CN110064849B - 被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置 - Google Patents

被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置 Download PDF

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Abstract

提供被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置，能够将产生于被加工物的加工痕去除。该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，从被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻而去除。

Description

被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置
技术领域
本发明涉及被加工物的加工方法、蚀刻装置和激光加工装置。
背景技术
在搭载有半导体器件的IC芯片等器件芯片中，近年来作为用于器件的布线层间的层间绝缘膜等，使用介电常数低的所谓Low-k材料。当在层间绝缘膜中使用Low-k膜时，能够降低形成于布线层间的寄生电容，能够提高器件芯片的处理能力等。作为Low-k膜，已知有SiOF、SiOB(硼硅酸盐玻璃)等无机物系的膜，或作为聚酰亚胺系、对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜。
关于器件芯片，例如在圆板状的硅基板的正面上层叠布线层或层间绝缘膜等功能层而形成器件，沿着按照划分各器件的方式设定的多条被称为间隔道的分割预定线对该硅基板进行分割，从而形成器件芯片。硅基板的分割例如通过利用圆环状的切削刀具沿着该间隔道对硅基板进行切削来实施。
但是，Low-k膜是非常脆的膜，因此当通过切削刀具对形成有Low-k膜的硅基板进行切削时，Low-k膜会从硅基板剥离，剥离到达器件而使该器件产生损伤。因此，提出了如下的被加工物的分割方法：通过激光束的照射的烧蚀加工将功能层部分地去除，沿着该间隔道形成比功能层的厚度深的加工槽，然后通过切削刀具沿着该间隔道进行切削(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2005-64230号公报
但是，当通过烧蚀加工形成加工槽时，该加工槽的底部到达硅基板，在露出于的硅基板的正面上会产生微小的加工痕。因此，存在如下的问题：在对硅基板进行分割而形成的器件芯片上残留加工痕，由于该加工痕而使器件芯片的抗弯强度降低。
发明内容
本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供被加工物的加工方法、蚀刻装置以及激光加工装置，能够将产生于被加工物的加工痕去除。
根据本发明的一个方式，提供被加工物的加工方法，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：激光加工步骤，从被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻而去除。
优选在该功能层中包含有铜，在该激光加工步骤中，因激光束的照射而从该功能层产生包含有铜的加工屑，在该蚀刻步骤中，通过该二氟化氙气体将该加工屑中所包含的该铜的正面氟化。
另外，根据本发明的其他方式，提供蚀刻装置，其对被加工物进行蚀刻，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该被加工物被照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束，该功能层被沿着该间隔道而去除从而该硅基板露出，该蚀刻装置的特征在于，其具有：蚀刻腔室，其对该被加工物进行收纳；排气单元，其对该蚀刻腔室内的氛围气进行排气；以及气体提供单元，其向该蚀刻腔室内提供二氟化氙气体。
根据本发明的另一方式，提供激光加工装置，其对被加工物进行激光加工，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，在由设定于正面的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，该激光加工装置的特征在于，其具有：卡盘工作台，其对该被加工物进行保持；激光束照射单元，其从该卡盘工作台所保持的被加工物的正面侧沿着该间隔道照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束从而将该功能层去除，使硅基板沿着该间隔道露出；以及蚀刻单元，其对被加工物提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的硅基板的正面进行蚀刻。
根据本发明的一个方式，沿着间隔道对形成有功能层的硅基板的正面照射激光束而将该功能层去除。并且，将硅基板沿着该间隔道而露出的被加工物收纳于蚀刻腔室，并对被加工物提供二氟化氙气体。于是，对露出的硅基板的包含加工痕的正面进行蚀刻而去除。因此，在沿着间隔道对被加工物进行分割而形成的器件芯片上不会残留加工痕，器件芯片的强度增大。
关于用于被加工物的蚀刻的二氟化氙气体，在被加工物的蚀刻时不需要使该气体等离子化。因此，在实施蚀刻的蚀刻装置中无需搭载用于等离子化的结构，能够容易地将该蚀刻装置搭载于激光加工装置。当使用搭载有蚀刻装置的激光加工装置时，在实施激光加工步骤之后，能够快速地实施蚀刻步骤。
因此，根据本发明，提供被加工物的加工方法、蚀刻装置以及激光加工装置，能够将产生于被加工物的加工痕去除。
附图说明
图1是示意性示出被加工物的立体图。
图2是示意性示出激光加工装置的侧视图。
图3的(A)是示意性示出对被加工物涂布水溶性的液态树脂的情况的剖视图，图3的(B)是示意性示出激光加工步骤的剖视图。
图4的(A)是将激光束所照射的被加工物放大而示意性示出的剖视图，图4的(B)是将激光加工步骤后的被加工物放大而示意性示出的剖视图。
图5的(A)是示意性示出收纳步骤的剖视图，图5的(B)是示意性示出蚀刻腔室的排气的情况的剖视图。
图6的(A)是示意性示出蚀刻步骤的剖视图，图6的(B)是示意性示出蚀刻腔室的排气的情况的剖视图。
图7的(A)是将实施蚀刻步骤时的被加工物放大而示意性示出的剖视图，图7的(B)是将蚀刻步骤后的被加工物放大而示意性示出的剖视图。
图8的(A)是示意性示出将被加工物从蚀刻腔室取出的情况的剖视图，图8的(B)是示意性示出蚀刻装置的一例的剖视图。
图9的(A)是示意性示出被加工物的清洗的剖视图，图9的(B)是将清洗后的被加工物放大而示意性示出的剖视图。
标号说明
1：被加工物；1a：正面；1b：背面；1c：硅基板；3：功能层；3a：加工槽；5：间隔道；7：器件；7a：TEG；7b：加工屑；9：带；11：框架；13：框架单元；15：水溶性树脂；2：激光加工装置；4：基台；6：盒；6a：盒载置台；8：搬送装置；8a：搬送轨；10：卡盘工作台；10a：保持面；10b、38c：夹具；12、22：移动机构；14、24：导轨；16、26：移动板；18、28：滚珠丝杠；20：脉冲电动机；30：支承部；32：激光加工单元；34：加工头；34a：激光束；36：拍摄单元；38：保护膜涂布兼清洗装置；38a：工作台；38b：喷嘴；40：蚀刻装置；42：蚀刻腔室；42a：腔室盖；42b：保持工作台；42c：密封部件；42d：气体分散部件；44：排气单元；44b：排气路；46：气体提供单元；46a、46c：气体提供源；46b：供气路；46d：气体；48：带触摸面板的显示器。
具体实施方式
首先，对本实施方式的被加工物的加工方法的被加工物进行说明。图1是示意性示出被加工物1的立体图。被加工物1包含：硅基板1c；以及形成于该硅基板1c上的功能层3。在被加工物1的正面1a设定有交叉的多条被称为间隔道5的分割预定线，在由该间隔道5划分的各区域内形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)等器件7。最终，沿着间隔道5对被加工物1进行分割而形成各个器件芯片。
在被加工物1的背面上粘贴有被金属制的框架11张紧的带9。被加工物1在与带9和框架11成为一体的框架单元13的状态下被搬送、加工。当对被加工物1进行分割而形成各个器件芯片时，该器件芯片被带9支承，因此不会飞散。
带9具有：具有挠性的膜状的基材；以及形成于该基材的一个面的糊料层(粘接剂层)。例如，基材使用PO(聚烯烃)。也可以使用刚性比PO高的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、聚氯乙烯、聚苯乙烯等。另外，糊料层(粘接剂层)例如使用硅橡胶、丙烯酸系材料、环氧系材料等。
器件7具有功能层3，该功能层3包含多层布线层和将各布线层间绝缘的层间绝缘膜。近年来，为了降低形成于布线层间的寄生电容，层间绝缘膜等使用介电常数低的所谓Low-k膜。作为Low-k膜，已知有SiOF、SiOB(硼硅酸盐玻璃)等无机物系的膜或作为聚酰亚胺系、对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜。
Low-k膜是非常脆的膜，因此当通过切削刀具对在正面上形成有包含Low-k膜的功能层3的硅基板1c进行切削时，Low-k膜会从硅基板1c剥离，剥离到达器件7而使该器件7产生损伤。因此，在利用切削刀具对被加工物1进行切削之前，预先通过激光加工(烧蚀加工)沿着间隔道5将功能层3去除。
但是，当实施激光加工时，硅基板1c露出，在正面上产生微小的加工痕。因此，存在如下的问题：在对硅基板1c进行分割而形成的器件芯片上残留加工痕，器件芯片的抗弯强度降低。
另外，近年来，器件7所含的半导体元件的高集成化的趋势显著，为了降低该器件7的消耗电力、提高信号的传送速度，在布线层中使用低电阻的铜。
在被加工物1中形成有用于器件7的检查等的被称为TEG(Test Element Group：测试元件组)的试验用的电路，在该TEG中也使用包含有铜的布线层。TEG有时仅在被加工物1的分割前使用，在该情况下，即使形成于通过被加工物1的分割而失去的区域也没有问题，因此例如形成于与间隔道5重叠的区域。因此，在通过激光加工沿着间隔道5形成加工槽时，也对包含有铜的TEG实施激光加工。
当对包含有铜的TEG进行激光加工时，产生包含有铜的加工屑(碎屑)，一部分的该加工屑残留于通过加工而沿着间隔道5露出的硅基板1c上。该加工屑所含的铜慢慢与空气中的水分发生反应，因此有时加工屑增大而到达器件7的形成区域，成为问题。
因此，在本实施方式的被加工物的加工方法中，在实施了激光加工之后，对硅基板1c的露出的正面进行蚀刻，并且降低加工屑所含的铜的反应性。图2是示意性示出实施该被加工物1的加工方法的激光加工装置2的立体图。使用图2对该激光加工装置2的结构进行说明。
激光加工装置2具有：卡盘工作台10，其对框架单元13的状态的被加工物1进行吸引保持；以及激光加工单元32，其配设于该卡盘工作台10的上方。
激光加工装置2具有配置于基台4的上表面的前角部的盒载置台6。在盒载置台6上载置对多个被加工物1进行收纳的盒6a。另外，激光加工装置2具有：搬送装置8，其用于将框架单元13的状态的被加工物1搬送至基台4的上方；以及搬送轨8a。
在激光加工装置2的基台4的上表面上配设有Y轴移动机构(分度进给机构)12，该Y轴移动机构12具有Y轴导轨14、Y轴移动板16、Y轴滚珠丝杠18以及Y轴脉冲电动机20。在基台4的上表面上设置有与Y轴方向平行的一对Y轴导轨14，在Y轴导轨14上以能够滑动的方式安装有Y轴移动板16。
在Y轴移动板16的下表面侧设置有螺母部(未图示)，在该螺母部中螺合有与Y轴导轨14平行的Y轴滚珠丝杠18。在Y轴滚珠丝杠18的一端连结有Y轴脉冲电动机20。当通过Y轴脉冲电动机20使Y轴滚珠丝杠18旋转时，Y轴移动板16沿着Y轴导轨14在Y轴方向上移动。
在Y轴移动板16的上表面上配设有X轴移动机构(加工进给机构)22，该X轴移动机构22具有X轴导轨24、X轴移动板26、X轴滚珠丝杠28以及X轴脉冲电动机(未图示)。在X轴移动板16的上表面上设置有与X轴方向平行的一对X轴导轨24，在X轴导轨24上以能够滑动的方式安装有X轴移动板26。
在X轴移动板26的下表面侧设置有螺母部(未图示)，在该螺母部中螺合有与X轴导轨24平行的X轴滚珠丝杠28。在X轴滚珠丝杠28的一端连结有X轴脉冲电动机。当通过X轴脉冲电动机使X轴滚珠丝杠28旋转时，X轴移动板26沿着X轴导轨24在X轴方向上移动。
在X轴移动板26上配设有卡盘工作台10。卡盘工作台10在上表面侧具有多孔质部件(未图示)。多孔质部件的上表面成为对被加工物1进行保持的保持面10a。卡盘工作台10能够绕与保持面10a垂直的轴旋转。
卡盘工作台10具有与多孔质部件连接的吸引源(未图示)。在保持面10a上隔着带9而载置被加工物1，当通过多孔质部件的孔而对该被加工物1作用由吸引源产生的负压时，被加工物1被吸引保持于卡盘工作台10。另外，在卡盘工作台10的周围具有夹具10b，其对构成框架单元13的框架11进行固定。
在激光加工装置2的基台4的上表面的后部配设有对激光加工单元32进行支承的支承部30。配设于支承部30的上部的激光加工单元32具有：加工头34，其配设于卡盘工作台10的上方；以及拍摄单元36，其配设于与该加工头34相邻的位置。
激光加工单元32具有如下的功能：脉冲振荡出对于被加工物1上所形成的功能层3具有吸收性的波长的激光束，并使该激光束会聚于卡盘工作台10所保持的被加工物1。拍摄单元36具有对卡盘工作台10所保持的被加工物1进行拍摄的功能。当使用拍摄单元36时，能够实施对准，调整被加工物1相对于加工头34的位置，以便能够沿着被加工物1的间隔道5进行激光加工(烧蚀加工)。
通过激光加工单元32而照射至被加工物1的激光束例如使用以Nd：YAG等作为介质而振荡出的波长为355nm的激光束。在被加工物1的激光加工时，例如按照脉冲宽度为40ns以下、频率为100kHz、输出为20W以下的条件振荡出激光束。在加工时，按照被加工物1的加工进给速度为700mm/s～1000mm/s、各间隔道5上的照射次数为3次～4次的条件对被加工物1照射该激光束。
激光加工装置2在基台4的上表面的与盒载置台6相邻的位置具有保护膜涂布兼清洗装置38。保护膜涂布兼清洗装置38具有如下的功能：对加工前的被加工物1的上表面涂布水溶性的液态树脂而形成保护膜的功能；以及对加工后的被加工物1进行清洗的功能。保护膜涂布兼清洗装置38具有：工作台38a，其载置被加工物1；以及喷嘴38b，其对载置于工作台38a上的被加工物1喷射流体。
