CN106298843B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光二极管显示器。根据本公开的有机发光二极管(OLED)显示器包括：基底，位于基底上的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上并电联接至薄膜晶体管的第一电极，位于第一电极上的有机发射层，位于有机发射层上的第二电极，以及位于第二电极上的覆盖层，其中第二电极的厚度为约65埃至约125埃，并且其中覆盖层的厚度为约(500*1.88/n)埃至约(700*1.88/n)埃，n是覆盖层的光学常数。

Description

有机发光二极管显示器
相关申请的交叉引用
此申请要求2015年6月25日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2015-0090723的优先权和权益，其全部内容通过引用被合并于此。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器包括空穴注入电极、电子注入电极和位于它们之间并包括有机发射层的有机发光元件。OLED显示器是自发射型显示设备，其中从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中组合形成的激子从激发态下降到基态，从而发射光。
因为OLED显示器作为自发射型显示设备不需要附加的光源，因此OLED显示器由于低操作电压、轻薄设计的实现以及诸如宽视角、高对比度和快速响应速度的高品质特性而作为下一代显示设备备受关注。
然而，当从OLED显示器的侧视角观看时，可能会由于在有机发光元件中设置的发射角度而出现色彩偏移。
在此背景技术部分公开的上述信息只是为了增强对本公开的背景的理解，因此它可能包含不形成在此国家本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
本公开提供了能够减少在侧视角发生的色彩偏移的有机发光二极管(OLED)显示器。
本公开的一个示例性实施例提供了一种OLED显示器，其包括：基底，位于基底上的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上并电联接至薄膜晶体管的第一电极，位于第一电极上的有机发射层，位于有机发射层上的第二电极，以及位于第二电极上的覆盖层，其中第二电极的厚度为约65埃至约125埃，并且其中覆盖层的厚度为约(500*1.88/n)埃至约(700*1.88/n)埃，n是覆盖层的光学常数。
n可与约530纳米的波长相对应。
n在约530纳米的波长下可以为约1.88。
覆盖层的厚度可为约500埃至约700埃。
覆盖层的厚度可为约550埃至约650埃。
n在约530纳米的波长下可以为约2.07。
覆盖层的厚度可为约454埃至约700埃。
n在约530纳米的波长下可以为约2.36。
覆盖层的厚度可为约398埃至约557埃。
第二电极可包括银(Ag)。
第二电极可进一步包括Yb、Mg和Al中的至少一种。
第二电极可以包括约90体积％或以上的银(Ag)。
第二电极的厚度可为约95埃至约105埃。
第一电极和第二电极中的一个可以包括半透层。
覆盖层可包括有机层或无机层。
有机发射层可以包括位于第一电极上的空穴注入层和空穴传输层、位于空穴传输层上的发射层、以及位于发射层上的电子传输层和电子注入层。
第一电极可以包括阳极，并且第二电极可以包括阴极。
OLED显示器可以进一步包括位于覆盖层上的薄膜封装层，薄膜封装层与基底接合并封装，并用于封装有机发光元件。
除了本公开的上述方面，本公开的其它方面将在下面描述，或将通过描述和下面的解释被本领域技术人员清楚地理解。
根据本实施例，如上所述，蓝色偏移可以通过调整OLED显示器的第二电极和覆盖层的厚度来减小，从而提高了侧视角。
另外，本公开的其它方面可以通过本公开的示例性实施例而被新近认识。
附图说明
图1是根据本公开示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的一个像素的电路图。
图2是根据本实施例的OLED显示器的剖视图。
图3是根据本实施例的发光元件的放大剖视图。
图4和图5是示出了有机发射层中的发光机制的示意性剖视图。
图6是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约830埃时的蓝色偏移现象的曲线图。
图7是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约350埃时的蓝色偏移现象的曲线图。
图8是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约550埃时的蓝色偏移现象的曲线图。
图9是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约650埃时的蓝色偏移现象的曲线图。
具体实施方式
通过参考下述对实施例的详细描述以及附图，可以更容易地理解本发明构思的特征及实现本发明构思的方法。然而，本发明构思可以以许多不同的形式体现，而不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。在下文中，将参考附图更详细地描述示例性实施例，其中贯穿全文相同的附图标记指代相同的元件。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，而不应被解释为仅限于在本文中所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例是为了使得此公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此，对于本领域普通技术人员来说对于完整理解本发明的方面和特征并非必要的流程、元件和技术可以不进行描述。除非另有说明，贯穿附图和书面描述，相同的附图标记指代相同的元件，因而其描述将不再重复。在图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大了。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本发明的精神和范围。
出于易于解释的目的，可以在本文中使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个(些)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”和“下面”可以包括上方和下方两种方位。设备可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，本文使用的空间相对描述符可以进行相应的解释。
将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或中间层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或两个层“之间”时，它可以是这两个元件或两个层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或多个中间元件或中间层。
本文使用的术语仅用于描述特定的实施例，并不旨在限制本发明。如本文所用，单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在说明书中使用时，术语“包括”和“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任意和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述在位于一列元素之后时，修饰整列元素，而不是修饰该列中的单独元素。
如本文所用，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员所公认的测量或计算值的固有公差。此外，当描述本发明的实施例时，使用“可以”指的是“本发明的一个或多个实施例”。如本文所用，术语“使用”和“被用来”可以被认为分别与术语“利用”和“被利用来”同义。另外，术语“示例性”意指示例或例示。
根据在本文中描述的本发明实施例的电气或电子设备和/或任何其它相关设备或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些设备的各种组件可以被形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独的IC芯片上。此外，这些设备的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者被形成在一个基底上。此外，这些设备的各种组件可以是在一个或多个计算设备中的、用于执行计算机程序指令并与其它系统组件交互以执行本文中描述的各种功能的一个或多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令被存储在可被实现在利用标准存储设备的计算设备中的存储器中，例如随机存取存储器(RAM)。计算机程序指令还可以被存储在其它的非临时性计算机可读介质中，例如CD-ROM、闪存驱动器等。此外，本领域技术人员应认识到，各个计算设备的功能可以被组合或集成到单个计算设备，或特定计算设备的功能可以跨一个或多个其它计算设备分布，而不脱离本发明的示例性实施例的精神和范围。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文和/或本说明书中的含义一致的含义，将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
首先，参考图1，将描述根据本公开示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的一个像素。图1是根据本公开示例性实施例的OLED显示器的一个像素的电路图。
参考图1，根据本公开当前示例性实施例的OLED显示器包括多条信号线121、171和172、以及被分别连接至多条信号线121、171和172并被布置成大致矩阵形式的多个像素PX。
信号线121、171和172包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的多条第一信号线121、用于传输数据信号的多条第二信号线171、以及用于传输驱动电压Vdd的多条第三信号线172。第一信号线121基本上在行/水平方向上延伸并几乎彼此平行，第二信号线171和第三信号线172在列/垂直方向上延伸并几乎彼此平行，同时与第一信号线121相交。
每个像素PX包括开关薄膜晶体管Q2、驱动薄膜晶体管Q1、存储电容器Cst和有机发光二极管(OLED)70。
开关薄膜晶体管Q2包括控制端、输入端和输出端，控制端连接至第一信号线121，输入端连接至第二信号线171，输出端连接至驱动薄膜晶体管Q1。响应于被施加到第一信号线121的栅极/扫描信号，开关薄膜晶体管Q2将被施加到第二信号线171的数据信号传输到驱动薄膜晶体管Q1。
驱动薄膜晶体管Q1也具有控制端、输入端和输出端，控制端连接至开关薄膜晶体管Q2，输入端连接至第三信号线172，输出端连接至OLED 70。驱动薄膜晶体管Q1允许根据被施加在驱动薄膜晶体管Q1的控制端与输出端之间的电压而变化的输出电流ILD。
存储电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管Q1的控制端与输入端之间。该存储电容器Cst被充以被施加到驱动薄膜晶体管Q1的控制端的数据信号，并且即使在开关薄膜晶体管Q2被截止之后仍保持该数据信号。
OLED 70包括连接至驱动薄膜晶体管Q1的输出端的阳极以及连接至公共电压Vss的阴极。OLED 70通过根据驱动薄膜晶体管Q1的输出电流ILD发射不同强度的光来显示图像。
参考图2和图3，现在将详细描述根据本实施例的OLED显示器。图2是根据本实施例的OLED显示器的剖视图，图3是根据本实施例的发光元件的放大剖视图。
参考图2和图3，根据本公开当前示例性实施例的OLED显示器包括基底123、驱动薄膜晶体管130、第一电极160、第一层161和162、发射层173、第二层174和175、第二电极180和覆盖层190。第一层161和162可以包括空穴注入层161和空穴传输层162，而第二层174和175可以包括电子传输层174和电子注入层175。
在本实施例中，基底123是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘基底。但是本公开的实施例不限于此，基底123可以是由不锈钢等制成的金属基底。
另外，基底缓冲层126位于基底123上，并且用于防止杂质元素渗透并用于平坦化基底123的表面。在本实施例中，基底缓冲层126可以由可以执行上述功能的各种材料形成。例如，可以使用氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiOy)层和氮氧化硅(SiOyNx)层中的任意一种作为基底缓冲层126。然而，取决于所使用的基底123的类型以及取决于其加工条件，在其它实施例中可以省略基底缓冲层126。
驱动半导体层137位于基底缓冲层126上。驱动半导体层137可以由多晶硅层形成。此外，驱动半导体层137包括没有掺杂杂质的沟道区135、以及位于沟道区135的相应侧处、掺杂有杂质的源区134和漏区136。在本实施例中，掺杂的杂质可以根据所使用的薄膜晶体管的类型而不同。
由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOy)制成的栅极绝缘层127位于驱动半导体层137上。包括驱动栅电极133的栅极线位于栅极绝缘层127上。另外，驱动栅电极133至少部分地与驱动半导体层137重叠，具体地，与沟道区135重叠。
覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128位于栅极绝缘层127上。分别暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的接触孔形成在栅极绝缘层127中和层间绝缘层128中。如同栅极绝缘层127，层间绝缘层128可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOy)的陶瓷类材料制成。
此外，包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线位于层间绝缘层128上。驱动源电极131和驱动漏电极132分别经由形成在层间绝缘层128中和栅极绝缘层127中的接触孔连接至驱动半导体层137的源区134和漏区136。
这样，驱动薄膜晶体管130通过包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132来形成。驱动薄膜晶体管130的配置不限于上述示例，可以根据本领域技术人员容易实施的所公开配置进行各种修改。
另外，用于覆盖数据线(131/132)的平坦化层124位于层间绝缘层128上。平坦化层124用于消除台阶，因而平坦化表面，以便改善将形成在平坦化层124上的有机发光元件的发光效率。另外，平坦化层124具有用于暴露驱动漏电极132的一部分的电极接触孔122a。平坦化层124可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中的一种或多种制成。应当注意的是，本公开的实施例不限于上述结构，在其它实施例中可以省略平坦化层124和层间绝缘层128中的任一个或二者。
