CN110034222B - 发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪 - Google Patents

发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪 Download PDF

Info

Publication number
CN110034222B
CN110034222B CN201811588200.8A CN201811588200A CN110034222B CN 110034222 B CN110034222 B CN 110034222B CN 201811588200 A CN201811588200 A CN 201811588200A CN 110034222 B CN110034222 B CN 110034222B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
columnar portion
layer
conductive member
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811588200.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110034222A (zh
Inventor
加濑谷浩康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN110034222A publication Critical patent/CN110034222A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110034222B publication Critical patent/CN110034222B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033—LED or laser light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

提供发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪，能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性。发光装置包含：发光元件，其包含第1基体和设置于所述第1基体的层叠体；以及第2基体，所述发光元件设置于所述第2基体，所述层叠体包含：第1柱状部，其具有第1高度；以及第2柱状部，其具有小于所述第1高度的第2高度，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接，所述第1导电部件具有第3高度，所述第2导电部件具有大于所述第3高度的第4高度。

Description

发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪
技术领域
本发明涉及发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪。
背景技术
作为半导体激光器或发光二极管等发光元件，应用了纳米构造体(纳米柱)的发光元件正备受瞩目。在应用了纳米构造体的发光元件中，能够减少在构成发光元件的半导体层上产生的错位或缺陷，能够获得高品质的晶体。因此，在应用了纳米构造体的发光元件中，能够具有优异的发光特性。
作为发光元件的安装方法，公知有结在下(junction down)安装。通过对发光元件进行结在下安装，能够高效地散出发光元件所产生的热。
例如，在专利文献1中，公开了将具有纳米柱的发光元件倒装芯片安装在陶瓷封装中的方法。具体来说，在多个纳米柱上形成p型电极层(透明导电膜)，用Au凸块将p型电极层接合到设置于陶瓷封装的p型布线。这样，在专利文献1中，具有纳米柱的发光元件被结在下安装在陶瓷封装中。
专利文献1：日本特开2009-9978号公报
这里，在应用了纳米构造体的发光元件中，通过改变纳米构造体的直径或周期，能够进行波长的控制。因此，能够从形成在1个基板上的多个纳米构造体射出不同波长的光，从而能够利用1个基板来实现多色发光的发光元件。
但是，在这样的发光元件中，通过改变形成在同一基板上的纳米构造体的直径或周期，纳米构造体的高度有时会不同。因此，在将这样的发光元件结在下安装于安装基板的情况下，高度较低的纳米构造体与安装基板之间的间隙比高度较高的纳米构造体与安装基板之间的间隙大。由此，在高度较低的纳米构造体与安装基板之间引起接触不良的可能性较高。
发明内容
本发明的几个方式的目的之一在于，提供能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性的发光装置。或者，本发明的几个方式的目的之一在于，提供能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性的发光装置的制造方法。或者，本发明的几个方式的目的之一在于，提供包含上述发光装置的投影仪。
本发明的发光装置包含：发光元件，其包含第1基体和设置于所述第1基体的层叠体；以及第2基体，所述发光元件设置于所述第2基体，所述层叠体包含：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光，所述层叠体包含：第1柱状部，其具有第1高度；以及第2柱状部，其具有小于所述第1高度的第2高度，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接，所述第1导电部件具有第3高度，所述第2导电部件具有大于所述第3高度的第4高度。
在这样的发光装置中，由于第2导电部件的高度比第1导电部件的高度大，所以能够降低在第2柱状部与第2基体之间引起接触不良的可能性。因此，在这样的发光装置中，能够提高发光元件与第2基体(安装基板)之间的连接稳定性。
另外，在本发明的记载中，将记作“电连接”的用语例如使用于与“特定的部件(以下，称为“A部件”)“电连接”的其他特定的部件(以下，称为“B部件”)”等。在本发明的记载中，在该例的情况下，使用“电连接”之类的用语包括A部件与B部件直接接触而电连接的情况以及A部件与B部件经由其他部件电连接的情况。
在本发明的发光装置中，也可以是，所述第1柱状部和所述第2柱状部包含所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述发光层。
在这样的发光装置中，能够获得抑制了晶体缺陷或错位的第1半导体层、第2半导体层以及发光层，能够实现高效的发光装置。
在本发明的发光装置中，也可以是，在所述第1基体与所述第2基体之间设置有第1绝缘层，在设置于所述第1绝缘层的第1开口部中设置有所述第1导电部件，在设置于所述第1绝缘层的第2开口部中设置有所述第2导电部件。
在这样的发光装置中，能够降低第1导电部件与第2导电部件短路的可能性。
在本发明的发光装置中，也可以是，在所述第1柱状部与所述第2柱状部之间设置有第2绝缘层。
在这样的发光装置中，能够通过第2绝缘层来减少第1柱状部的发光层所产生的光的扩散和第2柱状部的发光层所产生的光的扩散。
在本发明的发光装置中，也可以是，在所述第1柱状部中所述发光层发出的光的波长与在所述第2柱状部中所述发光层发出的光的波长是不同的。
在这样的发光装置中，能够利用1个基板(第1基体)进行多色发光。
本发明的发光装置的制造方法包含如下的工序：在第1基体上形成层叠体而形成发光元件，该层叠体包含具有第1高度的第1柱状部、和具有小于所述第1高度的第2高度的第2柱状部；在所述第1柱状部上形成具有第3高度的第1导电部件，在所述第2柱状部上形成具有大于所述第3高度的第4高度的第2导电部件；以及将所述发光元件安装于第2基体，所述层叠体包含：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光，在将所述发光元件安装于所述第2基体的工序中，在所述层叠体与所述第2基体之间，经由第1导电部件将所述第1柱状部与所述第2基体电连接，在所述层叠体与所述第2基体之间，经由第2导电部件将所述第2柱状部与所述第2基体电连接。
在这样的发光装置的制造方法中，由于第2导电部件的高度比第1导电部件的高度形成得大，所以能够降低在第2柱状部与第2基体之间引起接触不良的可能性。因此，在这样的发光装置的制造方法中，能够制造出发光元件与第2基体之间的连接稳定性高的发光装置。
另外，在本发明的记载中，在将记作“上”的用语例如使用于在“特定的部分(以下，称为“C”)上形成其他特定的部分(以下，称为“D”)”等的情况下，使用“上”的用语包括在C上直接形成D的情况以及在C上隔着其他部分形成D的情况。
本发明的投影仪包含本发明的发光装置。
