CN104009060A - 显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备 - Google Patents

显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备。一种显示器包括：发光部，设置在显示区域内；以及受光部，设置在显示区域内并且被配置为接收来自所述发光部的光。

Description

显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年2月27日提交的日本在先专利申请JP2013-37375和于2013年7月31日提交的JP2013-159320的权益，通过引用将其各自全部内容结合于此。
技术领域
本技术涉及：一种具有包括有机电致发光（EL）元件的发光部的显示器；一种制造显示器的方法；一种驱动显示器的方法；以及电子设备。
背景技术
近年来，使用有机电致发光（EL）元件或某些其他相似元件的显示器已经引起关注，例如，平板显示器。这种自发光显示器具有宽视角和低功耗的特征。此外，由于有机EL元件被预期能够充分响应高速和高清晰图像信号，因此它们已经朝着实际应用发展。
自发光显示器的缺点在于屏幕的亮度易变得不均匀。对于这种亮度不均匀性具有一定的原因。原因之一是：性能，更具体地是驱动元件的晶体管的阈值电压Vth在制造过程期间不同。另一原因是：由于在部分屏幕上长时间地显示白色图像，因此该部分中的元件劣化，从而造成老化现象。
作为抑制如上述的屏幕亮度不均匀的方法的一个实例，已经提出设置调整每个元件的发光强度的电路（校正电路）。例如，日本待审专利申请公开第2010-78853号描述了一种技术，该技术在具有像素阵列的显示区域之外提供受光部，并且通过利用受光部检测来自这些发光元件的光来校正发光元件的发光强度。
发明内容
不幸的是，上述方法未能充分地防止亮度不均匀性。
期望提供一种能够有效抑制亮度不均匀的显示器、一种制造显示器的方法、一种驱动显示器的方法以及一种电子设备。
一种根据本技术的实施方式的显示器包括：发光部，设置在显示区域内；以及受光部，设置在显示区域内并且被配置为从发光部接收光。
根据本技术的实施方式的电子设备设置有显示器。该显示器包括：发光部，设置在显示区域内；以及受光部，设置在显示区域内并且被配置为从发光部接收光。
根据本技术的上述实施方式的显示器或电子设备，在显示区域内设置受光部降低了发光部与受光部之间的距离。例如，可为每个像素设置受光部。
一种根据本技术的实施方式驱动显示器的方法包括：使用像素驱动电路驱动设置在显示区域内的发光部；使用设置在显示区域内的受光部从发光部接收光；以及将根据由受光部接收的光的量的校正信号从校正电路发送至像素驱动电路。
一种根据本技术的实施方式制造显示器的方法包括：在显示区域内形成发光部；以及在显示区域内形成受光部，受光部被配置为从发光部接收光。
根据本技术的上述实施方式中的显示器、制造显示器的方法、驱动显示器的方法以及电子设备，受光部设置在显示区域内。这能够减小发光部与受光部之间的距离。因此，可以提高受光部的灵敏度，从而有效地抑制亮度不均匀性。
应当理解的是，上述一般性描述和下面的详细描述均是示例性的，并且旨在提供对所保护的技术的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对公开的进一步理解，并且附图被结合于该说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式并与说明书一起用来说明本技术的原理。
图1示出了根据本技术的第一实施方式的显示器的横截面的配置。
图2示出了图1中的显示器的整体配置。
图3示出了图2中的像素驱动电路的示例性配置。
图4是图1中的显示器的校正电路的说明性框图。
图5A是示出用于制造图1中的显示器（基板）的工艺的横截面视图。
图5B是示出继图5A中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图5C是示出继图5B中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图5D是示出继图5C中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图6A是示出用于制造图1中的显示器（相对侧基板）的工艺的横截面视图。
图6B是示出继图6A中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图7是示出图1中的显示器的操作的横截面视图。
图8是由图1中的显示器执行的亮度校正操作的说明性视图。
图9示出了根据比较实施例的显示器的平面配置。
图10示出了图1中的另一示例性显示器的横截面的配置。
图11示出了根据变形例1的显示器的横截面的配置。
图12是图11中的反射部的功能的说明性横截面视图。
图13是示出形成图11中的反射部的示例性方法的横截面视图。
图14是示出形成图11中的反射部的另一示例性方法的横截面视图。
图15是形成图13和图14中的反射部的方法的说明性横截面视图。
图16示出了根据本技术的第二实施方式的显示器的横截面的配置。
图17A示出了图16中的屏蔽部的横截面的另一示例性配置。
图17B示出了图16中的屏蔽部的横截面的又一示例性配置。
图18A示出了图16中的屏蔽部的第一示例性平面配置。
图18B是示出图16中的第二示例性屏蔽部的平面视图。
图18C是示出图16中的屏蔽部的第三示例性配置的平面视图。
图18D是示出图16中的屏蔽部的第四示例性配置的平面视图。
图19是图16中的屏蔽部的功能的说明性横截面视图。
图20是示出用于制造图16中的显示器的示例性工艺的横截面视图。
图21示出了根据变形例2的显示器的横截面的配置。
图22示出了根据本技术的第三实施方式的显示器的主要部件的横截面的配置。
图23A是示出用于制造图22中的显示器的示例性工艺的横截面视图。
