KR20200038853A - 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20200038853A
KR20200038853A KR1020190118418A KR20190118418A KR20200038853A KR 20200038853 A KR20200038853 A KR 20200038853A KR 1020190118418 A KR1020190118418 A KR 1020190118418A KR 20190118418 A KR20190118418 A KR 20190118418A KR 20200038853 A KR20200038853 A KR 20200038853A
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KR
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display device
area
display
light
substrate
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KR1020190118418A
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친-룽 팅
리-웨이 마오
슌-유안 후
?-유안 후
Original Assignee
이노럭스 코포레이션
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Abstract

디스플레이 장치가 제공된다. 디스플레이 장치는 디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 패널을 포함한다. 디스플레이 장치는 디스플레이 영역과 중첩되는 적어도 하나의 이미지 센서를 포함한다. 적어도 하나의 이미지 센서는 감광 소자 및 감광 소자 상에 배치된 적어도 하나의 수광 소자를 포함한다.

Description

디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2018년 10월 3일자 출원된 미국 특허 가출원 제62/740,456호 및 2019년 5월 17일자 출원된 중국 특허 출원 제201910410058.6의 우선권을 주장하며, 이들의 전체 내용은 본원에 참조로 포함된다.
본 개시 내용의 실시예는 디스플레이 장치, 보다 구체적으로, 이미지 센서를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디지털 기술이 발전함에 따라, 디스플레이 장치가 널리 사용되고 일상 생활에 필수적이다. 또한, 디스플레이 장치는 더 얇고, 더 가볍고, 더 작고, 더 세련되게 개발되어 왔다.
그러나, 종래의 디스플레이 장치는 모든 점에서 만족스러운 것은 아니었다. 따라서, 새로운 디스플레이 장치가 요구된다.
본 개시 내용은 디스플레이 장치를 개시한다. 디스플레이 장치는 디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 패널을 포함한다. 또한, 디스플레이 장치는 디스플레이 영역과 중첩되는 적어도 하나의 이미지 센서를 포함한다. 이미지 센서는 감광 소자 및 이 감광 소자 상에 배치된 적어도 하나의 수광 소자를 포함한다.
또한, 본 개시 내용은 디스플레이 장치를 개시한다. 디스플레이 장치는 디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 패널을 포함한다. 또한, 디스플레이 장치는 디스플레이 영역과 중첩되는 적어도 하나의 센서를 포함한다.
첨부된 도면을 참조로 다음의 실시예에 상세한 설명이 제공된다.
본 개시 내용은 첨부 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명 및 실례를 파악하는 것에 의해 더 완전하게 이해될 수 있다. 도면에서:
도 1은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 2는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도를 예시하며;
도 3은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 상면도를 예시하며;
도 4는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 5는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 6은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 7a는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 상면도를 예시하며;
도 7b는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 도 7a의 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 8은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 9는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치의 단면도를 예시하며;
도 10a 및 도 10b는 본 개시 내용의 일부 실시예에 따라 디스플레이 장치와 피사체 간의 상호 작용을 보여주는 도면이다.
본 개시 내용의 디스플레이 장치를 다음의 설명에서 상세히 설명한다. 다음의 상세한 설명에서, 설명의 목적으로, 본 개시 내용의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부 사항 및 실시 형태를 제시한다. 본 개시 내용을 명확하게 기술하기 위해 다음의 상세한 설명에 기재된 특정 요소와 구성을 제시한다. 그러나, 여기에 제시된 예시적인 실시예들은 단지 예시의 목적으로 사용되며, 발명의 개념은 상기 예시적인 실시예에 한정되지 않고 다양한 형태로 구현될 수 있음이 분명할 것이다. 추가로, 다른 실시예의 도면들은 본 개시 내용을 명확하게 기술하기 위해 유사하거나 및/또는 대응하는 요소를 지시함에 있어서 유사하거나 및/또는 대응하는 번호를 사용할 수 있다. 그러나, 다른 실시예의 도면들에 유사하거나 및/또는 대응하는 번호를 사용하는 것은 다른 실시예 사이에 어떤 상관 관계를 암시하지 않는다. 추가로, 본 명세서에서 "제2 재료층 상에/위에 배치된 제1 재료층"과 같은 표현은 제1 재료층과 제2 재료층의 직접적인 접촉을 나타내거나 제1 재료층과 제2 재료층 사이에 형성된 하나 이상의 중간층을 나타낼 수 있다. 상기의 상황에서, 제1 재료층은 제2 재료층과 직접 접촉되지 않을 수 있다.
본 개시 내용의 도면에 있는 요소들 또는 장치들은 당업자에게 알려진 임의의 형태 또는 구성으로 제시될 수 있음을 알아야 한다. 또한, "다른 층 위에 놓인 층", "층이 다른 층 위로 배치됨", "층이 다른 층 상에 배치됨" 및 "층이 다른 층 위에 배치됨"이라는 표현은 층이 다른 층과 직접 접촉되거나, 층이 다른 층과 직접 접촉되지 않으면서 해당 층과 다른 층 사이에 하나 이상의 중간층이 배치되어 있음을 나타낼 수 있다.
추가로, 본 명세서에는 상대적 표현이 사용된다. 예를 들면, 한 요소의 다른 요소에 대한 위치를 설명하기 위해 "하부", "바닥", "상부측", 또는 "상부" 등이 사용된다. 장치가 상부가 아래로 뒤집어지면, "하부"인 요소는 "상부측"인 요소가 될 것임을 알아야 한다.
"약", "실질적으로" 등의 용어는 일반적으로 언급된 값의 +/-20%, 더 일반적으로 언급된 값의 +/-10%, 더 일반적으로 언급된 값의 +/-5%, 더 일반적으로 언급된 값의 +/-3%, 더 일반적으로 언급된 값의 +/-2%, 더 일반적으로 언급된 값의 +/-1%, 보다 더 일반적으로 언급된 값의 +/-0.5%를 의미한다. 본 개시 내용의 언급된 값은 근사값이다. 특정 설명이 없으면, 언급된 값은 "약", "실질적으로"의 의미를 포함한다.
제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 요소, 성분, 영역, 층, 부분 및/또는 섹션을 설명하기 위해 여기에서 사용될 수 있지만, 이들 요소, 성분, 영역, 층, 부분 및/또는 섹션은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안된다는 것을 알아야 한다. 이들 용어는 하나의 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션을 다른 영역, 층 또는 섹션으로부터 구별하는 데에만 사용된다. 따라서, 아래에 설명되는 제1 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션은 본 개시 내용의 교시를 벗어나지 않고 제2 요소, 성분, 영역, 층, 부분 또는 섹션으로 명명될 수 있다.
달리 정의되지 않으면, 여기에 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 개시 내용이 속하는 업계의 통상적인 기술자가 일반적으로 이해하는 바와 동일한 의미를 가진다. 각각의 경우, 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 용어는 본 개시 내용과 배경의 상대적인 기술 또는 본 개시 내용의 맥락에 부합하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 그렇게 정의되지 않으면 이상화되거나 과도하게 형식적인 방식으로 해석되어서는 안된다는 것을 알아야 한다.
예시적인 실시예의 설명은 전체의 기록된 설명의 일부로 간주될 수 있는 첨부 도면과 관련하여 파악되도록 의도된 것임을 이해하여야 한다. 도면은 일정 비율로 작성되지 않는다. 추가로, 구조체와 장치는 도면을 단순화하기 위해 개략적으로 예시된다.
설명에서, 예컨대, "하측", "상측", "수평", "수직", "위쪽", "위의" "아래의", "밑", "위로", "아래로", "상부", "바닥" 등등과 그 파생어(예, "수평으로", "하측으로", "상측으로" 등)와 같은 상대적인 용어는 논의 하에서 설명되거나 도면에 예시된 바와 같은 배향을 지칭하도록 해석되어야 한다. 이들 상대적인 용어는 설명의 편의를 위한 것으로 장치가 특정 배향으로 구성되거나 동작되는 것을 필요로 하지 않는다. "연결된"과 "상호 연결된" 등의 부착, 결합 등에 관한 용어는 달리 명시적으로 설명되지 않는 한, 이동 가능하거나 견고한 부착 또는 관계 양자 모두는 물론, 구조체들이 서로 직접적으로 또는 중개 구조체를 통해 간접적으로 고정 또는 부착되는 관계를 말한다.
"기판"이라는 용어는 투명 기판 상에 형성된 장치 및 투명 기판 위에 있는 층을 포함하는 것을 의미하며, 필요한 모든 능동 소자(예, 트랜지스터)는 기판 위에 이미 형성될 수 있다. 그러나, 첨부 도면에 예시된 기판은 도면을 단순화하기 위해 평탄한 표면으로 표현된다. "기판 표면"이라는 용어는 절연층 및/또는 배선 라인과 같은, 기판 상의 최상부 노출층을 포함하는 것을 의미한다.
본 개시 내용의 실시예에서 설명된 구조체의 두께는 비정상 값을 삭제한 후의 구조체의 평균 두께에 대한 값을 나타낸다. 비정상 값은 에지, 극소 미세 트렌치 또는 극소 미세 융기 영역의 두께일 수 있다. 비정상 값을 삭제한 후, 두께의 대부분의 값은 +/- 3의 표준 편차의 범위 내에 있다.
도 1을 참조한다. 도 1은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)의 단면도를 예시한다. 디스플레이 장치(100)는 텔레비전, 랩탑, 컴퓨터, 피처 폰(feature phone), 스마트 폰, 공공 정보 디스플레이(PID), 터치 디스플레이 또는 타일형 디스플레이와 같은 최신 정보 장치를 포함할 수 있다. 도 1에 예시된 바와 같이. 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(102)을 포함하고; 디스플레이 패널(102)은 기판(110) 및 발광 유닛(120)을 포함할 수 있다. 기판(110)은 유리 기판, 중합체 기판, 세라믹 기판, 사파이어 기판, 회로 기판, 수지 기판, 다른 적절한 기판 또는 이들의 조합과 같은 플렉시블 또는 비-플렉시블 기판을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 일부 실시예에서, 기판(110)은 단일층 구조 또는 다층 구조를 포함할 수 있다. 기판(110)은 복수의 능동 소자(미도시) 또는 능동 구동 회로(미도시), 예를 들어 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는 스위치 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 리셋 트랜지스터 또는 다른 트랜지스터를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 일부 실시예에서, 박막 트랜지스터는 적어도 하나의 반도체 층을 포함할 수 있다. 반도체의 재료는 비정질 실리콘, 저온 폴리실리콘(LTPS)과 같은 폴리실리콘, 금속 산화물, 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 금속 산화물은 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 갈륨 아연 주석 산화물(IGZTO), 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 층이 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 층인 실시예에서, In, Ga, Zn 및 O의 비율은 1:1:1:4 일 수 있다. 또한, 반도체 층은 다른 조성물을 포함할 수 있고, p-형 또는 n-형의 도펀트로 도핑될 수 있다.
기판(110)은 또한 커패시터, 인덕터 또는 다른 수동 소자와 같은 수동 소자(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 기판(110)은 후술되는 발광 유닛(120)과 같은 발광 유닛 또는 박막 트랜지스터에 연결하는 데 사용되는 도전 와이어(미도시)를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 일부 실시예에서, 기판(110)은 광의 일부가 통과하도록 광 투과성일 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(110)의 평균 광 투과율은 5% 이상 100% 이하일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)의 평균 광 투과율은 50%, 70% 또는 80% 이상일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 평균 광 투과율은 다수의 지점, 예컨대, 3곳의 지점에서 광 투과율을 측정한 후 이들을 평균화하거나, 또는 예컨대 1 mm2의 선택된 영역의 평균 광 투과율을 측정하는 것에 의해 얻을 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
디스플레이 장치(100)는 기판(110)의 표면(S1) 상에 배치되는 복수의 발광 유닛(120)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 발광 유닛(120)은 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 양자점(QD), 양자점-발광 다이오드(QD-LED 또는 QLED), 다른 적절한 발광 유닛, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. LED는 미니 LED 및/또는 마이크로 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 발광 다이오드의 p-n 접합에서 전자와 정공의 재결합 방사는 전자기 방사(예, 광)를 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 갈륨 비소화물(GaAs) 또는 갈륨 질화물(GaN)과 같은 직접 밴드 갭 재료에 의해 형성된 p-n 접합에 순방향 바이어스가 인가되면, 공핍 영역에 주입된 전자와 정공은 재결합한 후 광자에 의해 에너지를 방출한다. 상기 전자기 방사는 가시광 또는 비-가시광일 수 있다. 상이한 밴드 갭을 가지는 재료는 상이한 색상의 광을 생성하는 데 사용될 수 있다.
일부 실시예에서, 디스플레이 장치(100)는 센서(130)를 포함할 수 있다. 센서(130)는 기판(110)의 표면(S1)과 반대되는 표면(S2) 상에 배치될 수 있다. 도 1은 단지 하나의 센서(130)를 예시하지만, 본 개시 내용은 이것에 한정되지 않으며, 다시 말해, 디스플레이 장치(100)는 더 많은 센서(130)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 센서(130)는 이미지 센서, 광학 센서, 초음파 센서, 다른 적절한 센서 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이미지 센서는 전하 결합 소자(CCD), 상보적 금속-산화물 반도체(CMOS), 다른 적절한 소자 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 센서(130)에 의해 검출된 광원은 적외선 광원, 가시광 광원 및/또는 자외선 광원을 포함할 수 있다. 센서(130)는 적외선 센서, 가시광 센서, 자외선 센서 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 기판(110)은 광 투과성이므로, 광(L)은 기판(110)을 통과하여 센서(130)로 입사될 수 있다.
도 2에 예시된 바와 같이, 센서(130)는 적어도 하나의 지지 요소(131), 적어도 하나의 감광 소자(132) 및/또는 적어도 하나의 수광 소자(133)를 포함할 수 있다. 센서(130)는 특정 파장의 광이 통과되도록 하는 데 사용되는 광 필터와 같은 다른 요소를 포함할 수 있음을 알아야 한다. 그러나, 본 개시 내용의 범위는 이것에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 일부 실시예에서, 적어도 하나의 수광 소자(133)는 기판(110)과 적어도 하나의 감광 소자(132) 사이에 배치된다. 일부 실시예에서, 지지 요소(131)는 감광 소자(132), 수광 소자(133) 및/또는 다른 요소를 지지하거나 이들을 그 상부에 고정되게 하도록 구성된다. 지지 요소(131)는 광이 감광 소자(132) 및 적어도 하나의 수광 소자(133)로 입사될 수 있도록 하는 개구를 가진다. 일부 실시예에서, 광은 적어도 하나의 수광 소자(133)를 통해 감광 소자(132)로 입사될 수 있다. 다른 실시예에서, 센서(130)는 지지 요소(131)를 포함하지 않을 수 있고, 감광 소자(132)와 수광 소자(133) 사이에, 광 필터 층(미도시), 절연층(미도시), 투광층(미도시), 다른 층 또는 이들의 조합과 같은 다른 층이 형성되어 존재할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 수광 소자(133)는 생략되거나 다른 소자로 대체될 수 있다. 예를 들어, 센서(130)가 초음파 센서인 경우, 수광 소자(133)는 생략될 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이것에 한정되는 것으로 의도된 것은 아니다. 감광 소자(132)는 복수의 광 다이오드(미도시)를 포함할 수 있으며, 광 다이오드는 수신된 광을 전자 신호로 변환하고, 해당 전자 신호를 이미지 처리 칩(미도시)으로 전송한 다음, 이미지로 복원할 수 있다. 수광 소자(133)는 감광 소자(132) 상에 배치되어, 한정되는 것은 아니지만, 센서(130)의 감도를 향상시키는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 수광 소자(133)는 적어도 하나의 렌즈를 포함할 수 있다. 대안적으로, 수광 소자(133)는 한정되는 것은 아니지만 렌즈 어레이일 수 있거나, 복수의 렌즈를 적층함으로써 형성될 수 있다. 도 2는 하나의 감광 소자(132)가 하나의 수광 소자(133) 상에 대응하여 배치되어 있음을 예시하지만, 본 개시 내용의 범위는 이것에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 예를 들어, 다수의 수광 소자(133)가 하나의 감광 소자(132)에 대응하는 어레이를 구성하거나, 하나의 수광 소자(133)가 다수의 감광 소자(132)에 대응하도록 설계될 수 있다.
도 3을 참조한다. 도 3은 본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)의 상면도를 예시한다. 디스플레이 패널(102)은 디스플레이 영역(100A) 및 디스플레이 영역(100A)에 인접한 비-디스플레이 영역(100B)을 포함할 수 있고; 예를 들어, 비-디스플레이 영역(100B)은 디스플레이 영역(100A)을 둘러쌀 수 있다. 일부 실시예에서, 디스플레이 영역(100A)은 이미지를 표시하는 영역일 수 있으며, 발광 유닛(120)이 배치되는 기판(110)의 영역에 해당한다. 비-디스플레이 영역(100B)은 이미지를 표시하는 데 사용되지 않으며, 비-디스플레이 영역(100B) 상에 배치되는 발광 소자(120)는 존재하지 않는다. 비-디스플레이 영역(100B)은 기판(110) 상에 형성된 도전 와이어 또는 다른 요소를 차폐하기 위한 차광 요소(미도시)를 포함할 수 있다. 차광 요소는 블랙 포토레지스트, 블랙 잉크, 블랙 수지 및/또는 다른 적절한 차광 재료를 포함할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 발광 유닛(120)은 비-디스플레이 영역(100B)에 배치되지만, 차광 요소에 의해 차폐될 수 있다.
일부 실시예에서, 발광 유닛(120)은 적어도 하나의 서브 픽셀(121)을 포함할 수 있다. 도 3은 하나의 발광 유닛(120)이 3개의 서브 픽셀(121)을 포함할 수 있는 것으로 예시하고 있지만, 본 개시 내용은 이에 한정되도록 의도된 것이 아니며, 다시 말해, 하나의 발광 유닛(120)은 예컨대, 4개의 서브 픽셀과 같이 하나 이상의 서브 픽셀(121)을 포함할 수 있다. 도 3에 예시된 서브 픽셀(121)은 각각 청색, 적색, 녹색 및 백색 광을 방출하는 청색 서브 픽셀, 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 백색 서브 픽셀을 포함할 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되지 않는다.
일부 실시예에서, 발광 유닛(120)의 발광 다이오드는 p-형 반도체 층, n-형 반도체 층 및 그 사이에 배치된 발광층을 포함할 수 있다. p-형 반도체 층은 정공을 제공하는 반면, n-형 반도체 층은 전자를 제공하고; 따라서, 정공과 전자는 재결합하여 전자기 방사를 발생시킨다. 반도체 층은 한정되는 것은 아니지만, 알루미늄 질화물(AlN), GaN, GaAs, 질화 인듐 질화물(InN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 알루미늄 인듐 질화물(AlInN), 인듐 갈륨 질화물(InGaN), 알루미늄 인듐 갈륨 질화물(AlInGaN) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 발광층은 한정되는 것은 아니지만, 균일 접합, 이종 접합, 단일 양자 우물(SQW), 다중 양자 우물(MQW) 또는 임의의 다른 유사한 구조체를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 발광층은 도핑되지 않은 n-형 InxGa(1-x)N을 포함한다. 다른 실시예에서, 발광층은 AlxInyGa(1-x-y)N과 같은 다른 적합한 재료를 포함할 수 있다. 또한, 발광층은 우물층(예, InGaN)과 장벽층(예, GaN)이 교대로 배열된 다중 양자 우물 구조체를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 발광 유닛(120)은 서브 픽셀(121)을 둘러싸고 고정하는 몰딩 재료(122)를 포함할 수 있다. 몰딩 재료(122)는 투광성 물질 및 불투명 도펀트를 포함할 수 있다. 물질의 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 수지, 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 불투명 도펀트는 블랙 물질 또는 광 산란 물질을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 발광 유닛(120)은 파장 변환 요소와 같은 다른 요소를 더 포함할 수 있다. 파장 변환 요소는 양자점 필름, 형광 재료 또는 다른 파장 변환 재료를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 파장 변환 요소는 양자점과 혼합된 유기층 또는 무기층일 수 있다. 양자점의 재료는 아연, 카드뮴, 셀레늄, 황, 인듐 인화물(InP), 갈륨 안티몬화물(GaSb), GaAs, 카드뮴 셀렌화물(CdSe), 카드뮴 황화물(CdS), 아연 황화물(ZnS) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 양자점의 크기는 약 1 nm 내지 약 30 nm의 범위일 수 있으나, 본 개시 내용은 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 유닛(120)은 광 필터층도 포함할 수 있다. 발광 유닛(120)으로부터 방출되는 광의 파장은 파장 변환 요소 및/또는 광 필터층에 의해 조절될 수 있다.
도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 영역(100A)에 배치된 복수의 센서(130)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 적어도 하나의 센서(130)의 일부는 비-디스플레이 영역(100B)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 디스플레이 영역(100A)은 비-디스플레이 영역(100B)으로부터 멀리 떨어진 중앙 영역(미도시)을 가질 수 있다. 복수의 센서(130)는 중앙 영역에 배치될 수 있거나, 복수의 센서(130)는 중앙 영역과 중첩될 수 있다. 예를 들어, 중앙 영역은 디스플레이 영역(100A)의 50% 내지 95%, 예컨대 70%, 80%, 85%, 90% 또는 93%를 차지할 수 있다. 일부 실시예에서, 수광 소자(133)는 광을 집광하는 기능을 가진다. 상면도로 보아, 센서(130)의 면적은 수광 소자(133)의 면적 이상일 수 있음을 알아야 한다. 또한, 수광 소자(133)의 윤곽은 원형, 타원형 또는 다른 형태를 포함할 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 센서(130)의 윤곽은 상면도로 보아 수광 소자(133)의 윤곽과 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시예에서, 센서(130)는 발광 유닛(120)과 부분적으로 중첩될 수 있고; 보다 구체적으로, 수광 소자(133)는 발광 유닛(120)의 일부와 중첩될 수 있다. 발광 유닛(120)으로부터 방출된 광은 기판(110)을 통해 수광 소자(133)로 입사될 것이다. 일부 실시예에서, 디스플레이 패널(102)은 발광 유닛(120)이 배치되지 않은 기판(110)의 디스플레이 영역(100A)의 영역에 대응하는 수광 영역(111)을 포함할 수 있다. 수광 영역(111)은 디스플레이 영역(100A)과 중첩될 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(110)의 수광 영역(111)의 적어도 일부는 광 투과성이다. 수광 영역(111)의 평균 광 투과율은 1% 이상 100% 이하, 예컨대, 20%, 50%, 70%, 80%, 90% 또는 95% 일 수 있다. 일 실시예에서, 기판(110)의 수광 영역(111)의 평균 광 투과율은 5% 이상 100% 이하, 예컨대 20%, 50%, 70%, 80%, 90% 또는 95% 일 수 있다.
일부 실시예에서, 하나의 센서(130)의 면적은 상면도로 보아 하나의 발광 유닛(120)의 면적보다 클 수 있다. 일부 실시예에서, 하나의 센서(130)의 총 면적은 상면도로 보아 하나의 발광 유닛(120)의 면적보다 클 수 있다. 예를 들어, 하나의 센서(130)의 모든 수광 소자(133)의 총 면적은 하나의 발광 유닛(120)의 면적보다 클 수 있다. 일부 실시예에서, 하나의 센서(130)의 모든 수광 소자(133)의 총 면적은 약 1 mm2 내지 약 100 mm2의 범위, 즉 1 mm2 ≤ 총 면적 ≤ 100 mm2, 예컨대 5 mm2, 10 mm2, 20 mm2 또는 50 mm2 일 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 총 면적은 요구 사항에 따라 조정될 수 있다. 고 해상도가 필요한 일 실시예에서, 모든 수광 소자(133)의 총 면적은 100 mm2 이상일 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 일부 실시예에서, 모든 센서(130)의 총 면적은 상면도로 보아 디스플레이 영역(100A)의 면적의 70% 이하일 수 있다. 예를 들어, 모든 수광 소자(133)의 총 면적은 상면도로 보아 디스플레이 영역(100A)의 면적의 70% 이하일 수 있다. 또한, 디스플레이 영역(100A)의 면적은 전체 디스플레이 장치(100)의 면적의 약 90% 일 수 있고, 비-디스플레이 영역(100B)의 면적은 전체 디스플레이 장치(100)의 면적의 약 10% 일 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 일부 실시예에서, 하나의 센서(130)는 상면도로 보아 다수의 발광 유닛(120)과 중첩될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 면적이 수광 소자(133)와 발광 유닛(120) 사이의 중첩 면적인 경우, 제2 면적은 수광 소자(133)의 면적이고, 제2 면적에 대한 제1 면적의 비율은 0.01 이상 0.95 이하, 즉 0.01 ≤ 제1 면적/제2 면적 ≤ 0.95이다. 본 실시예에서, 하나의 센서(130)의 수광 소자(133)의 면적 대 하나의 발광 유닛(120)의 면적의 비율은 1보다 크고 10보다 작다. 본 개시 내용에서, "중첩"이란 용어는 "부분 중첩" 및 "완전 중첩"을 포함한다.
센서(130)의 수광 소자(133)의 초점 길이와 센서(130)의 수광 소자(133)와 기판(110) 간의 거리 사이의 관계를 나타낸 도 4를 참조한다. 도 4에는 간결성을 위해 수광 소자(133)만이 예시된다. 기판(110)의 표면(S2)의 법선 방향으로, 수광 소자(133)와 기판(110)의 표면(S2) 사이의 최소 거리는 거리(D1)이고, 수광 소자(133)의 초점 거리는 초점 길이(D2)이다. 일부 실시예에서, 초점 길이(D2)는 거리(D1)보다 커서, 즉 D2 > D1이다. 일부 실시예에서, 초점 길이(D2)는 거리(D1)의 5배 이상일 수 있고, 초점 거리(D2)는 거리(D1)의 1000배 이하일 수 있어서, 즉 5 ≤ D2/D1 ≤ 1000 일 수 있다. D2/D1은 10, 20, 50, 100 또는 500일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 일부 실시예에서, 센서(130)는 수광 소자(133)의 초점 거리(D2)가 조절될 수 있는 광학 줌의 기능을 가지는 수광 소자(133)를 포함할 수 있다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(200)의 단면도를 예시하는 도 5를 참조한다. 디스플레이 장치(200)는 디스플레이 장치(100)와 동일하거나 유사할 수 있으며, 차이점 중 하나는 디스플레이 장치(200)의 디스플레이 패널(102)이 저투광층(140)을 더 포함할 수 있다는 것이다. 예를 들어, 저투광층(140)은 기판(110)의 표면(S1) 상에서 2개의 인접한 발광 유닛(120) 사이에 배치된다. 예를 들어, 저투광층(140)은 도 3에 예시된 바와 같이 수광 영역(111)에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 가시광 스펙트럼에서의 저투광층(140)의 광 투과율은 50% 이하이고 0.5% 이상, 즉 0.5% ≤ 광 투과율 ≤ 50%, 예컨대, 2%, 5%, 10% 또는 20% 일 수 있다. 다른 스펙트럼에서의 저투광층(140)의 광 투과율은 50% 이하일 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 저투광층(140)의 재료는 포토레지스트를 포함할 수 있다. 또한, 저투광층(140)의 광 투과율을 조절하기 위해 포토레지스트 내에 일부 흡광 재료 또는 다른 재료가 첨가될 수 있다. 일부 실시예에서, 저투광층(140)의 광 투과율은 디스플레이 장치(200)의 광 투과율 이하일 수 있다.
흡광 재료는 지르코늄 이산화물(ZrO2), 칼륨 니오브산염(KNbO3), 실리콘 탄화물(SiC), 갈륨 인화물(GaP), 갈륨 비소화물(GaAs), 아연 산화물(ZnO), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘 게르마늄(SiGe), 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
일부 실시예에서, 저투광층(140)은 디스플레이 영역(100A)에 대응하는 영역 또는 2개의 인접한 발광 유닛(120) 사이의 영역에 복수의 개구(141)를 형성하도록 패턴화될 수 있다. 광은 기판(110)을 투과할 수 있어서 다수의 개구(141)를 통해 센서(130) 내로 입사된다. 상기 패턴화된 공정은 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정을 포함할 수 있으며, 포토리소그래피 공정은 포토레지스트 코팅(예, 스핀-온 코팅), 소프트 베이킹, 마스크 정렬, 노광, 노광 후 베이킹, 포토레지스트 현상, 세정 및 건조(예, 하드 베이킹), 다른 적절한 공정 또는 이들의 조합을 포함한다. 포토리소그래피 공정은 무-마스크 포토리소그래피, 전자빔 기록 또는 이온빔 기록에 의해 구현되거나 대체될 수 있다. 에칭 공정은 건식 에칭, 습식 에칭, 또는 반응성 이온 에칭과 같은 다른 에칭 방법을 포함할 수 있다.
저투광층(140)을 형성함으로써, 디스플레이 장치(200)의 콘트라스트가 향상되며; 그 결과, 디스플레이 장치(200)의 이미지가 훨씬 더 선명해진다. 또한, 이미지의 콘트라스트를 개선하고 센서(130)의 감광도에 대한 영향을 줄이기 위해, 디스플레이 영역(100A)에 개구(141)가 형성되어 기판(110)을 통해 센서(130)로 입사되는 광량이 증가될 수 있다. 또한, 개구(141)의 수 및/또는 형상은 요구 사항에 따라 조정될 수 있으며, 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 또한, 저투광층(140)의 강도를 보상하기 위해 개구(141)에 투명 물질이 충전될 수 있다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(300)의 단면도를 예시하는 도 6을 참조한다. 디스플레이 장치(300)는 디스플레이 장치(100)와 동일하거나 유사할 수 있으며, 차이점 중 하나는 디스플레이 장치(300)가 기판(110')을 포함한다는 것이다. 도 1의 기판(110)은 기판(110') 및 그 내부에 다수의 개구(112)를 형성하도록 패턴화될 수 있다. 이 실시예에서, 센서(130)의 적어도 일부는 기판(110)에 의해 덮이지 않으며, 개구(112)는 센서(130)의 일부를 노출시킨다. 개구(112)는 디스플레이 영역(100A)에 대응하는 기판(110')의 영역에 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 개구(112)는 인접한 2개의 발광 유닛(120) 사이에 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 개구(112)는 도 3의 상면도에 예시된 바와 같이 수광 영역(111)에 대응하는 영역 상에 형성될 수 있다. 개구(112)의 형성은 기판(110')을 통과하는 광량을 증가시켜 디스플레이 장치(300)의 센서(130)의 감광도를 향상시키는 데 도움이 된다. 또한, 개구(112)의 형상 및/또는 수는 요구 사항에 따라 조절될 수 있으며, 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 또한, 기판(110')의 강도를 보상하기 위해 개구(112)에 투명 재료가 충전될 수 있다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(400)의 상면도 및 단면도를 예시한 도 7a 및 도 7b를 참조한다. 도 7a 및 도 7b에 예시된 바와 같이, 센서(130)는 기판(110)의 표면(S1) 상에 2개의 인접한 발광 유닛(120) 사이에 배치될 수 있다. 이 실시예에서, 광은 기판(110)을 관통하지 않고 센서(130)로 입사되기 때문에, 센서(130)는 더 많은 광을 수용할 수 있어서 디스플레이 장치(400)의 감광도를 향상시킨다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(500)의 단면도를 예시한 도 8을 참조한다. 디스플레이 장치(500)는 디스플레이 장치(100)와 동일하거나 유사할 수 있으며, 차이점 중 하나는 디스플레이 장치(500)가 지지 기판(150) 및 지지 기판(150) 상에 배치된 기판(160)을 더 포함할 수 있다는 것이다. 지지 기판(150)은 기판(160)을 지지하도록 구성된다. 지지 기판(150)의 재료는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 유리, 아크릴 중합체, 실록산 중합체, 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(160)은 플라스틱 기판 또는 다른 적절한 기판과 같은 플렉시블 기판을 포함하고, 플라스틱 기판의 재료는 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리아릴레이트(PAR), 다른 적절한 재료 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이것에 한정되지는 않는다.
도 8에 예시된 바와 같이, 기판(160)은 표면(S1 및 S2)을 가진다. 일부 실시예에서, 기판(160)은 기판(160)의 굽힘 영역으로 정의될 수 있는 넓은 영역(161)을 포함한다. 도 8에 예시된 바와 같이, 발광 유닛(120)은 표면(S1) 상에 배치될 수 있고, 센서(130)는 기판(160)의 넓은 영역(161) 상에 배치될 수 있다. 이 실시예에서, 지지 기판(150)은 기판(160)과 센서(130) 사이에 배치된다. 센서(130)는 지지 기판(150)과 넓은 영역(161) 사이에 배치될 수 있다.
일부 실시예에서, 기판(160)은 박막 트랜지스터(미도시)와 같은 복수의 능동 소자를 포함할 수 있으며, 발광 유닛(120)을 구동시키고 이들을 발광시킨다. 기판(160)은 커패시터, 인덕터 또는 다른 수동 소자와 같은 수동 소자(미도시)도 포함할 수 있다. 또한, 기판(160)은 도전 와이어(미도시)를 포함한다. 플렉시블 기판(160)을 제공함으로써, 더 많은 회로 레이아웃이 달성될 수 있다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따른 디스플레이 장치(600)의 단면도를 예시한 도 9를 참조한다. 디스플레이 장치(600)는 디스플레이 장치(500)와 동일하거나 유사할 수 있으며, 차이점 중 하나는 디스플레이 장치(600)의 센서(130)가 지지 기판(150)과 직접 접촉하지 않는다는 것이다. 도 9에 예시된 바와 같이, 센서(130)는 기판(160)의 넓은 영역(161) 상에 배치된다. 이 실시예에서, 센서(130)는 기판(160)의 표면(S1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(600)는 지지 기판(150)과 기판(160)을 관통하여 기판(160)의 넓은 영역(161)까지 연장되는 다수의 개구(162)를 포함할 수 있다. 센서(130)의 일부는 지지 기판(150) 및/또는 기판(160)에 의해 덮이지 않는다. 보다 구체적으로, 개구(162)는 센서(130)의 일부를 노출시킨다. 지지 기판(150) 및 기판(160)은 개구(162)를 형성하도록 패턴화될 수 있다. 개구(162)가 형성되는 곳은 디스플레이 영역(100A)에 대응하거나, 2개의 인접한 발광 유닛(120) 사이의 영역에 대응할 수 있다. 다수의 개구(162)를 통해 센서(130) 내로 광이 입사될 수 있다. 또한, 개구(162)의 형상 및/또는 수는 요구 사항에 따라 조절될 수 있으며, 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 또한, 개구(162) 내에 투명 물질이 충전될 수 있다.
도 8 및/또는 도 9에 예시된 디스플레이 장치(500, 600)는 타일형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다. 전술한 타일형 디스플레이 장치는 더 큰 크기의 디스플레이 장치를 형성하기 위해 복수의 디스플레이 장치(500) 및/또는 디스플레이 장치(600)를 포함할 수 있지만, 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 본 개시 내용의 다른 디스플레이 장치 또는 이들의 조합도 역시 타일형 디스플레이 장치에 적용될 수 있다. 본 실시예에서, 디스플레이 패널(102)은 적어도 기판(160) 및 발광 유닛(120)을 포함할 수 있다.
본 개시 내용의 일부 실시예에 따라 디스플레이 장치(100)와 피사체(X, Y) 사이의 상호 작용을 예시한 도면을 보여주는 도 10a 및 도 10b를 참조한다. 다른 피사체가 디스플레이 장치(100)를 통과할 때, 디스플레이 장치(100)는 다른 이미지를 보여줄 것이다. 예를 들어, 피사체(X, Y)가 각각 디스플레이 장치(100)의 감지 영역 내에 있을 때, 디스플레이 장치(100)의 발광 유닛(120)은 상이한 이미지를 디스플레이하기 위해 상이한 광을 방출할 것이다. 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 장치(200, 300, 400, 500 또는 600)로 대체될 수 있지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다.
일부 실시예에서, 이미지 센서는 상호 작용 기능을 달성하기 위해 디스플레이 장치 상에 배치된다. 이미지 센서는 제1 이미지를 검출하는 데 사용될 수 있고, 디스플레이는 제2 이미지 또는 제1 이미지에 대응하는 동작을 출력하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 이미지는 얼굴 인식을 사용하여 피사체의 성별에 따라 다른 이미지를 디스플레이 할 수 있다. 검출된 피사체가 남성인 경우, 이미지 센서는 남성이 관심을 두는 남성 의류 또는 상품을 표시할 것이고; 검출된 피사체가 여성인 경우, 이미지 센서는 여성의 관심을 두는 여성 의류 또는 상품을 표시할 것이지만; 본 개시 내용의 범위는 이에 한정되도록 의도된 것이 아니다. 일부 실시예에서, 이미지 센서가 그 앞을 통과하는 누군가를 검출할 때, 정보 조회를 위해 제공된 인터페이스를 디스플레이할 것이다.
일부 실시예에서, 이미지 센서는 디스플레이 장치의 디스플레이 영역에 통합될 수 있다. 일부 실시예에서, 이미지 센서는 감광 소자 및 수광 소자를 포함한다. 일부 실시예에서, 이미지 센서는 발광 유닛과 중첩될 수 있다. 일부 실시예에서, 발광유닛 및 이미지 센서는 디스플레이 패널의 2개의 양 표면 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 발광 유닛 및 이미지 센서는 디스플레이 패널의 동일한 표면에 배치될 수 있다. 전술한 발광 유닛은 디스플레이 패널 내에 형성된 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 복수의 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 하나의 수광 소자의 면적은 하나의 발광 소자의 면적보다 크다. 일부 실시예에서, 디스플레이 패널은 넓은 영역을 가지는 플렉시블 기판일 수 있다. 이미지 센서는 넓은 영역에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 디스플레이 장치는 디스플레이 장치의 이미지 콘트라스트를 개선하기 위해 디스플레이 패널 상에 형성된 저투광층을 포함한다.
본 개시 내용의 일부 실시예 및 그 장점을 상세히 설명하였지만,. 첨부된 청구범위에 의해 한정되는 본 개시 내용의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화, 대체 및 변경이 이루어질 수 있음을 알아야 한다. 예를 들어, 본 명세서에 기술된 특징, 기능, 공정 및 재료의 다수는 본 개시 내용의 범위 내에 유지되면서 변화될 수 있다는 것을 당업자는 쉽게 이해할 것이다. 더욱이, 본 출원의 범위는 명세서에 기술된 특정 실시예의 공정, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법 및 단계에 한정되는 것으로 의도된 것이 아니다. 당업자 중 어느 한 사람이라도 본 발명의 개시 내용으로부터 쉽게 알 수 있는 바와 같이, 현재 존재하거나 나중에 개발되는 것으로서, 여기에 설명된 대응하는 실시예와 실질적으로 동일한 기능을 수행하거나 실질적으로 동일한 결과를 달성하는 공정, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법 또는 단계는 본 개시 내용에 따라 활용될 수 있다. 따라서, 첨부된 청구범위는 그 범위 내에 이러한 공정, 기계, 제조, 물질의 조성, 수단, 방법 또는 단계를 포함하는 것으로 의도된 것이다.

Claims (20)

  1. 디스플레이 장치로서:
    디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 영역과 중첩되는 적어도 하나의 이미지 센서
    를 포함하고, 상기 적어도 하나의 이미지 센서는:
    감광 소자; 및
    상기 감광 소자 상에 배치된 적어도 하나의 수광 소자
    를 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 기판 및 복수의 발광 유닛을 포함하고, 상기 기판은 제1 표면 및 해당 제1 표면과 반대측의 제2 표면을 가지며, 상기 복수의 발광 유닛은 상기 제1 표면 상에 배치되고, 상기 적어도 하나의 이미지 센서는 상기 제2 표면 상에 배치된 것인 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 수광 영역을 포함하고, 상기 수광 영역은 평균 광 투과율이 1% 초과 100% 미만인 영역을 적어도 하나 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 평균 광 투과율은 5% 초과 100% 미만인 것인 디스플레이 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은:
    상기 수광 영역에 배치되고 복수의 개구를 가지는 저투광층을 더 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 이미지 센서 중 하나는 초점 거리를 가지며, 상기 초점 거리는 상기 적어도 하나의 이미지 센서 중 상기 하나의 이미지 센서와 상기 디스플레이 패널 사이의 거리보다 큰 것인 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 초점 거리는 상기 거리의 5 배 이상이고 상기 거리의 1000배 이하인 것인 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 이미지 센서의 총 면적은 상면도로 보아 상기 디스플레이 영역의 면적의 70% 이하인 것인 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 복수의 발광 유닛을 포함하고, 상기 적어도 하나의 수광 소자 중 하나는 상기 복수의 발광 유닛 중 적어도 하나와 중첩되는 것인 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 복수의 발광 유닛을 포함하고, 상기 적어도 하나의 수광 소자 중 하나의 면적은 상면도로 보아 상기 복수의 발광 유닛 중 하나의 면적보다 큰 것인 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 복수의 발광 유닛을 포함하고, 상기 적어도 하나의 수광 소자는 상기 복수의 발광 유닛들 사이에 배치된 것인 디스플레이 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 기판을 포함하고, 상기 기판은 넓은 영역(extensive region)을 가지며, 상기 적어도 하나의 이미지 센서는 상기 넓은 영역 상에 배치된 것인 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 기판 및 복수의 발광 유닛을 포함하고, 상기 기판은 상기 복수의 발광 유닛을 구동하는 데 사용되는 복수의 박막 트랜지스터를 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 중 적어도 하나는 반도체 층을 포함하고, 상기 반도체 층의 재료는 비정질 실리콘, 폴리실리콘 또는 금속 산화물을 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 디스플레이 영역은 상기 디스플레이 영역에 인접한 비-디스플레이 영역을 더 포함하고, 상기 디스플레이 영역은 상기 비-디스플레이 영역으로부터 먼 중앙 영역을 가지며, 상기 중앙 영역은 상기 디스플레이 영역의 50% 내지 95%를 차지하며, 상기 적어도 하나의 이미지 센서는 상기 중앙 영역에 배치된 것인 디스플레이 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 이미지 센서는 제1 이미지를 검출하는 데 사용되고, 상기 디스플레이 패널은 상기 제1 이미지에 대응하는 제2 이미지를 출력하는 데 사용되는 것인 디스플레이 장치.
  17. 디스플레이 장치로서:
    디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 영역과 중첩하는 적어도 하나의 센서
    를 포함하는 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 센서는 광학 센서 또는 초음파 센서를 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 광학 센서는 적외선 센서, 가시광 센서 또는 자외선 센서를 포함하는 것인 디스플레이 장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 디스플레이 패널은 수광 영역을 포함하고, 상기 수광 영역은 평균 광 투과율이 1% 초과 100% 미만인 영역을 적어도 하나 포함하는 것인 디스플레이 장치.

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