在这样的投影仪中，可以包含本发明的发光装置。
附图说明
图1是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。
图2是示出第1实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图
图3是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图4是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图5是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图6是示出第1实施方式的发光装置的制造方法的变形例的流程图。
图7是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的变形例的剖视图。
图8是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的变形例的剖视图。
图9是示意性地示出第2实施方式的发光装置的剖视图。
图10是示出第2实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。
图11是示意性地示出第2实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图12是示出第2实施方式的发光装置的制造方法的变形例的流程图。
图13是示意性地示出第2实施方式的发光装置的制造工序的变形例的剖视图。
图14是示意性地示出第2实施方式的发光装置的制造工序的变形例的剖视图。
图15是示意性地示出第3实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图16是示出第3实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。
图17是示意性地示出第3实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图18是示意性地示出第4实施方式的投影仪的图。
标号说明
5：第1绝缘层；5a：第1开口部；5b：第2开口部；5c：第3开口部；5d：开口部；6：第2绝缘层；7：接合部件；8a：第1导电部件；8b：第2导电部件；8c：第3导电部件；8d：导电部件；10：发光元件；20：第2基体；22a：布线；22b：布线；22c：布线；22d：布线；100：发光装置；102a：第1柱状部；102b：第2柱状部；102c：第3柱状部；104a：第1发光部；104b：第2发光部；104c：第3发光部；110：第1基体；112：主面；120：层叠体；121：缓冲层；122：掩模层；122a：贯通孔；122b：贯通孔；122c：贯通孔；124：第1半导体层；126：发光层；128：第2半导体层；129：绝缘层；130：第1电极；140a：第2电极；140b：第2电极；140c：第2电极；200：发光装置；207：接合部件；208a：第1导电部件；208b：第2导电部件；208c：第3导电部件；208d：导电部件；300：发光装置；301a：Au球；301b：Au球；301c：Au球；301d：Au球；308a：第1导电部件；308b：第2导电部件；308c：第3导电部件；308d：导电部件；400：投影仪；404：投射透镜。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式并非不合理地限定权利要求书所记载的本发明的内容。并且，以下所说明的结构并不一定都是本发明的必要技术特征。
1.第1实施方式
1.1.发光装置
首先，参照附图对第1实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地示出第1实施方式的发光装置100的剖视图。
如图1所示，发光装置100包含发光元件10和供发光元件10设置的第2基体20。在发光装置100中，发光元件10被结在下安装在第2基体20(安装基板)上。
如图1所示，发光元件10包含第1基体110、层叠体120、第1电极130以及第2电极140a、140b、140c。
第1基体110例如具有板状的形状。第1基体110例如是蓝宝石基板。第1基体110对于发光层126所发出的光La、Lb、Lc是透明的。因此，发光层126所发出的光La、Lb、Lc透过第1基体110向外部射出。即，发光装置100从第1基体110侧射出光La、Lb、Lc。另外，第1基体110并不限定于蓝宝石基板，可以使用其他陶瓷基板或玻璃基板等。
层叠体120设置在第1基体110上。层叠体120位于第1基体110与第2基体20之间。
层叠体120由层叠在第1基体110的主面112上的多个层构成。层叠体120包含缓冲层121、掩模层122、第1半导体层124、发光层126以及第2半导体层128。层叠体120的层叠方向(以下，也简称为“层叠方向”)与第1基体110的主面112垂直。
缓冲层121设置在第1基体110的主面112上。缓冲层121设置在掩模层122与第1基体110之间、以及第1半导体层124与第1基体110之间。缓冲层121例如是第1导电型(例如n型)的氮化镓(GaN)层。另外，在本实施方式中，缓冲层121也可以是将无掺杂的GaN层和第1导电型(例如n型)的GaN层从基板侧按顺序层叠而成的双层构造。
掩模层122设置在缓冲层121上。掩模层122设置在第2绝缘层6与缓冲层121之间、以及绝缘层129与缓冲层121之间。掩模层122例如是钛层、氧化钛层、二氧化硅层等。掩模层122是用于在缓冲层121上使第1半导体层124、发光层126、第2半导体层128选择性地生长而形成柱状部102a、102b、102c的作为掩模的层。
第1半导体层124设置在缓冲层121上。第1半导体层124设置在缓冲层121与发光层126之间。第1半导体层124例如是第1导电型(例如n型)的GaN层。第1半导体层124例如是掺杂了Si的n型GaN层。
发光层126设置在第1半导体层124与第2半导体层128之间。发光层126例如包含氮化铟镓(InGaN)。发光层126例如具有由GaN层和InGaN层构成的量子阱构造。构成发光层126的GaN层和InGaN层的数量并没有特别地限定。发光层126是能够通过注入电流而发光的层。
第2半导体层128设置在发光层126与第2电极140a、140b、140c之间。第2半导体层128是导电类型与第1半导体层124不同的层。第2半导体层128例如是第2导电型(例如p型)的GaN层。第2半导体层128例如是掺杂了Mg的p型GaN层。半导体层124、128是具有提高发光层126附近的光的强度的(抑制光从发光层126泄漏)功能的包层。另外，第2半导体层128也可以具有与第2电极140a、140b、140c进行欧姆接触的接触层。
层叠体120包含多个第1柱状部102a、多个第2柱状部102b以及多个第3柱状部102c。柱状部102a、102b、102c包含第1半导体层124、发光层126以及第2半导体层128。
多个第1柱状部102a构成了第1发光部104a。多个第2柱状部102b构成了第2发光部104b。多个第3柱状部102c构成了第3发光部104c。
在第1发光部104a中，利用p型第2半导体层128、未掺杂杂质的发光层126以及n型第1半导体层124来形成pin二极管。第1半导体层124和第2半导体层128分别是带隙比发光层126大的层。当在第1电极130与第2电极140a之间施加pin二极管的正向偏置电压时(注入电流时)，在发光层126中引起电子与空穴的复合。通过该复合来产生发光。在发光层126中产生的光通过半导体层124、128沿平面方向(与层叠方向垂直的方向)传播，在多个第1柱状部102a中沿平面方向形成驻波，在发光层126中接受增益而进行激光振荡。然后，第1发光部104a将+1次衍射光和-1次衍射光作为光La(激光)沿层叠方向射出。光La透过第1基体110而射出。
第2发光部104b和第3发光部104c也与第1发光部104a同样。即，在第2发光部104b中，通过在第1电极130与第2电极140b之间施加电压，光Lb透过第1基体110而射出。并且，在第3发光部104c中，通过在第1电极130与第2电极140c之间施加电压，光Lc透过第1基体110而射出。
虽然未图示，但也可以设置多个第1发光部104a。同样，也可以设置多个第2发光部104b。同样，也可以设置多个第3发光部104c。
第1柱状部102a、第2柱状部102b以及第3柱状部102c具有不同的直径。在图示的例子中，第3柱状部102c的直径比第2柱状部102b的直径大。并且，第2柱状部102b的直径比第1柱状部102a的直径大。
另外，“直径”在柱状部102a、102b、102c的平面形状为圆的情况下是直径，在柱状部102a、102b、102c的平面形状是多边形的情况下是将该多边形包含在内部的最小的圆(最小包含圆)的直径。
这样，在第1柱状部102a、第2柱状部102b以及第3柱状部102c中，通过使直径不同，能够使在第1柱状部102a中发光层126发出的光的波长、在第2柱状部102b中发光层126发出的光的波长、在第3柱状部102c中发光层126发出的光的波长不同。即，从第1发光部104a射出的光La的波长、从第2发光部104b射出的光Lb的波长、从第3发光部104c射出的光Lc的波长是相互不同的。
并且，第1发光部104a中的第1柱状部102a的周期、第2发光部104b中的第2柱状部102b的周期以及第3发光部104c中的第3柱状部102c的周期也可以是不同的。这里，在第1发光部104a中，第1柱状部102a按照规定的间隔规则地排列，第1柱状部102a的周期是指规则地排列的第1柱状部102a的间隔。第2柱状部102b的周期以及第3柱状部102c的周期也是同样的。通过对各柱状部102a、102b、102c的周期进行控制，还能够对从各发光部104a、104b、104c射出的光的波长(颜色)进行控制。即，在发光元件10中，通过对柱状部102a、102b、102c的直径或周期进行控制，能够实现多色发光。
在发光元件10中，例如，从第1发光部104a射出的光La是蓝色光，从第2发光部104b射出的光Lb是绿色光，从第3发光部104c射出的光Lc是红色光。
这里，在发光元件10中，如后述那样，以掩模层122为掩模，通过MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition：金属有机化学气相沉积)法、MBE(Molecular BeamEpitaxy：分子束外延)法等使各柱状部102a、102b、102c同时生长。此时，通过使各柱状部102a、102b、102c的直径或周期不同，各柱状部102a、102b、102c的高度也形成为不同。
因此，第1柱状部102a、第2柱状部102b以及第3柱状部102c具有不同的高度。在图示的例子中，第1柱状部102a的高度H102a比第2柱状部102b的高度H102b大。并且，第2柱状部102b的高度H102b比第3柱状部102c的高度H102c大。
另外，高度H102a、H102b、H102c是柱状部102a、102b、102c的层叠方向的大小。高度H102a、H102b、H102c例如是构成了柱状部102a、102b、102c的多层膜厚之和，在图示的例子中，是第1半导体层124的膜厚、发光层126的膜厚以及第2半导体层128的膜厚之和。
各发光部104a、104b、104c的面积也可以不同。即，形成各柱状部102a、102b、102c的区域的面积也可以不同。例如，也可以根据柱状部102a、102b、102c的发光效率来改变发光部104a、104b、104c的面积。
例如，在发出红色光的第3柱状部102c的发光效率比发出蓝色光的第1柱状部102a的发光效率低的情况下，使第3发光部104c的面积(即，形成多个第3柱状部102c的区域的面积)比第1发光部104a的面积(即，形成多个第1柱状部102a的区域的面积)大。由此，能够实现从发光元件10射出的红色光和蓝色光的光量的均匀化。另外，各发光部104a、104b、104c的面积也可以相同。
在相邻的第1柱状部102a之间设置有绝缘层129。绝缘层129被埋入到相邻的第1柱状部102a之间。绝缘层129设置在掩模层122与第2电极140a之间。绝缘层129例如是二氧化硅层、氧氮化硅层、氧化铝层、氧化铪层、GaN层、InGaN层等。发光层126产生的光穿过绝缘层129沿平面方向传播。同样，在相邻的第2柱状部102b之间以及相邻的第3柱状部102c之间设置有绝缘层129。
第1电极130设置于缓冲层121。第1电极130设置在导电部件8d与缓冲层121之间。第1电极130与第1半导体层124电连接。第1电极130与缓冲层121进行欧姆接触。第1电极130是用于向发光层126注入电流的一方的电极。第1电极130是第1柱状部102a(第1发光部104a)、第2柱状部102b(第2发光部104b)、第3柱状部102c(第3发光部104c)的公共电极。作为第1电极130，例如，使用Au层、Ag层等金属层、从缓冲层121侧依次层叠Cr层、Ni层、Au层而得的结构等。
第2电极140a设置于多个第1柱状部102a。第2电极140a设置在多个第1柱状部102a(第2半导体层128)与第1导电部件8a之间。第2电极140a与第2半导体层128电连接。第2电极140a是多个第1柱状部102a的公共电极。第2电极140a与第2半导体层128进行欧姆接触。第2电极140a是用于向第1柱状部102a的发光层126注入电流的另一方的电极。
第2电极140b设置于多个第2柱状部102b。第2电极140b设置在多个第2柱状部102b(第2半导体层128)与第2导电部件8b之间。第2电极140b与第2半导体层128电连接。第2电极140b是多个第2柱状部102b的公共电极。第2电极140b与第2半导体层128进行欧姆接触。第2电极140b是用于向第2柱状部102b的发光层126注入电流的另一方的电极。
第2电极140c设置于多个第3柱状部102c。第2电极140c设置在多个第3柱状部102c(第2半导体层128)与第3导电部件8c之间。第2电极140c与第2半导体层128电连接。第2电极140c是多个第3柱状部102c的公共电极。第2电极140c与第2半导体层128进行欧姆接触。第2电极140c是用于向第3柱状部102c的发光层126注入电流的另一方的电极。
作为第2电极140a、140b、140c，例如，使用Au层、Ag层等金属层、从第2半导体层128侧依次层叠Pd层、Pt层、Au层而得的结构等。第1电极130的材质与第2电极140a、140b、140c的材质可以相同，也可以不同。
在发光装置100中，发光元件10被结在下安装于第2基体20。即，在发光装置100中，层叠体120在与第1基体110侧相反的一侧与第2基体20连接。
在第2基体20上设置有发光元件10。在第2基体20上安装有发光元件10。第2基体20具有布线22a、22b、22c、22d。第2基体20是用于安装发光元件10的安装基板。
优选第2基体20的热膨胀系数与第1基体110的热膨胀系数接近。由此，能够减少因将发光元件10安装于第2基体20时的热或驱动发光元件10时的发热而造成的第1基体110的翘曲，能够降低施加给发光元件10的应力。并且，优选第2基体20的导热系数例如比层叠体120的导热系数大，更优选比第1基体110的导热系数大。并且，优选第2基体20的热容比第1基体110的热容大。由此，能够提高对发光元件10(层叠体120)所产生的热的散热性。
作为第2基体20，例如，使用SiC基板等半导体基板、AlN基板等陶瓷基板等。SiC等半导体材料、AlN等陶瓷材料的导热系数较高，并且电绝缘性较高。因此，作为第2基体20，通过使用这些基板，能够提高发光元件10的散热性，并且容易将布线22a、22b、22c、22d绝缘。另外，作为第2基体20，也可以使用CuW基板、CuMo基板等金属基板。在该情况下，设置用于使布线22a、22b、22c、22d绝缘的绝缘层等。
第1导电部件8a是将第1柱状部102a的第2电极140a与第2基体20的布线22a电连接的凸块。第2导电部件8b是将第2柱状部102b的第2电极140b与第2基体20的布线22b电连接的凸块。第3导电部件8c是将第3柱状部102c的第2电极140c与第2基体20的布线22c电连接的凸块。导电部件8d是将第1电极130与第2基体20的布线22d电连接的凸块。
在第1基体110与第2基体20之间，经由第1导电部件8a来电连接第1柱状部102a(第2电极140a)和第2基体20的布线22a。并且，经由第2导电部件8b来电连接第2柱状部102b(第2电极140b)和第2基体20的布线22b。并且，经由第3导电部件8c来电连接第3柱状部102c(第2电极140c)和第2基体20的布线22c。并且，经由导电部件8d来电连接第1电极130和第2基体20的布线22d。
导电部件8a、8b、8c、8d的材质例如是金、镍、铜或这些金属的合金等。导电部件8a、8b、8c、8d与布线22a、22b、22c、22d通过接合部件7来接合。接合部件7例如是焊料。
第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a的高度大。第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b大。在图示的例子中，第1导电部件8a的高度H8a与第1柱状部102a的高度H102a之和、第2导电部件8b的高度H8b与第2柱状部102b的高度H102b之和、以及第3导电部件8c的高度H8c与第3柱状部102c的高度H102c之和是相等的。另外，高度H8a、H8b、H8c是导电部件8a、8b、8c的层叠方向的大小。
在第1基体110与第2基体20之间设置有第1绝缘层5和第2绝缘层6。
第1绝缘层5设置在相邻的导电部件8a、8b、8c、8d之间。在第1绝缘层5上设置有第1开口部5a、第2开口部5b、第3开口部5c以及开口部5d。开口部5a、5b、5c、5d将第1绝缘层5贯通。在第1开口部5a中设置有第1导电部件8a。在第2开口部5b中设置有第2导电部件8b。在第3开口部5c中设置有第3导电部件8c。在开口部5d中设置有导电部件8d。第1绝缘层5的材质例如是聚酰亚胺、紫外线固化树脂、二氧化硅、氮化硅等。
第2绝缘层6设置在第1柱状部102a与第2柱状部102b之间、第2柱状部102b与第3柱状部102c之间。即，第2绝缘层6设置在第1发光部104a与第2发光部104b之间、第2发光部104b与第3发光部104c之间。第2绝缘层6的材质例如是聚酰亚胺、紫外线固化树脂、二氧化硅、氮化硅等。第1绝缘层5的材质与第2绝缘层6的材质可以不同，也可以相同。例如，可以将第2绝缘层6设为无机材料，将第1绝缘层5设为有机材料。
在第1基体110与第2基体20之间，第1绝缘层5位于比第2绝缘层6靠第2基体20侧的位置。另外，虽然未图示，但第1绝缘层5和第2绝缘层6也可以是同一层。即，在第1基体110与第2基体20之间也可以只存在1个绝缘层。
另外，在上述内容中，对第1发光部104a、第2发光部104b、第3发光部104c是使用了柱状部102a、102b、102c(纳米构造体)的半导体激光器的情况进行了说明，但第1发光部104a、第2发光部104b、第3发光部104c也可以是使用纳米构造体进行局部谐振的发光元件、或使用了纳米构造体的发光二极管(light emitting diode、LED)。
发光装置100例如具有以下特征。
在发光装置100中，层叠体120包含：第1柱状部102a，其具有高度H102a；第2柱状部102b，其具有比高度H102a小的高度H102b；以及第3柱状部102c，其具有比高度H102b小的高度H102c。并且，在层叠体120与第2基体20之间，经由第1导电部件8a来电连接第1柱状部102a和第2基体20，经由第2导电部件8b来电连接第2柱状部102b和第2基体20，经由第3导电部件8c来电连接第3柱状部102c和第2基体20。并且，第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b大，第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a大。
这样，在发光装置100中，由于第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a大，所以能够降低在第2柱状部102b与第2基体20之间引起接触不良的可能性。此外，由于第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b大，所以能够降低在第3柱状部102c与第2基体20之间引起接触不良的可能性。因此，在发光装置100中，能够提高发光元件10与第2基体20(安装基板)之间的连接稳定性。
此外，在发光装置100中，能够将发光元件10相对于第2基体20水平安装。例如，在各柱状部102a、102b、102c的高度H102a、H102b、H102c不同的情况下使导电部件8a、8b、8c的高度相同时，发光元件10相对于第2基体20倾斜地安装。与此相对，在发光装置100中，由于第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b大，第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a大，所以与导电部件8a、8b、8c的高度相同的情况相比，能够使发光元件10相对于第2基体20的倾斜减小，或者消除发光元件10的倾斜。
在发光装置100中，第1柱状部102a、第2柱状部102b以及第3柱状部102c包含第1半导体层124、第2半导体层128以及发光层126。因此，在发光装置100中，能够获得抑制了晶体缺陷或错位的第1半导体层124、第2半导体层128以及发光层126，能够实现高效的发光元件10。
在发光装置100中，在第1基体110与第2基体20之间设置有第1绝缘层5，在设置于第1绝缘层5的第1开口部5a中设置有第1导电部件8a，在设置于第1绝缘层5的第2开口部5b中设置有第2导电部件8b，在设置于第1绝缘层5的第3开口部5c中设置有第3导电部件8c。因此，在发光装置100中，能够降低导电部件8a、8b、8c短路的可能性。
在发光装置100中，在第1柱状部102a与第2柱状部102b之间和第2柱状部102b与第3柱状部102c之间设置有第2绝缘层6。因此，在发光装置100中，能够通过第2绝缘层6来抑制柱状部102a、102b、102c所产生的光的扩散。另外，优选第2绝缘层6具有比GaN或InGaN的折射率小的折射率。
在发光装置100中，在第1柱状部102a中发光层126发出的光的波长、在第2柱状部102b中发光层126发出的光的波长、以及在第3柱状部102c中发光层126发出的光的波长是不同的。因此，在发光装置100中，能够利用1个基板(第1基体110)进行多色发光。
1.2.制造方法
接着，参照附图对第1实施方式的发光装置100的制造方法进行说明。图2是示出第1实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。图3～图5是示意性地示出第1实施方式的发光装置100的制造工序的剖视图。
首先，如图3所示，形成发光元件10(S100)。
具体来说，首先，如图3所示，在第1基体110上使缓冲层121外延生长。作为外延生长的方法，例如，可列举MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等。
接着，在缓冲层121上形成掩模层122。在掩模层122中形成用于形成第1柱状部102a的贯通孔122a、用于形成第2柱状部102b的贯通孔122b以及用于形成第3柱状部102c的贯通孔122c。贯通孔122a的直径比贯通孔122b的直径大，贯通孔122b的直径比贯通孔122c的直径大。通过在掩模层122中形成贯通孔122a、122b、122c而使缓冲层121露出。掩模层122是通过基于MOCVD法或MBE法等的成膜以及基于光刻技术和蚀刻技术的构图而形成的。
接着，以掩模层122为掩模，通过MOCVD法或MBE法等，在缓冲层121上依次外延生长出第1半导体层124、发光层126以及第2半导体层128。这里，形成于掩模层122的贯通孔122a、122b、122c的直径越大，所形成的柱状部102a、102b、102c的直径越大，高度越小。因此，能够通过同一工序形成具有高度H102a的第1柱状部102a、具有高度H102b的第2柱状部102b、具有高度H102c的第3柱状部102c。通过以上工序，能够在第1基体110上形成包含柱状部102a、102b、102c的层叠体120。
另外，在形成了层叠体120之后，也可以将掩模层122去除。在该情况下，发光元件10不包含掩模层122。
接着，在相邻的第1柱状部102a之间、相邻的第2柱状部102b之间以及相邻的第3柱状部102c之间分别形成绝缘层129。绝缘层129例如通过旋涂法、ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)法等形成。
接着，在第1柱状部102a的第2半导体层128上形成第2电极140a，在第2柱状部102b的第2半导体层128上形成第2电极140b，在第3柱状部102c的第2半导体层128上形成第2电极140c。
接着，在缓冲层121上形成第1电极130。第1电极130和第2电极140a、140b、140c例如通过真空蒸镀法等形成。另外，第1电极130和第2电极140a、140b、140c的形成顺序没有特别地限定。
通过以上工序，能够形成发光元件10。
接着，如图4所示，在掩模层122上形成第1绝缘层5和第2绝缘层6(S102)。
具体来说，首先，在掩模层122上形成第2绝缘层6。第2绝缘层6例如通过旋涂法、ALD法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法等形成。接着，在第2绝缘层6上形成第1绝缘层5。在第1绝缘层5上形成开口部5a、5b、5c、5d。通过形成开口部5a、5b、5c、5d而使第2电极140a、140b、140c和第1电极130露出。第1绝缘层5作为形成导电部件8a、8b、8c、8d时的掩模来发挥功能。第1绝缘层5例如通过基于旋涂法、ALD法、CVD法等的成膜以及基于光刻技术和蚀刻技术的构图来形成。
另外，在第1绝缘层5的材质与第2绝缘层6的材质相同的情况下，也可以同时进行第1绝缘层5和第2绝缘层6的成膜。
接着，如图5所示，在第1柱状部102a上形成第1导电部件8a，在第2柱状部102b上形成第2导电部件8b，在第3柱状部102c上形成第3导电部件8c，在第1电极130上形成导电部件8d(S104)。
具体来说，将第1绝缘层5作为掩模，在第2电极140a、140b、140c上形成导电部件8a、8b、8c，在第1电极130上形成导电部件8d。即，在因第1绝缘层5的第1开口部5a而露出的第2电极140a上形成第1导电部件8a。同样，在因第1绝缘层5的第2开口部5b而露出的第2电极140b上形成第2导电部件8b。同样，在因第1绝缘层5的第3开口部5c而露出的第2电极140c上形成第3导电部件8c。同样，在因第1绝缘层5的开口部5d而露出的第1电极130上形成导电部件8d。导电部件8a、8b、8c、8d例如通过电镀法、化学镀法、真空蒸镀法、溅射法等形成。另外，在形成了导电部件8a、8b、8c、8d之后，也可以通过磨削或切削加工使导电部件8a、8b、8c、8d的上表面和第1绝缘层5的上表面平坦化。
通过本工序，第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a的高度形成得大，第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b形成得大。
接着，如图1所示，将发光元件10结在下安装于第2基体20(S106)。
具体来说，在层叠体120与第2基体20之间，经由第1导电部件8a将第1柱状部102a的第2电极140a与第2基体20的布线22a电连接。第1导电部件8a与布线22a通过焊料等接合部件7来接合。同样，在层叠体120与第2基体20之间，经由第2导电部件8b将第2柱状部102b的第2电极140b与第2基体20的布线22b电连接。同样，在层叠体120与第2基体20之间，经由第3导电部件8c将第3柱状部102c的第2电极140c与第2基体20的布线22c电连接。同样，在第1基体110与第2基体20之间，经由导电部件8d将第1电极130与第2基体20的布线22d电连接。
更具体来说，例如，首先，在第2基体20上的布线22a、22b、22c、22d上通过印刷法等形成接合部件7(焊料)。接着，以如下方式将发光元件10定位在第2基体20上：在布线22a上配置第1导电部件8a，在布线22b上配置第2导电部件8b，在布线22c上配置第3导电部件8c，在布线22d上配置导电部件8d。然后，在该状态下对接合部件7进行加热。由此，第1导电部件8a与布线22a接合，第2导电部件8b与布线22b接合，第3导电部件8c与布线22c接合，导电部件8d与布线22d接合。通过以上工序，能够将发光元件10结在下安装于第2基体20。
通过以上工序，能够制造出发光装置100。
第1实施方式的发光装置100的制造方法例如具有以下特征。
第1实施方式的发光装置100的制造方法包含如下工序：在第1基体110上形成层叠体120而形成发光元件10，该层叠体120包含具有高度H102a的第1柱状部102a、具有比高度H102a小的高度H102b的第2柱状部102b以及具有比高度H102b小的高度H102c的第3柱状部102c；在第1柱状部102a上形成具有高度H8a的第1导电部件8a，在第2柱状部102b上形成具有比高度H8a大的高度H8b的第2导电部件8b，在第3柱状部102c上形成具有比高度H8b大的高度H8c的第3导电部件8c；以及将发光元件10安装于第2基体20。并且，在将发光元件10安装于第2基体20的工序中，在层叠体120与第2基体20之间，经由第1导电部件8a将第1柱状部102a与第2基体20电连接，经由第2导电部件8b将第2柱状部102b与第2基体20电连接，经由第3导电部件8c将第3柱状部102c与第2基体20电连接。
这样，在第1实施方式的发光装置的制造方法中，由于第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a形成得大，所以能够降低在第2柱状部102b与第2基体20之间引起接触不良的可能性。此外，由于第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b形成得大，所以能够降低在第3柱状部102c与第2基体20之间引起接触不良的可能性。因此，在第1实施方式的发光装置的制造方法中，能够提高发光元件10与第2基体20(安装基板)之间的连接稳定性。
此外，在第1实施方式的发光装置的制造方法中，由于能够将第1绝缘层5作为形成导电部件8a、8b、8c、8d时的掩模，能够简化制造工序。
1.3.变形例
接着，对第1实施方式的发光装置100的制造方法的变形例进行说明。在上述实施方式中，在形成了第1绝缘层5之后，以第1绝缘层5为掩模形成了导电部件8a、8b、8c、8d。与此相对，在本变形例中，在形成了导电部件8a、8b、8c、8d之后，形成第1绝缘层5。以下，对与上述图2所示的第1实施方式的发光装置的制造方法不同的点进行说明，对同样的点省略说明。
图6是示出第1实施方式的发光装置的制造方法的变形例的流程图。图7和图8是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的变形例的剖视图。
首先，如图3所示，形成发光元件10(S110)。
本工序S110按照与上述图2所示的工序S100同样的方式进行。
接着，如图7所示，形成导电部件8a、8b、8c、8d(S112)。
导电部件8a、8b、8c、8d通过电镀法、化学镀法、真空蒸镀法、溅射法等形成。在通过电镀法、化学镀法形成导电部件8a、8b、8c、8d的情况下，例如，形成掩模层(未图示)，并以该掩模层作为掩模，通过电镀法、化学镀法来形成导电部件8a、8b、8c、8d。并且，在通过真空蒸镀法或溅射法等形成导电部件8a、8b、8c、8d的情况下，例如，使用剥离法等。
接着，如图8所示，形成第1绝缘层5和第2绝缘层6(S114)。
具体来说，在掩模层122上形成第2绝缘层6，在第2绝缘层6上形成第1绝缘层5。第1绝缘层5和第2绝缘层6例如通过旋涂法、ALD法、CVD法等形成。
接着，如图5所示，通过磨削或切削加工使导电部件8a、8b、8c、8d的上表面和第1绝缘层5的上表面平坦化(S116)。由此，第2导电部件8b的高度H8b比第1导电部件8a的高度H8a的高度形成得大，第3导电部件8c的高度H8c比第2导电部件8b的高度H8b形成得大。
接着，如图1所示，将发光元件10安装于第2基体20(S118)。
本工序S118按照与上述图2所示的工序S106同样的方式进行。
通过以上工序，能够制造出发光装置100。
在本变形例的发光装置的制造方法中，能够起到与上述第1实施方式的发光装置的制造方法同样的作用效果。
2.第2实施方式
2.1.发光装置
接着，参照附图对第2实施方式的发光装置进行说明。图9是示意性地示出第2实施方式的发光装置200的剖视图。以下，在第2实施方式的发光装置200中，对具有与上述第1实施方式的发光装置100的结构部件同样功能的部件赋予相同的标号，省略其详细的说明。
在上述发光装置100中，将第2电极140a、140b、140c与第2基体20的布线22a、22b、22c电连接的导电部件8a、8b、8c以及将第1电极130与第2基体20的布线22d电连接的导电部件8d是通过电镀法或化学镀法等形成的金属凸块。
与此相对，在发光装置100中，将第2电极140a、140b、140c与第2基体20的布线22a、22b、22c电连接的导电部件208a、208b、208c以及将第1电极130与第2基体20的布线22d电连接的导电部件208d是使用导电胶形成的。
在形成导电部件208a、208b、208c、208d时使用的导电胶例如是银胶。银胶是包含有纳米大小或微米大小的银颗粒的导电胶。另外，作为导电部件208a、208b、208c、208d，也可以使用包含有除银颗粒以外的金属颗粒的金属胶。
另外，在使用导电胶形成导电部件208a、208b、208c、208d的情况下，如后述那样在制造工序中必须进行烧结。因此，优选第1绝缘层5和第2绝缘层6是具有可承受导电胶的烧结温度的耐热性的材质。
第2导电部件208b的高度H208b比第1导电部件208a的高度H208a的高度大。第3导电部件208c的高度H208c比第2导电部件208b的高度H208b大。在图示的例子中，第1导电部件208a的高度H208a与第1柱状部102a的高度H102a之和、第2导电部件208b的高度H208b与第2柱状部102b的高度H102b之和、以及第3导电部件208c的高度H208c与第3柱状部102c的高度H102c之和是相等的。另外，高度H208a、H208b、H208c是导电部件208a、208b、208c的层叠方向的大小。
并且，在上述发光装置100中，将导电部件8a、8b、8c、8d与布线22a、22b、22c、22d接合起来的接合部件7是焊料。
与此相对，在发光装置200中，将导电部件208a、208b、208c、208d与布线22a、22b、22c、22d接合起来的接合部件207例如是使用导电胶形成的。在形成接合部件207时使用的导电胶与在形成导电部件208a、208b、208c、208d时使用的导电胶也可以是相同材质。
在发光装置200中，能够起到与上述发光装置100同样的作用效果。
2.2.发光装置的制造方法
接着，参照附图对第2实施方式的发光装置的制造方法进行说明。图10是示出第2实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。图11是示意性地示出第2实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。以下，对与上述图2所示的第1实施方式的发光装置的制造方法不同的点进行说明，对同样的点省略说明。
首先，如图3所示，形成发光元件10(S200)。
本工序S200按照与上述图2所示的工序S100同样的方式进行。
接着，如图11所示，形成第1绝缘层5和第2绝缘层6(S202)。
本工序S202按照与上述图2所示的工序S102同样的方式进行。
接着，使用导电胶来形成导电部件208a、208b、208c、208d(S204)。
具体来说，首先，在因第1绝缘层5的第1开口部5a而露出的第2电极140a上形成导电胶。同样，在因第1绝缘层5的第2开口部5b而露出的第2电极140b上形成导电胶。同样，在因第1绝缘层5的第3开口部5c而露出的第2电极140c上形成导电胶。同样，在因第1绝缘层5的开口部5d而露出的第1电极130上形成导电胶。这些导电胶例如是通过印刷法同时形成的。接着，对导电胶进行烧结。由此，形成导电部件208a、208b、208c、208d。
接着，通过磨削或切削加工使导电部件208a、208b、208c、208d的上表面和第1绝缘层5的上表面平坦化(S206)。由此，第2导电部件208b的高度H208b比第1导电部件208a的高度H208a的高度形成得大，第3导电部件208c的高度H208c比第2导电部件208b的高度H208b形成得大。
接着，将发光元件10安装于第2基体20(S208)。
具体来说，首先，如图9所示，通过印刷法等在第2基体20上的布线22a、22b、22c、22d上形成导电胶。接着，以如下的方式将发光元件10定位在第2基体20上：在布线22a上配置第1导电部件208a，在布线22b上配置第2导电部件208b，在布线22c上配置第3导电部件208c，在布线22d上配置导电部件208d。然后，在该状态下对导电胶进行烧结。由此，第1导电部件8a与布线22a通过接合部件7来接合，第2导电部件8b与布线22b通过接合部件7来接合，第3导电部件8c与布线22c通过接合部件7来接合，导电部件8d与布线22d通过接合部件7来接合。通过以上工序，能够将发光元件10结在下安装于第2基体20。
通过以上工序，能够制造出发光装置200。
在第2实施方式的发光装置的制造方法中，由于能够通过导电胶的印刷和烧结来形成导电部件208a、208b、208c、208d，所以与通过例如电镀法或真空蒸镀法等形成导电部件的情况相比，不需要电镀液或真空装置，能够简化制造工序。
2.3.变形例
接着，对第2实施方式的发光装置的制造方法的变形例进行说明。在上述“1.3.变形例”中说明的第1实施方式的发光装置的制造方法的变形例也可以应用在第2实施方式的发光装置的制造方法中。
即，在上述第2实施方式中，在形成了第1绝缘层5之后，以第1绝缘层5为掩模来形成导电部件208a、208b、208c、208d。与此相对，在本变形例中，在形成了导电部件208a、208b、208c、208d之后，形成第1绝缘层5。以下，对与上述第2实施方式的发光装置的制造方法不同的点进行说明，对同样的点省略说明。
图12是示出第2实施方式的发光装置的制造方法的变形例的流程图。图13和图14是示意性地示出第2实施方式的发光装置的制造工序的变形例的剖视图。
首先，如图3所示，形成发光元件10(S210)。
本工序S210按照与上述图10所示的工序S200同样的方式进行。
接着，如图13所示，使用导电胶来形成导电部件208a、208b、208c、208d(S212)。
具体来说，首先，在第2电极140a上形成导电胶。同样，在第2电极140b上形成导电胶。同样，在第2电极140c上形成导电胶。同样，在第1电极130上形成导电胶。这些导电胶例如通过印刷法同时形成。接着，对导电胶进行烧结。由此，形成导电部件208a、208b、208c、208d。
接着，如图14所示，形成第1绝缘层5和第2绝缘层6(S214)。
具体来说，在掩模层122上形成第2绝缘层6，在第2绝缘层6上形成第1绝缘层5。第1绝缘层5和第2绝缘层6例如是通过旋涂法、ALD法、CVD法等形成的。
接着，如图11所示，通过磨削或切削加工使导电部件208a、208b、208c、208d的上表面和第1绝缘层5的上表面平坦化(S216)。由此，第2导电部件208b的高度H208b比第1导电部件208a的高度H208a形成得大，第3导电部件208c的高度H208c比第2导电部件208b的高度H208b形成得大。
接着，如图9所示，将发光元件10安装于第2基体20(S218)。
本工序S218按照与上述图2所示的工序S208同样的方式进行。
通过以上工序，能够制造出发光装置200。
在本变形例的发光装置的制造方法中，能够起到与上述第2实施方式的发光装置的制造方法同样的作用效果。
3.第3实施方式
3.1.发光装置
接着，参照附图对第3实施方式的发光装置进行说明。图15是示意性地示出第3实施方式的发光装置300的剖视图。以下，在第3实施方式的发光装置300中，对具有与上述第1实施方式的发光装置100的结构部件同样的功能的部件赋予相同的标号，并省略其详细的说明。
在上述发光装置100中，将第2电极140a、140b、140c与第2基体20的布线22a、22b、22c电连接的导电部件8a、8b、8c以及将第1电极130与第2基体20的布线22d电连接的导电部件8d是通过电镀法、化学镀法等形成的金属凸块。
与此相对，在发光装置300中，将第2电极140a、140b、140c与第2基体20的布线22a、22b、22c电连接的导电部件308a、308b、308c以及将第1电极130与第2基体20的布线22d电连接的导电部件308d是通过按压金属球而实现电连接的凸块(例如柱状凸块)。导电部件308a、308b、308c、308d所使用的凸块的材质例如是金等金属。
第2导电部件308b的高度H308b比第1导电部件308a的高度H308a大。第3导电部件308c的高度H308c比第2导电部件308b的高度H308b大。在图示的例子中，第1导电部件308a的高度H308a与第1柱状部102a的高度H102a之和、第2导电部件308b的高度H308b与第2柱状部102b的高度H102b之和、以及第3导电部件308c的高度H308c与第3柱状部102c的高度H102c之和是相等的。另外，高度H308a、H308b、H308c是导电部件308a、308b、308c的层叠方向的大小。
在发光装置300中，能够起到与上述发光装置100同样的作用效果。
3.2.发光装置的制造方法
接着，参照附图对第3实施方式的发光装置的制造方法进行说明。图16是示出第3实施方式的发光装置的制造方法的一例的流程图。图17是示意性地示出第3实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。以下，对与上述图2所示的第1实施方式的发光装置的制造方法不同的点进行说明，对同样的点省略说明。
首先，如图3所示，形成发光元件10(S300)。
本工序S300按照与上述图2所示的工序S100同样的方式进行。
接着，如图17所示，形成Au球301a、301b、301c、301d(S302)。
具体来说，首先，例如在第2电极140a上形成Au球301a。同样，在第2电极140b上形成Au球301b。同样，在第2电极140c上形成Au球301c。同样，在第1电极130上形成Au球301d。这些Au球301a、301b、301c、301d例如是使用引线接合技术而形成的。
此时，Au球301a、301b、301c形成为与柱状部102a、102b、102c的高度H102a、H102b、H102c对应的大小。即，在发光元件10中，由于第1柱状部102a的高度H102a比第2柱状部102b的高度H102b大，所以Au球301a比Au球301b形成得小。并且，由于第2柱状部102b的高度H102b比第3柱状部102c的高度H102c大，所以Au球301b比Au球301c形成得小。由此，能够降低引起接触不良的可能性。
接着，如图15所示，将发光元件10安装于第2基体20(S304)。
具体来说，首先，以如下的方式将发光元件10定位在第2基体20上：在布线22a上配置Au球301a，在布线22b上配置Au球301b，在布线22c上配置Au球301c，在布线22d上配置Au球301d。接着，将发光元件10向第2基体20按压而对Au球301a、301b、301c、301d施加压力，并且对Au球301a、301b、301c、301d进行加热(加热压接)。由此，形成导电部件308a、308b、308c、308d。
接着，形成第1绝缘层5和第2绝缘层6。第1绝缘层5和第2绝缘层6例如是环氧树脂等液状固化树脂(底部填充材料)。通过向层叠体120与第2基体20之间提供液状固化树脂并使其固化，能够形成第1绝缘层5和第2绝缘层6。在该情况下，第1绝缘层5和第2绝缘层6形成为一体。
通过以上工序，能够将发光元件10结在下安装于第2基体20。
另外，也可以在将发光元件10安装于第2基体20的工序S304之前形成第2绝缘层6，在将发光元件10安装于第2基体20的工序S304中形成第1绝缘层5。
通过以上工序，能够制造出发光装置300。
4.第4实施方式
接着，参照附图对第4实施方式的投影仪进行说明。图18是示意性地示出第4实施方式的投影仪400的图。另外，为了方便说明，在图18中，省略了构成投影仪400的壳体后进行图示。
投影仪400包含本发明的发光装置。以下，如图18所示，对包含发光装置100的投影仪400进行说明。
如图18所示，投影仪400包含发光装置100和投射透镜404。
发光装置100分别具有多个射出蓝色光La的第1发光部104a、射出绿色光Lb的第2发光部104b以及射出红色光Lc的第3发光部104c。多个第1发光部104a、多个第2发光部104b以及多个第3发光部104c设置在同一基体(第1基体110)上。
发光装置100以多个第1发光部104a、多个第2发光部104b以及多个第3发光部104c为影像的像素，根据图像信息来控制多个第1发光部104a、多个第2发光部104b以及多个第3发光部104c。由此，在投影仪400中，例如不使用液晶光阀(光调制装置)便能够直接形成影像。
投射透镜404对由发光装置100形成的影像进行放大而投射在未图示的屏幕(显示面)上。
在投影仪400中，从发光装置100射出的光直接入射到投射透镜404，对由发光装置100形成的影像进行放大而显示在屏幕(显示面)上。这样，在投影仪400中，能够利用1个发光装置100来进行全彩色的像显示。
在投影仪400中包含发光装置100。因此，在投影仪400中，例如，不使用液晶光阀(光调制装置)便能够直接形成影像。因此，在投影仪400中，能够减少液晶光阀的透过损失(光的一部分未透过液晶光阀)，能够实现高亮度化。此外，在投影仪400中，能够削减部件数量，并且能够实现低成本化。
本发明的发光装置的用途并不限定于上述实施方式，除投影仪之外，还能够作为室内外的照明、显示器的背光、激光打印机、扫描仪、车灯、使用光的传感设备、通信设备等的光源来使用。
本发明也可以在具有本申请所记载的特征或效果的范围内省略一部分结构，或者对各实施方式或变形例进行组合。
本发明包括与在实施方式中说明的结构实际上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构、或者目的和效果相同的结构)。并且，本发明包括对在实施方式中说明的结构中的非本质部分进行置换后的结构。并且，本发明包括起到与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或能够达成相同目的的结构。并且，本发明包括对在实施方式中说明的结构施加了公知技术而得的结构。

Claims (5)

1.一种发光装置，其包含：
第1基体；
第2基体；以及
层叠体，其设置在所述第1基体与所述第2基体之间，
所述第1基体为板状，所述第1基体具有透光性，从所述层叠体射出的光透过所述第1基体，
所述层叠体包含：
缓冲层，其与所述第1基体接触；
第1柱状部，其设置在所述缓冲层与所述第2基体之间，沿第1方向具有第1高度；以及
第2柱状部，其设置在所述缓冲层与所述第2基体之间，所述第2柱状部沿所述第1方向具有小于所述第1高度的第2高度，
所述第1柱状部和所述第2柱状部分别包含：
第1半导体层；
第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及
发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光，
在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接，
在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接，
所述第1导电部件沿所述第1方向具有第3高度，
所述第2导电部件沿所述第1方向具有大于所述第3高度的第4高度，
所述第1柱状部的沿所述第1方向的侧壁经由第1绝缘层与所述第2柱状部的沿所述第1方向的侧壁相邻。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述第1基体与所述第2基体之间设置有第2绝缘层，
在设置于所述第2绝缘层的第1开口部中设置有所述第1导电部件，
在设置于所述第2绝缘层的第2开口部中设置有所述第2导电部件。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述第1柱状部中所述发光层发出的光的波长与在所述第2柱状部中所述发光层发出的光的波长是不同的。
4.一种发光装置的制造方法，包含如下的工序：
在第1基体上形成层叠体而形成发光元件，该层叠体包含沿第1方向具有第1高度的第1柱状部、和沿所述第1方向具有小于所述第1高度的第2高度的第2柱状部；
在所述第1柱状部上形成沿所述第1方向具有第3高度的第1导电部件，在所述第2柱状部上形成沿所述第1方向具有大于所述第3高度的第4高度的第2导电部件；以及
将所述发光元件安装于第2基体，
所述第1基体为板状，所述第1基体具有透光性，从所述层叠体射出的光透过所述第1基体，
所述第1柱状部的沿所述第1方向的侧壁经由第1绝缘层与所述第2柱状部的沿所述第1方向的侧壁相邻，
所述第1柱状部和所述第2柱状部分别包含：
第1半导体层；
第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及
发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光，
在形成所述发光元件的工序中，
在所述第1基体上形成了缓冲层后，在所述缓冲层上形成所述第1柱状部和所述第2柱状部，
在将所述发光元件安装于所述第2基体的工序中，
在所述层叠体与所述第2基体之间，经由第1导电部件将所述第1柱状部与所述第2基体电连接，在所述层叠体与所述第2基体之间，经由第2导电部件将所述第2柱状部与所述第2基体电连接。
5.一种投影仪，其包含权利要求1～3中的任意一项所述的发光装置。
CN201811588200.8A 2017-12-26 2018-12-25 发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪 Active CN110034222B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017248943A JP6988460B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 発光装置、発光装置の製造方法、およびプロジェクター
JP2017-248943 2017-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110034222A CN110034222A (zh) 2019-07-19
CN110034222B true CN110034222B (zh) 2023-08-11

Family

ID=64901368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811588200.8A Active CN110034222B (zh) 2017-12-26 2018-12-25 发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11081519B2 (zh)
EP (1) EP3506354B1 (zh)
JP (1) JP6988460B2 (zh)
CN (1) CN110034222B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019200328A (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 セイコーエプソン株式会社 プロジェクター
JP7232465B2 (ja) * 2019-03-26 2023-03-03 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
JP7232464B2 (ja) * 2019-03-26 2023-03-03 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
WO2021017711A1 (zh) * 2019-07-26 2021-02-04 泉州三安半导体科技有限公司 发光装置封装件和显示装置
JP6966144B1 (ja) * 2020-03-30 2021-11-10 国立大学法人福井大学 光ビーム放射装置およびそれを用いた光ビーム投影装置
JP2022073095A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102693998A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 丰田合成株式会社 半导体发光元件
JP2014072278A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 発光素子の製造方法、その装置および発光素子

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158296A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Sharp Corp 窒化物半導体発光デバイスチップとその製造方法
US20070170444A1 (en) 2004-07-07 2007-07-26 Cao Group, Inc. Integrated LED Chip to Emit Multiple Colors and Method of Manufacturing the Same
JP5097460B2 (ja) 2007-06-26 2012-12-12 パナソニック株式会社 化合物半導体素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法
JP5309386B2 (ja) * 2007-08-20 2013-10-09 国立大学法人北海道大学 半導体発光素子アレー、その製造方法、及び光送信機器
JP5145120B2 (ja) 2008-05-26 2013-02-13 パナソニック株式会社 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法
US8669574B2 (en) * 2008-07-07 2014-03-11 Glo Ab Nanostructured LED
WO2010044129A1 (ja) 2008-10-17 2010-04-22 国立大学法人北海道大学 半導体発光素子アレー、およびその製造方法
JP2010166036A (ja) * 2008-12-15 2010-07-29 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および表示装置
JP5299251B2 (ja) * 2009-12-09 2013-09-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
US9306117B2 (en) * 2011-07-25 2016-04-05 Industrial Technology Research Institute Transfer-bonding method for light emitting devices
CN102903804B (zh) * 2011-07-25 2015-12-16 财团法人工业技术研究院 发光元件的转移方法以及发光元件阵列
KR102022266B1 (ko) * 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102319284B1 (ko) * 2014-10-01 2021-11-01 엔지케이 인슐레이터 엘티디 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법
KR101688160B1 (ko) * 2015-01-27 2016-12-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20180133436A (ko) * 2016-05-04 2018-12-14 글로 에이비 상이한 색상의 led를 포함하는 일체형 다색 직시형 디스플레이와 이의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102693998A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 丰田合成株式会社 半导体发光元件
JP2014072278A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 発光素子の製造方法、その装置および発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP3506354B1 (en) 2023-12-20
EP3506354A1 (en) 2019-07-03
US20190198560A1 (en) 2019-06-27
CN110034222A (zh) 2019-07-19
JP6988460B2 (ja) 2022-01-05
US11081519B2 (en) 2021-08-03
JP2019114739A (ja) 2019-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110034222B (zh) 发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪
JP5237566B2 (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法
JP5377985B2 (ja) 半導体発光素子
US6885035B2 (en) Multi-chip semiconductor LED assembly
US8017967B2 (en) Light-emitting element including a fusion-bonding portion on contact electrodes
US7897981B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
US8796115B2 (en) Light-emitting diode arrangement and method for producing the same
KR100937879B1 (ko) 역전 발광 소자 제조 방법 및 역전 발광 다이오드
US8026530B2 (en) Semiconductor light-emitting device, lighting module and lighting apparatus
JP4876319B2 (ja) 表示装置およびその製造方法
JP2014160736A (ja) 半導体発光装置及び発光装置
KR20160017849A (ko) 고출력 발광 장치 및 그 제조 방법
CN110676367A (zh) 发光二极管
JP2007335462A (ja) 半導体複合素子およびその製造方法
TWI566432B (zh) 照明裝置
KR100670929B1 (ko) 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101221643B1 (ko) 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
US20240047606A1 (en) Wafer level fabrication for multiple chip light-emitting devices
CN116613186B (zh) 同时具备照明及显示功能的集成电路结构
CN215896431U (zh) 单元像素及显示器装置
CN215869440U (zh) 发光元件、单元像素及显示装置
CN217641390U (zh) 像素模块及显示装置
KR100551247B1 (ko) 고휘도 및 고신뢰성을 가지는 발광 다이오드 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant