CN108315712A - 掩膜版 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 45
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 37
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 206010066054 Dysmorphism Diseases 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
- B05C21/005—Masking devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
本发明提供一种掩膜版，包括掩膜本体，在掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在掩膜本体上，且位于开口的边缘处设置有朝向开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在掩膜本体的沉积面所在的平面上，形变调节层的正投影与异形部的正投影至少部分重叠；形变调节层的热膨胀系数与异形部的热膨胀系数不同，以抑制异形部在进行工艺时产生的形变。本发明提供的掩膜版，其可以抑制掩膜版的异形部在进行膜层沉积工艺时发生变形。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种掩膜版。
背景技术
随着全面屏、异形屏的推入市场，异形屏幕的封装问题逐渐显露出来，目前遇到的问题是：使用异形掩膜版进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)时，在进行多层膜层的制作之后，由于膜层应力的问题会导致异形掩膜版变形翘曲，从而造成沉积膜层时掩膜版的异形部变大。
图1为现有的一种异形掩膜版的结构图。如图1所示，该异形掩膜版包括掩膜本体1，在该掩膜本体1的厚度方向上设置有开口11，并且在掩膜本体1上，且位于开口11的边缘处设置有朝向开口11内侧凸出的异形部2。使用该异形掩膜版进行多层膜层的制作之后，如图2所示，异形部2会产生翘曲、拉长等形变。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩膜版，其可以抑制掩膜版的异形部在进行膜层沉积工艺时发生变形。
为实现本发明的目的而提供一种掩膜版，包括掩膜本体，在所述掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在所述掩膜本体上，且位于所述开口的边缘处设置有朝向所述开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在所述掩膜本体的沉积面所在的平面上，所述形变调节层的正投影与所述异形部的正投影至少部分重叠；
所述形变调节层的热膨胀系数与所述异形部的热膨胀系数不同，以抑制所述异形部在进行工艺时产生的形变。
可选的，在所述异形部中设置有凹部，所述形变调节层填充在所述凹部中。
可选的，所述凹部自所述异形部背离所述沉积面的表面凹进，或者自所述异形部与所述沉积面同侧的表面凹进。
可选的，所述形变调节层设置在所述异形部上，且位于所述沉积面的同侧，或者位于背离所述沉积面的一侧。
可选的，所述形变调节层的各个位置的厚度相同，或者所述形变调节层的各个位置的厚度不同。
可选的，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影在与所述异形部的凸出方向相垂直的方向上的长度沿所述异形部的凸出方向逐渐增大。
可选的，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影的形状包括等腰三角形或者等腰梯形。
可选的，所述形变调节层为一个；或者，所述形变调节层为多个；多个所述形变调节层沿与所述异形部的凸出方向相垂直的方向间隔分布。
可选的，所述形变调节层为多个；多个所述形变调节层沿与所述异形部的凸出方向相垂直的方向间隔分布；并且，每个所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影的形状为直线形条状，且多个所述形变调节层在所述异形部的凸出方向上的宽度沿所述异形部的凸出方向逐渐增大。
可选的，所述形变调节层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分呈一体式结构或者相互独立；其中，在所述掩膜本体的沉积面上，所述形变调节层的第一部分的正投影与所述异形部的正投影重叠；所述形变调节层的第二部分的正投影与所述异形部和所述掩膜本体的交界处的区域重叠。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的掩膜版，其设置有形变调节层，在掩膜本体的沉积面上，该形变调节层的正投影与异形部的正投影至少部分重叠；并且，通过使形变调节层的热膨胀系数与异形部的热膨胀系数不同，可以抑制异形部在进行工艺时产生的形变，从而可以提高沉积精度。
附图说明
图1为现有的一种异形掩膜版的结构图；
图2为异形部发生变形翘曲的示意图；
图3A为本发明第一实施例提供的掩膜版的结构图；
图3B为沿图3A中沿I-I线的剖视图；
图4A为图3B中A区域的纵向剖面图；
图4B为图3B中A区域的横向剖面图；
图5为本发明第一实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；
图6为局部掩膜版的形变大小分布图；
图7A为本发明第二实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；
图7B为本发明第二实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；
图8A为本发明第三实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；
图8B为本发明第三实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；
图9A为本发明第四实施例提供的掩膜版的局部纵向剖面图；
图9B为本发明第四实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；
图10A为本发明第五实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；
图10B为本发明第五实施例的一个变形实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；
图11为本发明第六实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；
图12为本发明第七实施例提供的掩膜版的局部横向剖面图；
图13A为本发明第八实施例提供的掩膜版的一种局部横向剖面图；
图13B为本发明第八实施例提供的掩膜版的另一种局部横向剖面图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的掩膜版进行详细描述。
请一并参阅图3至图4B，本发明第一实施例提供的掩膜版，包括掩膜本体3，在该掩膜本体3的厚度方向上设置有开口31，并且在掩膜本体3上，且位于开口的31边缘处设置有朝向开口31凸出(即，图3B的X方向)的异形部4。并且，掩膜版还包括形变调节层5，在掩膜本体3的沉积面C所在的平面上，形变调节层5的正投影与异形部4的正投影至少部分重叠。所谓掩膜本体3的沉积面C，是指在进行沉积工艺的过程中，掩膜本体3的沉积膜层的表面。并且，形变调节层5的热膨胀系数与异形部4的热膨胀系数不同，以抑制异形部4在进行工艺时产生的形变。
由于形变调节层5与异形部4之间的热膨胀系数存在差异，在进行沉积工艺的过程中，形变调节层5对异形部4施加的作用力与沉积在异形部4的与沉积面C同侧的表面上的膜层对异形部4施加的作用力相反，从而可以抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变，进而可以提高沉积精度。
在本实施例中，形变调节层5为一个，且在异形部4中设置有凹部，形变调节层5填充在该凹部中。具体地，如图4A所示，上述凹部自异形部4背离沉积面C的表面凹进，并且，形变调节层5的各个位置的厚度相同。
可选的，如图4B所示，形变调节层5的至少一部分正投影与异形部4的正投影几乎完全重叠，从而可以更均匀地对异形部4施加的作用力。此外，形变调节层5的各个位置在X方向上的宽度相等；形变调节层5的各个位置在Z方向上的长度相等。
当沉积的膜层材料的薄膜应力表现为压应力时，膜层材料沿膜面膨胀，此时异形部4受到了使之沿与图4A的Y方向相反的方向弯曲变形的作用力。在这种情况下，可以使形变调节层5的热膨胀系数大于异形部4的热膨胀系数，这样，由于形变调节层5在进行工艺时因受热膨胀具有沿图4A的X方向拉长变形的趋势，且变形程度大于异形部4的变形程度，这使得形变调节层5会对异形部4施加使之沿图4A的Y方向弯曲变形的作用力，从而可以抵消至少一部分异形部4受到的薄膜应力，进而抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。
反之，当沉积的膜层材料的薄膜应力表现为张应力时，膜层材料沿膜面收缩，此时异形部4受到了使之沿图4A的Y方向弯曲变形的作用力。在这种情况下，可以使形变调节层5的热膨胀系数小于异形部4的热膨胀系数，这样，由于形变调节层5在进行工艺时因受热膨胀具有沿图4A的X方向拉长变形的趋势，且变形程度小于异形部4的变形程度，这使得形变调节层5会对异形部4施加使之沿与图4A的Y方向相反的方向弯曲变形的作用力，从而可以抵消至少一部分异形部4受到的薄膜应力，进而抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。
在实际应用中，通过设定形变调节层5的材料、形状、尺寸和/或位置等的参数，可以实现对形变调节层5对异形部4施加的作用力的大小和/或位置进行调节，以将该作用力控制在一定的范围。
在实际应用中，在封装领域中，掩膜版3通常采用因瓦尔金(Invar)制作，其为含有35.4％镍的铁合金，常温下热膨胀系数为1.6*1E-6/℃；掩膜版3的厚度的取值范围在10～50μm。待沉积的膜层材料通常采用诸如Al2O3、SiN、SiNO、SiO2等的无机材质。根据膜层材料结构以及性质工艺参数的不同，选择相应的形变调节层5的材料，以使得形变调节层5对异形部4施加的作用力能够与异形部4受到的薄膜应力的大小相等，且方向相反。
需要说明的是，在实际应用中，形变调节层5在异形部4的凸出方向(即，图4A的X方向)上的长度L，和/或厚度(即，在图4A的Y方向上的尺寸)可以根据异形部4的形变大小分布而设定。另外，形变调节层5还可以延伸至掩膜本体3的与异形部的交界(如图4A中的虚线所示)附近，以抑制该区域产生的形变。也就是说，在掩膜本体3的沉积面C上，可以使形变调节层5的正投影仅与异形部4的正投影重叠；或者，形变调节层包括第一部分和第二部分，二者呈一体式结构或者相互独立；其中，在掩膜本体3的沉积面C上，形变调节层5的第一部分的正投影与异形部4的正投影重叠；形变调节层5的第二部分的正投影与异形部4和掩膜本体3的交界处的区域重叠。
需要说明的是，在本实施例中，形变调节层5为一个，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，形变调节层还可以为多个。
作为本实施例的一个变形实施例，如图5所示，形变调节层5为一个，且在异形部4中设置有凹部，形变调节层5填充在该凹部中。具体地，上述凹部自异形部4与沉积面C同侧的表面凹进。并且，形变调节层5的各个位置的厚度相同。
当沉积的膜层材料的薄膜应力表现为张应力时，膜层材料沿膜面收缩，此时异形部4受到了使之沿图5的Y方向弯曲变形的作用力。在这种情况下，可以使形变调节层5的热膨胀系数大于异形部4的热膨胀系数，这样，由于形变调节层5在进行工艺时因受热膨胀具有沿图5的X方向拉长变形的趋势，且变形程度大于异形部4的变形程度，这使得形变调节层5会对异形部4施加使之沿与图5的Y方向相反的方向弯曲变形的作用力，从而可以抵消至少一部分异形部4受到的薄膜应力，进而抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。
反之，当沉积的膜层材料的薄膜应力表现为压应力时，膜层材料沿膜面膨胀，此时异形部4受到了使之沿与图5的Y方向相反的方向弯曲变形的作用力。在这种情况下，可以使形变调节层5的热膨胀系数小于异形部4的热膨胀系数，这样，由于形变调节层5在进行工艺时因受热膨胀具有沿图5的X方向拉长变形的趋势，且变形程度小于异形部4的变形程度，这使得形变调节层5会对异形部4施加使之沿图5的Y方向弯曲变形的作用力，从而可以抵消至少一部分异形部4受到的薄膜应力，进而抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。
请一并参阅图6至图7B，本发明第二实施例提供的掩膜版，其与上述第一实施例提供的掩膜版基板相同，除了形变调节层5的各个位置的厚度不同。下面仅对本实施例与上述第一实施例之间的区别进行详细描述。
具体地，在本实施例中，如图7A所示，形变调节层5为一个，且在异形部4中设置有凹部，形变调节层5填充在该凹部中。具体地，上述凹部自异形部4背离沉积面C的表面凹进。并且，根据异形部4不同位置处的形变大小不同，形变调节层5的各个位置的厚度不同。
具体地，通过调节形变调节层5的厚度，可以调节形变调节层5对异形部4施加的作用力大小。即，形变调节层5的某一位置处的厚度越大，则对异形部4施加的作用力越大；反之，形变调节层5的某一位置处的厚度越小，则对异形部4施加的作用力越小。例如，图6示出了一种掩膜版的形变大小分布图，在该图中，颜色越深表示形变越大。由此可知，靠近异形部4的两个边角的区域E的形变最大，并且异形部4的形变沿方向F存在差异。针对异形部4的形变存在的差异，设定形变调节层5的各个位置的厚度。
本发明第二实施例提供的掩膜版的其他结构与上述第一实施例相同，由于已在上述第一实施例已有了详细的描述，在此不再赘述。
作为本实施例的一个变形实施例，如图7B所示，形变调节层5为一个，且在异形部4中设置有凹部，形变调节层5填充在该凹部中。具体地，上述凹部自异形部4的与沉积面C同侧的表面凹进。并且，根据异形部4不同位置处的形变大小不同，形变调节层5的各个位置的厚度不同。
请参阅图8A，本发明第三实施例提供的掩膜版，其与上述第一实施例提供的掩膜版基板相同，除了形变调节层5的设置位置不同。下面仅对本实施例与上述第一实施例之间的区别进行详细描述。
具体地，在本实施例中，在异形部4中不设置凹部。并且形变调节层5为一个，该形变调节层5设置在异形部4上，且位于沉积面C的同侧，并且，形变调节层5的各个位置的厚度相同。虽然形变调节层5位于异形部4的外侧，但是形变调节层5在受热膨胀时同样会向异形部4施加相应的作用力，从而可以抑制异形部4产生翘曲、拉长等形变。
本发明第三实施例提供的掩膜版的其他结构与上述第一实施例相同，由于已在上述第一实施例已有了详细的描述，在此不再赘述。
作为本实施例的一个变形实施例，如图8B所示，形变调节层5设置在异形部上，且位于背离沉积面C的一侧。并且，形变调节层的各个位置的厚度相同。
请参阅图9A，本发明第四实施例提供的掩膜版，其与上述第二实施例提供的掩膜版基板相同，除了形变调节层5的各个位置的厚度不同。该厚度的设计方式与上述第二实施例相同，在此不再赘述。
在本实施例中，在异形部4中不设置凹部。并且，形变调节层5设置在异形部4上，且位于沉积面C的同侧，但是，本发明并不局限于此，如图9B所示，形变调节层5还可以设置在异形部4上，且位于背离沉积面C的一侧。
请参阅图10A，本发明第五实施例提供的掩膜版，其是在上述各个实施例的基础上所做的进一步改进。具体地，如图6所示，靠近异形部4的两个边角的区域E的形变最大，并且异形部4的形变沿方向F逐渐减小。由于形变调节层5在掩膜本体3的沉积面C上的正投影面积越大，形变调节层5对异形部4施加的作用力也越大，因此，在与异形部4的凸出方向(即，图10A的X方向)相垂直的方向(即，图10A的Z方向)上的长度沿异形部4的凸出方向逐渐增大。这样，可以使形变调节层5对异形部4施加的作用力沿异形部4的凸出方向逐渐增大，从而可以根据异形部4的形变大小分布对异形部4施加不同大小的作用力。在本实施例中，形变调节层5在掩膜本体3的沉积面上的正投影的形状为等腰三角形。当然，在实际应用中，还可以采用其他任意形状，只要能够对异形部4施加不同大小的作用力即可。例如，如图10B所示，形变调节层5在掩膜本体3的沉积面上的正投影的形状还可以为等腰梯形。
容易理解，在本实施例的基础上，可以在异形部4中设置凹部，或者不设置凹部，即，形变调节层5位于异形部4中或者位于异形部4的外侧。而且，可以使形变调节层5的各个位置的厚度相同；或者，根据异形部4不同位置处的形变大小不同，形变调节层5的各个位置的厚度不同。
另外，形变调节层5还可以延伸至掩膜本体3的与异形部的交界附近，以抑制该区域产生的形变。
请参阅图11，本发明第六实施例提供的掩膜版，其是在上述各个实施例的基础上所做的进一步改进。具体地，形变调节层5为多个；多个形变调节层5沿与异形部4的凸出方向(即，图11的X方向)相垂直的方向间隔分布；并且，每个形变调节层5在掩膜本体3的沉积面C上的正投影在与异形部4的凸出方向相垂直的方向(即，图11的Z方向)上的长度沿异形部4的凸出方向逐渐增大，从而可以根据异形部4的形变大小分布对异形部4施加不同大小的作用力。
其中，每个形变调节层5的其他结构可以采用与上述各个实施例中的形变调节层5相同的结构。由于形变调节层5的结构在上述各个实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。
需要说明的是，在本实施例中，每个形变调节层5在掩膜本体3的沉积面C上的正投影的形状为等腰三角形，但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，可以根据异形部4的形变大小分布，设计每个形变调节层5的形状，例如，等腰梯形。
请参阅图12，本发明第七实施例提供的掩膜版，其是在上述各个实施例的基础上所做的进一步改进。具体地，形变调节层5为多个；多个形变调节层5沿与异形部4的凸出方向(即，图12的X方向)相垂直的方向间隔分布；并且，每个形变调节层5在掩膜本体3的沉积面C上的正投影的形状为直线形条状，并且多个形变调节层5在异形部4的凸出方向上的宽度沿异形部4的凸出方向逐渐增大，从而可以根据异形部4的形变大小分布对异形部4施加不同大小的作用力。
需要说明的是，在本实施例中，每个形变调节层5在掩膜本体3的沉积面C上的正投影的形状为直线形条状，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，每个形变调节层5还可以为其他任意形状，例如等腰梯形或者等腰三角形。
请参阅图13A，本发明第八实施例提供的掩膜版，其是在上述各个实施例的基础上所做的进一步改进。具体地，形变调节层5包括第一部分5a和第二部分5b，二者呈一体式结构或者相互独立；其中，在掩膜本体3的沉积面C上，形变调节层5的第一部分5a的正投影与异形部4的正投影重叠；形变调节层5的第二部分5b的正投影与异形部4和掩膜本体3的交界处的区域重叠，从而在抑制异形部4产生形变的同时，还可以抑制该附近区域产生的形变。
在本实施例中，第一部分5a在掩膜本体3的沉积面C上的正投影形状为矩形。第二部分5b在掩膜本体3的沉积面C上的正投影形状为等腰梯形。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，第一部分5a和第二部分5b还可以采用其他任意形状。
在本实施例中，形变调节层5的第一部分5a和第二部分5b呈一体式结构。但是，本发明并不局限于此，如图13B所示，形变调节层5的第一部分5a和第二部分5b还可以相互独立。
综上所述，本发明提供的掩膜版，其设置有形变调节层5，且在掩膜本体3的沉积面C上，形变调节层5的正投影与异形部4的正投影至少部分重叠；并且，通过使形变调节层5的热膨胀系数与异形部4的热膨胀系数不同，可以抑制异形部产生形变，从而可以提高沉积精度。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变形和改进，这些变形和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜本体，在所述掩膜本体中设置有贯穿其厚度的开口，并且在所述掩膜本体上，且位于所述开口的边缘处设置有朝向所述开口凸出的异形部，还包括形变调节层，且在所述掩膜本体的沉积面所在的平面上，所述形变调节层的正投影与所述异形部的正投影至少部分重叠；
所述形变调节层的热膨胀系数与所述异形部的热膨胀系数不同，以抑制所述异形部在进行工艺时产生的形变。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在所述异形部中设置有凹部，所述形变调节层填充在所述凹部中。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述凹部自所述异形部背离所述沉积面的表面凹进，或者自所述异形部与所述沉积面同侧的表面凹进。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层设置在所述异形部上，且位于所述沉积面的同侧，或者位于背离所述沉积面的一侧。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层的各个位置的厚度相同，或者所述形变调节层的各个位置的厚度不同。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影在与所述异形部的凸出方向相垂直的方向上的长度沿所述异形部的凸出方向逐渐增大。
7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影的形状包括等腰三角形或者等腰梯形。
8.根据权利要求1-4，6-7任意一项所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层为一个；或者，所述形变调节层为多个；多个所述形变调节层沿与所述异形部的凸出方向相垂直的方向间隔分布。
9.根据权利要求1-4任意一项所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层为多个；多个所述形变调节层沿与所述异形部的凸出方向相垂直的方向间隔分布；并且，每个所述形变调节层在所述掩膜本体的沉积面上的正投影的形状为直线形条状，且多个所述形变调节层在所述异形部的凸出方向上的宽度沿所述异形部的凸出方向逐渐增大。
10.根据权利要求1-4，6-7任意一项所述的掩膜版，其特征在于，所述形变调节层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分呈一体式结构或者相互独立；其中，
在所述掩膜本体的沉积面上，所述形变调节层的第一部分的正投影与所述异形部的正投影重叠；所述形变调节层的第二部分的正投影与所述异形部和所述掩膜本体的交界处的区域重叠。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810110963.5A CN108315712B (zh) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | 掩膜版 |
| US16/196,116 US10947620B2 (en) | 2018-02-05 | 2018-11-20 | Mask plate and manufacture method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810110963.5A CN108315712B (zh) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | 掩膜版 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108315712A true CN108315712A (zh) | 2018-07-24 |
| CN108315712B CN108315712B (zh) | 2019-12-31 |
Family
ID=62901797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810110963.5A Active CN108315712B (zh) | 2018-02-05 | 2018-02-05 | 掩膜版 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10947620B2 (zh) |
| CN (1) | CN108315712B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108998773A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
| CN110079762A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 掩膜板及蒸镀oled器件的方法 |
| CN110131562A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 组合结构 |
| CN113493892A (zh) * | 2020-03-18 | 2021-10-12 | 旭晖应用材料股份有限公司 | 具有改善张网平面度功能的复合式金属掩膜板 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107740065B (zh) * | 2017-09-26 | 2020-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模版及其成膜方法、成膜设备 |
| CN109778116B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件 |
| WO2021036067A1 (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及制备方法、精细金属掩模板、掩模装置及使用方法 |
| US11326246B2 (en) * | 2020-07-27 | 2022-05-10 | Rockwell Collins, Inc. | Controlled warping of shadow mask tooling for improved reliability and miniturization via thin film deposition |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002361135A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-17 | Ricoh Co Ltd | メタルマスク |
| US20020190629A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-12-19 | Sang-Ho Jeon | Flat mask for cathode ray tube |
| CN1779566A (zh) * | 2004-11-25 | 2006-05-31 | 三星Sdi株式会社 | 用于沉积的掩模和制造该掩模的方法 |
| KR20110133075A (ko) * | 2010-06-04 | 2011-12-12 | 주성엔지니어링(주) | 마스크 장치와 이를 이용한 박막 패턴의 제조 장치 및 제조 방법 |
| US20130323630A1 (en) * | 2011-02-04 | 2013-12-05 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film and reflective mask blank for euv lithography |
| CN104561894A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-29 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种掩膜板的制造方法 |
| CN107587106A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6511908B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-05-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの引張方法、フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び引張装置 |
| US10934614B2 (en) * | 2016-03-23 | 2021-03-02 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Vapor deposition mask, vapor deposition mask production method, and organic semiconductor element production method |
-
2018
- 2018-02-05 CN CN201810110963.5A patent/CN108315712B/zh active Active
- 2018-11-20 US US16/196,116 patent/US10947620B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020190629A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-12-19 | Sang-Ho Jeon | Flat mask for cathode ray tube |
| JP2002361135A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-17 | Ricoh Co Ltd | メタルマスク |
| CN1779566A (zh) * | 2004-11-25 | 2006-05-31 | 三星Sdi株式会社 | 用于沉积的掩模和制造该掩模的方法 |
| KR20110133075A (ko) * | 2010-06-04 | 2011-12-12 | 주성엔지니어링(주) | 마스크 장치와 이를 이용한 박막 패턴의 제조 장치 및 제조 방법 |
| US20130323630A1 (en) * | 2011-02-04 | 2013-12-05 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film and reflective mask blank for euv lithography |
| CN104561894A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-29 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种掩膜板的制造方法 |
| CN107587106A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108998773A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
| CN108998773B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
| CN110079762A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-08-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 掩膜板及蒸镀oled器件的方法 |
| CN110079762B (zh) * | 2019-04-11 | 2021-06-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 掩膜板及蒸镀oled器件的方法 |
| CN110131562A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 组合结构 |
| US11802661B2 (en) | 2019-06-14 | 2023-10-31 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Composite structure |
| CN113493892A (zh) * | 2020-03-18 | 2021-10-12 | 旭晖应用材料股份有限公司 | 具有改善张网平面度功能的复合式金属掩膜板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190242012A1 (en) | 2019-08-08 |
| US10947620B2 (en) | 2021-03-16 |
| CN108315712B (zh) | 2019-12-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |