KR102369594B1 - 유기발광 표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
유기발광 표시패널은 베이스 기판 및 화소정의막을 포함한다. 상기 베이스 기판에는 복수 개의 제1 화소들 및 복수 개의 제2 화소들이 배치된다. 상기 화소정의막에는 제1 개구부 및 제2 개구부가 정의되어 있다. 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 액상의 물질을 주입하여 유기발광소자를 형성할 수 있다.
상기 제1 개구부는 상기 복수 개의 제1 화소들 중 n개의 제1 화소들의 발광영역들에 대응하고, 상기 제2 개구부는 상기 복수 개의 제2 화소들 중 n보다 작은 m개의 제2 화소들의 발광영역들에 대응한다.
상기 제1 개구부는 상기 복수 개의 제1 화소들 중 n개의 제1 화소들의 발광영역들에 대응하고, 상기 제2 개구부는 상기 복수 개의 제2 화소들 중 n보다 작은 m개의 제2 화소들의 발광영역들에 대응한다.
Description
본 발명은 유기발광 표시패널 및 그 제조방법에 관련된 것으로, 더욱 상세하게는 용액 공정을 이용한 유기발광 표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고, 액정표시장치와 달리 별도의 광원부를 요구하지 않는 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)가 차세대 표시장치로 주목받고 있다. 유기발광 표시장치는 별도의 광원을 필요로 하지 않아, 경량화 및 박형으로 제작될 수 있다. 유기발광 표시장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 특성을 갖는다.
유기발광 표시장치는 애노드, 발광층, 및 캐소드 전극을 포함하는 유기발광소자를 포함한다. 발광층에는 애노드와 캐소드로부터 각각 정공 및 전자가 주입되어 여기자(exciton)가 형성된다. 유기발광소자는 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 한다.
일반적으로 기판상에 복수의 애노드들이 배치되고, 애노드들을 덮도록 기판상에 유기 절연막이 형성된다. 복수의 개구부들을 갖도록 유기 절연막이 패터닝되어 화소 정의막이 형성된다. 화소 정의막들의 개구부들에 의해 애노드 전극들의 소정의 영역이 노출된다. 개구부들에 의해 형성되는 영역은 화소들의 발광영역들로 정의될 수 있다.
화소들의 발광영역들에서 애노드들 상에 정공수송영역들 및 발광층들이 형성된다. 정공수송영역들 및 발광층들은 잉크젯 프린팅(Inkjet printing) 등의 프린팅 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명은 잉크젯 프린팅 방식의 제조공정을 단순화 하고 공진구조 유기발광소자의 두께를 정확하게 조절 할 수 있는 화소정의막을 포함하는 유기발광 표시패널 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
유기발광 표시패널은 베이스 기판 및 화소정의막을 포함한다.
상기 베이스 기판은 제1 화소들 및 제2 화소들이 배치된다. 상기 제1 화소들은 제1 파장의 빛을 방출한다. 상기 제2 화소들은 제2 파장의 빛을 방출한다.
상기 화소정의막은 상기 베이스 기판 상에 배치된다. 상기 화소정의막에는 제1 개구부 및 제2 개구부가 정의된다. 상기 제1 개구부는 상기 복수 개의 제1 화소들 중 n개(여기서 n은 2 이상의 자연수)의 제1 화소들의 발광영역들에 대응한다. 상기 제2 개구부는 상기 복수 개의 제2 화소들 중 n보다 작은 m개(여기서 m은 1 이상의 자연수)의 제2 화소들의 발광영역들에 대응한다.
상기 복수 개의 제1 화소들 각각의 발광영역의 면적은 상기 복수 개의 제2 화소들 각각의 발광영역의 면적보다 작다.
상기 베이스 기판에는 제3 파장의 빛을 방출하는 복수 개의 제3 화소들이 더 배치된다. 상기 화소정의막에는 제3 개구부가 더 정의된다.
상기 제3 개구부는 상기 복수 개의 제3 화소들 중 m보다 작은 k개(여기서 k는 1 이상의 자연수)의 제3 화소들의 발광영역들에 대응한다.
상기 복수 개의 제2 화소들 각각의 발광영역의 면적은 상기 복수 개의 제3 화소들 각각의 발광영역의 면적보다 작다.
상기 제1 파장은 상기 제2 파장보다 길고, 상기 제2 파장은 상기 제3 파장보다 길다.
상기 제1 화소들 각각의 발광영역은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 애노드 및 상기 제1 애노드 상에 배치되는 제1 발광층이 중첩하는 영역으로 정의된다. 상기 제2 화소들 각각의 발광영역은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제2 애노드 및 상기 제2 애노드 상에 배치되는 제2 발광층이 중첩하는 영역으로 정의된다. 상기 제3 화소들 각각의 발광영역은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제3 애노드 및 상기 제3 애노드 상에 배치되는 제3 발광층이 중첩하는 영역으로 정의된다.
상기 제1 개구부는 n개의 제1 애노드들 및 상기 베이스 기판 중 상기 n개의 제1 애노드들 사이에 정의되는 영역을 노출시킨다. 상기 제2 개구부는 m개의 제2 애노드들 및 상기 베이스 기판 중 상기 m개의 제2 애노드들 사이에 정의되는 영역을 노출시킨다. 상기 제3 개구부는 k개의 제3 애노드들 및 상기 베이스 기판 중 상기 k개의 제3 애노드들 사이에 정의되는 영역을 노출시킨다.
상기 유기발광 표시패널은 상기 제1 발광층, 제2 발광층, 및 제3 발광층 상에 배치되는 캐소드를 더 포함한다.
상기 제1 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제1 발광층의 두께방향으로 측정한 길이는 상기 제2 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제2 발광층의 두께방향으로 측정한 길이보다 길다. 상기 제2 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제3 발광층의 두께방향으로 측정한 길이는 상기 제3 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 두께방향으로 측정한 길이보다 길다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기발광 표시패널을 제조하는 공정의 효율성을 높일 수 있다. 또한, 유기발광소자의 두께를 조절하는데 있어서 그 정확도를 높일 수 있다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시 된 유기발광 표시패널의 화소의 등가회로도이다.
도 3은 도 1에 도시 된 유기발광 표시장치의 유기발광 표시패널의 사시도이다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 화소정의막의 사시도이다.
도 7a는 도 5의 I-I`에 대응하는 단면도이다.
도 7b는 도 5의 II-II`에 대응하는 단면도이다.
도 7c 내지 도 7g는 도 5에 도시된 유기발광 표시패널의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 8은 도 5에 도시된 유기발광 표시패널의 제조방법의 흐름도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시 된 유기발광 표시패널의 화소의 등가회로도이다.
도 3은 도 1에 도시 된 유기발광 표시장치의 유기발광 표시패널의 사시도이다.
도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 화소정의막의 사시도이다.
도 7a는 도 5의 I-I`에 대응하는 단면도이다.
도 7b는 도 5의 II-II`에 대응하는 단면도이다.
도 7c 내지 도 7g는 도 5에 도시된 유기발광 표시패널의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 8은 도 5에 도시된 유기발광 표시패널의 제조방법의 흐름도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 평면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서는 유기발광 표시장치를 중심으로 기술되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명이 적용되는 표시장치는 액정 표시장치 또는 플라즈마 표시장치 등 다양한 표시장치를 포함 할 수 있다.
도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 일부 구성요소의 스케일을 과장하거나 축소하여 나타내었다. 명세서 전체에 걸쳐 유사한 참조 부호는 유사한 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 블록도이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 유기발광 표시장치는 주사 구동부(100), 데이터 구동부(200), 및 유기발광 표시패널(DP)을 포함한다.
주사 구동부(100)는 타이밍 제어부(미도시)로부터 게이트 제어신호(미도시)를 수신한다. 게이트 제어신호는 주사 구동부(100)의 동작을 개시하는 수직개시신호, 신호들의 출력 시기를 결정하는 클럭신호 등을 포함할 수 있다. 주사 구동부(100)는 복수 개의 게이트 신호들을 생성하고, 복수 개의 게이트 신호들을 후술하는 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)에 순차적으로 출력한다. 또한, 주사 구동부(100)는 게이트 제어신호에 응답하여 복수 개의 발광 제어신호들을 생성하고, 후술하는 복수 개의 발광 라인들(미도시)에 복수 개의 발광 제어신호들을 출력한다.
도 1은 복수 개의 게이트 신호들이 하나의 주사 구동부(100)로부터 출력되는 것으로 도시하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시예에서, 복수 개의 주사 구동부가 복수 개의 게이트 신호들을 분할하여 출력할 수 있다.
데이터 구동부(200)는 타이밍 제어부로부터 데이터 제어신호(미도시) 및 영상 데이터들(미도시)을 수신한다. 데이터 구동부(200)는 영상 데이터들을 데이터 신호들로 변환하고, 데이터 신호들을 게이트 라인들(GL1~GLn)에 절연 교차하는 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)에 출력한다. 데이터 신호들은 영상 데이터들의 계조값에 대응하는 아날로그 전압들이다.
유기발광 표시패널(DP)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm), 및 복수 개의 화소들(PX)을 포함한다. 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향에 직교하는 제2 방향(DR2)으로 나열된다. 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn)과 절연되게 교차한다.
복수 개의 화소들(PX) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인, 및 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인들에 접속된다. 도 1에는 간략히 도시되었으나, 복수 개의 화소들(PX) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 복수 개의 게이트 라인들에 접속될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 화소의 등가회로도이다.
도 2에 도시된 것과 같이, 화소들(PX) 각각은 유기발광소자(OLED) 및 유기발광소자(OLED)를 제어하는 회로부를 포함한다. 회로부는 제1 트랜지스터(TR1), 제2 트랜지스터(TR2), 및 커패시터(CAP)를 포함한다. 한편, 화소(PX)의 등가회로는 도 2에 제한되지 않고, 변형되어 실시될 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 게이트 라인(GL)에 연결된 제어전극, 데이터 라인(DL)에 연결된 입력전극, 및 출력전극을 포함한다. 제1 트랜지스터(TR1)는 게이트 라인(GL)에 인가된 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다.
커패시터(CAP)는 제1 트랜지스터(TR1)에 연결된 제1 전극 및 제1 전원전압(ELVDD)을 수신하는 제2 전극을 포함한다. 커패시터(CAP)는 제1 트랜지스터(TR1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다.
제2 트랜지스터(TR2)는 제1 트랜지스터(TR1)의 출력 전극 및 커패시터(CAP)의 제1 전극에 연결된 제어전극, 제1 전원전압(ELVDD)을 수신하는 입력전극, 및 출력전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(TR2)의 출력전극은 유기발광소자(OLED)에 연결된다. 제2 트랜지스터(TR2)는 커패시터(CAP)에 저장된 전압에 대응하게 유기발광소자(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어한다.
유기발광소자(OLED)는 제2 트랜지스터(TR2)에 연결되어 제1 전원전압(ELVDD)를 수신하는 애노드(미도시) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 수신하는 캐소드(미도시)를 포함한다. 또한, 유기발광소자(OLED)는 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층(미도시)을 포함한다. 유기발광소자(OLED)는 제2 트랜지스터(TR2)의 턴-온 구간동안 발광한다.
도 3은 도 1에 도시 된 유기발광 표시장치의 유기발광 표시패널의 사시도이다. 도 4 및 도 5는 도 3에 도시된 유기발광 표시패널의 평면도이다. 도 6은 도 3에 도시된 화소정의막의 사시도이다.
도 3에 도시된 것과 같이, 소자층(20)은 베이스 기판(10) 상에 배치된다.
베이스 기판(10)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 특히, 베이스 기판(10)은 평탄면을 제공하기 위해서 유기물질을 포함할 수 있다.
베이스 기판(10)은 도전층(미도시)과 절연층(미도시)을 포함할 수 있다. 도전층은 도 2에 도시된 트랜지스터들(TR1, TR2)을 포함 할 수 있다. 또한, 도전층은 도 1 및 도 2에 도시된 게이트 라인들(GL1~GLn) 및 데이터 라인들(DL1~DLn)을 포함할 수 있다. 절연층은 베이스 기판(10)의 가장 상부에 배치될 수 있다.
소자층(20)은 화소정의막(미도시) 및 유기발광소자(미도시)를 포함한다.
봉지층(30)은 소자층(20) 상에 배치된다. 봉지층(30)은 복수 개의 박막 봉지층들(Thin-Film Encapsulation layers)을 포함할 수 있다. 박막 봉지층들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다. 이하에서는, 봉지층(30)을 제외하고 설명한다.
도 4에는 복수 개의 화소들(PX1, PX2, PX3) 및 이들에 대응하는 발광영역들(EA1, EA2, EA3)이 도시되어 있다. 발광영역들(EA1, EA2, EA3) 각각에는 유기발광소자가 배치된다.
제1 화소의 발광영역(EA1, 이하 제1 발광영역)의 면적은 제2 화소의 발광영역(EA2, 이하 제2 발광영역)의 면적보다 작다. 제2 발광영역(EA2)의 면적은 제3 화소의 발광영역(EA3, 이하 제3 발광영역)의 면적보다 작다. 단, 제1 발광영역(EA1), 제2 발광영역(EA2), 및 제3 발광영역(EA3) 각각의 면적이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 방향(DR1) 상에서, 제1 발광영역(EA1), 제2 발광영역(EA2), 및 제3 발광영역(EA3)은 순서대로 번갈아 가며 배치된다. 따라서, 제1 방향(DR1) 상에서, 제1 발광영역(EA1)은 제2 발광영역(EA2) 및 제3 발광영역(EA3) 사이에 배치될 수 있다. 그리고, 제2 발광영역(EA2)은 제1 발광영역(EA1) 및 제3 발광영역(EA3) 사이에 배치되고, 제3 발광영역(EA3)은 제1 발광영역(EA1) 및 제2 발광영역(EA2) 사이에 배치될 수 있다.
제1 발광영역들(EA1)은 제2 방향(DR2)으로 일렬로 배치된다. 제2 발광영역들(EA2)은 제2 방향(DR2)으로 일렬로 배치된다. 제3 발광영역들(EA3)은 제2 방향(DR2)으로 일렬로 배치된다.
제1 발광영역(EA1)은 제1 파장의 빛을 방출하고, 제2 발광영역(EA2)은 제2 파장의 빛을 방출하며, 제3 발광영역(EA3)은 제3 파장의 빛을 방출한다. 제1 파장은 제2 파장보다 길 수 있다. 그리고, 제2 파장은 제3 파장보다 길 수 있다. 제1 파장은 610nm 내지 750nm일 수 있다. 이 경우 제1 발광영역(EA1)이 방출하는 빛은 빨간색이다. 제2 파장은 495nm 내지 570nm일 수 있다. 이 경우 제2 발광영역(EA2)이 방출하는 빛은 녹색이다. 제3 파장은 450nm 내지 495nm일 수 있다. 이 경우 제3 발광영역(EA3)이 방출하는 빛은 파란색이다. 단, 제1 발광영역(EA1), 제2 발광영역(EA2), 및 제3 발광영역(EA3) 각각이 발광하는 빛의 파장은 이에 한정되지 않는다.
유기발광 표시패널(DP)는 제1 발광영역(EA1), 제2 발광영역(EA2), 및 제3 발광영역(EA3) 각각에서 방출되는 빛의 조합으로 원하는 색깔을 형성한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 화소정의막(PDL)은 제1 발광영역들(EA1), 제2 발광영역들(EA2), 및 제3 발광영역들(EA3)을 노출시키며 배치된다.
화소정의막(PDL)에는 복수 개의 제1 개구부들(OP1), 복수 개의 제2 개구부들(OP2), 및 복수 개의 제3 개구부들(OP3)이 정의된다.
제1 개구부(OP1)는 n개(여기서 n은 2이상의 자연수)의 제1 발광영역들(EA1)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 n개의 제1 발광영역들(EA1)은 제1 개구부(OP1)를 통하여 외부로 제1 파장의 빛을 방출한다. 이 때, n은 4일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 개구부(OP2)는 n보다 작은 개의 m개(여기서 m은 1이상의 자연수)의 제2 발광영역들(EA2)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 m개의 제2 발광영역들(EA2)은 제2 개구부(OP2)를 통하여 외부로 제2 파장의 빛을 방출한다. 이 때, m은 2일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제3 개구부(OP3)는 m보다 작거나 같은 k개(여기서 k는 1이상의 자연수) 제3 발광영역들(EA3)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 k개의 제3 발광영역들(EA3)은 제3 개구부(OP3)를 통하여 외부로 제3 파장의 빛을 방출한다. 이 때, k는 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7a는 도 5의 I-I`에 대응하는 단면도이다. 도 7b는 도 5의 II-II`에 대응하는 단면도이다.
베이스 기판(10) 상에 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3)가 배치된다. 제1 애노드(ADE1)의 너비(WD1, 이하 제1 너비)는 제2 애노드(ADE2)의 너비(WD2, 이하 제2 너비) 보다 작다. 제2 너비(WD2)는 제3 애노드(ADE3)의 너비(WD3, 이하 제3 너비) 보다 작다. 제1 너비(WD1), 제2 너비(WD2), 및 제3 너비(WD3)의 차이에 의해, 도 4에서와 같이 제1 발광영역(EA1)의 면적, 제2 발광영역(EA2)의 면적, 및 제3 발광영역(EA3)의 면적이 차이가 날 수 있다.
화소정의막(PDL)은 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3)를 노출 시키며, 베이스 기판(10)상에 배치된다. 화소정의막(PDL)은 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3)의 일부와 중첩하게 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 화소정의막(PDL)은 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3)와 중첩하지 않게 배치될 수 있다.
화소정의막(PDL)에는 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)가 정의된다.
정공수송영역들(HTR)은 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3) 상에 배치된다.
정공수송영역들(HTR)은 애노드들(ADE1, ADE2, ADE3)로부터 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3)으로 정공을 주입/수송한다.
정공수송영역(HTR)은, 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공수송영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공수송영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 애노드들(ADE1, ADE2, ADE3)로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3) 각각은 정공수송영역(HTR) 상에 배치된다.
제1 발광층(EML1)이 빨간색을 발광하는 경우, 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광물질을 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML1)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
제2 발광층(EML2)이 녹색을 발광하는 경우, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질을 포함할 수 있다. 제2 발광층(EML2)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
제3 발광층(EML3)이 파란색을 발광하는 경우, 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질을 포함할 수 있다. 제3 발광층(EML3)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex)에서 선택할 수 있다.
전자수송영역들(ETR)은 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3) 상에 배치된다.
전자수송영역(ETR)은 캐소드(CTD)로부터 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3)로 전자를 주입/수송한다.
전자수송영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 전자수송영역(ETR)은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층 또는 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가지거나, 층 중 둘 이상의 층이 혼합된 단일층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드(CTD)는 전자수송영역들(ETR) 및 화소정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다.
캐소드(CTD)는 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 캐소드(CTD)는 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 캐소드(CTD)가 투과형 전극인 경우, 캐소드(CTD)는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, BaF, Ba, Ag 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다.
제1 발광영역(EA1, 도 4 참조)은 제1 애노드(ADE1) 및 제1 발광층(EML1)이 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 제2 발광영역(EA2, 도 4 참조)은 제2 애노드(ADE2) 및 제2 발광층(EML2)이 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 제3 발광영역(EA3, 도 4 참조)은 제3 애노드(ADE3) 및 제3 발광층(EML3)이 중첩하는 영역으로 정의될 수 있다. 단, 제1 발광영역(EA1), 제2 발광영역(EA2), 및 제3 발광영역(EA3)의 정의는 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층들(EML1, EML2, EML3)에 대응하는 영역으로 정의될 수도 있다.
제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3) 각각에서 방출되는 빛의 파장은 서로 다르다. 이에 따라, 공진구조를 만족하기 위한 유기발광소자의 두께도 각각 서로 다르다.
제1 공진거리(RD1)는 제1 애노드(ADE1)과 캐소드(CTD) 사이의 거리를 제1 발광층(EML1)의 두께방향으로 측정한 것이다. 제2 공진거리(RD2)는 제2 애노드(ADE2)와 캐소드(CTD) 사이의 거리를 제2 발광층(EML2)의 두께방향으로 측정한 것이다. 제3 공진거리(RD3)는 제3 애노드(ADE3)와 캐소드(CTD) 사이의 거리를 제3 발광층(EML3)의 두께방향으로 측정한 것이다.
제1 공진거리(RD1)는 제2 공진거리(RD2)보다 길다. 이는 제1 발광층(EML1)에서 방출되는 빛의 파장인 제1 파장이 제2 발광층(EML2)에서 방출되는 빛의 파장인 제2 파장보다 길기 때문이다.
제2 공진거리(RD2)는 제3 공진거리(RD3)보다 길다. 이는 제2 발광층(EML2)에서 방출되는 빛의 파장인 제2 파장이 제3 발광층(EML3)에서 방출되는 빛의 파장인 제3 파장보다 길기 때문이다.
공진구조의 유기발광소자를 제공하기 위하여, 잉크젯 프린팅법을 이용하는 것이 바람직하다. 잉크젯 프린팅법을 이용하는 경우 정공수송영역(HTR), 제1 내지 제3 발광층(EML1, EML2, EML3), 및 전자수송영역(ETR)을 형성하기 위해 제공되는 액상물질의 양 및 이들의 농도를 조절할 수 있다. 이 경우, 제1 공진거리(RD1), 제2 공진거리(RD2), 및 제3 공진거리(RD2)를 조절하기 용이하다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 발광영역(EA1)의 면적이 작으면 액상물질이 주입되는 영역의 면적도 작아지기 때문에 제1 공진거리(RD1)를 원하는대로 맞추기 어렵다. 따라서, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 n개의 제1 발광영역들(EA1)에 대응하는 제1 개구부(OP1)가 정의된 화소정의막(PDL)을 이용하여 액상물질을 제공하는 경우, 액상물질이 제공되는 영역의 면적을 넓힐 수 있어서 제1 공진거리(RD1)를 조절하기 용이해진다.
제2 발광영역(EA2)의 면적은 제1 발광영역(EA1)의 면적보다는 크나, 제3 발광영역(EA3)의 면적보다는 작다. 따라서, n보다는 작은 m개의 제2 발광영역들(EA2)에 대응하는 제2 개구부(OP2)가 정의된 화소정의막(PDL)을 이용하여 액상물질을 제공하는 경우, 액상물질이 제공되는 영역의 면적을 넓힐 수 있어서 제2 공진거리(RD2)를 조절하기 용이해진다.
제3 발광영역(EA3)의 면적은 제1 발광영역(EA1)의 면적 및 제2 발광영역(EA2)의 면적 보다 크다. 따라서, m보다 작은 k개의 제3 발광영역들(EA3)에 대응하는 제3 개구부(OP3)가 정의된 화소정의막(PDL)을 이용하여 액상물질을 제공할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 정공수송영역(HTR)은 제1 애노드들(ADE1)을 커버하며 베이스 기판(10)상에 배치된다. 제1 발광층(EML1)은 정공수송영역(HTR) 상에 배치된다. 전자수송영역(ETR)은 제1 발광층(EML1) 상에 배치된다. 캐소드(CTD)는 전자수송영역(ETR) 및 화소정의막(PDL) 상에 배치된다.
화소정의막(PDL)은 n개의 제1 애노드들(ADE1)을 한꺼번에 노출시킨다. 제1 개구부(OP1)는 n개의 제1 애노드들(ADE1) 및 베이스 기판(10) 중 상기 n개의 제1 애노드들(ADE1) 사이에 정의되는 영역 대응하는 영역으로 정의된다.
제1 발광층(EML1)에서 제1 애노드들(ADE1)과 중첩하는 영역은 제1 파장의 빛을 방출한다.
도 7c 내지 도 7g는 도 5에 도시된 유기발광 표시패널의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 8은 도 5에 도시된 유기발광 표시패널의 제조방법의 흐름도이다.
도 7c 및 도 8에 도시된 바와 같이, 베이스 기판(10) 상에 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3)를 포함하는 애노드층을 형성한다(S10). 이때, 제1 애노드(ADE1)의 면적은 제2 애노드(ADE2)의 면적보다 작다. 그리고, 제2 애노드(ADE2)의 면적은 제3 애노드(ADE3)의 면적보다 작다.
베이스 기판(10) 상에 화소정의막(PDL)을 형성한다(S20). 화소정의막(PDL)에는 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)가 정의된다. 제1 개구부(OP1)는 n개(여기서 n은 2 이상의 자연수)의 제1 애노드들(ADE1)을 한꺼번에 노출시킨다. 제2 개구부(OP2)는 m개(여기서 m은 1 이상의 자연수)의 제2 애노드들(ADE2)을 한꺼번에 노출시킨다. 제3 개구부(OP3)는 k개(여기서 k는 1 이상의 자연수)의 제3 애노드들(ADE3)을 한꺼번에 노출시킨다.
도 7d 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)에 대응하는 영역에 액상의 물질을 제공하여 제1 애노드(ADE1), 제2 애노드(ADE2), 및 제3 애노드(ADE3) 상에 정공수송영역들(HTR)을 형성한다(S30). 이 때, 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)에 대응하는 영역에 제공되는 액상의 물질의 양 또는 농도는 동일할 수 있다. 그러나, 정공수송영역들(HTR) 각각의 두께는 서로 다를 수 있다. 이와 같은 정공수송영역들(HTR) 각각의 두께차로 유기발광소자의 발광에 필요한 공진거리를 조절할 수 있다.
정공수송영역(HTR)은 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 정공수송영역은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 레이저 프린팅법, 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7e 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)에 대응하는 영역에 액상의 유기물질을 제공하여 정공수송영역들(HTR) 상에 발광층들(EML1, EML2, EML3)을 형성한다(S40). 구체적으로, 제1 개구부(OP1)에 대응하는 영역에 액상의 제1 유기물질을 제공하여 제1 발광층(EML1)을 형성하고, 제2 개구부(OP2)에 대응하는 영역에 액상의 제2 유기물질을 제공하여 제2 발광층(EML2)을 형성하며, 제3 개구부(OP3)에 대응하는 영역에 액상의 제3 유기물질을 제공하여 제3 발광층(EML3)을 형성한다.
이때, 제1 유기물질, 제2 유기물질, 및 제3 유기물질 각각의 종류는 다를 수 있다. 이는 발광층들(EML1, EML2, EML3) 마다 발광하는 빛의 파장이 서로 다르기 때문이다.
제1 발광층(EML1)은 제1 파장의 빛을 방출하고, 제2 발광층(EML2)은 제2 파장의 빛을 방출하며, 제3 발광층(EML3)은 제3 파장의 빛을 방출한다. 제1 파장, 제2 파장, 및 제3 파장에 대한 내용은 도 4에서 설명한바와 같으므로 생략한다. 그리고, 발광층들(EML1, EML2, EML3)을 형성하기 위해 제공되는 액상의 유기물질들에 대한 내용은 도 7a에서 설명한 바와 같으므로 생략한다.
제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3) 각각의 두께는 서로 다를 수 있다. 이와 같이 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3) 각각의 두께를 조절하여 유기발광소자의 발광에 필요한 공진거리를 조절할 수 있다.
제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3)은 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 레이저 프린팅법, 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7f 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 발광층(EML1), 제2 발광층(EML2), 및 제3 발광층(EML3) 상에 전자수송영역들(ETR)을 형성한다(S50). 전자수송영역들(ETR)은 제1 개구부(OP1), 제2 개구부(OP2), 및 제3 개구부(OP3)에 대응하는 영역에 액상의 물질을 제공하여 형성될 수 있다.
전자수송영역들(ETR) 각각의 두께는 서로 다를 수 있다. 이와 같은 전자수송영역들(ETR) 각각의 두께를 조절하여 유기발광소자의 발광에 필요한 공진거리를 조절할 수 있다.
전자수송영역(ETR)은 잉크젯 프린팅법을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며 전자수송영역(ETR)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 레이저 프린팅법, 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
도 7g 및 도 8에 도시된 바와 같이, 전자수송영역들(ETR) 및 화소정의막(PDL) 상에 캐소드(CTD)를 형성한다(S60). 캐소드(CTD)의 재료는 도 7a에서 설명한 바와 같으므로 생략한다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 평면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 유기발광 표시패널(DP-1)은 복수 개의 화소들(PX1-1, PX2-1, PX3-1) 및 이들에 대응하는 복수 개의 발광영역들(EA1-1, EA2-1, EA3-1)을 포함한다.
제2 방향(DR2) 상에서, 일렬로 배치된 제1 화소들(PX1-1)은 제1 화소열들(PXR1-1, PXR1-2)을 형성하고, 일렬로 배치된 제2 화소들(PX2-1)은 제2 화소열들(PXR2-1, PXR2-2)을 형성하며, 일렬로 배치된 제3 화소들(PX3)은 제3 화소열들(PXR3-1, PXR3-2)을 형성한다. 복수 개의 화소열들(PXR1-1, PXR1-2, PXR2-1, PXR2-2, PXR3-1, PXR3-2)은 제1 방향상에서, 제3 화소열(PXR3-1), 제2 화소열(PXR2-1), 제1 화소열(PXR1-1), 제1 화소열(PXR1-2), 제2 화소열(PXR2-2), 및 제3 화소열(PXR3-2) 순으로 배치된다.
즉, 제1 화소열(PXR1-1)은 인접하게 배치된 다른 제1 화소열(PXR1-2) 및 제2 화소열(PXR2-1) 사이에 배치된다. 제2 화소열(PXR2-1)은 제1 화소열(PXR1-1) 및 제3 화소열(PXR3-1) 사이에 배치된다. 제3 화소열(PXR3-1)은 인접하게 배치된 다른 제3 화소열(PXR3-3) 및 제2 화소열(PXR2-1) 사이에 배치된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 화소정의막(PDL-1)에는 제1 개구부(OP1-1), 제2 개구부(OP2-1), 및 제3 개구부(OP3-1)가 정의되어 있다.
제1 개구부(OP1-1)는 n개(여기서 n은 2이상의 자연수)의 제1 발광영역들(EA1-1)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 n개의 제1 발광영역들(EA1)은 제1 개구부(OP1-1)를 통하여 외부로 제1 파장의 빛을 방출한다. 상기 n개의 제1 발광영역들(EA1-1)은 2열로 배치된다. 이 때, n이 4라면 4개의 제1 발광영역들(EA1-1)은 2 x 2 행렬의 형태로 배치된다.
제2 개구부(OP2-1)는 n보다 작은 개의 m개(여기서 m은 1이상의 자연수)의 제2 발광영역들(EA2-1)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 m개의 제2 발광영역들(EA2-1)은 제2 개구부(OP2-1)를 통하여 외부로 제2 파장의 빛을 방출한다. 상기 m개의 제2 발광영역들(EA2-1)는 일렬로 배치된다. 이 때, m이 2라면 2개의 제2 발광영역들(EA2-1)는 2 x 1 행렬의 형태로 배치된다.
제3 개구부(OP3-1)는 m보다 작거나 같은 k개(여기서 k는 1이상의 자연수) 제3 발광영역들(EA3-1)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 k개의 제3 발광영역들(EA3-1)은 제3 개구부(OP3-1)를 통하여 외부로 제3 파장의 빛을 방출한다. 이 때, k는 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시패널의 평명도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 유기발광 표시패널(DP-2)은 복수 개의 화소들(PX1-2, PX2-2, PX3-2) 및 이들에 대응하는 복수 개의 발광영역들(EA1-2, EA2-2, EA3-2)을 포함한다.
제1 화소행(PXC1)은 제1 화소들(PX1-2) 및 제2 화소들(PX2-2)을 포함한다. 제1 방향(DR1) 상에서, 제1 화소행(PXC1)의 제1 화소들(PX1-2) 및 제2 화소들(PX2-2)은 2개씩 서로 번갈아 가며 일렬로 배치된다. 단, 제1 화소행(PXC1)의 시작부분 또는 끝부분에서는 제1 화소(PX1-2) 또는 제2 화소(PX2-2)가 하나만 배치될 수 있다.
제2 화소행(PXC2)은 제3 화소들(PX3-2)을 포함한다. 제1 방향(DR1) 상에서, 제3 화소들(PX3-2)은 일렬로 배치된다.
도 12에 도시된 바와 같이, 화소정의막(PDL-2)에는 제1 개구부(OP1-2), 제2 개구부(OP2-2), 및 제3 개구부(OP3-2)가 정의되어 있다.
제1 개구부(OP1-2)는 4개의 제1 발광영역들(EA1-2)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 4개의 제1 발광영역들(EA1-2)은 제1 개구부(OP1-2)를 통하여 외부로 제1 파장의 빛을 방출한다. 상기 4개의 제1 발광영역들(EA1-2)은 2 x 2 행렬의 형태로 배치된다.
제2 개구부(OP2-2)는 2개의 제2 발광영역들(EA2-2)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 2개의 제2 발광영역들(EA2-2)은 제2 개구부(OP2-2)를 통하여 외부로 제2 파장의 빛을 방출한다. 상기 2개의 제2 발광영역들(EA2-2)은 2 x 1 행렬의 형태로 배치된다.
제3 개구부(OP3-2)는 1개의 제3 발광영역들(EA3-2)에 대응하게 정의된다. 따라서, 상기 1개의 제3 발광영역들(EA3-2)은 제3 개구부(OP3)를 통하여 외부로 제3 파장의 빛을 방출한다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DP: 표시패널 100: 주사 구동부
200: 데이터 구동부 PX1, PX2, PX3: 화소
10: 베이스 기판 20: 소자층
30: 봉지층 PDL: 화소정의막
EA1, EA2, EA3: 발광영역 OP1, OP2, OP3: 개구부
ADE1, ADE2, ADE3: 애노드 HTR: 정공수송영역
EML1, EML2, EML3: 발광층 ETR: 전자수송영역
CTD : 캐소드 OLED: 유기발광소자
200: 데이터 구동부 PX1, PX2, PX3: 화소
10: 베이스 기판 20: 소자층
30: 봉지층 PDL: 화소정의막
EA1, EA2, EA3: 발광영역 OP1, OP2, OP3: 개구부
ADE1, ADE2, ADE3: 애노드 HTR: 정공수송영역
EML1, EML2, EML3: 발광층 ETR: 전자수송영역
CTD : 캐소드 OLED: 유기발광소자
Claims (20)
- 제1 파장의 빛을 방출하는 복수 개의 제1 화소들 및 제2 파장의 빛을 방출하는 복수 개의 제2 화소들이 배치된 베이스 기판; 및
상기 베이스 기판 상에 배치되고 제1 개구부 및 제2 개구부가 정의된 화소정의막을 포함하고,
상기 제1 개구부는 상기 복수 개의 제1 화소들 중 n개(여기서 n은 2 이상의 자연수)의 제1 화소들의 발광영역들에 대응하고,
상기 제2 개구부는 상기 복수 개의 제2 화소들 중 n보다 작은 m개(여기서 m은 1 이상의 자연수)의 제2 화소들의 발광영역들에 대응하며,
상기 복수 개의 제1 화소들 각각의 발광영역의 면적은 상기 복수 개의 제2 화소들 각각의 발광영역의 면적보다 작은 유기발광 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판에는 제3 파장의 빛을 방출하는 복수 개의 제3 화소들이 더 배치되어 있고,
상기 화소정의막에는 제3 개구부가 더 정의되며,
상기 제3 개구부는 상기 복수 개의 제3 화소들 중 m보다 작은 k개(여기서 k는 1 이상의 자연수)의 제3 화소들의 발광영역들에 대응하며, 상기 복수 개의 제2 화소들 각각의 발광영역의 면적은 상기 복수 개의 제3 화소들 각각의 발광영역의 면적보다 작은 유기발광 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 파장은 상기 제2 파장보다 길고, 상기 제2 파장은 상기 제3 파장보다 긴 유기발광 표시패널. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 화소들 각각의 발광영역은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제1 애노드 및 상기 제1 애노드 상에 배치되는 제1 발광층이 중첩하는 영역으로 정의되고,
상기 제2 화소들 각각의 발광영역은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제2 애노드 및 상기 제2 애노드 상에 배치되는 제2 발광층이 중첩하는 영역으로 정의되며,
상기 제3 화소들 각각의 발광영역은 상기 베이스 기판 상에 배치되는 제3 애노드 및 상기 제3 애노드 상에 배치되는 제3 발광층이 중첩하는 영역으로 정의되는 유기발광 표시패널. - 제4 항에 있어서,
상기 제1 개구부는 n개의 제1 애노드들 및 상기 베이스 기판 중 상기 n개의 제1 애노드들 사이에 정의되는 영역을 노출시키고,
상기 제2 개구부는 m개의 제2 애노드들 및 상기 베이스 기판 중 상기 m개의 제2 애노드들 사이에 정의되는 영역을 노출시키며,
상기 제3 개구부는 k개의 제3 애노드들 및 상기 베이스 기판 중 상기 k개의 제3 애노드들 사이에 정의되는 영역을 노출시키는 유기발광 표시패널. - 제5 항에 있어서,
상기 제1 발광층, 제2 발광층, 및 제3 발광층 상에 배치되는 캐소드를 더 포함하고,
상기 제1 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제1 발광층의 두께방향으로 측정한 길이는 상기 제2 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제2 발광층의 두께방향으로 측정한 길이보다 길고,
상기 제2 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제2 발광층의 두께방향으로 측정한 길이는 상기 제3 애노드부터 상기 캐소드까지 상기 제3 발광층의 두께방향으로 측정한 길이보다 긴 유기발광 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 n은 4이고, 상기 m은 2이며, 상기 k는 1인 유기발광 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 n개의 제1 화소들은 일렬로 배치되고, 상기 m개의 제2 화소들은 일렬로 배치되며,
상기 n개의 제1 화소들이 배치되는 방향은 상기 m개의 제2 화소들이 배치되는 방향과 같은 유기발광 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 n개의 제1 화소은 2열로 배치되고, 상기 제2 화소들은 일렬로 배치되는 유기발광 표시패널. - 제9 항에 있어서,
상기 n개의 제1 화소들이 배치되는 방향은 상기 m개의 제2 화소들이 배치되는 방향과 같은 유기발광 표시패널. - 제10 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 화소들이 일렬로 배치되는 복수 개의 제1 화소열들;
상기 복수 개의 제2 화소들이 일렬로 배치되는 복수 개의 제2 화소열들; 및
상기 복수 개의 제3 화소들이 일렬로 배치되는 복수 개의 제3 화소열들을 포함하며,
상기 복수 개의 제1 화소열들 중 어느 하나의 제1 화소열은 다른 제1 화소열 및 상기 복수 개의 제2 화소열들 중 어느 하나의 제2 화소열 사이에 배치되고,
상기 복수 개의 제2 화소열들 중 어느 하나의 제2 화소열은 상기 복수 개의 제1 화소열들 중 어느 하나의 제1 화소열 및 상기 복수 개의 제3 화소열들 중 어느 하나의 제3 화소열 사이에 배치되며,
상기 복수 개의 제3 화소열들 중 어느 하나의 제3 화소열은 다른 제3 화소열 및 상기 복수 개의 제2 화소열들 중 어느 하나의 제2 화소열 사이에 배치되는 유기발광 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 n개의 제1 화소들은 2 x 2 행렬모양으로 배치되고, 상기 m개의 제2 화소들은 2 x 1 행렬모양으로 배치되는 유기발광 표시패널. - 제12 항에 있어서,
상기 복수 개의 제1 화소들 및 상기 복수 개의 제2 화소들이 2개씩 번갈아 가며 배치되는 제1 화소행; 및
상기 복수 개의 제3 화소들이 일렬로 배치되는 제2 화소행을 포함하고,
상기 제1 화소행의 제1 화소는 상기 제1 화소행의 제2 화소 및 상기 제2 화소행의 제3 화소와 인접하게 배치되어 하나의 화소그룹을 형성하는 유기발광 표시패널. - 베이스 기판 상에 복수 개의 제1 애노드들 및 상기 복수 개의 제1 애노드들 각각의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 복수 개의 제2 애노드들을 포함하는 애노드층을 형성하는 단계;
상기 복수 개의 제1 애노드들 중 n개(여기서 n은 2 이상의 자연수)의 제1 애노드들을 노출시키는 제1 개구부 및 상기 복수 개의 제2 애노드들 중 m개(여기서 m은 1 이상의 자연수)의 제2 애노드들을 노출시키는 제2 개구부가 정의되는 화소정의막을 형성하는 단계;
상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부에 대응하는 영역에 액상의 물질을 제공하여 상기 n개의 제1 애노드들 및 상기 m개의 제2 애노드들 상에 정공수송영역들을 형성하는 단계;
상기 제1 개구부에 대응하는 영역에 액상의 제1 유기물질을 제공하고, 상기 제2 개구부에 대응하는 영역에 액상의 제2 유기물질을 제공하여 발광층들을 형성하는 단계;
상기 발광층들 상에 전자수송영역들을 형성하는 단계; 및
상기 전자수송영역들 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시패널의 제조방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 애노드층은 상기 복수 개의 제2 애노드들 각각의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 복수 개의 제3 애노드들을 더 포함하며,
상기 화소정의막에는 상기 복수 개의 제3 애노드들 중 k개(여기서 k는 1 이상의 자연수)의 제3 애노드들을 노출시키는 제3 개구부가 더 정의되며,
상기 정공수송영역들을 형성하는 단계에서는, 상기 제3 개구부에 대응하는 영역에 액상의 물질을 제공하여 상기 k개의 제3 애노드들 상에 정공수송영역들을 형성하는 것을 더 포함하며,
상기 발광층들을 형성하는 단계에서는, 상기 제3 개구부에 대응하는 영역에 액상의 제3 유기물질을 제공하는 것을 더 포함하는 유기발광 표시패널의 제조방법. - 제15 항에 있어서,
상기 전자수송영역들을 형성하는 단계는,
상기 발광층들 상에 액상물질을 제공하여 상기 전자수송영역들을 형성하는 단계인 유기발광 표시패널의 제조방법. - 제16 항에 있어서,
상기 발광층들은,
상기 제1 유기물질에 의하여 형성되어 제1 파장의 빛을 방출하는 제1 발광층;
상기 제2 유기물질에 의하여 형성되어 제2 파장의 빛을 방출하는 제2 발광층; 및
상기 제3 유기물질에 의하여 형성되어 제3 파장의 빛을 방출하는 제3 발광층을 포함하며,
제1 파장은 상기 제2 파장보다 길고, 상기 제2 파장은 상기 제3 파장보다 긴 유기발광 표시패널의 제조방법. - 제17 항에 있어서,
상기 n개의 제1 애노드들은 일렬로 배치되고, 상기 m개의 제2 애노드들은 일렬로 배치되는 유기발광 표시패널의 제조방법. - 제17 항에 있어서,
상기 n개의 제1 애노드들은 2열로 배치되고, 상기 제2 애노드들은 일렬로 배치되는 유기발광 표시패널의 제조방법. - 제17 항에 있어서,
상기 n은 4이고, 상기 m은 2이며,
상기 n개의 제1 애노드들은 2 x 2 행렬모양으로 배치되고, 상기 m개의 제2 애노드들은 2 x 1 행렬모양으로 배치되는 유기발광 표시패널의 제조방법.
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