CN110085715A - 半导体发光器件 - Google Patents

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金台勋
沈载仁
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Abstract

一种半导体发光器件，包括：发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和反射电极层，其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。

Description

半导体发光器件
相关申请的交叉引用
2018年1月26日向韩国知识产权局提交的题为“半导体发光器件”的韩国专利申请No.10-2018-0010192通过引用方式全文并入本文中。
技术领域
实施例涉及半导体发光器件。
背景技术
发光二极管(LED)(其中包含发光材料以发光的器件)将由于电子和空穴的复合而产生的能量转换成从其发射的光。这种LED广泛应用于照明元件、显示器件和光源。
发明内容
根据实施例，一种半导体发光器件包括：发光结构，其具有在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其设置在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且具有设置在与所述第二区域重叠的区域中的多个第二通孔；和反射电极层，其设置在所述绝缘反射层的一个区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
根据实施例，一种半导体发光器件包括：发光结构，其具有在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其设置在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；第一绝缘反射层，其穿过所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层，并且具有设置在与所述第二区域重叠的区域中的多个第二通孔；和反射电极层，其覆盖所述第一绝缘反射层并且通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
根据实施例，一种半导体发光器件包括：衬底；发光结构，其具有在所述衬底上堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其设置在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔；第一绝缘反射层，其穿透所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层，并且具有设置在与所述第二区域重叠的区域中的多个第二通孔；反射电极层，其覆盖所述第一绝缘反射层并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层；第二绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层和所述反射电极层；和第一导电图案和第二导电图案，它们设置在所述第二绝缘反射层上并且穿过所述第二绝缘反射层分别连接到所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：
图1示出了根据示例性实施例的半导体发光器件的示意性平面图；
图2示出了图1的部分A1的放大视图；
图3示出了沿线I-I'截取的图1的半导体发光器件的侧截面图；
图4示出了根据示例性实施例的半导体发光器件的电流扩散效应的视图；
图5示出了如下的视图，该视图示出根据示例性实施例的增强半导体发光器件的外部光提取的效果；
图6示出了另一个实施例；
图7至图20示出了制造图1的半导体发光器件的方法中的各阶段的视图；和
图21示出了将根据示例性实施例的半导体发光器件应用于半导体发光器件封装件的示例的侧截面图。
具体实施方式
将参照图1至图3描述根据示例实施例的半导体发光器件10。图1是根据示例实施例的半导体发光器件的示意性平面图。图2是图1的部分A1的放大视图。图3是沿线I-I'截取的图1的半导体发光器件的侧截面图。
根据实施例的半导体发光器件10可包括衬底105、发光结构110、透明电极层140、第一绝缘反射层130、第二绝缘反射层150、反射电极层144、第一导电图案155n、第二导电图案155p、钝化层160、第一焊料凸块170n、第二焊料凸块170p、以及模制部分172。发光结构110可以在衬底105的前表面105s1上。
衬底105可以具有前表面105s1和与前表面105s1相对的后表面105s2。衬底105可以是用于生长半导体的衬底，并且可以由绝缘、导电、或半导体材料形成，例如蓝宝石、Si、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等。蓝宝石是电绝缘的，可以是具有六角菱形(Hexa-Rhombo R3c)对称性的晶体，并且可以用作用于生长氮化物半导体的衬底。
