CN110729414A - 一种显示面板及显示面板制程方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制程方法，本申请实施例显示面板，包括玻璃基板和衍膜层，玻璃基板具有相对设置的第一面以及第二面所述衍膜层外包裹形变层，所述形变层和所述衍膜层蒸镀形成在所述玻璃基板的第一面，所述形变层冷胀热缩，开口区形成在所述衍膜层。本申请实施例可以实现提高显示面板的品质。

Description

一种显示面板及显示面板制程方法
技术领域
本申请涉及面板制造技术领域，特别涉及一种显示面板及显示面板制程方法。
背景技术
OLED作为新一代的固态自发光显示技术，相较于液晶显示具有超薄、响应度高、对比度高、功耗低等优势，近几年产业化速度突飞猛进。三星、LG已经把AMOLED显示屏应用于自家的智能手机上，获得了非常好的市场。目前OLED主流的制备技术和方法是蒸镀法，即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过金属光罩的开孔沉积在玻璃基板上。然后通过在封装手套箱体内用玻璃或金属后盖涂布胶框的封装方式完成对OLED器件的密封。
目前蒸镀方式，因为衍膜存在一定厚度，容易产生阴影，当随着衍膜解析度越来越来越高，蒸镀材料越来越多，阴影与像素宽度越来越接近，此时会导致像素发光面积受到影响，影响面板整体亮度，造成品质下降。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制程方法。可以提高显示面板的品质。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
玻璃基板，具有相对设置的第一面以及第二面；
衍膜层，所述衍膜层外包裹形变层，所述形变层和所述衍膜层蒸镀形成在所述玻璃基板的第一面，所述形变层冷胀热缩；
开口区，形成在所述衍膜层。
在一些实施例中，所述形变层采用的材料为锑、铋、镓其中任一种。
在一些实施例中，所述衍膜层的厚度为100纳米至40微米。
在一些实施例中，所述形变层通过正反溅射、蒸镀、电泳以及粘贴其中任一种方式将所述形变层包裹在所述衍膜层外侧。
在一些实施例中，所述衍膜层采用的材料为铁镍钴合金。
本申请实施例还提供一种显示面板制程方法，包括如下步骤：
提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对设置的第一面以及第二面；
将冷胀热缩的形变层包裹在衍膜层上；
将衍膜层和形变层蒸镀形成到所述玻璃基板的第一面；
在所述衍膜层和形变层蚀刻形成开口区。
在一些实施例中，所述形变层通过正反溅射、蒸镀、电泳以及粘贴其中任一种方式将所述形变层包裹在所述衍膜层外侧。
在一些实施例中，所述衍膜层的厚度为100纳米至40微米。
在一些实施例中，所述形变层采用的材料为锑、铋、镓其中任一种。
在一些实施例中，所述衍膜层采用的材料为铁镍钴合金
本申请实施例中提供显示面板，本申请实施提供的显示面板包括玻璃基板和衍膜层，玻璃基板具有相对设置的第一面以及第二面，衍膜层所述衍膜层外包裹形变层，所述形变层和所述衍膜层蒸镀形成在所述玻璃基板的第一面，所述形变层冷胀热缩，开口区形成在所述衍膜层。因为形变层冷胀热缩，将形变层和衍膜层蒸镀形成到玻璃基板的时候，形变层遇热收缩，从而使得衍膜层和形变层在开口区内形成的影响区域减小。同时，因为衍膜层和形变层两层叠加，因此使得衍膜层的强度增大。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本申请实施例中显示面板俯视图。
图2为本申请实施例中显示面板结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例中提供一种显示面板100及显示面板100制程方法。以下对本申请实施例的显示面板100做详细介绍。
请参阅图1和图2所示，图1为本申请实施例中显示面板俯视图。图2为本申请实施例中显示面板结构示意图。其中，本申请实施例提供一种显示面板100，显示面板100包括玻璃基板10和衍膜层20，玻璃基板10具有相对设置的第一面10A以及第二面10B所述衍膜层20外包裹形变层30，所述形变层30和所述衍膜层20蒸镀形成在所述玻璃基板10的第一面10A，所述形变层30冷胀热缩，开口区40形成在所述衍膜层20。
需要说明的是，第一面10A为显示面板100的上表面，第二面10B为显示面板100的下表面。当然也可以是，第二面10B为显示面板100的上表面，第一面10A为显示面板100的下表面。本申请实施例中第一面10A和第二面10B的相对位置具体请参照附图。本申请实施例中不做过多赘述。
其中，所述形变层30采用的材料为锑、铋、镓其中任一种。
需要说明的是，锑、铋、镓均为具有冷胀热缩的特性的金属。当然可以理解的是，形变层30还可以采用其他具有冷胀热缩特性的金属材料。本申请实施例中对于形变层30具体采用的材料不过多赘述。
其中，所述衍膜层20的厚度为100纳米至40微米。
需要说明的是，衍膜层20可以为100纳米、200纳米、500纳米、10微米、20微米或者40微米。本申请实施例中由于衍膜层20的厚度比较薄，因此，衍膜层20不会在所述开口区40内形成大的阴影区域，从而提高显示面板100的显示品质。
其中，所述形变层30通过正反溅射、蒸镀、电泳以及粘贴其中任一种方式将所述形变层30包裹在所述衍膜层20外侧。
需要说明的是，形变层30可以通过所述的工艺包裹到衍膜层20上，当然，形变层30还可以通过其他方式包裹到衍膜层20上。在此，不一一赘述。其中，通过正反溅射、蒸镀、电泳的方式将形变层30包裹到衍膜层20上能够使得形变层30包裹在衍膜层20上时更加紧密。另外的，由于将形变层30包裹在衍膜层20外侧，从而形成到玻璃基板10上时，强度更高，拉伸变形量更低。
其中，所述衍膜层20采用的材料为铁镍钴合金。
需要说明的是，衍膜层20还可以采用其他材料。本申请实施例中对于衍膜层20具体采用的材料不一一赘述。
本申请实施例中提供显示面板100，本申请实施提供的显示面板100包括玻璃基板10和衍膜层20，玻璃基板10具有相对设置的第一面10A以及第二面10B，衍膜层20所述衍膜层20外包裹形变层30，所述形变层30和所述衍膜层20蒸镀形成在所述玻璃基板10的第一面10A，所述形变层30冷胀热缩，开口区40形成在所述衍膜层20。因为形变层30冷胀热缩，将形变层30和衍膜层20蒸镀到玻璃基板10的时候，形变层30遇热收缩，从而使得衍膜层20和形变层30在开口区40内形成的影响区域减小。同时因为，衍膜层20和形变层30两层叠加，因此使得衍膜层20的强度增大。
请参阅图3所示，图3为本申请实施例中显示面板制程方法的流程示意图。其中，本申请实施例提供一种显示面板制程方法，包括如下步骤：
101、提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对设置的第一面以及第二面。
需要说明的是，第一面为显示面板的上表面，第二面为显示面板的下表面。当然也可以是，第二面为显示面板的上表面，第一面为显示面板的下表面。本申请实施例中第一面和第二面的相对位置具体请参照附图。本申请实施例中不做过多赘述。
102、将冷胀热缩的形变层包裹在衍膜层上。
需要说明的是，由于将形变层包裹在衍膜层外侧，从而形成到玻璃基板上时，强度更高，拉伸变形量更低。
103、将衍膜层和形变层蒸镀形成到所述玻璃基板的第一面。
需要说明的是，因为形变层冷胀热缩，将形变层和衍膜层蒸镀形成到玻璃基板的时候，形变层遇热收缩，从而使得衍膜层和形变层在开口区内形成的影响区域减小。
104、在所述衍膜层和形变层蚀刻形成开口区。
其中，所述形变层采用的材料为锑、铋、镓其中任一种。
需要说明的是，锑、铋、镓均为具有冷胀热缩的特性的金属。当然可以理解的是，形变层还可以采用其他具有冷胀热缩特性的金属材料。本申请实施例中对于形变层具体采用的材料不过多赘述。
其中，所述衍膜层的厚度为100纳米至40微米。
需要说明的是，衍膜层可以为100纳米、200纳米、500纳米、10微米、20微米或者40微米。本申请实施例中由于衍膜层的厚度比较薄，因此，衍膜层不会在所述开口区内形成大的阴影区域，从而提高显示面板的显示品质。
其中，所述形变层通过正反溅射、蒸镀、电泳以及粘贴其中任一种方式将所述形变层包裹在所述衍膜层外侧。
需要说明的是，形变层可以通过所述的工艺包裹到衍膜层上，当然，形变层还可以通过其他方式包裹到衍膜层上。在此，不一一赘述。其中，通过正反溅射、蒸镀、电泳的方式将形变层包裹到衍膜层上能够使得形变层包裹在衍膜层上时更加紧密。另外的，由于将形变层包裹在衍膜层外侧，从而形成到玻璃基板上时，强度更高，拉伸变形量更低。
其中，所述衍膜层采用的材料为铁镍钴合金。
需要说明的是，衍膜层还可以采用其他材料。本申请实施例中对于衍膜层具体采用的材料不一一赘述。
本申请实施例采用上述显示面板的制程方法，因为形变层冷胀热缩，将形变层和衍膜层蒸镀形成到玻璃基板的时候，形变层遇热收缩，从而使得衍膜层和形变层在开口区内形成的影响区域减小。同时，因为衍膜层和形变层两层叠加，因此使得衍膜层的强度增大。
以上对本申请实施例提供的一种显示面板及显示面板制程方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
玻璃基板，具有相对设置的第一面以及第二面；
衍膜层，所述衍膜层外包裹形变层，所述形变层和所述衍膜层蒸镀形成在所述玻璃基板的第一面，所述形变层冷胀热缩；
开口区，形成在所述衍膜层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述形变层采用的材料为锑、铋、镓其中任一种。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衍膜层的厚度为100纳米至40微米。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述形变层通过正反溅射、蒸镀、电泳以及粘贴其中任一种方式将所述形变层包裹在所述衍膜层外侧。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述衍膜层采用的材料为铁镍钴合金。
6.一种显示面板制程方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一玻璃基板，所述玻璃基板具有相对设置的第一面以及第二面；
将冷胀热缩的形变层包裹在衍膜层上；
将衍膜层和形变层蒸镀形成到所述玻璃基板的第一面；
在所述衍膜层和形变层蚀刻形成开口区。
7.根据权利要求6所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述形变层通过正反溅射、蒸镀、电泳以及粘贴其中任一种方式将所述形变层包裹在所述衍膜层外侧。
8.根据权利要求6所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述衍膜层的厚度为100纳米至40微米。
9.根据权利要求6所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述形变层采用的材料为锑、铋、镓其中任一种。
10.根据权利要求6至9任一项所述的显示面板制程方法，其特征在于，所述衍膜层采用的材料为铁镍钴合金。
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