CN109994520A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 416
- 238000000034 method Methods 0.000 description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 21
- -1 area Substances 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001988 diarylethenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006502 nitrobenzyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical class [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical class CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARPLCPKLKKZAKJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylcyclopentene Chemical compound CCC1=C(CC)CCC1 ARPLCPKLKKZAKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical group CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/844—Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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Abstract
提供一种显示装置。所述显示装置包括:基底;驱动薄膜晶体管,设置在基底上方;像素电极,电连接到驱动薄膜晶体管;像素限定层,包括与像素电极叠置的开口;中间层,与像素电极的通过开口暴露的部分叠置,中间层包括发射层;对电极,设置在中间层上;有机控制层,设置在对电极上,有机控制层具有亲水性;有机封装层,设置在有机控制层上;以及至少一个无机封装层,与有机封装层叠置。
Description
本申请要求于2017年12月29日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0184805号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开通过引用被全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
在显示电信号的显示装置的可视化发展中,提供诸如纤薄、轻质、低功耗等期望的特性的各种显示装置被引入市场。近来,研究并开发了可折叠或可卷曲的柔性显示装置,此外,正在积极研究并开发可改变为各种形式的可伸缩的显示装置。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示装置以及制造该显示装置的方法,所述显示装置包括即使在显示装置的形状改变时也不会被损坏的薄封装层。然而,应该理解的是,这里描述的实施例应该仅以描述性意义来考虑,而不是为了限制本公开。
另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地通过描述将是明显的,或者可通过呈现的实施例的实践而了解。
根据一个或更多个实施例,一种显示装置包括:基底;驱动薄膜晶体管,设置在基底上方;像素电极,电连接到驱动薄膜晶体管;像素限定层,包括与像素电极叠置的开口;中间层,与像素电极的通过开口暴露的部分叠置,中间层包括发射层;对电极,设置在中间层上;有机控制层,设置在对电极上,有机控制层具有亲水性;有机封装层,设置在有机控制层上;以及至少一个无机封装层,与有机封装层叠置。
所述至少一个无机封装层可包括:第一无机封装层,设置在对电极与有机控制层之间;以及第二无机封装层,设置在有机封装层上使得有机封装层设置在第一无机封装层与第二无机封装层之间。
第一无机封装层可在与有机封装层的端部毗邻的区域中接触第二无机封装层。
显示装置还可包括:相邻的像素电极,与像素电极毗邻;相邻的中间层,设置在所述相邻的像素电极上,所述相邻的中间层包括相邻的发射层,所述相邻的发射层被构造为发射与从中间层的发射层发射的光的颜色不同的颜色的光;以及相邻的对电极,设置在所述相邻的中间层上。
显示装置还可包括:相邻的有机控制层,设置在所述相邻的对电极上,所述相邻的有机控制层具有亲水性;相邻的有机封装层,直接接触所述相邻的有机控制层;以及至少一个相邻的无机封装层,与所述相邻的有机封装层叠置,其中,所述相邻的有机控制层与有机控制层可相互分隔开,所述相邻的有机封装层与有机封装层可相互分隔开。
所述相邻的对电极和对电极可连接为一体。
所述相邻的对电极和对电极可相互分隔开。
所述至少一个相邻的无机封装层和所述至少一个无机封装层可连接为一体。
所述至少一个相邻的无机封装层和所述至少一个无机封装层可相互分隔开。
根据一个或更多个实施例,一种显示装置包括:基底;多个单位显示,设置在基底上方,每个单位显示包括顺序设置的像素电极、中间层和对电极,中间层包括发射层;有机控制层,与所述多个单位显示中的每个叠置,有机控制层具有亲水性;有机封装层,直接接触有机控制层;以及至少一个无机封装层,与有机封装层叠置。
所述至少一个无机封装层可包括:第一无机封装层,设置在所述多个单位显示中的每个与有机控制层之间;以及第二无机封装层,设置在有机封装层上使得有机封装层设置在第二无机封装层与第一无机封装层之间。
所述有机封装层可包括分别与所述多个单位显示对应的多个子有机封装层。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示装置的方法包括:在基底上方形成薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极;形成像素限定层,所述像素限定层包括暴露像素电极的开口;形成包括发射层的中间层,所述中间层与像素电极的通过开口暴露的部分叠置;在中间层上形成对电极;在对电极上形成有机控制层,所述有机控制层包括具有亲水性的第一区域;在第一区域上形成有机封装层;以及形成与有机封装层叠置的至少一个无机封装层。
有机控制层的形成可包括:形成具有光可调湿润性的有机材料层;通过将预设光照射到有机材料层的一部分上来形成有机控制层,有机控制层包括具有亲水性的第一区域和具有疏水性的第二区域。
所述方法还可包括:去除第二区域。
有机材料层可包括包含偶氮苯类、螺吡喃胺类、7-[(三氟甲基苯基偶氮)苯氧基]戊酸类、肉桂酸酯类、三氟甲磺酸三甲基甲硅烷基酯类、聚芳基砜、二芳基乙烯类、二乙基环戊烯类、香豆素类和邻硝基苄基(ONB)酯类中的至少一种的有机材料。
第一区域的宽度可以比开口的宽度大。
形成至少一个无机封装层的方法可包括:形成设置在对电极与有机控制层之间的第一无机封装层;在有机封装层上形成第二无机封装层,使得有机封装层设置在第一无机封装层与第二无机封装层之间。
所述方法还可包括:蚀刻所述至少一个无机封装层,使得所述至少一个无机封装层具有岛形状。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述,这些和/或其它方面将变得清楚并更易于理解,在附图中:
图1A至图1H是根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的剖视图;
图2A和图2B是根据另一实施例的制造显示装置的方法的一些过程的剖视图;
图3A和图3B是根据另一实施例的制造显示装置的方法的一些过程的剖视图;
图4是根据实施例的显示装置的平面图;
图5是根据实施例的沿图4的线IV-IV'截取的显示装置的剖视图;
图6是根据另一实施例的沿图4的线IV-IV'截取的显示装置的剖视图;
图7是根据另一实施例的显示装置的平面图;
图8是示出图7的显示装置的形状已经改变的平面图;
图9是根据实施例的沿图7的线VIIa-VIIa'截取的显示装置的剖视图;
图10是根据另一实施例的沿图7的线VIIa-VIIa'截取的显示装置的剖视图;
图11是根据实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图;
图12是根据另一实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图;
图13是根据实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图;
图14是根据实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图;以及
图15是根据实施例的显示装置中的布线的平面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施例,因此将在附图中示出示例实施例,并在书面描述中详细地描述示例实施例。当参照参照附图描述的实施例时,本公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是明显的。然而,本公开可以以许多不同的形式来实施,并不应该被解释为局限于这里所阐述的示例实施例。
在下文中,将参照附图更充分地描述本公开,在附图中示出了本公开的示例实施例。当参照附图进行描述时,在附图中同样的附图标记表示同样的或相应的元件,并将省略其重复的描述。
将理解的是,尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件,但是这些组件不应该被这些术语限制。这些组件仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式“一种”、“一个(一者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
还将理解的是,这里使用的术语“包括/包含”及其变型说明存在所陈述的特征或组件,但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是,当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时,该层、区域或组件可直接或间接形成在另一层、区域或组件上。即,例如,可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释,可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之,由于为了便于解释任意地示出了附图中组件的尺寸和厚度,因此以下实施例不限于此。
当某些实施例可以不同地实现时,可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是,当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时,该层、区域或组件可以“直接连接”到另一层、区域或组件,或者可以“间接连接”到另一层、区域或组件,并且其它层、区域或组件置于它们之间。例如,将理解的是,当层、区域或组件被称为“连接或电连接”到另一层、区域或组件时,该层、区域或组件可以“直接连接或电连接”到另一层、区域或组件,或者可以“间接连接或电连接”到另一层、区域或组件,并且其它层、区域或组件置于它们之间。
在以下示例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以在更广泛的意义上解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
实施例可容易地控制在形成有机封装层的工艺期间使用的单体的流动,单独地和/或独立地密封单位显示,并有效地分散在显示装置的形状改变时出现的应力等。作为示例,提供上面的效果,并通过以下描述的内容详细地描述根据实施例的效果。
根据实施例的显示装置是显示图像的装置。尽管为了便于描述,将有机发光显示装置作为示例进行描述,但是根据实施例的显示装置不限于此。例如,显示装置可以是无机发光显示器。
在根据实施例的显示装置中,单位封装部分是包括有机控制层、有机封装层和至少一个无机层的堆叠体。单位封装部分可由有机封装层限定,或由有机控制层和有机封装层限定。显示装置包括有机封装层,所述有机封装层图案化为使得有机封装层相互分隔开。一个单位封装部分可理解为对应于一个有机封装层。有机控制层设置在有机封装层中的每个有机封装层下方。与有机封装层相同,有机控制层可设置在显示装置上方,使得有机控制层相互分隔开。
图1A至图1H是根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的剖视图。尽管为了便于描述,图1A至图1H示出了一个单位显示PU,但是根据实施例的显示装置是包括多个单位显示PU的显示装置,并且对多个单位显示PU等同地执行以下参照图1A至图1H描述的工艺。
参照图1A,在基底100上方形成单位显示PU。单位显示PU可包括被构造为发射红光、绿光、蓝光或白光的显示元件200。显示元件200可以是包括像素电极210、对电极230以及设置在像素电极210与对电极230之间的中间层220的有机发光二极管。图1A示出了一个显示元件200对应于一个单位显示PU。
基底100可包括诸如包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺(PI)的塑料材料的各种材料。可在基底100上形成被构造为防止杂质渗入薄膜晶体管TFT的半导体层的缓冲层101、被构造为使半导体层与薄膜晶体管TFT的栅电极绝缘的栅极绝缘层103、被构造为使源电极/漏电极与薄膜晶体管TFT的栅电极绝缘的层间绝缘层105、覆盖薄膜晶体管TFT的有机绝缘层107或其它元件,有机绝缘层107是具有大致平坦的顶表面的平坦化层。
在有机绝缘层107上形成像素电极210。像素电极210通过有机绝缘层107中的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极210可以是反射电极。在实施例中,像素电极210可包括反射层和位于反射层上的透光电极层,所述反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物中的至少一种。透光电极层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。例如,像素电极210可包括ITO/Ag/ITO的多层。
在像素电极210上形成像素限定层240。像素限定层240可包括诸如PI、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚树脂的至少一种有机绝缘材料,并可基于旋涂等来形成。像素限定层240包括暴露像素电极210的预限定区域的开口240OP以及设置在相邻的有机发光二极管之间的堤部240B。
在像素电极210的通过像素限定层240的开口240OP暴露的部分上形成中间层220。中间层220包括发射层,例如有机发射层,发射层发射红光、绿光、蓝光或白光。除发射层之外,中间层220还可包括诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的至少一个功能层。
对电极230可以是透光电极。例如,对电极230可包括具有小的逸出功并包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它们的化合物中的至少一种的金属薄层,或可包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料。例如,对电极230可包括Ag和Mg的合金。
参照图1B,在显示元件200上形成第一无机封装层310。第一无机封装层310可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈以及氮氧化硅(SiON)中的至少一种。可基于化学气相沉积(CVD)使第一无机封装层310形成为完全覆盖显示元件200。
在形成第一无机封装层310之前,还可执行形成覆盖层和/或LiF层的工艺。覆盖层和/或LiF层可保护显示元件200免于受在形成第一无机封装层310时出现的等离子体等的影响。
参照图1C,在第一无机封装层310上形成具有光可调湿润性的有机材料层320A。有机材料层320A可包括包含偶氮苯类、螺吡喃胺类、7-[(三氟甲基苯基偶氮)苯氧基]戊酸类、肉桂酸酯类、三氟甲磺酸三甲基甲硅烷基酯类、聚芳基砜类、二芳基乙烯类、二乙基环戊烯类、香豆素类和邻硝基苄基(ONB)酯类中的至少一种的有机材料。可基于CVD形成有机材料层320A。
参照图1C和图1D,预设光照射到有机材料层320A的一部分上。对于所述光,可根据包括在有机材料层320A中的一种有机材料来选择紫外(UV)线、可见波段中的光线等。
在实施例中,包括透光部分410和挡光部分420的掩模400设置在具有疏水性的有机材料层320A上方,当光通过透光部分410照射到有机材料层320A的部分区域上时,光照射到的部分区域可变为亲水区域。在下文中,包括疏水区域和亲水区域的层被称为有机控制层320B。图1D示出了有机控制层320B的与显示元件200叠置的第一区域321是亲水的,不与显示元件200叠置的第二区域322是疏水的。第一区域321可具有比像素限定层240的开口240OP的宽度OW(或像素电极210的通过像素限定层240暴露的部分的宽度)大的宽度。
根据参照图1C和图1D描述的实施例,尽管通过形成具有疏水性的有机材料层320A并在其上照射光而使有机控制层320B的第一区域321变为亲水区域,但是本公开不限于此。在另一实施例中,可通过在第一无机封装层310上形成具有亲水性的有机材料层并通过使用另一掩模将光照射到有机材料层的部分区域上而将有机材料层的部分区域(例如,不与显示元件200叠置的区域)变为疏水区域。在这种情况下,另一掩模的透光部分的位置和挡光部分的位置可分别对应于图1D中示出的掩模400的挡光部分420的位置和透光部分410的位置。
参照图1E,在包括具有亲水性的第一区域321和具有疏水性的第二区域322的有机控制层320B上形成有机封装层330。可通过采用诸如喷墨等的方法涂覆单体并利用热或光使单体固化来形成有机封装层330。由于固化之前的单体在第一区域321中容易移动但在第二区域322中相反,因此单体不移动到第二区域322。因此,有机封装层330可设置在第一区域321中,同时接触有机控制层320B的第一区域321。即,包括具有彼此不同的性质的第一区域321和第二区域322的有机控制层320B用作被构造为控制单体流动的层。
有机封装层330可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI和聚乙烯。
参照图1E和图1F,去除有机控制层320B的第二区域322。可防止外部异物或湿气通过第二区域322和与第二区域322相邻的层之间的界面的渗入,并可通过去除第二区域322防止第二区域322浮动。图1F示出了仅包括第一区域321而第二区域322被去除的有机控制层320B。在下文中,为便于描述,为了将去除第二区域322之后的有机控制层320B(参见图1F)与去除第二区域322之前的有机控制层320B区分开,将去除第二区域322的工艺之后的有机控制层320B描述为有机控制层“321”。
参照图1G,在有机封装层330上形成第二无机封装层340。第二无机封装层340可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈以及氮氧化硅(SiON)中的至少一种。可基于CVD形成第二无机封装层340。
第二无机封装层340可接触有机封装层330和第一无机封装层310。例如,第二无机封装层340可在像素限定层240的堤部240B上接触第一无机封装层310。第一无机封装层310和第二无机封装层340可防止诸如湿气(H2O)或氧气(O2)的异物的传输。
包括第一无机封装层310、有机控制层321、有机封装层330和第二无机封装层340的堆叠体可对应于单位封装部分300,单位封装部分300被构造为密封与单位显示PU(参见图1)对应的显示元件200。
参照图1H,可使第一无机封装层310和第二无机封装层340图案化以形成图案化的第一无机封装层310'和第二无机封装层340'。例如,图案化工艺可包括诸如干法蚀刻的蚀刻工艺。可执行图案化以去除不与显示元件200叠置的区域,例如,去除与显示元件200的外边缘毗邻的部分。包括图案化的第一无机封装层310'和第二无机封装层340'的单位封装部分300'可具有与显示元件200对应并且与显示元件200叠置的岛形状。第一无机封装层310'和第二无机封装层340'的宽度比显示元件200的宽度大。
尽管上面的实施例已经参照图1H描述了使第一无机封装层310和第二无机封装层340图案化以形成图案化的第一无机封装层310'和第二无机封装层340'的操作,但是本公开不限于此。根据另一实施例的制造显示装置的方法可包括参照图1A至图1G描述的操作。即,可通过参照图1G描述的单位封装部分300来密封图1A中示出的单位显示PU,或通过参照图1H描述的单位封装部分300'来密封图1A中示出的单位显示PU。
在显示元件200的对电极230被图案化为与单位显示PU对应的情况下,如在图1A至图1G或图1A至图1H的实施例中,对电极230可通过电连接到对电极230的电压线(未示出)接收预设电压。然而,实施例不限于此。可将对电极230形成为一体以与以下参照图2A和图2B描述的多个显示元件对应。
图2A和图2B是根据另一实施例的制造显示装置的方法的一些过程的剖视图。
参照图2A,在基底100上方形成单位显示PU。如参照图1A所描述的,一个显示元件可对应于一个单位显示PU。图2A示出了:包括显示元件200R的单位显示PU,该显示元件200R包括被构造为发射红光的中间层220R;包括显示元件200G的单位显示PU,该显示元件200G包括被构造为发射绿光的中间层220G;以及包括显示元件200B的单位显示PU,该显示元件200B包括被构造为发射蓝光的中间层220B。
可通过以下工艺形成显示元件200R、200G和200B中的每一个。在形成均具有岛形状的像素电极210之后,形成包括开口240OP和堤部240B的像素限定层240,并形成中间层220R、220G和220B中的每一个。在同一工艺期间可同时使像素电极210图案化,并且在各自的工艺期间可单独地形成中间层220R、220G和220B。此后,形成对电极230。对电极230可形成为一体以与显示元件200R、200G和200B对应。
形成显示元件200R、200G和200B之后,形成第一无机封装层310。第一无机封装层310可以形成为一体,以对应于显示元件200R、200G和200B。第一无机封装层310的材料和工艺与参照图1B描述的第一无机封装层310的材料和工艺相同。
此后,形成具有光可调湿润性的有机材料层,并通过利用掩模400照射预设光(例如,UV)来形成包括具有亲水性的第一区域321和具有疏水性的第二区域322的有机控制层320B。掩模400的透光部分410可分别对应于红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B。通过使用光来调整有机控制层320B的疏水性和亲水性的工艺与参照图1C和图1D描述的工艺相同。
此后,通过使用有机控制层320B的第一区域321和第二区域322通过控制单体的流动来形成如图2B中所示的有机封装层330。有机封装层330可形成为与单位显示PU中的每个对应的岛形状。形成有机封装层330之后,去除第二区域322(参见图2A)。形成有机封装层330和去除第二区域322的工艺与参照图1E和图1F描述的工艺相同。
接着,在有机封装层330上形成第二无机封装层340。第二无机封装层340可形成为一体以与多个单位显示PU对应。第二无机封装层340的材料和工艺与参照图1G描述的第二无机封装层340的材料和工艺相同。
除对电极230形成为一体以覆盖多个显示元件200R、200G和200B外,参照图2A和图2B描述的工艺基本上与根据参照图1A至图1G描述的实施例的工艺相同。
包括第一无机封装层310、有机控制层321、有机封装层330和第二无机封装层340且分别与单位显示PU的显示元件200R、200G和200B叠置的堆叠体是单位封装部分300R、300G和300B,并可分别密封显示元件200R、200G和200B。
尽管参照图1A至图2B的实施例已经描述了一个显示元件200、200R、200G或200B对应于一个单位显示PU的情况,但是本公开不限于此。在另一实施例中,如以下参照图3A和图3B所描述的,一个单位显示PU可包括被构造为分别发射红光、绿光和蓝光的多个显示元件200R、200G和200B。例如,分别发射红光、绿光和蓝光的显示元件200R、200G和200B可构成一个单位显示PU。
图3A和图3B是根据另一实施例的制造显示装置的方法的一些过程的剖视图。
图3A示出了一个单位显示PU包括被构造为发射红光的显示元件200R、被构造为发射绿光的显示元件200G和被构造为发射蓝光的显示元件200B。形成显示元件200R、200G和200B的工艺以及在显示元件200R、200G和200B上形成第一无机封装层310的工艺与参照图2A描述的工艺相同。
此后,在第一无机封装层310上形成具有光可调湿润性的有机材料层,并通过利用掩模400'照射预设光(例如,UV)来形成包括具有亲水性的第一区域321和具有疏水性的第二区域322的有机控制层320B。掩模400'的透光部分410'可以比参照图2A描述的掩模400的透光部分410大,使得透光部分410'对应于红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B。具有亲水性的第一区域321可形成为一体以覆盖红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B中的全部。利用光来调整有机控制层320B的亲水性和疏水性的工艺与参照图1C和图1D描述的工艺相同。
此后,通过使用有机控制层320B的第一区域321和第二区域322通过控制单体的流动来形成如图3B中示出的有机封装层330。在第一区域321正上方形成有机封装层330以覆盖红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B中的全部。在形成有机封装层330之后,去除第二区域322(参见图3A)。形成有机封装层330和去除第二区域322的工艺与参照图1E和图1F描述的工艺相同。
接着,在有机封装层330上形成第二无机封装层340。第二无机封装层340形成为一体以覆盖红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B中的全部。第二无机封装层340的材料和工艺与参照图1G描述的第二无机封装层340的材料和工艺相同。
包括第一无机封装层310、有机控制层321、有机封装层330和第二无机封装层340并且与单位显示PU的显示元件200R、200G和200B叠置的堆叠体是单位封装部分300U,并可密封显示元件200R、200G和200B。
尽管图3A和图3B示出了每个单位显示PU包括红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B,但是本公开不限于此。在另一实施例中,每个单位显示PU可包括红色显示元件、绿色显示元件、蓝色显示元件和白色显示元件。
图4是根据实施例的显示装置的平面图,图5是根据实施例的沿图4的线IV-IV'截取的显示装置的剖视图。
参照图4和图5,显示装置10可包括基底100,位于基底100上方的单位显示PU以及被构造为分别密封单位显示PU的单位封装部分EU。由于单位封装部分EU中的每个的尺寸比单位显示PU中的每个的尺寸大,因此每个单位封装部分EU可在覆盖每个单位显示PU的同时密封每个单位显示PU。
基底100可包括可以是翘曲的、可弯曲的、可折叠的、可卷曲的或可拉伸的柔性材料。基底100可包括诸如金属材料或有机材料的各种材料,所述有机材料包括诸如PET、PEN和PI的聚合物。
在实施例中,如图5中示出的,基底100可包括包含顺序堆叠的第一阻挡层100a、第一基体层100b、第二阻挡层100c和第二基体层100d的多层。在这种情况下,第一阻挡层100a可以与形成在基底100上方的薄膜晶体管TFT最相邻。
第一阻挡层100a和第二阻挡层100c可包括无机材料。例如,第一阻挡层100a和第二阻挡层100c可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
第一基体层100b和第二基体层100d可包括有机材料。例如,第一基体层100b和第二基体层100d可包括PI、PMMA、PC、PS、丙烯酸类树脂、环氧类树脂和聚乙烯中的至少一种。
在实施例中,每个单位显示PU可包括被构造为发射第一颜色的光的显示元件。第一颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。在下文中,为了便于描述,参照图5进行描述,图5示出了与红色显示元件200R和绿色显示元件200G对应的显示装置的剖视图。
红色显示元件200R和绿色显示元件200G包括像素电极210、对电极230以及设置于像素电极210与对电极230之间的中间层220R和中间层220G,中间层220R和中间层220G中的每个包括有机发射层。
显示元件200电连接到薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以是驱动薄膜晶体管TFT,并可包括半导体层Act、源电极S和漏电极D以及与半导体层Act的沟道区域叠置的栅电极G。缓冲层101设置在基底100与半导体层Act之间。栅极绝缘层103设置在半导体层Act与栅电极G之间。层间绝缘层105设置在栅电极G与源电极S和漏电极D之间。缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层105可以是无机绝缘层。例如,缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层105可包括包含氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅的单层或多层。
尽管图5示出了薄膜晶体管TFT是顶栅型薄膜晶体管,但是本公开不限于此。在另一实施例中,薄膜晶体管TFT可以是栅电极设置在半导体层下方的底栅型薄膜晶体管。
薄膜晶体管TFT可被作为平坦化层的有机绝缘层107覆盖,并通过有机绝缘层107的接触孔电连接到显示元件200R和200G。有机绝缘层107可被构造为包括有机材料的单层或多层。有机材料可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物,对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和其混合物中的至少一种。
每个单位封装部分EU包括包含第一无机封装层310、有机控制层321、有机封装层330和第二无机封装层340的堆叠体。这些层的材料与以上描述的材料相同。每个单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330可被设置为与由每个单位封装部分EU覆盖的单位显示PU对应的岛状,但是第一无机封装层310和第二无机封装层340可作为一体分别连接到相邻的单位封装部分EU的其它第一无机封装层310和第二无机封装层340。例如,如图5中所示,每个单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330可被设置为与每个单位显示PU的一个显示元件200R或200G对应的岛形状。即,在相邻的单位显示PU之间的分隔区域BA中,有机控制层321和有机封装层330分别与相邻的有机控制层321和有机封装层330分隔开,但是第一无机封装层310和第二无机封装层340中的每个可在分隔区域BA中连接为一体以覆盖相邻的显示元件200R和200G。
每个单位封装部分EU的有机控制层321的水平(即,从基底100到有机控制层321的顶表面的竖直距离)可根据设置在有机控制层321下方的元件针对每个区域进行各种改变。相反,有机封装层330的水平(即,从基底100到有机封装层330的顶表面的竖直距离)可以是相对恒定的,而与有机封装层330下方的元件无关,即与区域无关。
例如,有机控制层321的与像素限定层240的开口240OP对应的区域的水平比有机控制层321的与像素限定层240的堤部240B对应的区域的水平低,即,有机控制层321的与像素限定层240的开口240OP对应的区域的水平和有机控制层321的与像素限定层240的堤部240B对应的区域的水平不同。相反,有机封装层330的与像素限定层240的开口240OP对应的区域的水平和有机封装层330的与像素限定层240的堤部240B对应的区域的水平可以具有相对恒定的值,因此有机封装层330的与像素限定层240的开口240OP对应的区域的顶表面和有机封装层330的与像素限定层240的同开口240OP相邻的堤部240B的倾斜表面对应的区域的顶表面可具有相对平坦的表面。这里,相对恒定的值可意味着其差值小于最大值的10%。
尽管图5示出了每个单位显示PU是子像素(即,每个单位显示PU包括一个显示元件200)的情况,但是本公开不限于此。在另一实施例中,如下面参照图6所描述的,每个单位显示PU可对应于一组子像素,其中,每个子像素发射不同颜色的光。
图6是根据另一实施例的沿图4的线IV-IV'截取的显示装置的剖视图。
参照图6,每个单位显示PU可包括被构造为分别发射红光、绿光和蓝光的显示元件200R、200G和200B。尽管图6示出了单位显示PU包括三个显示元件,但是根据另一实施例,单位显示PU可包括被构造为发射红光、绿光、蓝光和白光的四个显示元件。
每个单位封装部分EU包括第一无机封装层310、有机控制层321、有机封装层330和第二无机封装层340。这些层的材料与以上描述的材料相同。每个单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330可被设置为与由每个单位封装部分EU覆盖的单位显示PU对应的岛状,但是第一无机封装层310和第二无机封装层340可作为一体分别连接到相邻的单位封装部分EU的其它第一无机封装层310和第二无机封装层340。例如,如图6中所示,每个单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330可被设置为与每个单位显示PU的显示元件200R、200G和200B对应的岛状。即,在相邻的单位显示PU之间的分隔区域BA中,有机控制层321和有机封装层330分别与相邻的有机控制层321和有机封装层330分隔开,但是第一无机封装层310和第二无机封装层340中的每个可在分隔区域BA中连接为一体以覆盖相邻的显示元件200。
如图5和图6中所示,每个单位封装部分EU的第一无机封装层310和第二无机封装层340可在相邻的单位显示PU之间的堤部240B上方彼此接触。
图7是根据另一实施例的显示装置20的平面图,图8是示出图7的显示装置20的形状已经改变的平面图,图9是根据实施例的沿图7的线VIIa-VIIa'截取的显示装置20的剖视图,图10是根据另一实施例的沿图7的线VIIa-VIIa'截取的显示装置20的剖视图。
参照图7,显示装置20可包括基底100、位于基底100上方的单位显示PU以及分别密封单位显示PU的单位封装部分EU。每个单位封装部分EU的尺寸比每个单位显示PU的尺寸大,因此每个单位封装部分EU可在覆盖每个单位显示PU的同时密封每个单位显示PU。
基底100可包括多个岛1101、连接多个岛1101的多个连接部1102以及穿过基底100的多个连通部分(在下文中,通孔)V,所述多个通孔V位于多个连接部1102之间。
岛1101可彼此分隔开。例如,岛1101可在X方向(第一方向)和Y方向(第二方向)上重复地设置以构造平面栅格图案。例如,X方向(所述第一方向)和Y方向(所述第二方向)可以是彼此交叉以形成直角、钝角或锐角的方向。
连接部1102可连接岛1101。具体地,四个连接部1102可连接到岛1101中的每一个。连接到一个岛1101的四个连接部1102可分别在不同的方向上延伸,并可分别连接到与所述一个岛1101相邻的四个其它岛1101。岛1101和连接部1102可包括相同的材料并可形成为一体。
通孔V在基底100的厚度方向上穿过基底100。当从图7的平面观看时,通孔V可被限定为由闭合曲线CL围绕的区域。通孔V可减小基底100的重量并改善基底100的柔性。此外,由于当基底100中发生翘曲、弯曲、卷曲等时通孔V的形状改变,因此通孔V可通过有效地减少在基底100变形时出现的应力来防止基底100的异常变形并改善基底100的耐久性。通孔V可与相邻的四个岛1101相邻。
可基于诸如蚀刻等的方法,通过去除基底100的选定部分来形成通孔V。在另一实施例中,基底100可以在制造基底100的同时形成为包括通孔V。在另一实施例中,在在基底100上形成多个单位显示PU之后,可通过使基底100图案化来形成通孔V。可以以各种方式在基底100中形成通孔V,并且形成通孔V的方法可以不限于这里描述的示例。
单位显示PU和密封单位显示PU的单位封装部分EU设置在具有以上结构的基底100的岛1101上。基底100的岛1101、单位显示PU和单位封装部分EU构成一个单元图案U,并可如图7中所示重复地设置。即,显示装置20可被理解为在X方向和Y方向上重复设置的单元图案U,单元图案U彼此结合。例如,相邻的单元图案U可设置为使得相邻的单元图案U相对于沿X方向和/或Y方向的轴对称。
由连接部1102的延伸方向与岛1101的连接到所述连接部1102的一个侧面形成的角度θ可以是锐角。因此,由于岛1101和位于岛1101上的单位显示PU密集地设置,因此可以使连接部1102的长度最小化,并可改善基底100的伸长特性。例如,如图8中所示,当显示装置20在X方向或Y方向上伸展时,由连接部1102的一个侧面与岛1101的一个侧面形成的角度可增大(θ'>θ),因此通孔V的面积可增大,相邻的单位显示PU之间的距离可改变。
单位显示PU分别设置在岛1101上并分别被单位封装部分EU覆盖。每个单位封装部分EU的尺寸比每个单位显示PU的尺寸大,因此,单位封装部分EU覆盖单位显示PU。图7示出了作为相邻的单位显示PU之间的区域的分隔区域BA。分隔区域BA可对应于连接部1102和岛1101的边缘OS。
单位显示PU包括至少一个显示元件。在实施例中,如图9中所示,单位显示PU包括显示元件200。显示元件200包括像素电极210、包括发射层的中间层220以及对电极230,发射层发射第一颜色的光。显示元件200电连接到薄膜晶体管TFT。第一颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色中的一种。在这种情况下,图9的单位显示PU与被构造为发射第一颜色的光的子像素对应。在另一实施例中,如图10中所示,单位显示PU包括被构造为发射不同颜色的光的显示元件200R、200G和200B。图10示出了一个单位显示PU包括被构造为分别发射红光、绿光和蓝光的显示元件200R、200G和200B。在这种情况下,单位显示PU对应于一个单位像素。尽管图10示出了单位显示PU包括红色显示元件200R、绿色显示元件200G和蓝色显示元件200B,但是本公开不限于此。在另一实施例中,单位显示PU可包括被构造为分别发射红光、绿光、蓝光和白光的四个显示元件。
单位封装部分EU保护图9和图10中示出的单位显示PU。单位封装部分EU包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如,单位封装部分EU可包括第一无机封装层310、第二无机封装层340、设置于第一无机封装层310与第二无机封装层340之间的有机封装层330以及设置在有机封装层330正下方的有机控制层321。由于第一无机封装层310、有机控制层321、有机封装层330和第二无机封装层340的材料与上述材料相同,因此省略其重复描述。
可以使参照图9和图10描述的分别位于单位显示PU的显示元件200、200R、200G和200B下方的绝缘层(例如,有机绝缘层107)图案化。在形成有机绝缘层107的工艺或其后的工艺期间,可去除有机绝缘层107的部分107O(被称为连通部分)。可通过有机绝缘层107的连通部分107O来暴露有机绝缘层107下方的无机绝缘层(例如,层间绝缘层105)。当在平面图中观看时,有机绝缘层107的连通部分107O可具有与参照图7描述的连通部分V的轮廓相似的轮廓的形状。换言之,有机绝缘层107可被理解为设置在基底100的岛1101(参见图7)上。
单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330可设置在有机绝缘层107上方以与每个单位显示PU对应。第一无机封装层310和第二无机封装层340可通过有机绝缘层107的连通部分107O直接接触无机绝缘层(例如,层间绝缘层105)。例如,第一无机封装层310和第二无机封装层340以及层间绝缘层105可彼此接触。
参照图7、图9和图10描述的单位封装部分EU中每个与单位显示PU中的每个叠置以覆盖单位显示PU中的每个。如下所述,在相邻的单位显示PU之间的分隔区域BA中,单位封装部分EU的第一无机封装层310和第二无机封装层340可彼此连接或彼此分离。
图11是根据实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图,
图12是根据另一实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图。
参照图11和图12,相邻的单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330被设置为分别与单位显示PU对应的岛形状。相邻的单位封装部分EU的第一无机封装层310和第二无机封装层340可彼此连接(参见图11),或分离并在分隔区域BA中彼此分隔开(参见图12)。在分隔区域BA中,第一无机封装层310可通过有机绝缘层107的连通部分107O来接触作为无机绝缘层的层间绝缘层105。
图13是根据实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图,
图14是根据实施例的沿图7的线VIIb-VIIb'截取的显示装置的剖视图。
参照图13和图14,相邻的单位封装部分EU的有机控制层321和有机封装层330被设置为分别与单位显示PU对应的岛形状。相邻的单位封装部分EU的第一无机封装层310和第二无机封装层340可彼此连接(参见图13),或分离并在分隔区域BA中彼此分隔开(参见图14)。此外,在分隔区域BA中,第一无机封装层310可通过如上所述的有机绝缘层107的连通部分107O接触作为无机绝缘层的层间绝缘层105。
如图13和图14中所示,有机绝缘层107上还可设置坝部250。坝部250可围绕有机控制层321和有机控制层321外侧的有机封装层330。在形成有机封装层330的工艺期间,可根本上(主要地)通过有机控制层321控制单体,可其次(辅助地)通过坝部250控制单体。坝部250可包括与例如像素限定层的材料相同的材料。
图12和图14示出了单位封装部分EU的第一无机封装层310和第二无机封装层340的堆叠体在分隔区域BA中分离并彼此分隔开,并且接触层间绝缘层105,该层间绝缘层105是位于第一无机封装层310下方的无机绝缘层。在另一实施例中,在使第一无机封装层310和第二无机封装层340图案化的同时,可同时使例如层间绝缘层105、栅极绝缘层103和缓冲层101中的至少一个的无机绝缘层图案化。
图15是根据实施例的显示装置中的布线的平面图。
参照图15,例如第一电压线V1、第二电压线V2、至少一条数据线DL和至少一条扫描线SL的布线可形成在基底100上方。第一电压线V1、第二电压线V2、至少一条数据线DL和至少一条扫描线SL延伸以通过岛1101。例如,第一电压线V1、第二电压线V2和至少一条数据线DL可在X轴方向上延伸并沿岛1101的形状以及沿X方向设置的在岛1101之间的连接部1102的形状弯曲。至少一条扫描线SL可在Y方向上延伸并沿岛1101的形状以及沿Y方向设置的在岛1101之间的连接部1102的形状弯曲。
参照图4和图6描述的单位显示PU的对电极230具有彼此连接为一体的结构。相反,参照图7和图14描述的单位显示PU的对电极230每个单位显示PU地被图案化,因此可与相邻的单位显示PU的对电极230分隔开,并可从以下描述的第二电压线V2接收电压。
例如,图7至图14中示出的单位显示PU包括薄膜晶体管TFT以及电连接到薄膜晶体管TFT的显示元件200、200R、200G和200B。每个单位显示PU的薄膜晶体管TFT可电连接到第一电压线V1、数据线DL和扫描线SL。由于对电极230被设置为与每个单位显示PU对应的岛形状,因此对电极230可通过第二电压线V2接收预定电压。
根据本公开的实施例,由于薄封装层的至少一个无机层和至少一个有机层全部形成在显示装置上方,因此会减小显示装置的柔性,并且在显示装置的形状改变时会损坏无机层和有机层。应该理解的是,本公开的范围不被这种效果限制。
尽管已经参照附图中所示的实施例描述了本公开,但是这仅作为示例来提供并且本领域的普通技术人员将理解的是,在不脱离由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节及其等同物的各种改变。
Claims (12)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
驱动薄膜晶体管,设置在所述基底上;
像素电极,电连接到所述驱动薄膜晶体管;
像素限定层,包括与所述像素电极叠置的开口;
中间层,与所述像素电极的通过所述开口暴露的部分叠置,所述中间层包括发射层;
对电极,设置在所述中间层上;
有机控制层,设置在所述对电极上,所述有机控制层具有亲水性;
有机封装层,设置在所述有机控制层上;以及
至少一个无机封装层,与所述有机封装层叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个无机封装层包括:
第一无机封装层,设置在所述对电极与所述有机控制层之间;以及
第二无机封装层,设置在所述有机封装层上,使得所述有机封装层设置在所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层在与所述有机封装层的端部毗邻的区域中接触所述第二无机封装层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
相邻的像素电极,与所述像素电极毗邻;
相邻的中间层,设置在所述相邻的像素电极上,所述相邻的中间层包括相邻的发射层,所述相邻的发射层被构造为发射与从所述中间层的所述发射层发射的光的颜色不同的颜色的光;以及
相邻的对电极,设置在所述相邻的中间层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,所述显示装置还包括:
相邻的有机控制层,设置在所述相邻的对电极上,所述相邻的有机控制层具有亲水性;
相邻的有机封装层,直接接触所述相邻的有机控制层;以及
至少一个相邻的无机封装层,与所述相邻的有机封装层叠置,
其中,所述相邻的有机控制层与所述有机控制层相互分隔开,并且所述相邻的有机封装层与所述有机封装层相互分隔开。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述相邻的对电极和所述对电极连接为一体。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述相邻的对电极和所述对电极相互分隔开。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述至少一个相邻的无机封装层和所述至少一个无机封装层连接为一体。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述至少一个相邻的无机封装层和所述至少一个无机封装层相互分隔开。
10.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
多个单位显示,设置在所述基底上方,每个单位显示包括顺序堆叠的像素电极、中间层和对电极,所述中间层包括发射层;
有机控制层,与所述多个单位显示中的每个叠置,所述有机控制层具有亲水性;
有机封装层,直接接触所述有机控制层;以及
至少一个无机封装层,与所述有机封装层叠置。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述至少一个无机封装层包括:
第一无机封装层,设置在所述多个单位显示中的每个与所述有机控制层之间;以及
第二无机封装层,设置在所述有机封装层上,使得所述有机封装层设置在所述第二无机封装层与所述第一无机封装层之间。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述有机封装层包括分别与所述多个单位显示对应的多个子有机封装层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170184805A KR102576997B1 (ko) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
KR10-2017-0184805 | 2017-12-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109994520A true CN109994520A (zh) | 2019-07-09 |
Family
ID=67059927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811541380.4A Pending CN109994520A (zh) | 2017-12-29 | 2018-12-17 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10978669B2 (zh) |
KR (1) | KR102576997B1 (zh) |
CN (1) | CN109994520A (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20190207155A1 (en) | 2019-07-04 |
US10978669B2 (en) | 2021-04-13 |
KR102576997B1 (ko) | 2023-09-12 |
KR20190082362A (ko) | 2019-07-10 |
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PB01 | Publication | ||
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