CN110073471B - 清洗单元 - Google Patents

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Abstract

一种用于将清洗药液供给至清洗装置的清洗药液供给装置，具备：药液入口部及稀释水入口部；流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部的第一药液控制部；及流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部的第二药液控制部，所述第一药液控制部具有第一药液流量控制部、第一稀释水流量控制部及第一混合部，所述第二药液控制部具有第二药液流量控制部、第二稀释水流量控制部及第二混合部。

Description

清洗单元
技术领域
本发明关于一种清洗药液供给装置、清洗单元、及储存有程序的存储媒介。
背景技术
CMP(化学机械研磨/Chemical Mechanical Polishing)装置具有：用于研磨形成有半导体芯片的半导体基板表面的研磨单元；及用于对研磨单元所研磨的半导体基板供给药液而进行清洗的清洗单元。该清洗单元通过在药液中混合DIW(去离子水/De-IonizedWater)等的稀释水，制作调整浓度后的药液，并使用该药液进行半导体基板的清洗。
专利文献1中记载有基板处理装置的清洗药液供给装置。该清洗药液供给装置具备：贮存用于处理基板的处理液的处理槽；及贮存须供给至处理槽的清洗药液的清洗药液槽，通过在从清洗药液槽至处理槽的配管中途设置作为节流阀的阻力部，来调整清洗药液的流量。
专利文献2中记载有以滚筒清洗构件摩擦清洗基板表面的清洗装置。该清洗装置将各个流路供给的清洗药液及DIW(去离子水/De-Ionized Water)从各个喷嘴供给至基板表面。
专利文献3中记载有具有清洗装置与清洗药液供给装置的清洗单元。该清洗单元以DIWCLC及药液CLC分别调整DIW及清洗药液的流量，再以混合器混合调整后的DIW和药液，并从该混合器将稀释后的药液供给至清洗装置的上面清洗部及下面清洗部。
专利文献4记载有具有清洗装置与清洗药液供给装置的清洗单元。该清洗单元在将第一药液供给至清洗装置时，是以DIWCLC及药液CLC分别调整DIW及药液的流量，并以混合器混合调整后的DIW及药液，将稀释后的药液供给至清洗装置。另外，将第二药液供给至清洗装置时，以DIWCLC及药液CLC分别调整DIW及药液的流量，并以混合器混合调整后的DIW及药液，将稀释后的药液供给至清洗装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-260332号公报
专利文献2：日本特开2014-132641号公报
专利文献3：日本特开2016-9818号公报
专利文献4：日本特开2016-15469号公报
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1至4中记载的构造无法独立控制供给至基板各面(例如上表面及下表面)的药液的流量及浓度。
此外，仅在基板各面的任何一方供给药液情况下，需要在清洗装置内的各流路设置开关阀，来控制药液的流通及阻断。
此外，近年来，进行对工厂内的多个装置从共同的供给源供给药液及/或DIW，依装置的设置场所，会有供给至清洗药液供给装置的药液及/或DIW的压力低的情况。因而，当对清洗药液供给装置供给药液及/或DIW的压力低时，在过去构造的清洗药液供给装置及清洗装置内的流路及构造的压损情况下，可能无法对基板供给充分流量的药液。
例如，过去的清洗单元对基板各面供给药液及/或DIW时，从共同流路至基板的各面侧使各个流路分歧，并在一方流路设置节流阀来调整流量。对清洗药液供给装置供给药液及/或DIW的压力低时，因在节流部分的压损可能无法对基板供给充分流量的药液。
本发明的目的为解决上述课题的至少一部分。
本发明一个方面提供一种清洗药液供给装置，用于将清洗用的药液供给至清洗装置。该清洗药液供给装置具备：药液入口部及稀释水入口部；第一药液控制部，该第一药液控制部流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部；及第二药液控制部，该第二药液控制部流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部。所述第一药液控制部具有：第一药液流量控制部，该第一药液流量控制部以从所述药液入口部接受药液的供给，并控制所述药液流量的方式构成；第一稀释水流量控制部，该第一稀释水流量控制部以从所述稀释水入口部接受稀释水的供给，并控制所述稀释水流量的方式构成；及第一混合部，该第一混合部将来自所述第一药液流量控制部及所述第一稀释水流量控制部的所述药液及所述稀释水进行混合。所述第二药液控制部具有：第二药液流量控制部，该第二药液流量控制部以从所述药液入口部接受所述药液的供给，并控制所述药液流量的方式构成；第二稀释水流量控制部，该第二稀释水流量控制部以从所述稀释水入口部接受所述稀释水的供给，并控制所述稀释水流量的方式构成；及第二混合部，该第二混合部将来自所述第二药液流量控制部及所述第二稀释水流量控制部的所述药液及所述稀释水进行混合。
本发明一个方面提供一种清洗药液供给装置，用于将清洗用的药液供给至清洗装置，该清洗药液供给装置具备：流量计；进入所述流量计的第一配管；及从所述流量计伸出的第二配管；所述第一配管及所述第二配管从水平方向及铅垂方向倾斜。
附图说明
图1是表示一种实施方式的清洗药液供给装置的概略前视图。
图2是一种实施方式的清洗单元的流体回路图。
图3是表示一种实施方式的流量控制阀单元(CLC)的构成的构成图。
图4是药液供给程序的流程图的一例。
图5是表示具备一种实施方式的清洗单元的研磨装置整体构成俯视图。
图6A是说明CLC的安装构造的说明图。
图6B是说明CLC的安装构造的说明图。
图6C是说明CLC的安装构造的说明图。
图7是CLC的俯视图。
图8是CLC的侧视图。
图9是CLC组装体的俯视图。
图10A是从CLC组装体的一方侧的侧视图。
图10B是从CLC组装体的另一方侧的侧视图。
图11是CLC的安装构造的侧视图。
图12是CLC的安装构造的立体图。
图13是其他例的流量控制的流程图。
图14是使用压力计的异常检测控制的流程图。
具体实施方式
以下，参照图说明本发明一种实施方式。图1是表示一种实施方式的清洗药液供给装置的概略前视图。本实施方式的清洗药液供给装置100构成可将清洗用的药液(例如氢氟酸及氨等)供给至基板处理装置具有的清洗装置200。基板处理装置例如包含CMP(化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing))装置等的研磨装置。
如图1所示，一种实施方式的清洗药液供给装置100具有：壳体101、第一药液稀释盒(第一药液控制部)120、第二药液稀释盒(第二药液控制部)130、及多个药液应用盒50。第一药液稀释盒120、第二药液稀释盒130及多个药液应用盒50收纳于壳体101中。第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130混合药液与稀释水，生成调整了流量及浓度的药液(稀释后的药液)。稀释水是DIW(去离子水(De-Ionized Water))及其他稀释媒介。以下以稀释水为DIW来说明，不过稀释水也可为DIW以外的稀释媒介。清洗药液供给装置100中，药液应用盒50是用于将来自药液供给源20的药液导入清洗药液供给装置100的构造。图示的例是将6个药液应用盒50设于清洗药液供给装置100，不过此为一例，还可依清洗装置200的规格适当变更药液应用盒50的数量。
图2是一种实施方式的清洗单元的流体回路图。清洗单元10具备：清洗药液供给装置100、及清洗装置200。清洗药液供给装置100中，药液应用盒50具备：连接于药液供给源20(参照图2)的输入部51、开关阀52、闭锁阀53、及压力计54。开关阀52依来自控制装置110的信号来控制开关。闭锁阀53是手动开关的阀门，例如维修时使用于从清洗药液供给装置100分离药液供给源20时。压力计54检测从药液供给源20导入清洗药液供给装置100的药液的压力。本例是输入部51构成药液入口部。省略药液应用盒50情况下，清洗药液供给装置100与药液供给源20的连接部构成药液入口部。
