CN111048544A - 发光装置的制造方法及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法包括如下步骤：在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层；在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件；在所述发光元件上形成保护膜；向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光；去除所述保护膜；以及利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
Description
本申请是申请日为2018年12月05日、申请号为201811480431.7、题为“显示装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。
背景技术
发光元件是利用作为无机光源的发光二极管的半导体元件，在显示装置、车辆用灯具、普通照明灯多种领域中被多样地利用。发光二极管具有寿命长，消耗功率低以及响应速度快的优点，因此迅速代替了以往的光源。
另外，现有的发光二极管主要在显示装置中被使用为背光光源，但是最近正在开发一种在利用发光二极管直接体现图像的显示装置中使用的微型 LED(Micro LED)。
显示装置通常利用蓝色、绿色和红色的混合色而体现多样的颜色。显示装置为了体现多样的图像而包括多个像素，各个像素具有蓝色、绿色和红色的子像素。通过这些子像素的颜色而确定特定像素的颜色，并且通过这些像素的组合来体现图像。
对微型LED显示器而言，与各个子像素对应地，微型LED排列于二维平面上，据此，需要在一个基板上布置很多微型LED。但是微型LED的尺寸例如为200微米以下，进一步为100微米以下，即非常小，由于如此小的尺寸而发生多种问题。尤其，难以分选小尺寸的发光二极管，因此难以在用于显示器的面板上贴装发光二极管。
发明内容
本公开提供一种能够将形成于生长基板上的多个发光元件容易地贴装到显示面板基板的显示装置制造方法及通过该方法制造的显示装置。
本公开还提供能够将大量的发光元件安全地转印到显示面板基板的发光元件转印方法。
根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：面板基板；多个发光元件，排列在所述面板基板上；以及至少一个连接端部(tip)，布置于所述发光元件各自的一面上，其中，所述多个发光元件可以包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述活性层夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述发光结构体上。
根据本公开的又一实施例的发光元件转印方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件，并且在各个发光元件的上部具有至少一个孔的掩膜层；在所述掩膜层上形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的上部结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板以及所述掩膜层；在所述发光元件的下部结合第二临时基板；从所述连接层分离所述发光元件。
根据本公开的又一实施例的发光元件转印方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件的第一掩膜层；在所述第一掩膜层上结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层形成于所述第一掩膜层的下部，并且在各个发光元件的下部具有至少一个孔的掩膜层；在所述第二掩膜层下部形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的下部结合第二临时基板；从所述发光元件去除所述第一临时基板以及所述第一掩膜层及第二掩膜层；从所述连接层分离所述发光元件。
根据本公开的又一实施例的显示装置制造方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件，并且在各个发光元件的上部具有至少一个孔的掩膜层；在所述掩膜层上形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的上部结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板以及所述掩膜层；在所述发光元件的下部结合第二临时基板；从所述连接层分离所述发光元件；从所述第二临时基板分离布置于所述第二临时基板上的多个发光元件中的至少一个发光元件。
根据本公开的又一实施例的显示装置制造方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件的第一掩膜层；在所述第一掩膜层上结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层形成于所述第一掩膜层的下部，并且在各个发光元件的下部具有至少一个孔；在所述第二掩膜层形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的下部结合第二临时基板；从所述发光元件去除所述第一临时基板以及所述第一掩膜层及第二掩膜层；从所述连接层分离布置于所述第二临时基板上的多个所述发光元件中的至少一个发光元件。
附图说明
图1A是根据本发明的一实施例的发光装置(light emitting apparatus)的平面图；图1B是沿图1A的I-I'线的剖面图。
图2是简略地示出根据本发明的一实施例的发光元件(light emitting device)的剖面图。
图3是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图，即为对应于图 1A的I-I'线的剖面图。
图4是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图5是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图6是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图7是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图8A和图8B是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
图9A是包括根据本发明的一实施例而并联连接的发光元件的发光装置 (lightemitting apparatus)的平面图；图9B是沿图9A的II-II'线的剖面图。
图10是根据本发明的一实施例的发光装置，其示出包括串联连接的发光元件的发光单元。
图11是示出根据本发明的一实施例的发光装置的制造方法中的，制造发光元件之后转印的方法的流程图。
图12A至图12N是按顺序而具体地示出图11的发光元件制造及转印方法的剖面图。
图13A至图13E是示出根据本发明的另一实施例的发光元件制造及转印方法的剖面图。
图14A至图14M是按顺序示出根据本发明的一实施例的制造发光装置的方法的剖面图。
图15A至图15E是按顺序示出同时转印多个发光元件的方法的示意图。
图16示出利用充分的尺寸的基板形成多个像素单元之后，将其切割为多种尺寸的显示单元的情形的图。
图17示出将被切割的多种尺寸的显示单元组装在PCB等基底基板上的情形的图。
图18是示出通过上述方法制造的显示装置的平面图。
图19是示出图18的P3部分的放大平面图。
图20是示出根据本发明的一实施例的显示装置的结构图。
图21A是表示一个像素的电路图，其示出构成无源显示装置的像素的一例，图21B是示出第一像素的电路图，示出构成有源显示装置的像素的一例。
图22是示出根据本发明的一实施例的大面积的多模块显示装置的立体图。
图23是用于说明根据又一实施例的显示装置的示意性平面图。
图24A和图24B是用于说明根据又一实施例的显示装置的发光元件的示意性的平面图以及剖面图。
图24C是用于说明发光元件的变形例的示意性剖面图。
图25A至图25K是示出制造根据又一实施例的显示装置的方法的示意性的剖面图。
图26A至图26L是用于说明制造根据又一实施例的显示装置的方法的示意性的剖面图。
图27A至图27K是用于说明制造根据又一实施例的显示装置的方法的示意性的剖面图。
图28A至图28O是用于说明发光元件的变形例的平面图。
图29A是用于说明根据本发明的又一实施例的发光元件的示意性的平面图。
图29B是沿图29A的截取线C-C'截取的示意性的剖面图。
图30A是用于说明根据本发明的又一实施例的像素区域的示意性的平面图。
图30B是沿图30A的截取线D-D'截取的示意性的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施例进行详细的说明。以下介绍的实施例为了给本公开所属的技术领域中的普通技术人员充分转达本公开的思想而作为一例提供。因此，本公开并不局限于以下说明的实施例，还可以具体化为其他形态。并且，在附图中，构成要素的宽度、长度、厚度等可以为了便利而夸大显示。并且，当记载为一个构成要素在另一构成要素的“上部”或者“上”时，其不仅包括各个部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“紧邻的上方”的情形，还包括各个构成要素和另一构成要素之间夹设有又一构成要素的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标号表示同一个构成要素。
根据本公开的一实施例的显示装置包括：面板基板；多个发光元件，排列在所述面板基板上；以及至少一个连接端部(tip)，布置于所述发光元件各自的一面上，其中，所述多个发光元件可以包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述活性层夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述发光结构体上。
在一实施例中，所述至少一个连接端部可以布置于所述发光结构体上，并且布置于所述第一电极焊盘和第二电极焊盘之间。
所述至少一个连接端部的厚度可以小于所述第一电极焊盘和第二电极焊盘的厚度。因此，所述连接端部的上端相对于所述第一电极焊盘和第二电极焊盘的上端而位于下方。
在一实施例中，所述至少一个连接端部可以与所述第一电极焊盘和第二电极焊盘相向而布置于所述发光结构体的反面。
所述至少一个连接端部可以接触于第一导电型半导体层。
并且，多个连接端部可以布置于所述各个发光元件上，并且在所述各个发光元件上排列的多个连接端部可以相对于在所述面板基板上排列的所述发光元件的至少一个排列方向而以非对称的方式布置。
在此，所述至少一个连接端部可以包括以三角形形态布置的三个连接端部，并且，所述三个连接端部中的一个沿第一列布置，其余可以沿与所述第一列相邻的其他列布置。
所述至少一个连接端部还可以包括布置于所述发光元件的中央处的连接端部，布置于所述中央处的连接端部可以位于由三个所述连接端部形成的三角形内。
进而，所述连接端部可以具有直角三角形形状。并且，布置于所述发光元件的中央处的连接端部可以沿与其他连接端部不同的方向布置。
多个所述连接端部的厚度可以彼此不同。
另外，所述连接端部相对于所述发光元件的平面上的面积的面积比可以为1.2％以下。
并且，所述第一电极焊盘可以通过形成于所述第二导电型半导体层和活性层的通孔(via hole)而电连接于所述第一导电型半导体层。
并且，所述发光元件还可以包括覆盖所述第一导电型半导体层的侧面和所述第二导电型半导体层的绝缘层。
并且，所述发光元件还可以包括布置于所述第二导电型半导体层上的欧姆层(ohmic layer)，所述绝缘层可以覆盖所述第一导电型半导体层的侧面以及所述欧姆层。
另外，所述显示装置还可以包括：凸块，电连接于所述发光元件；基底基板，与所述凸块相面对而使从所述发光元件释放的光透射；台阶调节层，位于所述凸块和所述发光元件之间，并且覆盖所述发光元件；以及粘合层，位于所述基底基板和所述发光元件之间，从而将所述发光元件粘合到所述基底基板，其中，所述台阶调节层和所述粘合层可以覆盖所述发光元件的侧面。
并且，所述显示装置还可以包括覆盖所述凸块的侧面以及台阶调节层的保护层。
另外，所述连接端部可以埋设于所述粘合层。
所述基底基板的表面可以具有凹凸。
所述显示装置还可以包括：光阻断层，布置于所述粘合层和所述基底基板之间，所述光阻断层具有使从所述发光元件生成的光透射的窗口，并且所述窗口的宽度可以比所述发光元件的宽度窄。
根据本公开的又一实施例的发光元件转印方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件，并且在各个发光元件的上部具有至少一个孔的掩膜层；在所述掩膜层上形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的上部结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板以及所述掩膜层；在所述发光元件的下部结合第二临时基板；从所述连接层分离所述发光元件。
进而，所述发光元件转印方法还可以包括如下步骤：将布置于所述第二临时基板上的多个发光元件中的至少一个发光元件转印到另一基板。
在此，从所述连接层分离所述发光元件的步骤可以通过向所述第二临时基板的一侧施加沿所述第一临时基板的反方向的外力而执行。
随着所述连接层和发光元件通过外力而被分离，作为所述连接层的一部分的连接端部可以残留于所述发光元件上。
并且，在结合所述第一临时基板的步骤中，可以在所述连接层的上部结合第一临时基板，以使薄膜部布置于所述连接层和第一临时基板之间。
并且，还包括如下步骤：在所述掩膜层被去除之后，从所述薄膜部去除布置于所述发光元件的上部的第一临时基板，所述第二临时基板在所述第一临时基板被去除之后可以结合于所述发光元件的下部。
根据本公开的又一实施例的发光元件转印方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件的第一掩膜层；在所述第一掩膜层上结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层形成于所述第一掩膜层的下部，并且在各个发光元件的下部具有至少一个孔；在所述第二掩膜层下部形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的下部结合第二临时基板；从所述发光元件去除所述第一临时基板以及所述第一掩膜层及第二掩膜层；从所述连接层分离所述发光元件。
当从所述连接层分离所述发光元件时，所述连接层的一部分可以残留于所述至少一个发光元件，从而可以形成连接端部。
根据本公开的又一实施例的显示装置制造方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件，并且在各个发光元件的上部具有至少一个孔的掩膜层；在所述掩膜层上形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的上部结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板以及所述掩膜层；在所述发光元件的下部结合第二临时基板；从所述连接层分离所述发光元件；从所述第二临时基板分离布置于所述第二临时基板上的多个发光元件中的至少一个发光元件。
从所述连接层分离所述发光元件的步骤可以通过向所述第二临时基板的一侧施加相对于所述第一临时基板垂直的方向的外力而执行。
根据本公开的又一实施例的显示装置制造方法可以包括如下步骤：在基板上形成有规则地排列的多个发光元件；形成覆盖所述多个发光元件的第一掩膜层；在所述第一掩膜层上结合第一临时基板；从所述发光元件去除所述基板；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层形成于所述第一掩膜层的下部，并且在各个发光元件的下部具有至少一个孔；在所述第二掩膜层形成通过所述至少一个孔而与所述发光元件连接的连接层；在所述连接层的下部结合第二临时基板；从所述发光元件去除所述第一临时基板以及所述第一掩膜层及第二掩膜层；从所述连接层分离布置于所述第二临时基板上的所述发光元件中的至少一个发光元件。
在此，在从所述连接层分离所述发光元件时，所述连接层的一部分可以残留于所述发光元件，从而可以形成连接端部。
本公开可以实现多样的变更，并且可以具有多种形态，在此，在附图中示出特定实施例，并且在本文中进行详细的说明。然而这并非旨在将本公开限定于特定的公开形态，其应当理解为包含属于本公开的思想和技术范围内的所有的变更、等同物以及代替物。
本公开涉及一种包括像素的发光装置。在本公开中表示的发光装置包括包含发光元件的显示装置和/或照明装置。在本公开的发光装置中，在发光元件作为显示图像的像素而被使用时，可以将其使用为显示装置。显示装置包括：电视、平板电脑、电子书显示装置、计算机显示屏、自主服务机、数码摄像机、游戏机、便携式电话、PDA、大型室内/室外电光板等。照明装置包括在显示装置中使用的背光，并可以将室内外的照明、马路照明、汽车照明等作为示例。
根据本公开的一实施例的发光装置包括微型发光元件。微型发光元件可以是具有大约1微米至大约800微米的规模、大约1微米至大约500微米的规模或者大约10微米至大约300微米规模的宽度或长度的元件。然而，根据本公开的一实施例的微型发光元件并不一定具有上述范围内的宽度或长度，根据需要，还可以具有更小或更大的尺寸。
以下，参照附图对本公开的优选实施例进行详细的说明。
图1A是根据本公开的一实施例的发光装置的平面图；图1B是沿图1A 的I-I'线的剖面图。
参照图1A和图1B，根据本公开的一实施例的发光装置包括：基板10；以及像素单元110，提供于所述基板10上，并包括至少一个像素111。
基板10包括至少一个像素区域10d以及包围所述像素区域10d的非像素区域10nd。像素区域10d对应于如下的区域：提供像素111，并使从后述的发光元件150射出的光行进而被用户识别。非像素区域10nd是除了像素区域 10d以外的区域。非像素区域10nd提供于像素111的至少一侧，并且在本公开的一实施例中，可以被提供为包围像素区域10d的形态。
基板10可以利用透光性绝缘材料形成。在此，基板10具有“透光性”的含义不仅包括使光全部透射的透明的情形，还包括仅使预定波长的光或者预定波长的光的一部分透射的半透明或者部分透明的情形。
作为基板10的材料，可以列出玻璃、石英、有机高分子、有机和无机的复合材料等。但是，基板10的材料并不局限于此，只要具有透光性并且具有绝缘性则不受特别的限定。
像素单元110分别为表示图像的最小单位。各个像素单元110可以发出白色光和/或彩色光。各个像素单元110还可以包括发出一种颜色的一个像素 111，并且还可以包括多个彼此不同的像素111，以能够使彼此不同的颜色组合而发出白色光和/或彩色光。例如，各个像素单元110可以包括第一像素至第三像素111a、111b、111c。
像素111被提供在基板10上的像素区域10d内。像素111可以在一个像素区域10d一对一地被提供，并且根据实施例，可以一对多地被提供于一个像素区域10d。换言之，各个像素单元110可以被提供至少一个像素111，例如，各个像素单元110可以包括第一像素至第三像素111a、111b、111c。第一像素至第三像素111a、111b、111c分别被提供到第一像素区域至第三像素区域10a、10b、10c。第一像素至第三像素111a、111b、111c可以利用射出彼此不同的波长带的第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c来实现。即，假设第一像素至第三像素111a、111b、111c所射出的光分别为第一光至第三光，则第一光至第三光可以分别具有彼此不同的波长带。在本公开的一实施例中，第一至第三光可以对应于蓝色、红色和绿色波长带。然而，各个像素单元110所包含的像素111所射出的光的波长带并不局限于此，还可以对应于青色、洋红色、黄色的波长带。以下，将各个像素单元110包含射出蓝色、红色和绿色的光的第一像素至第三像素111a、111b、111c的情形为例进行说明。
像素111包括：光通过层120，被提供至基板10上；发光元件150，被提供至光通过层120上；绝缘膜160，被提供至所述发光元件150上；以及端子部170，被提供至所述绝缘膜160上。
光通过层120是使从后述的发光元件150射出的光通过的层，并且与像素区域10d对应地被提供。光通过层120可以一对一地对应于每一个像素区域10d而被提供。例如，在提供第一像素至第三像素111a、111b、111c的情况下，在提供第一像素至第三像素111a、111b、111c的第一像素区域至第三像素区域10a、10b、10c分别提供光通过层120。在图1A中，光通过层120 被图示为略小于像素区域10d，但是其目在于便于说明，光通过层120和像素区域10d可以彼此对应，但是其尺寸可以彼此不同于图示的内容。例如，光通过层120在平面上的面积可以略小于、等于或大于像素区域10d的面积。然而被提供至彼此相邻的像素区域10d的各个光通过层120彼此隔开，并且彼此不相遇或接触。
光通过层120在平面上观察时，以与像素区域10d的形状对应的形状被提供。光通过层120在截面上观察时可以以具有上表面120p和侧表面120q 的矩形形状被提供。在此，上表面120p可以与下部的基板10面实质上平行，使得在之后能够提供发光元件150。
从发光元件150到达光通过层120的光被入射到光通过层120内，之后通过光通过层120的内部而向外部射出。在此，光通过层120使来自发光元件150的光的至少一部分(例如，光量的至少一部分和/或特定波长的至少一部分)通过。
通过光通过层120的光可以保持在入射到光通过层120时的波长，或者可以变换为与入射到光通过层120时的波长不同的另一波长。
在通过光通过层120的光在通过光通过层120之前和之后保持相同波长的情况下，光通过层120可以起到波路径的功能。通过光通过层120的光在通过光通过层120之前和之后变换为不同的波长的情况下，光通过层120起到光变换层120f的功能。在本实施例中，为了便于说明，将光通过层120起到光变换层120f的功能的情况下称之为光变换成120f，并且利用单独的附图标号来表示。但是，将理解的是，根据情况，光变换层120f也被说明为被包含在光通过层120的要素。
光变换层120f如上所述地吸收来自发光元件150的光的波长，从而将其射出为其他波长的光。光变换层120f尤其吸收相对短波长的光之后射出比吸收的光的波长更长的波长的光。光变换层120f可以选择性地从能够吸收预定波长的光之后将其变换为其他波长的光而释放的材料中使用。例如，光变换层120f可以利用荧光体、量子点等纳米结构体、可改变颜色的有机材料或者它们的组合来实现。例如，在作为光变换层120f的材料而使用荧光体的情况下，荧光体可以在吸收蓝色光之后射出红色光。荧光体可以以与聚二甲基硅氧烷(PDMS，polydimethylsiloxane)、聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚(2-甲基丙烯酸甲酯)(PMMA，poly(methyl2-methylpropenoate))、陶瓷等透明或半透明的粘结剂(binder)混合的状态被提供。
在光变换层120f上，将粘合层180置于中间而提供发光元件150。粘合层180可以利用非导电性材料构成，并且包括具有透光性的材料。例如，粘合层180可以使用光学透明的粘合剂(Optically Clear Adhesive)。作为构成粘合层180的材料，只要是光学透明且能够稳定地贴附发光元件150，则其种类不受限。粘合层180被提供至与贴附发光元件150的区域对应的像素区域10d，在平面上观察时，可以以对应于发光元件150的面积的面积被提供。
将粘合层180置于中间，在各个光通过层上被提供有发光元件150，例如，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c。
发光元件150可以被提供至每一个像素111，从而提供多种波长的光。
在本公开的一实施例中，第一光至第三光可以分别具有绿色、红色和蓝色的波长带。此时，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c可以利用蓝色发光二极管、红色发光二极管和绿色发光二极管来实现。但是，第一至第三光无需为了体现蓝色、红色和绿色而分别具有蓝色、红色和绿色的波段。即使第一至第三光具有相同的波长带，在使用将第一光至第三光中的至少一部分变换为其他波长带的光的光变换层120f的情况下，可以控制最终的出射光的颜色。其原因在于，光变换层120f包括将预定波长的光变换为其他波长的光的荧光体、量子点等材料。换言之，第一像素至第三像素111a、111b、 111c为了体现绿色、红色和/或蓝色而不一定要使用绿色、红色、蓝色发光二极管，还可以使用除了上述颜色以外的发光二极管。例如，为了体现红色，可以使用红色发光二极管但是还可以使用蓝色或紫外线发光二极管，并且利用将蓝色光或紫外线吸收之后释放红色的光变换层120f。
光变换层120f可以在能够将预定波长的光吸收之后变换为其他波长的光而释放的材料中选择性地使用。例如，光变换层120f可以利用荧光体、量子点等纳米结构体、可改变颜色的有机材料或者它们的组合来实现。在与光变换层120f相邻的部分，为了提高最终释放的颜色的纯度，还可以布置有颜色滤光层130。
在本公开的一实施例中，以第一发光二极管150a为绿色发光二极管，第二发光元件150b为红色发光二极管，并且第三发光元件150c为蓝色发光二极管的情形为例进行说明。
在此，示出了第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c分别为相同尺寸的情形，但是第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c可以为彼此相同的尺寸，也可以是彼此不同的尺寸。
另外，虽然在附图中示出了第一发光元件至第三发光元件150a、150b、 150c分别具有相同的高度的情形，但是第一发光元件至第三发光元件150a、 150b、150c可以具有彼此相同的高度，也可以具有互不相同的高度。在本公开的一实施例中，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c中的至少一个可以被提供为与其他两个不同的高度。第一发光元件至第三发光元件 150a、150b、150c的高度可以根据构成第一发光元件至第三发光元件150a、 150b、150c的材料或者光特性而不同。例如，射出绿色光的第一发光元件150a 可以具有比射出蓝色光的第三发光元件150c更大的高度。只不过在本实施例中，即使第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c具有彼此不同的高度，由于第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c通过后述的制造方法和转印方法来制造并被转印至基板上，因此其高度比现有的发明低。即，对使用于现有的发光装置的第一发光元件至第三发光元件而言，以包含生长基板的状态被转印而被采用到发光装置的情形较多，但是对于使用在根据本公开的一实施例的发光装置的第一发光元件至第三发光元件而言，由于从生长基板分离后直接被转印，因此发光元件的高度比现有的发明低。例如，在本公开的一实施例中，从所述基板的上表面到所述活性层的距离可以为大约 5微米至大约10微米。在此情况下，生长基板从各个发光元件被去除，因此发光元件之间的高度偏差并不大。例如，蓝色和绿色发光元件中，从所述基板的上表面到所述活性层之间的距离的偏差可以是大约1微米至大约2微米。
在本公开的一实施例中，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c 以从用于半导体层的生长的元件基板(例如，蓝宝石基板)剥离的形态被提供。据此，可以实现元件厚度的纤薄化。尤其，对射出绿色和蓝色光的发光元件而言，例如，第一发光元件和第三发光元件可以无基板地被提供，此时发光元件的厚度可以是大约15微米以下。在提供蓝宝石基板的情况下，发光元件的厚度可以具有相比于未提供蓝宝石基板的情形而言显著地大的值(例如，50至100微米)。因此，在本公开的一实施例中，根据元件基板的有无的各个发光元件之间的厚度偏差被最小化，进而可以防止由于后述的其他工序中的高度偏差的缺陷。
在发光元件150上提供绝缘膜160。像素区域10d和非像素区域10nd均被提供绝缘膜160。在与像素区域10d对应的区域中，绝缘膜160覆盖光通过层120的上表面以及发光元件150。在与非像素区域10nd对应的区域中，绝缘膜160填充像素区域10d与像素区域10d之间的空间，并且可以与基板 10的上表面接触。绝缘膜160被提供至针对各个像素区域10d提供的光通过层120之间。据此，光通过层120被绝缘膜160彼此分离。因此，光通过层 120的上表面和侧表面均被绝缘膜160覆盖。
绝缘膜160利用非导电性材料构成。绝缘膜160可以利用能够使光透射的材料构成，或者可以利用不能使光透射的非透视性材料构成。根据实施例，在发生相邻的像素111之间的混色的情况下，绝缘膜160可以利用非透光性材料构成，并且，在需要混色或者没有混色忧虑的情况下，绝缘膜160可以利用透光性材料构成。
透光性材料可以使用有机高分子，尤其可以利用环氧树脂、聚硅氧烷或光致抗蚀剂等形成。例如，作为聚硅氧烷材料，可以列举聚二甲基硅氧烷 (PDMS，polydimethylsiloxane)。然而，封装膜150的材料并不局限于此，还可以使用氢倍半硅氧烷(HSSQ，Hydrogen Silsesquioxane)、甲基倍半硅氧烷(MSSQ，Methylsilsesquioxane)、聚酰亚胺、二乙烯基硅氧烷(Divinyl Siloxane)、双苯并环丁烷(DVS-BCS，bis-Benzocyclobutane)、八氟环丁烷 (PFCB，Perfluorocyclobutane)、聚亚芳基醚(PAE，Polyarylene Ether)等材料。
非透光性材料可以包含光吸收物质，并且实质上可以包括光透射率为 10％以下的物质。例如，绝缘膜160可以被提供为黑色，例如，可以通过在显示装置等当中使用的黑色基质材料构成。在本实施例中，绝缘膜160尤其可以利用黑色光敏抗蚀剂(resist)形成，并且可以包括炭黑。在绝缘膜160 通过黑色光敏抗蚀剂形成的情况下，容易进行利用光刻的图案化。但是，绝缘膜160的材料并不局限于此，其还可以利用多样的材料构成。
绝缘膜160可以被提供为单层，但是还可以被提供为多层。在本公开的一实施例中，绝缘膜160可以包括提供于基板10上的第一绝缘膜161和提供于第一绝缘膜161上的第二绝缘膜163。第一绝缘膜161可以被提供至基板 10上，且可以被提供至光通过层120之间的非像素区域10nd。第二绝缘膜 163可以被提供至光通过层120和发光元件150上，并且像素区域10d和非像素区域10nd均可被提供第二绝缘膜163。在此，构成第一绝缘膜161和第二绝缘膜163的材料可以彼此相同，或者可以彼此不同。
在绝缘膜160上的一部分被去除而提供使发光元件150的第一电极和第二电极159p、159q的至少一部分暴露的多个接触孔。
在绝缘膜160上被提供有连接于发光元件150的端子部170。
端子部170可以包括：公共焊盘171d，用于向发光元件150施加公共电压；以及数据焊盘，用于向发光元件150施加图像信号即数据信号。数据焊盘包括：第一数据焊盘至第三数据焊盘171a、171b、171c，用于向第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c分别提供数据信号。
端子部170通过形成于绝缘膜160上的接触孔CH而与各个发光元件150 电连接。即，在第一发光元件，公共焊盘171d和第一数据焊盘171a通过接触孔CH连接。在第二发光元件150b，公共焊盘171d和第二数据焊盘171b 通过接触孔CH连接。在第三发光元件150c，公共焊盘171d和第三数据焊盘 171c通过接触孔CH连接。
作为第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c，可以采用多种形态的发光二极管。图2是简要地示出根据本公开的一实施例的发光元件150 的剖面图，其示出了采用横向型(Lateraltype)发光二极管的情形。在图2 中示出的发光二极管150可以是第一发光元件至第三发光元件150a、150b、 150c中的任意一种，在本实施例中，将第一发光元件150a作为一例进行说明。
参照图2，第一发光元件150a包括第一半导体层153、活性层155、第二半导体层157、第一电极159p、第二电极159q、绝缘膜160、公共焊盘171d 以及第一数据焊盘171a。
在一实施例中，对释放绿色光的发光元件150而言，第一半导体层153、活性层155和第二半导体层157可以包括：氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、铝铟镓氮化物(AlInGaN)、磷化镓(GaP)、铝镓铟磷化物(AlGaInP)以及铝镓磷化物(AlGaP)。在一实施例中，对释放红色光的发光元件150而言，第一半导体层153、活性层155和第二半导体层157可以包括：铝砷化镓 (aluminumgallium arsenide,AlGaAs)、磷砷化镓磷化物(gallium arsenidephosphide,GaAsP)、铝镓铟磷化物(aluminum gallium indium phosphide, AlGaInP)、以及磷化镓(gallium phosphide,GaP)。在一实施例中，对释放蓝色光的发光元件150而言，第一半导体层153、活性层155和第二半导体层 157可以包括：氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、铝铟镓氮化物(AlInGaN) 以及硒化锌(zinc selenide,ZnSe)。
在此，第一半导体层和第二半导体层可以被掺杂有类型彼此相反的杂质，根据杂质的类型，可以是n型半导体层或者p型半导体层。例如，第一半导体层可以为n型半导体层，并且第二半导体层为p型半导体层。相反，第一半导体层可以为p型半导体层，并且第二半导体层为n型半导体层。在以下的说明中，将第一半导体层为n型半导体层，并且第二半导体层为p型半导体层的情形作为一例进行说明。
在附图中，示出第一半导体层153和第二半导体层157分别是单层的情形，但是这些层还可以是多重层，并且可以包括超晶格层。活性层155可以包括单量子阱结构或者多量子阱结构，并且可以调节氮化物系半导体的组成比而放出所需要的波长。例如，活性层155可以释放蓝色光或者紫外线。
在未提供活性层155和第二半导体层157的第一半导体层153上布置有第一电极159p，在第二半导体层157上布置有第二电极159q。
第一电极159p和/或第二电极159q可以构成为单层或者多层的金属。作为第一电极159p和/或第二电极159q的材料可以包含Al、Ti、Cr、Ni、Au、 Ag、Cr、Cu等多样的金属和它们的合金等。
在此，在第一半导体层153的背面(即，提供活性层155的面的相反面) 可以提供用于提高光射出效率的多个凹凸部。凹凸部可以以多边形角锥体、半球、随机布置但具有粗糙度的面等多样的形态被提供。例如，第一半导体层153的背面可以通过多样的蚀刻工序而被纹理处理(Texturing)。或者可以在被图案化的蓝宝石基板上形成第一半导体层153之后剥离蓝宝石基板，从而在第一半导体层153上形成多样的形态的凹凸部。
在第一电极和第二电极159p、159q上被提供绝缘膜160，并且在绝缘膜 160上被提供通过第一电极159p和接触孔CH而连接的公共焊盘171d和第一数据焊盘171a。在本实施例中，示出为在第一电极159p连接有公共焊盘171d，并且在第二电极159q连接有第一数据焊盘171a，但是其目的在于便于说明，本发明并不局限于此。例如，在第一电极159p可以连接有第一数据焊盘171a，在第二电极159q可以连接有公共焊盘171d。
公共焊盘171d和/或第一数据焊盘171a可以构成为单层或者多层金属。作为公共焊盘171d和/或第一数据焊盘171a的材料可以使用Al、Ti、Cr、Ni、 Au等金属和它们的合金等。
在本公开的一实施例中，简单地结合附图对发光元件150进行了说明，但是发光元件150除上述的层以外还可以包括具有附加功能的层。例如，还可以包括用于反射光的反射层、用于绝缘特定构成要素的额外的绝缘层、用于防止焊料的扩散的焊料防止层等多样的层。
并且，在形成横向型发光元件时，可以以多样的形态形成台面，并且第一电极和第二电极或者第一电极和第二电极的位置或形状也可以实现多样的变更。
根据本公开的一实施例的发光装置通过将公共电压和数据信号施加到发光元件150而被打开，从而射出光，并且射出的光通过下部的基板10而朝向基板10的背面方向行进。
根据本公开的一实施例的发光装置可以在基板上按序地形成多个像素和端子部，因此能够无独立的印刷电路板而制造发光装置。在通过将发光元件贴装于独立的印刷电路板上而制造发光装置的情况下，需要进行在印刷电路板上形成导通电极的过程和/或利用电线的布线连接等，但是在本公开的一实施例中，可以省略上述的工序。对根据本公开的显示装置的制造方法将在下文中进行描述。
根据上述实施例的发光装置不仅能够容易制造，还能够提高颜色纯度以及颜色再现性。
在现有的发明中，在将发光元件安装在基板而形成像素的情况下，在基板上的透明绝缘膜上安装有发光元件。在基板侧使用的绝缘膜透明的情况下，透明绝缘膜被使用为波路径(wave path)，从而具有光从某一个像素被传播至相邻的另一个像素的问题。但是，根据本公开的一实施例，光无法通过的绝缘膜被提供至各个像素区域10d，因此绝缘膜不会被使用为波导路。尤其，绝缘膜可以被提供为吸收光的黑色，从而防止朝向相邻的像素的光的行进。据此，相邻的像素之间的混色或者光的干涉会被防止，并且最终的颜色纯度和颜色再现性也会得到提高。
并且，用黑色表示的面积增加，从而在与从各个发光元件射出的光之间，对比度变大，因此作为显示装置的特性会得到提高。
此外，根据本公开的一实施例，除了光变换层以外还可以额外地布置有滤色层或者滤色部，还可以得到更高水平的纯度以及颜色再现性。在光变换层内未完全变换的光或者从相邻的像素行进的光还具有被滤色层以及滤色部再次阻断的效果。
根据本公开的一实施例，在不脱离本公开的概念的限度内，根据本公开的一实施例的发光装置可以具有多样的构成。
图3是示出根据本公开的一实施例的发光装置的剖面图，即为对应于图 1A的I-I'线的剖面图。在以下的实施例中，为了避开重复的说明，以与上述实施例不同的内容为中心进行说明，并且未说明的部分参照上述的实施例。
参照图3，为了防止相邻的像素111之间的混色，可以将绝缘膜160形成为与上述的实施例不同。根据本公开的一实施例的绝缘膜160可以具有为了防止彼此相邻的像素111之间的光的混色而最大限度地阻断光的结构。为此，根据本实施例的第一绝缘膜161可以包括第一子绝缘膜161p和将第一子绝缘膜161p完全覆盖的第二子绝缘膜161q。
第一子绝缘膜161p可以以直接接触于基板10上的方式被提供，并且第一子绝缘膜161p的侧面和上表面可以被第二子绝缘膜161q完全覆盖。或者第一子绝缘膜161p可以以与光通过层120相同的高度被提供，在此情况下，第一子绝缘膜161p的上表面可以被第二绝缘膜163覆盖。
第一子绝缘膜161p可以被提供为白色绝缘膜160。第二子绝缘膜161q 可以被提供为黑色绝缘膜160。通过将白色绝缘膜160和黑色绝缘膜160组合，能够防止大部分波段，尤其，可视光线波段的大部分光向相邻的其他像素111的行进。
在此，第一子绝缘膜161p是具有白色颜色的绝缘材料，例如可以使用有机高分子或者有机无机复合材料等。第二子绝缘膜161q可以与第二绝缘膜163相同地利用非透光性材料构成，并且可以通过与第二绝缘膜163相同的材料形成。
根据本公开的一实施例的发光装置还可以包括用于提高发光效率的多样的额外的构成要素。
图4是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
参照图4，在根据本公开的一实施例的发光装置中，在基板10的背面布置有扩散板190。扩散板190可以通过使从各个像素111射出的光扩散而防止产生暗点和亮点。对发光元件150和发光元件150的出光区域而言，其尺寸可以比像素111小，在此情况下，由于对应于出光区域的部分和不与出光区域对应的部分之间的明暗差异，可能会发生暗点或亮点。在本实施例中，由于扩散板190布置于光行进的基板10的背面上，因此能够实现各个像素111内的适当的光的分散，结果，能够无暗点或亮点地均匀地射出光。
在本公开的一实施例中，将扩散板190作为一例进行了说明，但是显然还可以在基板10的背面布置用于提高光效率的多样的光学片(sheet)。例如，可以在基板10的背面上进一步布置用于光的线性的棱镜片，或者用于阻断特定波长的光或用于使特定波长的光通过的滤光部等。这些光学片可以根据所要得到的功能而以多样的顺序被布置。
根据本公开的一实施例的发光装置还可以包括用于提高发光效率且阻断来自相邻的像素的光的混色的额外的构成要素。
图5是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
参照图5，根据本公开的一实施例的发光装置中，在光通过层120的侧面提供反射层140。具体而言，反射层140可以被提供至绝缘膜160，尤其是第一绝缘膜161和光通过层120的侧面之间。在此，反射层140在光通过层 120被使用为光变换层120f的情况下也能够被提供。
反射层140可以利用能够使从发光元件150射出的光反射的导电性或非导电性材料形成。作为导电性材料，可以列举金属或金属合金等；作为非导电性材料，可以列举有机无机复合材料、介电镜等。
对金属和金属的合金而言，可以包括反射率高的金属，例如，银、铝、铜、铂金、金等。
有机无机复合材料可以以混合粒径小的无机填充剂与高分子树脂的形态被提供。作为无机填充剂，可以使用硫酸钡、硫酸钙、硫酸镁、碳酸钡、碳酸钙、氯化镁、氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化钙、二氧化钛、氧化铝、二氧化硅、滑石、沸石等，但是并不局限于此。
介电镜可以形成为由折射率不同的绝缘膜层叠多层的形态。构成介电层的材料并不特别地受限，其可以通过多样的有机无机材料构成。
在本公开的一实施例中，构成反射层140的材料或结构可以根据来自对应的像素111的发光元件150的光的波长带而选择。特定材料或金属的反射率可以根据波长而不同，因此，对构成反射层140的材料而言，优选从实际发光元件150的光的波长带中的反射率较高的材料中选择较。例如，在发光元件150射出紫外线波长带的光的情况下，可以将在紫外线波长带中反射率较高的铝或者铝合金作为反射层140材料而选择，并且介电镜同样能够通过控制材料或层叠层数而提高紫外线波长带中的反射率。
在本实施例中，将反射层140被提供在第一绝缘膜161和光通过层120 的侧面120q之间的情形作为一例进行了说明，但是并不局限于此，在其他实施例中，反射层140还可以被提供在光通过层120的上表面120p即光通过层 120和第二绝缘膜163之间。只不过，在反射层140通过金属等导电性材料构成的情况下，以不会与发光元件150的端子部170等电连接的方式绝缘的状态被提供。
根据本公开的一实施例，从发光元件150射出的光借助反射层140而在对应的光通过层120内行进，并且最大限度地防止向相邻的像素111的行进。结果，防止来自特定像素111的光与来自相邻的像素111的光混合的混色。
根据本公开的一实施例的发光装置可以利用具有与上述实施例不同的波长的多样的发光元件和与此对应的光变换层来实现彩色光。
图6是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
参照图6，在根据本公开的一实施例的发光装置中，发光元件150均可以射出紫外线波长带的光，并且光通过层120可以被提供为与此对应地将紫外线变换为特定颜色的光变换层120f。
在本实施例中，被提供至第一像素至第三像素111a、111b、111c的第一发光元件150a、150b、150c均可以射出紫外线，并且在第一像素111a至第三像素111c均提供光变换层120f。据此，第一像素111a的光变换层120f可以包括使从第一发光元件150a射出的紫外线变换为蓝色光的光变换物质；第二像素111b的光变换层120f可以包括使从第二发光元件150b射出的紫外线变换为红色光的光变换物质，第三像素111c的光变换层120f可以包括使从第三发光元件150c射出的紫外线变换为绿色光的光变换物质。
光变换物质可以利用量子点等纳米结构体、可改变颜色的有机材料或它们的组合来构成，并且可以根据所要体现的颜色而选择。
在本实施例中，在基板10和光通过层120之间还可以提供滤色部CF。滤色部CF可以包括：颜色滤光部B、R、G，与各个像素111对应地被提供至像素区域10d；以及黑色矩阵BM，与非像素区域10nd对应地被提供。颜色滤光部B、R、G可以与各个像素111的颜色对应地被提供，并且可以包括蓝色滤光部B、红色滤光部R以及绿色滤光部G。
所述颜色滤光部B、R、G在提高从各个光变换层120变换的光的颜色纯度的同时，还起到将从发光元件150射出的光中的未变换的光阻断的作用。尤其，在发光元件150射出紫外线的情况下，紫外线的一部分可以不变换为蓝色、红色和绿色等特定颜色，并且颜色滤光部可以阻断未变换的紫外线。
根据本公开的一实施例的发光装置可以利用具有与图6的实施例不同的波长的多样的发光元件以及与此对应的光变换层而体现彩色光。
图7是示出根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。
参照图7，根据本公开的一实施例的发光装置中，发光元件150均可射出蓝色波长带的光，并且光通过层120在一部分像素111中可以被提供为，与该发光元件150对应地将蓝色变换为特定颜色的光变换层120f。
在本实施例中，被提供至第一像素至第三像素111a、111b、111c的第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c均可以射出蓝色光，据此，与蓝色像素111对应的第一像素111a无需光变换，并且被提供为将来自发光元件 150的光全部透射的光通过层120。第二像素111b和第三像素111c需要颜色变换，因此提供光变换层120f。即，第二像素111b的光变换层120f可以包括使从第二发光元件150b射出的蓝色光变换为红色光的光变换物质，并且第三像素111c的光变换层120f可以包括使从第三发光元件150c射出的蓝色光变换为绿色光的光变换物质。
光变换物质可以利用荧光体、量子点等纳米结构体、可改变颜色的有机材料或它们的组合来构成，并且可以根据所要体现颜色而得到选择。
在本实施例中，同样地，在基板10和光通过层120之间还可以提供滤色部CF。只不过，对第一像素111a而言，由于从发光元件150射出蓝色光，因此不一定需要额外地阻断紫外线的蓝色滤光部。因此，对第一像素111a而言，可以省略蓝色滤光部，并且可以提供透明的绝缘膜T。相反，对第二像素111b和第三像素111c而言，还可能存在未在光变换层120f完全变换的蓝色光，因此为了阻断该蓝色光，在像素区域10d可以分别提供红色滤光部R 和绿色滤光部G。
在上述实施例中，将光通过层中的至少一个为光变换层的情形作为一例进行了说明，但是根据本公开的一实施例，可以以没有光变换层的方式进行制造。
图8A和图8B是简要地示出根据本公开的一实施例的发光元件的剖面图。在图8A和图8B中，示出了无光变换层而采用横向型和垂直型的发光元件的情形。
参照图8A，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c可以分别发出绿色、红色和蓝色光。为此，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、 150c可以分别从发出绿色、红色和蓝色光的半导体材料中选择而被制造。
例如，在一实施例中，第一发光元件150a为半导体层，可以包括氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、铝铟镓氮化物(AlInGaN)、铝镓铟磷化物(AlGaInP)以及铝镓磷化物(AlGaP)，尤其可以包括铝铟镓氮化物(AlInGaN)。
第二发光元件150b作为半导体层，可以包括：铝砷化镓(aluminum galliumarsenide,AlGaAs)、砷化镓磷化物(gallium arsenide phosphide,GaAsP)、铝镓铟磷化物(aluminum gallium indium phosphide,AlGaInP)、以及磷化镓(gallium phosphide,GaP)，尤其可以包括铝镓铟磷化物(AlGaInP)。
第三发光元件作为半导体层，可以包括氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、铝铟镓氮化物(AlInGaN)以及硒化锌(zinc selenide,ZnSe)，尤其可以包括铝铟镓氮化物(AlInGaN)。
本实施例中，第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c分别发出特定波长的彩色光，因此不需要独立的光变换层，并且可以通过相对简单的方法进行制造。
参照图8B，作为第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c，不仅可以使用横向型发光元件，还可以使用垂直型发光元件，在本公开的一实施例中，例如可以在发出红色光的第二发光元件150b使用垂直型的发光元件。在此，第二发光元件150b可以包括发出红色光的半导体层，例如，可以包括铝镓铟磷化物(AlGaInP)半导体层。
在本实施例中，第二发光元件150b的第一电极和第二电极分别被提供至上表面和下表面侧，并且第一电极和第二电极可以通过接触孔而分别与公共焊盘171d或者第二数据焊盘171b电连接。在本公开的一实施例中，垂直型的发光元件在平面上观察时占有比横向型的发光元件更小的面积，因此具有能够更高密度地形成的优点。
如上所述，根据本公开的一实施例，在制造特定颜色的发光元件时，可以根据使用的基板或者材料而选择垂直型和横向型中的能够容易制造的形态。
上文中对使用横向型或者垂直型的发光元件的情形进行了说明，但是发光元件并不局限于以上的类型。
根据本公开的一实施例的其他发光装置可以被采用到多样的装置中，例如，可以被采用到在显示装置中使用的背光单元。
图9A是示出包括根据本发明的一实施例而并联连接的发光元件的发光装置(light emitting apparatus)的平面图；图9B是沿图9A的II-II'线的剖面图。图10是根据本公开的一实施例的发光装置，其示出了包含串联连接的发光元件150的情形。在本实施例中，发光装置具有与上述实施例中的像素单元110实质上类似的结构，为了便于说明，将提供一个发光元件150的发光单位与上述实施例类似地称为像素111而进行说明。
参照上述实施例和图9A及图9B，发光装置包括基板10及贴装于基板 10上的像素111。各个像素111包括基板10、被提供于基板10上的光通过层 120、被提供于光通过层120上的发光元件150、覆盖发光元件150和光通过层120的绝缘膜160、被提供于绝缘膜160上的端子部170。
在本实施例中，端子部170包括：公共焊盘171p，用于向发光元件150 的第一电极和第二电极中的一个施加公共电压；以及数据焊盘171q，用于向第一电极和第二电极中的另一个施加发光信号。公共焊盘171p和数据焊盘 171q可以以彼此隔开且沿一方向延伸的形态被提供。各个发光元件150的第一电极和第二电极中的一个可以通过接触孔CH而被连接到公共焊盘171p，另一个可以通过接触孔CH而连接至数据焊盘171q。其结果，各个发光元件150在公共焊盘171p和数据焊盘171q之间并联连接。
图10是示出根据本发明的一实施例的包含串联连接的发光元件150的发光装置的平面图，由于除了端子部170的形状局部地不同于图9A这一点以及提供发光元件150的公共焊盘171p与数据焊盘171q的两个端部的连接关系不同这一点以外，与图示于图9A的情形不存在太大的差异，因此省略对此的说明。
根据上述实施例的具有上述结构的发光装置可以通过准备基板，并在基板上按序地形成各个构成要素而被制造，尤其，可以经过准备发光元件，并将所述发光元件转印到基板上的步骤而制造。
下文中，首先对制造发光元件之后进行转印的方法按序地进行说明，之后对制造发光装置的方法按序地进行说明。
图11是示出根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法中的，制造发光元件之后转印的方法的流程图。在以下的实施例中制造的发光元件利用 GaN系半导体，可以是蓝色发光元件也可以是绿色发光元件。
参照图11，根据本公开的一实施例的发光元件制造及转印方法包括如下的步骤：在临时基板上形成GaN系半导体层(S10)；在所述半导体层上形成电极部等，从而制造发光元件(S20)；在制造的发光元件上形成保护膜(S30)；在所述临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光(S40)；去除保护膜 (S50)，之后利用移送装置而在基板上移送发光元件(S60)。
图12A至图12N是按顺序而具体地示出图11的发光元件制造及转印方法的剖面图。
参照图12A，在第一临时基板10p上形成外延堆积部(Epitaxial stack)。外延堆积部可以利用包括第一半导体层153、活性层155以及第二半导体层 157的半导体层构成。在本公开的一实施例中，第一临时基板10p可以是蓝宝石基板。所述半导体层可以是GaN系半导体层，例如，第一半导体层153 可以是n型GaN半导体层，活性层155可以是AlInGaN半导体层，并且第二半导体层157可以为p型GaN半导体层。
参照图12B，第一临时基板10p上的外延堆积部以各个发光元件为单位被分离(isolation)。发光元件单位是用于制造一个发光元件的最小单位，并且相邻的发光元件之间被物理分离。
参照图12C，在与各个发光元件对应的外延堆积部形成有台面结构。即，外延堆积部具有在一部分区域朝向上侧方向突出，并且在另一部分区域向下侧方向凹入的台面结构。为此，外延堆积部的各个层中的第一半导体层153、活性层155以及第二半导体层157的一部分被去除，据此，第一半导体层153 朝向上部方向露出。在本公开的一实施例中，n型半导体层、活性层以及p 型半导体层的一部分被去除，据此，n型半导体层可以朝向上部方向露出。
参照图12D，在第一临时基板10p上制造的外延堆积部形成有电极部，从而制造发光元件。电极部包括与第一半导体层153连接的第一电极159p以及与第二半导体层157连接的第二电极159q。在未提供活性层155和第二半导体层157的第一半导体层153上形成有第一电极159p，在第二半导体层157 上形成有第二电极159q。第一电极159p和/或第二电极159q可以利用单层或者多层的金属构成。
参照图12E，在第一临时基板10p上制造的发光元件150上形成有保护膜165。保护膜165在工艺进行过程中用于临时保护发光元件。其可以利用能够完全覆盖发光元件150且能够容易地被去除的材料构成。保护膜165的材料并不特别地受限，例如，可以利用有机/无机高分子构成。在本公开的一实施例中，可以利用环氧树脂，聚硅氧烷或光刻胶等构成。例如，作为聚硅氧烷材料，可以列举聚二甲基硅氧烷(PDMS，polydimethylsiloxane)。然而保护膜165的材料并不局限于此，还可以使用氢倍半硅氧烷(HSSQ，HydrogenSilsesquioxane)、甲基倍半硅氧烷(MSSQ，Methylsilsesquioxane)、聚酰亚胺、二乙烯基硅氧烷(Divinyl Siloxane)、双苯并环丁烷(DVS-BCS， bis-Benzocyclobutane)、八氟环丁烷(PFCB，Perfluorocyclobutane)、聚亚芳基醚(PAE，Polyarylene Ether)等材料。
参照图12F，在保护膜165上，将分离层10q'置于中间而提供第二临时基板10q。第二临时基板10q是在上部支撑各个发光元件150和保护膜165 的支撑基板。分离层10q'使第二临时基板10q和保护膜165粘合，且用于随后使第二临时基板10q容易地分离。
在本公开的一实施例中，第二临时基板10q可以是蓝宝石基板，并且分离层10q’可以包括ITO等金属氧化物。然而，第二临时基板10q和分离层10q' 并不局限于此，其在能够充分支撑保护膜165和保护膜165内的发光元件150 且能够容易地被去除的限度内，可以利用多样的材料来构成。
在本实施例中，在发光元件150和保护膜165被第二临时基板10q支撑的状态下，激光LSR照射至发光元件150和第一临时基板10p之间的界面。具体而言，激光LSR照射到发光元件150的第一半导体层153和第一临时基板10p之间的界面。
所述激光LSR用于将布置于第一半导体层153的与第一临时基板10p之间的界面的分子进行热分解。本公开的一实施例中，第一半导体层153包括 GaN，GaN通过所述激光LSR的照射而被热分解，结果氮原子变为氮气(N2) 而被去除。据此，第一半导体层153与第一临时基板10p之间的，GaN中的 N被去除，从而形成由Ga构成的辅助层151。在此，由于第一半导体层153 和基板之间仍存在Ga，因此通过Ga的粘合力，发光元件继续贴附于基板上。只不过，在照射激光LSR之后，第一半导体层153和第一基板10p之间的粘合力相比于照射激光LSR之前的第一半导体层153和第一基板10p之间的粘合力显著地弱化。
所述第二临时基板10q在向第一半导体层153和第一临时基板10p之间照射激光LSR时防止发光元件150及保护膜165的翘起。由于在照射激光LSR 时可能产生的热和气体，发光元件150和/或与发光元件150相邻的部分的保护膜165等可能会翘起，但是由于第二临时基板10q从上部向下部方向加压而进行支撑，因此最小化上述的翘起。
参照图12G，激光LSR照射到第二临时基板10q和保护膜165之间，具体而言，照射到提供于第二临时基板10q和保护膜165之间的分离层10q'。
参照图12H，若激光LSR照射到分离层10q'，则第二临时基板10q和保护膜165之间的粘合力弱化，据此，能够容易地去除第二临时基板10q。
参照图12I，保护膜165被去除。保护膜165可以通过湿法蚀刻或者干法蚀刻而容易地被去除。据此，在第一临时基板10p上最终形成发光元件150，在第一临时基板10p和发光元件150的第一半导体层153之间形成有具有弱粘合性的辅助层151。
参照图12J，在欲要移送的发光元件150上布置有移送装置190。在与移送装置190的发光元件150相面对的面提供有临时粘合层181。临时粘合层 181仅被提供至要移送的发光元件150所对应的位置，可以考虑最终要移送的位置来确定其位置。
参照图12K，通过将移送装置190的临时粘合层181接触到欲要移送的发光元件150，从而将发光元件150粘合在临时粘合层181。
参照图12L，在将发光元件150临时粘合在粘合层181的状态下使移送装置190进行移动，以使移送装置190从第一临时基板10p隔开。通过移送装置190的移动，贴附于临时粘合层181的发光元件150从第一临时基板10p 分离。在此，所选择的临时粘合层181的粘合力大于由Ga构成的辅助层151 所引起的粘合力。在此，由Ga构成的辅助层151的粘合力为大幅弱化的状态，因此，如果利用临时粘合层181则能够非常容易地从第一临时基板10p分离发光元件150。
参照图12M，最终准备欲要贴装发光元件150的基板，并且在基板上提供用于粘合发光元件150的粘合层180。在本附图中，为了便于说明，将省略一部分构成要素，且以在基板10和粘合层180上未夹设其他构成要素的情形为例而图示。但是，在实际基板10和粘合层180之间还可以夹设有显示装置的多样的其他构成要素，例如，光通过层、光变换层、反射层等。
在此，贴附于移送装置190上的发光元件150在排列在形成有粘合层180 的基板上之后被贴附。此时，发光元件150和粘合层180之间的贴附面积可以大于发光元件150和移送装置190上的临时粘合层181的贴附面积。
参照图12N，发光元件150被贴附于粘合层180之后，移送装置190从第一发光元件150分离。在此，即使移送装置190上的临时粘合层181与基板10上的粘合层180具有实质上相同的粘合力，在基板10与粘合层180之间的粘合面积大于移送装置190与临时粘合层181之间的粘合面积的情况下，粘合层180具有更强的粘合力，因此移送装置190(具体而言，移送装置190 上的临时粘合层181)将会从发光元件150容易地被分离。
如上所述，根据本公开的一实施例，可以将在独立的基板上形成的发光元件容易地转印至所需要的基板上。具体而言，根据本公开的一实施例，能够在将外延堆积部形成在蓝宝石基板等生长基板上之后马上从生长基板向所要形成元件的基板上直接转印发光元件。并且，在将排列的发光元件形成在蓝宝石基板等生长基板上之后，仅将与需要的部分对应的发光元件选择性地利用移送装置而精确地排列在基板上，因此在所要制造的装置中，能够减少发光元件的误排列所引起的缺陷。此外，由于能够无追加工序而直接进行转印，因此在工艺中不需要研磨(polishing)或分离(breaking)工序。因此，工艺变得简单，并且能够提高产量，还能够减少费用。
此外，虽然未图示，对未利用GaN系半导体的发光元件，例如，红色发光元件而言，可以通过除了上述方法以外的其他多样的方法被制造并转印至基板。根据本公开的一实施例，在GaAs系半导体基板上制造红色发光元件之后进行移送的方法可以通过如下的方式执行：在GaAs系基板上形成牺牲层，并且在所述牺牲层上形成AlGaInP系半导体层，之后在所述半导体层上形成电极部而制造红色发光元件，之后去除所述牺牲层并利用移送装置将所述红色发光元件移送到基板上。
在本公开的一实施例中，可以如同上述的图12A至图12N地制造并转印发光元件，但是在本公开的另一实施例中，能够以另一种方式使用基板，从而制造并转印其他形态的发光元件。例如，通过使用具有预定的凹凸部的图案化的基板，能够制造下部形成有凹凸部的发光元件，并将其转印至基板。
图13A至图13E是示出根据本公开的另一实施例的发光元件制造及转印方法的剖面图，并且为了说明的便利而仅示出了主要步骤。在图13A至图13E 中图示的实施例中，除了作为第一临时基板10p而使用图案化的基板，例如，图案化的蓝宝石基板(patternedsapphire substrate；PSS)这一点以外，与图示于图12A至图12N的实施例实质上相同。因此，以下以与上述的实施例不同的点为主进行说明。
参照图13A，作为第一临时基板10p提供图案化的第一临时基板10p，并且在图案化的第一临时基板10p上形成有具有第一半导体层153、活性层 155和第二半导体层157的外延堆积部。
图案化的第一临时基板10p具有凹凸部PR，并且凹凸部PR以多边形锥、半球、随机形态布置，并且可以以具有粗糙度的面等多样的形态被提供。在图13A中，为了便于说明，将在第一临时基板10p的上表面具有截面为半圆形的突出部的情形作为一例进行说明。
参照图13B，在第一临时基板10p上通过外延堆积部的分离、蚀刻、电极部的形成等而形成发光元件150。
参照图13C，激光LSR被照射到发光元件150的第一半导体层153与第一临时基板10p之间的界面，从而形成辅助层151。此时，辅助层151沿第一临时基板10p的界面而形成，因此会形成为与凹凸部PR的形状实质上相同的形状。
参照图13D，利用移送装置190而从第一临时基板10p分离发光元件150。此时，发光元件150的下表面具有与第一临时基板10p的上表面对应的形状。即，发光元件150的下表面在第一临时基板10p的上表面上具有凹凸部PR 的逆像形状，据此，在发光元件150的下表面也形成有凹凸部PR。
参照图13E，在下表面具有凹凸部PR的发光元件150将粘合层180置于中间而粘合于基板10上。
如上所述，在发光元件形成凹凸部的情况下，光射出效率会得到提高。发光元件所射出的光的强度可以存在差异，这种强度差异可能会导致可见性的差异。据此，根据本公开的一实施例，根据光射出效率，可以在发光元件选择性地形成凹凸部。
另外，在本公开的实施例中，根据上述实施例的发光装置之间可能会存在一部分结构上的差异，但是可以通过实质上相同的方式进行制造，以下，对利用图示于图11至图13的发光元件的制造及转印方法来制造图示于图1A 及图1B的发光装置的方法进行说明。在以下说明的实施例中，在图11至图 13中公开的发光元件制造及转印方法可以被采用到如下步骤：在将光通过层 (和/或光变换层)、颜色滤光层等形成在基板之后在形成有光通过层(和/或光变换层)、颜色滤光层等的基板上转印发光元件的步骤，因此与在基板上形成光通过层、颜色滤光部等的步骤等一同进行说明。并且，在以下的实施例中，为了便于说明，省略了一部分构成要素并图示了一部分构成要素，未说明的部分参照上述实施例及附图。
图14A至图14M是按顺序地示出根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法的剖面图。
参照图14A，首先准备基板10，并且在基板10上形成第一绝缘膜161。第一绝缘膜161可以通过多样的方法来提供，例如，可以在涂覆后利用光刻 (Photolithography)来容易地进行图案化。
参照图14B，在形成有第一绝缘膜161的基板10上涂覆光刻胶并进行曝光和显影，从而形成第一光刻胶图案PR1。在此，去除光刻胶的区域是要形成光变换层120f的区域，本实施例中，该区域对应于第二像素区域。
参照图14C，在未形成第一光刻胶图案PR1的第二像素区域选择性地形成颜色滤光层130。颜色滤光层130可以通过旋涂、丝网印刷等方法形成。颜色滤光层130可以在形成有第一光刻胶图案的基板10的前表面形成，或者可以通过在形成于前表面之后进行图案化的方式形成。在颜色滤光层130形成于前表面的情况下，也可以通过后述的研磨等而将其去除，因此也可以不进行图案化。
在根据本实施例的附图中，虽然未示出形成反射层的情形，但是在将颜色滤光层130形成在形成有第一绝缘膜161的基板10上之前，还可以额外地形成有反射层。反射层例如可以通过在形成金属膜或者介质镜层之后利用光刻来进行图案化的方式等形成。
参照图14D，在未形成第一光刻胶图案PR1的第二像素区域形成光变换层120f。光变换层120f可以以流体形态通过涂覆或滴下(dripping)等方法被提供至第二像素区域之后被固化。
参照图14E，除了形成有光变换层120f的区域以外的第一光刻胶图案PR1 被去除。在第一光刻胶图案PR1被去除之后，对应于第一像素区域和第三像素区域的基板10的上表面露出。
参照图14F，在包括第一像素区域和第三像素区域的基板10的前表面形成有光通过层120。在此，光通过层120是除了光变换层120f以外的层，其可以形成为能够将光变换层120f全部覆盖的充分的厚度。
参照图14G，包括形成为充分的高度的光变换层120f的光通过层120的上表面可以被研磨(磨平，polishing)，据此，第一绝缘膜161和光通过层(包括光变换层120f)120的高度被平坦化。光通过层120的上表面可以通过化学或物理研磨而被平坦化。参照图14H，在平坦化的基板10的光通过层120 上形成有粘合层180。粘合层180可以以随后能够使发光元件150良好地贴附的量和高度被提供，其可以以具有流动性的有机高分子等被提供，并且在贴装发光元件150之后被固化。
参照图14I，在提供粘合层180的基板10上贴附有发光元件150。各个发光元件150可以在基板10上被制造，并通过移送装置被移送至基板10上。
参照图14J，在贴附有发光元件150的基板10上形成有第二绝缘膜163。第二绝缘膜163将光通过层120、第一绝缘膜161以及第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c全部覆盖，并且可以通过多样的方法被提供。在第二绝缘膜提供用于使第一发光元件至第三发光元件150a、150b、150c的电极露出的接触孔CH，并且具有接触孔CH的第二绝缘膜163在被涂覆之后可以利用光刻而容易地被制造。
图14K至图14M示出在第二绝缘膜163上形成端子部170的情形，其将利用剥离(lift-off)方法的情形作为一例进行了图示。
首先，如图14K所示，在第二绝缘膜163上形成有第二光刻胶图案PR2。第二光刻胶图案PR2通过涂覆光刻胶并进行曝光和显影而形成。在此，光刻胶被去除的区域对应于要形成端子部170的区域。
接着，如图14L所示，在形成有第二光刻胶图案PR2的基板10的前表面形成导电性膜ML。导电性膜ML利用形成端子部170的材料形成，并且可以是单层或多层的金属和/或合金。
之后，如图14M所示，第二光刻胶图案与其上表面的金属膜一同被去除，从而在第二绝缘膜163上形成端子部170。
通过上述的方式，可以容易地制造根据本公开的一实施例的发光装置。尤其，可以在基板上利用以往的工序，例如，涂覆、丝网印刷、光刻等方式而按序地形成多个像素和端子部，因此不需要进行单独地制造像素单元之后将其贴装到形成有端子部和布线等的独立的基板的工序。
在现有技术中，通过如下方式完成了发光装置：独立地制造发光元件芯片，并独立地制造形成有端子部和布线等的PCB基板，之后利用导电性焊膏等贴附发光元件芯片。在此情况下，为了在PCB基板上形成端子部和布线，需要在PCB基板钻出贯通PCB基板的上下的贯通孔，不仅如此，为了通过各个贯通孔而进行电连接，需要进行形成附加的电极和连接布线等复杂的步骤。并且，在印刷电路板需要额外地确保用于形成贯通孔的区域，因此难以实现像素的微细化。对用于形成贯通孔的区域而言，可以通过减小贯通孔的直径而减小其面积，但是在此情况下会由于贯通孔的直径的减小而发生难以进行加工的问题，因此加工难度和费用会急剧增加。
相比于此，根据本公开的一实施例的发光装置在无独立的印刷电路板的情况下在绝缘膜上形成接触孔，并通过接触孔而简单地连接端子部，从而不仅能够实现像素的微细化，还能够通过低成本简单地制造发光装置。
在此，虽然在上述的附图中以一个像素单位为基准而示出，但是可以利用大型基板而将多个像素单元同时形成在基板上，并且之后可以通过切割而分离为多种尺寸的各自独立的显示单元。在此，显示单元表示在一个基板上贴装有一个或多个像素单元的形态的单位。分离的各自独立的显示单元再次被组装到贴装有布线或驱动电路的基底基板，例如，PCB上，从而能够制造多种大小的发光装置或显示装置。
根据本公开的一实施例，作为制造上述显示装置的方法，包括将多个发光元件同时稳定地、有效地进行转印的方法。图15A至图15D是按序地示出将多个发光元件同时转印的方法的示意图。在以下的实施例中，将如下的情形作为一例进行说明：体现红色、绿色和蓝色光，但是为了体现红色光，利用蓝色发光二极管代替红色发光二极管作为发光元件而使用，并利用光变换层。据此，在本实施例中，红色像素、绿色像素和蓝色像素分别被提供蓝色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。
参照图15A，在第一临时基板10p上形成多个蓝色发光元件150B，并且在独立的第一临时基板10p上形成多个绿色发光元件150G。
形成于独立的第一临时基板10p上的蓝色发光元件150B和绿色发光元件 150G利用移送装置190而被转印至第三临时基板10r上。第三临时基板10r 可以是具有耐热性、柔性和/或粘性的基板，并且可以以片状被提供。第三临时基板10r是用于在将蓝色发光元件150B或绿色发光元件150G转印至最终的基板上之前临时地排列发光元件的临时基板。
在第三临时基板10r，最终要贴装的发光元件150以与多个像素对应的方式被布置。
对于第三临时基板10r上的发光元件150，可以执行额外的工序，例如电极部的形成工序等。
参照图15B，准备最终要形成发光元件150的基板10。在基板10上的与发光元件150对应的位置被提供粘合层180。在此，粘合层180可以包括有机无机高分子，或者可以是焊料。在本公开的一实施例中，粘合层180的焊料可以利用共晶(eutectic)材料形成。
布置有多个发光元件150的第三临时基板10r在被移送装置190握持之后翻转，从而将所述发光元件150置于中间而与基板10对向。
参照图15C，第三临时基板10r朝向下部方向被加压，据此，发光元件 150被粘合到粘合层180。此时，在所述粘合层通过共晶材料形成的情况下，可以在共晶温度以上被加压，并能够通过回流焊接而进行共晶焊接。第三临时基板10r可以具有柔性，因此能够有效地从上部向下部方向加压粘合发光元件150，据此，能够防止发光元件的位置脱离或者倾斜粘合等。
参照图15D，在发光元件150完全粘合于基板10上的粘合层180之后，例如，在通过共晶焊料等而将发光元件150完全粘合之后去除第三临时基板 10r，从而能够如图15e所示地，最终将发光元件150大量转印至基板10上。
根据上述的实施例，能够实现最大限度地防止多个发光元件的位置脱离的缺陷或发光元件倾斜地粘合于粘合层等缺陷的显示装置的制造。
图16示出利用充分的尺寸的基板10形成多个像素单元110之后，将其切割为多种尺寸的显示单元101的情形的图，图17示出将切割的多种尺寸的显示单元101组装安装在PCB等基底基板上的情形的图。
参照图16，在基板10上根据上述实施例而形成多个像素单元110，之后可以沿切割线CL切割成多种尺寸的显示单元101。显示单元101可以具有包括2个、6个或6个等的像素单元110的多种大小，以能够通过切割而仅具有一个像素单元110。
参照图17，以多种尺寸切割的显示单元101以适当的组合被组装，从而能够被制造成多种尺寸的显示装置。在此，显示装置表示用于显示任意的视觉信息，例如，文字、视频、照片、二维或三维图像等的电子装置，下文中对通过上述方法制造的显示装置进行说明。
图18是示出通过上述方法制造的显示装置的平面图。图19是放大示出图18的P3部分的放大平面图。
参照图18和图19，根据本公开的一实施例的显示装置可以被提供为多种形状，即，可以被提供为矩形等包括直线的边的闭合多边形、包括由曲线构成的边的圆或椭圆等、包含由直线和曲线构成的边的半圆或半椭圆等多种形状。在本公开的一实施例中，示出了所述显示装置被提供为矩形形状的情形。
显示装置可以具有包括用于显示图像的多个像素单元110而组装的多个显示单元101。在本公开的一实施例中，各个像素单元110可以包括绿色像素、红色像素和蓝色像素，并且第一像素至第三像素111a、111b、111c可以对应于绿色像素、红色像素和蓝色像素。然而，各个像素单元所能够包括的像素并不局限于此。例如，各个像素单元可以包括青色像素、洋红色像素、黄色像素等。
像素单元110和/或像素111a、111b、111c以行列形状布置。在此，像素单元110和/或像素111a、111b、111c以行列形状排列的含义不仅包括像素单元110和/或像素111a、111b、111c沿行或列而准确地排列为一列的情形，其虽然会整体地沿行或列排列，但是还可以排列为之字形形状等，其具体的位置可能会改变。
图20是示出根据本公开的一实施例的显示装置的结构图。
参照图20，根据本公开的一实施例的显示装置包括计时控制部350、扫描驱动部310、数据驱动部330、布线部和像素单元。在此，在像素单元包括多个像素的情况下，各个像素分别独立地通过布线部而连接于扫描驱动部310、数据驱动部330等。
计时控制部350从外部(例如，发送图像数据的系统)接收显示装置的驱动所需要的各种控制信号和图像数据。这种图像控制部350将接收到的图像数据再排列而发送到数据驱动部330。并且，计时控制部350生成扫描驱动部310和数据驱动部33的驱动所需要的扫描控制信号以及数据控制信号，并将生成的扫描控制信号和数据控制信号分别发送到扫描驱动部310和数据驱动部330。
扫描驱动部310从计时控制部350被供应扫描控制信号，并与此对应地生成扫描信号。
数据驱动部330从计时控制部350接收数据控制信号和图像数据，并与此对应地生成数据信号。
布线部包括多个信号布线。布线部具体地包括连接扫描驱动部310和像素的第一布线103以及连接数据驱动部330和像素的第二布线102。在本公开的一实施例中，第一布线103可以是扫描布线，并且第二布线102可以是数据布线，在下文中，将第一布线作为扫描布线，并将第二布线作为数据布线而进行说明。除此之外，布线部还包括将计时控制部350和扫描驱动部310 之间、计时控制部350和数据驱动部之间或者除此之外的构成要素之间进行连接且传递相应信号的布线。
扫描布线103将从扫描驱动部310生成的扫描信号提供至像素。从扫描驱动部330生成的数据信号被输出到数据布线102。输出到数据布线102的数据信号通过扫描信号而被输入到所选择的的水平像素单元线的像素。
像素111a、111b、111c连接到扫描布线103和数据布线102。在从扫描布线103供应扫描信号时，像素111a、111b、111c将会以与从数据布线102 输入的数据信号对应的方式选择性地发光。作为一例，在各个帧期间内，各个像素111a、111b、111c以与接收到的数据信号相对应的亮度进行发光。接收到与黑色亮度对应的数据信号的像素111a、111b、111c在对应的帧期间内不发光，从而显示黑色。
在本公开的一实施例中，像素111a、111b、111c可以以无源方式或者有原方式被驱动。在显示装置以有源方式被驱动的情况下，显示装置除了扫描信号和数据信号以外还可以接收第一及第二像素电源而被驱动。
图21A是表示一个像素的电路图，即示出构成无源显示装置的像素的一例的电路图。在此，像素可以是多种像素中的一个，例如可以是红色像素、绿色像素和蓝色像素中的一个。在本实施例中，将其表示为第一像素111a。
参照图21A，第一像素111a包括连接于扫描布线103和数据布线之间102 的发光元件150。发光元件150可以是具有第一电极和第二电极的发光二极管。第一电极和第二电极分别与发光装置内的公共焊盘和数据焊盘连接。在此，公共焊盘可以连接于扫描布线103，并且数据焊盘可以连接于数据布线 102，或者可以与此相反地连接。
发光元件150在第一电极和第二电极之间施加阈值电压以上的电压时，以与施加的电压的大小相应的亮度进行发光。即，通过调节通过扫描布线103 施加的扫描信号和/或通过数据布线102施加的数据信号的电压，可以控制第一像素111a的发光。
在本公开的一实施例中，示出了在扫描布线103和数据布线102之间仅连接有一个发光元件150的情形，但是并不局限于此。发光元件150可以在扫描布线103和数据布线102之间连接有多个，此时，发光元件150可以串联连接或者并联连接。
图21B是表示第一像素111a的电路图，即示出构成有源型显示装置的像素的一例的电路图。在显示装置为有源型的情况下，除了扫描信号和数据信号以外，第一像素111a还可以被供应第一像素电源ELVDD和第二像素电源 ELVSS而被驱动。
参照图21B，第一像素111a包括一个以上的发光元件150和与此连接的晶体管部TFT。
发光元件150的第一电极可以经由晶体管部TFT而连接到第一像素电源 ELVDD，第二电极可以连接到第二像素电源ELVSS。第一像素电源ELVDD 和第二像素电源ELVSS可以具有彼此不同电势。作为一例，第二像素电源 ELVSS可以具有相对于第一像素电源ELVDD的电势而言低发光元件的阈值电压以上的电势。这种发光元件分别以通过晶体管部TFT控制的驱动电流相对应的亮度进行发光。
根据本公开的一实施例，晶体管部TFT包括第一晶体管T1、第二晶体管 T2和存储电容器Cst。只不过，晶体管部TFT的结构并不局限于图示于图4 的实施例。
第一晶体管(切换晶体管)T1的源极连接到数据布线102，漏极连接到第一节点N1。并且，第一晶体管的栅极连接到扫描布线103。这种第一晶体管当从扫描布线103供应能够使第一晶体管T1打开的程度的电压的扫描信号时被打开，从而能够电连接数据布线102和第一节点N1。此时，通过数据布线102供应相应帧的数据信号，据此，向第一节点N1传递数据信号。传递至第一节点N1的数据信号被充电到存储电容器Cst。
第二晶体管(驱动晶体管)T2的源极连接到第一像素电源ELVDD，漏极连接到发光元件的第一电极。并且，第二晶体管T2的栅极连接到第一节点 N1。如上所述的第二晶体管T2控制与第一节点N1的电压对应地供应至发光元件的驱动电流的量。
存储电容器Cst的一电极连接到第一像素电源ELVDD，另一电极连接到第一节点N1。如上所述的存储电容器Cst将与供应至第一节点N1的数据信号对应的电压充电，并将充电的电压保持到供应下一个帧的数据信号为止。
为了方便，在图21B中示出了包括两个晶体管的晶体管部TFT。但是本公开并不局限于此，晶体管部TFT的结构可以实现多样的变形实施。例如，晶体管部还可以包括更多的晶体管或电容器等。并且，在本实施例中，并未图示第一晶体管、第二晶体管、存储电容器和布线的具体结构，但是第一晶体管、第二晶体管、存储电容器和布线可以在实现根据本公开的实施例的电路的限度内以多样的形态被提供。
根据本公开的一实施例，利用根据上述实施例的显示装置本身也能够实现大面积的显示装置，但是还可以将根据上述实施例的显示装置作为一个显示模块，并组装多个显示模块，从而实现相对于现有发明而言更大面积的显示装置。图22是示出根据本公开的一实施例的大面积的多模块显示装置的立体图。
参照图22，多模块(multi module)显示装置1000可以包括多个显示模块DM，在图18中，4×4个显示模块DM构成了一个多模块显示装置。在此，上述显示模块DM可以具有上述实施例中的至少一个结构。例如，各个显示模块DM可以如同如图18的第一列、第一行的显示模块DM所示地包括显示部100和基底基板200，并且可以利用具有彼此不同的面积的多个显示单元101构成。
在本实施例中，多个显示模块DM分别或者至少一部分可以相对独立地被驱动，或者至少一部分的显示模块DM与其他显示模块DM联动而从属地被驱动。在多个显示模块DM联动而被驱动的情况下，可以如图所示地显示一个图形。
在本实施例中，示出了多个显示模块DM均提供为同一个尺寸的情形，但是本公开并不局限于此，显然至少一个显示模块还可以被提供为与其他显示模块DM不同的其他尺寸。并且，至少一个显示模块DM可以具有与其他显示模块DM不同的像素数量，并且基于此的分辨率也可以具有彼此不同的值。此外，在所有区域的分辨率不需要相同的情况下，可以通过将彼此不同的分辨率的显示模块DM排列的方法制造多模块显示装置。
图23是用于说明根据又一实施例的显示装置的示意性平面图，并且图 24A和图24B是用于说明根据又一实施例的显示装置中利用的发光元件的示意性的平面图以及剖面图。
参照图23，显示装置2000包括面板基板210和多个发光元件800。
面板基板210可以包括用于被动矩阵驱动或者主动矩阵驱动的电路。在一实施例中，面板基板210可以在内部包含布线和电阻，在另一实施例中，面板基板210可以包括布线、晶体管以及电容器。面板基板210可以在其上表面具有能够与所布置的电路电连接的焊盘。本公开对面板基板210包括电路的情形进行说明，但是面板基板210还可以是能够使光透过的透明基板。
多个发光元件800排列于面板基板210上。各个发光元件800可以构成一个子像素SP。发光元件800可以具有第一电极焊盘112和第二电极焊盘114，并且第一电极焊盘112和第二电极焊盘114可以与面板基板210电连接。
在本公开中，发光元件800可以包括蓝色发光元件802、绿色发光元件 804和红色发光元件806。蓝色发光元件802可以是发出蓝色光的无机发光二极管，并且可以包括AlGaInN系列的阱层。绿色发光元件804可以是发出绿色光的无机发光二极管，并且可以包括AlGaInP系列的阱层或者AlInGaN系列的阱层。红色发光元件806可以是发出红色光的无机发光二极管，并且可以包括AlGaInP系列的阱层。进而，发光元件800并不局限于发出单色光的发光元件102、104、106，一个发光元件800可以具有以能够发出蓝色、绿色和红色等多种颜色的光的方式层叠的结构的多个阱层。
在本公开中，蓝色发光元件802、绿色发光元件804和红色发光元件806 分别布置于不同的子像素SP，并且在一个子像素SP内可以布置有一个以上。分别布置有蓝色发光元件802、绿色发光元件804和红色发光元件806的三个子像素可以形成一个像素P。
针对发光元件800的具体的示例，将参照图24A至图24B进行说明。图 24A是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件800的示意性的平面图，图24B是沿图24A的截取线AA'截取的剖面图。在此，为了便于说明，将第一电极焊盘112和第二电极焊盘114布置于上侧的情形进行了图示和说明，但是发光元件800可以倒装键合(flip bonding)于图23的面板基板210上，在此情况下，第一电极焊盘112和第二电极焊盘114可以布置于下侧。
参照图24A及图24B，发光元件800可以包括发光结构体29、欧姆层33、绝缘层31、第一电极焊盘112和第二电极焊盘114，并且连接端部55b可以布置于发光元件800上。
发光结构体29包括第一导电型半导体层23、活性层25和第二导电型半导体层27。在第一导电型半导体层23上可以布置有活性层25，并且在活性层25上可以布置有第二导电型半导体层。
活性层25尤其可以具有多量子阱层。根据活性层25的组成，发光元件 800所发出的光的波长可能变得不同，据此，可以成为蓝色发光元件802、绿色发光元件804或者红色发光元件806。
并且，第一导电型半导体层23可以是n型半导体层，第二导电型半导体层27可以是p型半导体层。在本公开中，在第一导电型半导体层23的上部可以形成有台面M。台面M可以通过将活性层25和第二导电型半导体层27 蚀刻而形成，并且可以包括第一导电型半导体层23的一部分。
欧姆层33可以布置于第二导电型半导体层27上。欧姆层33欧姆接触于第二导电型半导体层27。欧姆层33可以包括反射层，并且反射层可以使从活性层25生成的光反射，从而防止被第一、第二电极焊盘112、114或者基板吸收而损失。例如，欧姆层33可以包括欧姆接触层和反射层。但是本公开并不局限于此，欧姆层33还可以利用透明金属层或者透明导电型氧化物层来形成。
绝缘层31覆盖欧姆层33和台面M，另外，可以覆盖第一导电型半导体层23的上表面的一部分和侧面。如同后述的内容，绝缘层31还可以覆盖为了使第一电极焊盘112与第一导电型半导体层23电连接而形成的通孔的侧面。绝缘层31可以利用氧化硅层或者氮化硅层的单层或多层来形成。进而，绝缘层31还可以利用分布式布拉格反射器来形成。
第一电极焊盘112与第一导电型半导体层23电连接。如图24B所示，第一电极焊盘112布置于绝缘层31的上部，并且通过贯通第二导电型半导体层 27和活性层25的通孔而电连接于第一导电型半导体层23。如图所示，第一电极焊盘112还可以直接连接到第一导电型半导体层23。绝缘层31覆盖通孔的侧面，从而防止第一电极焊盘112与第二导电型半导体层27或者活性层 25之间发生短路。
第二电极焊盘114电连接于第二导电型半导体层27。第二电极焊盘114 布置于绝缘层31的上部，并且可以通过形成于绝缘层31的开口部而电连接于欧姆层33。在本公开中，欧姆层33利用导电性物质来形成。并且将第二电极焊盘114电连接到第二导电型半导体层27。
连接端部44b在绝缘层31的上部布置有一个以上，并且可以布置于第一及第二电极焊盘112、114之间。连接端部55b可以在将发光元件800转印至面板基板210的过程中形成。连接端部55b的上表面可以大致为不规则的倾斜面，并且可以具有凹凸结构，而非平坦面。并且，在一个发光元件800上布置的多个连接端部55b还可以具有彼此不同的长度。在本公开中，连接端部55b可以包括聚二甲基聚硅氧烷(PDMS，poly dimethylpolysiloxane)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸树脂(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide)等有机物。但是本公开并不局限于此，连接端部55b还可以包括非有机物的其他物质。
在本公开中，在发光元件800上可以布置有多个连接端部55b，这些多个连接端部55b可以相对于特定方向而非对称地布置，例如，如图24A所示，三个连接端部55b可以布置于发光元件800上，并且三个连接端部55b可以相对于直线BB'而非对称地布置。一个连接端部55b布置于直线BB'的左侧，另外两个连接端部55b布置于直线BB'的右侧。
图24C是用于说明发光元件的变形例的示意性的剖面图。
参照图24C，根据本实施例的发光元件800'与上述的发光元件800大致类似，但是在欧姆层33被省略这一点上存在差异。在对本公开进行说明时，为了避免重复，将与在又一实施例中说明的内容相同的内容省略。
随着省略欧姆层33，如图所示，第二电极焊盘114可以直接电连接于第二导电型半导体层27。由于发光元件800'具有相对较小的尺寸，因此省略欧姆层33之后也能够使电流遍布于发光元件800'的较宽的区域而均匀地分散。
另外，在之前的实施例中，对连接端部55b形成于布置有第一电极焊盘 112、第二电极焊盘114的面的同一面侧的情形进行图示并说明，但是连接端部55b还可以与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114相面对地形成于发光元件800的反面上。连接端部55b形成于下部与发光元件800的转印方法有关联，其可以通过后述的发光元件800转印方法理解。
图25A至图25K是示出根据又一实施例的显示装置的制造方法的示意性的剖面图。
参照图25A，在基板51上形成有发光元件800。基板51可以是用于使发光元件800生长的基板。基板例如可以是用于使AlInGaN系列的半导体层生长的蓝宝石基板或者是用于使GaN基板或者AlInGaP系列的半导体层生长的GaAs基板。例如，在发光元件800为蓝色发光元件802或者绿色发光元件804的情况下，可以利用蓝宝石基板或者GaN基板，在发光元件800为红色发光元件806的情况下，可以利用GaAs基板。
参照图25B，在基板51上形成有第一掩膜层53，以能够覆盖多个发光元件800。第一掩膜层53以将多个发光元件800完全覆盖的方式形成，并且可以在发光元件800的上表面形成为具有预定厚度。
参照图25C，在第一掩膜层53形成多个孔H。多个孔H可以分别形成于多个发光元件800的上部，并且在各个发光元件800上可以形成有至少一个孔H。在本公开中，在各个发光元件800上形成有三个孔H，并且三个孔H 可以相对于排列有发光元件800的至少一个方向而非对称地布置。在此，三个孔H相对于附图中排列有发光元件800的方向垂直的方向而非对称地布置。
第一掩膜层53可以利用感光性物质形成，并且可以通过光刻(photolithography)工序而形成多个孔H。多个孔H可以通过曝光和显影工序而形成，但是并不一定局限于此，可以使用蚀刻工序。多个孔H可以如图所示地形成为三角形形状。然而多个孔H并不一定局限于三个。
参照图25D，在第一掩膜层53上形成连接层55。连接层55填充形成于第一掩膜层53的多个孔而形成于第一掩膜层53上。由于至少一个孔H形成于各个发光元件800的上部，因此连接层55可以通过形成于发光元件800上部的至少一个孔H而连接到发光元件800。在形成连接层55的期间内，填充孔H而连接于发光元件800的连接部55a一同形成。
连接层55可以利用聚二甲基聚硅氧烷(PDMS，poly dimethylpolysiloxane)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸树脂(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide) 等有机物形成。但是并不局限于此。在此，连接层55的透光率可以是90％以上，折射率可以是1.4至1.7。
参照图25E，在连接层55的上部结合有第一临时基板57。第一临时基板 57可以是PET、PEN、PI片等聚合物基板，并且还可以是玻璃(Glass)、PC、 PMMA等基板。如果第一临时基板57结合于连接层55的上部，则在真空状态下去除可能形成于连接层55的气泡，并且可以在低于第一掩膜层53的熔点的温度下执行连接层55的固化过程。在此过程中，第一临时基板57可以结合于连接层55。
当第一临时基板57结合于连接层55时，如图25F所示，从发光元件800 去除基板51。基板51可以通过激光剥离工序或者湿法蚀刻工序而被去除。例如，在基板51为蓝宝石基板的情况下，可以通过激光剥离工序或者化学剥离工序去除基板51，并且在基板51为GaAs基板的情况下，可以通过湿法蚀刻工序去除GaAs基板。
参照图25G，在基板51被去除的状态下，从发光元件800去除第一掩膜层53。第一掩膜层53可以利用丙酮、专用剥离器(stripper)、蚀刻等方式而去除。随着第一掩膜层53被去除，如图所示，发光元件800可以通过至少一个连接部55a而连接到连接层55并维持。
如上所述，在从发光元件800去除第一掩膜层53之后，参照图25H，在发光元件800的下部结合第二临时基板59。第二临时基板59可以是橡胶 (rubber)或者UV片，或者还可以是PET、PEN、PI片等聚合物基板，或者还可以是玻璃(Glass)、PC、PMMA等基板。
当第二临时基板59与发光元件800的结合完成，则如图25I所示，利用第二临时基板而将发光元件800从连接层55分离。通过向结合有发光元件 800的第二临时基板59施加朝向第一临时基板57的反方向即下方的外力，使与各个发光元件800连接的至少一个连接部55a被切断，并且发光元件800 从连接层55分离。
如图所示，施加到第二临时基板59的外力可以在第二临时基板59的一侧沿垂直于连接层55的方向施加。因此，各个发光元件800可以以连接于各个发光元件800的至少一个连接部55a从第二临时基板59的一侧依次被切断的方式从连接层55分离。
参照图25J，从连接层55分离的发光元件800在第二临时基板59上以具有预定间距的方式布置。另外，在各个发光元件800上可以形成有作为连接部55a被断开时剩下的残留物的连接端部55b。因此，连接端部55b与连接层 55为同一种物质，由于连接端部55b通过连接部55a受到外力而被断开而形成，从而连接端部55b的厚度可以不规格且彼此不同。
并且，参照图25J和图25K，利用拾取部70而将布置于第二临时基板59 上的发光元件800中的一部分转印至另一个基板。拾取部70例如可以包括弹性印模(stamp)。
拾取部70拾取多个发光元件800中的一部分并转印，并且通过筛选方式拾取以与面板基板210的间距匹配地布置的发光元件800。据此，如图所示，拾取部70不会把相邻的发光元件800一同拾取，而是将隔开预定距离的发光元件800一并拾取。被拾取的发光元件800之间的间距可以根据被转印的面板基板210内的像素的间距而不同。
拾取部70以与图示于图23的像素P的间距相匹配地拾取发光元件800，其中，可以以在一个像素P中布置蓝色发光元件802、绿色发光元件804和红色发光元件806中的一个的方式进行拾取。
在本公开中，发光元件800可以以上部布置有第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的状态下被拾取。据此，在利用拾取部70而将发光元件800贴装到面板基板210的过程中，可以利用额外的临时基板。即，可以将通过拾取部70拾取的发光元件800优先以像素P间距布置在额外的临时基板上。蓝色发光元件802、绿色发光元件804和红色发光元件806可以与像素P的间距匹配地全部被排列在额外的临时基板上。并且，可以将布置于所述额外的临时基板的蓝色发光元件802、绿色发光元件804和红色发光元件806一并转印至面板基板210。发光元件800可以以使第一电极焊盘112和第二电极焊盘114粘合到面板基板210的方式被转印。
图26A至图26L是示出根据又一实施例的显示装置的制造方法的示意性的剖面图。
参照图26A，使发光元件800生长在基板51上。基板51可以是用于使发光元件800的半导体层生长的基板。在发光元件800为蓝色发光元件802 或者绿色发光元件802的情况下，可以利用蓝宝石基板或者GaN基板，在发光元件800位红色发光元件806的情况下，可以利用GaAs基板。
参照图26B，在基板51上形成有第一掩膜层53，以能够覆盖多个发光元件800。第一掩膜层53以将多个发光元件800全部覆盖的方式形成，并且可以在发光元件800的上表面形成为具有预定长度。
接着，参照图26C，在第一掩膜层53形成多个孔H。至少一个孔H可以形成于各个发光元件800上，在本公开中，在各个发光元件800上可以形成有三个孔H，并且，三个孔H可以相对于排列有发光元件800的至少一个方向而非对称地布置。在此，三个孔H在附图中相对于与排列有发光元件800 的方向垂直的方向非对称地布置。
第一掩膜层53可以利用感光性物质形成，并且可以通过光刻(photolithography)工序而形成多个孔H。例如，多个孔H可以通过曝光和显影工序而形成，但是并不一定局限于此，还可以使用蚀刻工序。多个孔H可以如图所示地形成为三角形形状。
参照图26D，在第一掩膜层53上形成有连接层55。连接层55填充形成于第一掩膜层53的多个孔而形成于第一掩膜层53上。由于多各孔H分别形成于发光元件800的上部，因此连接层55可以通过形成于发光元件800上部的至少一个孔H而连接到发光元件800。连接层55的一部分填充形成于发光元件800上部的孔H而形成连接部55a。
连接层55可以利用聚二甲基聚硅氧烷(PDMS，poly dimethylpolysiloxane)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸树脂(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide) 等有机物形成。但是并不局限于此。在此，连接层55的透光率可以是90％以上，折射率可以是1.4至1.7。
参照图26E，在连接层55的上部结合有第一临时基板57。第一临时基板 57可以是PET、PEN、PI片等聚合物基板，并且还可以是玻璃(Glass)、PC、 PMMA等基板。在第一临时基板57和连接层55之间，可以分别布置有薄膜部61和缓冲部63。例如，在连接层55的上部可以布置有薄膜部61，在薄膜部61的上部可以布置有缓冲部63，并且在缓冲部63的上部可以布置有第一临时基板57。缓冲部63可以利用通过热或者UV照射而熔化的物质形成。
当第一临时基板57结合于连接层55的上部时，可以在真空状态下去除可能形成于连接层55的气泡，并且可以在低于第一掩膜层53的熔点的温度下执行连接层55的固化过程。在此过程中，第一临时基板57可以结合于连接层55。
并且，参照图26F，从发光元件800去除基板51。基板51可以通过激光剥离工序或者湿法蚀刻工序而被去除。例如，在基板51为蓝宝石基板的情况下，可以通过激光剥离工序或者化学剥离工序去除基板51，并且可以通过湿法蚀刻工序去除GaAs基板。
参照图26G，在基板51被去除的状态下，从发光元件800去除第一掩膜层53。第一掩膜层53可以利用丙酮、专用剥离器(stripper)、干法蚀刻等方式而被去除。据此，如图所示，发光元件800可以通过连接于各个发光元件 800的至少一个连接部55a而连接到连接层55并维持。
参照图26H，去除结合于上部的第一临时基板57。第一临时基板57可以通过照射热或者UV而去除。由于缓冲部63利用能够通过热或者UV照射而熔化的物质形成，可以无薄膜部61的损坏地去除第一临时基板57。
参照图26I，在发光元件800的下部结合有第二临时基板59。第二临时基板59可以是橡胶(rubber)或者UV片，或者还可以是PET、PEN、PI片等聚合物基板，或者还可以是玻璃(Glass)、PC、PMMA等基板。
若第二临时基板59结合于发光元件800，则如图26J所示，利用第二临时基板59而将发光元件800从连接层55分离。通过向结合有发光元件800 的第二临时基板59施加朝向下方的外力，与各个发光元件800连接的至少一个连接部55a被切断，并且发光元件800从连接层55分离。
如图所示，施加到第二临时基板59的外力可以相对于第二临时基板59 的一侧而沿垂直于连接层55的方向施加。因此，各个发光元件800可以以连接于各个发光元件800的连接部55a依次被切断的方式从连接层55分离。
参照图26K，从连接层55分离的发光元件800在第二临时基板59上以具有预定间距的方式布置。在各个发光元件800上可以形成有至少一个作为连接部55a被断开而剩下的残留物的连接端部55b。连接端部55b与连接层 55为同一种物质，由于连接端部55b因连接部55a受到外力而被断开而形成，从而连接端部55b的厚度可以彼此不同。并且，如图所示，连接端部55b的厚度可以小于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的厚度。
并且，参照图26K和图26L，利用拾取部70将布置于第二临时基板59 上的发光元件800中的一部分转印至其他基板。被转印的基板可以是显示装置2000的面板基板210，根据需要，还可以被转印至用于其他工序的位置。
图27A至图27K是示出根据又一实施例的显示装置的制造方法的示意性的剖面图。
参照图27A，发光元件800形成于基板51上。基板51是用于使发光元件800的半导体层生长的基板，可以是蓝宝石基板、GaN基板或者GaAs基板。例如，在发光元件800为蓝色发光元件802或者绿色发光元件804的情况下，可以利用蓝宝石基板，在发光元件800为红色发光元件806的情况下，可以利用GaAs基板。
参照图27B，在基板51上形成有覆盖多个发光元件800的第一掩膜层53。第一掩膜层53形成为将多个发光元件800全部覆盖，并且可以在发光元件 800的上表面以具有预定的厚度的方式形成。第一掩膜层53例如可以利用感光性物质形成。
参照图27C，在第一掩膜层53上结合有第一临时基板57。第一临时基板 57可以是PET、PEN、PI片等聚合物基板，并且还可以是玻璃(Glass)、PC、 PMMA等基板。在第一临时基板57和第一掩膜层53之间可以布置有缓冲部 63。因此，在第一掩膜层53上部可以布置有缓冲部63，并且在缓冲部63的上部可以布置有第一临时基板57。
参照图27D，从发光元件800去除基板51。基板51可以通过激光剥离工序或者湿法蚀刻工序而被去除。例如，在基板51为蓝宝石基板的情况下，可以通过激光剥离工序或者化学剥离工序等去除基板51，并且在基板51为 GaAs基板的情况下，可以通过湿法蚀刻工序去除基板51。
参照图27E，随着基板51被去除，发光元件800的下表面和第一掩膜层 53的下表面可以被露出。在如上所述地露出的发光元件800和第一掩膜层53 的下部形成有第二掩膜层65。第二掩膜层65覆盖发光元件800的下表面，并且可以形成为比第一掩膜层53薄的厚度。
参照图27F，在第二掩膜层65形成多个孔H。至少一个孔H可以形成于各个发光元件800的下部，在本公开中，在各发光元件800的下部形成有三个孔H，并且，三个孔H可以相对于排列有发光元件800的至少一个方向而非对称地布置。在此，三个孔H在附图中相对于与排列有发光元件800的方向垂直的方向非对称地布置。
第二掩膜层65可以与第一掩膜层53相同地利用感光性物质形成，并且可以通过光刻(photo lithography)工序而形成多个孔H。多个孔H可以如图所示地形成为三角形形状。
参照图27G，在第二掩膜层65的下部成有连接层55。连接层55填充形成于第二掩膜层65的多个孔H而形成于第二掩膜层65的下部。由于多个孔 H分别形成于各个发光元件800的下部，因此连接层55可以通过形成于发光元件800下部的至少一个孔H而连接到发光元件800。填充孔H的连接部55a 与连接层55一同形成。连接部55a可以与第一导电型半导体层23直接接触。连接层55可以包括聚二甲基聚硅氧烷(PDMS，poly dimethylpolysiloxane)、环氧树脂(epoxy)、丙烯酸树脂(acryl)、彩色聚酰亚胺(color polyimide) 等有机物。但是并不局限于此。在此，连接层55的透光率可以是90％以上，折射率可以是1.4至1.7。
并且，在连接层55的下部结合有第二临时基板59，第二临时基板59可以是与第一临时基板57相同的PET、PEN、PI片等聚合物基板，并且还可以是玻璃(Glass)、PC、PMMA等基板。
参照图27H，去除结合于上部的第一临时基板57。第一临时基板57可以通过热或者照射UV而去除。由于缓冲部63利用能够通过热或者UV照射而熔化的物质形成，因此可以从第一掩膜层53去除第一临时基板57。
参照图27I，从发光元件800去除第一掩膜层53以及第二掩膜层65。第一掩膜层53以及第二掩膜层65可以利用丙酮、专用剥离器(stripper)、干法蚀刻等方式而被去除。如图所示，发光元件800可以通过连接于各个发光元件800的至少一个连接部55a而连接到连接层55并维持。
如上所述，如果第一掩膜层53和第二掩膜层65被去除，则如图27J所示，发光元件800以通过连接部55a而与连接层55连接的状态布置于第二临时基板59的上部。可以通过拾取部70将布置于第二临时基板59上部的发光元件800中的一部分转印至其他基板。
参照图27K，通过拾取部70拾取的发光元件800分别通过连接部55a从连接层55断开而从连接层55分离。拾取部70在发光元件800的上部拾取发光元件800，并且连接部55a布置于发光元件800的下部。据此，在各个发光元件800的下部可以形成有至少一个连接端部55b。
图28A至图28O是用于说明发光元件的变形例的平面图。
如同又一实施例，根据图28A至图28O所示的变形例的发光元件800中，连接端部55b与第一电极焊盘112及第二电极焊盘114相面对地布置于它们的相反面。在连接端部55b以如上所述的方式布置的情况下，所述连接尖端 55b执行在发光元件800的拾取和贴装过程中使发光元件800保持平衡的作用，因此能够防止由于发光元件800自身的重量偏差而发生旋转，从而导致位置偏离的问题。以下，为了便于说明，将连接端部55b的位置说明为与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114相对的位置。然而连接端部55b和第一电极焊盘112及第二电极焊盘114分别布置于发光元件800的相反面，它们之间并不会接触。
参照图28A，在第一变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有三个，并且布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114之间。即，三个连接端部55b形成于发光元件800的上表面。第一电极焊盘112和第二电极焊盘114形成于发光元件800的下表面。三个连接端部55b的形状可以形成为三角形的形状。在此，三个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.26％。
参照图28B，在第二变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有三个，并且布置于第一电极焊盘112及第二电极焊盘114的外侧。两个连接端部55b布置于第一电极焊盘112的附近，并且布置于第一电极焊盘112 的外侧的两个边角附近。并且另一个连接端部55b布置于第二电极焊盘114 的外侧。此时，布置于第一电极焊盘112侧的两个连接端部55b可以沿布置有第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的方向不同的方向布置。
并且，三个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的0.65％。
参照图28C，在第三变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有四个，并且在发光元件800的平面上较宽地分散布置。即，四个连接端部55b中的两个布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置，其余两个布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114之间。此时，布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置的两个连接端部55b可以分别布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的中央。
在此，连接端部55b可以形成为菱形形状，并且四个连接端部55b可以布置于菱形形状的各个边角。此时，四个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.22％。
参照图28D，在第四变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有四个。四个连接端部55b中的两个布置成与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114部分重叠，其余两个布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114 之间。第四变形例的连接端部55b可以相对于第三变形例的连接端部55b而以相对小的间距布置。
连接端部55b可以分别形成为菱形形状，并且四个连接端部55b可以布置于菱形形状的各个边角。此时，四个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.22％。
参照图28E，在第五变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有四个。第五变形例中的连接端部55b可以与第三变形例的连接端部55b 相同地布置。此时，第五变形例的连接端部55b的整体的面积可以形成为大于第三变形例的连接端部55b，并且可以为相对于发光元件800的平面上的面积的2.71％。
参照图28F，在第六变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有四个。第六变形例中的连接端部55b可以与第四变形例的连接端部55b 相同地布置。此时，第六变形例的连接端部55b的整体的面积可以形成为大于第四变形例的连接端部55b，并且可以为相对于发光元件800的平面上的面积的2.71％。
参照图28G，在第七变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有三个，并且布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置。即，两个连接端部55b布置于与第一电极焊盘112重叠的位置，另一个连接端部55b布置于与第二电极焊盘114重叠的位置。并且，布置于第一电极焊盘112侧的两个连接端部55b分别可以沿第一电极焊盘和第二电极焊盘所布置的方向不同的方向布置。
三个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的0.58％。
参照图28H，在第八变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有三个，并且布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114部分重叠的位置。三个连接端部55b中的一个布置于与第一电极焊盘112部分重叠的位置，其余两个连接端部55b布置于与第二电极焊盘114部分重叠的位置。此时，三个连接端部55b可以形成为三角形形状，并且三个连接端部55b可以分别布置于三角形形状的各个边角处。并且，第八变形例的连接端部55b相比于第一变形例的连接端部55b而较大地形成，并且可以为相对于发光元件 800的平面上的面积的2.76％。
参照第28I，在第九变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有四个，并且布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置。四个连接端部55b中的两个布置于与第一电极焊盘112重叠的位置，其余两个连接端部55b布置于与第二电极焊盘114重叠的位置。在此，第九变形例的连接端部55b可以形成为三角形的形状。并且，连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.68％。
参照图28J，在第十变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有三个，并且布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置。三个连接端部55b中的一个布置于与第一电极焊盘112重叠的位置，其余两个连接端部55b布置于与第二电极焊盘114重叠的位置。并且，连接端部55b 的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.26％。
参照图28K，在第11变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有三个，并且布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置。三个连接端部55b中的两个布置于与第一电极焊盘112重叠的位置，另一个连接端部55b布置于与第二电极焊盘114重叠的位置。并且，连接端部55b 的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.26％。
参照图28L，在第12变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114之间。连接端部55b形成为具有：基座(base)55ba，具有与布置有第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的方向垂直的方向的长度；第一延伸部55bb，布置于基座55ba的长度方向的一侧末端，并且沿朝向第一电极焊盘112的方向延伸；第二延伸部55bc，布置于基座55ba的长度方向的另一侧末端，并且沿朝向第二电极焊盘114的方向延伸。此时，第一延伸部55bb和第二延伸部55bc分别可以形成为越远离基座 55ba宽度越窄的形状。
此时，连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.92％。
参照图28M，在第13变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b 布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114之间。连接端部55b形成为具有：基座(base)55ba，具有与布置有第一电极焊盘112和第二电极焊盘114 的方向垂直的方向的长度；第一延伸部55bb，从基座55ba中央部分沿朝向第一电极焊盘112的方向延伸；第二延伸部55bc，从基座55ba中央部分沿朝向第二电极焊盘114的方向延伸。此时，第一延伸部55bb和第二延伸部55bc 分别可以形成为越远离基座55ba宽度越窄的形状。
此时，连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的1.161％。
参照图28N，在第14变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b配备有四个。四个连接端部55b中的两个布置于与第一电极焊盘112和第二电极焊盘114重叠的位置，其余两个布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘 114之间。此时，布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的连接端部 55b可以分别布置于第一电极焊盘112和第二电极焊盘114的边缘位置。此时，布置成与第一电极焊盘112重叠的连接端部55b可以在第一电极焊盘112上布置于靠近第二电极焊盘114的位置，布置成与第二电极焊盘114重叠的连接端部55b可以在第二电极焊盘114上布置于靠近第一电极焊盘112的位置。此时，四个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的0.49％。
参照图28O，在第15变形例中，形成于发光元件800的连接端部55b形成为四个。在发光元件800的大致中心处布置有一个连接端部，在与第二电极焊盘114重叠的位置布置有两个连接端部，并且在与第一电极焊盘112重叠的位置布置有一个连接端部。三个连接端部55b在外廓形成为三角形的形态，并且布置于发光元件800的中央处的连接端部55b可以位于由所述三个连接端部55b形成的三角形内。
布置于与第二电极焊盘114重叠的位置的两个连接端部布置于第二电极焊盘114的一侧边缘位置附近，并且可以相对于经过中心的长的直线而彼此对向地布置。
另外，布置于与第一电极焊盘112重叠的位置的连接端部布置于第一电极焊盘112的一侧边缘位置附近，并且可以远离经过中心的长的直线而布置。
连接端部可以分别形成为具有直角三角形形状，并且布置于发光元件800 的中心的连接端部可以如图所示地相对于其他连接端部而布置于反方向。
如果如上所述地设置成在布置于外廓的连接尖端55b之间布置独立的连接尖端55b，则能够起到在工艺中对施加到发光元件800的压力进行支撑并分散的作用，因此能够防止在发光元件800发生折断或弯曲。
当利用连接端部而从连接部分离发光元件时，首先形成重叠于第一电极焊盘112的连接端部，接着形成中心附近的连接端部，最后形成重叠于第二电极焊盘114的连接端部。据此，可以从连接部容易地分离发光元件，并且可以防止发生可能在发光元件产生的裂纹。
此外，在拾取或者贴装发光元件800时，发光元件800可能会根据连接端部的位置而不稳定地被拾取或贴装，据此，可能会产生裂纹。与此相对地，可以通过在发光元件800的两侧边缘位置以及发光元件800的中心附近分别布置连接端部而稳定地拾取或贴装发光元件800，因此能够防止发生可能在发光元件产生的裂纹。
此时，四个连接端部55b的整体面积可以为相对于发光元件800的平面上的面积的0.8％。
如上所述，通过使形成于发光元件800的连接端部55b的面积分别不同，而示出连接端部55b的面积比率和拾取发光元件800时的成功概率的话如表 1所示。
[表1]
通过第一变形例至第15变形例可以确认，相对于发光元件800在平面上的面积，当连接端部55b的面积比为1.2％以下时，拾取发光元件800的成功率较为良好。
图29A是示出用于说明根据本发明的又一实施例的发光元件811的示意性的平面图，图29B是沿图29A的截取线C-C'截取的示意性的剖面图。在此，将使用于像素P的发光元件中的一个第一发光元件811作为代表性的部件而进行说明，但是，还可以应用于后述的其他发光元件，例如，第二发光元件 813和第三发光元件815。
参照图29A及图29B，第一发光元件811可以包括：第一导电型半导体层2110、活性层2112、第二导电型半导体层2114、欧姆接触层2116、绝缘层2120、第一端子2122和第二端子2124。另外，连接端部55b可以与第一端子2122和第二端子2124相面对地布置于第一导电型半导体层2110侧。
第一导电型半导体层2110、活性层2112和第二导电型半导体层2114可以在基板上生长。上述基板可以是氮化镓基板、GaAs基板、Si基板、蓝宝石基板，尤其是图案化的蓝宝石基板等可用于半导体的生长的多种基板。生长基板可以通过机械研磨、激光剥离、化学剥离等技术而从半导体层分离。只不过，本发明并不局限于此，基板的一部分可以残留而构成第一导电型半导体层2110的至少一部分。
对发出绿色光的发光元件而言，半导体层可以包括：氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、铝镓铟磷化物(AlGaInP)或铝镓磷化物(AlGaP)。在一实施例中，对释放红色光的发光元件而言，第二半导体层可以包括：砷化镓(aluminum galliumarsenide,AlGaAs)、砷化镓磷化物(galliumarsenide phosphide,GaAsP)、铝镓铟磷化物(aluminumgallium indium phosphide, AlGaInP)或者磷化镓(gallium phosphide,GaP)。在一实施例中，对释放蓝色光的发光元件而言，半导体层可以包括：氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN) 或者硒化锌(zinc selenide,ZnSe)。
半导体层具体地包括第一导电型半导体层2110、活性层2112和第二导电型半导体层2114。第一导电型和第二导电型为彼此相反的极性，在第一导电型为n型的情况下，第二导电型为p型；在第一导电型为n型的情况下，第二导电型为n型。
第一导电型半导体层2110、活性层2112和第二导电型半导体层2114可以通过金属有机化学气相生长法(MOCVD)等公知的方法而在腔体内形成于基板上。另外，第一导电型半导体层2110包括n型杂质(例如，Si、Ge、 Sn)，第二导电型半导体层2114包括p型杂质(例如，Mg、Sr、Ba)。在一实施例中，第一导电型半导体层2110可以包括作为掺杂物而包含Si的GaN或者AlGaN，第二导电型半导体层2114可以包括作为掺杂物而包含Mg的 GaN或者AlGaN。
在附图中，示出为第一导电型半导体层2110和第二导电型半导体层2114 分别为单层，但是它们还可以是多层，并且可以包括超晶格层。活性层2112 可以包括单量子阱结构或者多量子阱结构，并且可以调节氮化物系半导体的组成比而释放所需要的波长。例如，活性层155可以释放蓝色光、绿色光、红色光或者紫外线。
第二导电型半导体层2114和活性层2112具有台面M结构，并布置于第一导电型半导体层2110上。台面M包括第二导电型半导体层2114和活性层 2112，并且可以如图29b所示地包括第一导电型半导体层2110的一部分。若台面M位于第一导电型半导体层2110的一部分区域上，则在台面M的周围可以露出第一导电型半导体层2110的上表面。
另外，所述台面M可以具有露出第一导电型半导体层2110的贯通孔 2114a。贯通孔2114a可以布置成与台面M的一侧边缘位置相近，但是并不局限于此，还可以布置于台面M的中央处。
欧姆接触层2116布置于第二导电型半导体层2114上，从而与第二导电型半导体层2114欧姆接触。欧姆接触层2116可以形成为单层或者多层，并且可以利用透明导电性氧化膜或者金属膜形成。透明导电性氧化膜例如可以列举ITO或者ZnO等，作为金属膜，可以列举Al、Ti、Cr、Ni、Au等金属和它们的合金。
绝缘层2120覆盖台面M和欧姆接触层2116。进而，绝缘层2110可以覆盖暴露于台面M周围的第一导电型半导体层2110的上表面和侧表面。另外，绝缘层2110可以在使欧姆接触层2116暴露的开口部2120a和贯通孔2114a 内具有使第一导电型半导体层2110暴露的开口部2120b。绝缘层2120可以形成为氧化硅膜或者氮化硅膜的单层或者多层。另外，绝缘层2120还可以包括分布式布拉格反射器等绝缘反射器。
第一端子2122和第二端子2124布置于绝缘层2120上。第一端子2122 可以通过开口部2120a而电连接于欧姆接触层2116，并且第二端子2124可以通过开口部2120b而电连接于第一导电型半导体层2110。
第一端子2122和/或第二端子2124可以构成为单层或者多层金属。作为第一端子2122和/或第二端子2124的材料可以包含Al、Ti、Cr、Ni、Au、等多样的金属和它们的合金等。
另外，连接端部55b可以以参照图28O说明的方式布置，但是并不局限于此，还可以布置于其他位置。只不过，通过如参照图28O进行说明的方式布置，可以有效地防止发光元件中产生裂纹(crack)。
在本公开的一实施例中，参照附图对发光元件简单地进行了说明，但是发光元件除上述的层以外还可以包括具有附加功能的层。例如，还可以包括用于反射光的反射层、用于绝缘特定构成要素的额外的绝缘层、用于防止焊料的扩散的焊料防止层等多样的层。
并且，在形成倒装芯片型发光元件的情况下，可以使台面形成为多种形态，而且第一端子2122和第二端子2124的位置或形状也可以以多种方式变更。另外，欧姆接触层2116可以被省略，并且第一端子2122可以直接接触于第二导电型半导体层2114。另外，如上文中描述的发光元件511、611，第二接触层可以形成于第一导电型半导体层2110上，并且第二端子2124可以连接于所述第二接触层。
图30A是用于说明根据本发明的又一实施例的像素区域Pa的示意性的平面图。图30B是沿图30A的截取线D-D'截取的示意性的剖面图。在此，所述像素Pa表示包括至少一个像素P的发光模块或者在像素单元内布置有一个像素P的区域。
参照图30A及图30B，所述像素区域Pa可以包括：基底基板900；第一发光元件至第三发光元件811、813、815；对齐标记901；光阻断层902；粘合层903；台阶调节层905；连接层907a、907b、907c；凸块921、923、925、 930；以及保护层909。
在本实施例中，基底基板900不包括电路，基底基板900是玻璃基板、石英、蓝宝石基板等透光性基板。
在此，示出一个像素区域Pa，但是在一个基底基板900上还可以形成有多个像素P。
基底基板900布置于显示装置的发光面。从发光元件811、813、815发出的光通过基底基板900而向外部发出。基底基板900的发光面可以包括凹凸PR，并且可以通过凹凸PR而提高发光效率，进而能够发出更均匀的光。基底基板900例如可以具有50um～500um的厚度。
光阻断层902可以包括炭黑等吸收光的光吸收物质。光吸收物质防止从发光元件811、813、815生成的光从基底基板900与发光元件811、813、815 之间的区域朝向侧面侧泄露，并且可以提高显示装置的对比度。
光阻断层902为了使从发光元件811、813、815生成的光入射到基底基板900而可以具有用于光行进路径的窗口，为此，可以以在基底基板900上暴露基底基板900的方式被图案化。窗口的宽度可以比发光元件的宽度窄。
粘合层903贴附于基底基板900上。粘合层903可以贴附于基底基板900 的前表面，并且为了贴附发光元件811、813、815而使用。粘合层903可以填充形成于光阻断层902的窗口。
粘合层903使从发光元件811、813、815发出的光透过透光性层。粘合层903为了使光扩散而可以包括SiO2、TiO2、ZnO等扩散物质(diffuser)、光扩散物质防止发光元件811、813、815从发光面被观察到。
对齐标记表示用于布置第一发光元件至第三发光元件811、813、815的位置(在图30b中被省略)。对齐标记901可以形成于基底基板900上或者粘合层903上。
另外，第一发光元件至第三发光元件811、813、815分别布置于通过对齐标记901而形成的区域上。第一发光元件至第三发光元件811、813、815 例如可以是绿色发光元件、红色发光元件、蓝色发光元件。在本实施例中，示出了第一发光元件至第三发光元件811、813、815布置成三角形的情形，但是并不局限于此，还可以布置成一列。
第一发光元件至第三发光元件811、813、815可以是参照上述图29a及图29b而说明的发光元件，但是并不局限于此，还可以使用水平型或者倒装芯片型结构的多种发光元件。
台阶调节层905覆盖第一发光元件至第三发光元件811、813、815。台阶调节层905具有使发光元件的第一端子2122和第二端子2124露出的开口部905a。台阶调节层905为了在形成凸块时使形成凸块的位置的高度均匀而形成。台阶调节层905例如可以利用聚酰亚胺形成。
连接层907a、907b、907c形成于台阶调节层905上。连接层907a、907b、 907c通过台阶调节层905的开口部905a而连接到第一发光元件至第三发光元件811、813、815的第一端子2122和第二端子2124。
例如，连接层907a电连接于第二发光元件813的第一导电型半导体层，并且连接层907c以电方式共同连接于第一发光元件至第三发光元件811、813、 815的第二导电型半导体层。连接层907a、907c可以在台阶调节层905上一同形成，并且，例如可以包括Au。
凸块921、923、925、930形成于上述连接层907a上。例如，第一凸块 921可以通过连接层907a而电连接于第一发光元件811的第一导电型半导体层，第二凸块923可以通过连接层907a而电连接于第二发光元件813的第一导电型半导体层，第三凸块925可以通过连接层907a而电连接于第三发光元件的第一导电型半导体层。另外，第四凸块930可以通过连接层907a而共同连接于第一发光元件至第三发光元件811、813、815的第二导电型半导体层。凸块921、923、925、930例如可以利用焊料来形成。
另外，保护层909覆盖凸块921、923、925、930的侧面，并且可以覆盖台阶调节层905。另外，保护层909可以覆盖暴露于台阶调节层905周围的粘合层903。保护层909例如可以利用感光性阻焊剂PSR形成，因此，可以首先通过光刻或显影而将保护层909图案化之后利用焊料来形成凸块921、 923、925、930。保护层909为了防止光的泄露而还可以利用白色反射物质或黑色环氧树脂等光吸收物质形成。
以上，对本公开的多种实施例进行了说明，但是本公开并不局限于上述实施例。另外，针对一个实施例说明的事项或构成要素在不脱离本公开的技术思想的范围内还可以被应用于其他实施例。
Claims (20)
1.一种发光装置的制造方法，其中，包括如下步骤：
在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层；
在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件；
在所述发光元件上形成保护膜；
向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光；
去除所述保护膜；以及
利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
2.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，
所述第一临时基板是蓝宝石基板。
3.如权利要求2所述的发光装置的制造方法，其中，
所述第一临时基板是具有凹凸部的图案化的蓝宝石基板。
4.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
在所述保护膜上贴附第二临时基板。
5.如权利要求4所述的发光装置的制造方法，其中，
在所述第二临时基板和所述保护膜之间提供有分离层。
6.如权利要求5所述的发光装置的制造方法，其中，
所述第二临时基板是蓝宝石基板，所述分离层包括ITO。
7.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其中，
所述保护膜包括聚二甲基硅氧烷。
8.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，
所述移送装置包括用于贴附所述发光元件的第一粘合层。
9.如权利要求8所述的发光装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
在所述基板上形成用于贴附所述发光元件的第二临时粘合层。
10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法，其中，
在利用移送装置而向所述基板上移送所述发光元件时，所述第一粘合层和所述发光元件之间的粘合面积小于所述第二临时粘合层和所述发光元件之间的粘合面积。
11.如权利要求10所述的发光装置的制造方法，其中，
所述第一粘合层和所述第二临时粘合层具有相同的粘合力。
12.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，
所述第一临时基板在上表面具有凹凸部。
13.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，
所述发光元件是蓝色发光元件和绿色发光元件中的至少一个。
14.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
在向所述基板移送所述发光元件之前，将所述发光元件移送到第三临时基板；以及
将所述第三临时基板的发光元件移送到所述基板上。
15.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中，
所述第三临时基板是柔性基板。
16.如权利要求15所述的发光装置的制造方法，其中，
从所述第三临时基板向所述基板移送所述发光元件的步骤包括如下步骤：
在所述基板上布置焊料；
将所述发光元件置于中间而使所述第三临时基板与所述基板对向；
将所述第三临时基板加压而将所述发光元件粘合到所述焊料；以及
去除所述第三临时基板。
17.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，还包括如下步骤：
制造红色发光元件；以及
利用移送装置而向所述基板上移送所述红色发光元件。
18.一种发光装置，其中，包括：
基板；以及
多个发光元件，提供于所述基板上，
所述发光元件分别包括：
第一半导体层；
活性层，提供于所述第一半导体层上；以及
第二半导体层，提供于所述活性层上，
从所述基板的上表面到所述活性层的距离为5微米至10微米。
19.如权利要求18所述的发光装置，其中，
所述多个发光元件射出彼此不同的颜色的光，
对射出所述彼此不同的颜色的光的发光元件而言，从所述基板的上表面到所述活性层的距离的偏差为1微米至2微米。
20.如权利要求19所述的发光装置，其中，
所述彼此不同的颜色的发光元件包括：
第一发光元件，射出红色光；
第二发光元件，射出绿色光；以及
第三发光元件，射出蓝色光。
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