CN110079762A - 掩膜板及蒸镀oled器件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种掩膜板，包括，金属遮罩，具有第一开孔；形变层，覆于所述金属遮罩的一面；所述形变层具有第二开孔，所述第二开孔对应于所述第一开孔；当所述形变层收缩后，所述第一开孔面积小于所述第二开孔的面积，且所述第一开孔完全落入所述第二开孔中；当所述形变层膨胀后，所述第二开孔面积小于所述第一开孔的面积，且所述第二开孔完全落入所述第一开孔中。本发明可以使所述子像素之间的阴影可以暴露出来，这样可以减少蒸镀的阴影效应。同时通过金属遮罩以及形变层两层金属层的叠加，使得掩膜板的强度得到加强，拉伸型变量变小。

Description

掩膜板及蒸镀OLED器件的方法
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，尤其是涉及掩膜板及蒸镀OLED器件的方法。
背景技术
OLED作为新一代的固态自发光显示技术，相较于液晶显示具有厚度薄、响应度高、对比度高以及功耗低等优势，近几年产业化速度突飞猛进。目前OLED主流的制备技术和方法是蒸镀法，即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过金属光罩的开孔沉积在玻璃基板上。然后通过在封装手套箱体内用玻璃或金属后盖涂布胶框的封装方式完成对OLED器件的密封。
因为现有技术掩膜板(Mask)存在一定厚度，容易产生阴影效应。随着掩膜板解析度越来越来越高，蒸镀材料越来越多，阴影效应与像素(Pixel)宽度越来越接近，此时会导致Pixel发光面积受到影响，影响面板整体亮度，造成品质下降；如Mask厚度太薄，拉升强度受影响；Pixel在拉伸时会大小不一。若阴影面积比像素面积小，则发光面积变小，亮度下降；若阴影面积比像素面积大，则无发光面积，亮度骤降。
发明内容
本发明的目的在于，提供掩膜板及蒸镀OLED器件的方法，可以有效解决了阴影效应所带来的显示面板的发光面积小，亮度差等问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜板，包括，金属遮罩，具有第一开孔；形变层，覆于所述金属遮罩的一面；所述形变层具有第二开孔，所述第二开孔对应于所述第一开孔；当所述形变层收缩后，所述第一开孔面积小于所述第二开孔的面积，且所述第一开孔完全落入所述第二开孔中；当所述形变层膨胀后，所述第二开孔面积小于所述第一开孔的面积，且所述第二开孔完全落入所述第一开孔中。
进一步地，所述形变层为热缩冷胀材料，所述热缩冷胀材料包括锑、铋、镓中的一种。
进一步地，所述第一开孔阵列式排布在所述金属遮罩上；所述第二开孔阵列式排布与所述形变层上。
进一步地，所述第一开孔的截面为一梯形，所述第一开孔具有上开口与下开口，所述上开口的面积小于所述下开口的面，所述上开口朝向所述基板。
本发明另一目的提供一种蒸镀OLED器件的方法，包括：提供一基板以及如权利要求1所述的掩膜板，所述基板具有一蒸镀面；将所述的掩膜板设于朝向所述基板的蒸镀面的一侧；蒸汽化的蒸镀材料通过所述掩膜板的第一开孔和第二开孔时，所述形变层收缩，使得所述第一开孔面积小于所述第二开孔的面积，且所述第一开孔完全落入所述第二开孔中；蒸汽化的蒸镀材料通过所述第一开孔和第二开孔蒸镀于所述基板的蒸镀面；所述形变层承受蒸汽温度膨胀，使得所述第二开孔面积小于所述第一开孔的面积，且所述第二开孔完全落入所述第一开孔中。
进一步地，所述形变层设于所述金属遮罩朝向所述基板的一面。
进一步地，所述第一开孔的截面为一梯形，所述第一开孔具有上开口与下开口，所述上开口的面积小于所述下开口的面，所述上开口朝向所述基板。
进一步地，在所述蒸汽化的蒸镀材料通过所述掩膜板的第一开孔和第二开孔时步骤中，所述蒸汽化的蒸镀材料通过所述下开口，沿着所述下开口朝向所述上开口的方向穿过所述第一开孔并附着在所述第二开孔上。
进一步地，所述热缩冷胀性质的材料包括锑、铋、镓中的一种。
进一步地，所述第一开孔阵列式排布在所述金属遮罩上；所述第二开孔阵列式排布与所述形变层上。
本发明的有益效果是：本发明提供一种掩膜板及蒸镀OLED器件的方法。通过在所述金属遮罩上设置一热缩冷涨的形变层。所述形变层的受热收缩。
具体的，所述形变层具有第二开孔，所述金属遮罩具有第一开孔，在蒸镀的时候，所述形变层受热收缩，所述第一开孔落入到所述第二开孔中。
这样，所述子像素之间的阴影可以暴露出来，这样蒸镀可以减少阴影效应。同时通过两层金属层的叠加，掩膜板的强度得到加强，拉伸型变量变小。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明提供的掩膜板的俯视图；
图2为本发明蒸镀掩膜板的结构示意图；
图3为本发明形变层受热收缩结构示意图。
掩膜板100；
金属遮罩101；形变层102；基板103；
第一开孔110；第二开孔120；上开口1102；
下开口1101；阴影130；蒸镀面140；
蒸镀源150。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1所示，本发明提供一种掩膜板100，包括金属遮罩101和形变层102。所述掩膜板100用于在基板103上蒸镀OLED器件用以形成子像素。
本发明通过金属遮罩101以及形变层102两层金属层的叠加，将所述掩膜板100的强度得到加强，进而拉伸型变量变小。
所述金属遮罩101具有第一开孔110；所述第一开孔110阵列式排布在所述金属遮罩101上。
如图2所示，所述第一开孔110的截面为一梯形，所述第一开孔110具有上开口1102与下开口1101，所述上开口1102的面积小于所述下开口1101的面，所述上开口1102朝向所述基板103。
当蒸镀源150发出材料蒸汽进入所述第一开孔110的时候，沿着所述下开口1101进入所述上开口1102。
所述形变层102覆于所述金属遮罩101的一面；所述形变层102具有第二开孔120，所述第二开孔120对应于所述第一开孔110；所述第二开孔120阵列式排布与所述形变层102上。
在常温下，所述上开口1102面积大于所述第二开孔120的面积。
所述形变层102为热缩冷胀材料，所述热缩冷胀材料包括锑、铋、镓中的一种，本发明优选为锑材料。
在蒸镀的时候，蒸镀源150的材料蒸汽沿直线由所述第一开孔110进入，并沿着所述第二开孔120的两端进入到所述基板103的蒸镀面140上。
当所述材料蒸汽附着在所述形变层102上的时候，所述形变层102受热温度升高。
所述形变层102受热收缩后，这时候所述第一开孔110面积小于所述第二开孔120的面积，且所述第一开孔110完全落入所述第二开孔120中；
当蒸镀结束后，所述形变层102冷却膨胀后，所述第二开孔120面积小于所述第一开孔110的面积，且所述第二开孔120完全落入所述第一开孔110中。
本发明提供一种掩膜板100。通过在所述金属遮罩101上设置一热缩冷涨的形变层102。使所述形变层102可以受热收缩。