控制装置110例如也可是对清洗药液供给装置100而设的控制装置，也可是对清洗单元10而设的控制装置，也可是对设置清洗单元10的研磨装置等的基板处理装置而设的控制装置。控制装置110具备：微型计算机、定序器等计算机或控制电路；及储存由控制电路执行的程序的记录媒介(挥发性、非挥发性存储体等)。程序包含由清洗药液供给装置100及清洗装置200实施药液(稀释后的药液)的供给、清洗的程序。按照该程序，控制清洗药液供给装置100及清洗装置200的各部。另外，上述程序也可储存于可装卸于控制装置110的记录媒介(CD、快闪存储器等)。此外，也可以是，储存于控制装置110可经由有线或无线而读取的记录媒介。
清洗药液供给装置100进一步具备用于将来自DIW供给源30的DIW导入清洗药液供给装置100的调节器60。调节器60调整来自DIW供给源30的DIW的压力，并经由配管90、91、92输出至第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130。本例是调节器60的输入部61构成稀释水入口部。省略调节器60情况下，清洗药液供给装置100与DIW供给源30的连接部构成稀释水入口部。
第一药液稀释盒120分别控制药液及DIW的流量，并输出希望流量及浓度的药液(稀释后的药液)。第一药液稀释盒120的输入部经由配管80、81连接于药液应用盒50，并且经由配管90、91连接于调节器60。第一药液稀释盒120的输出部经由配管85连接于清洗装置200的清洗部210的喷嘴211。
第一药液稀释盒120具备：第一药液CLC(第一药液流量控制部)121、第一DIWCLC(第一稀释水流量控制部)122、及混合部123。CLC(封闭回路控制器(Closed LoopController))是由图3所示的封闭回路控制装置构成的流量控制阀单元，详情于后述。第一药液CLC 121控制来自药液应用盒50的药液流量并输出。第一DIWCLC 122控制来自调节器60的DIW流量并输出。第一药液CLC 121的输出部连接于配管83。第一DIWCLC 122的输出部连接于配管93。配管83及配管93在配管85合流。配管83、配管93、配管85的合流点构成混合部123。混合部123混合由第一药液CLC 121控制流量的药液、与第一DIWCLC 122控制流量的DIW，并输出希望流量及浓度的药液(稀释后的药液)。通过来自控制装置110的信号，并依第一药液CLC 121及第一DIWCLC 122设定的药液及DIW流量来决定稀释后的药液流量及浓度。
图3是表示一种实施方式的流量控制阀单元(CLC)的构成的构成图。如图3所示，第一药液CLC 121及第一DIWCLC 122具备：流量计1212、流量控制阀(内部控制阀)1211、及控制部1213。第一药液CLC 121的流量计1212是超声波流量计。从减少压损的观点，流量计1212优选使用超声波流量计，不过考虑清洗药液供给装置100及清洗装置200整体压损时，也可使用差压式流量计(孔流量计)。第一DIWCLC 122的流量计1212使用差压式流量计(孔流量计)。另外，第一DIWCLC 122的流量计1212也可采用超声波流量计。本实施方式的流量控制阀1211是马达阀，且阀主体1211a的开度通过具备马达的驱动源1211b的动力来控制。流量控制阀1211只须是可调整开度的阀门即可，也可是其他种类的可变流量阀(例如由电磁线圈等驱动的电磁阀)。控制部1213具备：微型计算机等的控制电路；及储存由控制电路执行的程序的存储器。控制电路及存储器例如安装于控制基板。控制部1213从控制装置110接收流体的流量设定值iT，并且从流量计1212接收流体的流量检测值io，并以流量检测值io与流量设定值iT一致的方式反馈控制流量控制阀1211。第一药液CLC 121的流体是药液，第一DIWCLC 122的流体是DIW。另外，此处，例示包含流量计、流量控制阀、及控制部的流量控制阀单元(CLC)，不过也可分别设置它们的一部分或全部。例如，也可分别设置流量计1212与流量控制阀1211，并取代控制部1213(或经由控制部1213)，控制装置110根据来自流量计1212的检测值控制流量控制阀1211来控制流量。控制装置110也可适当地经由其他驱动电路来控制流量控制阀1211。
如图2所示，第一药液稀释盒120进一步具备：回吸阀单元141、及压力计142。回吸阀单元141是具有防止液体滴落功能的开关阀。回吸阀单元141具备：通过隔膜变形产生容积变化的功能而吸引下游侧的流体的回吸阀；及开关流路的开关阀(断流阀、双向阀)。通过回吸阀单元141阻断来自第一药液稀释盒120的药液(稀释后的药液)的输出时，可抑制或防止液体从喷嘴211(参照图2)滴落。压力计142检测混合部123输出的药液(稀释后的药液)的压力，且检测与配管83及配管93合流的配管85中的药液(稀释后的药液)的压力。
第二药液稀释盒130分别控制药液及DIW的流量，并输出希望的流量及浓度的药液(稀释后的药液)。与第一药液稀释盒120的控制独立地，第二药液稀释盒130分别控制药液及DIW的流量。第二药液稀释盒130的输入部经由配管80、配管82连接于药液应用盒50，并且经由配管90、配管92连接于调节器60。第二药液稀释盒130的输出部经由配管95连接于清洗装置200的清洗部210的喷嘴212，并且经由配管96连接于清洗装置200的待机部230的喷嘴(无图示)。
第二药液稀释盒130具备：第二药液CLC(第二药液流量控制部)131、第二DIWCLC(第二稀释水流量控制部)132、及混合部133。第二药液CLC131控制来自药液应用盒50的药液流量并输出。第二DIWCLC 132控制来自调节器60的DIW流量并输出。第二药液CLC 131的输出部连接于配管84。第二DIWCLC 132的输出部连接于配管94。配管84及配管94在配管86合流。配管84、配管94、配管86的合流点构成混合部133。混合部133混合由第二药液CLC 131控制流量的药液与第二DIWCLC 132控制流量的DIW，并输出希望的流量及浓度的药液(稀释后的药液)。通过来自控制装置110的信号，并依第二药液CLC 131及第二DIWCLC 132设定的药液及DIW的流量来决定稀释后的药液的流量及浓度。
第二药液CLC 131及第二DIWCLC 132与第一药液CLC 121及第一DIWCLC 122同样地具有图3所示的构成。第二药液CLC 131的流量计1212与第一药液CLC 121同样地是超声波流量计。从减少压损的观点，流量计1212优选使用超声波流量计，不过考虑清洗药液供给装置100及清洗装置200整体压损时，也可使用差压式流量计(孔流量计)。第二DIWCLC 132的流量计1212与第一DIWCLC 122同样地使用差压式流量计(孔流量计)。另外，第二DIWCLC132的流量计1212也可采用超声波流量计。在第二药液CLC 131的流体是药液，在第二DIWCLC 132的流体是DIW。其他构造如所述，因此省略说明。
如图2所示，第二药液稀释盒130进一步具备：开关阀151、开关阀152、及压力计153。开关阀151设于从配管86分歧的配管95。开关阀151开放、阻断混合部133与清洗装置200的基板下面侧的喷嘴212间的流体性连接。开关阀152设于从配管86分歧的配管96。开关阀152开放、阻断混合部133与清洗装置200的待机部230间的流体性连接。压力计153检测从混合部133输出的药液(稀释后的药液)的压力，且检测在配管84与配管94合流的配管86中的药液压力。
清洗装置200是设置于研磨装置等的基板处理装置来清洗基板W的装置。如图2所示，清洗装置200经由配管85、95、96而连接于清洗药液供给装置100，并接受从清洗药液供给装置100供给药液(稀释后的药液)及/或DIW。清洗装置200具备：清洗部210、及待机部230。清洗部210在基板W的第一面及第二面(本例是上表面及下表面)供给药液(稀释后的药液)，通过该药液清洗基板W。待机部230中配置待机在清洗部210清洗的基板。另外，在清洗装置200具备通过DIW清洗的DIW清洗部情况下，也可将供给DIW的配管设于清洗药液供给装置100。基板W的第一面及第二面的任一面也可是基板W的上表面及下表面。此外，基板W的第一面及第二面在基板W竖立配置于铅垂方向情况下，是在铅垂方向上延伸的面。
