CN116723738A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请一些实施例提供一种显示装置。上述显示装置包含至少一个传感器、支撑基板、以及显示面板。支撑基板设置于該至少一个传感器上，且包括開口。显示面板重疊該支撑基板，且包括基板以及多个发光单元，其中该至少一个传感器中的一者具有一焦距，该焦距大于该至少一个传感器中的一者与该显示面板之间的一距离，其中该显示面板的该基板具有第一面及与该第一面相对的第二面，多个发光单元设置在第一面上，该至少一个传感器设置在第二面上，支撑基板的该开口至少曝露出该至少一个传感器的一部分。
Description
本发明是申请号为201910410058.6、申请日为2019年5月17日、发明名称为“显示装置”的发明的分案申请。
技术领域
本申请是有关于显示装置，且特别是有关于一种包含影像传感器的显示装置。
背景技术
随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，且此显示装置不断朝着轻、薄、短小、或时尚化方向发展。
然而，目前的显示装置尚有进步的空间，因此，有必要寻求新的显示装置。
发明内容
本申请一些实施例提供一种显示装置。上述显示装置包含显示面板，其中显示面板包含显示区。上述显示装置包含至少一个影像传感器，影像传感器与显示区重叠。上述影像传感器包含感光元件，及设置于感光元件上的收光元件。
本申请另一些实施例提供一种显示装置。上述显示装置包含显示面板，其中显示面板包含显示区。上述显示装置包含至少一个传感器，上述传感器与显示区重叠。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1为根据本申请的一些实施例的显示装置的剖面示意图。
图2为根据本申请的一些实施例的影像传感器的剖面示意图。
图3为根据本申请的一些实施例的显示装置的上视图。
图4为根据本申请的一些实施例的显示装置的剖面示意图。
图5为根据本申请的一些实施例的显示装置的剖面示意图。
图6为根据本申请的一些实施例的显示装置的剖面示意图。
图7A为根据本申请的一些实施例的显示装置的上视图。
图7B为根据本申请的一些实施例的如图7A所示的显示装置的剖面示意图。
图8为根据本申请的一些实施例的显示装置的剖面示意图。
图9为根据本申请的一些实施例的显示装置的剖面示意图。
图10A、图10B为根据本申请的一些实施例的显示装置与对象互动的示意图。
图中元件标号说明：
100显示装置
102显示面板
100A显示区
100B非显示区
110基板
110’基板
111收光区域
112开口
120发光单元
121子像素
122模封材料
130传感器
131支撑元件
132感光元件
133收光元件
140低透光层
141开口
150支撑基板
160基板
161基板延伸区
162开口
200显示装置
300显示装置
400显示装置
500显示装置
600显示装置
D1距离
D2焦距
L光线
S1表面
S2表面
X对象
Y对象
具体实施方式
以下针对本申请一些实施例的元件基板、发光装置及发光装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本申请一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本申请一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本申请的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本申请一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本申请一些实施例的教导的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本申请实施例有特别定义。
本申请一些实施例可配合附图一并理解，本申请实施例的附图亦被视为本申请实施例说明的一部分。需了解的是，本申请实施例的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本申请实施例的特征。此外，附图中的结构及装置是以示意的方式绘示，以便清楚表现出本申请实施例的特征。
在本申请一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
值得注意的是，在后文中“基板”或“面板”一词可包括透明基板上已形成的元件与覆盖在基底上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的多个有源元件(晶体管元件)，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示的。
参阅图1，图1为根据本申请的一些实施例的显示装置100的剖面示意图。显示装置100可包含电视、笔记本电脑、电脑、移动电话、智能手机、公共信息显示器(PublicInformation Display)、触控显示器、或拼接显示器等现代化信息设备。如图1所示，显示装置100包含显示面板102。显示面板102可包含基板110及发光单元120。基板110可包含软性或非软性基板。例如，玻璃基板、高分子基板、陶瓷基板、蓝宝石基板、电路板、树脂基板、其他适合的基板、或上述基板的组合，但不限于此。在某些实施例中，基板110可为单层或多层结构。基板110可包含多个有源元件(未绘示)、或有源式驱动电路(未绘示)，例如薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可包含开关晶体管、驱动晶体管、重置晶体管、或其他薄膜晶体管。在一些实施例，薄膜晶体管包含至少一半导体层。上述半导体层包括但不限于非晶硅、诸如低温多晶硅(low-temp polysilicon,LTPS)的多晶硅、金属氧化物、其他合适的材料、或其组合。金属氧化物可包括铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化铟锌(indiumzinc oxide,IZO)、铟镓锌锡氧化物(indium gallium zinc tin oxide,IGZTO)、其他合适的材料、或其组合。例如，半导体层是铟镓锌氧化物的实施例中，其In、Ga、Zn、O的比可为1：1：1：4，且半导体层亦可包含其他成分。上述半导体层可以被掺杂p型或n型的掺杂质。
基板110亦可包含无源元件(未绘示)，例如电容、电感或其他无源元件。此外，基板110包含导线(未绘示)，例如可用以连接薄膜晶体管或发光单元(例如之后叙述的发光单元120)，但本申请不限于此。在一些实施例，基板110可具有透光性，可让部分光线通过。在一些实施例，基板110的光平均穿透率可大于或等于5％，且小于或等于100％，例如大于或等于50％、70％、80％，但本申请不限于此。举例来说，测量时可测量多个点(例如三点)的穿透率再平均、或测量一个选取区域内(例如1mm2)的平均穿透率，但不限于此。
显示装置100可包含多个发光单元120，其设置于基板110的表面S1上。在一些实施例，发光单元120可包含多个发光二极管(light-emitting diode)、有机发光二极管(OLED)、量子点(Quantum Dot)、量子点发光二极管(QD-LED、QLED)、其他适当的发光单元、或其组合，但本申请不限于此。上述发光二极管可包含次毫米发光二极管(Mini LED)及/或微发光二极管(micro light-emitting diode)。上述发光二极管利用P-N接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)的直接能隙材料(direct band gap material)形成的顺向偏压的P-N接面中，注入空乏区(Depletion region)中的电子-空穴对的再结合，此时因电子由传导带移转至价电带后丧失能阶，同时以例如光子的模式释放出能量。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同能隙的材料会产生不同颜色的光。
在一些实施例，显示装置100包含传感器130，传感器130可设置在基板110的表面S2上，其中表面S2与表面S1为相对的两个表面。虽然图1仅绘示一个传感器130，但显示装置100可包含多个传感器130，本申请并不限于此。在一实施例中，传感器130可包含影像传感器、光学传感器、超音波传感器、其他适合的传感器、或其组合。影像传感器可包括感光耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)、互补性氧化金属半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)、其他适合的元件、或其组合。在一实施例中，传感器130感测的光源可包含红外光、可见光、及/或紫外光，例如红外光传感器、可见光传感器、紫外光传感器、或其组合，但不限于此。在一实施例中，由于基板110具有透光性，因此光线L可以穿透基板110而入射至传感器130。
如图2所示，传感器130可包含至少一支撑元件131、至少一感光元件132、及/或至少一收光元件133。值得注意的是传感器130可包含其他元件，例如滤光层，用以让特定的波长入射至感光元件132，然而本申请并不限于此。在某些实施例中，至少一收光元件133设置于基板110与至少一感光元件132之间。在一实施例中，支撑元件131可用以承载、或固定感光元件132、收光元件133及/或其他元件。支撑元件131具有开口，让光线入射至感光元件132、至少一收光元件133。在某些实施例中，光线可透过至少一收光元件133入射至感光元件132。在另一实施例中，传感器130可不包含支撑元件131，可在感光元件132与收光元件133之间形成其他层，例如滤光层(未绘示)、绝缘层(未绘示)、透光层(未绘示)、其他适合的层、或其组合，但不限于此。在某些实施方式中，收光元件133可省略、或用其他元件取代。举例来说，当传感器130为超音波传感器时，可省略收光元件133，但不限于此。感光元件132可包含多个光电二极管(未绘示)，可将其接受到的光源转换成电子信号，并传送至影像处理芯片(未绘示)，将影像还原。收光元件133可设置在感光元件132上，可用来增进传感器130的感光灵敏度，但不限于此。举例来说，收光元件133可包含至少一透镜。收光元件133也可为透镜阵列、或使用多个透镜堆叠而成，但不限于此。虽然图2中绘示一个感光元件132对应一个收光元件133设置，但本申请不限于此，例如可依设计需求使多个收光元件133形成阵列并对应一个感光元件132设置、或一个收光元件133对应多个感光元件132设置。
参阅图3，图3为根据本申请的一些实施例的显示装置100的上视图。显示面板102可包含显示区100A及邻近于显示区100A的非显示区100B。举例来说，非显示区100B可环绕设置于显示区100A。在某些实施方式中，显示区100A可为显示面板102中用来显示影像的区域，其例如对应于基板110中有设置发光单元120的区域，非显示区100B则并非用来显示影像，非显示区100B中并未设置有发光单元120。在非显示区100B可包含遮光元件(未绘示)，其用来遮蔽形成在基板110内的导线或其他元件。遮光元件可包含黑色光阻、黑色喷墨、黑色树脂及/或其他适合的遮光材料，且不限于此。在一实施例中，非显示区100B中可设置发光单元120，但被遮光元件遮蔽。
在一实施方式中，发光单元120可包含至少一个子像素121。虽然图3绘示一个发光单元120可包含三个子像素121，但本申请并不限于此，一个发光单元120可只包含一个子像素121、或多于一个子像素121(例如四个)。如图3所示的子像素121可包含蓝光子像素、红光子像素、绿光子像素、及白光子像素，其分别发出蓝光、绿光、红光、白光，但本申请不限于此。
在一些实施例，发光单元120中的发光二极管可包含p型半导体层、n型半导体层，及设置于两者之间的发光层。p型半导体层可提供空穴，n型半导体层可提供电子。据此，空穴与电子再结合而产生电磁波。半导体层可包括氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、氮化铟(InN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝铟(AlInN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)或上述组合，但不限于此。发光层可包括同质接面(homojunction)、异质接面(heterojunction)、单一量子阱(single-quantum well,SQW)、多重量子阱(multiple-quantum well,MQW)、或其它类似的结构。在一些实施例，发光层包含未掺杂的n型氮化铟镓(InxGa(1-x)N)。在其它实施例中，发光层可包含例如氮化铝铟镓AlxInyGa(1-x-y)N的其它适当的材料。另外，发光层可为包含多重井层(例如为氮化铟镓(InGaN)和阻障层(例如为氮化镓(GaN)交错排列的多重量子阱结构。
在一实施例中，发光单元120可包含模封材料122，其环绕并固定子像素121。模封材料122的材料可包含透光性的基材与不透光的掺质。基材可包含氧化硅、氮化硅、树脂、其他适合材料、或其组合，但本申请不限于此。不透光的掺质可包含黑色材料或散光材料，但不限于此。发光单元120亦可包含其他元件。例如，发光单元120可包含波长转换元件，其材料包括量子点薄膜、萤光材料或其他波长转换材料，且不限于此。例如，上述波长转换元件是与量子点混合的有机或无机层。量子点可包括锌、镉、硒、硫、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)或上述组合，且不限于此。量子点的粒径可介于约1纳米(nm)至约30纳米的范围内，但本申请不限于此。发光单元120亦可包含滤光层。借由波长转换元件及/或滤光层，可调整发光单元120所发出的光的波长。
如图2及图3所示，显示装置100具有多个传感器130，其可设置在显示区100A中。在某些实施例中，至少一传感器130的一部分可设置在非显示区100B中。在其他实施例中，显示区100A具有一中央区域(未绘示)，中央区域可远离非显示区100B，多个传感器130设置在中央区域中、或多个传感器130与中央区域重叠。举例来说，中央区域可占显示区100A的50％至95％，70％、80％、85％、90％、或93％。例如在一实施例中，收光元件133可具有聚光的功能。值得注意的是，在上视图中，传感器130的面积可大于或等于收光元件133的面积。此外，收光元件133的轮廓可包括圆形、椭圆形或其他形状，本申请并不限于此。此外，在上视图中，收光元件133和传感器130的轮廓可相同，亦可不同。在一些实施例，传感器130可与至少部分的发光单元120重叠。更具体而言，收光元件133可与至少部分的发光单元120重叠。光线会由发光单元120之间的区域经由基板110入射至收光元件133。在一些实施例，显示面板102可包含收光区域111，收光区域111可对应至基板110的显示区100A中未设置发光单元120的区域。收光区域111与显示区100A重叠。在一些实施例，基板110至少部分的收光区域111具有透光性，收光区域111的平均透光率可大于或等于1％，且小于或等于100％，例如20％、50％、70％、80％、90％、或95％。举例来说，在一实施例中，基板110的收光区域111的光平均透光率可大于或等于5％，且小于或等于100％，例如20％、50％、70％、80％、90％、或95％。
在一些实施例，在上视图中，一个传感器130的面积可大于一个发光单元120的面积。在一些实施例，在上视图中，一个传感器130的总面积可大于一个发光单元120的面积。举例来说，在上视图中，一个传感器130中收光元件133的总面积可大于一个发光单元120的面积。在一些实施例，一个传感器130中收光元件133的总面积可约为1mm2至100mm2(1mm2≦总面积≦100mm2)的范围间，例如5mm2、10mm2、20mm2、或50mm2，但不限于此，可视设计需求调整。在一实施例中，例如随着解析度要求提高，收光元件133的总面积也可大于100mm2(≧100mm2)，但本申请不限于此。在一些实施例，在上视图中，所有的传感器130的总面积可小于或等于显示区100A面积的70％。举例来说，在上视图中，所有的收光元件133的总面积可小于或等于显示区100A面积的70％。另外，在上视图中，显示区100A的面积可约为显示装置100的整体面积的90％，非显示区100B的面积可约为显示装置100的整体面积的10％，但本申请并不限于此。在一些实施例，在上视图中，一个传感器130可与多个发光单元120重叠。在一些实施例，在上视图中，假设显示装置100中收光元件133与发光单元120的重叠面积为第一面积，收光元件133的面积为第二面积，第一面积与第二面积的比值(第一面积/第二面积)约大于0.01(>0.01)，且小于0.95(<0.95)。在此实施例，一个传感器130中收光元件133的面积与一个发光单元120的面积的比值约大于1，且小于10。在本申请中，重叠包含“部分重叠”及“完全重叠”。
参阅图4，图4绘示传感器130的收光元件133的焦距与传感器130的收光元件133收光元件至基板110的距离之间的关系。为了简化附图，图4中仅绘示收光元件133。在基板110的表面S2的法线方向上，收光元件133至基板110的表面S2的最小距离为距离D1，收光元件133的焦距为焦距D2。在一些实施例，焦距D2大于距离D1(D2>D1)。在一些实施例，焦距D2可约大于或等于5倍的距离D1，且焦距D2可约小于1000倍的距离D1(5≦D2/D1≦1000)，例如10倍、20倍、50倍、100倍、或500倍，但不限于此。在一些实施例，传感器130可包含具有光学变焦功能的收光元件133，可以调整收光元件133的焦距D2的大小。
参阅图5，图5为根据本申请的一些实施例的显示装置200的剖面示意图。显示装置200可与显示装置100相同或相似，其中之一的不同处在于：显示面板102可包含低透光层140，其设置在基板110的表面S1上，且可位于相邻的两个发光单元120之间。举例来说，低透光层140可设置于收光区域111(绘示于图3)中。在一些实施例，低透光层140在可见光的波段之中的穿透率可小于或等于50％且大于或等于0.5％(0.5％≦穿透率≦50％)，例如2％、5％、10％、或20％。低透光层140在其他的波段之中的穿透率可小于或等于50％，本申请并不限于此。低透光层140的材料可包括光阻，可在上述光阻内添加吸光材料或其他材料，以控制低透光层140的穿透率。在一些实施例，低透光层140的穿透率可小于或等于显示装置200的穿透率。
上述吸光材料可包含氧化锆(ZrO2)、铌酸钾钠(KNbO3)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)、硅(Si)、锗(Ge)或硅锗(SiGe)、其他适合的材料、或其组合，且不限于此。
在一些实施例，可对低透光层140执行图案化制程，使低透光层140在对应显示区100A处(或相邻的两个发光单元120之间)具有多个开口141。光线可经由多个开口141，穿透基板110而入射至传感器130。上述图案化制程包含光刻制程及蚀刻制程。上述光刻制程包含光阻涂布(例如，自旋涂布)、软烤、遮罩对准、曝光、曝光后烤、光阻显影、清洗、干燥(例如，硬烤)、其他适合制程或其组合来形成。光刻制程也可借由无遮罩光刻、电子束写入、离子束写入或分子压印(molecular imprint)替代。蚀刻制程包含干蚀刻、湿蚀刻或其他蚀刻方法(例如，反应式离子蚀刻)。
借由设置低透光层140，可提升显示装置200的影像的对比度，使显示装置200的影像更清晰。此外，为了在提升影像的对比度时，减少影响传感器130的感光灵敏度，在显示区100A处可形成开口141，使光线通过基板110而到达传感器130的量增加。另外，开口141的形状或数目可依据设计而调整，本申请并不以此为限。另外，可填充透明材料至开口141内以达到补偿低透光层140的强度。
参阅图6，图6为根据本申请的一些实施例的显示装置300的剖面示意图。显示装置300可与显示装置100相同或相似，其中之一的不同处在于：显示装置300包含基板110’。可对如图1所示的基板110执行图案化制程，以形成基板110’，并且形成多个开口112。在此实施例，至少一部分的传感器130并未被基板110’覆盖，即开口112至少曝露出一部分的传感器130。开口112可形成在基板110’之中对应显示区100A的区域。更具体而言，开口112可形成在相邻的两个发光单元120之间。在一些实施例，开口112可形成在如图3所示的上视图中，对应收光区域111之处。借由形成开口112，可使光线通过基板110’的量增加，改善显示装置300的传感器130的感光灵敏度。另外，开口112的形状或数目可依据设计而调整，本申请并不以此为限。另外，可填充透明材料至开口112内以补偿基板110的强度。
参阅图7A及图7B，图7A为根据本申请的一些实施例的显示装置400的上视图，图7B为显示装置400的剖面示意图。如图7A及图7B所示，传感器130可设置在基板110的表面S1上，且设置在相邻的两个发光单元120之间。在此些实施例，由于外界的光线入射至传感器130时，并不需要先穿透基板110，因此可使得传感器130接收到比较多的光，因此改善了显示装置400的感光灵敏度。
参阅图8，图8为根据本申请的一些实施例的显示装置500的剖面示意图。显示装置500可与显示装置100相同或相似，其中之一的不同处在于：显示装置500可包含支撑基板150及基板160，其中基板160设置在支撑基板150上。支撑基板150可用来对基板160提供较好的支撑效果。支撑基板150的材料可包含聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(Polybutyleneterephthalate,PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、玻璃、丙烯酸基聚合物、硅氧烷基聚合物、任何其他合适的材料、或其组合。在一些实施例，基板160包含软性基板，例如塑胶基板、或者其他适合的基板，其中塑胶基板的材料可为聚酰亚胺、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚砜或聚芳酯(PAR)、其他适当的材料、或其组合，但不限于此。
如图8所示，基板160具有表面S1及表面S2。在一些实施例，基板160包含基板延伸区161。基板延伸区161可被定义为基板160经弯折后的区域。如图8所示，发光单元120设置在基板160的表面S1上，传感器130可设置在基板160的基板延伸区161上。在此实施例，支撑基板150设置于基板160与传感器130之间。传感器130可位于支撑基板150与基板延伸区161之间。
在一些实施例，基板160可包含多个有源元件，例如薄膜晶体管(未绘示)。可经由设置在基板160上的薄膜晶体管驱动发光单元120，使其发光。基板160亦可包含无源元件(未绘示)，例如电容、电感或其他无源元件。此外，基板160包含导线(未绘示)。借由设置具有可挠性的基板160，可提供更多的电路设计的布局。
参阅图9，图9为根据本申请的一些实施例的显示装置600的剖面示意图。显示装置600可与显示装置500相同或相似，其中的不同处在于：传感器130并未直接接触支撑基板150。如图9所示，传感器130设置在基板160的基板延伸区161上。在此实施例，传感器130可设置在基板160的表面S1上。此外，显示装置600可具有多个开口162，开口162可穿透支撑基板150及基板160，且延伸至基板160的基板延伸区161。传感器130的一部分并未被支撑基板150及/或基板160覆盖。更具体而言，开口162露出部分的传感器130。可借由对支撑基板150及基板160执行图案化制程形成开口162。开口162的位置可对应显示区100A处(或相邻的两个发光单元120之间)。光线可经由多个开口162而入射至传感器130。另外，开口162的形状或数目可依据设计而调整，本申请并不以此为限。另外，可填充透明材料至开口162内。
如图8及/或图9所示的显示装置500、600，可应用于拼接显示装置，上述拼接显示装置可包含多个显示装置500及/或显示装置600，借此形成尺寸较大的显示装置，但本申请不限于此，本申请中所公开的其他显示装置、或其组合也可应用于拼接显示装置。在此实施例，显示面板102至少包含基板160及发光单元120。
参阅图10A及图10B，图10A、图10B为根据本申请的一些实施例的显示装置100与对象互动的示意图。当不同的对象经过显示装置100时，显示装置100会呈现不同的影像。例如，当对象X与Y分别在显示装置100的感测范围内时，显示装置100的发光单元120会发出不同的光，以呈现不同的影像。值得注意的是，可用显示装置200、300、400、500或600取代显示装置100，本申请并不以此为限。
在一些实施例，借由将影像传感器设置在显示装置上，可达到互动的功能。影像传感器可用于检测第一影像，显示面板可用以输出对应第一影像的第二影像或动作。例如，影像传感器可利用脸部辨识根据感测的对象的性别，而呈现不同的影像。例如，感测的对象为男性，影像传感器显示男装或男性感兴趣的商品；感测的对象为女性，影像传感器显示女装、或女性感兴趣的商品，然而本申请并不限于此。在一实施例中，当影像传感器感测到有人经过时，显示装置可显示一介面提供查询信息。
在一些实施例，影像传感器可被整合在显示装置的显示区。在一些实施例，影像传感器包含感光元件及收光元件。在一些实施例，影像传感器可与发光单元重叠。在一些实施例，发光单元与影像传感器可设置在显示面板的相对两个表面上。在一些实施例，发光单元与影像传感器可设置在显示面板的同一个表面上。上述发光单元可包含多个发光二极管，并且借由形成在显示面板内的薄膜晶体管驱动。在一些实施例，一个收光元件的面积大于一个发光单元的面积。在一些实施例，显示面板可为软性基板，且具有软性基板延伸区，影像传感器可设置在软性基板延伸区上。在一些实施例，显示装置包含设置在显示面板上的低透光层，其增加显示装置影像的对比度。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
Claims (8)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
至少一个传感器；
一支撑基板，设置于该至少一个传感器上，且包括一开口；以及
一显示面板，重疊該支撑基板，且包括一基板以及多个发光单元，
其中该至少一个传感器中的一者具有一焦距，该焦距大于该至少一个传感器中的一者与该显示面板之间的一距离，
其中该显示面板的该基板具有一第一面及与该第一面相对的一第二面，该多个发光单元设置在该第一面上，该至少一个传感器设置在该第二面上，该支撑基板的该开口至少曝露出该至少一个传感器的一部分。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该多个发光单元包括多个有机发光二极体。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该至少一个传感器包括感光耦合元件、互补性氧化金属半导体、或其组合。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该至少一个传感器包括至少一感光元件及至少一收光元件，该至少一收光元件设置于该显示面板的该基板与该至少一感光元件之间。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该至少一收光元件包含至少一透镜。
6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该显示面板具有一显示区重叠该至少一个传感器，且该至少一收光元件的总面积小于或等于该显示区面积的70％。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该至少一个传感器的面积大于该多个发光单元中的一者的面积。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该显示面板的该基板包括一开口，该显示面板的该基板的该开口至少曝露出该至少一个传感器的该部分。
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