工作台38a能够绕轴旋转，该轴沿着与被加工物1的载置面垂直的方向。喷嘴38b具有：轴部，其在工作台38a的外侧沿Z轴方向(垂直方向)延伸；主体，其从轴部的上部沿与该Z轴方向垂直的水平方向延伸；以及喷出口，其配设于该主体的前端，朝向Z轴方向下方。该喷出口通过使该轴部旋转而能够在工作台38a的上方沿水平方向移动。
喷嘴38b形成为管状，其将从与该轴部的下部连接的提供源提供的液体输送至该喷出口，从而能够从喷出口对工作台38a所保持的被加工物1喷出该液体。喷嘴38b例如对被加工物1喷出作为对被加工物1的正面1a进行保护的保护膜的材料的水溶性的液态树脂、或对该正面1a进行清洗的清洗液。另外，喷嘴38b也可以对被加工物1喷出液体与气体的混合流体。
当通过激光加工单元32沿着间隔道5对被加工物1进行激光加工(烧蚀加工)时，从通过激光加工而被去除的部分产生被称为碎屑的加工屑，该碎屑飞散至被加工物1上而附着于正面1a上。碎屑一旦附着于正面1a上，即使对被加工物1进行清洗，也并不容易完全去除。
因此，在通过保护膜涂布兼清洗装置38实施被加工物1的激光加工之前，预先对正面1a提供水溶性的液态树脂，形成作为保护膜发挥功能的水溶性树脂膜。于是，即使碎屑飞散至被加工物1的正面1a上，在通过激光加工所形成的加工槽以外，该碎屑附着于水溶性树脂膜因此不附着于该正面1a上。
在实施了激光加工之后，通过保护膜涂布兼清洗装置38对被加工物1的正面提供清洗液，对被加工物1的正面侧进行清洗，此时，通过清洗液将碎屑连同该水溶性树脂膜一起去除。
另外，在激光加工装置2的基台4上的与该保护膜涂布兼清洗装置38相邻的位置配设有蚀刻装置40。蚀刻装置40具有蚀刻腔室42，当对被加工物1进行蚀刻时，将被加工物1搬入至蚀刻腔室42。蚀刻装置40还具有：排气单元44，其用于对蚀刻腔室42的内部进行排气；以及气体提供单元46，其从气体提供源46a向蚀刻腔室42提供二氟化氙气体。
在激光加工装置2的基台4的前部，配设有带触摸面板的显示器48，其兼作显示装置和输入装置。该带触摸面板的显示器48显示出激光加工装置2的状态、加工状况、加工条件等各种信息。另外，激光加工装置2的使用者或管理者等通过该带触摸面板的显示器48对激光加工装置2输入各种指示等。
接着，对本实施方式的被加工物1的加工方法的各步骤进行详细叙述。首先，实施保护膜形成步骤，在被加工物1的正面1a上形成作为保护膜发挥功能的水溶性树脂膜。使用搬送轨8a和搬送装置8等将框架单元13的状态的被加工物1从载置于盒载置台6的盒6a中搬送至保护膜涂布兼清洗装置38的工作台38a上。
接着，将喷嘴38b的喷出口定位于工作台38a的中央附近的上方，一边使工作台38a旋转一边从该喷出口对被加工物1的正面1a喷出水溶性的液态树脂。即，通过旋涂法对被加工物1的正面1a涂布该液态树脂。
图3的(A)是示意性示出对被加工物涂布水溶性的液态树脂的情况的剖视图。如图3的(A)所示，当对被加工物1的正面1a涂布该液态树脂时，形成作为保护膜发挥功能的水溶性树脂膜15。另外，如图3的(A)所示，工作台38a也可以具有对框架单元13的框架11进行把持的夹具38c。
接着，实施激光加工步骤，沿着被加工物1的间隔道5照射激光束而将功能层3(参照图1)去除。激光加工步骤通过激光加工单元32来实施。首先，通过搬送装置8将被加工物1移动至卡盘工作台10的保持面10a上。然后，利用夹具10b对框架11进行把持，并且隔着带9将被加工物1吸引保持于卡盘工作台10上。
接着，通过拍摄单元36对被加工物1进行拍摄，对被加工物1的间隔道5进行检测，使卡盘工作台10移动和旋转而实施对准，以便能够沿着间隔道5对被加工物1进行激光加工。图3的(B)是示意性示出激光加工步骤的剖视图。如图3的(B)所示，一边将被加工物1进行加工进给一边从加工头34对被加工物1的正面照射脉冲振荡出的激光束34a。
当沿着间隔道5照射激光束34a时，功能层3(参照图1)沿着间隔道5(参照图1)被去除。在沿着一条间隔道5实施了激光加工之后，将被加工物1进行分度进给，沿着其他间隔道5同样地相继实施激光加工。在沿着与一个方向平行排列的间隔道5实施了激光加工之后，使卡盘工作台10绕与保持面10a垂直的轴旋转而沿着在其他方向排列的间隔道5同样地实施激光加工。
图4的(A)是将激光束34a所照射的被加工物1放大而示意性示出的剖视图。在激光束34a所照射的区域形成有TEG 7a。图4的(B)是将激光加工步骤后的被加工物1放大而示意性示出的剖视图。
如图4的(B)所示，当对被加工物1进行激光加工而将功能层3去除时，形成加工槽3a，硅基板1c在该加工槽3a的底部露出。此时，在露出于加工槽3a的底部的硅基板1c的正面上形成有微小的加工痕(未图示)。另外，当实施激光加工时，作为被加工物1的熔融物的加工屑7b(碎屑)飞散至被加工物1的正面上，在该加工屑7b中也包含源自TEG 7a的铜。
在本实施方式的被加工物1的加工方法中，对被加工物1的正面提供二氟化氙气体而对露出于加工槽3a的硅基板1c的正面进行蚀刻，并且对加工屑7b所含的铜进行氟化而抑制加工屑7b的增大。蚀刻步骤利用蚀刻装置40来实施，因此在此之前，实施收纳步骤，将被加工物1收纳于蚀刻装置40。
在收纳步骤中，通过搬送装置8等对该被加工物1进行搬送，并收纳于蚀刻装置40的蚀刻腔室42。图5的(A)是示意性示出收纳步骤的剖视图。这里，使用图5的(A)对蚀刻装置40的结构进行详细叙述。如图5的(A)所示，蚀刻装置40具有：在下方具有开口的大致凹形状的腔室盖42a；以及配设于该腔室盖42a的下方的保持工作台42b。
保持工作台42b例如具有直径比搬入至蚀刻装置40的框架单元13的直径大的载置面，在该载置面上对框架单元13的状态的被加工物1进行载置。另外，例如腔室盖42a的该开口的直径比被加工物1的直径大，腔室盖42a的外径比框架11的内径小。在腔室盖42a的围绕该开口的下表面上例如安装有由弹性部件形成的O形环等环状的密封部件42c。
在将被加工物1收纳于蚀刻腔室时，按照使框架单元13的中心与保持工作台42b的中心和腔室盖42a的中心重叠的方式将被加工物1载置于保持工作台42b上。然后，使腔室盖42a下降。于是，该环状的密封部件42c与构成框架单元13的带9接触而进行密封，被腔室盖42a和保持工作台42b围绕而形成密闭的区域。该区域作为蚀刻腔室42。
在作为蚀刻腔室42的顶棚的腔室盖42a的上部形成有：排气路44b，其一端与排气单元44连接；以及供气路46b，其一端与气体提供单元46连接。排气路44b的另一端和供气路46b的另一端分别与蚀刻腔室42连通。在腔室盖42a的内部，按照将蚀刻腔室42分成上下的方式配设有网状的气体分散部件42d。
接着，实施蚀刻步骤，对被加工物1进行蚀刻。使排气单元44进行动作而通过排气路44b对蚀刻腔室42的内部进行排气。图5的(B)是示意性示出蚀刻腔室42的排气的情况的剖视图。在对蚀刻腔室42的内部进行充分地排气之后，停止排气单元44的排气。
并且，使气体提供单元46进行动作，通过供气路46b而将二氟化氙气体从气体提供源46a导入至蚀刻腔室42的内部。此时，二氟化氙气体通过气体分散部件42d均匀地提供至被加工物1的正面上。该二氟化氙气体对露出的硅基板1c的正面进行蚀刻。图6的(A)是示意性示出蚀刻步骤的剖视图。
在蚀刻步骤中，无需使二氟化氙气体等离子化，因此在蚀刻装置40中不需要使气体等离子化的机构。激光加工装置2是能够通过装置结构的最小限度的复杂化而进行被加工物的蚀刻的装置。
然后，为了停止蚀刻而将二氟化氙气体从蚀刻腔室42排出。图6的(B)是示意性示出蚀刻腔室42的排气的情况的剖视图。当停止气体提供单元46的二氟化氙气体的提供，使排气单元44进行动作而将二氟化氙气体排出时，蚀刻结束。
另外，蚀刻装置40也可以具有独立的排气单元，也可以利用该独立的排气单元对二氟化氙气体进行排气。二氟化氙气体是强力的氟化剂，因此优选利用专用的回收机构进行回收并适当地进行处理。
图7的(A)是将实施蚀刻步骤时的被加工物放大而示意性示出的剖视图。硅基板1c容易被二氟化氙气体46d蚀刻，另一方面水溶性树脂膜15不容易被二氟化氙气体46d蚀刻。因此，在蚀刻步骤中，选择性地对硅基板1c进行蚀刻。
图7的(B)是将蚀刻步骤后的被加工物1放大而示意性示出的剖视图。在硅基板1c的正面上包含在激光加工步骤中所形成的加工痕，当将包含该加工痕的硅基板1c的正面去除时，加工痕不会残留在对被加工物1进行分割而形成的器件芯片上，从而器件芯片的强度提高。
另外，当二氟化氙气体46d与附着于被加工物1的正面的包含有铜的加工屑7b接触时，加工屑7b所含的铜被氟化。当铜被氟化时，与大气中的水分的反应性降低，因此能够抑制加工屑7b的增大。
在实施了蚀刻步骤之后，实施搬出步骤，将被加工物1从蚀刻腔室42搬出。图8的(A)是示意性示出将被加工物1从蚀刻腔室42取出的情况的剖视图。蚀刻腔室42例如具有未图示的泄漏机构，向蚀刻腔室42内导入大气，使气压达到与外部相同程度。并且，将腔室盖42a提起，将被加工物1搬出。
或者，如图8的(B)所示，蚀刻装置40可以具有对蚀刻腔室42提供氮气的气体源46c。图8的(B)是示意性示出蚀刻装置40的结构的一例的剖视图。当使蚀刻腔室42的压力达到与外部相同程度时，可以从气体源46c将氮气导入至蚀刻腔室42。
在将大气导入至蚀刻腔室42的情况下，大气中所含的水分等进入至蚀刻腔室42，水会附着于腔室盖42a的内壁等上。于是，当想要使用蚀刻装置40实施其他被加工物1的蚀刻时，有可能无法实施适当的蚀刻。与此相对，在对蚀刻腔室42导入氮气的情况下，能够防止水等进入至蚀刻腔室42的内部。
在实施了搬出步骤之后，实施清洗步骤，对被加工物1进行清洗。图9的(A)是示意性示出被加工物1的清洗的剖视图。通过搬送装置8等将被加工物1从蚀刻装置40再次搬送至保护膜涂布兼清洗装置38。接着，将喷嘴38b的喷出口定位于工作台38a的中央附近的上方，一边使工作台38a旋转一边将清洗液从该喷出口喷出至被加工物1的正面1a上。
如图9的(A)所示，当对被加工物1的正面1a喷出清洗液时，能够将作为保护膜发挥功能的水溶性树脂膜15从被加工物1的正面去除。图9的(B)是将清洗后的被加工物1放大而示意性示出的剖视图。如图9的(B)所示，将附着于水溶性树脂膜15的加工屑7b与该水溶性树脂膜15一起从被加工物1上冲走。
另外，在露出于加工槽3a的底部的硅基板1c上附着的加工屑7b有时在清洗步骤中无法充分地去除，但在蚀刻步骤中，该加工屑7b所含的铜被氟化，从而可抑制加工屑7b的增大，因此不会成为问题。然后，在沿着间隔道5对被加工物1进行切削时，该加工屑7b被去除。
如以上所说明的那样，根据本实施方式的被加工物1的加工方法，即使在沿着间隔道5将功能层3去除时从被激光加工的TEG 7a产生包含有铜的加工屑7b，通过蚀刻步骤使铜氟化，也能够抑制增大。另外，沿着间隔道5露出的硅基板1c的包含加工痕的正面通过蚀刻步骤去除，因此能够提高对被加工物1进行分割而形成的器件芯片的强度。
另外，本发明不限于上述实施方式的记载，可以进行各种变更并实施。例如，在上述实施方式中，对在实施了蚀刻步骤之后实施清洗步骤的情况进行了说明，但本发明的一个方式的被加工物的加工方法不限于此。例如也可以在实施蚀刻步骤之前实施清洗步骤。
在该情况下，通过实施清洗步骤而将作为保护膜发挥功能的水溶性树脂膜15从被加工物1的正面1a去除，因此在蚀刻步骤中，功能层3的上表面暴露于二氟化氙气体。但是，二氟化氙气体对于硅基板1c的选择性比功能层3高，因此能够适当地对因激光加工而残留加工痕的硅基板1c的正面进行蚀刻。
除此之外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (3)

1.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，该被加工物在由设定于正面上的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，并且在背面上粘贴有被框架张紧的带而成为框架单元的状态，该被加工物的加工方法的特征在于，
具有如下的步骤：
激光加工步骤，从该被加工物的该正面侧沿着该间隔道照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；
收纳步骤，在该激光加工步骤之后，将该被加工物收纳于蚀刻腔室；以及
蚀刻步骤，在该收纳步骤之后，对该被加工物的该正面提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的该硅基板的正面进行蚀刻而去除，
该蚀刻腔室具有：
凹形状的腔室盖，其在下方具有开口；以及
保持工作台，其配设在该腔室盖的下方，
该保持工作台具有直径比该框架单元的直径大的载置面，
该腔室盖的该开口的直径比该框架单元的该被加工物的直径大，
该腔室盖的外径比该框架单元的该框架的内径小，
在该收纳步骤中，按照该框架单元的中心与该保持工作台的中心和该腔室盖的中心重叠的方式将该被加工物载置在该保持工作台上，使该开口的直径比该被加工物的直径大但外径比该框架的内径小的该腔室盖朝向下方的该框架单元下降而与构成该框架单元的该带接触，通过被该腔室盖和该保持工作台的载置面的一部分围绕而形成作为蚀刻腔室的密闭的区域，从而将该被加工物收纳于该蚀刻腔室，并且使该框架单元的该框架与蚀刻腔室隔离，
在该功能层中包含有铜，
在该激光加工步骤中，因激光束的照射而从该功能层产生包含有铜的加工屑，
在该蚀刻步骤中，通过该二氟化氙气体将该加工屑中所包含的该铜的正面氟化。
2.一种蚀刻装置，其对被加工物进行蚀刻，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，该被加工物在由设定于正面的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，并且在背面上粘贴有被框架张紧的带而成为框架单元的状态，该被加工物被照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束，该功能层被沿着该间隔道而去除从而该硅基板露出，该蚀刻装置的特征在于，
其具有：
蚀刻腔室，其对该被加工物进行收纳；
排气单元，其对该蚀刻腔室内的氛围气进行排气；以及
气体提供单元，其向该蚀刻腔室内提供二氟化氙气体，
该蚀刻腔室具有：
凹形状的腔室盖，其在下方具有开口；以及
保持工作台，其配设在该腔室盖的下方，
该保持工作台具有直径比该框架单元的直径大的载置面，
该腔室盖的该开口的直径比该框架单元的该被加工物的直径大，
该腔室盖的外径比该框架单元的该框架的内径小，
按照该框架单元的中心与该保持工作台的中心和该腔室盖的中心重叠的方式将该被加工物载置在该保持工作台上，使该开口的直径比该被加工物的直径大但外径比该框架的内径小的该腔室盖朝向下方的该框架单元下降而与构成该框架单元的该带接触，通过被该腔室盖和该保持工作台的载置面的一部分围绕而形成作为蚀刻腔室的密闭的区域，从而将该被加工物收纳于该蚀刻腔室，并且使该框架单元的该框架与蚀刻腔室隔离，
在该功能层中包含有铜，
在该激光加工步骤中，因激光束的照射而从该功能层产生包含有铜的加工屑，