这样，在蒸镀的时候所述子像素之间的阴影130可以暴露出来，这样可以减少蒸镀所产生的阴影效应。
同时通过两层金属层的叠加，掩膜板100的强度得到加强，拉伸型变量变小。
为了能够将所述掩膜板100能够应用在制备OLED器件，本发明又提供一种蒸镀OLED器件的方法，包括如下步骤S1～S4。
S1、提供一基板103以及所述的掩膜板100，所述基板103具有一蒸镀面140；
在提供掩膜版步骤包括：提供一金属遮罩101，所述金属遮罩101上设有阵列式分布的第一开孔110；
所述第一开孔110的截面为一梯形，所述第一开孔110具有上开口1102与下开口1101，所述上开口1102的面积小于所述下开口1101的面，所述上开口1102朝向所述基板103。
在所述第一开孔110涂覆一层具有热缩冷胀性质的材料形成一形变层102，所述形变层102具有第二开孔120。
S2、将所述的掩膜板100设于朝向所述基板103的蒸镀面140的一侧；
如图3所示，开始蒸镀，蒸镀源150发出蒸汽化的蒸镀材料，所述蒸镀材料通过所述掩膜板100的第一开孔110和第二开孔120时，所述形变层102受热收缩，使得所述第一开孔110面积小于所述第二开孔120的面积，且所述第一开孔110完全落入所述第二开孔120中。
所述形变层102受热收缩，使得蒸镀时阴影130显露出来，通过持续的蒸镀可以使得所述阴影130面积减小并且消失。
S3、蒸汽化的蒸镀材料通过所述第一开孔110和第二开孔120蒸镀于所述基板103的蒸镀面140；
在常温下，所述第二开孔120面积小于所述第一开孔110的面积。
S4、蒸镀完成后，所述形变层102膨胀，使得所述第二开孔120面积小于所述第一开孔110的面积，且所述第二开孔120完全落入所述第一开孔110中。
所述第一开孔110和所述第二开孔120具有相同或者不同的图案，用于形成不同图案的OLED器件。
所述掩膜板100通过设置热缩冷涨的形变层，可以使得蒸镀发光层的面积增加，最终使得子像素的发光面积增大。
本发明还提供一种蒸镀OLED器件的方法。通过在所述金属遮罩101上设置一热缩冷涨的形变层102。使所述形变层102可以受热收缩。
这样，在蒸镀的时候使所述子像素之间的阴影130可以暴露出来，这样可以减少蒸镀所产生的阴影效应。
同时通过两层金属层的叠加，使掩膜板100的强度得到加强，拉伸型变量变小。
应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (10)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括，
金属遮罩，具有第一开孔；
形变层，覆于所述金属遮罩的一面；
所述形变层具有第二开孔，所述第二开孔对应于所述第一开孔；
当所述形变层收缩后，所述第一开孔面积小于所述第二开孔的面积，且所述第一开孔完全落入所述第二开孔中；
当所述形变层膨胀后，所述第二开孔面积小于所述第一开孔的面积，且所述第二开孔完全落入所述第一开孔中。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述形变层为热缩冷胀材料，所述热缩冷胀材料包括锑、铋、镓中的一种。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一开孔阵列式排布在所述金属遮罩上；所述第二开孔阵列式排布与所述形变层上。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，
所述第一开孔的截面为一梯形，所述第一开孔具有上开口与下开口，所述上开口的面积小于所述下开口的面，所述上开口朝向所述基板。
5.一种蒸镀OLED器件的方法，其特征在于，包括：
提供一基板以及如权利要求1所述的掩膜板，所述基板具有一蒸镀面；
将所述的掩膜板设于朝向所述基板的蒸镀面的一侧；
蒸汽化的蒸镀材料通过所述掩膜板的第一开孔和第二开孔时，所述形变层收缩，使得所述第一开孔面积小于所述第二开孔的面积，且所述第一开孔完全落入所述第二开孔中；
蒸汽化的蒸镀材料通过所述第一开孔和第二开孔蒸镀于所述基板的蒸镀面；
所述形变层承受蒸汽温度膨胀，使得所述第二开孔面积小于所述第一开孔的面积，且所述第二开孔完全落入所述第一开孔中。
6.根据权利要求5所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述形变层设于所述金属遮罩朝向所述基板的一面。
7.根据权利要求5所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述第一开孔的截面为一梯形，所述第一开孔具有上开口与下开口，所述上开口的面积小于所述下开口的面，所述上开口朝向所述基板。
8.根据权利要求7所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，在所述蒸汽化的蒸镀材料通过所述掩膜板的第一开孔和第二开孔时步骤中，所述蒸汽化的蒸镀材料通过所述下开口，沿着所述下开口朝向所述上开口的方向穿过所述第一开孔并附着在所述第二开孔上。
9.根据权利要求5所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述热缩冷胀性质的材料包括锑、铋、镓中的一种。
10.根据权利要求5所述的制备OLED器件的方法，其特征在于，所述第一开孔阵列式排布在所述金属遮罩上；所述第二开孔阵列式排布与所述形变层上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110729414A (zh) * 2019-09-29 2020-01-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板制程方法
CN112435588A (zh) * 2020-12-09 2021-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008255449A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 蒸着マスクとその製造方法
JP2010242141A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Bonmaaku:Kk 蒸着マスク及びその製造方法
JP2011074404A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着用マスク
CN103594487A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN103757588A (zh) * 2013-12-30 2014-04-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种掩膜板及该掩膜板的制备方法和应用
CN104498871A (zh) * 2015-01-14 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜装置及其组装方法
US20150349727A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Cree, Inc. Bandwidth limiting methods for gan power transistors
CN105892134A (zh) * 2016-06-27 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制作方法
CN106591776A (zh) * 2016-12-28 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 精细掩膜板及其制作方法
US20180010244A1 (en) * 2015-01-29 2018-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Film-forming mask, film-forming device, and film-forming method
CN108315712A (zh) * 2018-02-05 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
CN108699687A (zh) * 2016-02-19 2018-10-23 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
CN108779550A (zh) * 2016-03-29 2018-11-09 株式会社V技术 成膜掩模、其制造方法及成膜掩模的修复方法
CN109168319A (zh) * 2016-03-29 2019-01-08 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
CN109468588A (zh) * 2019-01-04 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板的制备方法、掩膜板

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008255449A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Kyushu Hitachi Maxell Ltd 蒸着マスクとその製造方法
JP2010242141A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Bonmaaku:Kk 蒸着マスク及びその製造方法
JP2011074404A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着用マスク
CN103594487A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN103757588A (zh) * 2013-12-30 2014-04-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种掩膜板及该掩膜板的制备方法和应用
US20150349727A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Cree, Inc. Bandwidth limiting methods for gan power transistors
CN104498871A (zh) * 2015-01-14 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜装置及其组装方法
US20180010244A1 (en) * 2015-01-29 2018-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Film-forming mask, film-forming device, and film-forming method
CN108699687A (zh) * 2016-02-19 2018-10-23 爱沃特株式会社 化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法
CN108779550A (zh) * 2016-03-29 2018-11-09 株式会社V技术 成膜掩模、其制造方法及成膜掩模的修复方法
CN109168319A (zh) * 2016-03-29 2019-01-08 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的制造方法、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
CN105892134A (zh) * 2016-06-27 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及制作方法
CN106591776A (zh) * 2016-12-28 2017-04-26 武汉华星光电技术有限公司 精细掩膜板及其制作方法
CN108315712A (zh) * 2018-02-05 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
CN109468588A (zh) * 2019-01-04 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板的制备方法、掩膜板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110729414A (zh) * 2019-09-29 2020-01-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板制程方法
CN110729414B (zh) * 2019-09-29 2022-01-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板制程方法
CN112435588A (zh) * 2020-12-09 2021-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112435588B (zh) * 2020-12-09 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

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