清洗部210具备：配置于基板W上面侧的一个或多个喷嘴211；及配置于基板W下面侧的喷嘴212。为了避免图的复杂，图2仅表示一个喷嘴211。一个或多个喷嘴211配置于基板W的上方，并朝向基板W上表面喷射药液(稀释后的药液)。喷嘴211经由配管85连接于清洗药液供给装置100的第一药液稀释盒120的输出，接受由第一药液稀释盒120调整成希望的流量及浓度的药液(稀释后的药液)的供给。为了减少流路上的压损，一部分或全部喷嘴211优选使用低压损型的喷嘴(例如扁平型的喷出口)。喷嘴212是在共同的框体中设有多个喷嘴孔的构造。喷嘴212配置于基板W的下方，并朝向基板W的下表面喷射药液(稀释后的药液)。喷嘴212经由配管95连接于清洗药液供给装置100的第二药液稀释盒130的输出，接受由第二药液稀释盒130调整成希望的流量及浓度的药液(稀释后的药液)的供给。为了减少流路上的压损，喷嘴212优选使用低压损型的喷嘴。
待机部230接受由第二药液稀释盒130调整成希望的流量及浓度的药液(稀释后的药液)的供给。另外，也可控制开关阀151、152使第二药液稀释盒130仅对清洗部210的喷嘴212或待机部230的任何一方供给药液(稀释后的药液)。
另外，从减少流路上的压损的观点，从供给源20、30至喷嘴211、212、待机部230的配管优选使用内径大而压损小者。此外，阀门(52、151、152、141)也优选使用压损小者。
(药液供给程序)
其次，说明图2所示的清洗药液供给装置100中的药液供给程序。通常是开放闭锁阀53，药液供给程序开始时，通过来自控制装置110的信号，开放药液应用盒50的开关阀52。此外，调节器60通过来自控制装置110的信号而工作。此外，通过控制装置110的信号开放回吸阀单元141、开关阀151、开关阀152。并从药液应用盒50及调节器60供给药液及DIW至第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130。开关阀52、调节器60、回吸阀单元141、开关阀151、152通过来自控制装置110的信号而控制。控制装置110按照储存于记录媒介的程序执行第一药液CLC 121及第一DIWCLC 122的控制。
第一药液稀释盒120中，由第一药液CLC 121控制药液流量达到来自控制装置110的流量设定值，并且由第一DIWCLC 122控制DIW流量达到来自控制装置110的流量设定值，混合部123混合流量调整后的药液及DIW，生成控制成指定的流量及浓度的药液(稀释后的药液)，将此输出至清洗装置200的基板上面侧的喷嘴211。第一药液CLC 121及第一DIWCLC122通过来自控制装置110的信号而控制。控制装置110按照储存于记录媒介的程序执行第一药液CLC 121及第一DIWCLC 122的控制。
第二药液稀释盒130中，由第二药液CLC 131控制药液流量达到来自控制装置110的流量设定值，并且由第二DIWCLC 132控制DIW流量达到来自控制装置110的流量设定值，混合部133混合流量调整后的药液及DIW，生成控制成指定的流量及浓度的药液(稀释后的药液)，将此输出至清洗装置200的基板下面侧的喷嘴212。此外，混合部133将控制成指定流量及浓度的药液(稀释后的药液)供给至清洗装置200的待机部230。第二药液CLC131及第二DIWCLC 132通过来自控制装置110的信号而控制。控制装置110按照储存于记录媒介的程序执行第二药液CLC 131及第二DIWCLC 132的控制。
另外，停止对喷嘴211、喷嘴212的一方供给药液(稀释后的药液)的情况下，关闭回吸阀单元141或开关阀151的一方，而打开一方(也可关闭第一药液CLC 121及第一DIWCLC122的流量控制阀，或第二药液CLC 131及第二DIWCLC 132的流量控制阀)。此外，在喷嘴211中供给药液(稀释后的药液)而停止对喷嘴212及待机部230供给药液的情况下，打开回吸阀单元141而关闭开关阀151、152(也可关闭第二药液CLC 131及第二DIWCLC 132的流量控制阀)。此外，停止对喷嘴212或待机部230的一方供给药液(稀释后的药液)的情况下，关闭开关阀151或开关阀152的一方。
清洗装置200的清洗部210中，将由第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130独立地控制流量及浓度的药液(稀释后的药液)，分别从喷嘴211及喷嘴212供给至基板W的上表面及下表面，来清洗基板W。例如可对喷嘴211供给比对喷嘴212的药液浓度低的药液。清洗装置200通过来自控制装置110的信号而控制。控制装置110按照储存于记录媒介的程序执行清洗装置200的控制。
(流程图)
图4是药液供给程序的流程图的一例。这些处理是在控制装置110中执行的。步骤S11判定是否开放开关阀52。在步骤S11中判定为开放开关阀52时，在步骤S12中，根据来自控制装置110的信号开放开关阀52。
步骤S13是判定是否开放回吸阀单元141。在步骤S13中判定为开放回吸阀单元141时，在步骤S14中，根据来自控制装置110的信号开放回吸阀单元141。另外，回吸阀单元141已经开放的情况下，则维持开放回吸阀单元141的状态。另一方面，判定为维持关闭回吸阀单元141状态或关闭回吸阀单元141时，通过控制装置110控制回吸阀单元141来维持关闭回吸阀单元141的状态或关闭回吸阀单元141。
步骤S15中，在第一药液稀释盒120中，第一药液CLC 121控制药液流量达到来自控制装置110的流量设定值，并且第一DIWCLC 122控制DIW流量达到来自控制装置110的流量设定值。
步骤S16中，混合部123混合流量调整后的药液及DIW，生成控制成指定的流量及浓度的药液(稀释后的药液)，并将其输出至清洗装置200的基板上面侧的喷嘴211。另外，阀141已关闭的情况下，药液(稀释后的药液)不输出至洗净装置200的基板上面侧的喷嘴211。此时，也可停止第一药液CLC 121及第一DIWCLC 122的动作。
步骤S17中，判定是否开放开关阀151。在步骤S17中判定为开放开关阀151时，在步骤S18中，根据来自控制装置110的信号开放开关阀151。另外，开关阀151已经开放的情况下，则维持开放开关阀151的状态。另外，判定为维持关闭开关阀151状态或关闭开关阀151时，则通过控制装置110控制开关阀151维持关闭开关阀151或关闭开关阀151。
步骤S19中，判定是否开放开关阀152。在步骤S19中判定为开放开关阀152时，在步骤S20中，根据来自控制装置110的信号开放开关阀152。另外，开关阀152已经开放的情况下，则维持开放开关阀152的状态。另外，判定为维持关闭开关阀152状态或关闭开关阀152时，则通过控制装置110控制开关阀151而维持关闭开关阀152的状态或关闭开关阀152。
步骤S21中，在第二药液稀释盒130中，第二药液CLC 131控制药液流量达到来自控制装置110的流量设定值，并且第二DIWCLC 132控制DIW流量达到来自控制装置110的流量设定值。
步骤S22中，混合部133混合流量调整后的药液及DIW，生成控制成指定的流量及浓度的药液(稀释后的药液)，将其输出至清洗装置200的基板下面侧的喷嘴212，并且输出至待机部230。
另外，开关阀151已关闭的情况下，不输出药液(稀释后的药液)至清洗装置200的基板下面侧的喷嘴212。此外，开关阀152已关闭的情况下，不供给药液(稀释后的药液)至待机部230。开关阀151、152两者已关闭的情况下，不供给药液(稀释后的药液)至喷嘴212及待机部230。开关阀151、152两者已关闭的情况下，也可停止第二药液CLC 131及第二DIWCLC132的动作。
