CN110034239B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素，设置在基底的显示区域中；多个坝构件，设置在基底的非显示区域中，多个坝构件围绕显示区域；第一封装层，设置在基底上，第一封装层覆盖像素和坝构件；以及第二封装层，设置在第一封装层上，并设置在显示区域与多个坝构件中的与显示区域相邻的坝构件之间的区域中。第二封装层的顶表面的表面粗糙度大于第一封装层的顶表面的表面粗糙度。

Description

显示装置
本专利申请要求于2017年12与21日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0177457号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用其全部而包含于此。
技术领域
本公开的实施例针对一种显示装置以及制造该显示装置的方法，具体地，针对一种包括薄的封装层的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是一种采用有机材料作为发光器件的显示装置。在有机发光显示装置中，电子与空穴的复合用于产生光，并且这种光用于显示图像。不同于液晶显示装置，有机发光显示装置不需要额外的光源，并且具有优异的亮度和宽视角。此外，有机发光显示装置具有快的响应速度和低功耗。
为了制造有机发光显示装置，在基底上形成包括发光器件的多个像素，然后，在基底上设置薄的封装层以覆盖像素。薄的封装层包括无机绝缘层和有机绝缘层。通过在基底上形成流体有机材料然后固化该有机材料来形成有机绝缘层。当在基底上提供有机材料时，流体有机材料可能流向非期望的区域，或者可能溢出基底。
发明内容
发明构思的一些实施例提供了一种显示装置以及一种制造显示装置的方法，在所述显示装置中，用于形成薄的封装层的有机材料能够形成在期望区域中，使得能够防止有机材料溢出基底。
根据发明构思的一些实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素，设置在基底的显示区域中；设置在基底的非显示区域中的多个坝构件，围绕显示区域；设置在基底上的第一封装层，覆盖像素和坝构件；以及第二封装层，设置在第一封装层上，并设置在显示区域以及显示区域与多个坝构件中的与显示区域相邻的坝构件之间的区域中。第二封装层的顶表面的表面粗糙度可以大于第一封装层的顶表面的表面粗糙度。
在一些实施例中，第二封装层的厚度可以小于第一封装层的厚度。
在一些实施例中，第二封装层的表面粗糙度可以在8.4nm至35nm范围内，并且第一封装层的表面粗糙度可以在0.9nm至2nm范围内。
根据发明构思的一些实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；多个像素，设置在基底的显示区域中；设置在基底的非显示区域中的多个坝构件，围绕显示区域；设置在基底上的第一封装层，覆盖多个像素和多个坝构件；以及第二封装层，设置在第一封装层上，并设置在显示区域以及显示区域与多个坝构件中的与显示区域相邻的坝构件之间的区域中。第一封装层包括氮氧化硅的第一无机材料，第二封装层包括氮氧化硅或氧化硅的第二无机材料，并且第一无机材料和第二无机材料在硅、氧和氮的组成比方面彼此不同。
根据发明构思的一些实施例，制造显示装置的方法包括：准备包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域的基底，在基底的显示区域中形成多个像素，在基底的非显示区域中形成多个坝构件以围绕显示区域，在基底上形成覆盖像素和坝构件的第一封装层，以及在第一封装层上并且在显示区域与多个坝构件中的与显示区域相邻的坝构件之间的区域中形成第二封装层。第二封装层具有其表面粗糙度大于第一封装层的顶表面的表面粗糙度的顶表面。
附图说明
图1是根据发明构思的一些实施例的显示装置的平面图。
图2是图1的像素的等效电路图。
图3是图2的像素的剖视图。
图4是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
图5是在图4中示出的第二封装层的端部部分的放大的剖视图。
图6至图11是示出根据发明构思的一些实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图12和图13是示出根据发明构思的其它实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
应注意的是，这些附图意图示出在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，为了清楚起见，可以缩小或夸大微粒、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记可以表示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述发明构思的示例性实施例，附图中示出了示例性实施例。然而，发明构思的示例性实施例可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为局限于这里所阐述的实施例。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。在附图中同样的附图标记可以表示同样的元件，因此将省略它们的重复描述。
将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。
图1是根据发明构思的一些实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据实施例，显示装置100包括显示面板110、扫描驱动器120、数据驱动器130、发射驱动器140和多个坝构件DM1和DM2。显示面板110可以是有机发光显示面板，但发明构思的实施例不限于此。例如，诸如液晶显示面板、电润湿显示面板或电泳显示面板的其它类型的显示面板可以用作显示面板110。
根据实施例，显示面板110是柔性显示面板。显示面板110具有矩形形状，矩形形状的短边平行于第一方向DR1，并且其长边平行于与第一方向DR1交叉的第二方向DR2。显示面板110具有与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的平坦表面，并且显示面板110的平坦表面包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA用于显示图像，非显示区域NDA不用于显示图像。
根据实施例，显示面板110包括多个像素PX、多条扫描线SL1-SLm、多条数据线DL1-DLn和多条发光线EL1-ELm，其中，m和n为自然数。为了便于说明，在图1中仅示出了一个像素PX，但实际上，显示面板110中设置有多个像素PX。像素PX在显示区域DA中以矩阵形状布置，并且连接到扫描线SL1-SLm、数据线DL1-DLn和发光线EL1-ELm。
根据实施例，扫描驱动器120、数据驱动器130和发射驱动器140设置在非显示区域NDA中。扫描驱动器120沿显示面板110的一条长边设置在非显示区域NDA的一个区域中。发射驱动器140沿显示面板110的与所述一条长边相对的一条长边设置在非显示区域NDA的另一区域中。数据驱动器130是集成电路芯片，并沿显示面板110的一条短边设置在非显示区域NDA的其它区域中。
根据实施例，扫描线SL1-SLm从与扫描驱动器120的连接在第一方向DR1上延伸并从扫描驱动器120接收扫描信号。数据线DL1-DLn从与数据驱动器130的连接在第二方向DR2上延伸并从数据驱动器130接收数据电压。发光线EL1-ELm从与发射驱动器140的连接在第一方向DR1上延伸并从发射驱动器140接收发光信号。
根据实施例，扫描驱动器120产生通过扫描线SL1-SLm传输到像素PX的多个扫描信号。扫描信号顺序地传输到像素PX。数据驱动器130产生通过数据线DL1-DLn传输到像素PX的多个数据电压。发射驱动器140产生通过发光线EL1-ELm传输到像素PX的多个发光信号。
根据实施例，显示装置100包括控制扫描驱动器120、数据驱动器130和发射驱动器140的操作的时序控制器。时序控制器响应于从外部接收的控制信号而产生扫描控制信号、数据控制信号和发光控制信号。此外，时序控制器从外部接收图像信号，将图像信号转换为与数据驱动器130的规格兼容的数据格式，并且将转换的图像信号传输到数据驱动器130。
根据实施例，扫描驱动器120响应于扫描控制信号而产生扫描信号，并且发射驱动器140响应于发光控制信号而产生发光信号。数据驱动器130接收转换的图像数据然后响应于数据控制信号而产生与转换的图像数据对应的数据电压。
根据实施例，像素PX响应于扫描信号而接收数据电压。像素PX响应于发光信号而发射具有与数据电压对应的亮度水平的光以显示图像。像素PX的发光持续时间由发光信号控制。
根据实施例，坝构件DM1和DM2设置在非显示区域NDA中，并围绕显示区域DA。坝构件DM1和DM2沿显示面板110的边缘区域延伸，并且围绕扫描驱动器120、数据驱动器130和发射驱动器140。两个坝构件DM1和DM2被示出为发明构思的示例，但实施例不限于此，并且坝构件DM1和DM2的数量不限于两个。
根据实施例，坝构件DM1和DM2包括围绕显示区域DA的第一坝构件DM1和围绕第一坝构件DM1的第二坝构件DM2。下面将更详细地描述第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。
图2是图1的像素的等效电路图。
虽然在图2中仅示出了一个像素PX，但显示面板110的像素PX具有与图2中示出的像素PX的结构相同的结构。
参照图2，根据实施例，像素PX连接到扫描线SL1-SLm中的对应的一条扫描线(例如，SLi)、数据线DL1-DLn中的对应的一条数据线(DLj)和发光线EL1-ELm中对应的一条发光线(ELi)，其中，i为小于或等于m的自然数，j为小于或等于n的自然数。像素PX包括发光器件OLED、驱动晶体管T1、电容器Cst、开关晶体管T2和发光控制晶体管T3。发光器件OLED是有机发光二极管。
根据实施例，第一电压ELVDD传输到驱动晶体管T1的源极端子，并且驱动晶体管T1的漏极端子连接到发光控制晶体管T3的源极端子。驱动晶体管T1的栅极端子连接到开关晶体管T2的漏极端子。
根据实施例，开关晶体管T2的栅极端子连接到扫描线SLi，并且开关晶体管T2的源极端子连接到数据线DLj。电容器Cst的第一电极连接到驱动晶体管T1的源极端子，并且电容器Cst的第二电极连接到驱动晶体管T1的栅极端子。
根据实施例，发光控制晶体管T3的栅极端子连接到发光线Eli，并且发光控制晶体管T3的漏极端子连接到发光器件OLED的阳极电极。发光器件OLED的阴极电极接收第二电压ELVSS。第二电压ELVSS具有比第一电压ELVDD的电压电平低的电压电平。
根据实施例，开关晶体管T2响应于通过扫描线SLi接收的扫描信号SCAN而导通。当开关晶体管T2导通时，通过数据线DLj接收的数据电压VD传输到驱动晶体管T1的栅极端子。电容器Cst充入传输到驱动晶体管T1的栅极端子的数据电压VD，并即使在开关晶体管T2截止之后仍保持处于该数据电压VD。
根据实施例，当发光控制晶体管T3的栅极端子通过发光线ELi接收发光信号EM时，发光控制晶体管T3响应于发光信号EM而导通。在这种情况下，发光控制晶体管T3被用于将电流Ioled从驱动晶体管T1传输到发光器件(例如，有机发光二极管)OLED。像素PX在其接收发光信号EM的时间段期间发光。从发光器件OLED发射的光的强度能够根据电流Ioled的大小而改变。
根据实施例，像素PX的晶体管T1-T3可以是PMOS晶体管，但发明构思的实施例不限于此。例如，像素PX的晶体管T1-T3可以是NMOS晶体管。
图3是图2的像素的剖视图。
参照图3，根据实施例，像素PX包括发光器件OLED和连接到发光器件OLED的晶体管TR。晶体管TR为发光控制晶体管T3。晶体管TR和发光器件OLED设置在基底SUB上，并且基底SUB是由柔性塑料材料形成的透明柔性基底。例如，基底SUB可以由聚酰亚胺(PI)形成或者可以包括聚酰亚胺(PI)。
根据实施例，缓冲层BFL设置在基底SUB上，并且由无机材料形成或包括无机材料。晶体管TR的半导体层SM设置在缓冲层BFL上。半导体层SM可以由诸如非晶硅或多晶硅的无机半导体材料或有机半导体材料形成，或者可以包括诸如非晶硅或多晶硅的无机半导体材料或有机半导体材料。此外，半导体层SM可以由氧化物半导体材料形成，或者可以包括氧化物半导体材料。此外，半导体层SM包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。
根据实施例，覆盖半导体层SM的第一绝缘层INS1设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层INS1由无机材料形成或者包括无机材料。晶体管TR的栅电极GE设置在与半导体层SM叠置的第一绝缘层INS1上。栅电极GE与半导体层SM的沟道区叠置。
根据实施例，覆盖栅电极GE的第二绝缘层INS2设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2是层间绝缘层。第二绝缘层INS2由有机材料和/或无机材料形成，或者包括有机材料和/或无机材料。
根据实施例，晶体管TR的源电极SE和漏电极DE设置在第二绝缘层INS2上并彼此间隔开。源电极SE通过贯穿第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第一接触孔CH1连接到半导体层SM的源区。漏电极DE通过贯穿第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的第二接触孔CH2连接到半导体层SM的漏区。
根据实施例，覆盖晶体管TR的源电极SE和漏电极DE的第三绝缘层INS3设置在第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3是提供平坦的顶表面的平坦化层，并且由有机材料形成或者包括有机材料。
根据实施例，发光器件OLED的第一电极E1设置在第三绝缘层INS3上。第一电极E1通过贯穿第三绝缘层INS3的第三接触孔CH3连接到晶体管TR的漏电极DE。第一电极E1为像素电极或阳极电极。第一电极E1包括透明电极或反射电极。
根据实施例，像素限定层PDL设置在第一电极E1和第三绝缘层INS3上，并暴露第一电极E1的一部分。像素限定层PDL中的像素开口PX_OP暴露第一电极E1的特定部分，并且具有像素开口PX_OP的区域被定义为像素区域PA。在像素区域PA周围的区域被定义为非像素区域NPA。
根据实施例，有机发光层OEL设置在像素开口PX_OP中并且设置在第一电极E1上，有机发光层OEL由能产生红光、绿光和蓝光中的一种的有机材料形成，或者包括能产生红光、绿光和蓝光中的一种的有机材料。然而，发明构思的实施不限于此，并且有机发光层OEL可以由能够组合红光、绿光和蓝光以产生白光的有机材料形成。
根据实施例，有机发光层OEL由低分子有机材料或聚合物有机材料形成，或者包括低分子有机材料或聚合物有机材料。此外，有机发光层OEL具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的多层结构。空穴注入层设置在第一电极E1上，并且空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层顺序地堆叠在空穴注入层上。
根据实施例，第二电极E2设置在像素限定层PDL和有机发光层OEL上。第二电极E2是共电极或阴极电极。第二电极E2包括透明电极或反射电极。
根据实施例，当显示面板110为顶发射型有机发光显示面板时，第一电极E1和第二电极E2分别用作反射电极和透明电极。根据实施例，当显示面板110为底发射型有机发光显示面板时，第一电极E1和第二电极E2分别用作透明电极和反射电极。
根据实施例，发光器件OLED形成在像素区域PA中，并包括位于像素区域PA中的第一电极E1、有机发光层OEL和第二电极E2。第一电极E1为空穴注入电极或正电极，并且第二电极E2为电子注入电极或负电极。
根据实施例，覆盖像素PX的薄的封装层TFE设置在基底SUB上。薄的封装层TFE包括：位于基底SUB上的第一封装层EN1，覆盖发光器件OLED；第二封装层EN2，位于第一封装层EN1上；第三封装层EN3，位于第二封装层EN2上；以及第四封装层EN4，位于第三封装层EN3上。第一封装层EN1、第二封装层EN2和第四封装层EN4中的每个由无机绝缘材料形成或者包括无机绝缘材料，并且第三封装层EN3由有机绝缘材料形成或者包括有机绝缘材料。
根据实施例，为了使发光器件OLED的有机发光层OEL发光，第一电压ELVDD通过晶体管TR传输到第一电极E1，并且其信号与第一电压ELVDD相反的第二电压ELVSS传输到第二电极E2。注入到有机发光层OEL中的空穴和电子结合以形成激子，并且当激子衰变回基态时从发光器件OLED发射光。发光器件OLED发射红光、绿光或蓝光以显示图像。
图4是沿图1的线I-I'截取的剖视图。图5是在图4中示出的第二封装层的端部部分的放大的剖视图。
参照图4和图5，根据实施例，基底SUB包括显示区域DA和非显示区域NDA，基底SUB的显示区域DA包括像素区域PA和非像素区域NPA。像素PX设置在基底SUB的显示区域DA中。第一坝构件DM1和第二坝构件DM2设置在基底SUB的非显示区域NDA中，并包围显示区域DA。
根据实施例，扫描驱动器120包括多个晶体管，并且扫描驱动器120的晶体管设置在基底SUB上。为了便于说明，在图4中仅示出了扫描驱动器120的一个晶体管TS。此外，在图4的剖视图中，具有扫描驱动器120的区域被示出为小于实际区域。
