CN101777575B - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。一种OLED显示器包括：基底构件；多个像素电极，位于基底构件上；像素限定层，位于基底构件上，像素限定层包括像素限定部分和多个光散射隔离部分，像素限定层包括与像素电极对应并且暴露像素电极的多个开口，光散射隔离部分从像素限定部分远离基底构件向上突出；有机发光层，位于像素电极上；第一共电极，位于有机发光层上，第一共电极的至少一部分位于像素限定层上以与光散射隔离部分叠置；透射膜，位于第一共电极上；第二共电极，位于透射膜上。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
示例实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。具体地讲，示例实施例涉及一种通过抑制外部光反射而实现显示特性改进的OLED显示器及其制造方法。
背景技术
传统的OLED显示器可以包括多个OLED，每个OLED具有空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。可以通过有机发光层内部的空穴和电子的结合形成激子，并且可以通过激子从激发态下降到基态时产生的能量来发射光，由此OLED显示器可以形成图像。
因此，OLED显示器是自发光的，因为不会需要单独的光源，所以OLED显示器可以具有减小的厚度和减轻的重量。OLED显示器也可以表现出高品质特性，例如，低功耗、高亮度和快速响应时间。OLED显示器可以用于固定装置和便携式装置中。
然而，传统的OLED显示器可以包括各种电极和反射从外部进入的光的金属布线。例如由于黑色表示(black representation)差和对比度差，所以外部光在OLED显示器中的反射会降低显示特性。
在该背景技术部分公开的以上信息只是为了增强对本发明的背景的理解，因此，它可以包含没有形成已在该国为本领域普通技术人员所公知的现有技术的信息。
发明内容
因此，示例实施例旨在提供一种OLED显示器及其制造方法，该OLED显示器能够克服现有技术中的一个或多个不足之处和缺点。
因此，示例实施例的一个特征在于提供一种具有能够抑制外部光反射的结构的OLED显示器。
示例实施例的另一特征在于提供一种制造具有能够抑制外部光反射的结构的OLED显示器的方法。
可以通过提供一种OLED显示器来实现上述和其他特征中的至少一种，所述OLED显示器包括：基底构件；多个像素电极，位于基底构件上；像素限定层，位于基底构件上，像素限定层包括像素限定部分和多个光散射隔离部分，像素限定层包括与像素电极对应并且暴露像素电极的多个开口，光散射隔离部分从像素限定部分远离基底构件向上突出；有机发光层，位于像素电极上；第一共电极，位于有机发光层上，第一共电极的至少一部分位于像素限定层上以与光散射隔离部分叠置；透射膜，位于第一共电极上；第二共电极，位于透射膜上。
像素限定层的光散射隔离部分可以以比透射膜的厚度大的厚度在透射膜的上方突出，厚度是沿着与基底构件垂直的方向测量的。透射膜可以直接在第一共电极和第二共电极之间。第一共电极和第二共电极可以与透射膜完全叠置。
第一共电极和第二共电极可以在像素限定层的光散射隔离部分上彼此接触。
第一共电极和第二共电极中的一个或多个可以由半透射膜形成。
半透射膜可以由至少一种金属制成，所述金属是镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的一种或多种。
OLED显示器还可以包括面向基底构件设置的密封构件，并且像素限定层置于密封构件和基底构件之间，其中，像素限定层的光散射隔离部分可以保持基底构件和密封构件之间的间隙。
像素限定层的光散射隔离部分的形状可以包括拟柱体、棱柱体、圆锥体、圆柱体、扁球体、椭圆体、半球体和半扁球体中的一种或多种。
可以通过提供一种制造OLED显示器的方法来实现上述和其他特征中的至少一种，所述方法包括以下步骤：在基底构件上形成多个像素电极；通过利用掩模的光刻工艺在基底构件上将光敏材料层图案化，以在基底构件上形成像素限定层，像素限定层包括像素限定部分和多个光散射隔离部分，像素限定层包括与像素电极对应并且暴露像素电极的多个开口，光散射隔离部分从像素限定部分远离基底构件向上突出；在像素电极上形成有机发光层；在有机发光层上形成第一共电极，第一共电极的至少一部分位于像素限定层上以与光散射隔离部分叠置；在第一共电极上形成透射膜；在透射膜上形成第二共电极。
光刻工艺可以包括半色调曝光工艺。
像素限定层的光散射隔离部分可以以比透射膜的高度高的高度在透射膜的上方突出。
第一共电极和第二共电极可以在像素限定层的光散射隔离部分上彼此接触。
第一共电极和第二共电极中的一个或多个可以由半透射膜形成。
半透射膜可以由镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的一种或多种金属制成。
制造OLED显示器的方法还包括设置面向基底构件的密封构件，并且像素限定层置于基底构件和密封构件之间，其中，像素限定层的光散射隔离部分可以保持基底构件和密封构件之间的间隙。
像素限定层的光散射隔离部分的形状可以包括拟柱体、棱柱体、圆锥体、圆柱体、扁球体、椭圆体、半球体或半扁球体的形成。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例实施例，对于本领域普通技术人员而言，上述和其他特征和优点将变得更加清楚，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的OLED显示器的布局图；
图2示出了沿着图1中的II-II线截取的剖视图；
图3至图7示出了在根据示例实施例的OLED显示器的制造过程中的连续状态的剖视图。
具体实施方式
于2009年1月7日在韩国知识产权局提交的题目为“OLED Display andMethod of Manufacturing the Same(OLED显示器及其制造方法)”的第10-2009-0001163号韩国专利申请，通过引用全部包含于此。
现在，将在下文参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，而不应该被理解为局限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完全的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。
在附图中，为了示出的清晰起见，会夸大层、元件和区域的尺寸。也应该理解，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在中间层或中间元件。此外，也应该理解，当层被称作“在”两个层或元件“之间”时，该层可以是这两个层和/或元件之间唯一的层/元件，或者也可以存在一个或多个中间层或中间元件。相同的标号始终表示相同的元件。
如这里所使用的，表达方式“至少一个”、“一个或多个”和“和/或”是在操作中的合取和析取的开放式表达方式。例如，表达方式“A、B和C中的至少一个”、“A、B或C中的至少一个”、“A、B和C中的一个或多个”、“A、B或C中的一个或多个”以及“A、B和/或C”均包括如下含义：只有A；只有B；只有C；同时有A和B两个；同时有A和C两个；同时有B和C两个；同时有A、B和C所有这三个。
如这里所使用的，单数形式是可以与单个项或与多个项结合使用的开放式术语。
要指出的是，附图示出的是具有2Tr-1Cap结构(在该结构中，一个像素可以包括两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容器)的有源矩阵(AM)型OLED显示器，但是不限于此。因此，根据示例实施例的OLED显示器可以在一个像素中具有例如三个或更多个TFT和两个或更多个电容器，并且可以具有包括单独布线的各种结构。
在这里，像素是指用来显示图像的最小单元。OLED显示器可以通过多个像素显示图像。在下文中，将参照图1至图2来描述示例实施例。
参照图1和图2，根据示例实施例的OLED显示器100可以包括可以对于一个像素布置的开关TFT 10、驱动TFT 20、电容器80和OLED 70。此外，OLED显示器100还可以包括沿一个方向布置的栅极线151、与栅极线151绝缘并交叉的数据线171及共电源线172。可以通过一条栅极线151、一条数据线171和共电源线172限定一个像素。然而，像素可以不限于上述限定。
如图2所示，OLED 70可以包括像素电极710、形成在像素电极710上的有机发光层720和形成在有机发光层720上的共电极730。像素电极710可以是正电极(+)电极(即，空穴注入电极)，共电极730可以是负(-)电极(即，电子注入电极)。然而，要指出的是，示例实施例不限于以上描述，其它的电极构造是在本发明的范围内的，例如，根据OLED显示器100的驱动方法，像素电极710可以是负电极，而共电极730可以是正电极。可以分别从像素电极710和共电极730向有机发光层720注入空穴和电子。当通过使注入的空穴和电子结合形成的激子从激发态下降到基态时，可以发射光。由于对于每个像素可以形成一个或多个像素电极710，所以OLED显示器100可以具有彼此分隔开的多个像素电极710。
如图1至图2所示，电容器80可以包括第一电容器板158和第二电容器板178，并且可布置有置于第一电容器板158和第二电容器板178之间的栅极绝缘膜140。栅极绝缘膜140可以延伸到图2中示出的驱动TFT 20。
如图1所示，开关TFT 10可以包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174。如图1至图2所示，驱动TFT 20可以包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。
开关TFT 10可以用作选择用来发光的像素的开关元件。开关栅电极152可以连接到栅极线151。开关源电极173可以连接到数据线171。开关漏电极174可以与开关源电极173分隔开，并且可以连接到第一电容器板158。
驱动TFT 20可以向像素电极710施加驱动功率，以在所选的(即，按驱动TFT 10所选择的)像素中从OLED 70的有机发光层720发光。驱动栅电极155可以连接到第一电容器板158。驱动源电极176和第二电容器板178可以分别连接到共电源线172。驱动漏电极172可以通过接触孔182连接到OLED 70的像素电极710。
对于上述构造，开关TFT 10可以通过施加到栅极线151的栅电压来驱动，并且可以将栅电压从栅极线151提供到驱动TFT 20。与从共电源线172提供到驱动TFT 20的共电压和从开关TFT 10提供到驱动TFT 20的数据电压之差对应的电压可以存储在电容器80中。与存储在电容器80中的电压对应的电流可以通过驱动TFT 20流到OLED 70中，以使OLED 70发光。
如在图2中进一步示出的，OLED显示器100可以包括像素限定层190和密封构件210。
密封构件210和基底构件111可以与置于密封构件210和基底构件111之间的OLED 70一起结合并密封。密封构件210可以覆盖并保护形成在基底构件111上的开关TFT 10、驱动TFT 20和OLED 70，即，用来从外部密封开关TFT 10、驱动TFT 20和OLED 70。这里，除密封构件20之外的组件可以称作显示基底110。密封构件210可以是绝缘基底，例如玻璃基底或塑料基底。
像素限定层190可以包括像素限定部分191和光散射隔离部分(lightscatter spacer part)195，像素限定部分191具有用来暴露像素电极710的开口，光散射隔离部分195沿着向上的方向(即，沿着从像素电极710远离基底构件111延伸的方向)从像素限定部分191突出。对每个像素形成的多个像素电极710可以形成在与像素限定部分191的开口对应的位置处，例如，像素限定部分191中的每个开口可以与对应的像素电极710叠置，以暴露像素电极710的至少一部分。
可以通过光刻工艺由光敏材料一体地形成像素限定层190的像素限定部分191和光散射隔离部分195。即，可以通过半色调曝光工艺调整曝光量来一起形成像素限定部分191和光散射隔离部分195。然而，示例实施例不限于此，例如，可以由例如互不相同的材料顺序地或单独地形成像素限定部分191和光散射隔离部分195。
像素限定层190的光散射隔离部分195可以保持基底构件111与密封构件210之间的间隙。光散射隔离部分195可以具有任一适合的形状。形状的示例可以包括拟柱体(prismatoid)、棱柱体、圆锥体、圆柱体、扁球体(spheroid)、椭圆体、半球体和半扁球体。像素限定层190的光散射隔离部分195可以散射从导电膜反射的外部光。例如，如图2所示，光散射隔离部分195可以位于诸如栅极线151、数据线171、共电源线172等的导电膜上(例如，与导电膜叠置)，因而可以抑制从导电膜反射的外部光。因此，OLED显示器100可以通过光散射隔离部分195来更有效地抑制外部光反射。
如图2所示，OLED显示器100的OLED 70还可以包括形成在共电极730上的透射膜600和形成在透射膜600上的另外的共电极750。在下文中，可以将共电极730称作第一共电极，可以将另外的共电极750称作第二共电极。
第一共电极730可以形成在有机发光层720和像素限定层190上。例如，如图2所示，第一共电极730可以在(例如，直接在)有机发光层720上延伸，并且可以在(例如，直接在)像素限定部分191和光散射隔离部分195上相似地延伸。
透射膜600可以形成在第一共电极730上。透射膜600的厚度可以比像素限定层190的光散射隔离部分195的厚度小。换言之，如图2所示，按相对于基底构件111所测量的，光散射隔离部分195的最上面的表面(即，面向而远离基底构件111的表面)可以比透射膜600的上表面(即，面向而远离基底构件111的表面)高距离h。即，像素限定层190的光散射隔离部分195可以以比透射膜600突出的高度大的高度在透射膜600上方突出。
第二共电极750可以形成在(例如，直接形成在)透射膜600上。第二共电极750可以在接触区域CA中连接到第一共电极730并位于在透射膜600上方突出的光散射隔离部分195上。例如，如图2所示，第二共电极750可以在接触区域CA中直接在第二共电极730上并直接连接到第一共电极730，因而第一共电极730可以在接触区域CA中(例如，仅在接触区域CA中)在光散射隔离部分195和第二共电极750之间。要指出的是，接触区域CA可以限定为包括第一共电极730和第二共电极750之间的界面区域在内的区域，如图2所示。还要指出的是，密封构件210可以位于第二共电极750上。例如，由于光散射隔离部分195从像素限定部分191突出，所以密封构件210可以接触(例如，直接接触)第二共电极750的在光散射隔离部分195上(例如，仅在光散射隔离部分195上)的这部分，并且可以与第二共电极750的除了与光散射隔离部分195叠置的部分之外的部分(例如，像素电极171)分隔开。
第一共电极730和第二共电极750可以由半透射(即，半透明)膜形成。然而，要指出的是，用来形成第一共电极730和第二共电极750的其它材料的使用包括在本发明的范围内，例如，第一共电极730和第二共电极750之一可以由半透射膜形成，而另一个可以是透明的。透射膜600可以分别在两个表面紧密地附于第一共电极730和第二共电极750。即，透射膜600可以直接夹在第一共电极730和第二共电极750之间，而没有接触空气，即，在空气和透射膜600之间不会有界面。例如，如图2所示，第一共电极730和第二共电极750可以被构造成完全包围(即，完全叠置和覆盖)这两个共电极之间的透射膜600的所有表面。因此，可以通过由第一共电极730和第二共电极750之间的反射引起的相消干涉(destructive interference)消除从外部进入并通过第二共电极750入射在透射膜600上的相当大量的光。要指出的是，为了在第一共电极730和第二共电极750之间引起光的相消干涉，透射膜600可以被构造成具有适当的折射率和厚度。下面将参照式1更详细地解释透射膜600的折射率和厚度的选择和调整。
以这种方式，OLED显示器100可以通过第一共电极730、透射膜600和第二共电极750来抑制外部光反射而改善显示特性。
此外，第二共电极750可以在接触区域CA中连接到第一共电极730并位于在透射膜600上方突出的光散射隔离部分195上，从而抑制第一共电极730和第二共电极750之间的电压降(IR降)。
此外，像素限定层190的光散射隔离部分195可以形成在多个像素电极710之间(例如，相邻的像素电极710之间)的空间上方。由于这个原因，所以能够防止可通过光散射隔离部分195彼此连接的第一共电极730和第二共电极750影响由OLED显示器100显示的图像的品质。
此外，第一共电极730和第二共电极750可以在像素电极710之间的区域中彼此连接，例如，接触区CA可以与相邻的像素电极710之间的区域叠置。因此，这种结构可以有效地抑制由OLED 70发射的光因电压降(IR降)而变得较弱和不均匀。
如上所述，像素限定层190的光散射隔离部分195可以促进第一共电极730和第二共电极750的相互连接，可以保持基底构件111和密封构件210之间的间隙，并且可以散射外部光而减少光的反射。因此，具有光散射隔离部分195的OLED显示器100可以有效地减少外部光反射，从而改善OLED显示器的显示特性。
在下文中，将参照图2更详细地描述根据示例实施例的OLED显示器100的结构。图2示出了OLED显示器100的包括驱动TFT 20和OLED 70的部分。
在下文中，将详细地描述驱动TFT 20的结构。此外，将与驱动TFT 20进行对比地简要描述开关TFT 10。
基底构件111可以由绝缘基底形成，绝缘基底例如由玻璃、石英、陶瓷、塑料等中的一种或多种制成。然而，本发明不限于此，所以基底构件111可以由诸如不锈钢等的金属基底形成。
缓冲层120可以形成在基底构件111上。缓冲层120可以防止杂质元素渗入或者基本上使杂质元素的渗入最小化，并且可以使表面平坦化。缓冲层120可以由例如硅氮化物(SiNx)膜、硅氧化物(SiOx)膜和硅氮氧化物(SiOxNy)膜中的一种或多种形成。然而，缓冲层120可以不是必然需要的，并且可以根据基底构件111的类型和加工条件省略缓冲层120。
驱动半导体层132可以形成在缓冲层120上。驱动半导体层132可以由例如多晶硅膜形成。此外，驱动半导体层132可以包括不会掺杂有任何杂质的沟道区135与源区136和漏区137。源区136和漏区137可以掺杂有诸如p+离子的掺杂剂，并且可以分别形成在沟道区135的两侧。p+离子可以是例如硼(B)、B2H6等。掺杂剂可以根据TFT的类型而不同。例如，可以使用利用P型杂质的PMOS结构的TFT作为驱动TFT 20，但是不限于此，例如，可以使用NMOS结构和CMOS结构的TFT作为驱动TFT 20。
在这个方面，要指出的是，虽然图2中示出的驱动TFT 20可以是包括多晶硅膜的多晶TFT，但是开关TFT 10(未在图2中示出)可以是多晶TFT或包括非晶硅膜的非晶TFT。
栅极绝缘膜140可以由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)形成在驱动半导体层132上。包括驱动栅电极155的栅极布线可以形成在栅极绝缘膜140上。栅极布线还可以包括栅极线151(在图1中示出)、第一电容器板158(在图1中示出)和其他布线。此外，驱动栅电极155可以形成为与驱动半导体层132的至少一部分叠置(例如，与沟道区135的至少一部分叠置)。
覆盖驱动栅电极155的层间绝缘膜160可以形成在栅极绝缘膜140上。栅极绝缘膜140和层间绝缘膜160可以具有穿过它们的通孔，以暴露驱动半导体层132的源区136和漏区137。像栅极绝缘膜140一样，层间绝缘膜160可以由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)形成。
包括驱动源电极176和驱动漏电极177的数据布线可以形成在层间绝缘膜160上。数据布线还可以包括数据线171、共电源线172、第二电容器板178(在图1中示出)和其他布线。此外，驱动源电极176可以通过通孔连接到驱动半导体层132的源区136，驱动漏电极177可以通过通孔连接到驱动半导体层132的漏区137。
以这种方式，可以形成包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177的驱动TFT 20。驱动TFT 20的构造可以不限于上述示例，而是可以改变成各种公知的可以由本领域技术人员容易执行的构造。
覆盖数据布线171、172、176、177和178的平坦化膜180可以形成在层间绝缘膜160上。平坦化膜180可以消除阶梯区域并使阶梯区域平坦化，以提高将要形成在平坦化膜180上的OLED 70的发光效率。此外，平坦化膜180可以具有用来暴露驱动漏电极177的一部分的接触孔182。平坦化膜180可以由例如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚(苯撑乙烯)树脂、聚(苯硫醚)树脂和苯并环丁烯(BCB)中的一种或多种制成。
OLED 70的像素电极710可以形成在平坦化膜180的上方。像素电极710可以通过平坦化膜180的接触孔182连接到驱动漏电极177。
像素限定层190可以形成在平坦化膜180的上方。像素限定层190可以包括像素限定部分191和光散射隔离部分195，像素限定部分191具有用来暴露像素电极710的开口，光散射隔离部分195从像素限定部分191向上突出，即，沿着远离平坦化膜188的方向向上突出。即，像素电极710可以被设置成与像素限定层190的开口对应，例如，与像素限定层190的开口叠置。
像素限定层190可以由例如聚丙烯酸酯树脂或聚酰亚胺树脂制成。例如，像素限定层190的像素限定部分191和光散射隔离部分195可以一体地形成，但是可以不限于此，例如，像素限定部分191和光散射隔离部分195可以单独形成。
像素限定层190的光散射隔离部分195可以散射从设置在光散射隔离部分195下方(即，在基底构件111和光散射隔离部分195之间)的导电膜(例如，栅极线151、数据线171和共电源线172)反射的外部光。
有机发光层720可以在像素限定部分191的开口中形成在像素电极710上，第一共电极730可以形成在像素限定层190和有机发光层720上。以这种方式，可以形成包括像素电极710、有机发光层720和共电极730的OLED70。
在示例实施例中，OLED 70还可以包括透射膜600和第二共电极750。透射膜600可以形成在第一共电极730上方。透射膜600可以是有机膜或无机膜。此外，透射膜600可以被调整成具有预定的厚度，即，厚度在适当的范围内。可以根据透射膜600的折射率来确定透射膜600的预定厚度。
此外，透射膜600的高度(即，沿着与基底构件111垂直的方向所测量的厚度)可以比光散射隔离部分195的高度小。即，像素限定层190的光散射隔离部分195(即，光散射隔离部分195的最上面的表面)可以在透射膜600的上方突出(即，在透射膜600的上表面突出)。
第二共电极750可以形成在透射膜600的上方。第二共电极750可以在接触区域CA中连接到第一共电极730并位于在透射膜600上方突出的光散射隔离部分195上。
第一共电极730和第二共电极750可以由半透射膜形成。例如，半透射膜600可以包含金属，例如，镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的一种或多种。
第一共电极730和第二共电极750可以在使外部光的反射最小化的同时，表现出足够的反射率，以有效地反射由OLED 70产生的光。例如，第一共电极730可以表现出大约50％或更低的反射率，第二共电极750可以表现出大约30％或更低的反射率。
透射膜600可以在两个表面分别紧密地附于第一共电极730和第二共电极750。即，在透射膜600与第一共电极730和第二共电极750之间不存在具有空气的界面。
透射膜600的厚度和折射率可以被调整成使第一共电极730和第二共电极750之间的光的相消干扰最优化。可以通过下面的式1来构建透射膜600的厚度和折射率，其中，式1是根据被反射的光的相消干涉的条件得到的。
d＝λ/(4n)cosθ                        式1
要指出的是，在上面的式1中，d是指两个反射表面之间的距离。即，d可以等于第一共电极730和第二共电极750之间的距离，即，透射膜600的厚度。此外，上式1中的n是指介质(即，透射膜600)的折射率，θ是指光在介质上的入射角(即，外部光在透射膜600上的入射角)，λ是指被反射的光的波长。
可以将被反射的光的波长(即，可见光的波长)和透射膜600所用的材料的折射率代到式1中。即，相对于垂直于如图2所示的透射膜600，外部光的平均入射角可以近似为大约30度至大约45度，并且将所述平均入射角代到式1中。基于上文，可以计算透射膜600的平均厚度。即，透射膜600可以由预定的材料(即，具有预定折射率的材料)制成，所以可以根据透射膜600所用材料的种类来调整厚度，以在第一共电极730和第二共电极750之间提供光的相消干涉。可替换地，透射膜600可以具有预定的厚度，所以可以根据上式1来调整用于形成透射膜600的材料，即，具有适当折射率的材料，以将透射膜600形成为期望的厚度，从而在第一共电极730和第二共电极750之间提供光的相消干涉。如上所述，当调整透射膜600的厚度时，可以将该厚度设定得比像素限定层190的光散射隔离部分195的厚度小。
对于上述结构，当外部光入射在OLED显示器100上时，如图2所示，外部光可以透射而入射在第二共电极750上。基于第二共电极750的反射率，可以沿着远离第二共电极750的方向反射外部光的第一部分，外部光的第二部分可以朝着第一共电极730透射穿过透射膜600，如图2所示。外部光的入射在第一共电极730上的第二部分可以朝着第二共电极750被反射回来，如进一步在图2中所示。光的从第一共电极730朝着第二共电极750行进的一部分可以通过第二共电极750被发射到外部，光的从第一共电极730朝着第二共电极750传播的另一部分可以被再次反射而朝着第一共电极730行进。以这种方式，由于利用置于第一共电极730和第二共电极750之间的透射膜600可以在第一共电极730和第二共电极750之间重复地反射从外部进入的外部光，所以会在第一共电极730和第二共电极750之间发生相消干涉。因此，可以消除相当大量的入射在第二共电极750上的外部光。因此，根据示例实施例的OLED显示器100可以表现出显著减少了的外部光的反射，从而表现出改善了的显示特性。
此外，第一共电极730和第二共电极750可以在接触区域CA中彼此连接并位于在透射膜600上方突出的光散射隔离部分195上，由此抑制了将要在第一共电极730和第二共电极750之间产生的电压降(IR降)。
此外，像素限定层190的光散射隔离部分195可以形成在多个像素电极710之间的空间上方。由于这个原因，所以能够防止通过光散射隔离部分195彼此连接的第一共电极730和第二共电极750影响OLED显示器100显示的图像的品质，或者使通过光散射隔离部分195彼此连接的第一共电极730和第二共电极750对OLED显示器100显示的图像的品质的影响最小化。
此外，由于第一共电极730和第二共电极750可以彼此连接在像素电极710之间，所以这样可以更有效地抑制OLED 70发射的光由于电压降(IR降)而变弱和变得不均匀。
另外，如上所述，第一共电极730和第二共电极750可以形成为半透射型。然而，根据示例实施例的OLED显示器100可以并不局限于此，例如，第一共电极730和第二共电极750中的任意一个可以形成为透射型。同时，像素电极710可以由透明型、半透射型和反射型中的任意一种形成。透射的导电材料可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)中的一种或多种。反射材料或半透射材料可以包括例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和金(Au)中的一种或多种。
根据形成像素电极710、第一共电极730和第二共电极750的材料的类型，OLED显示器100可以是前部发射型、后部反射型或者双向发射型。例如，当OLED 70通过沿着密封构件的方向发光来显示图像时，OLED显示器100可以是前部发射型。
有机发光层720可以由低分子量有机材料或聚合物材料制成。有机发光层720可以形成为包括发光层与空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一种或多种的多层。即，空穴注入层可以设置在像素电极710上，空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可以顺序地堆叠在空穴注入层上。
密封构件210可以设置在OLED 70上。密封构件210可以被设置成面向基底构件111，并且可以覆盖驱动TFT 20和OLED 70。此外，可以通过像素限定层190的光散射隔离部分195来保持基底构件111(即，显示基底111)和密封构件210之间的间隙。
利用上述构造，OLED显示器100可以通过抑制外部光反射而表现出改善了的显示特性。
在下文中，将参照图3至图7来描述根据示例实施例的制造OLED显示器(例如，OLED显示器100)的方法。
如图3所示，可以在基底构件111上形成驱动TFT 20和连接到驱动TFT20的驱动漏电极177的像素电极710。接下来，可以在像素电极710上涂敷光敏材料层199，可以利用掩模800来进行光刻工艺。掩模800可以包括掩模基底800和形成在掩模基底810上的光屏蔽图案820。光刻工艺可以包括利用具有缝隙图案的掩模800的半色调曝光工艺。
可以去除光敏材料层199的被曝光的部分，可以通过显影工艺保持光敏材料层199的未被曝光的部分。可替换地，根据光敏材料层199的种类，可以保持被曝光的部分，并且可以去除未被曝光的部分。
接下来，如图4所示，可以在显影工艺中通过掩模800来形成具有像素限定部分191和光散射隔离部分195的像素限定层190。
接下来，如图5所示，可以在通过像素限定部分191的开口暴露的像素电极710上形成有机发光层720和第一共电极730。第一共电极730可以覆盖像素限定层190的至少一部分。
接下来，如图6所示，可以在第一共电极730上形成预定厚度的透射膜600。透射膜600的厚度可以小于像素限定层190的光散射隔离部分195的厚度。即，像素限定层190的光散射隔离部分195的高度可以比透射膜600的高度高h，并且，像素限定层190的光散射隔离部分195可以在透射膜600上方突出。此外，可以由具有适当反射率的材料形成透射膜600，即，为了提供如前面参照式1所讨论的预定厚度。
接下来，如图7所示，可以在透射膜600上形成第二共电极750。可以在于透射膜600上方突出的光散射隔离部分195上在接触区域CA中将第二共电极750连接到第一共电极730。
第一共电极730和第二共电极750中的至少一种可以是由一种或多种金属形成的半透射膜，即，可以是由镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)和铝(Al)中的一种或多种金属形成的半透射膜。
接下来，可以在第二共电极750上设置密封构件210，以完成如图2所示的OLED显示器100。像素限定层190的光散射隔离部分195可以保持基底构件111和密封构件210之间的间隙。
根据该制造方法，能够制造通过抑制外部光反射而改善了显示特性的OLED显示器。
已经在此公开了本发明的示例实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅仅是在普通的、描述性的意义上来使用和解释这些术语，而不是出于限制性的目的。因此，本领域普通技术人员应该明白，在不脱离由权利要求书所保护的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种形式和细节方面的改变。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底构件；
多个像素电极，位于基底构件上；
像素限定层，位于基底构件上，像素限定层包括像素限定部分和多个光散射隔离部分，像素限定层包括与像素电极对应并且暴露像素电极的多个开口，光散射隔离部分从像素限定部分远离基底构件向上突出；
有机发光层，位于像素电极上；
第一共电极，位于有机发光层上，第一共电极的至少一部分位于像素限定层上以与光散射隔离部分叠置；
透射膜，位于第一共电极上；
第二共电极，位于透射膜上，
其中，像素限定层的光散射隔离部分在透射膜的上方突出，光散射隔离部分的厚度比透射膜的厚度大，厚度是沿着与基底构件垂直的方向测量的。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第一共电极和第二共电极在像素限定层的光散射隔离部分上彼此接触。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，第一共电极和第二共电极中的一个或多个包括半透射膜。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，半透射膜包含至少一种金属，所述金属是镁、银、钙、锂、铬和铝中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括位于基底构件上的密封构件，像素限定层位于密封构件和基底构件之间，像素限定层的光散射隔离部分保持基底构件和密封构件之间的间隙。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，像素限定层的光散射隔离部分的形状为拟柱体、圆锥体、圆柱体、扁球体、或半球体。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，像素限定层的光散射隔离部分的形状为棱柱体、椭圆体或半扁球体。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，透射膜直接位于第一共电极和第二共电极之间。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，第一共电极和第二共电极与透射膜完全叠置。
10.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括的步骤为：
在基底构件上形成多个像素电极；
在基底构件上形成像素限定层，像素限定层包括像素限定部分和多个光散射隔离部分，像素限定层包括与像素电极对应并且暴露像素电极的多个开口，光散射隔离部分从像素限定部分远离基底构件向上突出；
在像素电极上形成有机发光层；
在有机发光层上形成第一共电极，第一共电极的至少一部分位于像素限定层上以与光散射隔离部分叠置；
在第一共电极上形成透射膜；
在透射膜上形成第二共电极，
其中，像素限定层的光散射隔离部分被形成为以比透射膜的高度高的高度在透射膜的上方突出。
11.如权利要求10所述的方法，其中，形成像素限定层的步骤包括：通过利用掩模的光刻工艺在基底构件上将光敏材料层图案化。
12.如权利要求11所述的方法，其中，光刻工艺包括半色调曝光工艺。
13.如权利要求10所述的方法，其中，第一共电极和第二共电极被形成为在像素限定层的光散射隔离部分上彼此接触。
14.如权利要求13所述的方法，其中，第一共电极和第二共电极中的一个或多个由半透射膜形成。
15.如权利要求14所述的方法，其中，半透射膜由至少一种金属制成，所述金属是镁、银、钙、锂、铬和铝中的一种或多种。
16.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括设置面向基底构件的密封构件，并且像素限定层置于基底构件和密封构件之间，从而像素限定层的光散射隔离部分保持基底构件和密封构件之间的间隙。
17.如权利要求16所述的方法，其中，像素限定层的光散射隔离部分以拟柱体、圆锥体、圆柱体、扁球体、或半球体的形状形成。
18.如权利要求16所述的方法，其中，像素限定层的光散射隔离部分的以棱柱体、椭圆体或半扁球体的形状形成。
19.如权利要求16所述的方法，其中，直接在第一共电极和第二共电极之间形成透射膜。
20.如权利要求19所述的方法，其中，第一共电极和第二共电极被形成为与透射膜完全叠置。
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