步骤S23中，判定有无药液供给程序的结束指示。有结束指示的情况下，在步骤S24中，执行将开放的阀门关闭、将调节器、CLC停止等的结束处理后，结束药液供给程序。另外，并无结束指示的情况下，则返回步骤S13，重复进行步骤S13～S16及步骤S17～S22的处理。
按照该药液供给程序，第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130可分别独立地控制药液的流量及浓度(S13～S16，S17～S22)。此外，可停止从第一药液稀释盒120或第二药液稀释盒130的一方供给药液(稀释后的药液)(S13～S14，S17～S20)。
(基板处理装置的例)
其次，说明研磨装置的构成例，作为具备上述一种实施方式的清洗单元的基板处理装置的一例。图5是表示具备一种实施方式的清洗单元的研磨装置整体构成俯视图。
如图5所示，研磨装置1具备：大致矩形状的机壳2；及装载贮存多个半导体晶片等的基板的基板匣盒的装载埠3。装载埠3中可搭载开放匣盒、SMIF(标准制造界面(StandardManufacturing Interface))盒或FOUP(前开式晶片传送盒(Front Opening UnifiedPod))。在机壳2内部收容有多个(本例是4个)研磨单元4a～4d；清洗研磨后的基板的清洗单元5a、5b；及使清洗后的基板干燥的干燥单元6。清洗单元5a、5b的至少一个适用本发明实施方式的清洗单元10。
被装载埠3、研磨单元4a及干燥单元6所包围的区域配置有第一搬送机器人7。此外，与研磨单元4a～4d平行地配置有搬送单元8。第一搬送机器人7从装载埠3接收研磨前的基板而送交搬送单元8，并且从干燥单元6接收干燥后的基板而送回装载埠3。搬送单元8搬送从第一搬送机器人7所接收的基板，并在各研磨单元4a～4d之间进行基板交接。位于清洗单元5a与清洗单元5b之间，配置有在搬送单元8与这些各单元5a、5b之间进行基板交接的第二搬送机器人9a。此外，位于清洗单元5b与干燥单元6之间，配置有在这些各单元5b、6之间进行基板交接的第三搬送机器人9b。再者，位于机壳2内部配置有控制研磨装置1的各设备行动的控制装置300。所述的控制装置110也可使用研磨装置的控制装置300。
图6A至图6C是说明CLC的安装构造的说明图。以下说明时，CLC是以第一药液CLC121为例，其他药液CLC、DIWCLC也具有同样构成。如所述，第一药液CLC 121具备：流量控制阀1211与流量计1212，它们由配管800连接，并收容于框体1214内。图6A表示以通过流量计1212的流体方向变成水平方向的方式，换言之以配管部分803a、803b变成水平的方式安装第一药液CLC121的情况。图6B表示以通过流量计1212的流体方向变成铅垂方向的方式，安装第一药液CLC 121的情况。图6C表示以通过流量计1212的流体方向相对于铅垂方向及水平方向倾斜的方式安装第一药液CLC 121的情况。所谓铅垂方向及水平方向，是表示相对于清洗药液供给装置等装置的设置面铅垂方向及水平方向。配管部分801、802、803a也可将一个配管弯曲加工而形成，也可另外准备一部分或全部配管部分，而将它们相互连接。配管部分803b、804b也可将一个配管弯曲加工而形成，也可另外准备一部分或全部配管部分，而将它们相互连接。配管部分804b、805也可将一个配管弯曲加工而形成，也可另外准备一部分或全部配管部分，而将它们相互连接。此外，也可将配管部分803a、803b作为一个配管而连续，而使用配置在其周围的流量计。另外，以下的说明在不需要区别配管部分803a、803b时，有时将任意的配管部分803a、803b或配管部分803a、803b的组合称为配管部分803。对于配管部分804a、804b也同样。
如图6A至图6C所示，在将框体1214的长度方向朝向水平方向配置时(图6A)，第一药液CLC 121中的配管800包含：在水平方向延伸的配管部分801、803a、803b、805，及在铅垂方向延伸的配管802、804a、804b。在图6A状态下配置第一药液CLC 121时，因为流量计1212的入口侧及出口侧的配管部分803a、803b朝向水平方向，所以变成配管部分803a、803b中的流体容易滞留气泡的状态。此外，水平方向延伸的配管部分803a与铅垂方向延伸的配管部分802的边界部附近，以及水平方向延伸的配管部分803b与铅垂方向延伸的配管部分804a的边界部附近，各配管部分成为曲折的曲折部，气泡容易在这种曲折部附近滞留。气泡滞留在这些部分时，通过流量计1212的流体中也含有气泡。流量计1212是超声波流量计时，因流体中的气泡而有流量的检测精度降低的担忧。流量计1212是差压型流量计时，因配管中或流体中的气泡而产生偏流(流速偏差)时，也有流量的检测精度降低的担忧。图6B的状态是，在水平方向延伸的配管部分802、804a、804b中容易滞留气泡，此外，在水平延伸的配管部分802与在铅垂方向延伸的配管部分803a的边界部附近容易滞留气泡。气泡滞留在这些部分时，通过流量计1212的流体中也有含有气泡的担忧。与图6A的情况同样地，流量计1212是超声波流量计时，因流体中的气泡而有流量的检测精度降低的担忧。流量计1212是差压型流量计时，因配管中或流体中的气泡而产生偏流(流速偏差)时，也有流量的检测精度降低。
另外，图6C的状态是配管800的各配管部分相对于水平方向及铅垂方向倾斜。此外，流量计1212内部的流路也以与配管部分803a、803b相同的斜度倾斜。配管部分803a、803b(通过流量计的流动方向)相对于铅垂方向优选以10度以上且40度以下的角度倾斜。此时，因为配管部分802、配管部分803a、803b、配管部分804a、804b均相对于水平方向倾斜，所以在配管部分802与配管部分803a的边界部、及配管部分803b与配管部分804a的边界部气泡容易通过，可抑制气泡滞留。对于配管部分801与配管部分802也相同，对于配管部分804b与配管部分805也相同。因此，如图6C所示，通过使配管800的各配管部分相对于水平方向倾斜的方式安装第一药液CLC 121，可抑制滞留于配管中的气泡，并可抑制通过流量计1212的流体中含有气泡。结果，可提高流量计1212的检测精度。
另外，图6A至C是表示配管800具有L字状弯曲的部分(曲折部)的情况，不过配管800也可具有以直角以外的角度弯曲的部分。此外，配管800是不具弯曲部分的直线状时，如图6C所示，也可通过使配管800相对于水平方向及铅垂方向倾斜的方式安装第一药液CLC121，可抑制滞留于配管中的气泡，并可抑制通过流量计1212的流体中含有气泡。结果，可提高流量计1212的检测精度。例如，在图6C中，配管部分801、802、803a、803b、804a、804b、805为直线状延伸的情况。
此外，图6A的安装构造中，多数情况是将水平方向延伸的配管部分801、805(换言之，在水平方向开口的入口部1214a、出口部1214b)与铅垂方向延伸的外部配管连接的情况、及为了将流路方向改变为直角而需要接头的情况。图6B的安装构造中，多数情况是将铅垂方向延伸的配管部分801、805(换言之，在铅垂方向开口的入口部1214a、出口部1214b)与水平方向延伸的外部配管连接的情况，及为了将流路方向改变为直角而需要接头的情况。流体会因接头而产生压损，所以从减少清洗药液供给装置的压损的观点，优选省略接头。
另外，图6C的安装构造中，因为配管部分801、805(入口部1214a、出口部1214b)的开口方向从水平方向及铅垂方向倾斜，所以即使对水平方向及铅垂方向延伸的任何配管(配管部分)也缓和地赋予方向。因此，使水平方向及铅垂方向延伸的外部配管缓和地弯曲而连接于配管部分801、805(入口部1214a、出口部1214b)时，可将配管部分801、805(入口部1214a、出口部1214b)连接于在水平方向及铅垂方向延伸的外部配管而无须使用接头。另外，图7至图12的例是使在水平方向及铅垂方向延伸的外部配管缓和地弯曲，而连接于配管部分801(入口部1214a)、阀块1216的出口部1214c时，无须使用接头即可将配管部分801(入口部1214a)、阀块1216的出口部1214c连接于在水平方向及铅垂方向延伸的外部配管(参照图12)。
图7是CLC的俯视图。图8是CLC的侧视图。本例是在第一药液CLC 121中安装有阀块1216。第一药液CLC 121及阀块1216安装于底座1215上。框体1214中设有入口部1214a。此处，设于图6A至C的配管部分805的出口部1214b表示作为第一药液CLC 121及阀块1216间的配管而一体化。第一药液CLC 121及阀块1216之间以任意连结方法连接即可。入口部1214a设于配管部分801的一端侧，并在配管部分801的延伸方向开口。此处，入口部1214a是例示作为配管部分801的端部，不过也可安装来自外部的配管可连接的连接器。阀块1216中设有具备来自外部的配管可连接的连接器构造的出口部1214c。入口部1214a连接于一次侧，也即连接于药液供给源20、DIW供给源30的侧。出口部1214c连接于二次侧，也即连接于清洗装置200侧。
图9是组合两个CLC的CLC组装体的俯视图。图10A是从CLC组装体的一方侧的侧视图。图10B是从CLC组装体的另一方侧的侧视图。附图标记1224表示第一DIWCLC 122的框体。本例是表示组合第一药液CLC 121与第一DIWCLC 122的例，不过组合第二药液CLC131、第二DIWCLC 132时也相同。此外，也可组合第一药液CLC 121与第二药液CLC 131，也可组合第一DIWCLC 122与第二DIWCLC 132。其他实施方式也可组合三个以上CLC而安装于共同的底座。此外，也可将两个以上CLC配置于共同的框体中。将多个CLC的组合称为CLC组装体。
第一药液CLC 121与第一DIWCLC 122固定于共同的底座1215。本例是第一药液CLC121具有阀块1216，而第一DIWCLC 122具有阀块1226。这些阀块1216、1226并排配置，并在内部流体性连通。换言之，从第一药液CLC 121输出的流体流入阀块1216，从第一DIWCLC 122输出的流体流入阀块1226，再混合这些流体而从出口部1214c输出。阀块1216、1226构成混合部123(参照第二图)。另外，也可将第一药液CLC 121与第一DIWCLC 122连接于单一的阀块。
图11是CLC的安装构造的侧视图。图12是CLC的安装构造的立体图。本例是说明经由共同的底座1215而安装多个CLC的情况，不过也可经由各个底座来安装各CLC。如这些图所示，CLC组装体(第一药液CLC 121、第二药液CLC)是从水平方向及铅垂方向倾斜而安装。CLC组装体通过设于框体1217中的安装底座1218、1219而安装。安装底座1218固定于框体1217的底面，具有一个或多个支撑CLC组装体的底座1215的一端侧的倾斜面。安装底座1219固定于框体1217的侧面内侧，具有支撑CLC组装体的底座1215的另一端侧的倾斜面。安装底座1219也可构成具有多个倾斜面。CLC组装体的底座1215通过螺栓等紧固构件而固定于安装底座1219。对安装底座1218也可以紧固构件固定CLC组装体的底座1215。第一药液CLC121的入口部1214a连接于配管81(图2)，第一DIWCLC 122的入口部1224a连接于配管91。出口部1214c连接于配管85，不过省略图。此处，是例示由设于配管81的连接器将配管81连接于入口部1214a的情况，不过也可在第一药液CLC 121的框体1214侧，换言之在入口部1214a设置连接器。对于配管91、第一DIWCLC122也相同。
采用该构造时，由于CLC中的配管800的任何配管部分均不沿着水平方向而配置，因此可抑制空气(气泡)滞留于配管中。此外，虽然气泡容易滞留在配管800的曲折部(弯曲的部分)，不过通过将曲折部两侧的各配管部分从水平方向及铅垂方向倾斜，即可抑制空气(气泡)滞留于曲折部。此外，由于配管800相对于铅垂方向倾斜，因此可抑制配管800中的压损。此外，配管800直线状延伸情况下，若倾斜配置也可获得同样的作用效果。
(第二种实施方式)
图13是其他例的流量控制的流程图。上述实施方式是根据流量计1212的检测值，通过流量控制阀1211控制流量(图4的S15、S21)，不过也可根据压力计142、153的检测值来控制流量。图4的流程图是流量计1212检测出异常时，切换成根据压力计142、153的控制。该控制流程与图4的控制流程一并执行，并在流量计检测出异常的时间，切换成根据压力计的控制。
步骤S110中，判定流量计是否正常。该判断例如是对控制装置110设定的流量设定值，判断通过流量计1212及流量控制阀1211的流量控制结果，在指定时间以内是否流量计1212的检测值(在容许范围内)表示流量设定值。流量计正常情况下转移至步骤S120A，并如上述，根据流量计1212的检测值执行流量控制(图4的S15、S21)。另外，流量计不正常的情况下，转移至步骤S120B，并根据压力计142、153的检测值执行流量控制(图4的S15、S21)。根据压力计142、153的检测值的控制，是控制装置110设定液压设定值，反馈控制流量控制阀1211使压力计142的检测值接近液压设定值。
另外，也可主要根据压力计进行流量控制，当压力计检测出异常时，切换成根据流量计控制流量。
(第三种实施方式)
图14是使用压力计的异常检测控制的流程图。该控制流程也与图4的控制流程一并执行。步骤S210是根据控制装置110设定的流量设定值或液压设定值，设定正常的范围作为压力计142、153的检测值。正常范围例如是进行实验等，预先制作对应流量设定值或液压设定值的正常范围的表。也可与流量设定值、液压设定值无关而作为固定的误差范围。步骤S211是判定压力计142、153检测的实际检测值是否在设定的正常范围内。压力计142、153的检测值是正常范围时，重复从步骤S210起的处理。另外，压力计142、153的检测值在正常范围外时，转移至步骤S212，判定为压力计142、153的二次侧构造有异常，而执行异常检测时处理。异常检测时处理包含对使用者或其他装置输出警报、装置停止等。作为二次侧的构造异常，有压力计142、153的二次侧的配管85、95、96等有泄漏等的异常的情况，以及未安装正确喷嘴作为喷嘴211、212的情况等。此外，在压力计的二次侧配管中安装有阀门的情况下，当阀门有异常时，也可检测为二次侧的异常。
该实施方式可根据压力计的检测值，早期检测流量控制阀下游的配管的异常(配管泄漏等)、及连接于配管的装置(喷嘴、阀门等)的异常。
(作用效果)
按照上述实施方式，从相同药液供给源20将药液导入第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130，可通过第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130分别控制药液的流量及浓度。因而，可独立控制供给至基板各面(上表面及下表面)的药液(稀释后的药液)的流量及浓度。
此外，因为是从第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130分别输出药液(稀释后的药液)的构造，所以可通过回吸阀单元141、开关阀151、开关阀152的开关，停止从第一药液稀释盒120或第二药液稀释盒130输出药液(稀释后的药液)。此外，可通过开关阀151、开关阀152的开关停止对清洗装置200的清洗部210的喷嘴212或待机部230供给药液(稀释后的药液)。因而，可通过洗净药液供给装置100中的控制，仅在基板的各面(上表面及下表面)或待机部供给药液(稀释后的药液)。因此，因为仅对基板的各面(上表面及下表面)或待机部供给药液(稀释后的药液)，所以不需要在清洗装置200中追加设置阀门等。
此外，因为第一药液稀释盒120及第二药液稀释盒130可分别控制药液(稀释后的药液)的流量，所以如从共同的流路使药液(稀释后的药液)分流时，不需要使用节流阀来调整流量。因此，减少药液及稀释水在清洗药液供给装置100及清洗装置200的流路上受到的压损，可抑制甚至防止流至清洗装置200的药液(稀释后的药液)的流量降低。例如，即使流至清洗药液供给装置100的药液及/或稀释水的供给压力低时，仍可抑制甚至防止供给至基板各面(上表面及下表面)的药液(稀释后的药液)的流量降低。
