CN105390525A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105390525A
CN105390525A CN201510542220.1A CN201510542220A CN105390525A CN 105390525 A CN105390525 A CN 105390525A CN 201510542220 A CN201510542220 A CN 201510542220A CN 105390525 A CN105390525 A CN 105390525A
Authority
CN
China
Prior art keywords
inorganic layer
layer
viewing area
display unit
encapsulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510542220.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105390525B (zh
Inventor
李省龙
徐常源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN202011378739.8A priority Critical patent/CN112467055A/zh
Publication of CN105390525A publication Critical patent/CN105390525A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105390525B publication Critical patent/CN105390525B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括基底，具有显示区域的中央区域以及围绕中央区域设置的外周区域限定在基底上。显示装置包括：显示区域无机层，位于显示区域上，并延伸到外周区域的一部分；以及包封无机层，覆盖显示区域，位于显示区域无机层上，并具有与显示区域无机层的边缘平行的边缘，或者具有延伸越过显示区域无机层的边缘的边缘。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求于2014年8月29日提交的第10-2014-0114517号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的一个或更多个实施例涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
最近，以各种方式使用显示装置。此外，随着显示装置已经变得厚度小且重量轻，显示装置的使用范围已经得到扩展。
具体地讲，已经使用便携式薄平板显示装置取代显示装置。
显示装置在基板上可具有显示区域以朝向用户产生可见光线，并且发射光的显示器件可形成在显示区域中。
为了保护显示器件免受外来物质影响，在显示器件上形成包封层或包封构件。
然而，当包封构件的耐久性降低，因而包封构件未恰当地保护显示器件时，显示装置的耐久性和图像质量方面的改善受到限制。
具体地讲，当包封构件未稳定地覆盖显示器件而是剥落或损坏时，包封构件的包封特性劣化，从而影响显示装置的耐久性和图像质量。
发明内容
本发明的一个或更多个实施例包括一种显示装置及其制造方法。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，且部分地通过描述将是明显的，或者可通过提出的实施例的实践而获知。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种显示装置包括具有中央区域和围绕所述中央区域的外周区域的基底，中央区域具有显示区域。所述显示装置还包括：显示区域无机层，位于显示区域上，并延伸到外周区域的一部分；以及包封无机层，位于显示区域无机层上，覆盖显示区域，并具有与显示区域无机层的边缘平行的边缘，或者具有延伸越过显示区域无机层的边缘的边缘。
包封无机层可比基底小，包封无机层的所述边缘可与基底的边缘隔开。
显示区域无机层可比基底小，显示区域无机层的所述边缘可与基底的边缘隔开。
包封无机层的至少一个边缘可延伸越过显示区域无机层的边缘，从而可位于基底上。
包封无机层可包括主要区域以及连接到主要区域并比主要区域更接近基底的边缘的阴影区域。
主要区域可延伸越过显示区域无机层的边缘，阴影区域可位于基底上。
主要区域的边缘可不延伸越过显示区域无机层的边缘，阴影区域可接触显示区域无机层的侧表面。
阴影区域可具有倾斜的侧表面。
显示装置还可包括与显示区域无机层分开的分开构件，包封无机层的阴影区域可不延伸越过分开构件，阴影区域可以不比分开构件更接近基底的边缘。
阴影区域可接触分开构件的侧表面。
阴影区域可与分开构件的侧表面分开。
分开构件可包括与显示区域无机层的材料相同的材料。
显示装置还可包括介于基底与显示区域无机层之间的阻挡层。
包封无机层的至少一个边缘可延伸越过阻挡层的边缘。
阻挡层的至少一个边缘可延伸越过包封无机层的边缘。
显示装置还可包括与显示区域无机层分开的分开构件，包封无机层的阴影区域可不延伸越过分开构件，从而不比分开构件更接近基底的边缘，分开构件可位于阻挡层上。
显示装置还可包括与显示区域无机层分开的分开构件，包封无机层的阴影区域可不延伸越过分开构件，从而不比分开构件更接近基底的边缘，分开构件可包括与阻挡层的材料相同的材料。
显示装置还可包括介于显示区域无机层与包封无机层之间的包封有机层，以覆盖显示区域。
包封有机层可比显示区域无机层小。
包封有机层可比包封无机层小。
显示装置还可包括比包封有机层更接近基底的边缘的阻挡构件。
阻挡构件可包括多个阻挡构件。
多个阻挡构件的高度可不同。
包封无机层可包括多个堆叠的无机层。
显示装置还可包括覆盖显示区域的包封有机层，包封有机层可介于包封无机层的多个堆叠的无机层之间，并且可比多个堆叠的无机层小。
包封有机层可包括多个有机层，多个有机层中的至少一个可介于包封无机层的多个堆叠的无机层中的一个与显示区域无机层之间。
显示装置还可包括介于显示区域无机层与包封无机层之间的功能层。
功能层可包括适合于控制可见光线的折射率的层。
显示装置还可包括介于功能层与包封无机层之间的第一保护层。
显示装置还可包括位于包封无机层上的第二保护层，第二保护层可以比包封无机层大。
基底可包括有机材料。
显示区域可包括：至少一个显示器件；薄膜晶体管(TFT)，电连接到至少一个显示器件，并包括有源层、栅极、源极和漏极，显示区域无机层可接触从所述源层、所述栅极、所述源极和所述漏极中选择的至少一个。
显示区域无机层可与栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个对应，其中，栅极绝缘层可使有源层与栅极绝缘，层间绝缘层可使源极和漏极与栅极绝缘。
至少一个显示器件可包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间并包括有机发射层的中间层。
根据本发明的一个或更多个实施例，提供一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括具有中央区域和围绕中央区域的外周区域的基底。所述方法包括：在显示区域上形成显示区域无机层，显示区域无机层延伸到外周区域的一部分；形成覆盖显示区域的包封无机层，包封无机层位于显示区域无机层上，并具有与显示区域无机层的边缘平行的边缘，或者具有伸出延伸越过显示区域无机层的边缘的边缘。
可通过使用沉积方法执行形成包封无机层的步骤。
形成包封无机层的步骤可包括通过使用掩模使包封无机层图案化，以使包封无机层与基底的至少一个边缘分开。
附图说明
通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1示出了根据本发明的实施例的显示装置的平面图；
图2是沿图1的线II-II截取的显示装置的剖视图；
图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11示出了图2的显示装置的修改示例；
图12示出了根据本发明的另一实施例的显示装置的平面图；
图13是沿图12的线III-III截取的显示装置的剖视图；
图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22和图23示出了图13的显示装置的修改示例；
图24示出了根据本发明的另一实施例的显示装置的平面图；
图25是沿图24的线IV-IV截取的显示装置的剖视图；
图26、图27和图28示出了图25的显示装置的修改示例；
图29示出了根据本发明的另一实施例的显示装置的平面图；
图30是沿图29的线VA-VA和线VB-VB截取的显示装置的剖视图；
图31示出了根据本发明的另一实施例的显示装置的平面图；
图32是沿图31的线VIA-VIA和线VIB-VIB截取的显示装置的剖视图；
图33示出了根据本发明的另一实施例的显示装置的平面图；
图34是沿图33的线XA-XA和线XB-XB截取的显示装置的剖视图。
具体实施方式
由于本发明允许各种改变和多种实施例，因此将在附图中示出具体实施例并在书面描述中详细描述具体实施例。通过下面参照示例性实施例和附图进行的详细描述，可更容易地理解本发明的效果和特征以及实现本发明的效果和特征的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应该被解释为局限于在这里所阐述的实施例。
在下文中，在一个或更多个实施例中，尽管可使用如“第一”、“第二”等此种术语，但这样的组件不必受限于以上术语，以上术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
在下文中，在一个或更多个实施例中，除非存在与之相反的具体描述，否则单数形式也可包括复数形式。
在下文中，在一个或更多个实施例中，诸如“包括”或“包含”的术语用于说明存在列举的特征或组件，但不排除存在一个或更多个其它列举的特征或一个或更多个其它组件。
在下文中，在一个或更多个实施例中，还将理解的是，当诸如层、区域或组件的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可直接在另一元件上，或者在所述元件与所述另一元件之间也可存在诸如层、区域或组件的中间元件。此外，当第一元件被描述为“结合”或“连接”到第二元件时，第一元件可“直接结合”或“直接连接”到第二元件，或者可以在一个或更多个其它元件布置在它们之间的情况下“间接结合”或“间接连接”到第二元件。
在附图中，为了便于描述并且为了清楚起见，夸大了层和区域的尺寸。例如，为了便于描述，每个元件的尺寸和厚度可以是随意的，因此，本发明的一个或更多个实施例不限于此。
在下文中，在一个或更多个实施例中，X轴、Y轴和Z轴可不限于直角坐标系的三个轴，而是可解释为包括三个轴的宽泛含义。例如，X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
在一个或更多个实施例中，操作过程的顺序可与描述的不同。例如，顺序描述的两个操作过程可同时或基本上同时执行，或者可按照与描述的顺序相反的顺序执行。
在下文中，下面将参照附图更详细地描述本发明的一个或更多个实施例。不管图号如何，相同或相应的那些组件由相同的附图标记呈现，并且省略冗余的解释。
如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和所有组合。当诸如“…中的至少一个(种)(者)”的表述在一列元件之后时，修饰的是整列元件而不是修饰该列元件中的单个元件。
图1示出了根据本发明的实施例的显示装置1000的平面图。图2是沿图1的线II-II截取的显示装置1000的剖视图。
参照图1和图2，显示装置1000包括基底101。具有显示区域DA的中央区域CA以及设置在中央区域CA的周围的外周区域PA限定在基底101上。
显示区域无机层110和包封无机层120形成在基底101上。
下面更详细地描述每个组件/结构。
基底101可包括各种材料。更详细地讲，基底101可由玻璃材料、金属材料或一种或更多种合适的有机材料和/或其它合适的材料形成。
在实施例中，基底101可以是柔性基底101。这里，柔性基底101是指具有适合于折弯、弯曲、折叠和/或卷绕(例如，相对容易)的柔性的基底。柔性基底101可由超薄玻璃、金属或塑料形成。例如，当使用塑料时，基底101可由聚酰亚胺(PI)形成，但一个或更多个实施例不限于此，而是可使用各种合适的材料中的一种或更多种。
显示装置1000可按照各种合适的方式来形成。在实施例中，可对母基底执行处理以使母基底包括多个显示装置1000，然后可执行切割工艺，从而可形成多个显示装置1000。在另一实施例中，可在一个母基底上形成一个显示装置1000。
基底101分成外周区域PA和中央区域CA。更具体地讲，外周区域PA指与基底101的边缘邻近的区域，中央区域CA指与外周区域PA相比朝内布置的区域。
中央区域CA可包括至少一个显示区域DA。
显示区域DA可包括至少一个显示器件(未示出)，例如，用于显示图像的有机发光器件(OLED)。此外，多个像素可设置在显示区域DA中。
非显示区域(未示出)可在显示区域DA的周围形成。更具体地讲，非显示区域可围绕显示区域DA形成。在实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的多个侧邻近。在另一实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的一侧邻近。
在另一实施例中，仅显示区域DA可布置在中央区域CA中。即，非显示区域可仅形成在外周区域PA中。
焊盘区域(未示出)可形成在非显示区域中。就这点而言，驱动器或多个焊盘单元(未示出)可设置在焊盘区域中。
显示区域无机层110形成在基底101上。更具体地讲，显示区域无机层110形成在显示区域DA上。例如，显示区域无机层110可形成在布置在显示区域DA中的显示器件下方，可形成为邻近于显示器件，或者可形成为与包括在显示器件中的多个构件中的一个邻近。
显示区域无机层110可形成在显示区域DA中，并可延伸越过外周区域PA的一部分(从外周区域PA的一部分伸出)。
在实施例中，显示区域无机层110的多个边缘之中的至少一个边缘可与基底101的边缘分开(例如，隔开)。也就是说，基底101的顶表面的一部分可不被显示区域无机层110覆盖，而是可在与显示区域无机层110的至少一个边缘和基底101的边缘之间的间隙对应的区域处暴露。
显示区域无机层110可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，显示区域无机层110可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更具体地讲，显示区域无机层110可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
外周区域PA可设置为与基底101的边缘邻近。在实施例中，外周区域PA可设置为与基底101的所有边缘邻近。
包封无机层120在基底101上覆盖显示区域DA，并形成在显示区域无机层110上。例如，包封无机层120形成为覆盖布置在显示区域DA中的显示器件。通过覆盖显示区域DA，更具体地讲，通过覆盖显示器件，包封无机层120可阻挡或可减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。
包封无机层120形成在显示区域无机层110上。此外，包封无机层120的至少一个边缘比显示区域无机层110的边缘进一步延伸。也就是说，包封无机层120的至少一个边缘可超过显示区域无机层110的边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的边缘之外或比显示区域无机层110的边缘进一步延伸)，从而可接触基底101的顶表面。
在实施例中，包封无机层120的所有边缘可超过显示区域无机层110的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的相应边缘之外或比显示区域无机层110的各个边缘进一步延伸)，从而可接触基底101的顶表面。
包封无机层120可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，包封无机层120可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更具体地讲，包封无机层120可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
图3示出了图2的显示装置1000的修改示例。参照图3，包封无机层120包括主要区域120a和阴影区域120b。即，当形成包封无机层120时，例如，当使用掩模(未示出)通过沉积形成包封无机层120时，阴影区域120b可通过掩模与基底101之间的空间来形成。阴影区域120b可具有倾斜的侧表面，在一些情况下，倾斜的侧表面可具有曲面。
可按照各种方式执行沉积，例如，可使用化学气相沉积(CVD)。
当使用掩模通过沉积来形成包封无机层120时，包封无机层120可具有与基底101的边缘分开(例如，隔开)的图案。
包封无机层120的主要区域120a可形成在显示区域无机层110上，可延伸越过显示区域无机层110的边缘(从显示区域无机层110的边缘伸出)，从而可接触基底101的顶表面。即，包封无机层120的主要区域120a是与图2的包封无机层120对应的结构或组件。
包封无机层120的阴影区域120b可连接到主要区域120a的边缘，可与显示区域无机层110的边缘分开(例如，隔开)，并可设置在基底101上(例如，可直接设置在基底101上或者可接触基底101)。
图1至图3中示出的实施例中的包封无机层120的至少一个边缘或者实施例中的包封无机层120的所有边缘超过显示区域无机层110的各个边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的各个边缘之外或比显示区域无机层110的各个边缘更远地延伸)，从而形成在基底101的顶表面上(例如，可直接形成在基底101的顶表面上或者可接触基底101的顶表面)。
也就是说，由于包封无机层120的边缘区域接触基底101的顶表面，因此能够防止或基本上防止包封无机层120的边缘从显示区域无机层110剥落，从而可改善包封无机层120的包封特性。
在实施例中，当基底101由诸如塑料的有机材料形成时，包封无机层120接触基底101的顶表面，从而在制造或使用显示装置1000时，能够有效地减少或防止包封无机层120从基底101剥落。例如，当在制造显示装置1000的过程中执行高温工艺或高湿度工艺时，包封无机层120会收缩或膨胀，从而会在包封无机层120中产生应力。这里，包括有机材料的基底101会减轻包封无机层120的应力。
通过这样做，可容易地实现具有诸如折弯或折叠的柔性的增大了用户便利性的显示装置1000。
此外，由于基底101的至少一个边缘与包封无机层120的边缘分开(例如，隔开)，因此基底101的顶表面的一部分未被覆盖，而是暴露在与基底101的边缘邻近的外周区域PA中。基底101的暴露的区域基本上防止或彻底防止在制造显示装置1000时在用于分开的切割工艺过程中出现的裂纹的传播。
图4至图11示出了图2的显示装置1000的修改示例。
参照图4，阻挡层102形成在基底101上。阻挡层102设置在基底101与显示区域无机层110之间。阻挡层102可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成，例如，阻挡层102可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更具体地讲，阻挡层102可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
包封无机层120形成在显示区域无机层110上。此外，包封无机层120的至少一个边缘超过显示区域无机层110和阻挡层102的边缘(例如，延伸到显示区域无机层110和阻挡层102的边缘之外或比显示区域无机层110和阻挡层102的边缘更远地延伸)。也就是说，包封无机层120的至少一个边缘可超过显示区域无机层110的边缘和阻挡层102的边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的边缘和阻挡层102的边缘之外或比显示区域无机层110的边缘和阻挡层102的边缘更远地延伸)，进而可接触基底101的顶表面。
在实施例中，包封无机层120的所有边缘可超过显示区域无机层110的相应边缘和阻挡层120的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的各个边缘和阻挡层102的各个边缘之外或比显示区域无机层110的各个边缘和阻挡层102的各个边缘延伸的更远)，进而可接触基底101的顶表面。
在实施例中，显示区域无机层110的侧表面和阻挡层102的侧表面可彼此平行地形成。
阻挡层102可阻挡或基本上阻挡诸如湿气或氧的外来物质穿过或穿透基底101。
参照图5，包封有机层140形成在显示区域无机层110上。包封有机层140设置在显示区域无机层110与包封无机层120之间。
包封有机层140的边缘未延伸越过显示区域无机层110的边缘。也就是说，包封有机层140可形成为比显示区域无机层110小。通过这样做，包封有机层140可与基底101的顶表面分开(或隔开)。
在实施例中，包封有机层140可形成为比显示区域无机层110和包封无机层120小。
包封有机层140可在基底101上覆盖显示区域DA，例如，包封有机层140可覆盖布置在显示区域DA中的显示器件(未示出)。
包封有机层140可阻挡、基本上阻挡或者可减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。具体地讲，包封有机层140和包封无机层120可一起使用，从而可改善包封无机层120的包封特性。此外，包封有机层140可容易地形成平坦表面。
包封有机层140可由各种合适的有机材料中的一种或更多种形成，例如，包封有机层140可包括树脂。在实施例中，包封有机层140可包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂和/或聚酰亚胺类树脂。
参照图6，阻挡构件150进一步添加到图5中示出的结构。更详细地讲，阻挡构件150形成在显示区域无机层110上，并比包封有机层140更接近基底101的边缘。通过这样做，当形成包封有机层140时，能够减少、基本上防止或防止包封有机层140的材料或包封有机层140朝向基底101的边缘的溢流。
阻挡构件150可设置在显示区域无机层110与包封无机层120之间。
可形成如图6所示的一个阻挡构件150，或者可形成如图7所示的多个阻挡构件150。
参照图7，阻挡构件150可包括第一阻挡构件151和第二阻挡构件152，第二阻挡构件152的高度可比第一阻挡构件151的高度高。也就是说，与第一阻挡构件151相比更接近基底101的边缘的第二阻挡构件152的高度可比第一阻挡构件151的高度高，通过这样做，当形成包封有机层140时，包封有机层140的非正常溢流或包封有机层140的材料的非正常溢流可被第一阻挡构件151首先地阻挡或基本上阻挡，然后可被第二阻挡构件152再次地且有效地阻挡或基本上阻挡。
虽然未示出，但在一些实施例中，阻挡构件150可包括至少三个阻挡构件(未示出)，三个阻挡构件的高度可改变。
参照图8，包封无机层120包括多个无机层，即，第一无机层121和第二无机层122。第一无机层121形成在显示区域无机层110上，第二无机层122形成在第一无机层121上。
第一无机层121和第二无机层122在基底101上覆盖显示区域DA并形成在显示区域无机层110上。例如，第一无机层121和第二无机层122可形成为覆盖布置在显示区域DA中的显示器件(未示出)。第一无机层121和第二无机层122可覆盖显示区域DA，例如，可覆盖显示器件，从而可阻挡、基本上阻挡或减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。
第一无机层121和第二无机层122形成在显示区域无机层110上。此外，第一无机层121的至少一个边缘和第二无机层122的至少一个边缘可超过显示区域无机层110的边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的边缘之外或比显示区域无机层110的边缘更远地延伸)。也就是说，第一无机层121和第二无机层122的边缘可超过显示区域无机层110的边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的边缘之外或比显示区域无机层110的边缘更远地延伸)，进而可接触基底101的顶表面。
在实施例中，第一无机层121和第二无机层122的所有边缘可超过显示区域无机层110的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层110的相应边缘之外或比显示区域无机层110的相应边缘更远地延伸)，进而可接触基底101的顶表面。
在实施例中，第一无机层121的侧表面和第二无机层122的侧表面可形成为彼此平行。
第一无机层121和第二无机层122可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成，或者可通过使用形成包封无机层120的上述材料中的至少一种来形成。第一无机层121和第二无机层122可由相同的材料或不同的材料形成。
虽然图8中未示出，但在一些实施例中，包封无机层120可包括至少三个无机层。
参照图9，如图8中的实施例一样，包封无机层120包括多个无机层，即，第一无机层121和第二无机层122，包封有机层140设置在第一无机层121与第二无机层122之间，阻挡构件150形成在显示区域无机层110上，以防止包封有机层140的材料的溢流。
由于包封有机层140设置在第一无机层121与第二无机层122之间的结构，所以可改善包封无机层120的包封特性。
参照图10，包封无机层120包括多个无机层，即，第一无机层121和第二无机层122，包封有机层140包括多个有机层，即，第一有机层141和第二有机层142。
第一有机层141设置在显示区域无机层110与第一无机层121之间，第二有机层142设置在第一无机层121与第二无机层122之间。
包封有机层140的第一有机层141和第二有机层142可形成为比包封无机层120小。也就是说，与第一无机层121和第二无机层122的边缘相比，第一有机层141和第二有机层142的边缘可离基底101的边缘更远(例如，进一步远离或进一步隔开)。
在实施例中，第二有机层142可形成为比第一有机层141大。也就是说，第二有机层142的边缘可更接近基底101的边缘。
阻挡构件150形成在显示区域无机层110上，并包括第一阻挡构件151和第二阻挡构件152。由于第一阻挡构件151和第二阻挡构件152，所以可防止、基本上防止或减少第一有机层141和第二有机层142的材料的溢流。具体地讲，第二阻挡构件152的高度比第一阻挡构件151的高度高，从而第一有机层141和第二有机层142的材料被第一阻挡构件151主要地阻挡或基本上阻挡，然后可被第二阻挡构件152阻挡或基本上阻挡，并且由于与基底101的边缘邻近的第二阻挡构件152的高度比第一阻挡构件151的高度高，因此能够防止或基本上防止第一有机层141和第二有机层142的材料朝向基底101的边缘溢流。
参照图11，与图10的实施例相比，显示装置1000还包括功能层160、第一保护层170和第二保护层180。为了便于描述，参照图10的实施例与图11的实施例之间的区别来描述图11的实施例。
阻挡构件150的第二阻挡构件152包括第一层152a和第二层152b。然而，在另一实施例中，第二阻挡构件152可以是如图10中示出的单层。
功能层160可包括覆层161和覆盖层162。覆层161可保护布置在显示区域DA中的显示器件(未示出)的顶层，可控制通过显示器件实现的可见光线的折射率，从而可改善显示装置1000的发光效率。此外，覆盖层162可形成在覆层161上，可保护覆层161和显示器件，并可控制通过显示器件实现的可见光线的折射率，从而可改善显示装置1000的发光效率。覆盖层162可包括氟化锂(例如，LiF)。
第一保护层170可形成在功能层160上并形成在第一有机层141下方。第一保护层170可包括无机材料，例如，氧化物或氮化物。在实施例中，第一保护层170可包括氧化铝，例如，Al2O3。
在实施例中，第一保护层170可形成为比功能层160大并形成为比第一有机层141小。在另一实施例中，第一保护层170可形成为比第一有机层141和第二有机层142大。
第二保护层180可形成在第二无机层122上，并可包括诸如氧化物和/或氮化物的无机材料。在实施例中，第二保护层180可包括氧化铝，例如，Al2O3。
在实施例中，第二保护层180可形成为比包封无机层120大，因此可覆盖包封无机层120，从而第二保护层180的边缘可接触基底101的顶表面。这里，第二保护层180的边缘可与基底101的边缘分开(或隔开)，从而基底101的顶表面的一部分可不被第二保护层180覆盖，而是可暴露。
通过使用第二保护层180，可有效减小或防止包封无机层120的剥落问题。
虽然图4至图11未示出，但如图3所示，图4至图11的实施例和/或其它实施例可具有包封无机层120包括主要区域120a和阴影区域120b的结构。
图12示出了根据本发明的另一实施例的显示装置2000的平面图。图13是沿图12的线III-III截取的显示装置2000的剖视图。
参照图12和图13，显示装置2000包括基底201。具有显示区域DA的中央区域CA以及在中央区域CA周围的外周区域PA限定在基底201上。
显示区域无机层210和包封无机层220形成在基底201上。
详细地描述每个组件/结构。
基底201可包括各种合适的材料中的一种或更多种。更详细地讲，基底201可由玻璃材料、金属材料、一种或更多种合适的有机材料和/或其它合适的材料形成。
在实施例中，基底201可以是柔性基底201。这里，柔性基底201是指具有适合于折弯、弯曲、折叠和/或卷绕(例如，相对容易)的柔性的基底。柔性基底201可由超薄玻璃、金属或塑料形成。例如，当使用塑料时，基底201可由聚酰亚胺(PI)形成，但一个或更多个实施例不限于此，而是可使用各种材料。
显示装置2000可按照各种合适的方式中的一种或更多种来形成。在实施例中，可对母基底执行处理以使母基底包括多个显示装置2000，然后可执行切割工艺，从而可形成多个显示装置2000。在另一实施例中，可在一个母基底上形成一个显示装置2000。
基底201分成外周区域PA和中央区域CA。更具体地讲，外周区域PA指与基底201的边缘邻近的区域，中央区域CA指与外周区域PA相比朝内布置的区域。
中央区域CA可包括至少一个显示区域DA。
显示区域DA可包括至少一个显示器件(未示出)，例如，用于显示图像的OLED。此外，多个像素可设置在显示区域DA中。
非显示区域(未示出)可在显示区域DA周围形成。更具体地讲，非显示区域可围绕显示区域DA形成。在实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的多个侧邻近。在另一实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的一侧邻近。
在另一实施例中，仅显示区域DA可布置在中央区域CA中。也就是说，非显示区域可仅形成在外周区域PA中。
焊盘区域(未示出)可形成在非显示区域中。就这点而言，驱动器或多个焊盘单元(未示出)可设置在焊盘区域中。
显示区域无机层210形成在基底201上。更详细地讲，显示区域无机层210形成在显示区域DA上。例如，显示区域无机层210可形成在布置在显示区域DA中的显示器件下方，可形成为邻近于显示器件，或者可形成为与包括在显示器件中的多个构件或组件中的一个邻近。
显示区域无机层210可形成在显示区域DA中，并可延伸越过外周区域PA的一部分。
在实施例中，显示区域无机层210的边缘之中的至少一个边缘可与基底201的边缘分开(例如，隔开)。即，基底201的顶表面的一部分可不被显示区域无机层210覆盖，而是可在与显示区域无机层210的至少一个边缘和基底201的边缘之间的间隙对应的区域处暴露。
显示区域无机层210可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，显示区域无机层210可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，显示区域无机层210可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
外周区域PA可设置为与基底201的边缘邻近。在实施例中，外周区域PA可设置为与基底201的所有边缘邻近。
包封无机层220在基底201上覆盖显示区域DA，并形成在显示区域无机层210上。例如，包封无机层220形成为覆盖布置在显示区域DA中的显示器件。通过覆盖显示区域DA，更详细地讲，通过覆盖显示器件，包封无机层220可阻挡、基本上阻挡或者可减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。
包封无机层220形成在显示区域无机层210上。此外，包封无机层220的至少一个边缘形成为与显示区域无机层210的边缘平行。即，包封无机层220的至少一个侧表面可形成为与显示区域无机层210的侧表面平行。
在实施例中，包封无机层220的所有边缘可形成为与显示区域无机层210的相应边缘平行。
包封无机层220可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，包封无机层220可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，包封无机层120可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
图14示出了图13的显示装置2000的修改示例。参照图14，包封无机层220包括主要区域220a和阴影区域220b。也就是说，当形成包封无机层220时，例如，当使用掩模(未示出)通过沉积形成包封无机层220时，阴影区域220b可通过掩模与基底201之间的空间形成。阴影区域220b可具有倾斜的侧表面，在一些情况下，倾斜的侧表面可具有曲面。阴影区域220b接触显示区域无机层210的侧表面并接触基底201的顶表面。
包封无机层220的主要区域220a形成在显示区域无机层210上，与显示区域无机层210的边缘平行，并且未延伸越过显示区域无机层210的边缘。也就是说，包封无机层220的主要区域220a是与图13的包封无机层220相应的组件或结构。
包封无机层220的阴影区域220b连接到主要区域220a的边缘并与基底201的边缘分开(或隔开)。
图12至图14的实施例中的包封无机层220的至少一个边缘或另一实施例中的包封无机层220的所有边缘形成为与显示区域无机层210的一个或更多个边缘平行。
通过这样做，能够防止或基本上防止或者减少包封无机层220的至少一个边缘从显示区域无机层210剥落，这种剥落导致包封无机层220的包封特性的劣化或消除。具体地讲，即使当阴影区域220b形成为如图14所示的那样时，阴影区域220b也未形成在显示区域无机层210的顶表面上，而是形成在显示区域无机层210的侧表面处和基底201的顶表面处。因此，能够防止或基本上防止或者减少阴影区域220b从显示区域无机层210的剥落。
在实施例中，当基底201由诸如塑料的有机材料形成时，包封无机层220以及包封无机层220的阴影区域220b接触基底201的顶表面，从而在制造或使用显示装置2000时，能够有效地减少包封无机层220从基底201剥落。例如，当在制造显示装置2000的过程中执行高温工艺或高湿度工艺时，包封无机层220会收缩或膨胀，从而会在包封无机层220中产生应力。这里，包括有机材料的基底201会缓解包封无机层220的应力。
通过这样做，可容易地实现具有诸如折弯或折叠的柔性的增大了用户便利性的显示装置2000。
此外，由于基底201的至少一个边缘与包封无机层220的边缘分开(例如，隔开)，因此基底201的顶表面的一部分未被覆盖，而是在与基底201的边缘邻近的外周区域PA中被暴露。基底201的暴露的区域完全地防止、基本上防止或减小在制造显示装置2000时在用于分开的切割工艺过程中出现的裂纹的传播。此外，改善了显示装置2000的柔性，从而可增大用户便利性。
图15示出了图13的显示装置2000的修改示例。
参照图15，阻挡层202形成在基底201上。阻挡层202设置在基底201与显示区域无机层210之间。阻挡层202可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成，例如，阻挡层202可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，阻挡层202可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
阻挡层202可形成为比显示区域无机层210大。阻挡层202可与基底201的边缘分开(或隔开)，即，阻挡层202可形成为比基底201小。
包封无机层220形成在显示区域无机层210上。阻挡层202可比包封无机层220大。
在实施例中，如图16所示，包封无机层220可包括主要区域220a和阴影区域220b。包封无机层220的主要区域220a形成在显示区域无机层210上，与显示区域无机层210的边缘平行，并且未延伸越过显示区域无机层210的边缘。
包封无机层220的阴影区域220b可连接到主要区域220a的边缘，从而可接触显示区域无机层210的侧表面和阻挡层202的顶表面。
阻挡层202可阻挡或基本上阻挡诸如湿气或氧的外来物质穿过或穿透基底201。
图17至图23示出了图13的显示装置2000的修改示例。
参照图17，包封有机层240形成在显示区域无机层210上。包封有机层240设置在显示区域无机层210与包封无机层220之间。
包封有机层240的边缘未延伸越过显示区域无机层210的边缘。也就是说，包封有机层240可形成为比显示区域无机层210小。通过这样做，包封有机层240可与基底201的顶表面分开(或隔开)。
在实施例中，包封有机层240可形成为比显示区域无机层210和包封无机层220小。
包封有机层240可在基底201上覆盖显示区域DA，例如，包封有机层240可覆盖布置在显示区域DA中的显示器件(未示出)。
包封有机层240可阻挡、基本上阻挡或者可减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。具体地讲，包封有机层240和包封无机层220可一起使用，从而可改善包封无机层220的包封特性。此外，包封有机层240可容易地形成平坦表面。
包封有机层240可由各种合适的有机材料中的一种或更多种形成，例如，包封有机层240可包括树脂。在实施例中，包封有机层240可包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂和/或聚酰亚胺类树脂。
参照图18，阻挡构件250进一步添加到图17中示出的结构。更详细地讲，阻挡构件250形成在显示区域无机层210上，以比包封有机层240更接近基底201的边缘。通过这样做，当形成包封有机层240时，能够减少、防止或基本上防止包封有机层240的材料或包封有机层240朝向基底201的边缘的溢流。
阻挡构件250可设置在显示区域无机层210与包封无机层220之间。
可形成如图18所示的一个阻挡构件250，或者可形成如图19所示的多个阻挡构件250。
参照图19，阻挡构件250可包括第一阻挡构件251和第二阻挡构件252，第二阻挡构件252的高度比第一阻挡构件251的高度高。也就是说，与阻挡构件251相比更接近基底201的边缘的第二阻挡构件252的高度可比第一阻挡构件251的高度高，通过这样做，当形成包封有机层240时，包封有机层240的非正常溢流或包封有机层240的材料的非正常溢流可被第一阻挡构件251首先阻挡或基本上阻挡，然后可被第二阻挡构件252再次地并有效地阻挡或基本上阻挡。
虽然未示出，但阻挡构件150可包括至少三个阻挡构件(未示出)，三个阻挡构件的高度可改变。
参照图20，包封无机层220包括多个无机层，即，第一无机层221和第二无机层222。第一无机层221形成在显示区域无机层210上，第二无机层222形成在第一无机层221上。
第一无机层221和第二无机层222在基底201上覆盖显示区域DA并形成在显示区域无机层210上。例如，第一无机层221和第二无机层222可形成为覆盖布置在显示区域DA中的显示器件(未示出)。第一无机层221和第二无机层222可覆盖显示区域DA，例如，可覆盖显示器件，从而可阻挡、基本上阻挡或减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。
第一无机层221和第二无机层222形成在显示区域无机层210上。此外，第一无机层221的至少一个边缘和第二无机层222的至少一个边缘可与显示区域无机层210的边缘平行。
在实施例中，第一无机层221的侧表面和第二无机层222的侧表面可形成为彼此平行。
在另一实施例中，第一无机层221的边缘和第二无机层222的边缘可形成为与显示区域无机层210的边缘平行。
第一无机层221和第二无机层222可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成，或者可通过使用形成包封无机层220的上述材料中的至少一种来形成。第一无机层221和第二无机层222可由相同的材料或不同的材料形成。
虽然图20中未示出，但在一些实施例中，包封无机层220可包括至少三个无机层。
参照图21，如图20中的实施例一样，包封无机层220包括多个无机层，即，第一无机层221和第二无机层222，包封有机层240设置在第一无机层221与第二无机层222之间，阻挡构件250形成在显示区域无机层210上，以防止或基本上防止包封有机层240的材料的溢流。
由于包封有机层240设置在第一无机层221与第二无机层222之间的结构，所以可改善包封无机层220的包封特性。
参照图22，包封无机层220包括多个无机层，即，第一无机层221和第二无机层222，包封有机层240包括多个有机层，即，第一有机层241和第二有机层242。
第一有机层241设置在显示区域无机层210与第一无机层221之间，第二有机层242设置在第一无机层221与第二无机层222之间。
在实施例中，第二有机层242可形成为比第一有机层241大。
阻挡构件250形成在显示区域无机层210上，并包括第一阻挡构件251和第二阻挡构件252。由于第一阻挡构件251和第二阻挡构件252，所以可防止或基本上防止第一有机层241和第二有机层242的材料的溢流。
参照图23，与图22的实施例相比，显示装置2000还包括功能层260、第一保护层270和第二保护层280。为了便于描述，参照图23的实施例与图22的实施例之间的区别来描述图23的实施例。
阻挡构件250的第二阻挡构件252包括第一层252a和第二层252b。然而，在另一实施例中，第二阻挡构件252可以为单层。
功能层260可包括覆层261和覆盖层262。覆层261可保护布置在显示区域DA中的显示器件(未示出)的顶层，可控制通过显示器件实现的可见光线的折射率，从而可改善显示装置1000的发光效率。此外，覆盖层262可形成在覆层261上，可保护覆层261和显示器件，可控制通过显示器件实现的可见光线的折射率，从而可改善显示装置2000的发光效率。覆盖层262可包括氟化锂(例如，LiF)。
第一保护层270可形成在功能层260上并形成在第一有机层241下方。第一保护层270可包括无机材料，例如，氧化物或氮化物。在实施例中，第一保护层270可包括氧化铝，例如，Al2O3。
在实施例中，第一保护层270可形成为比功能层260大并形成为比第一有机层241小。在另一实施例中，第一保护层270可形成为比第一有机层241和第二有机层242大。
第二保护层280可形成在第二无机层222上，并可包括诸如氧化物和/或氮化物的无机材料。在实施例中，第二保护层280可包括氧化铝，例如，Al2O3。
在实施例中，第二保护层280可形成为比包封无机层220大，因此可覆盖包封无机层220，从而第二保护层280的边缘可接触基底201的顶表面。这里，第二保护层280的边缘可与基底201的边缘分开(或隔开)，从而基底201的顶表面的一部分可不被第二保护层280覆盖，而是可暴露。
通过使用第二保护层280，可有效减小或防止包封无机层220的剥落问题。
虽然图17至图23未示出，但如图14或图16所示，图17至图23的实施例可具有包封无机层220包括主要区域220a和阴影区域220b的结构。
图24示出了根据本发明的另一实施例的显示装置3000的平面图。图25是沿图24的线IV-IV截取的显示装置3000的剖视图。图26至图28示出了图25的显示装置3000的修改示例。
参照图24和图25，显示装置3000包括基底301。具有显示区域DA的中央区域CA以及设置在中央区域CA的周围的外周区域PA限定在基底301上。
显示区域无机层310和包封无机层320形成在基底301上。
更详细地描述每个组件/结构。
基底301可包括各种合适的材料中的一种或更多种。更详细地讲，基底301可由玻璃材料、金属材料、一种或更多种合适的有机材料和/或其它合适的材料形成。
在实施例中，基底301可以是柔性基底301。这里，柔性基底301是指具有适合于折弯、弯曲、折叠和/或卷绕(例如，相对容易)的柔性的基底。柔性基底301可由超薄玻璃、金属和/或塑料形成。例如，当使用塑料时，基底301可由聚酰亚胺(PI)形成，但一个或更多个实施例不限于此，而是可使用各种合适的材料中的一种或更多种。
显示装置3000可按照各种合适的方式中的一种或更多种来形成。在实施例中，可对母基底执行处理以使母基底包括多个显示装置3000，然后可执行切割工艺，从而可形成多个显示装置3000。在另一实施例中，可在一个母基底上形成一个显示装置3000。
基底301分成外周区域PA和中央区域CA。更详细地讲，外周区域PA指与基底301的边缘邻近的区域，中央区域CA指与外周区域PA相比朝内布置的区域。
中央区域CA可包括至少一个显示区域DA。
显示区域DA可包括至少一个显示器件(未示出)，例如，用于显示图像的OLED。此外，多个像素可设置在显示区域DA中。
非显示区域(未示出)可在显示区域DA的周围形成。更具体地讲，非显示区域可围绕显示区域DA形成。在实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的多个侧邻近。在另一实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的一侧邻近。
在另一实施例中，仅显示区域DA可布置在中央区域CA中。也就是说，非显示区域可仅形成在外周区域PA中。
焊盘区域(未示出)可形成在非显示区域中。就这点而言，驱动器或多个焊盘单元(未示出)可设置在焊盘区域中。
显示区域无机层310形成在基底301上。更详细地讲，显示区域无机层310形成在显示区域DA上。例如，显示区域无机层310可形成在布置在显示区域DA中的显示器件下方，可形成为邻近于显示器件，或者可形成为与包括在显示器件中的多个构件或组件中的一个邻近。
显示区域无机层310可形成在显示区域DA中，并可延伸越过外周区域PA的一部分。
在实施例中，显示区域无机层310的多个边缘之中的至少一个边缘可与基底301的边缘分开(例如，隔开)。也就是说，基底301的顶表面的一部分可不被显示区域无机层310覆盖，而是可在与显示区域无机层310的至少一个边缘和基底301的边缘之间的间隙对应的区域处暴露。
显示区域无机层310可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，显示区域无机层310可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，显示区域无机层310可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
形成与显示区域无机层310分开(或隔开)的分开构件310a。分开构件310a可设置为比显示区域无机层310的至少一个边缘更接近基底301的边缘。
在实施例中，分开构件310a可与基底301的边缘分开(或隔开)。
在实施例中，分开构件310a可由与显示区域无机层310的材料相同的材料形成，在这种情况下，分开构件310a和显示区域无机层310可同时(例如，一同)形成。
外周区域PA可设置为与基底301的边缘邻近。在实施例中，外周区域PA可设置为与基底301的所有边缘邻近。
包封无机层320在基底301上覆盖显示区域DA，并形成在显示区域无机层310上。例如，包封无机层320形成为覆盖布置在显示区域DA中的显示器件。通过覆盖显示区域DA，更详细地讲，通过覆盖显示器件，包封无机层320可阻挡、基本上阻挡或者可减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。
包封无机层320形成在显示区域无机层310上。此外，包封无机层320的至少一个边缘比显示区域无机层310的边缘更远地延伸。也就是说，包封无机层320的至少一个边缘可超过显示区域无机层310的边缘(例如，延伸到显示区域无机层310的边缘之外或比显示区域无机层310的边缘更远地延伸)，从而可接触基底301的顶表面。
在实施例中，包封无机层320的所有边缘可超过显示区域无机层310的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层310的相应边缘之外或比显示区域无机层310的相应边缘更远地延伸)，从而可接触基底301的顶表面。
更详细地讲，包封无机层320包括主要区域320a和阴影区域320b。也就是说，当形成包封无机层320时，例如，当使用掩模(未示出)通过沉积形成包封无机层120时，阴影区域320b可通过掩模与基底301之间的空间来形成。
阴影区域320b设置在显示区域无机层310与分开构件310a之间。阴影区域320b未延伸越过分开构件310a。也就是说，如图25所示，阴影区域320b可接触分开构件310a的侧表面，但在另一实施例中，阴影区域320b可与分开构件310a的侧表面分开(或隔开)。
包封无机层320可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，包封无机层320可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，包封无机层320可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
由于包封无机层320的边缘区域(即，阴影区域320b)可接触基底301的顶表面，并且也可接触显示区域无机层310的侧表面，因此能够防止或基本上防止由于包封无机层320的边缘从显示区域无机层310剥落而导致的包封无机层320的包封特性的劣化和/或消除。
通过这样做，可容易地实现具有诸如折弯或折叠的柔性的增大了用户便利性的显示装置3000。
此外，由于基底301的至少一个边缘与包封无机层320的边缘分开(例如，隔开)，因此基底301的顶表面的一部分未被覆盖，而是暴露在与基底301的边缘邻近的外周区域PA中。基底301的暴露的区域完全地防止或基本上防止在制造显示装置3000时在用于分开的切割工艺过程中出现的裂纹的传播。此外，改善了显示装置3000的柔性，从而增加用户便利性。
图26至图28示出了图25的显示装置3000的修改示例。
参照图26，阻挡层302形成在基底301上。阻挡层302设置在基底301与显示区域无机层310之间。阻挡层302可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。例如，阻挡层302可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，阻挡层302可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
分开构件310a形成在阻挡层302上。
包封无机层320形成在显示区域无机层310上。此外，包封无机层320的阴影区域320b设置在显示区域无机层310与分开构件310a之间。阴影区域320b可接触阻挡层302的顶表面。
阴影区域320b未延伸越过分开构件310a。
阻挡层302可阻挡或基本上阻挡穿过基底301的诸如湿气或氧的外来物质。
参照图27，分开构件302a形成在基底301上并与阻挡层302分开(隔开)。
在实施例中，分开构件302a可由与阻挡层302的材料相同的材料形成，在这种情况下，分开构件302a和阻挡层302可同时(一同)形成。
包封无机层320形成在显示区域无机层310上。此外，包封无机层320的阴影区域320b未延伸越过分开构件302a。在实施例中，阴影区域320b可接触阻挡层302的侧表面和显示区域无机层310的侧表面。
参照图27，阴影区域320b与分开构件302a分开(隔开)，但在另一实施例中，阴影区域320b可接触分开构件302a的侧表面。
此外，如图28所示，具有多个层(即，第一分开构件302a和第二分开构件310a)的分开构件可形成在基底301上。
虽然图25至图28未示出，但包括包封有机层、阻挡构件等的上述实施例的结构(即，图5至图11中示出的包封有机层、功能层和阻挡构件的结构)可应用于图25至图28的实施例。
图29示出了根据本发明的另一实施例的显示装置4000的平面图。图30是沿图29的线VA-VA和线VB-VB截取的显示装置4000的剖视图。
参照图29和图30，显示装置4000包括基底401。具有显示区域DA的中央区域CA以及设置在中央区域CA的周围的外周区域PA限定在基底401上。
显示区域无机层410和包封无机层420形成在基底401上。
详细地描述每个组件/结构。
基底401可包括各种合适的材料中的一种或更多种。更详细地讲，基底401可由玻璃材料、金属材料、一种或更多种合适的有机材料和/或其它合适的材料形成。
在实施例中，基底401可以是柔性基底401。这里，柔性基底401表示具有适合于折弯、弯曲、折叠和/或卷绕(例如，相对容易)的柔性的基底。柔性基底401可由超薄玻璃、金属和/或塑料形成。例如，当使用塑料时，基底401可由聚酰亚胺(PI)形成，但一个或更多个实施例不限于此，而是可使用各种合适的材料中的一种或更多种。
显示装置4000可按照各种方式来形成。例如，可对母基底执行处理以使母基底包括多个显示装置4000，然后可执行切割工艺，从而可形成多个显示装置4000。在实施例中，可在一个母基底上形成一个显示装置4000。
基底401分成外周区域PA和中央区域CA。更详细地讲，外周区域PA指与基底101的边缘邻近的区域，中央区域CA指与外周区域PA相比朝内布置的区域。
中央区域CA可包括至少一个显示区域DA。
为了显示图像，至少一个显示器件OD可设置在显示区域DA中。显示器件OD可包括各种类型的器件，例如，可以是OLED。
此外，多个像素可设置在显示区域DA中，至少一个显示器件OD可设置在多个像素中的每个中。
非显示区域(未示出)可在显示区域DA的周围形成。更详细地讲，非显示区域可围绕显示区域DA形成。在实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的多个侧邻近。在另一实施例中，非显示区域可形成为与显示区域DA的一侧邻近。
在另一实施例中，仅显示区域DA可布置在中央区域CA中。也就是说，非显示区域可仅形成在外周区域PA中。
焊盘区域(未示出)可形成在非显示区域中。就这点而言，驱动器或多个焊盘单元(未示出)可设置在焊盘区域中。
阻挡层402形成在基底401上。阻挡层402形成在显示区域DA上并延伸到外周区域PA。在实施例中，可省略阻挡层402。
薄膜晶体管(TFT)可在阻挡层402上形成在显示区域DA上。形成在显示区域DA上的TFT用作用于驱动显示器件OD的电路的一部分。TFT也可形成在非显示区域上。
在下文中，假定TFT是其中有源层405、栅极GE、源极406和漏极407顺序形成的顶栅型TFT。
然而，本实施例不限于此，可使用包括底栅型TFT的各种类型的TFT作为TFT。
有源层405形成在阻挡层402上。有源层405可包括半导体材料，例如，非晶硅或多晶硅。然而，本实施例不限于此，有源层405可包括各种合适的材料中的一种或更多种。在实施例中，有源层405可包括有机半导体材料。
在另一实施例中，有源层405可包括氧化物半导体材料。例如，有源层405可包括从由锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)和铪(Hf)组成的第12族、第13族和第14族的金属元素和它们的组合物中选择的材料的氧化物。
栅极绝缘层411形成在有源层405上。栅极绝缘层411可形成为包括诸如氧化硅和/或氮化硅的无机材料的多层或单层。栅极绝缘层411使有源层405与栅极GE绝缘。
在实施例中，作为显示区域无机层410的栅极绝缘层411可不仅形成在显示区域DA上，而且也可延伸到外周区域PA的一部分。
栅极GE形成在栅极绝缘层411上。栅极GE可连接到向TFT施加ON信号或OFF信号的栅极线(未示出)。
栅极GE可由低电阻金属材料形成。例如，栅极GE可形成为包括具有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料的多层或单层。
层间绝缘层412形成在栅极GE上。层间绝缘层412使栅极GE与源极406和漏极407绝缘。
在实施例中，作为显示区域无机层410的层间绝缘层412可不仅形成在显示区域DA上，而且也可延伸到外周区域PA的一部分。
也就是说，栅极绝缘层411和层间绝缘层412可在外周区域PA中的阻挡层402上形成为显示区域无机层410。
层间绝缘层412可形成为包括无机材料的多层或单层。例如，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物，更详细地讲，无机材料可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锆(ZrO2)。
源极406和漏极407形成在层间绝缘层412上。源极406和漏极407中的每个可形成为包括高导电材料的单层或多层。
源极406和漏极407形成为接触有源层405。
钝化层408形成在源极406和漏极407上以覆盖TFT。
钝化层408去除由TFT引起的台阶，在TFT之上提供平坦化的层，从而防止或基本上防止由于TFT引起的不均匀而导致在诸如OLED的显示器件OD中产生缺陷。钝化层408可形成为包括有机材料的单层或多层。有机材料可包括具有商用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))和酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、亚芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的组合。此外，钝化层408可形成为包括无机绝缘层和有机绝缘层的多层堆叠件。
显示器件OD形成在钝化层408上。显示器件OD电连接到TFT。
显示器件OD包括第一电极FE、第二电极SE以及设置在第一电极FE与第二电极SE之间的中间层IM。
第一电极FE电连接到源极406和漏极407中的一个。参照图30，第一电极FE可电连接到漏极407。
第一电极FE可具有各种合适的形式中的一种。例如，第一电极FE可被图案化为岛形式。
第一电极FE可由各种合适的材料中的一种或更多种形成。也就是说，第一电极FE可包括从包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化锌铝(AZO)的过渡导电氧化物材料的组中选择的至少一种。此外，第一电极FE可包括具有高反射率的诸如银(Ag)的金属。
中间层IM可包括具有小分子有机材料或聚合物分子有机材料的有机发射层。在实施例中，中间层IM包括有机发射层，并且还可包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个层或多个层。
有机发射层可形成在每个OLED中。在这种情况下，OLED可分别发射红光、绿光和蓝光。然而，本发明的一个或更多个实施例不限于此，有机发射层可共同形成在OLED中。例如，发射红光、绿光和蓝光的多个有机发射层可垂直地堆叠或混合，从而可发射白光。本领域技术人员将了解的是用于发射白光的颜色组合不限于上述描述。在这种情况下，可单独地布置颜色转换层或滤色器以将发射的白光转换成预定的颜色。
第二电极SE可由各种合适的导电材料中的一种或更多种形成。例如，第二电极SE可形成为包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)以及包括这些材料中的至少两种的合金中的至少一者的多层或单层。
像素限定层PDL形成在钝化层408上。更详细地讲，在形成不覆盖第一电极FE的区域(例如，预定区域)的像素限定层PDL之后，中间层IM形成在第一电极FE的未被像素限定层PDL覆盖的区域上，第二电极SE形成在中间层IM上。
像素限定层PDL可通过使用旋涂方法由选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种无机绝缘材料形成。
虽然未在第二电极SE上示出，但在实施例中，功能层(未示出)和第一保护层(未示出)(如图11中的那些)还可形成在第二电极SE上。
功能层和第一保护层的特征与如上所述的相同或基本上相同，因此，这里省略对它们的详细描述。
作为显示区域无机层410的栅极绝缘层411和层间绝缘层412可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，显示区域无机层410可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，显示区域无机层410可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
外周区域PA可设置为与基底401的边缘邻近。在实施例中，外周区域PA可设置为与基底401的所有边缘邻近。
包封无机层420在基底401上覆盖显示区域DA。也就是说，包封无机层420形成在显示器件OD的第二电极SE上。包封无机层420可覆盖显示区域DA，例如，显示器件OD，从而可阻挡或基本上阻挡或者可减少诸如湿气或氧的外来物质渗透到显示区域DA中。
在外周区域PA中，包封无机层420形成在显示区域无机层410上。此外，包封无机层420的至少一个边缘延伸越过显示区域无机层410的边缘。也就是说，包封无机层420的至少一个边缘可超过显示区域无机层410的边缘(例如，延伸到显示区域无机层410的边缘之外或比显示区域无机层410的边缘更远地延伸)，进而可接触基底401的顶表面。
在实施例中，包封无机层420的所有边缘可超过显示区域无机层410的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层410的相应边缘之外或比显示区域无机层410的相应边缘更远地延伸)，进而可接触基底401的顶表面。
包封无机层420可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，包封无机层420可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，包封无机层420可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
虽然未示出，但在实施例中，包封无机层420可包括主要区域(未示出)和阴影区域(未示出)。也就是说，图3的结构可应用于本实施例。
此外，在实施例中，包封无机层420的所有边缘可超过显示区域无机层410的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层410的相应边缘之外或比显示区域无机层410的相应边缘更远地延伸)，进而可形成在基底401的顶表面上。
也就是说，由于包封无机层420的边缘区域接触基底401的顶表面，因此能够防止或基本上防止包封无机层420的边缘从显示区域无机层410剥落，从而可改善包封无机层420的包封特性。
在实施例中，当基底401由诸如塑料的有机材料形成时，包封无机层420接触基底401的顶表面，从而在制造或使用显示装置4000时，能够有效地减少或防止包封无机层420从基底401剥落。例如，当在制造显示装置4000的过程中执行高温工艺或高湿度工艺时，包封无机层420会收缩或膨胀，从而会在包封无机层420中产生应力。这里，包括有机材料的基底401会缓解包封无机层420的应力。
通过这样做，可容易地实现具有诸如折弯或折叠的柔性的增大了用户便利性的显示装置4000。
此外，由于基底401的至少一个边缘与包封无机层420的边缘分开(或隔开)，因此基底401的顶表面的一部分未被覆盖，而是在与基底401的边缘邻近的外周区域PA中被暴露。基底401的暴露的区域完全地防止或基本上防止在制造显示装置4000时在用于分开的切割工艺过程中出现的裂纹的传播。此外，改善了显示装置4000的柔性，从而增大用户便利性。
虽然未示出，但图5至图11的实施例可选择性地应用于本实施例。
也就是说，如图5所示，包封有机层(未示出)可在显示区域DA上形成在显示器件OD上，并可沿长度方向延伸，从而可在外周区域PA中设置在显示区域无机层410与包封无机层420之间。
此外，本实施例还可包括图6中的阻挡构件(未示出)或图7中的多个阻挡构件(未示出)。
此外，如图8所示，包封无机层420可包括多个无机层。
此外，如图9所示，包封无机层420可包括多个无机层，包封有机层(未示出)可设置在彼此相邻的多个无机层之间，阻挡构件(未示出)可形成在显示区域无机层410上，以防止或减少包封有机层的材料的溢流。
此外，如图10所示，包封无机层420可包括多个无机层(未示出)，并且还可包括包封有机层(未示出)。至少一个阻挡构件(未示出)可阻挡或减少包封有机层的材料的溢流。
此外，如图11所示，显示装置4000还可包括功能层(未示出)、第一保护层(未示出)和第二保护层(未示出)。
此外，图12至图28的实施例的结构可选择性地应用于本实施例，从而可得到其中包封无机层420的至少一个边缘形成为与显示区域无机层410的至少一个边缘平行的结构、其中包封无机层420包括主要区域和阴影区域的结构和/或其中还包括分开构件的结构。
图31示出了根据本发明的另一实施例的显示装置5000的平面图。图32是沿图31的线VIA-VIA和线VIB-VIB截取的显示装置5000的剖面图。
参照图31和图32，显示装置5000包括基底501。具有显示区域DA的中央区域CA以及设置在中央区域CA的周围的外周区域PA限定在基底501上。
与前述实施例的显示装置4000相比，本实施例的显示装置5000在缓冲层503、包封无机层520、包封有机层540和阻挡构件550的结构方面不同。为了便于描述，主要描述显示装置4000与显示装置5000之间的区别。
阻挡层502形成在基底501上。缓冲层503形成在阻挡层502上。缓冲层503可在基底501上提供平坦表面，并可主要阻挡或基本上阻挡穿过基底501的外来物质或湿气。由于缓冲层503不是必要元件，因此可不布置缓冲层503。
TFT可在缓冲层503上形成在显示区域DA上。形成在显示区域DA上的TFT用作用于驱动显示器件OD的电路的一部分。TFT还可形成在非显示区域上。
TFT包括有源层505、栅极GE、源极506和漏极507。
有源层505形成在缓冲层503上。栅极绝缘层511形成在有源层505上。在实施例中，作为显示区域无机层510的层的栅极绝缘层511可不仅形成在显示区域DA上，而且还可延伸到外周区域PA的一部分。
栅极GE形成在栅极绝缘层511上。层间绝缘层512形成在栅极GE上，并使源极506和漏极507与栅极GE绝缘。
在实施例中，作为显示区域无机层510的层的层间绝缘层512可不仅形成在显示区域DA上，而且还可延伸到外周区域PA的一部分。
也就是说，栅极绝缘层511和层间绝缘层512可在外周区域PA中的阻挡层502上形成为显示区域无机层510。
源极506和漏极507形成在层间绝缘层512上。源极506和漏极507中的每个可形成为包括高导电材料的单层或多层。
源极506和漏极507形成为接触有源层505。
钝化层508形成在源极506和漏极507上以覆盖TFT。
显示器件OD形成在钝化层508上。显示器件OD电连接到TFT。
显示器件OD包括第一电极FE、第二电极SE以及设置在第一电极FE与第二电极SE之间的中间层IM。
像素限定层(PDL)形成在钝化层508上。更详细地讲，在形成不覆盖第一电极FE的区域(例如，预定区域)的像素限定层之后，中间层IM形成在第一电极FE的未被像素限定层覆盖的区域上，第二电极SE形成在中间层IM上。
虽然未在第二电极SE上示出，但在实施例中，还可形成图11中的功能层(未示出)和第一保护层(未示出)。功能层和第一保护层的特征与如上描述的相同或基本上相同，因此，这里省略对它们的详细描述。
显示区域无机层510的栅极绝缘层511和层间绝缘层512可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
包封无机层520在基底501上覆盖显示区域DA。包封无机层520包括第一无机层521和第二无机层522。
包封有机层540包括多个有机层，即，第一有机层541和第二有机层542。
第一有机层541设置在显示器件OD的第一无机层521与第二电极SE之间，第二有机层542设置在第一无机层521与第二无机层522之间。
在实施例中，第二有机层542可形成为比第一有机层541大。
阻挡构件550形成在显示区域无机层510的层间绝缘层512上，并包括第一阻挡构件551和第二阻挡构件552。第一阻挡构件551和第二阻挡构件552可防止或基本上防止第一有机层541和第二有机层542的材料的溢流。
第二阻挡构件552包括第一层552a和第二层552b。
阻挡构件550可由各种合适的材料中的一种或更多种形成。在本实施例中，第一阻挡构件551以及第二阻挡构件552的第一层552a可由相同的材料形成，例如，由钝化层508的材料形成。
第二阻挡构件552的第二层552b可由像素限定层形成。
包封无机层520的至少一个边缘延伸越过显示区域无机层510的边缘。也就是说，包封无机层520的至少一个边缘可超过显示区域无机层510的边缘(例如，延伸到显示区域无机层510的边缘之外或比显示区域无机层510的边缘延伸更远)，进而可以接触基底501的顶表面。
在实施例中，包封无机层520的所有边缘可超过显示区域无机层510的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层510的相应边缘之外或比显示区域无机层510的相应边缘延伸更远)，进而可接触基底501的顶表面。
包封无机层520可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，包封无机层520可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，包封无机层520可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
虽然未示出，但包封无机层520可包括主要区域(未示出)和阴影区域(未示出)。也就是说，图3的结构可应用于本实施例。
此外，包封无机层520的所有边缘可超过显示区域无机层510的相应边缘，进而可形成在基底501的顶表面上。
虽然未示出，但图12至图28的实施例的结构可选择性地应用于本实施例，从而可获得其中包封无机层520的至少一个边缘形成为与显示区域无机层510的至少一个边缘平行的结构、其中包封无机层520包括主要区域和阴影区域的结构和/或其中还包括分开构件的结构。
图33示出了根据本发明的另一实施例的显示装置6000的平面图。图34是沿图33的线XA-XA和线XB-XB截取的显示装置6000的剖面图。
参照图33和图34，显示装置6000包括基底601。具有显示区域DA的中央区域CA以及设置在中央区域CA的周围的外周区域PA限定在基底601上。
为了便于描述，主要描述本实施例与前述实施例之间的区别。
阻挡层602形成在基底601上。缓冲层603形成在阻挡层602上。由于缓冲层603不是必要元件，因此可不布置缓冲层603。
TFT可在缓冲层603上形成在显示区域DA上。形成在显示区域DA上的TFT用作用于驱动显示器件OD的电路的一部分。TFT还可形成在非显示区域上。
TFT包括有源层605、栅极GE、源极606和漏极607。
第一电路构件PCU1可形成在外周区域PA或非显示区域中。第一电路构件PCU1可具有各种合适的形式中的一种或更多种，并可包括电路有源层CA、电路栅极CG、电路源极CS和电路漏极CD。
第一电路构件PCU1可将用于驱动显示器件OD的电信号传递到显示器件OD，或者可转换电信号。
有源层605和电路有源层CA形成在缓冲层603上。栅极绝缘层611形成在有源层605和电路有源层CA上。
栅极GE形成在栅极绝缘层611上。此外，电路栅极CG形成在栅极绝缘层611上。
层间绝缘层612形成在栅极GE和电路栅极CG上。在本实施例中，作为显示区域无机层610的层的层间绝缘层612可形成在显示区域DA上，并且可延伸到外周区域PA的一部分。
即，栅极绝缘层611和层间绝缘层612可在外周区域PA中的阻挡层602上形成为显示区域无机层610。此外，缓冲层603可延伸到阻挡层602。
源极606和漏极607形成在层间绝缘层612上。此外，电路源极CS和漏极607形成在层间绝缘层612上。
在本实施例中，第二电路构件PCU2可设置在层间绝缘层612上。第二电路构件PCU2可将用于驱动显示器件OD的电信号传递到显示器件OD，或者可转换电信号。
钝化层608可形成在源极606和漏极607上以覆盖TFT。此外，钝化层608可覆盖第一电路构件PCU1。
显示器件OD形成在钝化层608上。显示器件OD电连接到TFT。即，如图34所示，显示器件OD可电连接到漏极607。
显示器件OD包括第一电极FE、第二电极SE以及设置在第一电极FE与第二电极SE之间的中间层IM。
像素限定层(PDL)形成在钝化层608上。更详细地讲，在形成不覆盖第一电极FE的区域(例如，预定区域)的像素限定层之后，中间层IM形成在第一电极FE的未被像素限定层PDL覆盖的区域上，第二电极SE形成在中间层IM上。
虽然未在第二电极SE上示出，但在实施例中，还可形成图11的功能层(未示出)和第一保护层(未示出)。功能层和第一保护层的特征与如上描述的相同或基本上相同，因此，这里省略对它们的详细描述。
显示区域无机层610的栅极绝缘层611和层间绝缘层612可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
包封无机层620在基底601上形成为覆盖显示区域DA。包封无机层620包括第一无机层621和第二无机层622。
功能层660形成在显示器件OD上。功能层660可包括覆层661和覆盖层662。覆层661可保护布置在显示区域DA中的作为显示器件OD的顶层的第二电极SE，可控制通过显示器件OD实现的可见光线的折射率，从而可改善显示装置6000的发光效率。此外，覆盖层662可形成在覆层661上，可保护覆层661和显示器件OD，可控制通过显示器件OD实现的可见光线的折射率，从而可改善显示装置6000的发光效率。覆盖层662可包括氟化锂(例如，LiF)。
覆层661可形成为比显示器件OD大，以覆盖显示器件OD。在本实施例中，覆盖层662可比覆层661小。
第一保护层670可形成在功能层660上，并可包括无机材料，例如氧化物和/或氮化物。在本实施例中，第一保护层670可包括氧化铝，例如，Al2O3。
第一保护层670可形成为比功能层660大，并可形成为比第一有机层641小。在实施例中，第一保护层670可形成为比第一有机层641和第二有机层642大。
包封有机层640包括多个有机层，即，第一有机层641和第二有机层642。
第一有机层641在显示区域DA中设置在第一保护层670与第一无机层621之间，第二有机层642设置在第一无机层621与第二无机层622之间。
第二有机层642可形成为比第一有机层641大。
阻挡构件650形成在显示区域无机层610的层间绝缘层612上，并包括第一阻挡构件651、第二阻挡构件652和第三阻挡构件653。第一阻挡构件651、第二阻挡构件652和第三阻挡构件653可阻挡或基本上阻挡第一有机层641和第二有机层642的材料的溢流。
第二阻挡构件652包括第一层652a和第二层652b。第三阻挡构件653包括第一层653a、第二层653b和第三层653c。
阻挡构件650可由各种合适的材料中的一种或更多种形成。在本实施例中，第一阻挡构件651可由与钝化层608或像素限定层的材料相同的材料形成。此外，第二阻挡构件652的第一层652a和第二层652b可由与钝化层608或像素限定层的材料相同的材料形成。
此外，第三阻挡构件653的第一层653a、第二层653b和第三层653c中的每个可由与选自钝化层608和像素限定层中的至少一者的材料相同的材料形成。
导电构件MUP可设置在第三阻挡构件653的第一层653a下方。
包封无机层620的至少一个边缘延伸越过显示区域无机层610的边缘。即，包封无机层620的至少一个边缘可超过显示区域无机层610的边缘(例如，可延伸到显示区域无机层610的边缘之外或比显示区域无机层610的边缘延伸更远)，进而可接触基底601的顶表面。
在实施例中，包封无机层620的所有边缘可超过显示区域无机层610的相应边缘(例如，延伸到显示区域无机层610的相应边缘之外或比显示区域无机层610的相应边缘延伸更远)，进而可接触基底601的顶表面。
包封无机层620可由各种合适的无机材料中的一种或更多种形成。
在实施例中，包封无机层620可包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物。更详细地讲，包封无机层620可包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
虽然未示出，但包封无机层620可包括主要区域(未示出)和阴影区域(未示出)。即，图3的结构可应用于本实施例。
此外，包封无机层620的所有边缘可超过显示区域无机层610的相应边缘，进而可形成在基底601的顶表面上。
虽然未示出，但图12至图28的实施例的结构可选择性地应用于本实施例，从而可得到其中包封无机层620的至少一个边缘形成为与显示区域无机层610的至少一个边缘平行的结构、其中包封无机层620包括主要区域和阴影区域的结构和/或其中还包括分开构件的结构。
根据本发明的以上实施例中的一个或更多个，显示装置可具有改善的耐久性。
应理解的是，在此描述的示例性实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。在每个实施例中对特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了本发明的一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求和它们的等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此做出形式和细节方面的各种改变。

Claims (37)

1.一种显示装置，所述显示装置包括具有中央区域和围绕所述中央区域的外周区域的基底，所述中央区域具有显示区域，所述显示装置还包括：
显示区域无机层，位于所述显示区域上，并延伸到所述外周区域的一部分；以及
包封无机层，位于所述显示区域无机层上，覆盖所述显示区域，并具有与所述显示区域无机层的边缘平行的边缘，或者具有延伸越过所述显示区域无机层的边缘的边缘。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述包封无机层比所述基底小，所述包封无机层的所述边缘与所述基底的边缘隔开。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域无机层比所述基底小，所述显示区域无机层的所述边缘与所述基底的边缘隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述包封无机层的至少一个边缘延伸越过所述显示区域无机层的所述边缘，从而位于所述基底上。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述包封无机层包括主要区域和连接到所述主要区域的阴影区域，所述阴影区域比所述主要区域更接近所述基底的边缘。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述主要区域延伸越过所述显示区域无机层的所述边缘，所述阴影区域位于所述基底上。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述主要区域的边缘未延伸越过所述显示区域无机层的所述边缘，所述阴影区域接触所述显示区域无机层的侧表面。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述阴影区域具有倾斜的侧表面。
9.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述显示区域无机层分开的分开构件，
其中，所述包封无机层的所述阴影区域未延伸越过所述分开构件，所述阴影区域未比所述分开构件更接近所述基底的边缘。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述阴影区域接触所述分开构件的侧表面。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述阴影区域与所述分开构件的侧表面分开。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述分开构件包括与所述显示区域无机层的材料相同的材料。
13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括介于所述基底与所述显示区域无机层之间的阻挡层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述包封无机层的至少一个边缘延伸越过所述阻挡层的边缘。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述阻挡层的至少一个边缘延伸越过所述包封无机层的所述边缘。
16.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述显示区域无机层分开的分开构件，
其中，所述包封无机层的所述阴影区域未延伸越过所述分开构件，从而不比所述分开构件更接近所述基底的边缘，所述分开构件位于所述阻挡层上。
17.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述显示区域无机层分开的分开构件，
其中，所述包封无机层的所述阴影区域未延伸越过所述分开构件，从而不比所述分开构件更接近所述基底的边缘，所述分开构件包括与所述阻挡层的材料相同的材料。
18.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括介于所述显示区域无机层与所述包封无机层之间的包封有机层，以覆盖所述显示区域。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述包封有机层比所述显示区域无机层小。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述包封有机层比所述包封无机层小。