根据实施例，缓冲层BFL和第一绝缘层INS1设置在基底SUB的显示区域DA和非显示区域NDA中。第二绝缘层INS2设置在基底SUB的显示区域DA中，并延伸以覆盖非显示区域NDA的与第一坝构件DM1相邻的区域。
根据实施例，第三绝缘层INS3设置在基底SUB的显示区域DA中并延伸到非显示区域NDA中，并且包括与第一坝构件DM1相邻并位于第二绝缘层INS2上的部分。第三绝缘层INS3覆盖晶体管TR和TS。发光器件OLED的第二电极E2延伸到非显示区域NDA中，并且在非显示区域NDA中设置在第三绝缘层INS3上。
根据实施例，第二坝构件DM2的顶表面的高度比第一坝构件DM1的顶表面的高度高。第一坝构件DM1和第二坝构件DM2中的每者的高度被定义为从第一坝构件DM1和第二坝构件DM2中的对应一者的底表面到顶表面的距离。第一坝构件DM1与第二坝构件DM2之间的空间以及第一坝构件DM1与第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3之间的空间为凹槽。
根据实施例，第一坝构件DM1包括：第一绝缘坝层DM1_1，设置在基底SUB上；第二绝缘坝层DM1_2，设置在第一绝缘坝层DM1_1上；以及第三绝缘坝层DM1_3，设置在第二绝缘坝层DM1_2上。第二坝构件DM2包括：第四绝缘坝层DM2_1，设置在基底SUB上；第五绝缘坝层DM2_2，设置在第四绝缘坝层DM2_1上；第六绝缘坝层DM2_3，设置在第五绝缘坝层DM2_2上；以及第七绝缘坝层DM2_4，设置在第六绝缘坝层DM2_3上。
根据实施例，第一绝缘坝层DM1_1至第七绝缘坝层DM2_4中的每个由有机材料形成或者包括有机材料。第四绝缘坝层DM2_1和第二绝缘层INS2由相同的材料同时形成。第一绝缘坝层DM1_1和第五绝缘坝层DM2_2以及第三绝缘层INS3由相同的材料同时形成。第二绝缘坝层DM1_2和第六绝缘坝层DM2_3以及像素限定层PDL由相同的材料同时形成。第三绝缘坝层DM1_3和第七绝缘坝层DM2_4由不同的有机材料同时形成。
根据实施例，第一封装层EN1设置在基底SUB上，并覆盖显示区域DA的像素PX和第二电极E2以及非显示区域NDA的第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。第一封装层EN1与基底SUB的边缘向后间隔开预定的距离。
根据实施例，第二封装层EN2设置在第一封装层EN1上。第二封装层EN2设置在显示区域DA以及由与显示区域DA相邻的第一坝构件DM1限定的区域中。例如，第二封装层EN2设置在从显示区域DA延伸到第一坝构件DM1的面对显示区域DA的侧表面的区域上。
根据实施例，第一封装层EN1和第二封装层EN2包括彼此不同的无机材料。例如，第一封装层EN1包括第一无机材料，第二封装层EN2包括与第一无机材料不同的第二无机材料。第一封装层EN1和第二封装层EN2能够防止外部氧或湿气渗入像素PX中。
根据实施例，第一无机材料为氮氧化硅(SiON)。第二无机材料为氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)。当第一无机材料和第二无机材料都包括氮氧化硅时，它们在硅(Si)、氧(O)和氮(N)的组成比方面彼此不同。在这种情况下，第一无机材料和第二无机材料具有彼此不同的折射率。
根据实施例，第二封装层EN2的顶表面的表面粗糙度大于第一封装层EN1的顶表面的表面粗糙度。在下文中，第一封装层EN1的顶表面的表面粗糙度将被称为“第一表面粗糙度”，第二封装层EN2的顶表面的表面粗糙度被称为“第二表面粗糙度”。表面粗糙度是表面点距平均线的垂直高度的均方根(RMS)且具有长度单位，并且是由表面上的不平坦结构引起的粗糙度的度量。第二表面粗糙度大于第一表面粗糙度。例如，第二表面粗糙度在大约8.4nm至大约35nm范围内，第一表面粗糙度在大约0.9nm至大约2nm范围内。
根据实施例，可以使用各种方法来产生在大约8.4nm至大约35nm范围内的第二表面粗糙度。例如，为了形成无机绝缘层，在基底SUB上随机设置由无机材料制成的颗粒。如果增加无机材料的量，则无机绝缘层将具有平坦的顶表面，并且如果减少无机材料的量，则无机绝缘层将具有粗糙的顶表面。因此，较薄的无机绝缘层将具有增加的表面粗糙度。
根据实施例，当形成第二封装层EN2时，用于形成第二封装层EN2且由第二无机材料形成的颗粒设置在第一封装层EN1上。调节沉积到第一封装层EN1上的第二无机材料的量以控制第二封装层EN2的厚度。第二封装层EN2的厚度被控制为使得第二表面粗糙度大于第一表面粗糙度。
根据实施例，为了使第二表面粗糙度大于第一表面粗糙度，第二封装层EN2的厚度小于第一封装层EN1的厚度。例如，第二封装层EN2的厚度在大约至大约/>的范围内。
根据实施例，通过化学气相沉积方法沉积无机绝缘层。NH3气体用于形成诸如氮氧化硅(SiON)的无机绝缘层。这里，NH3气体的流速越低，无机绝缘层的表面粗糙度越大。换言之，N与SiON的比值越低，表面粗糙度越大，即N与SiON的比值与表面粗糙度成反比。
因此，根据实施例，通过在形成第二封装层EN2的工艺中调节NH3气体的流速来控制第二表面粗糙度。为了能使第二表面粗糙度大于第一表面粗糙度，在形成第二封装层EN2时，降低NH3气体的流速。
虽然已经描述了调节厚度和气体的流速的方法的实施例，但发明构思的实施例不限于此。可以使用调节功率和供气时间的各种方法来控制第二表面粗糙度。
根据实施例，第三封装层EN3设置在第二封装层EN2上，覆盖显示区域DA并延伸到第一坝构件DM1的面对显示区域DA的侧表面的区域。第三封装层EN3通过固化流体有机材料形成。第三封装层EN3使显示区域DA的顶表面平坦化。
根据实施例，第四封装层EN4设置在第一封装层EN1上，并覆盖第三封装层EN3。第四封装层EN4由与第一封装层EN1和第二封装层EN2不同的无机材料形成，或者包括与第一封装层EN1和第二封装层EN2不同的无机材料。例如，第四封装层EN4包括氮化硅(SiNx)。第四封装层EN4能够防止外部氧或湿气渗入显示面板110中。
根据实施例，当形成薄的封装层TFE时，用于形成第三封装层EN3的流体有机材料通过喷墨印刷方法涂覆在基底SUB上。如果涂覆太多的有机材料，则有机材料会因为有机材料是流体的而溢出基底SUB。
在一些实施例中，即使在涂覆了太多的有机材料时，有机材料也能够包含在第一坝构件DM1与第二坝构件DM2之间的凹槽中以及第一坝构件DM1与第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3之间的凹槽中。这能够防止有机材料溢出基底SUB。
根据实施例，表面粗糙度越高，流体的铺展性越大。表面粗糙度越低，流体的铺展性越小。当描述制造显示装置的方法时，将更详细地描述表面粗糙度与流体铺展性之间的关系。
根据实施例，由于第二封装层EN2具有比第一封装层EN1的表面粗糙度大的表面粗糙度，所以流体有机材料相比于在第一封装层EN1上铺展可以更有效地在第二封装层EN2上铺展。也就是说，第二封装层EN2与有机材料具有高亲和力。相反地，有机材料不在第一封装层EN1上铺展，第一封装层EN1具有比第二封装层EN2低的表面粗糙度。也就是说，第一封装层EN1与有机材料具有低亲和力。
根据实施例，当用于形成第三封装层EN3的有机材料设置在第二封装层EN2上，该有机材料有效地在第二封装层EN2上铺展而不在第一封装层EN1上铺展。因此，有机材料能够仅形成在期望的区域上，并且能够被防止溢出基底SUB。
结果，在根据发明构思的一些实施例的显示装置100中，用于形成第三封装层EN3的有机材料能够仅形成在期望的区域上，并且能够被防止溢出基底SUB。
图6至图11是示出根据发明构思的一些实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
为了便于说明，在图6、图7、图8和图11中示出了图4的剖视图的左边部分。
参照图6，根据实施例，准备包括显示区域DA和非显示区域NDA的基底SUB。在显示区域DA中设置像素PX，并在非显示区域NDA中设置第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。
根据实施例，在基底SUB上设置覆盖像素PX以及第一坝构件DM1和第二坝构件DM2的第一封装层EN1。在一些实施例中，在基底SUB的边缘区域中的第一绝缘层INS1上提供具有第一开口OP1的第一掩模M1。第一开口OP1使从显示区域DA经过第二阻挡构件DM2直到距基底SUB的边缘预定的距离的区域暴露。
根据实施例，将第一无机材料IOR1通过第一开口OP1供应到基底SUB上。在一些实施例中，第一无机材料IOR1用于覆盖像素PX、第二电极E2以及第一坝构件DM1和第二坝构件DM2，并用于在基底SUB上形成第一封装层EN1。由于利用第一掩模M1的第一开口OP1形成第一封装层EN1，所以第一封装层EN1与基底SUB的边缘间隔开预定的距离。
参照图7，根据实施例，在基底SUB上提供具有第二开口OP2的第二掩模M2，这里，第二开口OP2使显示区域DA以及第一坝构件DM1的诸如侧表面的部分暴露。当将掩模设置为靠近基底时，能够在期望的区域上更准确地沉积沉积材料。在这种情况下，将第二掩模M2放置为与第二坝构件DM2的顶表面相邻。例如，在一些实施例中，第二掩模M2与位于第二坝构件DM2上的第一封装层EN1的顶表面接触。
根据实施例，将第二无机材料IOR2通过第二开口OP2供应到第一封装层EN1上以形成第二封装层EN2。由于第二开口OP2的前述形状，所以将第二无机材料IOR2供应到从显示区域DA延伸到第一坝构件DM1的侧表面的区域。因此，在第一封装层EN1上形成第二封装层EN2，并且第二封装层EN2覆盖从显示区域DA延伸到第一坝构件DM1的侧表面的区域。
如上所述，根据实施例，调节第二封装层EN2的厚度以及在第二无机材料IOR2的沉积工艺中的气体流速，以使第二封装层EN2能够具有在大约8.4nm至大约35nm范围内的第二表面粗糙度。此外，第二封装层EN2具有小于第一封装层EN1的厚度的厚度。
参照图8，根据实施例，将有机材料OR供应到第二封装层EN2上以形成第三封装层EN3。在一些实施例中，使用喷墨印刷方法以通过喷嘴NOZ将有机材料OR供应到第二封装层E2上。
参照图9和图10，根据实施例，图10中示出的第一层LAY1_2的顶表面被形成为具有比图9中示出的第一层LAY1_1的顶表面的表面粗糙度大的表面粗糙度。图10的第一层LAY1_2的顶表面上的第二突起部分P2比图9的第一层LAY1_1的顶表面上的第一突出部分P1更密集地设置。例如，两个相邻的第一突出部分P1之间的第一距离D1大于两个相邻的第二突出部分P2之间的第二距离D2。
如图9中所示，根据实施例，当在第一层LAY1_1上提供流体LQ时，流体LQ需要长时间来填充两个相邻的第一突出部分P1之间的第一凹槽G1。然而，如图10中所示，当在第一层LAY1_2上提供流体LQ时，流体LQ需要短时间来填充两个相邻的第二突起部分P2之间的第二凹槽G2。也就是说，如图10中所示，表面粗糙度越大，流体LQ能够越容易铺展。
根据实施例，考虑到参照图9和图10描述的表面粗糙度与流体铺展性之间的关系以及图8中示出的结构，有机材料OR在具有高表面粗糙度的第二封装层EN2上具有高铺展性。因此，虽然有机材料OR能够在第二封装层EN2上有效地铺展，但将不在第一封装层EN1上有效地铺展。
根据实施例，有机材料OR包含在第一坝构件DM1与第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3之间的凹槽中，因此，有机材料OR不铺展到第一封装层EN1的超出第二封装层EN2的边缘的区域。因此，有机材料OR能够仅形成在期望的区域上，并且能够被更有效地防止溢出基底SUB。
参照图11，根据实施例，在第一封装层EN1上形成第四封装层EN4，并且第四封装层EN4覆盖第三封装层EN3，结果，制造显示装置100。
图12和图13是示出了根据发明构思的其它实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
在本实施例中，利用单个掩模来形成第一封装层EN1和第二封装层EN2。除此之外，可以以与图6至图11中的方式相同的方式执行图12和图13的制造方法。在图12和图13的下面的描述中，为了简洁起见，前面参照图6至图11描述的元件或步骤可以由相同的附图标记指示，而不重复其描述。
参照图12，根据实施例，利用位于真空室中并与基底SUB间隔开的掩模M来执行沉积无机材料的工艺。将掩模M设置在真空室的顶表面附近或者使掩模M与基底SUB间隔开预定的距离。
根据实施例，将第一无机材料IOR1供应到基底SUB上以形成第一封装层EN1'，并且覆盖像素PX、第二电极E2以及第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。由于掩模M与基底SUB间隔开，所以掩模M不阻挡第一无机材料IOR1。因此，第一无机材料IOR1能够被供应到基底SUB的端部部分上。结果，第一封装层EN1'覆盖基底SUB的整个顶表面或者至少覆盖除基底SUB的端部部分之外的部分。
参照图13，根据实施例，提供具有开口OP的掩模M。例如，掩模M与第二掩模M2具有基本相同的形状。也就是说，掩模M的开口OP使从显示区域DA延伸到第一坝构件DM1的侧表面的区域暴露。类似于第二掩模M2，将掩模M设置为与第二坝构件DM2的顶表面邻近。
根据实施例，将第二无机材料IOR2通过开口OP供应到第一封装层EN1'上，以形成第二封装层EN2。例如，第二无机材料IOR2覆盖从显示区域DA到第一坝构件DM1的侧表面的区域。结果，在第一封装层EN1'上形成第二封装层EN2，并且第二封装层EN2覆盖从显示区域DA到第一坝构件DM1的侧表面的区域。通过与参照图8和图11描述的方法相同的方法在基底SUB上形成第三封装层EN3和第四封装层EN4，并且将省略它们的详细描述。
根据发明构思的一些实施例，制造显示装置的方法包括在第一封装层上形成与有机材料的亲和性高的第二封装层，然后在第二封装层上提供有机材料以形成第三封装层。因此，用于第三封装层的有机材料能够置于期望的区域中并且能够被防止溢出基底。
虽然已经具体示出并描述了发明构思的示例性实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的变化。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
多个像素，设置在所述基底的所述显示区域中；
多个坝构件，设置在所述基底的所述非显示区域中，所述多个坝构件围绕所述显示区域；
第一封装层，设置在所述基底上，所述第一封装层覆盖所述多个像素和所述多个坝构件；
第二封装层，设置在所述第一封装层上，并设置在所述显示区域以及所述显示区域与所述多个坝构件中的与所述显示区域相邻的坝构件之间的区域中；以及
第三有机封装层，仅设置在所述第二封装层上，
其中，所述第二封装层的顶表面的表面粗糙度大于所述第一封装层的顶表面的表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二封装层的厚度小于所述第一封装层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二封装层的所述表面粗糙度在8.4nm至35nm范围内，并且所述第一封装层的所述表面粗糙度在0.9nm至2nm范围内。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一封装层包括第一无机材料，并且
所述第二封装层包括与所述第一无机材料不同的第二无机材料。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一无机材料为氮氧化硅，
所述第二无机材料为氮氧化硅或氧化硅，并且
所述第一无机材料和所述第二无机材料在硅、氧和氮的组成比方面彼此不同。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个坝构件包括：
第一坝构件，围绕所述显示区域；以及
第二坝构件，围绕所述第一坝构件，
其中，所述第二坝构件的顶表面的高度比所述第一坝构件的顶表面的高度高。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二封装层覆盖从所述显示区域到所述第一坝构件的面对所述显示区域的侧表面的区域。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一坝构件包括：
第一绝缘坝层，设置在所述基底上；
第二绝缘坝层，设置在所述第一绝缘坝层上；以及
第三绝缘坝层，设置在所述第二绝缘坝层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二坝构件包括：
第四绝缘坝层，设置在所述基底上；
第五绝缘坝层，设置在所述第四绝缘坝层上；
第六绝缘坝层，设置在所述第五绝缘坝层上；以及
第七绝缘坝层，设置在所述第六绝缘坝层上。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
多个像素，设置在所述基底的所述显示区域中；
多个坝构件，设置在所述基底的所述非显示区域中，所述多个坝构件围绕所述显示区域；
第一封装层，设置在所述基底上，所述第一封装层覆盖所述多个像素和所述多个坝构件；
第二封装层，设置在所述第一封装层上，并设置在所述显示区域以及所述显示区域与所述多个坝构件中的与所述显示区域相邻的坝构件之间的区域中；以及
第三有机封装层，仅设置在所述第二封装层上，
其中，所述第一封装层包括氮氧化硅的第一无机材料，
所述第二封装层包括氮氧化硅或氧化硅的第二无机材料，并且
所述第一无机材料和所述第二无机材料在硅、氧和氮的组成比方面彼此不同。
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