CN107393863A - Oled微型显示器ic片及其制备方法 - Google Patents

Oled微型显示器ic片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107393863A
CN107393863A CN201710365177.5A CN201710365177A CN107393863A CN 107393863 A CN107393863 A CN 107393863A CN 201710365177 A CN201710365177 A CN 201710365177A CN 107393863 A CN107393863 A CN 107393863A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
pieces
silicon chip
epoxide
piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710365177.5A
Other languages
English (en)
Inventor
茆胜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201710365177.5A priority Critical patent/CN107393863A/zh
Publication of CN107393863A publication Critical patent/CN107393863A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76213—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种OLED微型显示器IC片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。本发明实现在SOI基片上制备IC片，适用于OLED微型显示器，解决了IC片随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题，利于提高显示器像素密度。

Description

OLED微型显示器IC片及其制备方法
技术领域
本发明涉及OLED微型显示器制造技术领域，尤其涉及一种OLED微型显示器IC片及其制备方法。
背景技术
SOI是Silicon-on-Insulator的缩写，指的是绝缘衬底上的硅，简称绝缘硅。随着芯片特征尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。为了克服这些问题，SOI技术应运而生，业界提出先在硅晶圆上嵌埋一层SiO2绝缘层，然后以此绝缘层作为基底，在表面硅层制作晶体管，这就是SOI技术。SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路，不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。
OLED微型显示器属于一种硅基显示芯片。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸，可以实现显示芯片的高度集成化。随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢，功耗升高，集成密度难以提升。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种实现在SOI基片上制备IC片的OLED微型显示器IC片的制备方法及制得的IC片。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种OLED微型显示器IC片的制备方法，包括以下步骤：
S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；
S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；
S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。
优选地，步骤S1中，氧离子的注入剂量为1×1015/cm2～1×1021/cm2，注入深度为
优选地，所述硅片的厚度为500～1200μm。
优选地，步骤S1中，所述硅片为单面抛光硅片；所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。
优选地，步骤S1中，采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内；所述大束流氧离子注入机的注入能量为50～200KV，束流5～25mA，注入温度22～500℃。
优选地，步骤S2中，所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。
优选地，步骤S2中，退火温度为800～2000℃；退火时间0.2～20小时。
优选地，步骤S5中，在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。
优选地，步骤S1之前，清洗硅片，去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。
本发明还提供一种OLED微型显示器IC片，采用以上任一项所述的制备方法制得。
本发明的有益效果：实现在SOI基片上制备IC片，适用于OLED微型显示器，解决了IC片随着显示器分辨率的提高，IC片上器件尺寸大大缩小，一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题，利于提高显示器像素密度。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明的IC片的制备过程示意图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
参考图1，本发明的OLED微型显示器IC片的制备方法，可包括以下步骤：
S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片10内，形成注氧基片。
在注氧之前，清洗硅片10，去除硅片10表面污渍和自然氧化层。
其中，氧离子的注入剂量为1×1015/cm2～1×1021/cm2；氧离子的注入深度为(埃米)，即注入的氧离子在硅片10中距离硅片表面根据氧离子的注入深度，硅片10的厚度可为500～1200μm。
优选地，硅片10采用单面抛光硅片；氧离子从硅片10的抛光面注入其中。
进一步地，该步骤S1中，优选采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到硅片10内。大束流氧离子注入机的注入能量为50～200KV，束流5～25mA，注入温度22～500℃。
S2、在惰性气体保护下，对注氧基片进行退火，以在注氧基片内形成SiO2埋层20，制得SOI基片。
该制得的SOI基片作为IC片的衬底。
其中，惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。
SiO2埋层为氧化绝缘层，由氧气和周围的硅片部分在退火过程中形成。
作为选择，退火温度为800-2000℃；退火时间0.2-20小时。
S3、在SOI基片上制作IC电路30，制得IC片衬底。
IC电路30的制作可通过现有技术实现。对于单面抛光硅片，IC电路30位于硅片10的抛光面上。
本发明的制备方法制得的IC片，如图1所示，包括硅片10、设置在硅片10内的SiO2埋层20、以及设置在硅片10上的IC电路30。IC电路30位于硅片10的一个表面(抛光面)上。
本发明中，IC片以SOI基片作为衬底制得，适用于OLED微型显示器，在减小了多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等效应前提下，可以进一步提高显示器像素密度。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种OLED微型显示器IC片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内，形成注氧基片；
S2、在惰性气体保护下，对所述注氧基片进行退火，以在所述注氧基片内形成SiO2埋层，制得SOI基片；
S3、在所述SOI基片上制作IC电路，制得IC片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧离子的注入剂量为1×1015/cm2~1×1021/cm2，注入深度为100~20000Å。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度为500~1200μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述硅片为单面抛光硅片；所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内；所述大束流氧离子注入机的注入能量为50~200KV，束流5~25mA，注入温度22~500℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，退火温度为800~2000℃；退火时间0.2~20小时。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S1之前，清洗硅片，去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。
10.一种OLED微型显示器IC片，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。
CN201710365177.5A 2017-05-22 2017-05-22 Oled微型显示器ic片及其制备方法 Pending CN107393863A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710365177.5A CN107393863A (zh) 2017-05-22 2017-05-22 Oled微型显示器ic片及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710365177.5A CN107393863A (zh) 2017-05-22 2017-05-22 Oled微型显示器ic片及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107393863A true CN107393863A (zh) 2017-11-24

Family

ID=60338945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710365177.5A Pending CN107393863A (zh) 2017-05-22 2017-05-22 Oled微型显示器ic片及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107393863A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1748312A (zh) * 2003-02-19 2006-03-15 信越半导体股份有限公司 Soi晶片的制造方法及soi晶片
CN101488525A (zh) * 2009-02-27 2009-07-22 东南大学 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
CN104009060A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 索尼公司 显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1748312A (zh) * 2003-02-19 2006-03-15 信越半导体股份有限公司 Soi晶片的制造方法及soi晶片
CN101488525A (zh) * 2009-02-27 2009-07-22 东南大学 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
CN104009060A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 索尼公司 显示器、制造和驱动显示器的方法以及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104701239B (zh) 半导体衬底的制造方法
CN1684243A (zh) 一种制造硅绝缘体衬底结构的方法
KR100397370B1 (ko) 얕은 접합을 갖는 집적회로의 제조 방법
CN104752309B (zh) 剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法
CN101911247B (zh) 半导体装置及其制造方法
US9768312B2 (en) Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate, and display device
CN103178103B (zh) 半导体器件及其制造方法
CN102237396B (zh) 半导体器件及其制造方法
CN103531592B (zh) 高迁移率低源漏电阻的三栅控制型无结晶体管
CN103794559A (zh) 一种半导体器件及其制备方法
CN107393863A (zh) Oled微型显示器ic片及其制备方法
CN101221957A (zh) 双栅全耗尽soi cmos器件及其制备方法
CN104051506B (zh) 氟掺杂信道硅锗层
CN108054120A (zh) 改善soi器件浮体效应的工艺方法
CN104981896A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN102867755A (zh) 一种形成具有低gidl电流的nmos器件的方法
CN101350305A (zh) 一种可改善负温度不稳定性的pmos管制作方法
CN102237369B (zh) 一种半导体锗基衬底材料及其制备方法
CN107481931B (zh) 晶闸管的制造方法
CN105576026B (zh) 半导体器件及其制备方法
CN104658909B (zh) 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
CN103779280A (zh) 高介电层金属栅器件的制造方法
CN102738008A (zh) 沟槽场效应晶体管的制作方法
CN102543823A (zh) 一种浅沟槽隔离制作方法
CN102569084B (zh) P型高浓度掺杂硅及bcd产品p沟道mos管制作工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171124