在该蚀刻步骤中，通过该二氟化氙气体将该加工屑中所包含的该铜的正面氟化。
3.一种激光加工装置，其对被加工物进行激光加工，该被加工物具有硅基板和形成于该硅基板上的功能层，该被加工物在由设定于正面的交叉的多条间隔道划分的各区域内形成有包含该功能层的器件，并且在背面上粘贴有被框架张紧的带而成为框架单元的状态，该激光加工装置的特征在于，
其具有：
卡盘工作台，其对该被加工物进行保持；
激光束照射单元，其从该卡盘工作台所保持的该被加工物的该正面侧沿着该间隔道照射对于该功能层具有吸收性的波长的激光束从而将该功能层去除，使该硅基板沿着该间隔道露出；以及
蚀刻单元，其对该被加工物提供二氟化氙气体，对沿着该间隔道而露出的该硅基板的正面进行蚀刻，
该蚀刻单元具有：
蚀刻腔室，其对该被加工物进行收纳；
排气单元，其对该蚀刻腔室内的氛围气进行排气；以及
气体提供单元，其向该蚀刻腔室内提供二氟化氙气体，
该蚀刻腔室具有：
凹形状的腔室盖，其在下方具有开口；以及
保持工作台，其配设在该腔室盖的下方，
该保持工作台具有直径比该框架单元的直径大的载置面，
该腔室盖的该开口的直径比该框架单元的该被加工物的直径大，
该腔室盖的外径比该框架单元的该框架的内径小，
按照该框架单元的中心与该保持工作台的中心和该腔室盖的中心重叠的方式将该被加工物载置在该保持工作台上，使该开口的直径比该被加工物的直径大但外径比该框架的内径小的该腔室盖朝向下方的该框架单元下降而与构成该框架单元的该带接触，通过被该腔室盖和该保持工作台的载置面的一部分围绕而形成作为蚀刻腔室的密闭的区域，从而将该被加工物收纳于该蚀刻腔室，并且使该框架单元的该框架与蚀刻腔室隔离，
在该功能层中包含有铜，
在该激光加工步骤中，因激光束的照射而从该功能层产生包含有铜的加工屑，
在该蚀刻步骤中，通过该二氟化氙气体将该加工屑中所包含的该铜的正面氟化。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021122932A (ja) * 2020-02-10 2021-08-30 Ｔｏｗａ株式会社 加工装置
CN113084355A (zh) * 2021-03-05 2021-07-09 深圳市福浪电子有限公司 一种晶振生产加工用激光打标装置
CN113894427A (zh) * 2021-09-01 2022-01-07 苏州瀚川智能科技股份有限公司 Ic带自动激光活化装置
KR102507019B1 (ko) 2022-10-05 2023-03-07 주식회사 아이티아이 레이저 가공 및 에칭 장치 및 방법
CN117697166B (zh) * 2024-02-06 2024-04-19 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 在金属薄膜表面利用激光刻蚀有机膜的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1755479A (zh) * 2004-09-27 2006-04-05 Idc公司 用于以提高的效率进行二氟化氙蚀刻的方法及系统
CN101088157A (zh) * 2004-11-01 2007-12-12 Xsil技术有限公司 通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度
CN102986006A (zh) * 2010-06-22 2013-03-20 应用材料公司 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割方法及系统
CN107393848A (zh) * 2017-07-12 2017-11-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种高密封度的气相腐蚀腔体

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02187025A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Sanyo Electric Co Ltd エッチング方法及びｘ線リソグラフィ用マスクの製造方法
JP2003303788A (ja) 2002-04-11 2003-10-24 Mitsubishi Electric Corp エッチング装置
JP2005064230A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
GB2458475B (en) * 2008-03-18 2011-10-26 Xsil Technology Ltd Processing of multilayer semiconductor wafers
GB2459302A (en) * 2008-04-18 2009-10-21 Xsil Technology Ltd A method of dicing wafers to give high die strength
JP2010162629A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Seiko Epson Corp Ｍｅｍｓデバイスの製造方法
CA2690697A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-27 Air Products And Chemicals, Inc. Selective etching and formation of xenon difluoride
JP5340806B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハのレーザ加工方法
US7977213B1 (en) 2010-03-31 2011-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. Use of laser energy transparent stop layer to achieve minimal debris generation in laser scribing a multilayer patterned workpiece
US8771539B2 (en) * 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8703581B2 (en) * 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
JP5918044B2 (ja) * 2012-06-25 2016-05-18 株式会社ディスコ 加工方法および加工装置
US20150011073A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Wei-Sheng Lei Laser scribing and plasma etch for high die break strength and smooth sidewall
JP6113019B2 (ja) 2013-08-07 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US9224650B2 (en) * 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
US9299611B2 (en) * 2014-01-29 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance
JP6324743B2 (ja) * 2014-01-31 2018-05-16 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
US9290848B2 (en) 2014-06-30 2016-03-22 Tokyo Electron Limited Anisotropic etch of copper using passivation
JP2016039186A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20160042968A1 (en) * 2014-08-05 2016-02-11 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and si etch for 3d cell channel mobility improvements

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1755479A (zh) * 2004-09-27 2006-04-05 Idc公司 用于以提高的效率进行二氟化氙蚀刻的方法及系统
CN101088157A (zh) * 2004-11-01 2007-12-12 Xsil技术有限公司 通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度
CN102986006A (zh) * 2010-06-22 2013-03-20 应用材料公司 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割方法及系统
CN107393848A (zh) * 2017-07-12 2017-11-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种高密封度的气相腐蚀腔体

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