图23B是示出继图23A中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图23C是示出继图23B中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图24A是示出继图23C中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图24B是示出继图24A中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图24C是示出继图24B中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图25A是示出继图24C中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图25B是示出继图25A中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图25C是示出继图25B中的工艺之后的工艺的横截面视图。
图26示出了包括图1中示出的显示器等的模块的平面配置的轮廓。
图27是示出示例性应用1的外观的立体视图。
图28A是示出从前面观看的示例性应用2的外观的立体视图。
图28B是示出从背面观看的示例性应用2的外观的立体视图。
图29是示出示例性应用3的外观的立体视图。
图30是示出示例性应用4的外观的立体视图。
图31A示出了闭合状态下的示例性应用5。
图31B示出了打开状态下的示例性应用5。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本技术的某些实施方式。将按照下列顺序进行描述。
1.第一实施方式（受光部被布置在基板内部的显示器）
2.变形例1（设置具有抛物线形表面的反射部的实施例）
3.第二实施方式（屏蔽部被布置在基板中的受光部与晶体管之间的显示器）
4.变形例2（设置遮光屏蔽部的实施例）
5.第三实施方式（受光部被布置在基板的表面上的显示器）
[第一实施方式]
（显示器的整体配置）
图1示出了根据本技术的第一实施方式的显示器（显示器1）的横截面的配置。显示器1是自发光型并且具有在基板13的表面（表面S1）上的发光部20。发光部20设置在基板13（表面S1）与相对侧基板19之间。除发光部20之外，绝缘层14和元件隔离层15被设置在相对侧基板19和基板13之间。如上所述，发光部20、绝缘层14以及元件隔离层15覆盖有保护层16。显示器1是所谓的通过相对侧基板19提取光的顶部发射型显示器的一个实例。滤色片（CF）层17和反射部18形成在相对侧基板19的面向基板13的表面上。驱动发光部20的晶体管（或写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2）形成在基板13内。基板13的背面（表面S2）稳固在支撑部11上，并且多层配线层12设置在基板13与支撑部11之间。
图2示出了显示器1的整体配置。显示器1具有在基板13的中央处的显示区域110，并且可被用作例如超薄有机发光彩色显示器。例如，在显示区域110周围设置信号线驱动电路120、扫描线驱动电路130以及用作图像显示器的驱动器的电源线驱动电路140。
多个像素10和像素驱动电路150形成在显示区域110内；像素10被二维地布置成矩阵形式，并且像素驱动电路150驱动单个像素10。例如，每个像素10可具有单个发光部20，发光部20可发射例如红色、绿色和蓝色光束中的任一种或所有光束。在像素驱动电路150中，多个信号线120A（120A1、120A2、...、120Am等）和多个电源线140A（140A1、...、140An等）布置在列方向（Y方向）上，而多个扫描线130A（130A1、…、130An等）布置在行方向（X方向）上。各个像素10设置在信号线120A与扫描线130A的交叉处。各个信号线120A的两端均连接到信号线驱动电路120；各个扫描线130A的两端均连接到扫描线驱动电路130；并且各个电源线140A的两端均连接到电源线驱动电路140。
信号线驱动电路120根据从信号供应源（未示出）供应的亮度信息通过信号线120A将图像信号的信号电压施加至所选的像素10。例如，扫描线驱动电路130可被配置有顺序地移动（传输）与输入时钟脉冲同步的启动脉冲的移位寄存器。当图像信号被写入各个像素10时，扫描线驱动电路130在以行为单位扫描像素10的同时将扫描信号顺序地供应至扫描线130A。来自信号线驱动电路120的信号电压被施加至信号线120A，而来自扫描线驱动电路130的扫描信号被供应至扫描线130A。
例如，电源线驱动电路140可被配置有顺序地移动（传输）与输入时钟脉冲同步的启动脉冲的移位寄存器。与由信号线驱动电路120以列为单位执行的扫描同步，电源线驱动电路140适当地将彼此不同的第一电位和第二电位的任一个从其两端施加至每个电源线140A。按照这种方式，选择稍后将描述的驱动晶体管Tr2的导通状态和非导通状态的任一种。
像素驱动电路150设置在基板13和多层配线层12内。图3示出了像素驱动电路150的示例性配置。像素驱动电路150用作有源驱动电路，其每一个包括写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2、设置在两个晶体管之间的电容器（保持电容）以及发光部20。发光部20连接至串联在电源线140A与共公电源线（GND）之间的驱动晶体管Tr2。写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2均可以是例如硅薄膜晶体管（TFT），并且采用例如反向交错结构（所谓的底部栅极类型）和交错结构（所谓的顶部栅极类型）中的任一种。
例如，写晶体管Tr1的漏电极连接到信号线120A，并且被供应有来自信号线驱动电路120的图像信号。写晶体管Tr1的栅电极连接到扫描线130A，并且被供应有来自扫描线驱动电路130的扫描信号。写晶体管Tr1的源电极连接到驱动晶体管Tr2的栅电极。
例如，驱动电极Tr2的漏电极连接到电源线140A，并且其电位通过电源线驱动电路140被设置为第一电位或第二电位中的任一个。驱动晶体管Tr2的源电极连接到发光部20。
保持电容Cs形成在驱动晶体管Tr2的栅电极（或写晶体管Tr1的源电极）与驱动晶体管Tr2的漏电极之间。
（显示器的主要部件的配置）
将再次参照图1描述基板13、发光部20、相对侧基板19等的相应配置细节。
基板13包括硅层（Si层）13A和绝缘层13B，并且例如，Si层13A和绝缘层13B分别配置表面S1和表面S2。保持基板13的支撑构件11可例如由硅制成。基板13的Si层13A设置有写晶体管Tr1的源极和漏极区131A和131B以及驱动晶体管Tr2的源极和漏极区132A和132B。写晶体管Tr1的源极和漏极区131A和131B以及驱动晶体管Tr2的源极和漏极区132A和132B可以分别是例如设置在Si层13A的背面（面向基板13的表面S2）附近的N型半导体阱区（在下文中，称为N型阱区；这同样适用于P半导体区）133内的P型区。写晶体管Tr1的栅电极TG1和驱动晶体管Tr2的栅电极TG2通过栅极绝缘膜（未示出）设置在Si层13A的背面上。栅电极TG1和TG2可例如由诸如铂（Pt）、钛（Ti）、钌（Ru）、钼（Mo）、铜（Cu）、钨（W）、镍（Ni）、铝（Al）或钽（Ta）的纯金属或包含这些金属的一种或多种的合金制成。绝缘侧壁（SW）被设置在这些金属周围。
绝缘层13B具有导电插栓13W1、13W2、13W3、13W4和13W5，写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2通过导电插栓13W1、13W2、13W3、13W4和13W5电连接到多层配线层12中的配线121和122。导电插栓13W1、13W2、13W3、13W4和13W5的每一个是设置在绝缘层13B的连接孔内的导体。例如，配线122连接到导电插栓13W2和13W4，从而写晶体管Tr1的源极和漏极区131A电连接到驱动晶体管Tr2的栅电极TG2。驱动晶体管Tr2的源极和漏极区132B电连接到导电插栓13W3，并且导电插栓13W3电连接到例如电源线140A。驱动晶体管Tr2的源极和漏极区132A通过导电插栓13W5电连接到配线121。穿透基板13和绝缘层14的电极（穿透电极13V）设置在N型阱区133的外部。穿透电极13V将配线121电连接到发光部20（或稍后将描述的第一电极21），即，将驱动晶体管Tr2的源极和漏极区132A连接到发光部20。例如，可通过将诸如多晶硅（聚酯Si）或钨（W）的导电材料设置在穿过绝缘层14和基板13形成的孔内形成穿透电极13V。
在该实施方式中，接收由发光部20产生的部分光的受光部30设置在显示区域110（图2）内，并且布置在邻接于写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的位置处。这使得发光部20和受光部30能够被定位成彼此靠近。稍后将描述其细节。因此，可以抑制从发光部20到受光部30传播的光的量的减少，从而提高受光部30的灵敏度。
例如，受光部30可被配置有光电二极管，并且包括在Si层13A的背面附近的P型阱区134以及在P型阱区134中的N型区。简而言之，受光部30形成在基板13的内部。例如，可为每个像素10提供受光部30。晶体管Tr3的栅电极TG3通过栅极绝缘膜（未示出）设置在Si层13A的背面上。晶体管Tr3将在受光部30中的信号电荷传送至浮置区FD。例如，浮置区FD可以是P型阱区134内的N型区。绝缘层13B的导电插栓13W6和13W7分别连接到浮置区域FD和晶体管Tr3的栅电极TG。
如图4所示，受光部30检测关于来自每个发光部20（每个像素10）的光的量的信息（亮度信息20D），并且获取关于外部光的量的信息（外部光信息ID）。受光部30随后将光电转换的光接收信号30A发送至校正电路50。校正电路50通过从光接收信号30A中去除外部光的影响来计算仅由发光部20的光照条件所产生的发光强度。校正电路50随后将根据每个像素10的光量的校正信号50A输出至像素驱动电路150。像素驱动电路150执行将校正信号50A添加到从外部接收的图像信号40A的处理。像素驱动电路150随后将通过上述处理获得的校正图像信号41A输出至每个发光部20（每个像素10）。因此，可以控制用于发光部20的施加电压和供应电流，从而抑制来自发光部20的光的亮度不均匀性。
发光部20布置在遍布基板13的表面S1设置的绝缘层14的预定区域内。发光部20按照相对基板13（绝缘层14）的这个顺序具有第一电极21、包含发光层的有机层22以及第二电极23。
为每个像素10（每个发光部20）设置第一电极21，并且多个第一电极21布置在绝缘层14上同时彼此分离。第一电极21具有阳极和反射层的功能，并且期望地可由高反射性和高注入空穴材料制成。上述配置的第一电极21沿着堆叠方向的厚度（在下文中，简称为厚度）可落在例如从30nm到1000nm的范围内，并且其材料例如可以是诸如铬（Cr）、金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、铜（Cu）、钼（Mo）、钨（W）、钛（Ti）、钽（Ta）、铝（Al）或银（Ag）的纯金属物质或包含这些金属的一种或多种的合金。可替代地，第一电极21可通过堆叠这些金属膜来形成。优选地，第一电极21（发光部20）可直接布置在写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2（或基板13中的N阱区133）上方，从而在平面视图中使它们重叠。按照这种方式布置的第一电极21阻断将进入写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的外部光。这使得可以防止写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的操作点被光改变。
元件隔离层15从第一电极21的表面（面向第二电极23）覆盖第一电极21的一侧，并且元件隔离层15设置有限定发光部20的发光区域的开口。因此，第一电极21的表面通过元件隔离层15的开口而暴露。元件隔离层15具有以发光区域具有期望的形状的方式来精确地控制发光区域以及将第一电极21与第二电极23以及发光部20与邻近的发光部20可靠地隔离的功能。例如，绝缘层14和元件隔离层15可分别由诸如聚酰亚胺的有机材料或诸如氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiNx）或氮氧化硅（SiON）的无机材料制成。例如，绝缘层14可具有100nm到1000nm的厚度，并且元件隔离层15可具有50nm到2500nm的厚度。
例如，有机层22按照相对第一电极21的顺序包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层（均未示出）。有机层22可被所有的发光部20所共享或为每个发光部20设置有机层22。
空穴注入层提高了注入空穴的效率，并且用作防止漏电流的缓冲层。例如，空穴注入层的厚度可落在从1nm到300nm的范围内，并且其材料可以是例如由化学式1或2表示的三亚吡嗪衍生物。
[化学式1]
（在化学式1中，R1到R6是独立地选自于以下基团的取代基：氢、卤素；羟基；氨基；芳基氨基；具有碳数等于或小于20的取代或非取代羰基；具有碳数等于或小于20的取代或非取代羰基酯基；具有碳数等于或小于20的取代或非取代烷基；具有碳数等于或小于20的取代或非取代烯基；具有碳数等于或小于20的取代或非取代烷氧基；具有碳数等于或小于30的取代或非取代芳基；具有碳数等于或小于30的取代或者非取代杂环基；腈基；氰基；硝基；以及甲硅烷基。邻接的Rm（m=1到6）可通过环形结构相互成键。X1到X6是独立的碳或氮原子）。
[化学式2]
空穴传输层提高了将空穴传输到发光层的效率。例如，空穴运输层的厚度可以约为40nm，并且其材料可以是例如4,4',4"-三羟(3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA）者α-萘基苯基二胺（αNPD）。
发光层发射例如白色光并且具有介于第一电极21与第二电极23之间的例如由红色、绿色和蓝色发光层（均未示出）组成的堆栈。可为每个发光部20设置红色、绿色和蓝色发光层中的任一种。当将电场施加至红色、绿色和蓝色发光层时，通过空穴注入层和空穴传输层从第一电极21注入的某些空穴与通过电子注入层和电子传输层从第二电极23注入的某些电子重新结合。因此，红色、绿色和蓝色发光层分别产生红光、绿光和蓝光。
红色发光层可包括例如发射红光的材料、传输空穴的材料、传输电子的材料以及传输空穴和电子的材料中的一种或多种。红色发光层可由荧光和磷光材料中的任一种制成。例如，红色发光层的厚度可约为5nm，并且其可通过将30wt%的2,6-二[(4'-甲氧基二苯胺)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(BSN)混合在4,4-二(2,2-双苯基乙烯基）联苯（DPVBi）中来形成。
绿色发光层可包括例如发射绿光的材料、传输空穴的材料、传输电子的材料以及传输空穴和电子的材料中的一种或多种。绿色发光层可由荧光和磷光材料中的任一种制成。例如，绿色发光层的厚度可约为10nm，并且其材料可通过将5wt%的Kumarin6混合在DPVBi中来形成。
蓝色发光层可包括例如发射蓝光的材料、传输空穴的材料、传输电子的材料以及传输空穴和电子的材料中的一种或多种。蓝色发光层可由荧光和磷光材料中任一种制成。例如，蓝色发光层的厚度可约为30nm，并且其可通过将2.5wt%的4,4'-二[2-{4-(N,N-二苯胺)苯基}乙烯基]联苯（DPAVBi）混合在DPVBi中来形成。
电子传输层提高了将电子传输到发光层的效率。电子传输层可例如由具有约20nm厚度的8-羟基喹啉铝（Alq3）制成。电子注入层提高了将电子注入到发光层的效率。电子运输层可例如由具有约0.3nm厚度的LiF或Li2O制成。
第二电极23被布置成与第一电极21相对，第二电极23与第一电极21之间具有有机层22，并且第二电极23与第一电极21配对。第二电极23例如设置在电子注入层上，从而在与第一电极21绝缘的同时被发光部20（像素10）所共享。第二电极23可例如由传播光的透明材料制成，这种材料的实例可包括包含铝（Al）、镁（Mg）、银（Ag）、钙（Ca）和钠（Na）中的两种或多种的合金。在它们中，优选地为镁铝合金（Mg-Ag合金），因为由Mg-Ag合金制成的薄膜既呈现导电性又呈现低吸收性。Mg-Ag合金中的镁与银的比率并不限于特定的比例；然而，希望Mg:Ag的膜厚度比例落在例如从20:1到1:1的范围内。第二电极23的材料还可以例如是铝（Al）和锂（Li）的合金（Al-Li合金）。第二电极23的可替代材料可以是例如氧化铟锡（ITO)、氧化锌（ZnO）、铝涂料氧化锌（AZO）、镓涂料氧化锌（GZO）、氧化铟锌（IZO）、氧化铟钛（ITiO）或氧化铟钨（IWO）。
设置遍及基板13的表面的保护层16以覆盖第二电极23，并且保护层16可例如由诸如聚酰亚胺的绝缘树脂材料制成。CF层17设置在相对侧基板19的一个表面（面向基板13）上。CF层17具有红色滤色片17R、绿色滤色片（未示出）以及蓝色滤色片17B，并且它们按照对应发光部20（像素10）的顺序并列地布置。CF层17可设置在相对侧基板19的任一表面上，然而，其优选设置在更加靠近发光部20的表面上，因为这可以防止滤色片从表面暴露出来，并且可以利用保护层16（或粘合层）保护滤色片。此外，有机层22与每个滤色片之间的距离减少了，从而防止从有机层22发射的光束进入其他邻近的不同颜色的滤色片，即，防止不同颜色的光束相结合。
反射部18将从发光部20发射的部分光向相对侧基板19反射，从而将光采集到基板13中的受光部30。反射部18可例如设置在面向每个像素10的受光部30的区域内。反射部18可以是由例如铝、钨、银或钛制成的高反射性金属膜。此外，反射部18也可通过将氧化物或诸如氮化钛（TiN）的氮化物堆叠在上述金属上来形成。可通过按照相对相对侧基板19的顺序堆叠氮化钛和铝形成的反射部18能够抑制光在其显示表面上反射。反过来，反射部18能够有效地反射来自发光部20的光，从而使光进入受光部30。除反射部18之外，可设置防止相邻像素之间的光泄漏的光屏蔽部件（未示出）。例如，可堆叠由铝制成的反射部18和由氮化钛制成的光屏蔽部件。相对侧基板19与诸如热固树脂的粘合层（未示出）一起密封发光部20。例如，相对侧基板19可由传播由有机层22产生的光的透明玻璃或塑胶材料制成。
（制造显示器的方法）
可例如通过下面描述的工艺来制造上述配置的显示器1（见图5A至图6B）。
首先，形成基板13。更详细地，首先，通过例如离子植入在Si层13A的表面附近形成N型阱区133、写晶体管Tr1的源极和漏极区131A和131B、驱动晶体管Tr2的源极和漏极区132A和132B、P型阱区134、N型区135以及浮置区FD（见图5A）。在这种情况下，Si层13A可以例如是SOI（绝缘体上硅）板。随后，通过栅极绝缘膜（未示出）在其中设置有述杂质扩散区域的Si层13A的表面上形成写晶体管Tr1的栅电极TG1、驱动晶体管Tr2的栅电极TG2以及晶体管Tr3的栅电极TG3。可例如通过化学汽相淀积（CVD）方法形成导电膜并随后对导电膜进行干蚀刻来形成栅电极TG1、TG2和TG3。之后，形成绝缘层13B以覆盖栅电极TG1、TG2和TG3。通过上述工艺，形成基板13。在这种情况下，导电插栓13W1、13W2、13W3、13W4、13W5、13W6和13W7设置在绝缘层13B内。在形成基板13之后，在基板13的绝缘层13B上（或基板13的表面S2上）形成多层配线层12（配线121和122）（见图5B）。
随后，在将支撑构件11（见图1）粘结到多层配线层12之后，所有的支撑构件11、多层配线层12以及基板13均放置在反向位置处。Si层13A的另一表面（或与N型阱区133、P型阱区134等的形成表面相对的表面）通过例如化学机械抛光（CMP）来抛光，从而使Si层13A具有期望的厚度（图5C）。该抛光表面变成基板13的表面S1。在这种情况下，例如，在执行CMP之前，Si层13A的另一表面可大概地通过磨具来抛光，并且在CMP工艺完成之后，使用诸如热磷酸的化学溶液来使Si层13A平面化。在Si层13A被抛光之后，在基板13的表面S1上形成绝缘层14，并且然后穿透电极13V形成在基板13内。例如，可通过设置穿过绝缘层14和基板13的孔、将导电材料嵌入该孔、以及执行CMP来形成穿透电极13V。
随后，例如，通过溅射方法在绝缘层14上形成铝膜，并且通过光刻工艺使该铝膜图案化，从而形成第一电极21。随后，例如，通过例如等离子CVD方法在第一电极21和绝缘层14上形成氮化硅膜，并且在该渗氮硅膜中设置有开口，从而形成元件隔离层15。可采用STI（浅沟隔离）来形成元件隔离层15。
在设置元件隔离层15之后，例如通过汽相淀积方法形成第二电极23和包含发光层的有机层22（见图5D）。在以这种方式设置发光部20之后，例如，通过CVD或溅射方法在发光部20上形成保护层16。
另一方面，例如，反射部18和CF层17按照该顺序形成在相对侧基板19的表面上（见图6A和图6B）。随后，将密封剂施加到设置有CF层17的相对侧基板19的外围并且粘结到设置有保护层16的基板13。最后，将填料注入基板13与相对侧基板19之间的间隙，随后密封该间隙。通过上述工艺，可完成显示器1。
（显示器的操作）
在上述配置的显示器1中，扫描线驱动电路130通过写晶体管Tr1的栅电极TG1将扫描信号供应至每个像素10。来自信号线驱动电路120的图像信号通过写晶体管Tr1保持在保持电容Cs中。具体地，根据保持在保持电容Cs中的信号来控制驱动晶体管Tr2的开启/关闭。驱动电流Id从而被注入到每个发光部20中，并且空穴和电子在其中重新结合。接着，每个像素10发射光。如图7所示，在光穿过第二电极23、CF层17和相对侧基板19后，从显示器1提取光（光L1）。
由发光部20产生的部分光（光L2）被反射部18反射，并且随后进入基板13的受光部30。当校正电路50从受光部30接收光接收信号30A（图4）时，校正电路50例如可以下列方式（见图8）将校正信号50A发送至像素驱动电路150。首先，受光部30在发光部20开启以发射光以及在发光部20关闭以不发射光的相应情形下被驱动并获得外部光信息LD和亮度信息20D。优选地，受光部30在驱动之前可被初始化。受光部30检测的外部光信息LD和亮度信息20D都通过模数转换器（ADC）被转换成数字信号并且被存储。例如，发光部20可在这些数字转换和存储期间关闭。校正电路50通过从亮度信息20D的数字数据中减去外部光信息LD的数字数据来计算仅由发光部20产生的每个像素10的发光强度。随后，校正电路50通过比较每个像素10与目标像素的相应光照条件根据每个像素10的亮度产生校正信号50A。例如，校正电路5此时可通过新校正信息来更新。像素驱动电路150将通过数模转换器（DAC）转换的校正信号50A添加到图像信号40A，并且将校正的图像信号41A发送至发光部20。校正信号50A的获取并不一定跟随图像输出。例如，可在图像输出的每60帧中获取一次校正信号50A。可替代地，可在开启/关闭电源时获取校正信号50A。可根据校正信息的更新时间适当地操作发光部20和校正电路50。如果外部光信息LD和亮度信息20D指示的光量超过受光部30的光量，显示器1可别设置为检测错误或再次执行接收光的操作。ADC和DAC可内置于校正电路50中或设置在校正电路50外部。
（显示器的功能和效果）
在本实施方式中，在显示区域110内设置受光部30减少了发光部20与受光部30之间的距离。从而使得受光部30能够具有高灵敏度地精确检测来自发光部20的光。因此，可以有效地抑制亮度不均匀性。下面即将描述该功能和效果。
图9示意性地示出了根据比较实施例的显示器（显示器100）的平面配置。在显示器100中，受光部301布置在显示区域110之外的区域内。由于这种布置，每个像素10（发光部）与受光部301之间的距离增加了。此外，由于相应像素与受光部301之间的距离彼此不同，因此除了发光部的劣化之外，需要校正电路根据每个像素与受光部301之间的距离考虑光的衰减。
提出将通过使用外部图像拾取装置捕获显示器上的图像的方法作为抑制亮度不均匀性的方法（例如，参考日本待审专利申请公开第2011-77825号）。然而，所捕获的图像的精确度取决于操作人员。因此，难以精确地从发光部检测光。此外，结合使用多个晶体管和电容器也可以调整驱动像素的晶体管的性能变化（例如，参考日本待审专利申请公开第2010-145579号）。然而，这种方法难以对由发光部恶化产生的像素上的亮度不均匀进行校正。此外，由于像素之间的间距变窄，每个电容器的面积缩小，并且因此变得更难以充分确保电容量。
相反，显示器1设置有位于显示区域110内的受光部30（见图2）。因此，通过将用于每个发光部20（像素10）的受光部30设置在基板13内部，可以减小发光部20与受光部30之间的距离。发光部20可直接设置在驱动发光部20的晶体管（或写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2）之上，并且例如可在邻接这些晶体管的位置处为每个像素10设置受光部30。从而减小在基板13平面方向（XY平面）上发光部20与受光部30之间的距离。因此，显示器1可适用于像素之间具有小间距的显示器，诸如，具有微型有机发光二极管（OLED）的显示器。
如图10所示，可以在基板13的表面S1上设置多层配线层（多层配线层212）。然而，这种布置增加了在相对基板13的表面（表面S1或S2）的竖直方向上发光部20与受光部30之间的距离（或沿着Z方向的距离）。此外，这种布置包括多层配线层212中将光从发光部20导向受光部30的波导结构。为此，优选地，发光部20设置在基板13的表面（表面S1）上，并且多层配线层12设置在其背面（表面S2）上，以在相对基板13的表面的竖直方向上减小发光部20与受光部30之间的距离。
如上所述，本实施方式中的显示器1设置有位于显示区域110内的受光部30，从而能够减小发光部20与受光部30之间的距离。因此，可以抑制从发光部20传播到受光部30的光量的减少，从而允许受光部30将光接收信号30A更准确地发送至校正电路50。因此，显示器1成功地抑制了显示区域110内多个像素10之间的亮度不均匀性。
在下文中，将描述上述实施方式和某些其他实施方式的变形例。在下列描述中，相同参考特征被指定给如上述实施方式中的相同组成元件，并且在适当的情况下，将不再对其进行描述。
<变形例1>
图11示出了根据变形例1的显示器（显示器1A）的横截面配置。显示器1A具有呈所谓抛物线形状（具有面向相对侧基板13的抛物线形表面）的反射部（反射部18A）。除此之外，显示器1A具有与显示器1相同的配置，并且其功能和效果也与显示器1的功能和效果相同。
反射部18A的抛物线形表面将光聚焦在受光部30上。如图12所示，从发光部20到达反射部18A的光（光L2）从反射部18A有效地采集到受光部30。反射部18A因此增加了从发光部20进入受光部30的光的量，从而使每个像素10的亮度具有更高精确度地被校正。
例如可通过以下描述的工艺来形成反射部18A。首先，在相对侧基板19中的将形成反射部18A的区域内形成具有抛物线形表面的凹陷19C（图13）。更详细地，在将抗蚀层设置在相对侧基板19的表面上之后，例如，通过调整光刻工艺过程中的曝光在该抗蚀层中形成抛物线形表面。即，模制抗蚀层，从而使得其中心变薄并且其周围变厚。可使用半色调掩模或通过回流工艺来形成抗蚀层的抛物线形表面。通过使用具有上述抛物线形表面的抗蚀层执行等离子蚀刻，在相对侧基板19内形成凹陷19C。在设置凹陷19C之后，可形成遍及相对侧基板19的表面的高反射性金属膜。随后，通过抗蚀层在金属膜中的将形成反射部18A的区域内形成掩模，并且随后执行等离子或湿蚀刻。最后，去除抗蚀层。通过上述工艺，形成反射部18A。如图14所示，金属膜可形成在相对侧基板19的矩形凹陷19C内，并且随后例如通过CMP研磨该金属膜，从而形成反射部18A。当形成反射部18A时，优选地，除其中将设置反射部18A的凹陷19C1之外，用于对准反射部18A的凹陷19C2可设置在相对侧基板19内（见图15）。
<第二实施方式>
图16示出了根据第二实施方式的显示器（显示器2）的横截面配置。显示器2具有介于受光部30与写晶体管Tr1之间或者受光部30与驱动晶体管Tr2之间的屏蔽部（屏蔽部31）。除此之外，显示器2具有与显示器1相同的配置，并且其功能和效果也与显示器1的功能和效果相同。
例如，屏蔽部31可配置有设置在Si层13A的槽内的绝缘膜或金属膜，例如，绝缘膜可由氧化硅、氮化硅等制成，并且金属膜可由钨、钛、氮化钛等制成。可替代地，可通过堆叠绝缘膜和金属膜形成屏蔽部31。例如，氧化硅膜、氮化硅膜、钛膜或氮化钛膜以及钨膜可按照此顺序堆叠在Si层13A的槽内。仅需设置Si层13A的槽，从而与写晶体管Tr1、驱动晶体管Tr2以及光接收部30的形成区域具有相同的深度（见图16）。可替代地，可形成Si层13A的槽以穿过Si层13A（见图17A）。屏蔽部31可具有锥形形状（见图16）或柱形形状（见图17B）。屏蔽部31设置在设置了写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的N型阱区133与设置了受光部30的P型阱区134之间。此外，屏蔽部31环绕受光部30（P型阱区134）（见图18A和图18B）。屏蔽部31可仅环绕N型阱区133（见图18C）或环绕P型阱区134和N型阱区133（见图18D）。
设置上述配置的屏蔽部31使得受光部30能够更精确地检测来自发光部20的光。下面将更详细地描述该功能和效果。如图19所示，由发光部20产生的光增加了基板13（Si层13A）的温度。因此，产生额外的载流子（载流子C）。此外，在由反射部18反射的光进入基板13的情况下，如果部分光进入基板13而非受光部30的地点，也会产生诸如载流子C的额外的载流子。屏蔽部31以这种方式防止在受光部30外部产生的载流子C进入受光部30。提供屏蔽部31以由此阻断载流子C进入受光部30，从而使受光部30更精确地检测来自每个发光部20的光。
如图20所示，例如可通过下列步骤形成屏蔽部31：在Si层13A内设置受光部30（P型阱区134和N型区135）和浮置区FD；例如在受光部30周围形成槽；以及将绝缘膜嵌入该槽内。在嵌入绝缘膜之后，可通过CMP对Si层13A进行抛光。例如，屏蔽部31可与用于对准基板13和相对侧基板19的标记（例如，背侧对准（BSA））一起形成。可替代地，在对Si层13A进行抛光之后（见图5C），配置有上述绝缘膜或金属膜的屏蔽部31可与穿透电极13V一起形成。使屏蔽部31与穿透电极13V一起形成提供了简单的蚀刻工艺。
<变形例2>
如图21所示，包括由例如铜、钨或铝制成的高遮光金属膜的屏蔽部（屏蔽部32）可设置在受光部30周围（变形例2）。在具有屏蔽部32的显示器2A中，抑制来自受光部30的光渗漏到邻接像素10和写晶体管Tr1与驱动晶体管Tr2的形成区域内，从而使得来自发光部20的光更有效地采集到受光部30。类似于第二实施方式的上述屏蔽部31，屏蔽部32设置在Si层13A的槽内，并且可通过例如将绝缘膜和金属膜按照该顺序嵌入槽内来形成。例如，该绝缘膜可以是氧化硅膜或氮化硅膜。
<第三实施方式>
图22示出了根据第三实施方式的显示器（显示器3）的主要部件的横截面配置。在显示器3中，发光部20和受光部（受光部55）均设置在基板（基板43）的表面上。除此之外，显示器3具有与显示器1相同的配置，并且其功能和效果也与显示器1的功能和效果相同，在图22中，未示出保护层16、CF层17和相对侧基板19（见图1等）。
例如，通过将TFT层43B堆叠在平坦部43A上来形成基板43，发光部20和受光部55均设置在TFT层43B上。平坦部43A可配置有例如由石英、玻璃、硅（Si）、金属箔或树脂制成的膜或片。TFT层43B设置有驱动发光部20的诸如写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的晶体管（见图3）。此外，TFT层43B还设置有连接到发光部20和受光部55的配线。
受光部55布置在平面图中邻接发光部20的位置处，并且例如可为每个像素10设置受光部55（见图2）。受光部55相对于基板43顺序具有下电极51、光电转换膜52以及上电极53。受光部55产生信号电荷（例如，电子）以响应于来自发光部20的光。从下电极51提取这些信号电荷并随后将其作为光接收信号30A传输至校正电路50（图4）。将用于每个受光部55的下电极51、光电转换膜52和上电极53进行图案化。
例如，下电极51可设置在与发光部20的第一电极21相同的层上，并且例如可通过TFT层43B的配线电连接到校正电路50（见图4）。下电极51的材料可与第一电极21的材料相同，例如可以是铝。光电转换膜52吸收由发光部20产生的特定波长的光（可见光），并且产生若干对电子和空穴。例如，光电转换膜52的材料可以是硒化铜铟镓或有机光电转换材料。由光电转换膜52产生的每对电子和空穴中的一个（例如，空穴）从上电极53释放。上电极53可通过例如TFT层43B的配线电连接到GND。例如，上电极53的材料可以是与发光部20中第二电极23的材料相同的可传播光的导电材料。上电极53覆盖有元件隔离层15，并且元件隔离层15覆盖有均从发光部20延伸的有机层22和第二电极23。类似于显示器1（见图1），反射部18可设置在与受光部55相对的位置处（见图1）。
例如，可通过下面描述的工艺来制造上述配置的显示器3（见图23A至25C）。
首先，例如，通过溅射方法形成遍及基板43的表面的导电膜51M（见图23A）。随后，通过干蚀刻或湿蚀刻，对导电膜51M进行图案化，从而形成下电极51（见图23B）。在形成下电极51的同时，可从导电膜51M形成第一电极21。
例如，通过溅射方法形成遍及基板43的表面的光电转换膜52M（见图23C）。随后对光电转换膜52M进行图案化，从而形成覆盖下电极51的上表面和侧部的光电转换膜52（见图24A）。随后，例如可形成遍及基板43的表面的可传播光的导电膜53M（见图24B）。然后，对导电膜53M进行图案化，从而使得上电极53形成在光电转换膜52上（见图24C）。例如，上电极53可覆盖光电转换膜52的上表面和侧部。通过上述工艺，形成受光部55。在设置受光部55之后，形成遍及基板43的表面的（绝缘膜15M见图25A）。然后，通过在绝缘膜15M的一部分中设置开口来形成元件隔离层15以暴露第一电极21的表面（见图25B）。在设置元件隔离层15之后，遍及基板43的表面的有机层22和第二电极23按照此顺序形成，从而形成发光部20（见图25C）。以类似于显示器1的方式执行随后的工艺。然后，完成显示器3。
上述显示器3中的受光部55以类似于显示器1中受光部30的方式接收由发光部20产生的部分光（见图1和图7）。相比形成在基板13内部的受光部30，形成在基板43表面上的受光部55设置在更靠近发光部20的位置处。这使得受光部55能够直接接收由发光部20产生的光，而无须使用反射部18。因此，可以抑制从发光部20到受光部55传播的光的量的减少，从而将更精确的光接收信号30A发送至校正电路50。
[模块]
上述实施方式和变形例中的显示器1、1A、2、2A和3（下面简称为显示器）可内置在各种电子设备中，诸如，下面描述的示例应用1至5，例如，如图26中示出的模块。在该模块中，例如，可在基板13和43的外围限定从相对侧基板19暴露的区域210。此外，外部连接终端（未示出）可形成在暴露区域210内。外部连接终端可配置有从信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130扩展的配线。外部连接端可设置有将信号输入其中并且从其中输出信号的软印刷电路（FPC）板220。
[示例应用1]
图27示出了采用上述实施方式等中的任意一种显示器的电视系统的外观。例如，电视系统可具有图像显示屏部300、前面板310以及滤光镜320。在这种情况下，图像显示屏部300可配置有上述实施方式等中的任意一种显示器。
[示例应用2]
图28A和图28B示出了采用上述实施方式等中的任意一种显示器的数码相机的外观。例如，该数码相机可具有：用于闪光的发光部410；显示部420；菜单切换430；以及快门按钮440。在这种情况下，显示部420可配置有上述实施方式等中的任意一种显示器。
[示例应用3]
图29示出了采用上述实施方式等中的任意一种显示器的笔记本电脑的外观。例如，该笔记本电脑可具有：主体510；通过其执行输入特征的操作等的键盘；以及显示图像的显示部530。在这种情况下，显示部530可配置有上述实施方式等中的任意一种显示器。
[示例应用4]
图30示出了采用上述实施方式等中的任意一种显示器的摄像机的外观。例如，该摄像机可具有：主体610；透镜620，设置在主体部610的前表面上，用于捕捉目标；图像拾取启动/停止开关630；以及显示部640。在这种情况下，显示部640可配置有上述实施方式等中的任意一种显示器。
[示例应用5[
图31A和图31B示出了采用上述实施方式等中的任意一种显示器的移动电话的外观。例如，该移动电话可具有通过连接部件（铰链区域）730相互连接的上部外壳710和下部外壳720，并且可进一步具有显示器740、子显示器750、图片灯760、以及照相机770。在这种情况下，显示器740或子显示器750可配置有上述实施方式等中的任意一种显示器。
到目前为止，已经使用某些实例实施方式和变形例描述了本技术；然而，本技术并不局限于上述实施方式等，并且各种其他变形和改变都是可以的。例如，都已经在上述实施方式中描述的各层的材料和厚度、形成各个膜的方法和条件等都不是限制性的，并且可采用其他材料、厚度、方法和/或条件。
已经给出关于第一电极21和第二电极23分别用作阳极和阴极的情况的上述实施方式。然而，阳极和阴极的布置可互换，更具体地，第一电极21和第二电极23可分别用作阴极和阳极。而且，本技术适用于底部发射型显示器。
例如，本技术还适用于除了有机EL显示器的自发光显示器，诸如，发光部20具有无机层的无机EL显示器。
在上述实施方式中，已经描述了写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的具体配置，然而，写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的布置可互换，或者另一晶体管可直接设置在发光部20下面。在上述实施方式等中，写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的相应源极和漏极区设置在N型阱区内，并且受光部30设置在P型阱区内。然而，写晶体管Tr1和驱动晶体管Tr2的相应源极和漏极区可设置在P型阱区内，并且受光部30可设置在N型阱区内。
此外，本技术包括在本文中描述的以及结合于本文中的各种实施方式的某些或全部任何可能的组合。
从本公开的上述实例实施方式可实现至少下列配置。
（1）一种显示器包括：
发光部，设置在显示区域内；以及
受光部，设置在所述显示区域内并且被配置为从所述发光部接收光。
（2）根据（1）所述的显示器，进一步包括：
像素驱动电路，被配置为驱动所述发光部；以及
校正电路，被配置为将根据由所述受光部接收的所述光的量的校正信号发送至所述像素驱动电路。
（3）根据（1）或（2）所述的显示器，其中，所述发光部和所述受光部均设置在基板的表面上。
（4）根据（1）或（3）中任一项所述的显示器，其中，所述受光部包括介于一对电极之间的光电转换膜。
（5）根据（2）所述的显示器，其中，所述发光部设置在基板的表面上；并且所述受光部设置在所述基板的内部。
（6）根据（5）所述的显示器，其中，所述受光部包括光电二极管。
（7）根据（5）或（6）所述的显示器，其中，所述基板包括硅层。
（8）根据（7）所述的显示器，其中，所述受光部设置在所述硅层的背面附近。
（9）根据（5）至（8）中任一项所述的显示器，其中，所述像素驱动电路包括晶体管，并且所述晶体管设置在在平面图中与所述发光部重叠的位置处。
（10）根据（9）所述的显示器，其中，为每个像素设置所述晶体管和所述受光部，并且所述晶体管和所述受光部设置在邻近于彼此的位置处。
（11）根据（10）所述的显示器，进一步包括设置在所述晶体管与所述受光部之间的屏蔽部。
（12）根据（11）所述的显示器，其中，所述屏蔽部包括嵌入在所述基板的槽内的绝缘膜。
（13）根据（11）所述的显示器，其中，所述屏蔽部包括嵌入在所述基板的槽内的金属膜。
（14）根据（11）所述的显示器，其中，所述屏蔽部包括嵌入在所述基板的槽内的铜。
（15）根据（11）至（14）中任一项所述的显示器，其中，所述屏蔽部被设置成围绕所述受光部。
（16）根据（5）至（15）中任一项所述的显示器，进一步包括与所述基板相对的反射部，
其中，来自所述发光部的所述光由所述反射部反射，并且由所述反射部反射的所述光进入所述受光部。
（17）根据（16）所述的显示器，其中，所述反射部的与所述基板相对的表面包括似抛物线形表面。
（18）一种设置有显示器的电子设备，所述显示器包括：
发光部，设置在显示区域内；以及
受光部，设置在所述显示区域内并且被配置为从所述发光部接收光。
（19）一种驱动显示器的方法，所述方法包括：
使用像素驱动电路驱动设置在显示区域内的发光部；
使用设置在所述显示区域内的受光部从所述发光部接收光；以及
将根据由所述受光部接收的所述光的量的校正信号从校正电路发送至所述像素驱动电路。
（20）一种制造显示器的方法，所述方法包括：
在显示区域内形成发光部；以及
在所述显示区域内形成受光部，所述受光部被配置为从所述发光部接收光。
本领域技术人员应理解，只要在所附权利要求或其等价物范围内，可根据设计需要和其他因素做出各种变形、组合、子组合以及替代。

Claims (21)

1.一种显示器，包括：
发光部，设置在显示区域内；以及
受光部，设置在所述显示区域内并且被配置为从所述发光部接收光。
2.根据权利要求1所述的显示器，进一步包括：
像素驱动电路，被配置为驱动所述发光部；以及
校正电路，被配置为将根据由所述受光部接收的所述光的量的校正信号发送至所述像素驱动电路。
3.根据权利要求2所述的显示器，其中，所述发光部和所述受光部均设置在基板的表面上。
4.根据权利要求3所述的显示器，其中，所述受光部包括介于一对电极之间的光电转换膜。
5.根据权利要求2所述的显示器，其中，所述发光部设置在基板的表面上；并且所述受光部设置在所述基板的内部。
6.根据权利要求5所述的显示器，其中，所述受光部包括光电二极管。
7.根据权利要求5所述的显示器，其中，所述基板包括硅层。
8.根据权利要求7所述的显示器，其中，所述受光部设置在所述硅层的背面附近。
9.根据权利要求5所述的显示器，其中，所述像素驱动电路包括晶体管，并且所述晶体管设置在在平面图中与所述发光部重叠的位置处。
10.根据权利要求9所述的显示器，其中，为每个像素设置所述晶体管和所述受光部，并且所述晶体管和所述受光部设置在邻近于彼此的位置处。
11.根据权利要求10所述的显示器，进一步包括设置在所述晶体管与所述受光部之间的屏蔽部。
12.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述屏蔽部包括嵌入在所述基板的槽内的绝缘膜。
13.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述屏蔽部包括嵌入在所述基板的槽内的金属膜。
14.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述屏蔽部包括嵌入在所述基板的槽内的铜。
15.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述屏蔽部被设置成围绕所述受光部。
16.根据权利要求5所述的显示器，进一步包括与所述基板相对的反射部，
其中，来自所述发光部的所述光被所述反射部反射，并且被所述反射部反射的所述光进入所述受光部。
17.根据权利要求16所述的显示器，其中，所述反射部的与所述基板相对的表面包括抛物线形表面。
18.根据权利要求2所述的显示器，其中，所述受光部还被配置为获取外部光的信息；且所述校正电路还被配置为根据所述外部光的信息通过消除所述外部光的影响来生成所述校正信号。
19.一种设置有显示器的电子设备，所述显示器包括：
发光部，设置在显示区域内；以及
受光部，设置在所述显示区域内并且被配置为从所述发光部接收光。
20.一种驱动显示器的方法，所述方法包括：
使用像素驱动电路驱动设置在显示区域内的发光部；
使用设置在所述显示区域内的受光部从所述发光部接收光；以及
将根据由所述受光部接收的所述光的量的校正信号从校正电路发送至所述像素驱动电路。
21.一种制造显示器的方法，所述方法包括：
在显示区域内形成发光部；以及
在所述显示区域内形成受光部，所述受光部被配置为从所述发光部接收光。
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