CN105845705A - 有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：具有包括多个像素区域的显示区域和与显示区域相邻的非显示区域的有机发光显示面板；以及感光单元。有机发光显示面板包括：包括在第一基底基板上的有机发光器件的第一基板；以及包括在第二基底基板的面对第一基板的表面上并在多个像素区域之间的黑矩阵和在黑矩阵上的反射图案的第二基板。感光单元在有机发光显示面板的一侧。
Description
相关申请的交叉引用
此申请要求2015年2月2日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2015-0016291的优先权和权益，其内容通过引用被整体合并于此。
技术领域
本发明的实施例涉及有机发光显示装置。
背景技术
目前正在制造和使用各种类型的平板显示装置。在这些平板显示装置中，包括有机发光器件(例如有机发光二极管)的有机发光显示装置通过由于电子和空穴的复合产生光的有机发光器件来显示图像。有机发光显示装置具有高响应速度，并且可以以低功耗来驱动。
有机发光器件在使用时可能劣化，并且由有机发光器件产生的光的量可能由于这种劣化而减少。其结果是，有机发光显示装置的亮度可能降低。当从有机发光显示装置发射的光的亮度被测量并确定为小于基准亮度时，可以使用补偿电路来补偿有机发光显示装置的亮度的降低。
发明内容
本发明的实施例涉及能够补偿(例如被配置成补偿)亮度降低的有机发光显示装置。
根据本发明的一个实施例，提供了一种有机发光显示装置，包括：具有显示区域和非显示区域的有机发光显示面板，显示区域包括多个像素区域，非显示区域与显示区域相邻，以及在有机发光显示面板的一侧的感光单元，其中有机发光显示面板包括：包括在第一基底基板上的有机发光器件的第一基板；以及包括在第二基底基板的面对第一基板的面上并在多个像素区域之间的黑矩阵和形成在黑矩阵上的反射图案的第二基板。
有机发光器件可以是顶发射型有机发光器件。
黑矩阵可以包括在朝第一基板的方向上突出的突出部分和在远离第一基板的方向上凹入的凹入部分中的至少之一，并且反射图案可以具有与突出部分或凹入部分对应的形状。突出部分和凹入部分中的每一个可以具有倾斜表面。
反射图案可以在黑矩阵的与非显示区域相邻的部分上。
第二基板可以包括在第二基底基板上的外涂层，并且黑矩阵和反射图案可以在外涂层和第二基底基板之间。第二基板可以包括在黑矩阵和反射图案之间并在第二基底基板上的外涂层。
感光单元可以包括：面对有机发光显示面板的一侧的光传感器；以及光传感器被安装在其上的传感器基板。
第二基板可以包括在黑矩阵的空间中并具有不同颜色的多个滤色器。有机发光显示装置可以进一步包括在第二基底基板上并布置在从有机发光显示面板发射的光被透射的方向上的光学构件，并且光学构件可以减少外部光的反射。光学构件可以包括中性密度膜和在中性密度膜上的防反射膜。
光学构件可以包括：具有偏振轴的偏振器；以及在有机发光显示面板和偏振器之间并具有1/4λ相位差的延迟膜。
感光单元可以包括第一光传感器、第二光传感器和第三光传感器。
根据本发明的另一实施例，提供了一种有机发光显示装置，包括：具有显示区域和与显示区域相邻的非显示区域的有机发光显示面板，显示区域包括多个像素区域，有机发光显示面板包括第一基板和面对第一基板的第二基板；以及包括面对第一基板的一侧的光传感器的感光单元，其中第一基板包括：形成在第一基底基板上的包括半导体有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；在半导体有源层和栅电极之间的栅绝缘层；在栅电极上并使栅电极、源电极和漏电极绝缘的层间绝缘层；以及联接到薄膜晶体管的顶发射型有机发光器件，其中第二基板包括：在面对第一基板的第二基底基板上并在多个像素区域之间的黑矩阵；以及在黑矩阵上的反射图案。
附图说明
在下文中将参考附图更充分地描述本发明的示例实施例；然而，本发明可以以不同的形式体现，不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。
在图中，为了例示清楚，尺寸可能被夸大。在全文中，相似的附图标记指代相似的元件。
图1是示出了根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置的分解透视图。
图2是图1所示的有机发光显示装置的剖视图。
图3是图1所示的有机发光显示面板、感光单元和光学构件的平面图。
图4是沿图3的线I-I’截取的剖视图。
图5是图4的区域A的放大图。
图6至图9是根据本发明的其它实施例的有机发光显示装置的剖视图。
图10是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。
图11是沿图10的线II-II’截取的剖视图。
图12是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。
图13是图12的区域B的放大图。
图14是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。
图15是沿图14的线III-III’截取的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更详细地描述本发明的各种示例实施例。
将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是该两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。将进一步理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“被连接到”或“被联接到”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上，被直接连接或联接到另一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或中间层。当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“被直接连接到”或“被直接联接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。例如，当第一元件被描述为“被联接到”或“被连接到”第二元件时，第一元件可以被直接联接或连接到第二元件，或者第一元件可以经由一个或多个中间元件被间接联接或连接到第二元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任意和所有组合。此外，当描述本发明的实施例时，使用“可以”指的是“本发明的一个或多个实施例”。当放在一列元件之前时，诸如“中的至少一个”的表述修饰的是整列元件，而不是修饰该列中的个别元件。另外，术语“示例性”意指示例或例示。
将理解的是，虽然术语第一、第二、第三等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离示例实施例的教导。
出于易于描述的目的，在本文中可使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两种方位。设备可被另外定向(旋转90度或者在其它方位)，并且本文使用的空间相对描述符可以进行相应的解释。
本文使用的术语仅用于描述特定的示例实施例，并不旨在限制示例实施例。如本文所用，单数形式的“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
根据在本文中描述的本发明的实施例的驱动电路、亮度补偿电路和/或任何其它相关设备或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的适当组合来实现。例如，驱动电路和/或亮度补偿电路的各种组件可以被形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独的IC芯片上。此外，驱动电路和/或亮度补偿电路的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者被形成在与驱动电路和/或亮度补偿电路相同的基板上。此外，驱动电路和/或亮度补偿电路的各种组件可以是为了执行本文中描述的各种功能而执行计算机程序指令并与其它系统组件交互的、在一个或多个计算设备中在一个或多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可用标准存储设备在计算设备中实现，诸如例如随机存取存储器(RAM)。计算机程序指令还可以被存储在其它的非临时性计算机可读介质中，诸如例如CD-ROM、闪存驱动器等。此外，本领域技术人员应认识到各种计算设备的功能可以被组合或集成到单个计算设备，或特定计算设备的功能可以在一个或多个其它计算设备上分布，而不脱离本发明的示例性实施例的范围。
图1是根据本发明的一个实施例的有机发光显示装置的分解透视图。图2是图1所示的有机发光显示装置的剖视图。
参考图1和图2，有机发光显示装置可包括有机发光显示面板100、壳体200、驱动电路单元300(例如驱动电路)、多个感光单元400(例如多个光传感器)、以及光学构件500。
有机发光显示面板100可以包括用于显示图像的显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻(例如在其周围)的非显示区域NDA。显示区域DA可以包括多个像素区域PA。从像素区域PA中的每一个发射的光可以具有各种不同的颜色。例如，从像素区域PA中的每一个发射的光可以是红色、绿色、蓝色、青色、品红色或黄色。
有机发光显示面板100可以包括多个有机发光器件被布置在其上(例如其中)的第一基板110和面对第一基板110的第二基板120。有机发光器件可以被分别布置在像素区域PA中。
第一基板110可以包括基底基板，并且在每个像素区域PA中包括被布置在基底基板上的至少一个薄膜晶体管、以及被联接到薄膜晶体管的有机发光器件。
有机发光器件可以包括被联接到薄膜晶体管的第一电极、被布置在第一电极上的有机层、以及被布置在有机层上的第二电极。第一电极和第二电极中的一个可以是阳电极，并且另一个可以是阴电极。另外，第一电极和第二电极中的至少之一可以是透射(例如透明)电极。例如，当有机发光器件是底发射型有机发光器件时，第一电极可以是透射电极，并且第二电极可以是反射电极。可替代地，当有机发光器件是顶发射型有机发光器件时，第一电极可以是反射电极，并且第二电极可以是透射电极。可替代地，当有机发光器件是双发射型有机发光器件时，第一电极和第二电极两者都可以是透射电极。在本示例性实施例中，作为示例，有机发光器件被描述为顶发射型有机发光器件。
第一电极可以包括反射层和被布置在反射层上的透明导电层。第二电极可以包括具有一厚度(例如预定厚度)的金属层，使得光可穿过金属层。
有机层可以包括发射层EML，并通常可具有多层薄膜结构。从发射层产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色或白色，但不限于此。例如，从发射层发射的光的颜色可以是品红色、青色或黄色。
第二基板120可以使有机发光器件与外部环境隔离，并且可以由诸如密封剂的封装剂结合到第一基板110。封装剂可以被布置在非显示区域NDA中。
壳体200可以容纳(例如收纳)有机发光显示面板100、驱动电路单元300、感光单元400和光学构件500。图1示出了由具有空间的单个构件(例如整体式壳体)构成的壳体，其中有机发光显示面板100、驱动电路单元300、感光单元400和光学构件500被容纳在该空间中。然而，壳体200可以包括彼此连接的两个或更多个构件或组件(例如可由其形成)。在本示例性实施例中，描述了其中壳体200由单个构件形成的示例。
壳体200可包括弹性材料。另外，壳体200可以包括与有机发光显示面板100的形状对应的底部部分210、从底部部分210延伸并向上弯曲(例如弯曲为远离底部部分210延伸)的多个侧面220、以及从侧面220延伸并被弯曲成平行于底部部分210的法兰230。底部部分210和侧面220可限定有机发光显示面板100、驱动电路单元300、感光单元400和光学构件500被容纳在其中的空间。
另外，法兰230可以防止有机发光显示面板100、驱动电路单元300、感光单元400和光学构件500从壳体200脱出(例如无意中从其脱落)。
驱动电路单元300可以被布置在有机发光显示面板100和底部部分210之间。另外，驱动电路单元300可以包括驱动IC、连接膜和电路板。
驱动IC可以是用于驱动有机发光显示面板100的驱动芯片，并且可以包括栅极驱动IC和数据驱动IC。另外，驱动IC可以包括当感测到有机发光显示面板100的亮度降低时能够补偿亮度(例如被配置为补偿亮度)的亮度补偿电路。
连接膜可以包括被形成在薄膜型基板上的多条导线。驱动IC可以由带载封装(TCP)或膜上芯片(COF)安装在连接膜上，以被电连接到第一基板110。
电路板可以通过连接膜被电连接到第一基板110，并可以将栅极信号和数据信号供应(例如发送)到第一基板110。电路板可以是印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。电路板可以包括被安装在其上的各种类型的电子设备，包括电源和控制器。
感光单元400可以被附接到有机发光显示面板100的一侧。另外，感光单元400中的每一个可以包括用于感测从有机发光显示面板100发射的光的光传感器410、以及用于在其上安装光传感器410的传感器基板420。
光传感器410可以是光接收元件。另外，光传感器410可以被附接到有机发光显示面板100的一侧，并且可以感测从有机发光显示面板100的该侧发射的光。光传感器410可以将指示感光结果的感测信号传送到驱动电路单元300。驱动电路单元300可分析感测信号。当检测到有机发光显示面板100的亮度劣化时，驱动电路单元300可以通过使用亮度补偿电路控制(例如调节或改变)被供应到有机发光显示面板100的电力。
传感器基板420可以是印刷电路板，并且光传感器410可以被安装在传感器基板420上。传感器基板420可以将由光传感器410产生的感测信号传送到驱动电路单元300。传感器基板420可以被固定到壳体200，以减少或防止光传感器410的偶然移动。
光学构件500可以被布置在有机发光显示面板100的发光表面上或上方。光学构件500可以减少或防止有机发光显示面板100的图像显示性能由于例如外部入射光(以下称为“外部光”)的反射而劣化。
例如，光学构件500可以是包括具有偏振轴(例如预定方向上的偏振轴)的偏振器和具有1/4λ相位差的延迟膜的偏振膜。另外，光学构件500可以包括中性密度膜和防反射膜。
下面参考图3至图5更详细地描述有机发光显示面板100、感光单元400和光学构件500。
图3是图1所示的有机发光显示面板、感光单元和光学构件的平面图。图4是沿图3的线I-I’截取的剖视图。图5是图4所示的区域A的放大图。
参考图1至图5，有机发光显示面板100可以包括包含多个像素区域PA的显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在像素区域PA的每一个中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在各自像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第一基底基板SUB1可以是刚性的基底基板。例如，第一基底基板SUB1可以是玻璃基底基板、石英基底基板、玻璃陶瓷基底基板和/或结晶玻璃基底基板。
另外，第一基底基板SUB1可以是柔性基底基板。另外，第一基底基板SUB1可以是包括聚合物有机材料的膜基底基板和/或塑料基底基板。例如，第一基底基板SUB1可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)。另外，形成第一基底基板SUB1的材料可以抵抗制造过程中存在的高处理温度(例如可以对其具有耐热性)。
缓冲层BL可以被布置在第一基底基板SUB1和薄膜晶体管之间。缓冲层BL可以是氧化硅层或氮化硅层，或缓冲层BL可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。缓冲层BL可以减少或防止诸如水和氧气的杂质进入或扩散到薄膜晶体管的半导体有源层SA中。缓冲层BL可以平坦化第一基底基板SUB1的表面(例如可以在第一基底基板SUB1之上提供平坦表面)。
薄膜晶体管可以包括半导体有源层SA、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体有源层SA可以被布置在缓冲层BL上。半导体有源层SA可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)和/或氧化物半导体。另外，半导体有源层SA的被连接到源电极SE和漏电极DE的部分可以分别是杂质被掺杂或注入到其中的源区和漏区。源区和漏区之间的区域可以是沟道区。氧化物半导体可以包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和/或它们的混合物。例如，氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。
当半导体有源层SA包括氧化物半导体时，用于阻挡光进入半导体有源层SA的光阻挡层可以被布置在半导体有源层SA上或下方。
栅绝缘层GI可以被布置在半导体有源层SA上。栅绝缘层GI可以覆盖半导体有源层SA，并使半导体有源层SA和栅电极GE彼此绝缘。栅绝缘层GI可以包括氧化硅(例如SiO2)和/或氮化硅(SiNx)。
栅电极GE可以被布置在栅绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体有源层SA重叠。栅电极GE可以包括铝(Al)、铝合金(Al合金)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)、钪(Sc)和/或它们的合金或组合物。
层间绝缘层ILD可以被布置在栅电极GE上。层间绝缘层ILD可以包括与栅绝缘层GI基本相同或相同的材料。例如，层间绝缘层ILD可以包括氧化硅(例如SiO2)和/或氮化硅(SiNx)。
源电极SE和漏电极DE可以被布置在层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE可以通过层间绝缘层ILD与栅电极GE绝缘。另外，源电极SE和漏电极DE可以分别被联接到源区和漏区。
在本示例性实施例中，参考了其中薄膜晶体管是顶栅薄膜晶体管的示例。然而，薄膜晶体管不限于此。例如，薄膜晶体管可以是底栅薄膜晶体管。
保护层PSV可以被布置在薄膜晶体管被布置在其上的第一基底基板SUB1上。保护层PSV可以包括至少一层。例如，保护层PSV可以包括无机保护层和被布置在无机保护层上的有机保护层。无机保护层可以包括氧化硅和/或氮化硅。另外，有机保护层可以包括丙烯酸树脂、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)和/或苯并环丁烯(BCB)。例如，有机保护层可以是平坦化层，该平坦化层是透明的并且是柔性的，以平滑和平坦化下部结构的粗糙度(例如以在下部结构上提供平滑和平坦的表面)。另外，保护层PSV的一部分可以被去除，以暴露漏电极DE的一部分。
被联接到薄膜晶体管的漏电极DE的有机发光二极管OLED可以被布置在保护层PSV上。
有机发光二极管OLED可以包括第一电极E1、被布置在第一电极E1上的有机层OL、以及被布置在有机层OL上的第二电极E2。
第一电极E1可以被联接到漏电极DE。另外，第一电极E1可以包括反射层E11和/或被布置在反射层E11上的透明导电层E12。反射层E11和/或透明导电层E12可以被联接到漏电极DE。例如，反射层E11可以被联接到漏电极DE。
反射层E11可以包括光反射材料。例如，反射层E11可以包括铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)和它们的合金或组合物。
透明导电层E12可以是包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和/或氟掺杂的氧化锡(FTO)的至少一种透明导电氧化物的导电层。
像素限定层PDL可以被布置在第一电极E1上。像素限定层PDL可以在其中具有开口。第一电极E1和(在一个实施例中)透明导电层E12的一部分可以通过像素限定层PDL的打开区域露出。
另外，像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚(芳醚)、杂环聚合物、聚对二甲苯、氟化聚合物、环氧树脂、苯并环丁烯系列树脂、硅氧烷系列树脂和/或硅烷树脂中的至少一种。
有机层OL可以被布置在第一电极E1由像素限定层PDL暴露的部分上。有机层OL可以包括发射层EML，并且可以具有多层薄膜结构。例如，有机层OL可以包括：用于注入空穴的空穴注入层HIL；具有优异的空穴传输性质并用于抑制没有在发射层EML中组合的电子的移动以提高电子和空穴的复合概率的空穴传输层HTL；用于通过注入的电子和空穴的复合发射光的发射层EML；用于抑制没有在发射层EML中组合的空穴的移动的空穴阻挡层HBL；用于平滑地将电子传输到发光层EML的电子传输层ETL；和/或用于注入电子的电子注入层(EIL)。在发光层中产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色或白色，但不限于此。例如，在有机层OL的发射层中产生的光的颜色可以是品红色、青色或黄色。
第二电极E2可以被布置在有机层OL上。第二电极E2可以包括被布置在有机层OL上的第一导电层E21和/或被布置在第一导电层E21上的第二导电层E22。
第一导电层E21可以透射从有机层OL发射的光。例如，第一导电层E21可以是透射光的薄金属层(例如可以是透明层)。另外，第一导电层E21可以包括具有比透明导电层E12的功函数低的功函数的材料。例如，第一导电层E21可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的合金或组合物。
第一导电层E21可以是非常薄的膜(例如可以比显示装置中的其它薄膜更薄)。因此，在第一导电层E21可能出现增加的电压降(IR压降)，并且电压降可能根据沿第一导电层E21的位置而变化。
第二导电层E22可以透射已经穿过第一导电层E21的光。另外，第二导电层E22可以减少或基本上防止在第一导电层E21处的IR压降。第二导电层E22可以包括与透明导电层E12基本相同或相同的材料。例如，第二导电层E22可以是包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和/或氟掺杂的氧化锡(FTO)的至少一种透明导电氧化物的导电层。
从有机层OL发射的光的一部分可能不穿过第一导电层E21，而是可能被反射。由第一导电层E21反射的光可以由第一电极E1的反射层E11再次反射。例如，可以在第一导电层E21和第二导电层E22之间出现从有机层OL发射的光的共振。有机发光二极管OLED的光提取效率可以由于此共振得到改善。
另外，在像素区域PA的每一个中，反射层E11和第一导电层E21之间的距离可以取决于要被发射的光的颜色而变化。例如，反射层E11和第一导电层E21之间的距离可以被控制(例如改变或选择)为与要从有机层OL发射的光的颜色的共振距离对应。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM的空间中(例如被布置在黑矩阵BM之间或黑矩阵BM的开口中)的滤色器CF、反射图案RP、以及被布置在滤色器CF和反射图案RP上的外涂层OC。
第二基底基板SUB2可以与第一基底基板SUB1基本相同或相同。例如，当第一基底基板SUB1是刚性基底基板时，第二基底基板SUB2也可以是刚性基底基板。在另一示例中，当第一基底基板SUB1是柔性基板时，第二基底基板SUB2也可以是柔性基底基板。
黑矩阵BM可以包括能够阻挡光(例如被配置为阻挡光)的材料。黑矩阵BM可以被布置在像素区域PA之间。例如，黑矩阵BM可以具有格子形状或结构。因此，黑矩阵BM可以防止从发射不同颜色的光的相邻像素区域PA发射的光混合。
滤色器CF可以被定位在与像素区域PA对应的位置。滤色器CF中的每一个的颜色可以与从各自像素区域PA中的每一个的有机层OL发射的光的颜色基本相同或相同。例如，滤色器CF中的每一个的颜色可以是红色、绿色或蓝色，但不限于此。例如，滤色器CF中的每一个的颜色可以是青色、品红色或黄色。因此，滤色器CF可以提高从有机层OL发射的光的色纯度。
反射图案RP可以被布置在黑矩阵BM上，并反射从有机层OL发射的光。因此，反射图案RP的平面形状可以与黑矩阵BM的平面形状基本相同或相同。例如，反射图案RP可以具有格子形状或结构。
反射图案RP可以包括能够反射光(例如被配置为反射光)的材料。例如，反射图案RP可以包括铝(Al)、铝合金(Al合金)、银(Ag)、银合金(Ag合金)、铬(Cr)、铬合金(Cr合金)、钼(Mo)、钼合金(Mo合金)、铂(Pt)、镍(Ni)、镍合金(Ni合金)、AlNiLa和/或它们的合金或组合物。
外涂层OC可以覆盖滤色器CF、黑矩阵BM和反射图案RP。外涂层OC可以减少或防止滤色器CF和反射图案RP的暴露。
另外，外涂层OC可以包括透明绝缘材料。例如，外涂层OC可以包括透明无机绝缘材料和/或透明有机绝缘材料。当外涂层OC包括透明有机绝缘材料时，外涂层OC可以通过去除第二基板120的由滤色器CF、黑矩阵BM和反射图案RP导致的表面粗糙度来提供第二基板120的光滑和平坦的表面。
封装剂SP可以被布置在非显示区域中，并且可以使第一基板110和第二基板120彼此结合。另外，因为封装剂SP具有相对低的氧和水的渗透性，封装剂SP可以使有机发光二极管OLED与外部环境隔离。封装剂SP可以减少或防止保护层PSV和/或像素限定层PDL的材料流到其侧部或蔓延。
封装剂SP可以包括光固化树脂和/或热固性树脂。例如，封装剂SP可以包括具有紫外线固化特性的环氧树脂。
封装剂SP可以透射可见光。因此，由反射图案RP反射的光的一部分可以透射通过封装剂SP并移动到感光单元400(例如由其接收或感测)。
有机发光显示面板100可以进一步包括填充第一基板110与第二基板120之间的空间的填充剂FL。填充剂FL可以减少或防止外部冲击对有机发光二极管OLED的损坏。
填充剂FL可以包括能够透射光的无色、液化或凝胶状材料。例如，作为凝胶状材料，填充剂FL可以包括双酚A型环氧树脂、脂环环氧树脂、苯基硅树脂或橡胶、丙烯酸环氧树脂和/或脂肪族聚氨酯丙烯酸酯。另外，作为液化材料，填充剂FL可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。
另外，填充剂FL可以包括吸湿材料。
感光单元400可以被布置在有机发光显示面板100的一侧(例如在一个侧面)。另外，感光单元400中的每一个可以包括光传感器410和光传感器410被安装在其上的传感器基板420。
光传感器410可以面对有机发光显示面板100(例如可以面对有机发光显示面板100的一侧)，并且在一个实施例中，面对第一基板110的一个表面。因此，光传感器410可以感测从第一基板110的该侧发射的光。由光传感器410检测的信号可以通过传感器基板420(例如通过传感器基板420中的电路)被传送到驱动电路单元300。
光学构件500可以沿从有机发光显示面板100发射的光的发射方向布置，并且可以防止反射。光学构件500可以包括中性密度膜510和被布置在中性密度膜510上的防反射膜520。
中性密度膜510可以具有相对于颜色是中性的遮光特性(例如不影响或基本上不影响从其穿过的光的颜色)。中性密度膜510可以通过在特定波长范围中以彼此相似的程度减少具有一定波长的光的透射量来提供和谐的色彩平衡。
防反射膜520可以减少表面反射，以提高效率并去除由反射的光引起的干扰或散射。
在本示例性实施例中，有机发光二极管OLED可以是顶发射型有机发光器件。在顶发射型有机发光器件中，大部分光可以在朝第二基板120的方向上发射，并且少量的光可以从有机发光显示面板100的侧面发射。例如，非常少量的光可以从第一基板110的侧面发射。当从第一基板110的侧面发射的光的量少于光传感器410的感测临界值时，光传感器410可能感测不到有机发光显示面板100的亮度降低。
然而，尽管根据本示例性实施例的有机发光显示装置的有机发光二极管OLED是顶发射型有机发光器件，感光单元400可以感测有机发光显示面板100的亮度降低。
在一个实施例中，从有机发光二极管OLED发射的光的一部分可以被反射图案RP反射。由反射图案RP反射的光的光路可以被改变为朝第一基板110的方向，以使光可以进入第一基板110。进入第一基板110的光可以在第一基板110中被全反射(例如光可以在缓冲层BL、栅绝缘层GI和层间绝缘层ILD之间的界面处被反射)。全反射的光可以被引导到第一基板110的侧面。被引导到第一基板110的侧面的光可以从第一基板110的侧面发射并且可以由光传感器410感测。例如，反射图案RP可以增加被供应到光传感器410的光量。
由光传感器410感测的信号可以通过传感器基板420被传送到驱动电路单元300。当驱动电路单元300分析所感测的信号并确定有机发光显示面板100的亮度降低时，驱动电路单元300可以补偿亮度降低。
在下文中将参考图6至图15描述本发明的其它实施例。在图6至图15中，与图1至图5所示的组件相同或基本相似的组件被表示为相同的附图标记，并且其详细描述可能被省略。另外，为了避免重复描述，将主要参考图6至图15描述与图1至图5的差异。
图6是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。
参考图6，有机发光显示装置的有机发光显示面板100可以包括显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及被结合到第一基板110和第二基板120的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM的空间中的滤色器CF、被布置在黑矩阵BM上的反射图案RP、以及被布置在滤色器CF和反射图案RP上的外涂层OC。
黑矩阵BM可以包括在第一基板110的方向上突出的突出部分PP。突出部分PP可以包括至少一个倾斜表面。
反射图案RP可以被布置在黑矩阵BM上，并且可以反射从有机层OL发射的光。另外，由于突出部分PP，反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上突出。例如，反射图案RP可以具有与突出部分PP对应的形状。因此，类似于突出部分PP，反射图案RP可以包括至少一个倾斜表面。
反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上反射从有机发光二极管OLED的有机层OL发射的光。由反射图案RP反射的光的一部分可以在第一基板110中被全反射，并移动到光传感器410。
图7是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。
参考图7，有机发光显示装置的有机发光显示面板100可以包括显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM的空间中的滤色器CF、被布置在黑矩阵BM和滤色器CF上的外涂层OC、以及在外涂层OC上与黑矩阵BM重叠的反射图案RP。
黑矩阵BM可以包括在朝第一基板110的方向上突出的突出部分PP。突出部分PP可以包括至少一个倾斜表面。
外涂层OC可以包括透明无机绝缘材料。因此，外涂层OC可以具有与第二基板120的由黑矩阵BM和滤色器CF导致的表面粗糙度对应的表面形状。例如，外涂层OC在与黑矩阵BM对应的位置可以具有与突出部分PP对应的形状。
反射图案RP可以在外涂层OC上与黑矩阵BM重叠。因此，由于突出部分PP，反射图案RP可以朝第一基板110突出。例如，反射图案RP可以具有与突出部分PP对应的形状。因此，类似于突出部分PP，反射图案RP可以包括至少一个倾斜表面。
反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上反射从有机发光二极管OLED的有机层OL发射的光。由反射图案RP反射的光的一部分可以在第一基板110中被全反射，并移动到光传感器410。
图8是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。
参考图8，有机发光显示装置的有机发光显示面板100可以包括显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM的空间中的滤色器CF、被布置在黑矩阵BM上的反射图案RP、以及被布置在滤色器CF和反射图案RP上的外涂层OC。
黑矩阵BM可以包括凹入部分CP。凹入部分CP可以包括至少一个倾斜表面。
反射图案RP可以被布置在黑矩阵BM上，并且可以反射从有机层OL发射的光。另外，由于凹入部分CP，反射图案RP可以具有凹陷的形状(例如朝第二基底基板SUB2凹陷)。例如，反射图案RP可以具有与凹入部分CP对应的形状。因此，类似于凹入部分CP，反射图案RP可以包括至少一个倾斜表面。
反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上反射从有机发光二极管OLED的有机层OL发射的光。由反射图案RP反射的光的一部分可以在第一基板110中被全反射，并移动到光传感器410。
图9是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的剖视图。
参考图9，有机发光显示装置的有机发光显示面板100可以包括显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被形成在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被形成在黑矩阵BM的空间中的滤色器CF、被形成在黑矩阵BM和滤色器CF上的外涂层OC、以及在外涂层OC上与黑矩阵BM重叠的反射图案RP。
黑矩阵BM可以包括凹入部分CP。凹入部分CP可以包括至少一个倾斜表面。
外涂层OC可以包括透明无机绝缘材料。因此，外涂层OC可以具有与第二基板120的由黑矩阵BM和滤色器CF导致的表面粗糙度对应的形状。例如，外涂层OC在与黑矩阵BM对应的位置处可以具有与凹入部分CP对应的形状。
反射图案RP可以在外涂层OC上与黑矩阵BM重叠。因此，由于凹入部分CP，反射图案RP可以具有凹陷形状(例如朝第二基底基板SUB2凹陷)。例如，反射图案RP可以具有与凹入部分CP对应的形状。因此，类似于凹入部分CP，反射图案RP可以包括至少一个倾斜表面。
反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上反射从有机发光二极管OLED的有机层OL发射的光。由反射图案RP反射的光的一部分可以在第一基板110中被全反射，并移动到光传感器410。
图10是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。图11是沿图10的线II-II'截取的剖视图。
参考图10和图11，有机发光显示装置的有机发光显示面板100可以包括包含多个像素区域PA的显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM的空间中的滤色器CF、被布置在黑矩阵BM上的反射图案RP、以及被布置在滤色器CF和反射图案RP上的外涂层OC。
黑矩阵可以被布置在像素区域PA之间。例如，黑矩阵BM可以具有格子形状或结构。
反射图案RP可以仅被布置在黑矩阵BM的与非显示区域NDA相邻(例如黑矩阵BM的与其直接相邻的一部分)的区域处(例如，上)。在一个实施例中，反射图案RP可以被布置在与感光单元400相邻的黑矩阵BM上。
反射图案RP可以反射从有机发光二极管OLED发射的光，并且在一个实施例中，反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上反射从被布置在像素区域PA中与非显示区域NDA相邻的有机发光二极管OLED的有机层OL发射的光。由反射图案RP反射的光的一部分可以在第一基板110中被全反射，并移动到光传感器410。
图12是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。图13是图12所示的区域B的放大图。
参考图12和图13，有机发光显示装置的有机发光显示面板100可以包括包含多个像素区域PA的显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
从像素区域PA发射的光可以具有不同的颜色。例如，从像素区域PA中的每一个发射的光可以是红色、绿色、蓝色、青色、品红色或黄色。在本示例性实施例中，从像素区域PA发射的光可以是红色、绿色或蓝色。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM的空间中的滤色器CF、被布置在黑矩阵BM上的反射图案RP、以及被布置在滤色器CF和反射图案RP上的外涂层OC。
反射图案RP可以在朝第一基板110的方向上反射从有机发光二极管OLED的有机层OL发射的光。由反射图案RP反射的光的一部分可以在第一基板110中被全反射，并移动到感光单元400。
感光单元400可以在(例如可以被附着到)有机发光显示面板100的一个表面(例如在其一侧)。另外，感光单元400中的每一个可以包括用于感测从有机发光显示面板100发射的光的光传感器410A-C、以及光传感器410A-C被安装在其上的传感器基板420。
光传感器410A-C可以被附接到有机发光显示面板100的侧面，并感测从有机发光显示面板100的侧面发射的光。另外，光传感器410A-C中的每一个光传感器可以感测不同颜色的光。例如，第一光传感器410A可以感测诸如红色、绿色或蓝色的一种颜色的光，例如红光。第二光传感器410B可以感测另一种颜色的光，例如绿光。第三光传感器410C可以感测又一颜色的光，例如蓝光。
光传感器410A-C中的每一个可以将指示分别感测红光、绿光和蓝光的结果的感测信号传送到驱动电路单元300。驱动电路单元300可以分析感测信号。在有机发光显示面板100中，当发现或确定某种颜色(例如预定颜色)的亮度劣化时，驱动电路单元300可以控制被供应到有机发光显示面板100的电力，以补偿具有亮度劣化的颜色的亮度。
在本示例性实施例中，已经描述了其中多个光传感器410A-C被安装在单个传感器基板420上的示例，但本发明不限于此。例如，感光单元400可以包括多个传感器基板420，并且传感器基板420中的每一个可以包括光传感器410A-C中的一个。
图14是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的平面图。图15是沿图14的线III-III'截取的剖视图。
参考图1、图2、图14和图15，有机发光显示装置可以包括有机发光显示面板100、壳体200、驱动电路单元300、多个感光单元400、以及光学构件500。
有机发光显示面板100可以包括包含多个像素区域PA的显示区域DA和被布置为与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。
有机发光显示面板100可以包括第一基板110、面对第一基板110的第二基板120、以及使第一基板110和第二基板120彼此结合的封装剂SP。
第一基板110可以包括第一基底基板SUB1、在每个像素区域PA中被形成在第一基底基板SUB1上的至少一个薄膜晶体管、以及在像素区域PA中被联接到薄膜晶体管的有机发光二极管OLED。
从像素区域PA发射的光可以具有不同的颜色。例如，从像素区域PA发射的光可以是红色、绿色或蓝色。例如，在像素区域PA中，有机发光二极管OLED可以发射是红色、绿色或蓝色的光。
第二基板120可以包括第二基底基板SUB2、被布置在第二基底基板SUB2的面对第一基板110的表面上的黑矩阵BM、被布置在黑矩阵BM上的反射图案RP、以及覆盖反射图案RP的外涂层OC。例如，在此实施例中，第二基板120可以不包括滤色器。因此，第二基板120的黑矩阵BM中的空间可以用作光经其穿过的透射窗。
感光单元400可以被附接到有机发光显示面板100的一个表面。另外，感光单元400中的每一个可以包括用于感测从有机发光显示面板100发射的光的光传感器410以及光传感器410被安装在其上的传感器基板420。
光学构件500可以是偏振膜。例如，光学构件500可以包括具有偏振轴(例如预定方向上的偏振轴)的偏振器540和具有1/4λ相位差的延迟膜530。延迟膜530可以被布置在有机发光显示面板100和偏振器540之间。光学构件500可以将外部光转换为圆偏振光，以减少或防止外部光被反射，并因此，减少或防止了有机发光显示面板100的图像显示性能的降低。
在本文中已经公开了本发明的示例实施例，并且尽管使用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如在递交本申请时对本领域技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，也可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可以在不脱离如以下权利要求及其等同方案中提出的本发明的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。
Claims (27)
1.一种有机发光显示装置，包括：
具有显示区域和非显示区域的有机发光显示面板，所述显示区域包括多个像素区域，所述非显示区域与所述显示区域相邻，所述有机发光显示面板包括：
包括在第一基底基板上的有机发光器件的第一基板；和
包括在第二基底基板的面对所述第一基板的面上并在所述多个像素区域之间的黑矩阵和在所述黑矩阵上的反射图案的第二基板；和
在所述有机发光显示面板的一侧的感光单元。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光器件是顶发射型有机发光器件。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述黑矩阵包括在朝所述第一基板的方向上突出的突出部分和在远离所述第一基板的方向上凹入的凹入部分中的至少之一，并且
其中所述反射图案具有与所述突出部分或所述凹入部分对应的形状。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述突出部分和所述凹入部分中的每一个具有倾斜表面。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述反射图案在所述黑矩阵的与所述非显示区域相邻的部分上。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光器件包括：
包括反射层和在所述反射层上的透明导电层的第一电极；
在所述第一电极上并包括发射层的有机层；和
在所述有机层上并包括透明的第一导电层的第二电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第一导电层包括透明金属层。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第二电极进一步包括在所述透明的第一导电层上的透明的第二导电层。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二基板包括在所述第二基底基板上的外涂层，并且所述黑矩阵和所述反射图案在所述外涂层和所述第二基底基板之间。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二基板包括在所述黑矩阵和所述反射图案之间并在所述第二基底基板上的外涂层。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述感光单元包括：
面对所述有机发光显示面板的一侧的光传感器；和
所述光传感器被安装在其上的传感器基板。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述第二基板包括在所述黑矩阵的空间中并具有不同颜色的多个滤色器。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述第二基底基板上并被布置在从所述有机发光显示面板发射的光被透射的方向上的光学构件，
其中所述光学构件减少外部光的反射。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述光学构件包括中性密度膜和在所述中性密度膜上的防反射膜。
15.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述第二基底基板上并被布置在从所述有机发光显示面板发射的光被透射的方向上的光学构件，
其中所述光学构件减少外部光的反射。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述光学构件包括：
具有偏振轴的偏振器；和
在所述有机发光显示面板和所述偏振器之间并具有1/4λ相位差的延迟膜。
17.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述感光单元包括第一光传感器、第二光传感器和第三光传感器。
18.一种有机发光显示装置，包括：
具有显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域的有机发光显示面板，所述显示区域包括多个像素区域，所述有机发光显示面板包括：
第一基板；和
面对所述第一基板的第二基板；和
包括面对所述第一基板的一侧的光传感器的感光单元，
其中所述第一基板包括：
在第一基底基板上的包括半导体有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；
在所述半导体有源层和所述栅电极之间的栅绝缘层；
在所述栅电极上并使所述栅电极、所述源电极和所述漏电极绝缘的层间绝缘层；和
被联接到所述薄膜晶体管的顶发射型有机发光器件，并且
其中所述第二基板包括：
在第二基底基板的面对所述第一基板的面上并在所述多个像素区域之间的黑矩阵；
所述黑矩阵上的反射图案。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述黑矩阵包括在朝所述第一基板的方向上突出的突出部分和在远离所述第一基板的方向上凹入的凹入部分中的至少之一，并且
其中所述反射图案具有与所述突出部分或凹入部分对应的形状。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中所述突出部分和所述凹入部分中的每一个具有倾斜表面。
21.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述反射图案在所述黑矩阵的与所述非显示区域相邻的部分上。
22.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述第二基板包括在所述黑矩阵的空间中并具有不同颜色的多个滤色器。
23.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述第二基底基板上并被布置在从所述有机发光显示面板发射的光被透射的方向上的光学构件，
其中所述光学构件减少外部光的反射。
24.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述光学构件包括中性密度膜和在所述中性密度膜上的防反射膜。
25.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，进一步包括在所述第二基底基板上并被布置在从所述有机发光显示面板发射的光被透射的方向上的光学构件，
其中所述光学构件减少外部光的反射。
26.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，其中所述光学构件包括：
具有偏振轴的偏振器；和
在所述有机发光显示面板和所述偏振器之间并具有1/4λ相位差的延迟膜。
27.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述感光单元包括第一光传感器、第二光传感器和第三光传感器，所述第一光传感器、所述第二光传感器和所述第三光传感器中的每一个被配置为感测具有不同颜色的光。
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