按照上述实施方式，可通过使用具备流量计1212与流量控制阀1211的CLC 121、122、131、132，按照来自控制装置110的信号简单且正确地控制药液及/或稀释水的流量。例如，与利用节流阀控制流至基板各面(上表面及下表面)的药液流量时比较，可减少流量计1212与流量控制阀1211中的压损。此外，与手动调整节流阀(例如针阀)的开度时比较，具备流量计1212与流量控制阀1211的CLC 121、122、131、132在可自动进行流量控制上有利。
按照上述实施方式，通过使用超声波流量计，与使用差压式流量计(孔流量计)时比较，可使流量计中的压损变小。由于该构造可减少流路上的压损并可抑制可供给至基板的流量的降低，因此在供给至清洗药液供给装置100的药液及/或稀释水的压力低时特别有利。
按照上述实施方式，通过具备马达的驱动源1211b变更阀主体1211a的开度，可迅速且正确地调整流量控制阀的开度。
按照上述实施方式可通过回吸阀单元141使从第一药液稀释盒120输出的稀释后的药液流通/停止。通过回吸阀单元141阻断从第一药液稀释盒120的输出时，可抑制甚至防止液体从喷嘴211滴落。
按照上述实施方式，通过从在基板各面的任何面(例如下表面)供给药液(稀释后的药液)的第二药液稀释盒130，向等待清洗的待机部230的基板供给药液(稀释后的药液)，可省略为了对待机的基板供给药液(稀释后的药液)而另设的构造，可使流体回路的构造简单。
从上述实施方式的记载，至少可掌握以下的技术性思想。
根据第一个方式，提供一种清洗药液供给装置，是用于将清洗用的药液供给至清洗装置。该清洗药液供给装置具备：药液入口部及稀释水入口部；第一药液控制部，该第一药液控制部流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部；及第二药液控制部，该第二药液控制部流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部。所述第一药液控制部具有：第一药液流量控制部，该第一药液流量控制部以从所述药液入口部接受药液的供给，并控制所述药液流量的方式构成；第一稀释水流量控制部，该第一稀释水流量控制部以从所述稀释水入口部接受稀释水的供给，并控制所述稀释水流量的方式构成；及第一混合部，该第一混合部将来自所述第一药液流量控制部及所述第一稀释水流量控制部的所述药液及所述稀释水进行混合。所述第二药液控制部具有：第二药液流量控制部，该第二药液流量控制部以从所述药液入口部接受所述药液的供给，并控制所述药液流量的方式构成；第二稀释水流量控制部，该第二稀释水流量控制部以从所述稀释水入口部接受所述稀释水的供给，并控制所述稀释水流量的方式构成；及第二混合部，该第二混合部将来自所述第二药液流量控制部及所述第二稀释水流量控制部的所述药液及所述稀释水进行混合。
该方式是在第一及第二药液控制部中独立地稀释来自相同药液供给源的药液，可独立控制药液的流量及浓度。例如可独立控制供给至基板各面的药液的流量及浓度。
此外，因为是从第一及第二药液控制部分别输出药液的构造，所以在第一及第二药液控制部中或与第一及第二药液控制部相关而设阀门时，可停止从第一及第二药液控制部的其中一个输出药液。因而，可通过清洗药液供给装置中的控制而仅对基板上表面或下表面的任何一方供给药液。因此，不需要为了仅在基板的第一面及第二面的任何一方供给药液而在清洗装置中追加设置阀门等。
此外，因为第一及第二药液控制部可控制各个药液的流量，所以如从共同流路使药液在基板各面侧分流时，不需要使用节流阀来调整流量。因此，减少药液及稀释水在清洗药液供给装置及清洗装置流路上受到的压损，可抑制甚至防止流至清洗装置的药液的流量降低。例如，即使流至清洗药液供给装置的药液及/或稀释水的供给压力(输入压力)低时，仍可抑制甚至防止供给至基板各面的药液的流量降低。
根据第二个方式，在第一个方式的清洗药液供给装置中，所述第一及第二药液流量控制部以及所述第一及第二稀释水流量控制部分别具有：流量计，该流量计用于检测所述药液或所述稀释水的流量；及流量控制阀，该流量控制阀根据所述流量计的检测值，反馈控制所述药液或所述稀释水的流量。
该方式通过使用具备流量计与流量控制阀的流量控制部，可根据来自计算机等控制部的信号简单且正确地控制药液及/或稀释水的流量。例如，与由节流阀控制药液向基板各面侧的流量时比较，可减少流路上的压损。此外，与手动调整节流阀的开度时比较，具备流量计与流量控制阀的流量控制部在可自动进行流量控制上有利。
根据第三个方式，在第二个方式的清洗药液供给装置中，所述第一及第二药液流量控制部以及所述第一及第二稀释水流量控制部的至少一个，具有超声波流量计作为所述流量计。
该方式通过使用超声波流量计，与使用差压式流量计(孔流量计)时比较，可使流量计中的压损变小。该构造由于可减少流路上的压损并抑制可供给至基板流量的降低，因此在药液及/或稀释水往清洗药液供给装置的的供给压力低时特别有利。
根据第四个方式，在第二或第三个方式的清洗药液供给装置中，对于所述第一及第二药液流量控制部以及所述第一及第二稀释水流量控制部的至少一个，所述流量控制阀是通过马达变更开度的马达阀。
该方式通过马达变更流量控制阀的开度，可迅速且正确地调整流量控制阀的开度。
根据第五个方式，在第一个至第四个方式中的任何一个方式的清洗药液供给装置中，所述第一药液控制部在所述第一混合部的下游侧进一步具备回吸阀单元。
该方式可通过回吸阀单元使从第一药液控制部输出的稀释后的药液流通/停止。由回吸阀单元阻断从第一药液控制部的输出时，可抑制甚至防止液体从喷嘴滴落。
根据第六个方式，提供一种清洗单元，该清洗单元具备：第一个至第五个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置；及连接于所述清洗药液供给装置的所述清洗装置；所述第一及第二药液控制部是以将稀释后的所述药液分别供给至设置于所述清洗装置中的相同基板的第一面及第二面的方式构成。
该方式通过将来自相同药液供给源的药液导入第一及第二药液控制部，并将第一及第二药液控制部独立地控制流量及浓度的药液分别供给至基板的第一面及第二面，可独立地控制供给至基板的第一面及第二面的药液的流量及浓度。
此外，因为是从第一及第二药液控制部分别输出药液的构造，所以在第一及第二药液控制部中或与第一及第二药液控制部相关而设置阀门时，可停止从第一及第二药液控制部的其中一个输出药液。因而，可通过清洗药液供给装置中的控制而仅对基板第一面及第二面的任何一方供给药液。因此，不需要为了仅在基板的第一面及第二面的任何一方供给药液而在清洗装置中追加设置阀门等。
此外，因为第一及第二药液控制部可控制各个药液的流量，所以使药液从共同的流路分流于基板的第一面侧及第二面侧时，不需要使用节流阀来调整流量。因此，减少药液及稀释水在清洗药液供给装置及清洗装置的流路上受到的压损，可抑制甚至防止流至清洗装置的药液的流量降低。例如，即使对清洗药液供给装置供给药液及/或稀释水的压力低时，仍可抑制甚至防止供给至基板的第一面及第二面的药液流量降低。
根据第七个方式，在第六个方式的清洗单元中，所述第二药液控制部进一步以供给稀释后的所述药液至所述清洗装置中等待清洗的基板的方式构成。
通过从在基板下面供给药液的第二药液控制部供给药液至待机清洗的基板，可省略用于对待机的基板供给药液的另外构造，而可简化流体回路的构造。
根据第八个方式，提供一种存储媒介，储存有用于使计算机执行控制洗净单元的方法的程序。该记录媒介储存用于使计算机执行以下动作的程序：从药液入口部接受药液的供给，并通过第一及第二药液流量控制部独立地控制所述药液的流量；从稀释水入口部接受稀释水的供给，并通过第一及第二稀释水流量控制部独立地控制所述稀释水的流量；由第一混合部对流量由所述第一药液流量控制部及所述第一稀释水流量控制部控制的所述药液及所述稀释水进行混合，并将稀释后的所述药液输出至所述清洗装置；由第二混合部对流量由所述第二药液流量控制部及所述第二稀释水流量控制部控制的所述药液及所述稀释水进行混合，并将稀释后的所述药液输出至所述清洗装置。
该方式可在第一及第二药液控制部中独立地稀释来自相同药液供给源的药液，来独立地控制药液的流量及浓度。
此外，因为是从第一及第二药液控制部分别输出药液(稀释后的药液)的构造，所以可停止从第一及第二药液控制部的其中一个输出药液。
此外，因为第一及第二药液控制部可控制各个药液的流量，所以从共同流路使药液分流时不需要使用节流阀调整流量。因此，减少药液及稀释水在清洗药液供给装置及清洗装置的流路上受到的压损，可抑制甚至防止流入清洗装置的药液的流量降低。
根据第九个方式，在第八个方式的存储媒介中，进一步储存有用于使计算机执行将来自所述第一及第二混合部的稀释后的所述药液供给至相同基板的第一面及第二面。可独立地控制供给至基板第一面及第二面的药液的流量及浓度。通过清洗药液供给装置中的控制，可仅在基板的第一面或第二面的任何一方供给药液。因此，不需要为了仅在基板的第一面或第二面的任何一方供给药液而在清洗装置中追加设置阀门等。此外，即使供给至清洗药液供给装置的药液及/或稀释水的压力低时，仍可抑制甚至防止供给至基板第一面或第二面的药液的流量降低。
根据第十个方式，提供一种清洗药液供给装置，是用于将清洗用的药液供给至清洗装置，且具备：流量计；第一配管，该第一配管进入所述流量计；及第二配管，该第二配管从所述流量计伸出；所述第一配管及所述第二配管从水平方向及铅垂方向倾斜。
该构造由于第一配管及第二配管均非沿着水平方向配置，因此可抑制空气(气泡)滞留在配管内。此外，由于第一配管及第二配管均从铅垂方向倾斜，因此可减少流路的压损。
根据第十一个方式，在第十个方式的清洗药液供给装置中，所述第一配管及所述第二配管以相同斜度倾斜地配置。
该方式第一及第二配管的设置较容易。
根据第十二个方式，在第十或第十一个方式的清洗药液供给装置中，所述流量计倾斜地配置。
该方式可使流量计内的流路及由第一及第二配管构成的流路倾斜。
根据第十三个方式，在第十个至第十二个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置中，所述第一配管及所述第二配管的至少一方连接于沿水平方向延伸的配管，所述沿水平方向延伸的配管在与所述第一配管及所述第二配管的至少一方连接的一侧，以接近所述第一配管及所述第二配管的至少一方的延伸方向的方式弯曲。
该构造通过使沿水平方向延伸的配管弯曲，可连接于倾斜延伸的第一配管及/或第二配管。将沿水平方向延伸的配管连接于铅垂方向延伸的配管情况下，因为方向变化大，所以多经由接头来连接。而该方式的构造因为倾斜地配置第一配管及第二配管，所以通过使沿水平方向延伸的配管缓慢地弯曲，可连接于第一配管及/或第二配管。另外，也可将第一配管及/或第二配管经由阀门而连接于水平方向延伸的配管。
根据第十四个方式，在第十个至第十二个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置中，所述第一配管及所述第二配管的至少一方连接于沿铅垂方向延伸的配管，所述沿铅垂方向延伸的配管在与所述第一配管及所述第二配管的至少一方连接的一侧，以接近所述第一配管及所述第二配管的至少一方的延伸方向的方式弯曲。
该构造通过使沿铅垂方向延伸的配管弯曲，可连接于倾斜延伸的第一配管及/或第二配管。将沿铅垂方向延伸的配管连接于水平方向延伸的配管情况下，因为方向变化大，所以多经由接头来连接。而该方式的构造因为倾斜地配置第一配管及第二配管，所以可通过使沿铅垂方向延伸的配管缓慢地弯曲而连接于第一配管及/或第二配管。另外，也可将第一配管及/或第二配管经由阀门连接于在铅垂方向延伸的配管。
根据第十五个方式，在第十个至第十四个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置中，所述第一配管及所述第二配管的至少一方在与所述流量计相反的一侧具有曲折部，该曲折部两侧的各配管部分从水平方向及铅垂方向倾斜。
该方式在第一及/或第二配管具有曲折部时，由于曲折部两侧的各配管部分倾斜，因此也可抑制空气(气泡)在配管内滞留。由于曲折部的配管改变方向，因此有空气容易滞留的倾向，不过通过将曲折部两侧的各配管部分从水平方向及铅垂方向倾斜，即可抑制空气(气泡)在曲折部滞留。
根据第十六个方式，在第十个至第十五个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置中，所述流量计是超声波流量计。
如上述，通过倾斜地配置第一及第二配管，可抑制气泡在这些配管内及边界部滞留，因此可使超声波流量计检测流量的精度提高。
另外，通过抑制气泡在配管内滞留，也有抑制在配管内流动的流体偏流(流速的偏差)的效果，所以使用差压式流量计时，也应可使流量的检测精度提高。
根据第十七个方式，在第十个至第十六个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置中，所述第一配管及所述第二配管的至少一方以10度以上且40度以下的倾角从铅垂方向倾斜。
通过将从铅垂方向倾斜的角度设为10度以上且40度以下，可兼顾抑制气泡滞留与流体在配管内的压损减少。倾斜角度小于10度时，配管内的压损增大，另外，倾斜角度超过40度的情况下，抑制气泡滞留的效果小。另外，即使在该角度范围外，虽然减少压损效果或气泡滞留效果变小，但是通过将第一配管及第二配管从水平及铅垂方向倾斜即可获得一定的效果。
根据第十八个方式，在第十个至第十七个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置中，进一步具备：流量控制阀；及压力计，该压力计配置于所述流量控制阀的输出侧的流路上。该方式可使用压力计的检测值进行清洗药液供给装置的流量控制、异常检测等。
根据第十九个方式，在第十八个方式的清洗药液供给装置中，所述流量控制阀可根据所述流量计的检测值进行流量控制，并且根据所述压力计的检测值进行流量控制。
例如，可根据流量计的检测值控制流量控制阀，并且在流量计中检测出异常时，根据压力计的检测值控制流量控制阀。此外，其使用方法也可颠倒。例如可使用压力计作为流量计的备份。
根据第二十个方式，在第十八个或第十九个方式的清洗药液供给装置中，根据所述压力计的检测值，进行所述流量控制阀的输出侧的配管、及连接于该配管的装置的至少一个的异常检测。
可根据压力计的检测值，检测流量控制阀下游配管的异常(配管泄漏等)、连接于配管的装置(喷嘴、阀门等)的异常。
根据第二十一个方式，清洗单元具备：第十个至第二十个方式中任何一个方式的清洗药液供给装置；及连接于所述清洗药液供给装置的所述清洗装置。
该方式在清洗单元中可达到上述方式的作用效果。结果可更精确控制供给至清洗装置的药液流量。此外，一个例子即使流量计及压力计的一方发生异常时，仍可使用另一方传感器继续利用流量控制阀实施流量控制。此外，一个例子为可利用压力传感器进行配管、喷嘴、阀门等的异常检测。
以上，是根据几个例子说明本发明的实施方式，不过上述发明的实施方式是为了容易理解本发明，而并非限定本发明。本发明在不脱离其旨趣下可进行变更、改良，并且本发明中当然包含其等效物。此外，在可解决上述问题的至少一部分的范围，或达到效果的至少一部分的范围内，技术方案及说明书中记载的各元件可任意组合或省略。
本申请案根据2016年12月16日申请的日本专利申请编号2016-244469号、2017年12月11日申请的日本专利申请编号2017-236998号主张优先权。包含2016年12月16日申请的日本专利申请编号2016-244469号、2017年12月11日申请的日本专利申请编号2017-236998号的说明书、权利要求范围、图及摘要的全部揭示内容，以参照的方式全部纳入本申请案。
包含日本特开平9-260332号(专利文献1)、日本特开2014-132641号公报(专利文献2)、日本特开2016-9818号公报(专利文献3)、日本特开2016-15469号公报(专利文献4)的说明书、权利要求范围、图及摘要的全部揭示内容以参照的方式全部纳入本申请案。
符号说明
1研磨装置
2机壳
3装载埠
4a～4d研磨单元
5a、5b清洗单元
6干燥单元
7第一搬送机器人
8搬送单元
9a第二搬送机器人
9b第三搬送机器人
10清洗单元
20药液供给源
30 DIW供给源
50药液应用盒
51输入部
52开关阀
53闭锁阀
54压力计
60调节器
61输入部
80～86、90～96配管
100清洗药液供给装置