在整个说明书中，诸如“前表面”和“后表面”的术语用于区分组件的相对位置。因此，诸如“前表面”和“后表面”的术语可以由诸如“第一表面”和“第二表面”或者“顶表面”和“底表面”的其他术语代替，并且可以用于描述说明书中的组件。衬底105的前表面105s1和后表面105s2可以由衬底105的顶表面105s1和底表面105s2代替，或者可以由衬底105的第一表面105s1和第二表面105s2代替。
在一个示例中，衬底105的前表面105s1可以具有不平坦结构，该不平坦结构可以提高构成发光结构110的半导体层的外部光提取效率和结晶度。在本实施例中，衬底105的前表面105s1的不平坦结构例示为具有圆顶形凸起形状。替代性地，衬底105的前表面105s1的不平坦结构可以形成为各种形状，例如正方形、三角形等。另外，衬底105的前表面105s1的不平坦结构可以选择性地形成在各个区域处或者可以省略。
在一个示例中，根据实施例，稍后可以移除衬底105。例如，可以提供衬底105作为用于生长发光结构110的生长衬底，然后可以通过分离工艺去除衬底105。可以通过诸如激光剥离(LLO)方法、化学剥离(CLO)方法等方法将衬底105从发光结构110分离。
发光结构110可以包括第一导电类型半导体层115、有源层120和第二导电类型半导体层125。第一导电类型半导体层115可以从衬底105的前表面105s1生长。第一导电类型半导体层115可以由掺杂有n型杂质的半导体形成，或者可以是n型氮化物半导体层。
当在平面图中观察时，第一导电类型半导体层115可以具有四边形形状。当在平面图中观察时，第一导电类型半导体层115可以具有第一拐角C1、第二拐角C2、第三拐角C3和第四拐角C4，它们沿逆时针方向顺序地布置。当在平面图中观察时，第一导电类型半导体层115可具有在第一拐角C1和第二拐角C2之间的第一边缘S1、在第二拐角C2和第三拐角C3之间的第二边缘S2、在第三拐角C3和第四拐角C4之间的第三边缘S3、以及在第一拐角C1和第四拐角C4之间的第四边缘S4。因此，第一边缘S1和第三边缘S3可以彼此面对，并且第二边缘S2和第四边缘S4可以彼此面对。
在一个示例中，当在平面图中观察时，第一导电类型半导体层115可以在衬底105上自对准，使得可以以相同的方式将第一导电类型半导体层115的第一拐角C1至第四拐角C4和第一边缘S1至第四边缘S4应用于衬底105。
第一导电类型半导体层115可以具有凹陷区域E和突出区域M。凹陷区域E可以被称为蚀刻区域，并且突出区域M可以被称为台面区域。在附图中，附图标记“B”可以表示凹陷区域E和突出区域M之间的边界B。在第一导电类型半导体层115中，突出区域M的上表面可以高于凹陷区域E的上表面。
在一个示例中，突出区域M可以在向上的方向上逐渐变窄。因此，突出区域M可以具有倾斜的侧表面。在一个示例中，凹陷区域E的上表面的一部分可以被定义为第一接触区域CT1。在一个示例中，突出区域M的上表面的至少一部分可以被定义为第二接触区域CT2。
在整个说明书中，诸如“第一”、“第二”等术语可用于描述各种组件，但是组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件与另一个组件的目的。例如，“第一组件”可以被称为“第二组件”，而不脱离本公开的范围。
在第一导电类型半导体层115中，突出区域M可以与第一边缘S1至第四边缘S4间隔开，并且凹陷区域E可以设置在第一边缘S1至第四边缘S4之中。当在平面图中观察时，凹陷区域E可以在从第一边缘S1的一部分朝向第三边缘S3的方向上例如成对角线地延伸。
有源层120和第二导电类型半导体层125可以顺序地堆叠在第一导电类型半导体层115的突出区域M的上表面上。第二导电类型半导体层125可以由掺杂有p型杂质的半导体形成，并且可以是p型氮化物半导体层。
在一个示例中，第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层125可以堆叠，其中它们的位置根据实施例而改变。第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层125可以具有AlxInyGa(1-x-y)N的成分(这里，0≤x<1,0≤y<1,0≤x+y<1)，并且可以是诸如GaN、AlGaN、InGaN和AlInGaN的材料。
有源层120可以在第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层125之间。当半导体发光器件10工作时，有源层120可以通过电子和空穴的复合而发射具有预定能量的光。有源层120可以包含能带隙小于第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层125的能带隙的材料。例如，当第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层125是基于GaN的化合物半导体时，有源层120可以包括具有小于GaN的能带隙的能带隙的基于InGaN的化合物半导体。另外，有源层120可以是量子阱层和量子势垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构，例如，InGaN/GaN结构。有源层120的结构也可以是单量子阱(SQW)结构。
透明电极层140可以位于第二导电类型半导体层125的上表面上。透明电极层140由导电的透光材料形成。透明电极层140可以扩散从反射电极层144注入的电流，以防止电流集中在第二导电类型半导体层125的一个区域中。透明电极层140整体上可以覆盖第二导电类型半导体层125的全部或一部分。透明电极层140可以由以下TCO(透明导电氧化物)材料形成：诸如，ITO(氧化铟锡)、ZITO(锌掺杂氧化铟锡)、ZIO(氧化锌铟)、GIO(氧化镓铟)、ZTO(氧化锌锡)、FTO(氟掺杂氧化锡)、AZO(铝掺杂氧化锌)、GZO(镓掺杂氧化锌)、In4Sn3O12、Zn(1-x)MgxO(氧化锌镁，0≤x≤1)等。透明电极层140可以由通过包含Ag纳米线和碳纳米管(CNT)中的至少一种而具有导电性的透光聚合物树脂形成。
参照图1和图2，透明电极层140可以包括其中形成有多个第一通孔PD1的第一区域R1和除第一区域R1之外的第二区域R2。当从半导体发光器件10的上表面观察时，透明电极层140可以形成为使得多个第一通孔PD1以规律的间隔DS1布置。可以多方面地修改第一通孔PD1的形状和布置。第一通孔PD1可以形成为例如圆形或多边形的各种形状，并且可以以格子(lattice)的方式布置或者可以交替布置。
透明电极层140有效地将电流Is扩散到第二导电类型半导体层125中。光L2和L8的一部分在透明电极层140上被反射。然而，由于在透射从有源层120发射的光的过程中吸收一部分的光，因此与使用高反射层作为电极层相比，透明电极层140可降低外部光提取效率。在一个示例中，可以通过去除透明电极层140的一部分来形成第一通孔PD1，由此可以在减少透明电极层140吸收的光量的同时保持透明电极层140的电流扩散效应。
第一绝缘反射层130可以在透明电极层140上。第一绝缘反射层130可以覆盖透明电极层140并且可以填充第一通孔PD1。多个第二通孔PD2可以位于第二区域R2中的第一绝缘反射层130中，并且沿着堆叠方向或z方向不与第一通孔PD1重叠。多个第二通孔PD2以规律的间隔DS2布置。第一绝缘反射层130可以覆盖第一导电类型半导体层115的一部分和第二导电类型半导体层125的一部分。第一绝缘反射层130可以包括第一开口OPa，第一开口OPa暴露第一导电类型半导体层115的凹陷区域E的第一接触区域CT1。
第一绝缘反射层130是反射结构，用于反射从有源层120发射的光中的指向与衬底105相反的方向的光L1、L6和L7中的一些L3、L4、L6、L9和L10，并将光重定向到衬底105。
第一绝缘反射层130可以包括多层结构。多层结构可以具有其中具有不同折射率的第一绝缘层和第二绝缘层交替堆叠的结构。也就是说，第一绝缘反射层130可以是分布式布拉格反射器(DBR)。第一绝缘反射层130可以基本上由具有绝缘特性和透光特性的材料形成，并且可以使用无机材料或有机材料形成。第一绝缘反射层130可以包含具有绝缘特性和透光特性的氧化硅或氮化硅。例如，第一绝缘反射层130可以由S、SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN、TiSiN等形成。
根据实施例，第一绝缘反射层130可以与在第一绝缘反射层130的上部上与其接触的反射电极层144一起形成全向反射器(ODR)。
参照图5，第一绝缘反射层130填充第一通孔PD1，从而可以反射从有源层120发射的光L6而使光L6不被吸收到透明电极层140中。因此，可以整体改善反射率以提高外部光提取效率。
参照图2，将第一通孔PD1和第二通孔PD2彼此进行比较。第一通孔PD1形成在透明电极层140的第一区域R1中，而第二通孔PD2形成在第一绝缘反射层130中、并且可以设置在透明电极层140的第二区域R2中。因此，第一通孔PD1和第二通孔PD2可以布置为沿着堆叠方向彼此不重叠。第一通孔PD1可以布置为具有在不妨碍透明电极层140的电流扩散的范围内的最大尺寸。由于根据第一绝缘反射层130和反射电极层144彼此接触的面积的增加来改善反射率，因此第二通孔PD2可以布置为具有在反射率不受阻碍的范围内的最小尺寸。多个第一通孔PD1的总面积AR1大于多个第二通孔PD2的总面积AR2。因此，在一个实施例中，第一通孔PD1的尺寸D1相对较大并且第二通孔PD2的尺寸D2相对较小，即将第一通孔PD1的尺寸D1形成为大于第二通孔PD2的尺寸D2，从而可以在不妨碍透明电极层140的电流扩散效应的情况下提高外部光提取效率。
反射电极层144位于第一绝缘反射层130上并填充第二通孔PD2。因此，反射电极层144可以穿透第一绝缘反射层130并且可以连接到透明电极层140。反射电极层144可以由与透明电极层140具有欧姆特性的导电材料的单层或多层结构来形成，并且可以由包含Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti、Cr、以及它们的合金等中的一种或多种的材料来形成。因此，如图4所示，施加到反射电极层144的电流Is可以通过透明电极层140扩散。
通常，倒装芯片型半导体发光器件在朝向衬底105的方向上发射由有源层120产生的光。当光被发射为远离衬底时，光可以入射在透明电极层140上并被透明电极层140大量地吸收，从而导致光损失。为了解决光被吸收到透明电极层140中从而降低亮度的缺陷，在本实施例中，可以在透明电极层140中形成第一通孔PD1，可以利用具有较高反射率的第一绝缘反射层130填充第一通孔PD1以提高反射率。另外，第一绝缘反射层130的第二通孔PD2布置为沿z方向不与第一通孔PD1重叠，使得可以增加第一绝缘反射层130和反射电极层144彼此重叠的面积。因此，与简单地布置第一绝缘反射层130、或者第一通孔PD1和第二通孔PD2沿z方向彼此重叠的情况相比，可以改善反射率。因此，可以进一步提高半导体发光器件10的外部光提取效率。
第二绝缘反射层150可以在反射电极层144和第一绝缘反射层130上，以进一步提高外部光提取效率。第二绝缘反射层150可以由与第一绝缘反射层130相同的材料形成。在一些实施例中，第二绝缘反射层150可以形成分布式布拉格反射器(DBR)。第二绝缘反射层150可以反射穿过透明电极层140的光L1的一部分L5，以进一步提高外部光提取效率。第二绝缘反射层150可以包括暴露第一导电类型半导体层115的第一接触区域CT1的第一开口OPa和暴露反射电极层144的第三接触区域CT3的第二开口OPb。
第一导电图案155n和第二导电图案155p可以在第二绝缘反射层150上、可以由相同的材料形成、并且彼此间隔开。例如，第一导电图案155n和第二导电图案155p可以由包含Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti、Cr、以及它们的合金中的一种或多种的材料形成。
第一导电图案155n可以延伸到第一导电类型半导体层115的第一接触区域CT1，以电连接到第一导电类型半导体层115。第二导电图案155p可以延伸到反过来与第二导电类型半导体层125电连接的反射电极层144的第三接触区域CT3。当在平面图中观察时，第一导电图案155n可以与第一边缘S1、第二边缘S2、以及第四边缘S4相邻，并且第二导电图案155p可以与第三边缘S3相邻。
图6示出了另一实施例，其中多个发光结构LED1和LED2共用一个衬底105并且通过互连部分155c串联连接。将省略对分配有与在前的上述实施例相同的附图标记的组件的描述。
如在一个示例中，当形成多个发光结构LED1和LED2时，一个发光结构LED1的第一导电图案或第二导电图案可以通过互连部分155c串联电连接到另一个发光结构LED2的第一导电图案或第二导电图案。在一个示例中，一个发光结构LED1的第二导电图案155p通过互连部分155c与另一个发光结构LED2的第一导电图案155n连接。
接下来，将参照图7至图20描述根据一个实施例的制造半导体发光器件10的方法的示例。图7、图9、图11、图13、图15、图17和图19是示出根据实施例的制造半导体发光器件10的方法中的各阶段的示意性平面图，并且图8、图10、图12、图14、图16、图18和图20是示意性地示出沿图7、图9、图11、图13、图15、图17和图19中的线I-I'截取的区域的截面图。
参照图7和图8，发光结构110可以形成在衬底105上。衬底105可以由诸如蓝宝石、Si、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN的材料形成。衬底105可以具有前表面105s1和与前表面105s1相对的后表面105s2。在一个示例中，可以在衬底105的前表面105s1上形成不平坦结构。根据实施例，可以省略在衬底105的前表面105s1上形成不平坦结构。
发光结构110可以形成在衬底105的前表面105s1上。发光结构110可以由使用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、或分子束外延(MBE)的工艺形成的多个层形成。例如，发光结构110可以包括第一导电类型半导体层115、有源层120和第二导电类型半导体层125，它们沿着z方向顺序地形成在衬底105的前表面105s1上。第一导电类型半导体层115和第二导电类型半导体层125可以具有不同的导电类型。例如，第一导电类型半导体层115可以具有n型导电性，并且第二导电类型半导体层125可以具有p型导电性。
第一透明电极层140可以形成在发光结构110上。
参照图9和图10，可以部分地蚀刻第一透明电极层140、第二导电类型半导体层125、有源层120和第一导电类型半导体层115。因此，发光结构110可以包括：凹陷区域E，在凹陷区域E中第二导电类型半导体层125、有源层120和第一导电类型半导体层115的一部分被去除；以及台面区域M，其围绕凹陷区域E。台面区域M可以被定义为不蚀刻第二导电类型半导体层125、有源层120和第一导电类型半导体层115的区域。台面区域M沿z方向与凹陷区域E相比，可以具有相对突出的形状。凹陷区域E也可以称为被蚀刻的区域。
参照图11和图12，多个第一通孔PD1可以形成在透明电极层140中。透明电极层140的多个通孔PD1可以暴露第二导电类型半导体层125的一部分。多个第一通孔PD1可以位于台面区域M中。
参照图13和图14，具有多个第二通孔PD2的第一绝缘反射层130可以形成在透明电极层140上。第一绝缘反射层130的多个第二通孔PD2暴露第一透明电极层140的一部分，并且可以设置在它们不与多个第一通孔PD1重叠的位置。多个孔PD2可以位于台面区域M中。
参照图15和图16，反射电极层144可以形成在第一绝缘反射层130上。反射电极层144形成在台面区域M上并且可以形成在第一绝缘反射层130的一个区域上。
参照图17和图18，第二绝缘反射层150可以形成在反射电极层144上。第二绝缘反射层150可以覆盖反射电极层144。第一开口OPa和第二开口OPb形成在第二绝缘反射层150中。
第一开口OPa穿透第一绝缘反射层130和第二绝缘反射层150，并且在凹陷区域E中暴露第一导电类型半导体层115的一部分。第二开口OPb穿透第二绝缘反射层150并且在台面区域M中暴露反射电极层144的一部分。由第一开口OPa暴露的第一导电类型半导体层115的表面可以被称为第一接触区域CT1，并且由第二开口OPb暴露的反射电极层144的表面可以被称为第三接触区域CT3。
参照图19和图20，第一导电图案155n和第二导电图案155p可以形成在具有第二绝缘反射层150的衬底105上。
形成第一导电图案155n和第二导电图案155p可以包括：在具有第二绝缘反射层150的衬底105上形成导电材料层，并且例如使用光刻工艺去除导电材料层的一部分。由于第一导电图案155n和第二导电图案155p通过相同的工艺形成，所以第一导电图案155n和第二导电图案155p可以由相同的材料形成。第一导电图案155n和第二导电图案155p可以具有相同的厚度。
第一导电图案155n可以电连接到第一导电类型半导体层115的第一接触区域CT1。第二导电图案155p可以电连接到反射电极层144的第三接触区域CT3。
参照图1至图3，具有第三开口160a和第四开口160b的钝化层160可以形成在具有第一导电图案155n和第二导电图案155p的衬底105上。钝化层160的第三开口160a可以暴露第一导电图案155n的一部分，并且钝化层160的第四开口160b可以暴露第二导电图案155p的一部分。
由钝化层160的第三开口160a暴露的第一导电图案155n的部分可以被称为第四接触区域CT4，并且由钝化层160的第四开口160b暴露的第二导电图案155p的部分可以被称为第五接触区域CT5。
第一电极焊盘165n和第二电极焊盘165p可以形成在具有钝化层160的衬底105上。第一电极焊盘165n可以形成在第一导电图案155n的第四接触区域CT4上，并且第二电极焊盘165p可以形成在第二导电图案155p的第五接触区域CT5上。第一电极焊盘165n和第二电极焊盘165p可以是凸块下金属(under bump metallurgy，UBM)。在一个示例中，可以多方面地修改第一电极焊盘165n和第二电极焊盘165p的数量和布置。
第一焊料凸块170n和第二焊料凸块170p可以形成在具有第一电极焊盘165n和第二电极焊盘165p的衬底105上。第一焊料凸块170n可以形成在第一电极焊盘165n上，并且第二焊料凸块170p可以形成在第二电极焊盘165p上。
可以形成覆盖第一焊料凸块170n和第二焊料凸块170p的侧表面的模制部分172。模制部分172可包括反光粉末，例如TiO2、Al2O3等。
如上所述的半导体发光器件10可以商品化为封装件。在下文中，将参照图21描述将如上所述的半导体发光器件10应用于封装件的示例。图21是示意性地示出根据实施例的半导体发光器件应用于封装件的示例的截面图。
参照图21，半导体发光器件封装件1000可以包括作为光源的半导体发光器件1001、封装体1002、一对引线框架1010和封装部分1005。这里，半导体发光器件1001可以是图1的半导体发光器件10，并且将省略其描述。
半导体发光器件1001可以安装在引线框架1010上。这对引线框架1010可以包括第一引线框架1012和第二引线框架1014。参照图3和图21，半导体发光器件1001可以分别通过第一焊料凸块170n和第二焊料凸块170p连接到第一引线框架1012和第二引线框架1014。
封装体1002可以包括反射杯，以提高光反射效率和光提取效率。在反射杯中，可以形成由透光材料形成的封装部分1005以将半导体发光器件1001封装在其中。
封装部分1005可以包括波长转换材料。例如，封装部分1005可以包括至少一种荧光物质，该荧光物质被从半导体发光器件10发射的光激发，以在透光树脂中发射不同波长的光。因此，可以发射蓝光、绿光、或红光，并且可以控制发射白光、紫外光等。
对于这种发光二极管中的倒装芯片型LED，由于导电图案广泛地设置在要安装在封装件衬底上的表面上，所以从有源层发射的光在其中被吸收。因此，可以降低外部光提取效率。
然而，根据一个或多个实施例，半导体发光器件可具有增加的电流扩散和增强的反射率，从而提高外部光提取效率。
本文已经公开了示例实施例，并且虽然采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述性意义来使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，自提交本申请时起，如本领域普通技术人员显而易见的，除非另外特别指出，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件，包括：
发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔；
绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和
反射电极层，其在所述绝缘反射层的第一区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一通孔中的每个第一通孔大于所述多个第二通孔中的每个第二通孔。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘反射层形成分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中具有第一折射率的第一绝缘层和具有第二折射率的第二绝缘层交替堆叠。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘反射层和所述反射电极层形成全向反射器。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一通孔填充有所述绝缘反射层。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二通孔填充有所述反射电极层。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一通孔和所述多个第二通孔以预定间隔彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个第一通孔的总面积大于所述多个第二通孔的总面积。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述发光结构具有被蚀刻的区域，在所述被蚀刻的区域中去除所述有源层和所述第二导电类型半导体层，并且所述绝缘反射层延伸到所述被蚀刻的区域。
10.一种半导体发光器件，包括：
发光结构，其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔；
第一绝缘反射层，其穿过所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层，并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；和
反射电极层，其覆盖所述第一绝缘反射层并且通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，还包括第二绝缘反射层，其覆盖所述反射电极层并与所述第一绝缘反射层接触。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，还包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案和所述第二导电图案在所述第二绝缘反射层上并且穿过所述第二绝缘反射层分别连接到所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层形成分布式布拉格反射器，在所述分布式布拉格反射器中具有第一折射率的第一绝缘层和具有第二折射率的第二绝缘层交替堆叠。
14.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘反射层和所述反射电极层形成全向反射器。
15.一种半导体发光器件，包括：
衬底；
发光结构，其具有在堆叠方向上在所述衬底上堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
透明电极层，其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域，所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔；
第一绝缘反射层，其穿透所述多个第一通孔以接触所述第二导电类型半导体层，并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔；
反射电极层，其覆盖所述第一绝缘反射层并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层；
第二绝缘反射层，其覆盖所述透明电极层和所述反射电极层；和
第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案和所述第二导电图案在所述第二绝缘反射层上并且穿过所述第二绝缘反射层分别连接到所述第一导电类型半导体层和所述反射电极层。
16.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其中：
所述发光结构包括多个发光结构，并且
所述多个发光结构共用所述衬底、被去除了所述第一导电类型半导体层的区域分开、并且彼此串联电连接。
17.根据权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述多个发光结构通过互连部分彼此串联连接，所述互连部分将所述多个发光结构的第一发光结构的第一导电图案或第二导电图案与相邻于所述第一发光结构的第二发光结构的对应图案连接。
18.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其中所述第一绝缘反射层和所述第二绝缘反射层由相同的材料形成。
19.根据权利要求15所述的半导体发光器件，还包括：
第一焊料凸块和第二焊料凸块，所述第一焊料凸块和所述第二焊料凸块分别在所述第一导电图案和所述第二导电图案的接合区域中；和
模制部分，其覆盖所述第一焊料凸块的侧表面和所述第二焊料凸块的侧表面。
20.根据权利要求19所述的半导体发光器件，其中所述模制部分包括反光粉末。
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