及び電気部品用ソケット |
| KR100943365B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2010-02-18 | 가부시키가이샤 엔프라스 | 콘택트핀 및 전기부품용 소켓 |
| KR20190070743A (ko) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 현대자동차주식회사 | 내마모 코팅된 마찰부품 및 그 코팅방법 |
| CN108193115A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-22 | 昆山胜典机电科技进出口有限公司 | 一种钼合金的制备方法、钼合金及其应用 |
| CN108193115B (zh) * | 2017-12-14 | 2019-09-24 | 昆山胜典机电科技进出口有限公司 | 一种钼合金的制备方法、钼合金及其应用 |
| JP2019131873A (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | Ｊｘ金属株式会社 | バーンインテストソケット用表面処理金属材料、それを用いたバーンインテストソケット用コネクタ及びバーンインテストソケット |
| CN110103584A (zh) * | 2018-02-01 | 2019-08-09 | Ｊｘ金属株式会社 | 老化测试插座用表面处理金属材料、使用了其的老化测试插座用连接器及老化测试插座 |
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