101壳体
110控制装置
120第一药液稀释盒
121第一药液CLC
122第一DIWCLC
130第二药液稀释盒
131第二药液CLC
132第二DIWCLC
141回吸阀单元
142压力计
200清洗装置
210清洗部
211喷嘴
212喷嘴
230待机部
300控制装置
1211流量控制阀
1211a阀主体
1211b驱动源
1212流量计
1213控制部
1214框体

Claims (6)

1.一种清洗单元，其特征在于，具备：
清洗装置；及
清洗药液供给装置，该清洗药液供给装置与所述清洗装置连接，用于将清洗用的药液供给至所述清洗装置，
所述清洗药液供给装置具备：
药液入口部及稀释水入口部；
第一药液控制部，该第一药液控制部流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部；及
第二药液控制部，该第二药液控制部流体地连接于所述药液入口部及所述稀释水入口部；
所述第一药液控制部具有：
第一药液流量控制部，该第一药液流量控制部以从所述药液入口部接受药液的供给，并控制所述药液的流量的方式构成；
第一稀释水流量控制部，该第一稀释水流量控制部以从所述稀释水入口部接受稀释水的供给，并控制所述稀释水的流量的方式构成；及
第一混合部，该第一混合部将来自所述第一药液流量控制部及所述第一稀释水流量控制部的所述药液及所述稀释水进行混合；
所述第二药液控制部具有：
第二药液流量控制部，该第二药液流量控制部以从所述药液入口部接受所述药液的供给，并控制所述药液的流量的方式构成；
第二稀释水流量控制部，该第二稀释水流量控制部以从所述稀释水入口部接受所述稀释水的供给，并控制所述稀释水的流量的方式构成；及
第二混合部，该第二混合部将来自所述第二药液流量控制部及所述第二稀释水流量控制部的所述药液及所述稀释水进行混合，
所述第一药液控制部及所述第二药液控制部以将稀释后的所述药液分别供给至设置于所述清洗装置中的相同基板的第一面及第二面的方式构成。
2.如权利要求1所述的清洗单元，其特征在于，
所述第一药液流量控制部、所述第二药液流量控制部、所述第一稀释水流量控制部及所述第二稀释水流量控制部分别具有：
流量计，该流量计用于检测所述药液或所述稀释水的流量；及
流量控制阀，该流量控制阀根据所述流量计的检测值，反馈控制所述药液或所述稀释水的流量。
3.如权利要求2所述的清洗单元，其特征在于，
所述第一药液流量控制部、所述第二药液流量控制部、所述第一稀释水流量控制部及所述第二稀释水流量控制部的至少一个，具有超声波流量计作为所述流量计。
4.如权利要求2或3所述的清洗单元，其特征在于，
对于所述第一药液流量控制部、所述第二药液流量控制部、所述第一稀释水流量控制部及所述第二稀释水流量控制部的至少一个，所述流量控制阀是通过马达来变更开度的马达阀。
5.如权利要求1-3中任一项所述的清洗单元，其特征在于，
所述第一药液控制部在所述第一混合部的下游侧进一步具备回吸阀单元。
6.如权利要求1-3中任一项所述的清洗单元，其特征在于，
所述第二药液控制部进一步以将稀释后的所述药液供给至在所述清洗装置内等待清洗的基板的方式构成。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734015B (zh) * 2018-07-16 2021-07-21 奇景光電股份有限公司 清洗系統、清洗裝置及清洗方法
JP7152279B2 (ja) * 2018-11-30 2022-10-12 株式会社荏原製作所 研磨装置
CN110665879A (zh) * 2019-09-30 2020-01-10 京东方科技集团股份有限公司 清洗装置及涂胶显影系统
JP7419219B2 (ja) * 2020-12-01 2024-01-22 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置および洗浄薬液供給方法
AT526426B1 (de) * 2023-01-26 2024-03-15 Siconnex Customized Solutions Gmbh Behandlungsvorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Halbleiterobjekten

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124186A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Tokico Ltd 液体供給装置
JP2002277300A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流量計測装置
JP2013059735A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Advance Denki Kogyo Kk 液体供給装置
JP2016009818A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット
CN105280525A (zh) * 2014-06-09 2016-01-27 株式会社荏原制作所 清洗药液供给装置、清洗药液供给方法及清洗单元
CN106165067A (zh) * 2014-03-27 2016-11-23 株式会社荏原制作所 基板处理装置以及基板处理装置的配管清洗方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6018005B2 (ja) * 1979-12-16 1985-05-08 株式会社荏原製作所 透過形測定モ−ドと反射形測定モ−ドとを自動切換可能な超音波流速流量計
JPH09260332A (ja) 1996-03-18 1997-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の薬液供給装置
JP4339561B2 (ja) * 2002-08-16 2009-10-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5361847B2 (ja) 2010-02-26 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
JP6265702B2 (ja) 2012-12-06 2018-01-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP6339954B2 (ja) 2014-06-09 2018-06-06 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124186A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Tokico Ltd 液体供給装置
JP2002277300A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流量計測装置
JP2013059735A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Advance Denki Kogyo Kk 液体供給装置
CN106165067A (zh) * 2014-03-27 2016-11-23 株式会社荏原制作所 基板处理装置以及基板处理装置的配管清洗方法
CN105280525A (zh) * 2014-06-09 2016-01-27 株式会社荏原制作所 清洗药液供给装置、清洗药液供给方法及清洗单元
JP2016009818A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 株式会社荏原製作所 洗浄ユニット

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