在本实施例中，阳极是OLED的位于平坦化层124上的第一电极160。OLED显示器包括分别对应于多个像素中的每一个并且彼此隔开/电绝缘的多个第一电极160。第一电极160经由平坦化层124的电极接触孔122a连接至驱动漏电极132。
尽管未示出，但第一电极160可包括包含透明导电材料的第一透明电极和第二透明电极，并且可以包括位于第一透明电极与第二透明电极之间的半透层，以与第二电极180一起形成微腔结构。也就是说，第一电极160可以具有其中第一透明电极、半透层和第二透明电极依次层叠的结构，其中第一透明电极和第二透明电极可以包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)的组中的至少任意一种，并且其中半透层可以是被形成为几纳米或几十纳米的薄膜的选自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和Yb的组中的至少一种。
此外，包括用于暴露第一电极160的开口的像素限定层125位于平坦化层124上。也就是说，像素限定层125包括对于像素中的每一个分别形成的多个开口。在这种情况下，有机发射层170可被提供在由像素限定层125形成的每个开口中。因此，每个有机发射层170被形成的像素区域可以由像素限定层125限定。
在本实施例中，第一电极160与像素限定层125的开口相对应。然而，第一电极160不一定仅位于像素限定层125的开口中，而是也可以部分地位于像素限定层125的下方，使得像素限定层125部分地重叠第一电极160。像素限定层125可以由聚丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂或硅基无机材料制成。
同时，有机发射层170位于第一电极160上。下面将详细描述有机发射层170的结构。
此外，第二电极180，也就是本实施例中的阴极，可位于有机发射层170上。这样，形成了包括第一电极160、有机发射层170和第二电极180的有机发光元件LD。在本实施例中，第二电极180可以由银(Ag)、Yb、Mg、Al及其合金(Ag:Yb、Ag:Mg、Ag:Al、Ag:Al:Mg等)中的任意一种制成，并且可以被形成为多层。银(Ag)的含量可以为90体积％或以上。包括银(Ag)及其合金的第二电极180可以向设备提供高可靠性和稳定性，因为这样的材料具有优异的反射率和较少的光吸收。第二电极180的厚度可为约65埃至约125埃。
根据本实施例的OLED显示器被示例性地描述为底部发射型，其中第一电极160包括半透层并且其中第二电极180不包括半透层，不过本公开不限于此，根据用于形成第一电极160和第二电极180的材料，OLED显示器可以是顶部发射型或双发射型。
用于覆盖和保护第二电极180的覆盖层190位于第二电极180上，并可以由有机层或无机层形成。对于在约530纳米的波长下的光学常数n(例如当由有机发射层170发射的光的波长为约530纳米时)，覆盖层190的厚度可为约(500*1.88/n)埃至约(700*1.88/n)埃。例如，作为本公开的一个示例性实施例，对于在约530纳米的波长下的大约1.88的光学常数，覆盖层190的厚度可为约500埃至约700埃。此外，作为本公开的另一示例性实施例，对于在约530纳米的波长下的大约2.07的光学常数，覆盖层190的厚度可为约454埃至约700埃。此外，作为本公开的另一示例性实施例，对于在约530纳米的波长下的大约2.36的光学常数，覆盖层190的厚度可为约398埃至约557埃。
另外，薄膜封装层141位于覆盖层190上。薄膜封装层141密封并保护基底123上的有机发光元件LD和驱动电路单元/驱动薄膜晶体管130配置免受外部(例如空气和外部杂质)影响。
薄膜封装层141包括一次一层地交替层叠的有机封装层141a和141c以及无机封装层141b和141d。图2示出了其中两个有机封装层141a和141c与两个无机封装层141b和141d一层接一层地交替层叠来配置薄膜封装层141的示例性情况，不过本公开不限于此。
参考图3，现在将详细描述本公开的有机发光元件。图3示出了图2的有机发光元件的局部放大剖视图。
根据本公开当前示例性实施例的有机发光元件(其区域在图2中用X表示)具有其中第一电极160、空穴注入层161、空穴传输层162、发射层173、电子传输层174、电子注入层175、第二电极180和覆盖层190依次层叠的结构。也就是说，图2的有机发射层170包括图3的空穴注入层161、空穴传输层162、发射层173、电子传输层174和电子注入层175。
在本实施例中，空穴注入层161可位于第一电极160上，并且可以是用于提高从第一电极160到空穴传输层162的空穴注入的层。空穴注入层161可包括铜酞菁(CuPc)、聚-3,4-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)、N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺(NPD)等，不过本公开不限于此。
空穴传输层162可以位于空穴注入层161上，并且可以用于有效地传输从空穴注入层161传送的空穴。例如，空穴传输层162包括NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、s-TAD、MTDATA(4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)等，不过本公开不限于此。
在当前示例性实施例中，空穴注入层161和空穴传输层162形成层叠结构，不过它们不限于此，空穴注入层161和空穴传输层162可以替代地被形成为单层。
此外，缓冲层可被进一步包括以位于空穴传输层162上，并且可以控制从第一电极160传送到发射层173的空穴的量，并且还可以控制从发射层173穿透到空穴传输层162的电子的量。也就是说，可选的缓冲层可以用于控制空穴的量同时阻挡电子，可以帮助空穴和电子的组合，并且可以阻止电子穿透空穴传输层162，从而防止空穴传输层162被电子损坏。
发射层173包括呈现给定颜色的发光材料。例如，发射层173可以呈现诸如蓝色、绿色、红色的原色，或可以呈现原色的组合。作为本公开的一个示例，发射层173可以包括蓝色发射层、绿色发射层和红色发射层。发射层173包括主体和掺杂剂，并且可以包括发射红光、绿光、蓝光和白光的材料，并且可以使用磷光或荧光材料来形成。
当被配置为发射红光时，发射层173包括包含CBP(咔唑联苯)或mCP(1,3-双(咔唑-9-基))的主体材料，并且可以由包含掺杂剂的磷光材料制成，磷光材料包括选自PIQIr(乙酰丙酮)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(乙酰丙酮)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)和PtOEP(八乙基卟啉铂)的组中的一种或多种，或可替代地，可以由包括PBD:铕(DBM)3(苯酚)或二萘嵌苯的荧光材料制成，不过发射层173不限于此。
当被配置为发射绿光时，发射层173包括包含CBP或mCP的主体材料，并且可以由包括含有铱(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)铱)的掺杂材料的磷光材料制成，或可替代地，可以由包含Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料制成，尽管发射层173不限于此。
当被配置为发射蓝光时，发射层173包括包含CBP或者mCP的主体材料，并且可以由包括含有(4,6-F2ppy)2Irpic的掺杂材料的磷光材料制成。可替代地，发射层173可以由包括选自螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基芳烃(DSA)、PFO基聚合物、以及PPV基聚合物的组中的至少一种的荧光材料制成，不过发射层173不限于此。
电子传输层174可以设置在发射层173上。在这种情况下，电子传输层174可以将电子从第二电极180传输到发射层173。另外，电子传输层174可以防止从第一电极160注入的空穴穿过发射层173并移动到第二电极180。也就是说，电子传输层174可以用作空穴阻挡层，并且有助于空穴和电子在发射层173中的组合。在本实施例中，电子传输层174可以由选自Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq的组中的一种或多种制成，不过本公开不限于此。
电子注入层175位于电子传输层174上，并且是用于提高从第二电极180到电子传输层174的电子注入的层。电子注入层175可以包括Alq3、LiF、镓(Ga)络合物、PBD等，不过电子注入层175不限于此。
参考图4和图5，将描述有机发射层170中的发光机制。图4和图5是示出了有机发射层170中的发光机制的示意性剖视图。在图4和图5中，示出了第一电极160、有机发射层170和第二电极180。
第一电极160用作反射光的反射电极，而第二电极180用作透射一部分光同时反射光的剩余部分的半透明电极。因此，从有机发射层170辐射的光的一部分穿过第二电极180，以被发射到显示器的外部，而从有机发射层170辐射的光的剩余部分不穿过第二电极180，并被反射回第一电极160。换句话说，由于光学谐振的产生，光可以在第一电极160与第二电极180之间反复反射。这种现象被称为微腔现象。
此外，从有机发射层170辐射的光根据发射角度可具有不同波长。具体地，当与光的垂直分量相比在光中存在更大的水平分量时，也就是当光的发射角度(θ)增加时，光的波长变得更短，并移动到蓝色波段。从用户的角度来看，随着视角增加，图像的蓝色偏移现象更容易被用户识别。
与从有机发射层170辐射的光S的第一入射光L1的波长相关联的谐振距离可以不同于从有机发射层170辐射的光S的第二入射光L2的波长相关联的谐振距离，其中第一入射光L1直接透过第二电极180以发射到外部，第二入射光L2没有直接透过第二电极180，而是被反射回第一电极160，从第一电极160反射，然后透过第二电极180，以发射到显示面板的外部。也就是说，蓝色偏移现象可与第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)成正比地产生。
根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移可以由2*n*D*cos(θ)表示，其中n是有机发射层170的光学常数，D是第一电极160与第二电极180之间的距离，θ是相对于光的垂直分量倾斜的发射角度。当被计算成角度时，根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移可由2π(2*n*D*cos(θ))/λ表示。这里，λ是光的波长。
此外，参考图5，蓝色偏移现象可以根据从有机发射层170辐射的光S的由第一电极160反射的第一反射相位
Figure BDA0000989315200000111
并根据从有机发射层170辐射的光S的由第二电极180反射的第二反射相位
Figure BDA0000989315200000112
而变化。也就是说，蓝色偏移可以由根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移、由第一电极160反射的第一反射相位
Figure BDA0000989315200000113
以及由第二电极180反射的第二反射相位
Figure BDA0000989315200000114
确定，并且可以由2
Figure BDA0000989315200000115
表示。
在下文中，参考图6至图9，将描述蓝色偏移现象如何根据第二电极和覆盖层的厚度变化的趋势。图6是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约830埃时的蓝色偏移现象的曲线图，图7是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约350埃时的蓝色偏移现象的曲线图，图8是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约550埃时的蓝色偏移现象的曲线图，并且图9是示出了当第二电极的厚度是大约100埃并且覆盖层的厚度是大约650埃时的蓝色偏移现象的曲线图。图6至图9的每个水平轴表示发射角(θ)，并且图6至图9的每个垂直轴表示相移。在该例子中，覆盖层在约530纳米的波长下具有大约1.88的光学常数。
首先，参考图6，线A表示根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移。因为根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移与cos(θ)成正比，因此随着发射角(θ)接近90°，相移减小。
线B表示根据由第二电极180反射的第二反射相位
Figure BDA0000989315200000116
的相移，线C表示根据由第一电极160反射的第一反射相位
Figure BDA0000989315200000117
的相移。
从第一电极160和第二电极180反射的光根据其偏振被分成作为光的垂直偏振分量的P波分量和作为光的水平偏振分量的S波分量。在第一电极160和第二电极180中产生的相移由P波分量和S波分量的平均来确定。
例如，基于60°的发射角(θ)，从第二电极180反射的光的P波分量为约-5.82，这降低了蓝色偏移，S波分量为约16.7，这导致/增加蓝色偏移，并且根据第二反射相位
Figure BDA0000989315200000118
的相移为约5.43，这是P波分量和S波分量的平均，因而导致蓝色偏移。
此外，基于60°的发射角(θ)，从第一电极160反射的光的P波分量为约-7.64，这降低了蓝色偏移，S波分量为约12.5，这导致/增加蓝色偏移，并且根据第一反射相位
Figure BDA0000989315200000121
的相移为约2.43，这是P波分量和S波分量的平均，因而导致蓝色偏移。
线D表示由
Figure BDA0000989315200000122
确定的总相移。
考虑P波分量，基于60°的发射角(θ)，根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移2π(2*n*D*cos(θ))/λ为约58.1，第一反射相位
Figure BDA0000989315200000123
为约-7.64，并且第二反射相位
Figure BDA0000989315200000124
为约-5.82。也就是说，根据P波分量的总相移为约58.1-(7.64+5.82)＝44.6。
考虑S波分量，基于60°的发射角(θ)，根据第二入射光L2和第一入射光L1之间的路径差(α-β)的相移2π(2*n*D*cos(θ))/λ为约58.1，第一反射相位
Figure BDA0000989315200000125
为约12.5，并且第二反射相位
Figure BDA0000989315200000126
为约16.7。也就是说，根据S波分量的总相移为约58.1+(12.5+16.7)＝87.3。
因此，其中考虑了P波分量和S波分量二者的总相移被认为是约(44.6+87.3)/2＝65.9，从而诱导蓝色偏移。
现在，参考图7至图9，当第二电极的厚度为约100埃时，可以根据覆盖层的厚度变化观察总相移。
首先，参考图7，当第二电极的厚度为约100埃并且覆盖层的厚度为约350埃时，基于60°的发射角(θ)，考虑了P波分量和S波分量二者的根据第二反射相位
Figure BDA0000989315200000127
的相移为约10.1，从而导致蓝色偏移。
在这种情况下，考虑了P波分量和S波分量二者的总相移为约(1.18+150)/2＝75.6，从而导致蓝色偏移。
接下来，参考图8，当第二电极的厚度为约100埃并且覆盖层的厚度为约550埃时，基于60°的发射角(θ)，考虑了P波分量和S波分量二者的根据第二反射相位
Figure BDA0000989315200000128
的相移为约-1.73，从而减小了蓝色偏移。
在这种情况下，考虑了P波分量和S波分量二者的总相移为约(28+96.1)/2＝62，从而导致蓝色偏移。
接下来，参考图9，当第二电极的厚度为约100埃并且当覆盖层的厚度为约650埃时，基于60°的发射角(θ)，考虑了P波分量和S波分量二者的根据第二反射相位
Figure BDA0000989315200000129
的相移为约-1.65，从而减小了蓝色偏移。
在这种情况下，考虑了P波分量和S波分量二者的总相移为约(28.4+93.4)/2＝60.9，从而导致蓝色偏移。
也就是说，当比较图7至图9时，第二反射相位
Figure BDA0000989315200000131
在第二电极的厚度为约100埃并且在覆盖层的厚度为约550埃时最小，从而减小了蓝色偏移。总相移在第二电极的厚度为约100埃并且覆盖层的厚度为约650埃时最小，从而减小了蓝色偏移。
这样，在本实施例中，通过将第二电极形成为具有约65埃至约125埃的厚度，并通过将在约530纳米的波长下具有约1.88的光学常数的覆盖层形成为具有约500埃至约700埃的厚度，蓝色偏移可被减少，因而侧视角可以得到提高。
此外，在本公开的另一示例性实施例中，通过将第二电极形成为具有约65埃至约125埃的厚度，并通过将在约530纳米的波长下具有约2.07的光学常数的覆盖层形成为具有约454埃至约700埃的厚度，蓝色偏移可被减少，因而侧视角可以得到提高。
此外，在本公开的进一步示例性实施例中，通过将第二电极形成为具有约65埃至约125埃的厚度，并通过将在约530纳米的波长下具有约2.36的光学常数的覆盖层形成为具有约398埃至约557埃的厚度，蓝色偏移可被减少，因而侧视角可以得到提高。
总之，在本实施例中，通过将第二电极形成为具有约65埃至约125埃的厚度，优选地具有约95埃至约105埃的厚度，并通过将在约530纳米的波长下具有n的光学常数的覆盖层形成为具有约(500*1.88/n)埃至约(700*1.88/n)埃的厚度，蓝色偏移可被减少，因此侧视角可以得到提高。
尽管已经结合目前被认为是实际的示例性实施例描述了此公开，但是应当理解，公开不限于所公开的实施例，而是相反，意在覆盖被包括在所附权利要求及其等同方案的精神和范围内的各种修改和等同布置。
一些附图标记的说明
123：基底 130：薄膜晶体管
160：第一电极 171：空穴注入层
172：空穴传输层 173：发射层
174：电子传输层 175：电子注入层
180：第二电极 190：覆盖层

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基底；
位于所述基底上的薄膜晶体管；
位于所述薄膜晶体管上并电联接至所述薄膜晶体管的第一电极；
位于所述第一电极上的有机发射层；
位于所述有机发射层上的第二电极；以及
位于所述第二电极上的覆盖层，
其中所述第二电极的厚度为65埃至125埃，并且
其中所述覆盖层的厚度为500*1.88/n埃至700*1.88/n埃，n是所述覆盖层的光学常数。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中n与530纳米的波长相对应。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中n在530纳米的波长下为1.88。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述覆盖层的厚度为500埃至700埃。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中n在530纳米的波长下为2.07。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述覆盖层的厚度为454埃至700埃。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中n在530纳米的波长下为2.36。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述覆盖层的厚度为398埃至557埃。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二电极包括选自Ag、Yb、Mg和Al的至少一种。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二电极的厚度为95埃至105埃。
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