21.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括比所述包封有机层更接近所述基底的边缘的阻挡构件。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其特征在于，所述阻挡构件包括多个所述阻挡构件。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其特征在于，所述多个阻挡构件的高度不同。
24.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述包封无机层包括多个堆叠的无机层。
25.根据权利要求24所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述显示区域的包封有机层，
其中，所述包封有机层介于所述包封无机层的所述多个堆叠的无机层之间，并且比所述多个堆叠的无机层小。
26.根据权利要求24所述的显示装置，其特征在于，所述包封有机层包括多个有机层，
所述多个有机层中的至少一个介于所述包封无机层的所述多个堆叠的无机层中的一个与所述显示区域无机层之间。
27.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括介于所述显示区域无机层与所述包封无机层之间的功能层。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，所述功能层包括适合于控制可见光线的折射率的层。
29.根据权利要求27所述的显示装置，所述显示装置还包括介于所述功能层与所述包封无机层之间的第一保护层。
30.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述包封无机层上的第二保护层，所述第二保护层比所述包封无机层大。
31.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述基底包括有机材料。
32.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域包括：
至少一个显示器件；以及
薄膜晶体管，电连接到所述至少一个显示器件，并包括有源层、栅极、源极和漏极，
所述显示区域无机层接触从所述源层、所述栅极、所述源极和所述漏极中选择的至少一个。
33.根据权利要求32所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域无机层与栅极绝缘层和层间绝缘层中的至少一个对应，其中，所述栅极绝缘层使所述有源层与所述栅极绝缘，所述层间绝缘层使所述源极和所述漏极与所述栅极绝缘。
34.根据权利要求32所述的显示装置，其特征在于，所述至少一个显示器件包括第一电极、第二电极以及介于所述第一电极与所述第二电极之间并包括有机发射层的中间层。
35.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括具有中央区域和围绕所述中央区域的外周区域的基底，所述中央区域具有显示区域，所述方法包括：
在所述显示区域上形成显示区域无机层，所述显示区域无机层延伸到所述外周区域的一部分；以及
形成覆盖所述显示区域的包封无机层，所述包封无机层位于所述显示区域无机层上，并具有与所述显示区域无机层的边缘平行的边缘，或者具有延伸越过所述显示区域无机层的边缘的边缘。
36.根据权利要求35所述的方法，其特征在于，通过使用沉积方法执行形成包封无机层的步骤。
37.根据权利要求35所述的方法，其特征在于，形成包封无机层的步骤包括通过使用掩模使所述包封无机层图案化，以使所述包封无机层与所述基底的至少一个边缘分开。
CN201510542220.1A 2014-08-29 2015-08-28 显示装置及其制造方法 Active CN105390525B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011378739.8A CN112467055A (zh) 2014-08-29 2015-08-28 显示装置及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0114517 2014-08-29
KR1020140114517A KR101667800B1 (ko) 2014-08-29 2014-08-29 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011378739.8A Division CN112467055A (zh) 2014-08-29 2015-08-28 显示装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105390525A true CN105390525A (zh) 2016-03-09
CN105390525B CN105390525B (zh) 2020-12-18

Family

ID=54012079

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510542220.1A Active CN105390525B (zh) 2014-08-29 2015-08-28 显示装置及其制造方法
CN202011378739.8A Pending CN112467055A (zh) 2014-08-29 2015-08-28 显示装置及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011378739.8A Pending CN112467055A (zh) 2014-08-29 2015-08-28 显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (5) US10319944B2 (zh)
EP (1) EP2991130B1 (zh)
KR (1) KR101667800B1 (zh)
CN (2) CN105390525B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106784398A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN107221549A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 三星显示有限公司 显示设备
CN107658386A (zh) * 2016-07-25 2018-02-02 三星显示有限公司 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置
JP2018087863A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108198837A (zh) * 2017-12-26 2018-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
WO2018223721A1 (zh) * 2017-06-08 2018-12-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板、制作方法、封装结构及显示装置
CN109564986A (zh) * 2018-11-02 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
CN109920818A (zh) * 2018-11-14 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110034239A (zh) * 2017-12-21 2019-07-19 三星显示有限公司 显示装置
WO2023142100A1 (zh) * 2022-01-30 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
JP6783873B2 (ja) * 2016-04-12 2020-11-11 エルジー・ケム・リミテッド 封止フィルム
CN107887405A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 群创光电股份有限公司 有机电激发光显示面板
JP6785627B2 (ja) * 2016-11-29 2020-11-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102657718B1 (ko) * 2017-02-09 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102320938B1 (ko) 2017-03-20 2021-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7002855B2 (ja) * 2017-04-05 2022-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107591498B (zh) 2017-08-31 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置
JP2019049608A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102470375B1 (ko) * 2017-10-31 2022-11-23 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102470042B1 (ko) 2017-11-16 2022-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102512418B1 (ko) * 2017-12-21 2023-03-20 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US11417857B2 (en) 2018-01-24 2022-08-16 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and electronic apparatus
CN108321181B (zh) * 2018-03-09 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN108649138B (zh) * 2018-04-28 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN108761887B (zh) * 2018-04-28 2020-03-27 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
WO2020065858A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN111628098A (zh) 2019-02-28 2020-09-04 三星显示有限公司 显示装置
WO2020202247A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 シャープ株式会社 表示装置
KR20200119454A (ko) 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110246983B (zh) * 2019-06-17 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法、封装薄膜
KR20210052636A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
EP4053901A4 (en) * 2019-10-29 2022-11-09 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
CN110767664B (zh) * 2019-10-31 2022-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN113594384B (zh) * 2021-06-30 2024-04-12 武汉天马微电子有限公司 显示面板、切割面板和显示装置
KR20230021217A (ko) * 2021-08-04 2023-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030164674A1 (en) * 2002-01-15 2003-09-04 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US20040185301A1 (en) * 2002-12-19 2004-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
US20110001146A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device, Lighting Device, and Electronic Device
US9287335B2 (en) * 2012-11-22 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664137B2 (en) 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
JP4801382B2 (ja) 2005-06-15 2011-10-26 東北パイオニア株式会社 自発光パネル及びその製造方法
JP4776393B2 (ja) * 2006-02-20 2011-09-21 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
JP4245032B2 (ja) * 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
KR100873704B1 (ko) * 2007-06-13 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100943185B1 (ko) * 2008-04-24 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101149433B1 (ko) * 2009-08-28 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101074806B1 (ko) 2009-12-10 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101137389B1 (ko) * 2009-12-15 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이용 기판, 이를 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101097344B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101182234B1 (ko) * 2010-05-28 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101814769B1 (ko) * 2010-07-07 2018-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101430173B1 (ko) 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101746677B1 (ko) 2010-11-02 2017-06-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자
KR101255537B1 (ko) * 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR20120065049A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR101511551B1 (ko) 2011-06-10 2015-04-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2013131339A (ja) 2011-12-20 2013-07-04 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
KR20140033867A (ko) * 2012-09-11 2014-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널
KR101420332B1 (ko) 2012-11-14 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR102048926B1 (ko) 2012-11-19 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101410102B1 (ko) 2012-11-20 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR101473309B1 (ko) * 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR101473311B1 (ko) * 2012-12-20 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102081283B1 (ko) * 2013-02-14 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 반도체 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030164674A1 (en) * 2002-01-15 2003-09-04 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US20040185301A1 (en) * 2002-12-19 2004-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
US20110001146A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Device, Lighting Device, and Electronic Device
US9287335B2 (en) * 2012-11-22 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107221549B (zh) * 2016-03-22 2023-06-06 三星显示有限公司 显示设备
CN107221549A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 三星显示有限公司 显示设备
US11653542B2 (en) 2016-03-22 2023-05-16 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
CN107658386A (zh) * 2016-07-25 2018-02-02 三星显示有限公司 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置
US11245090B2 (en) 2016-07-25 2022-02-08 Samsung Display Co., Ltd Display device with structure for preventing organic material overflow
CN107658386B (zh) * 2016-07-25 2022-01-25 三星显示有限公司 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置
US11864407B2 (en) 2016-07-25 2024-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Display device with structure for preventing organic material overflow
JP2018087863A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106784398B (zh) * 2016-12-15 2019-12-03 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN106784398A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
US11228006B2 (en) 2017-06-08 2022-01-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, packaging structure and display device
WO2018223721A1 (zh) * 2017-06-08 2018-12-13 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板、制作方法、封装结构及显示装置
CN110034239A (zh) * 2017-12-21 2019-07-19 三星显示有限公司 显示装置
CN110034239B (zh) * 2017-12-21 2023-09-19 三星显示有限公司 显示装置
CN108198837A (zh) * 2017-12-26 2018-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
WO2020087496A1 (en) * 2018-11-02 2020-05-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
US11362303B2 (en) 2018-11-02 2022-06-14 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
US11700746B2 (en) 2018-11-02 2023-07-11 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
CN109564986A (zh) * 2018-11-02 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
WO2020098204A1 (en) * 2018-11-14 2020-05-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, preparation method thereof, and display panel comprising display substrate
CN109920818A (zh) * 2018-11-14 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US11963381B2 (en) 2018-11-14 2024-04-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display panel with barrier separated from pixel
WO2023142100A1 (zh) * 2022-01-30 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190296262A1 (en) 2019-09-26
US10923682B2 (en) 2021-02-16
EP2991130A1 (en) 2016-03-02
US11930661B2 (en) 2024-03-12
US10847753B2 (en) 2020-11-24
CN112467055A (zh) 2021-03-09
CN105390525B (zh) 2020-12-18
KR20160027489A (ko) 2016-03-10
US20160064691A1 (en) 2016-03-03
US20190296261A1 (en) 2019-09-26
US20210167330A1 (en) 2021-06-03
EP2991130B1 (en) 2021-09-22
KR101667800B1 (ko) 2016-10-20
US20240114714A1 (en) 2024-04-04
US10319944B2 (en) 2019-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105390525A (zh) 显示装置及其制造方法
US10847546B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11011730B2 (en) Display device and organic luminescent display device
KR102456072B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
CN105261620A (zh) 显示设备及制造该显示设备的方法
KR102087952B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20160190454A1 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
TW201444079A (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR20160091529A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TW201310655A (zh) 半導體元件及其製作方法
TW201545322A (zh) 畫素結構
KR20160123270A (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US9059121B2 (en) Organic light emitting display and method for manufacturing the same
KR20140142623A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102235606B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant