KR20220097789A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
표시 장치는 광을 방출하는 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드 상에 배치되고, 외부에서 입사하는 외광의 반사를 방지하는 반사 방지층 및 반사 방지층 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 박막 봉지층을 포함하는 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 다양한 종류로 제작되어 사용되고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등으로 제작되어 사용되고 있다.
표시 장치는 화면에 영상을 표시하여 사용자에게 제공할 수 있다. 이 때, 표시 장치에 입사되는 외광이 표시 장치의 표면에서 반사됨에 따라, 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 편광 필름, 컬러 필터 등이 사용되고 있다. 이 외에도, 외광의 반사를 억제하기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 일 목적은 박막 봉지층을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 박막 봉지층을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 광을 방출하는 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드 상에 배치되고, 외부에서 입사하는 외광의 반사를 방지하는 반사 방지층 및 상기 반사 방지층 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층은 상부 면 및 하부 면을 포함하고, 상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 상부 면에서 반사되어 제1 광으로 반사되고, 상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 하부 면에서 반사되어 제2 광으로 반사되며, 상기 제1 광의 위상과 상기 제2 광의 위상은 서로 반대될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층은 이터븀(Yb)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층은 비스무트(Bi)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 제1 무기 봉지층, 상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층, 상기 제2 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층 및 상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제3 무기 봉지층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제2 무기 봉지층은 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 무기 봉지층은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층의 두께는 50 내지 150 옹스트롬이고, 상기 제2 무기 봉지층의 두께는 9,000 내지 11,000 옹스트롬이며, 상기 유기 봉지층의 두께는 3 내지 5 마이크로미터이고, 상기 제3 무기 봉지층의 두께는 6,000 내지 8,000 옹스트롬 일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 반사 방지층의 산화를 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 무기 봉지층들은 화학 기상 증착에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드와 상기 반사 방지층 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계, 상기 유기 발광 다이오드 상에 반사 방지층을 형성하는 단계, 상기 반사 방지층 상에 실리콘 질화물을 포함하는 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계, 상기 제1 무기 봉지층 상에 실리콘 산질화물을 포함하는 제2 무기 봉지층을 형성하는 단계 및 상기 제2 무기 봉지층 상에 유기 봉지층을 형성하는 단계를 포함
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층은 이터븀(Yb)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층은 비스무트(Bi)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 봉지층 상에 실리콘 질화물을 포함하는 제3 무기 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층의 두께는 50 내지 150 옹스트롬이고, 상기 제2 무기 봉지층의 두께는 9,000 내지 11,000 옹스트롬이며, 상기 유기 봉지층의 두께는 3 내지 5 마이크로미터이고, 상기 제3 무기 봉지층의 두께는 6,000 내지 8,000 옹스트롬 일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층은 상부 면 및 하부 면을 포함하고, 상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 상부 면에서 반사되어 제1 광으로 반사되고, 상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 하부 면에서 반사되어 제2 광으로 반사되며, 상기 제1 광의 위상과 상기 제2 광의 위상은 서로 반대될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층 및 상기 제2 무기 봉지층은 화학 기상 증착에 의해 형성되고, 상기 제1 무기 봉지층은 상기 제2 무기 봉지층이 형성되는 과정에서 상기 반사 방지층이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 방지층을 형성하기 전에, 상기 유기 발광 다이오드 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 광을 방출하는 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드 상에 배치되고, 외부에서 입사하는 외광의 반사를 방지하는 반사 방지층 및 상기 반사 방지층 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 표시 장치는 상기 반사 방지층에서 외광의 반사가 억제되어 표시 품질이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 반사 방지층의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 도면들이다.
도 5a 내지 도 5f는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 도면들이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 7은 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 반사 방지층의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 도면들이다.
도 5a 내지 도 5f는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 도면들이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 7은 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치는 복수의 화소들(P)을 포함하는 표시 패널(DP), 데이터 구동부(DDV), 게이트 구동부(GDV) 및 타이밍 제어부(CON)를 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 표시 패널(DP)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 이를 위해, 상기 표시 패널(DP)은 상기 화소들(P) 및 상기 화소들(P)과 연결되는 발광 소자들을 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널(DP)은 단일한 패널로 구성될 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 상기 표시 패널(DP)은 복수의 패널들이 연결되어 구성될 수 있다.
상기 타이밍 제어부(CON)는 외부로부터 제공되는 제어 신호(CTRL) 및 입력 영상 데이터(IDAT)에 기초하여 게이트 제어 신호(GCTRL), 데이터 제어 신호(DCTRL) 및 출력 영상 데이터(ODAT)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제어 신호(CTRL)는 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 입력 데이터 인에이블 신호, 마스터 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 입력 영상 데이터(IDAT)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 데이터 및 청색 영상 데이터를 포함하는 RGB 데이터일 수 있다. 또는, 상기 입력 영상 데이터(IDAT)는 마젠타섹 영상 데이터, 시안색 영상 데이터, 황색 영상 데이터를 포함할 수도 있다.
상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 타이밍 제어부(CON)로부터 제공되는 상기 게이트 제어 신호(GCTRL)에 기초하여 게이트 신호들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 제어 신호(GCTRL)는 수직 개시 신호, 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 게이트 구동부(GDV)는 별도의 패널로 제작되어 상기 표시 패널(DP)에 연결될 수 있다. 상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 신호들을 순차적으로 출력할 수 있다. 상기 화소들(P) 각각은 상기 게이트 신호들 각각의 제어에 따라 데이터 전압을 제공받을 수 있다.
상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 타이밍 제어부(CON)로부터 제공되는 상기 데이터 제어 신호(DCTRL) 및 상기 출력 영상 데이터(ODAT)에 기초하여 상기 데이터 전압을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 제어 신호(DCTRL)는 출력 데이터 인에이블 신호, 수평 개시 신호, 로드 신호 등을 포함할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 데이터 구동부(DDV)는 별도의 패널로 제작되어 상기 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결되며, 복수의 데이터 전압들을 생성할 수 있다. 상기 화소들(P) 각각은 상기 데이터 전압들 각각에 상응하는 휘도에 대한 신호를 상기 발광 소자들로 전달할 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 트랜지스터(TFT), 화소 정의막(PDL), 유기 발광 다이오드(OLED), 캡핑층(CAP), 반사 방지층(LRL), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
상기 트랜지스터(TFT)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GAT), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 다이오드(OLED)는 애노드 전극(AND), 발광층(EL) 및 캐소드 전극(CATH)을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기 봉지층(IL1), 제2 무기 봉지층(IL2), 유기 봉지층(OL) 및 제3 무기 봉지층(IL3)을 포함할 수 있다.
상기 기판(SUB)은 복수의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(SUB)은 제1 베이스 기판(BS1), 제1 베리어층(BAR1), 제2 베이스 기판(BS2) 및 제2 베리어 층(BAR2)이 적층된 구조를 가질 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 베이스 기판(BS1)은 리지드한 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 제1 베이스 기판(BS1)은 유리, 석영 등을 포함할 수 있다. 또한, 실시예들에 있어서, 상기 제1 베이스 기판(BS1)은 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 이 때, 상기 제1 베이스 기판(BS1)은 플라스틱 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 베이스 기판(BS1)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 제1 베리어층(BAR1)이 상기 제1 베이스 기판(SUB1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 베리어층(BAR1)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 베리어층(BAR1)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 베리어층(BAR1)은 상기 제1 베이스 기판(SUB1)에서 상기 트랜지스터(TFT)로 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제1 베리어층(BAR1)은 외부의 충격으로부터 상기 트랜지스터(TFT)를 보호할 수 있다.
상기 제2 베이스 기판(BS2)이 상기 제1 베리어층(BAR1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 베이스 기판(BS2)은 상기 제1 베이스 기판(BS1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 베리어층(BAR2)이 상기 제2 베이스 기판(BS2) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 베리어층(BAR2)은 상기 제1 베리어층(BAR1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(BUF)은 상기 제2 베리어층(BAR2) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(BUF)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(BUF)은 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브 패턴(ACT)으로 확산되지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(BUF)은 상기 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 상기 액티브 패턴(ACT)으로 제공되는 열의 속도를 조절할 수 있다.
상기 액티브층(ACT)은 상기 버퍼층(103) 상에 배치될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 액티브층(ACT)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브층(ACT)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 상기 액티브층(ACT)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브층(ACT)은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듕-갈륨 산화물(IGO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(GI)은 상기 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(GI)은 상기 액티브층(ACT)을 덮으며 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(GI)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GAT)은 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GAT)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(GAT)으로 제공되는 게이트 신호에 응답하여, 상기 액티브 패턴(ACT)에 신호 및/또는 전압이 흐를 수 있다. 일 실시예에서, 상기 게이트 전극(GAT)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(GAT)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연층(ILD)은 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연층(ILD)은 상기 게이트 전극(GAT)을 덮으며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 층간 절연층(ILD)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연층(ILD)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 액티브층(ACT)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 비아 절연층(VIA)은 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 덮으며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 비아 절연층(VIA)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 그에 따라, 상기 비아 절연층(VIA)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 비아 절연층(VIA)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 애노드 전극(AND)은 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 상기 애노드 전극(AND)은 상기 드레인 전극(DE)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 애노드 전극(AND)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 애노드 전극(AND)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)에는 상기 애노드 전극(AND)을 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 발광층(EL)은 상기 애노드 전극(AND) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(EL)은 기설정된 색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 상기 발광층(EL)은 상기 애노드 전극(AND) 및 상기 캐소드 전극(CATH)의 전위차에 기초하여 상기 광을 방출할 수 있다.
또한, 상기 발광층(EL)은 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캐소드 전극(CATH)은 상기 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 상기 캐소드 전극(CATH)은 은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐소드 전극(CATH)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 캡핑층(CAP)은 상기 캐소드 전극(CATH) 상에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층은 유기층 및 무기층을 포함할 수 있다.
상기 유기층은 상기 캐소드 전극(CATH)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 그에 따라, 상기 유기층은 상기 발광층(EL)에서 방출된 상기 광의 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 유기층은 a-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc 등의 유기물을 포함할 수 있다.
상기 무기층이 상기 유기층 상에 배치될 수 있다. 상기 무기층은 상기 유기층을 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다. 상기 무기층은 플루오린화 리튬(LiF)을 포함할 수 있다.
상기 캡핑층(CAP) 상에 상가 반사 방지층(LRL)이 배치될 수 있다. 상기 표시 장치에는 외광이 입사할 수 있다. 상기 외광은 상기 반사 방지층(LRL)에서 소멸될 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 상기 반사 방지층(LRL)에서 반사되는 상기 외광의 위상 차를 이용하여 상기 외광을 상쇄시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 외광은 상기 반사 방지층(LRL)의 상부 면에서 반사되는 제1 광 및 상기 반사 방지층(LRL)의 하부 면에서 반사되는 제2 광으로 나뉠 수 있다. 상기 제1 광 및 상기 제2 광의 위상은 서로 반대일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 광과 상기 제2 광이 서로 상쇄되어 소멸함으로써, 외부에서는 반사되는 상기 외광이 시인되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다. 예를 들어, 상기 외광이 반사되지 않음으로써, 상기 표시 장치는 검은 색의 영상을 효과적으로 표시할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 이터븀(Yb)을 포함할 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 비스무트(Bi)를 포함할 수 있다. 이 외에도, 상기 반사 방지층(LRL)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 탄탈륨(Ta), 구리(Cu), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt) 등의 금속을 포함할 수 있다. 또는, 상기 반사 방지층(LRL)은 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 이트리움 산화물, 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 납 산화물, 텅스텐 산화물, 실리콘 질화물, 불화 리튬, 불화 칼슘, 불화 마그네슘 등을 포함할 수도 있다.
상기 박막 봉지층(TFE)은 상기 반사 방지층(LRL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 무기 봉지층(IL1)이 상기 반사 방지층(LRL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 무기 봉지층(IL1)은 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 상기 제2 무기 봉지층(IL2)은 상기 제1 무기 봉지층(IL1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 무기 봉지층(IL2)은 실리콘 산질화물(SiNxOy)을 포함할 수 있다. 상기 유기 봉지층(OL)은 상기 제2 무기 봉지층(IL2) 상에 배치될 수 있다. 상기 유기 봉지층(OL)은 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 유기 봉지층(OL)은 상기 무기 봉지층들(IL1, IL2, IL3)에 비해 상대적으로 두껍게 배치될 수 있다. 상기 유기 봉지층(OL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다. 상기 제3 무기 봉지층(IL3)은 상기 유기 봉지층(OL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제3 무기 봉지층(IL3)은 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 무기 봉지층들(IL1, IL2, IL3)은 산소, 수분 등이 상기 표시 장치로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 다이오드(OLED)가 보호될 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제3 무기 봉지층들(IL1, IL2, IL3)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 장치를 보호할 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 무기 봉지층(IL1)의 두께는 약 50 내지 150 옹스트롬일 수 있고, 상기 제2 무기 봉지층(IL2)의 두께는 약 9,000 내지 11,000 옹스트롬일 수 있으며, 상기 제3 무기 봉지층(IL3)의 두께는 약 6,000 내지 8,000 옹스트롬일 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 유기 봉지층(OL)은 상기 무기 봉지층들(IL1, IL2, IL3)에 비해 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 유기 봉지층(OL)의 두께는 약 3 내지 5 마이크로 미터일 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 열 증착(thermal evaporation)에 의해 형성되고, 상기 제1 내지 제3 무기 봉지층들(IL1, IL2, IL3)은 화학 기상 증착에 의해 형성되며, 상기 유기 봉지층(OL)은 잉크젯 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다.
상기 제2 무기 봉지층(IL2)을 형성하는 과정에서, 상기 제2 무기 봉지층(IL2)에 포함되는 산소에 의해 상기 반사 방지층(LRL)이 산화될 수 있다. 따라서, 상기 편광 필름 없이 상기 외광 반사에 의한 표시 품질 저하를 방지하기 위한 상기 반사 방지층(LRL)이 본래의 역할을 수행하지 못할 수 있다. 또한, 상기 반사 방지층(LRL)이 산화되는 경우, 상기 반사 방지층(LRL)의 투과율이 저하될 수 있다. 이에 따라, 상기 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 본 발명은 상기 제2 무기층(IL2)을 형성하기 전에 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 상기 제1 무기층(IL1)을 추가로 형성함으로써, 상기 반사 방지층(LRL)의 산화를 방지할 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 반사 방지층의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 상기 반사 방지층(LRL)은 상부 면(US) 및 하부 면(LS)을 포함할 수 있다. 상기 반사 방지층(LRL)은 외부에서 입사하는 외광을 반사할 수 있다. 이 때, 상기 외광은 상기 상부 면(US)에서 제1 광(L1)으로 반사될 수 있다. 또한, 상기 외광은 상기 하부 면(LS)에서 제2 광(L2)으로 반사될 수 있다. 상기 제1 광(L1)의 위상과 상기 제2 광(L2)의 위상은 서로 반대될 수 있다. 따라서, 상기 제1 광(L1) 및 상기 제2 광(L2)이 만나면 상쇄 간섭이 발생할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 광(L1) 및 상기 제2 광(L2)은 함께 소멸할 수 있다. 이에 따라, 상기 반사 방지층(LRL)에서 반사되는 상기 외광은 외부에서 시인되지 않을 수 있고, 상기 표시 장치는 검은색의 영상을 효과적으로 표시할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 도면들이다.
도 2, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 종래에는 상기 반사 방지층(LRL) 상에 실리콘 산질화물(SiNxOy)을 포함하는 제2 무기 봉지층(IL2)이 형성되었다. 상기 제2 무기 봉지층(IL2)은 화학 기상 증착 장치(CVD)에 의해 증착될 수 있다. 이 때, 상기 화학 기상 증착 장치(CVD)는 실레인(SiH4), 아산화질소(N2O) 및 암모니아(NH3)를 이용하여 상기 제2 무기 봉지층(IL2)을 형성할 수 있다. 화학 기상 증착에 의해 상기 제2 무기 봉지층(IL2)이 형성되는 과정에서 상기 반사 방지층(LRL)이 산화될 수 있다. 이 경우, 상기 반사 방지층(LRL)은 외광의 반사를 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 상기 제2 무기 봉지층(IL2)을 형성하기 전에 산소를 포함하지 않는 무기 봉지층이 먼저 형성하여 상기 산화를 방지할 필요가 있다.
도 5a 내지 도 5f는 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 도면들이다.
도 2, 도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 상기 유기 발광 다이오드(OLED) 상에 상기 캡핑층(CAP)이 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)은 SiON, SiNx, ZnOX 및 TiOx 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)은 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 따라서. 상기 캡핑층(CAP)은 무기막 또는 유기막으로 이루어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 이루어질 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)에 이용 가능한 무기 물질은 산화 아연(Znic oxide), 산화 티타늄(titanium oxide), 산화 지르코늄(zirconium oxide), 산화 나이오븀(niobium oxide), 산화 탄탈(tantalum oxide), 산화 주석(tin oxide), 산화 니켈(nickel oxide), 질화 규소(silicon nitride), 질화 인듐(indium nitride) 및 질화갈륨(gallium nitride) 등일 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)에 이용 가능한 유기 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), PEDOT), 4,4'－비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), 4,4',4''-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-MTDAB), 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(BPPM), 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(TCTA), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](TPBI), 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(TAZ), a-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc 등일 수 있다.
또한, 상기 캡핑층(CAP) LiF, Liq, Aluminium(III) bis(2- methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate(BAlq) 및 SiOx 중 적어도 어느 하나의 막일 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)은 무기 물질 및 유기 물질 중 적어도 하나 이상의 물질로 이루어진다. 따라서, 상기 캡핑층(CAP)은 무기막 또는 유기막으로 이루어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 이루어질 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)에 이용 가능한 무기 물질은, 예를 들어, 산화 규소(silicon oxide) 및 플루오르화 마그네슘(magnesium fluoride) 등일 수 있다. 상기 캡핑층(CAP)에 이용 가능한 유기 물질은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium]등일 수 있다.
본 발명에서 상기 캡핑층(CAP)으로 이용 가능한 무기 물질 또는 유기 물질은 전술한 바에 한정되는 것은 아니며, 당업자에게 공지된 다양한 물질로 적절하게 변형할 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(CAP)은 낮은 순도의 유기물을 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 캡핑층(CAP)은 외광 추출율을 향상시키는 고굴절 광학 보조층의 역할을 수행할 수 있다.
상기 캡핑층(CAP) 상에 상기 반사 방지층(LRL)이 형성될 수 있다. 상기 반사 방지층(LRL)은 상부 면 및 하부 면에서 각각 반사되는 외광들의 위상차를 이용하여 상기 외광들을 서로 상쇄 간섭시킬 수 있다. 이를 통해, 상기 반사 방지층(LRL)은 외광의 반사를 억제할 수 있다. 실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 열 증착(thermal evaporation)에 의해 형성될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 이터븀(Yb)을 포함할 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 상기 반사 방지층(LRL)은 비스무트(Bi)를 포함할 수 있다. 이 외에도, 상기 반사 방지층(LRL)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 탄탈륨(Ta), 구리(Cu), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt) 등의 금속을 포함할 수 있다. 또는, 상기 반사 방지층(LRL)은 실리콘 산화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 이트리움 산화물, 베릴륨 산화물, 마그네슘 산화물, 납 산화물, 텅스텐 산화물, 실리콘 질화물, 불화 리튬, 불화 칼슘, 불화 마그네슘 등을 포함할 수도 있다.
상기 반사 방지층(LRL) 상에 상기 제1 무기 봉지층(IL1)이 형성될 수 있다. 상기 제1 무기 봉지층(IL1) 상에는 상기 제2 무기 봉지층(IL2)이 형성될 수 있다. 상기 제1 무기 봉지층(IL1)은 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하기 때문에, 상기 반사 방지층(LRL)이 산화되지 않을 수 있다. 또한, 상기 제2 무기 봉지층(IL2)을 형성할 때, 상기 제1 무기 봉지층(IL1)이 상기 제2 무기 봉지층(IL2)에 포함되는 산호에 의해 상기 반사 방지층(LRL)이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
이 후, 상기 유기 봉지층(OL) 및 상기 제3 무기 봉지층(IL3)이 추가로 형성될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제3 무기 봉지층들(IL1, IL2, IL3)은 화학 기상 증착에 의해 형성되고, 상기 유기 봉지층(OL)은 잉크젯 프린팅 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다. 도 7은 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 8은 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 전자 기기(DD)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550), 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 장치(560)는 도 1 내지 도 11을 참조하여 설명한 표시 장치에 상응할 수 있다. 전자 기기(DD)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신할 수 있는 여러 포트들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 전자 기기(DD)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 전자 기기(DD)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 그러나 전자 기기(DD)는 이에 한정되지 아니하고, 예를 들면, 전자 기기(DD)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 내비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스 등과 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(520)는 전자 기기(DD)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(520)는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM) 장치, 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(phase change random access memory; PRAM) 장치, 알램(resistance random access memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(nano floating gate memory; NFGM) 장치, 폴리머램(polymer random access memory; PoRAM) 장치, 엠램(magnetic random access memory; MRAM), 에프램(ferroelectric random access memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(dynamic random access memory; DRAM) 장치, 에스램(static random access memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치 패드, 터치 스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
파워 서플라이(550)는 전자 기기(DD)의 동작에 필요한 전원을 공급할 수 있다. 표시 장치(560)는 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(560)는 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다.
본 발명은 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 상기 표시 장치를 제조하는 제조 방법에 적용될 수 있다. 상기 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등을 포함할 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
GDV: 게이트 구동부
DDV: 데이터 구동부
DP: 표시 패널 P: 화소
SUB: 기판 BS1: 제1 베이스 기판
BAR1: 제1 베리어층 BS2: 제2 베이스 기판
BAR2: 제2 베리어층 BUF: 버퍼층
GI: 게이트 절연층 ILD: 층간 절연층
TFT: 트랜지스터 ACT: 액티브층
GAT: 게이트 전극 DE: 드레인 전극
SE: 소스 전극 VIA: 비아 절연층
AND: 애노드 전극 EL: 발광층
CATH: 캐소드 전극 PDL: 화소 정의막
CAP: 캡핑층 LRL: 반사 방지층
TFE: 박막 봉지층 IL1: 제1 무기 봉지층
IL2: 제2 무기 봉지층 IL3: 제3 무기 봉지층
OL: 유기 봉지층
DP: 표시 패널 P: 화소
SUB: 기판 BS1: 제1 베이스 기판
BAR1: 제1 베리어층 BS2: 제2 베이스 기판
BAR2: 제2 베리어층 BUF: 버퍼층
GI: 게이트 절연층 ILD: 층간 절연층
TFT: 트랜지스터 ACT: 액티브층
GAT: 게이트 전극 DE: 드레인 전극
SE: 소스 전극 VIA: 비아 절연층
AND: 애노드 전극 EL: 발광층
CATH: 캐소드 전극 PDL: 화소 정의막
CAP: 캡핑층 LRL: 반사 방지층
TFE: 박막 봉지층 IL1: 제1 무기 봉지층
IL2: 제2 무기 봉지층 IL3: 제3 무기 봉지층
OL: 유기 봉지층
Claims (19)
- 광을 방출하는 유기 발광 다이오드;
상기 유기 발광 다이오드 상에 배치되고, 외부에서 입사하는 외광의 반사를 방지하는 반사 방지층; 및
상기 반사 방지층 상에 배치되는 박막 봉지층을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 상부 면 및 하부 면을 포함하고,
상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 상부 면에서 반사되어 제1 광으로 반사되고,
상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 하부 면에서 반사되어 제2 광으로 반사되며,
상기 제1 광의 위상과 상기 제2 광의 위상은 서로 반대되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 이터븀(Yb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 비스무트(Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서, 상기 박막 봉지층은,
제1 무기 봉지층;
상기 제1 무기 봉지층 상에 배치되는 제2 무기 봉지층;
상기 제2 무기 봉지층 상에 배치되는 유기 봉지층; 및
상기 유기 봉지층 상에 배치되는 제3 무기 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 무기 봉지층은 실리콘 질화물을 포함하고,
상기 제2 무기 봉지층은 실리콘 산질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 제3 무기 봉지층은 실리콘 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 무기 봉지층의 두께는 50 내지 150 옹스트롬이고,
상기 제2 무기 봉지층의 두께는 9,000 내지 11,000 옹스트롬이며,
상기 유기 봉지층의 두께는 3 내지 5 마이크로미터이고,
상기 제3 무기 봉지층의 두께는 6,000 내지 8,000 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 무기 봉지층은 상기 반사 방지층의 산화를 방지하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 무기 봉지층들은 화학 기상 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 유기 발광 다이오드와 상기 반사 방지층 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 기판 상에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계;
상기 유기 발광 다이오드 상에 반사 방지층을 형성하는 단계;
상기 반사 방지층 상에 실리콘 질화물을 포함하는 제1 무기 봉지층을 형성하는 단계;
상기 제1 무기 봉지층 상에 실리콘 산질화물을 포함하는 제2 무기 봉지층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 무기 봉지층 상에 유기 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 이터븀(Yb)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 비스무트(Bi)를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 유기 봉지층 상에 실리콘 질화물을 포함하는 제3 무기 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 무기 봉지층의 두께는 50 내지 150 옹스트롬이고,
상기 제2 무기 봉지층의 두께는 9,000 내지 11,000 옹스트롬이며,
상기 유기 봉지층의 두께는 3 내지 5 마이크로미터이고,
상기 제3 무기 봉지층의 두께는 6,000 내지 8,000 옹스트롬인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 반사 방지층은 상부 면 및 하부 면을 포함하고,
상기 반사 방지층으로 입사하는 외광은 상기 상부 면에서 반사되어 제1 광으로 반사되고,
상기 반사 방지층으로 입사하는 상기 외광은 상기 하부 면에서 반사되어 제2 광으로 반사되며,
상기 제1 광의 위상과 상기 제2 광의 위상은 서로 반대되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 무기 봉지층 및 상기 제2 무기 봉지층은 화학 기상 증착에 의해 형성되고,
상기 제1 무기 봉지층은 상기 제2 무기 봉지층이 형성되는 과정에서 상기 반사 방지층이 산화되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 반사 방지층을 형성하기 전에, 상기 유기 발광 다이오드 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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