CN102054936A - 发光装置及电子设备 - Google Patents
发光装置及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102054936A CN102054936A CN2010105301933A CN201010530193A CN102054936A CN 102054936 A CN102054936 A CN 102054936A CN 2010105301933 A CN2010105301933 A CN 2010105301933A CN 201010530193 A CN201010530193 A CN 201010530193A CN 102054936 A CN102054936 A CN 102054936A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- mentioned
- light
- light emitting
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 258
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 53
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 230000011514 reflex Effects 0.000 claims description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及发光装置及电子设备。在有机EL装置中谋求色纯度的提高等。有机EL装置(1)具备:具有第1电极层(18)、第2电极层(22)和配置于它们之间的发光功能层(20)的发光元件(2);反射由发光功能层发出的光的反射层(12);隔着发光功能层配置于反射层的相反侧、用于将发光功能层发出的光的一部分向该发光功能层反射并使其余部分光透过的半透明半反射层(22)(第2电极层与半透明半反射层在图中共用)。此外,还具备以半透明半反射层为中心配置于反射层所处位置的相反侧并与半透明半反射层相接的反射增强层(23)。其包括第1高折射率层(231)、低折射率层(232)及第2高折射率层(233)。
Description
技术领域
本发明涉及包含有机EL(electro luminescent)元件等的发光装置及电子设备。
背景技术
作为薄型且轻质的发光源,OLED(organic light emitting diode)、即有机EL(electro luminescent)元件受到关注,并开发出具有多个有机EL元件的图像显示装置。有机EL元件具有通过像素电极与对置电极来夹持由有机材料形成的至少一层有机薄膜的构造。
在有机EL元件的领域,已知有一种利用放大的干涉、即共振来对发出的光中的特定波长的光进行增强的技术。通过该技术,能够提高发光色的色纯度、提高放出的光相对于发光的效率。
作为这样的图像显示装置,例如已知有专利文献1及2所公开的装置。
【专利文献1】日本专利第2797883号公报
【专利文献2】日本特开2008-218081号公报
然而,在该专利文献1及2的技术中存在下述问题。
即,根据专利文献1的技术,确实能够利用“微小光共振器”的作用来增强特定波长的光(专利文献1的〔0015〕〔0018〕等),但关于进一步加强该作用的方法、即更加有效地利用光共振器所产生的共振作用的方法,除了提出可对半透明反射层的反射率进行设计(专利文献1的〔0016〕)之外,并未特别提及。
另外,在专利文献2的技术中也与专利文献1同样,认为能够享用通过光共振器的作用来增强特定波长的光的效果(专利文献2的〔0028〕等)。但是,在该技术中,是以与有机化合物层相接地形成透明电极作为前提的,如此一来,在制造工艺上,存在当透明电极成膜时极有可能对有机化合物层造成某些损伤的问题(参照专利文献2的〔权利要求1〕、或〔图1〕等)。并且,认为专利文献2中提及的透明阴极电极14与光路长度调整层15的边界处的光反射量是受限定的,与上述专利文献1相同,不能说可以更加有效地利用光共振器的共振作用。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种能够解决上述问题的至少一部分的发光装置及电子设备。
为了解决上述问题,本发明的发光装置具备:发光元件,其具有第1电极层、第2电极层、以及配置在上述第1及第2电极层之间的发光功能层;反射层,其将上述发光功能层所发出的光朝向该发光功能层反射;半透明半反射层,其隔着上述发光功能层配置在上述反射层的相反侧,将上述发光功能层所发出的光的一部分朝向该发光功能层反射,并使其余一部分透过;以及反射增强层,其以上述半透明半反射层为中心被配置在上述反射层所处位置的相反侧,并且与该半透明半反射层相接,包含具有比该半透明半反射层的折射率高的折射率的第1层;上述第1层与上述半透明半反射层相接。
根据本发明,由于存在与半透明半反射层相接、包含于反射增强层的第1层,并且第1层的折射率高于半透明半反射层的折射率,所以在这两层间的界面可产生比较强的光反射。因此,在本发明所涉及的构成中,由于发光功能层所产生的光中,向由半透明半反射层和反射层构成的光共振器中,返回来的光的绝对量变得较多,所以能够进一步加强该光共振器的作用,换言之,能够更加有效地利用光共振器的共振作用。
在该发明的发光装置中,也可以构成为:上述发光元件、上述反射层、上述半透明半反射层以及上述反射增强层在基板上构筑成为层叠构造,上述第1电极层比上述第2电极层更接近上述基板,上述半透明半反射层包含上述第2电极层,作为阴极发挥功能。
根据该方式,由于半透明半反射层含有第2电极层的全部或一部分、即换言之半透明半反射层与第2电极层的全部或一部分被共用或兼用,所以实现了装置构造的效率化、简单化,而且制造容易性得到提高。
而且,在该方式中,通过采用在上述基板上对上述各层进行依次层叠的制造方法,无需像现有技术那样,与发光功能层相接地制造透明电极,因此在制造工艺上,不用担心对该发光功能层造成任何损害。
另外,在本发明的发光装置中,也可以构成为:上述反射增强层在上述第1层的基础上,还含有:具有比该第1层的折射率低的折射率的第(2n)层(其中,n为正整数)、以及具有比该第(2n)层的折射率高的折射率的第(2n+1)层,上述第(2n)层中的第2层与上述第1层相接,并且,上述第(2n)层与上述第(2n+1)层相接。
根据该方式,反射增强层由奇数个层构成。而且,在该各层之间,折射率由高向低或由低向高发生变化。因此,根据本方式,以半透明半反射层及第1层间的界面为代表,在第1层及第2层间的界面、第(2n)层及第(2n+1)层间的界面可产生比较强的光的反射。结果,根据本方式,能够更为有效地起到上述的本发明所提及的效果。
此外,从上述的规定中可知,在本方式中,反射增强层只要由奇数个层构成即可,对于具体由几层构成并未作出限定。但如果层数过多,则可能产生光透过性能变差、或损害制造容易性等各种弊端。从这样的观点出发,反射增强层中所含的层数优选以起到应该有的反射增强作用为前提进行确定,以避免发生上述弊端。更具体而言,可以说上述n为2、即反射增强层全部由3层构成的结构是最优选的一例。
而且,在本发明的发光装置中,也可以构成为:从上述反射层到上述半透明半反射层中的与上述反射层对置的界面的光学距离,根据下式(i)算出的d来确定。
d=((2πm+φD+φU)/4π)·λ...(i)
这里,λ是作为共振对象而设定的波长,φD是从上述发光功能层侧行进到上述反射层的波长为λ的光,被该反射层反射时的相位变化,φU是从上述发光功能层侧行进到上述半透明半反射层的波长λ的光,被该半透明半反射层反射时的相位变化,m为正整数。
根据该方式,在由发光元件、反射层及半透明半反射层构成的共振器构造中,能够适宜地产生共振现象。
需要说明的是,例如当在本方式所涉及的发光装置中存在多个上述发光元件,并由它们进行红、绿、蓝(RGB)3色显示时,可以将该3色各自的波长代入到本方式中提及的“作为共振对象而设定的波长”(以下也称作“共振对象波长”)中。即,当将该3色的波长设定为λr、λg及λb时,λ可取λr、λg或λb中的任意一个,因此,d可与之分别对应地采取例如dr、dg或db之类的具体值(因此,此时也存在“d”值按每个发光元件而不同的情况。)。
而且,在本方式中,为了实现前述的3色显示等,优选还具备“隔着上述半透明半反射层被配置在上述发光功能层的相反侧、使透过了上述半透明半反射层后的光透过的滤色器”,此时,能够将上述共振对象波长λ设定为“与上述滤色器的透过率的峰值相当的波长”等。
另外,为了解决上述问题,本发明的电子设备具有上述的各种发光装置。
由于本发明的电子设备具备上述的各种发光装置,所以可提供能够更好地发挥光共振器的作用,换言之更可靠地享受到色纯度提高效果等的电子设备。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的发光装置的概略的剖面图。
图2是简略地表示光在图1的发光装置中的共振器构造内的轨迹的示意图。
图3是表示从图1的发光装置发出的光的光谱的实验结果的图。
图4是以具体的数值表示图1的发光装置对提高色纯度的效果及提高标准化外部量子效率的效果的图。
图5是色度图。
图6是在图5所示的色度图上表现了图4中的色纯度提高效果的图。
图7是用于对反射增强层23的作用进行说明的图。
图8是图7的比较例(不存在反射增强层23)。
图9是表示具有更厚的第2高折射率层235的反射增强层23’的一例的图。
图10是表示本发明的实施方式的变形例(之2)所涉及的发光装置的概略的剖面图。
图11是表示概览了图10的发光装置的整体时的构成的剖面图。
图12是表示应用了本发明所涉及的发光装置的电子设备的立体图。
图13是表示应用了本发明涉及的发光装置的另一电子设备的立体图。
图14是表示应用了本发明涉及的发光装置的又一电子设备的立体图。
图中:1、1’-有机EL装置(发光装置),2(2R、2G、2B)-发光元件,3-发光面板,10-基板,12-反射层,18(18R、18G、18B)-第1电极层,20-发光功能层,22-第2电极层(半透明半反射层),23-反射增强层,231-第1高折射率层,232-低折射率层,233-第2高折射率层,G-惰性气体,30-滤色器面板,36(36R、36G、36B)-滤色器。
具体实施方式
下面,参照图1及图2,对本发明所涉及的实施方式进行说明。需要说明的是,除了这里所说的图1及图2之外,在以下参照的各个附图中,各部分的尺寸比例有时与实际情况略有不同。
<有机EL装置的截面构造>
图1是表示本发明的实施方式所涉及的有机EL装置(发光装置)1的概略的剖面图。有机EL装置1具备发光面板3和滤色器面板30。
如图所示,发光面板3具有多个发光元件(像素)2(2R、2G、2B)。本实施方式的有机EL装置1作为全彩色的图像显示装置被使用。发光元件2R是放出光的颜色为红色的发光元件,发光元件2G及2B分别是放出光的颜色为绿色及蓝色的发光元件。
供电用的TFT(薄膜晶体管)及布线等与这些各发光元件2连接。该TFT及布线等在基板10上,例如构筑在恰当的层间绝缘膜间。
需要说明的是,在图1中,为了方便识图等,没有对上述TFT及布线等进行图示(其中,上述层间绝缘膜例如形成在后述的反射层12及第1电极层18间、反射层12及基板10间等各处,对此也未图示。)。而且,虽然图1中仅示出了3个发光元件2,但实际上设计了数量多于图示的多个发光元件。以下,构成要素的数标R、G、B与发光元件2R、2G、2B对应。
图示的发光面板3为顶部发射类型。发光面板3具有基板10。基板10可以由例如玻璃之类的透明材料形成,也可以由例如陶瓷或金属之类的不透明材料形成。
在基板10上的至少与发光元件2重叠的位置,形成有均匀厚度的反射层12。反射层12例如由Al(铝)、Cr(铬)或Ag(银)、或者含有上述元素的合金等反射率较高的材料形成,将从发光元件2射出的光(包括发光元件2的发光)朝向图1的上方反射。
另外,该反射层12中除了上述的Al、Cr、Ag之外,例如还可以添加Cu、Zn、Nd、Pd等。由此,可预见其耐热性得到提高。
优选反射层12的厚度未50~150nm左右。
在基板10上形成有划分发光元件2的隔壁(隔离物)16。隔壁16例如由丙烯酸、环氧或聚酰亚胺等绝缘性的树脂材料形成。
各发光元件2具有:第1电极层18、第2电极层22、以及配置在第1电极层18及第2电极层22之间的发光功能层20。
在本实施方式中,第1电极层18(18R、18G、18B)是分别设置于像素(发光元件2)的像素电极,例如为阳极。第1电极层18例如由ITO(indium tin oxide)或ZnO2之类的透明材料形成。第1电极层18的厚度根据发光色而各异。即,第1电极层18R、18G、18B具有互为不同的厚度。其中,该点将在后边的<光反射及透过模式>中作更为详细的说明。
在本实施方式中,发光功能层20形成为多个发光元件2共用,且与发光元件2的发光色无关地具有一样的厚度。发光功能层20至少具有有机发光层。该有机发光层在流过电流时以白色发光。即,发出具有红色、绿色及蓝色的光成分的光。有机发光层可以是单层,也可以由多个层(例如流过电流时主要以蓝色发光的蓝色发光层、流过电流时发出含有红色和绿色的光的黄色发光层)构成。
发光功能层20除了具有有机发光层之外,还可以具有空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等层。其中,空穴注入层例如由HI-406(出光兴产株式会社制)或CuPc(酞菁铜)等制成,空穴传输层由α-N PD(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯基-4,4’-双胺)等制成,电子传输层由8-羟基喹啉铝(Alq3)等制成,电子注入层由LiF等制成。
第2电极层(半透明半反射层)22例如由MgAl、MgCu、MgAu、MgAg之类的合金或金属材料形成。第2电极层22在本实施方式中是多个像素(发光元件)中公共设置的共用电极,例如为阴极。
第2电极层22与发光元件2的发光色无关地具有一样的厚度。更具体而言,例如优选第2电极层22被制成5~20〔nm〕左右的厚度。由于厚度较小,所以第2电极层22具有半透明半反射性。
这样的第2电极层22将从发光功能层20射出的光(包括来自发光功能层20的光)的一部分朝向图的上方透射,将这些光的其他部分朝向图的下方、即第1电极层18反射。
在形成于多个隔壁16间的开口(像素开口)的内部,发光功能层20与第1电极层18接触,在某个发光元件2中,当在第1电极层18与第2电极层22之间流过电流时,从第1电极层18向该发光元件2的发光功能层20供给空穴,从第2电极层22供给电子。然后,该空穴及电子再结合而生成激发子,当该激发子迁移为基态时,放出能量、即产生发光现象。因此,由形成在隔壁16间的像素开口大致划分出发光元件2的发光区域。即,隔壁16的像素开口对发光元件2进行划分。
发光功能层20虽然发出白色光,但通过光在反射层12与第2电极层22之间往返,各个发光元件2会放出特定波长的光被增强后的光。即,发光元件2R对红色波长的光进行增强并放出,发光元件2G对绿色波长的光进行增强并放出,发光元件2B对蓝色波长的光增强并放出。为实现这一目的,在发光元件2R、2G、2B中,反射层12与第2电极层22之间的光学距离d(dR、dG、dB)各异。其中,图中的d(dR、dG、dB)表示了光学距离,而并非实际的距离。该点在后边的<光反射及透过模式>中将作更详细的说明。
在上述第2电极层22的图1中上方,形成有反射增强层23。
如图所示,该反射增强层23包括:第1高折射率层231、低折射率层232及第2高折射率层233。各层(231、232及233)从图中下方起按顺序依次层叠。该各层(231、232及233)的命名中所含的“高”“低”的意义如下。即,第1高折射率层231相对于第2电极层22具有相对高的折射率。低折射率层232相对于第1高折射率层231具有相对低的折射率。第2高折射率层233相对于低折射率层232具有相对高的折射率。总之,图中位于更上方的层的折射率的高低,能够根据相对于位于其正下方的层的折射率的相对关系来确定。
更具体而言,第1高折射率层231例如能够由Alq3、SiN、SiON等制成。上述材料在波长555〔nm〕下的折射率为1.6以上。对于第2高折射率层233也同样。
另外,低折射率层232例如由LiF、LiO2等制成。上述材料在波长555〔nm〕下的折射率为1.5以下。
对上述各层(231、232及233)的厚度而言,具体例如优选设定为50~90〔nm〕左右。
滤色器面板30通过透明的粘结剂28与发光面板3接合。滤色器面板30具备:例如由玻璃之类的透明材料形成的基板32、形成于基板32的黑色矩阵(Black Matrix)34、和被配置于黑色矩阵34上形成的开口的滤色器36(36R、36G、36B)。
粘结剂28以维持滤色器面板30中的基板32及滤色器36与发光面板3的各层近乎平行的关系的方式,对两者进行支承。
滤色器36分别配置在与发光元件2、特别是与第1电极层18重叠的位置。滤色器36隔着半透明半反射性的第2电极层22被配置在发光功能层20的相反侧,使透过了所重叠的发光元件2的第2电极层22的光透射。
滤色器36R与发光元件2R重叠,一个滤色器36R与一个发光元件2R构成一组。滤色器36R具有使红色光透过的功能,其透过率的峰值为610nm的波长。滤色器36R使透过了所重叠的发光元件2R的第2电极层22的红色被增强的光中的红色光透射,提高红色的纯度。而且,滤色器36R吸收绿色及蓝色光的大部分。
其余的滤色器36G及36B基本与前述的滤色器36R相同,仅在使绿色光及蓝色光透过方面有所不同。其中,二者各自的透过率的峰值为550nm及470nm的波长。
<光反射及透过模式>
图2是简略地表示在发光功能层20中发出的光的轨迹的示意图。发光功能层20中发出的光中的一部分,如图中左方所示那样,向第1电极层18侧行进,并在反射层12的发光功能层20侧的面反射。设该反射时的相位变化为φD。另外,上述光的其余部分如图中右方所示,向第2电极层22侧行进,并在该第2电极层22的发光功能层20侧的面(第2电极层22中的与反射层12对置的边界)反射。设该反射时的相位变化为φU。
在上述情形中后者的情况下、即光被第2电极层22反射的情况下,如图2所示,该光在该反射后,透过发光功能层20及第1电极层18,在反射层12的发光功能层20侧的面再次反射。然后,原理上光的反射在第2电极层22及反射层12上无限循环。对于前者的情形、即光被反射层12反射的情形也相同,但未进行图示。
需要说明的是,在图2中省略了光在各边界的折射所产生的光路变化的图示,光路以单纯的直线或曲线进行表示。
以产生这样的反射现象为前提,在本实施方式中,图2(或图1)所示的光学距离d由下式(1)确定。
d=((2πm+φD+φU)/4π)·λ...(1)
这里,λ是作为共振对象而设定的波长〔nm〕,m为任意的整数。其中,φD及φU的意义如前所述。
在本实施方式中,上述的λ和d从图1所示内容可知,分别根据发光元件2R、2G及2B的不同来确定。更具体而言,该发光元件2R、2G及2B如上所述,由于分别与滤色器36R、36G及36B构成一组,所以作为波长λ,可以分别设定(或代入)与该滤色器36R、36G及36B的透过率的峰值相当的波长(即,如上述那样λR=610nm,λG=550nm及λB=470nm),作为光学距离d,求出与该λR、λG及λB分别对应的dR、dG及dB(参照图1)。其中,当对该dR、dG及dB求根时,作为式(1)中的φD及φU,可使用与λR、λG及λB分别对应的值(φD=φDR、φDG、φDB、或φU=φUR、φUG、φUB)。
而且,为了将上式(1)所求得的dR、dG及dB在实际的装置上实现,在本实施方式中,如图1所示,针对各发光元件2(2R、2G及2B),调整了第1电极层18(18R、18G及18B)的厚度。
通常,由于某物质的“光学距离”被表现为该物质的物理厚度与其折射率之积,所以当设定第1电极层18的物理厚度为t、其折射率为n18时,该第1电极层18及上述发光功能层20整体的光学距离D为D=t·n18+D20...(2)。其中,D20是发光功能层20的光学距离。
该式(2)中,由于折射率n18基本不变,所以为了使D=dR、D=dG及D=dB中的任意一个成立,需要变动t。如此一来,分别发现了D=dR时的tR、D=dG时的tG及D=dB时的tB,据此来调整第1电极层18的厚度。其中,在对该tR、tG及tB求根时,作为式(2)中的n18,可使用与λR、λG及λB分别对应的值(n18=n18R、n18G、n18B)。
这样,在本实施方式中,通过调整第1电极层18的厚度,对光共振器的光学距离进行了调整,但本发明并不局限于这样的方式。例如、也可以取代第1电极层18的厚度调整,而通过调整发光功能层20的厚度、或调整构成该层20的上述空穴注入层等各层的厚度,来对光共振器的光学距离进行调整。
如上所述,在本实施方式中,由发光功能层20、反射层12及第2电极层22构成光共振器。即,发光功能层20中发出的光通过在反射层12及第2电极层22间重复反射,使得仅具有某一特定波长成分的光受到增强的干涉,或者出现共振现象。
例如,在发光元件2R中,由于其光学距离dR由上式(1)规定,所以在该发光元件2R中,产生与具有该波长λR的光相关的共振现象。而且,如此被增强后的波长为λR的光(即红色光)的一部分会因第2电极层22具有半透射性能而行进到装置外部(图中,参照越过第2电极层22而朝上延伸的箭头)。结果,红色被增强。
这样的情况对于绿色、蓝色也同样产生。
<有机EL装置的作用效果>
下面,在已经参照的图1及图2的基础上,还参照图3至图8,对具备上述构成的有机EL装置1的作用效果进行说明。
首先,图3及图4表示了实际制造具有上述说明的构造的有机EL装置1,并在该装置1中观测到的光强度的观测结果等各种实验结果。其中,该实验被设置了下述的各前提。
(i)实际提供给实验的是只具有蓝色对应的发光元件2B的有机EL装置。即,图1等中所示的红色及绿色所各自对应的各种要素(例如第1电极层18R及18G)未予以制造,在实验中未提供。
(ii)反射层12由APC制成,其厚度为100〔nm〕。其中,APC是由Ag、Pd及Cu构成的合金(Pd为0.9重量%、Cu为1重量%、其余为Ag)。
(iii)第1电极层18由ITO制成。厚度在蓝色对应的第1电极层18B中为30〔nm〕。其中,根据上述(i),第1电极层18也仅存在蓝色对应的第1电极层18B。
(iv)发光功能层20整体的厚度为181〔nm〕。其中包括:空穴注入层的厚度100〔nm〕、空穴传输层的厚度20〔nm〕、发光层的厚度20〔nm〕、电子传输层的厚度40〔nm〕、以及电子注入层的厚度1〔nm〕。需要说明的是,如上述(i)所述,由于仅示出蓝色对应的实验结果,所以这里所说的发光层是在主材料BH-215(出光兴产株式会社制)中掺杂了蓝色掺杂材料BD-102(出光兴产株式会社制)而成的层。
(v)第2电极层22由MgAg制成。厚度为10〔nm〕。
(vi)反射增强层23整体的厚度为215〔nm〕。其中包括:第1高折射率层231的厚度70〔nm〕、低折射率层的厚度75〔nm〕、第2高折射率层的厚度70〔nm〕。而且,第1及第2高折射率层231及233由Alq3制成,低折射率层232由LiF制成。
在这样的前提下,对从蓝色对应的发光元件2B射出到装置外部的光的光谱进行了检测,结果为图3。在该图3中,实线是直接反映了上述前提的结果,虚线是其比较例。这里,比较例是指对不存在本实施方式涉及的反射增强层23(参照前述的(vi))时的发光元件,进行了同样的实验的结果。其中,以下将图3中的实线称为蓝色曲线Bp、将虚线称为蓝色/比较例曲线Bp’。
首先,在该图3中可知,任意一条曲线(Bp,Bp’)均能达到一定程度的色纯度提高效果。其原因如前所述,在本实施方式所涉及的有机EL装置1中,构成了由反射层12、第1电极层18、发光功能层20及第2电极层22形成的共振器,而且该共振器满足了前式(1)。
而且,根据该图3,如观察从蓝色/比较例曲线Bp’向蓝色曲线Bp的变化可知,峰值的锐度增加。即,半值宽度减少。另外,如图4所示,对于标准化外部量子效率而言,本实验例也比比较例增加。
并且,同样如图4所示,在本实验例的“蓝”与比较例的“蓝”中,色度图上的坐标值不同。
图5是所谓的xy色度图。在该图中,被近似炮弹形状包围的区域表示了人类能够识别的颜色的范围(色域)。从该区域的中心附近起,越靠向周边彩度越大。而该区域周围的数值表示色相。另外,在该区域内,三角形所包围的区域表示了由RGB表色系能够表现的色域。其中,被标记了符号Ct的点为白点(white point)。而且,图中标注的“红”、“绿”等文字表示了利用者在识别其所处位置的颜色时所感受到的大致的色名。例如,在利用者识别x=0.2、y=0.1周围颜色时,判断其为“蓝”的概率高。这样的图5中,在上述炮弹形状的内部、或上述三角形的内部,用所谓纯粹的形状(换言之,在无明度影响的状态下)表现了色度或色调。
本实验例中,实验例的“蓝”相对于比较例中的蓝,与x坐标相关的值增加,而与y坐标相关的值减少(参照图4)。图6是放大了图5中的“蓝”附近的图。如图6中的箭头所示,可知在本实验例中改善了蓝的色纯度。
以上的各种变化与本实验例和比较例的上述区别点、即是否存在反射增强层23有关。
如上所述,在本实施方式所涉及的有机EL装置1中,构成了以上式(1)的成立为背景的共振器,但为了最佳地体现该共振器的功能,最好增加与共振现象相关的、譬如光的绝对量。该点在本实施方式中如图7所示,首先,发光功能层20中发出的光在该发光功能层20与由合金等制成第2电极层22边界被强力反射,进而,在第2电极层22与第1高折射率层231的界面、第1高折射率层231与低折射率层232的界面、以及低折射率层232与第2高折射率层233的界面分别被强力反射。即,向共振器内返回的光的量增大。这是由于在各界面间,产生从折射率高的层向低的层、或相反的变化。图3、图4及图6的结果基于这样的原因。
与此相对,当不存在反射增强层23时,如图8所示,虽然在发光功能层20与第2电极层22的界面处存在强力反射,但由于在第2电极层22上不存在具有比之高的折射率的层,所以即便产生了反射,也极弱(参照图中虚线箭头)。即,向共振器内返回的光的量与本实施方式相比变少。
如此一来,根据本实施方式,可起到如图3、图4及图6所示那样的各种效果。
另外,在上述实验例中,虽然是以上述(i)~(vi)(尤其(i))作为前提,对仅具有发出蓝色光的发光元件2B的有机EL装置进行了叙述,但本发明当然不局限于该前提。如图1所示,除了蓝色光外,在具有与红色及绿色对应的发光元件2R及2B的有机EL装置中,也能获得与上述相同的作用效果。另外,在如上制造各色对应的发光元件2R、2G及2B时,本实施方式所涉及的反射增强层23、或者构成该反射增强层23的各层(231、232及233)(特别是其厚度),所述各种颜色均相通。
以上、虽然对本发明所涉及的实施方式进行了说明,但本发明涉及的发光装置并不局限于上述方式,能够进行各种变形。
(1)在上述的实施方式中,对第1及第2高折射率层231及233、以及低折射率层232的优选厚度为50~90〔nm〕进行了叙述,但本发明并非一定局限于该优选值。
该优选值主要是考虑到该有机EL装置1的制造容易度、缩减制造时间、或透过光的强度或者透过特性等而确定的。但是,用于享受优选透过特性的厚度也可以存在于该优选值以外。实际上这样的优选厚度是以上述优选值为中心周期性存在的(简单来说,例如是以70〔nm〕为中心,存在200〔nm〕、330〔nm〕、460〔nm〕等各种优选的厚度。不过,实际上并不局限于具有这样的正确的周期性(此例中为130〔nm〕间隔)。因此,上述各层(231、232、233)的厚度可以基于这样的情况来确定。
此时,特别是随着第2高折射率层233的厚度增加,该第2高折射率层233的密封功能、即防止水、氧气的至少一方进入到发光元件2的密封功能逐步提高。就是说,此时的第2高折射率层233具有作为上述实施方式而说明那样的反射增强的功能,同时还具有密封功能。图9中示出了含有比图7更厚的第2高折射率层235的反射增强层23’。为了更好地发挥密封功能,优选这样的第2高折射率层235的厚度为200〔nm〕以上。当发挥出密封功能时,由于能够防止水、氧气进入到发光元件2,所以具有延长该发光元件2的元件寿命的优点。
这样,在本发明中,第1及第2高折射率层231及233、以及低折射率层232的厚度不仅局限于上述优选值,通过适当地调整其厚度,还能够使该各层(231、232及233)具有反射增强功能以外的功能。由此,与为了赋予各种功能而分别制造不同的各层相比,制造容易性增加,成本也得到降低。
(2)在上述的实施方式中,对发光功能层20发出白光的情况进行了说明,但本发明并不局限于该方式。
例如,和上述实施方式的第1电极层18R、18G及18B与滤色器36R、36G及36B对应形成的情况同样,可以使发光功能层具有发光元件2R、2G、2B分别专用的发光功能层。此时,该发光功能层各自被区分成以红色发光的层、以绿色发光的层、以蓝色发光的层。为了进行这样的各色发光,只要适当改变各发光功能层所含的有机EL物质即可。另外,在实际制造该构造时,例如可以使用喷墨法(液滴喷出法)等。
(3)与该(2)相关,在上述的实施方式中,具备借助粘结剂28而与发光面板3对置的滤色器面板30,但与发光功能层只发白色光、或发各色光的情况无关,在本发明中,并非必须设置该滤色器面板30。
与上述情况进一步相关,当采用下述的构成时,在该构成中也会有脱离第2高折射率层233的光在其脱离时的界面处发生强力反射的情况。
即,例如如图10及图11所示,在有机EL装置1’整体被密封于由玻璃(或树脂材料、金属)等适当材料制成的壁面C所包围的空间内的情况下,可以采用使封入到该空间内的惰性气体G起到与上述实施方式中的低折射率层232相当的作用的构成。即,在该方式中,位于比第2高折射率层233靠向图中下侧的各层的构成,与上述实施方式相同,但如图10所示,比第2高折射率层233位于上部的各层不存在,壁面C内部的惰性气体G与第2高折射率层233的图中上表面相接。作为惰性气体G,具体例如可举出N2气、氩气等。此时,惰性气体G的折射率小于第2高折射率层233的折射率。
当然,在这样的图10及图11的方式中,也可以起到本质上与上述的实施方式所起的作用效果相同的作用效果。即,在该方式中,从反射层12侧入射来的光在惰性气体G及第2高折射率层233间的界面被反射的可能性增高,由此能够利用共振现象增大光。
<应用>
接着,对应用了本发明所涉及的发光装置的电子设备进行说明。
图12是表示将上述实施方式所涉及的发光装置用于图像显示装置的便携式个人计算机的构成的立体图。个人计算机2000具备作为显示装置的有机EL装置1和主体部2010。主体部2010上设置有电源开关2001和键盘2002。
图13中表示应用了上述实施方式所涉及的发光装置的移动电话机。移动电话机3000具备多个操作按键3001和滚动键3002、以及作为显示装置的有机EL装置1。通过操作滚动键3002,有机EL装置1上显示的画面发生滚动。
图14中表示应用了上述实施方式所涉及的发光装置的信息便携终端(PD A:Personal Digital Assistant)。信息便携终端4000具备多个操作按键4001和电源开关4002、以及作为显示装置的有机EL装置1。当操作电源开关4002时,在有机EL装置1上会显示通信簿、时间表等各种信息。
作为能够应用本发明所涉及的发光装置的电子设备,除了图12到图14所示的以外,还可以列举数码相机、电视机、摄影机、汽车导航装置、无线传呼机、电子记事本、电子纸张、计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、影像播放机、具备触摸面板的设备等。
Claims (5)
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
发光元件,其具有第1电极层、第2电极层、以及配置在上述第1及第2电极层之间的发光功能层;
反射层,其将上述发光功能层所发出的光朝向该发光功能层反射;
半透明半反射层,其隔着上述发光功能层被配置在上述反射层的相反侧,将上述发光功能层发出的光的一部分朝向该发光功能层反射,并使其余一部分透过;以及
反射增强层,其以上述半透明半反射层为中心被配置在上述反射层所处位置的相反侧,并且与该半透明半反射层相接,包含具有比该半透明半反射层的折射率高的折射率的第1层;
上述第1层与上述半透明半反射层相接。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
上述发光元件、上述反射层、上述半透明半反射层及上述反射增强层在基板上构筑成为层叠构造,
上述第1电极层比上述第2电极层接近上述基板,
上述半透明半反射层含有上述第2电极层,作为阴极发挥功能。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
上述反射增强层在上述第1层的基础上还含有:
具有比该第1层的折射率低的折射率的第2n层;以及
具有比该第2n层的折射率高的折射率的第2n+1层;
上述第2n层中的第2层与上述第1层相接,并且,
上述第2n层与上述第2n+1层相接,
其中,n为正整数。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的发光装置,其特征在于,
从上述反射层到上述半透明半反射层中的与上述反射层对置的界面的光学距离,根据下式(i)算出的d来确定,
d=((2πm+φD+φU)/4π)·λ...(i)
其中,λ是作为共振对象而设定的波长,
φD是从上述发光功能层侧行进到上述反射层的波长为λ的光被该反射层反射时的相位变化,
φU是从上述发光功能层侧行进到上述半透明半反射层的波长为λ的光被该半透明半反射层反射时的相位变化,
m为正整数。
5.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1~4中任意一项所述的发光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009244177A JP5418144B2 (ja) | 2009-10-23 | 2009-10-23 | 発光装置及び電子機器 |
JP2009-244177 | 2009-10-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102054936A true CN102054936A (zh) | 2011-05-11 |
Family
ID=43897822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010105301933A Pending CN102054936A (zh) | 2009-10-23 | 2010-10-21 | 发光装置及电子设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304977B2 (zh) |
JP (1) | JP5418144B2 (zh) |
CN (1) | CN102054936A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105845705A (zh) * | 2015-02-02 | 2016-08-10 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN106252524A (zh) * | 2011-04-08 | 2016-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、电子设备以及照明装置 |
CN108123056A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 具有反射区的显示装置 |
CN109166982A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置 |
CN110164911A (zh) * | 2018-07-10 | 2019-08-23 | 上海视涯信息科技有限公司 | 一种顶发射式微腔oled显示装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6093543B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2017-03-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | エレクトロルミネセンス表示装置 |
KR101413461B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-07-01 | 에스에프씨 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조방법 |
JP6114592B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその製造方法、電子機器 |
JP6119437B2 (ja) | 2013-06-05 | 2017-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
KR102122335B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-06-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR102146279B1 (ko) * | 2014-08-11 | 2020-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시소자 |
CN108156776B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-12-04 | 北京小米移动软件有限公司 | 电子设备的壳体及其制备方法 |
US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
CN114966909A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-08-30 | 安徽立光电子材料股份有限公司 | 一种半透半反层叠体及其应用和制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040160172A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-08-19 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
CN1604708A (zh) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 三洋电机株式会社 | 有机电致发光组件及有机电致发光显示面板 |
US7102282B1 (en) * | 1999-11-22 | 2006-09-05 | Sony Corporation | Display device with a cavity structure for resonating light |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2797883B2 (ja) | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
JP2008218081A (ja) | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Canon Inc | 有機el素子アレイ及びその製造方法 |
JP5515237B2 (ja) * | 2008-05-14 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
-
2009
- 2009-10-23 JP JP2009244177A patent/JP5418144B2/ja active Active
-
2010
- 2010-10-19 US US12/907,256 patent/US8304977B2/en active Active
- 2010-10-21 CN CN2010105301933A patent/CN102054936A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7102282B1 (en) * | 1999-11-22 | 2006-09-05 | Sony Corporation | Display device with a cavity structure for resonating light |
US20040160172A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-08-19 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
CN1604708A (zh) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 三洋电机株式会社 | 有机电致发光组件及有机电致发光显示面板 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106252524A (zh) * | 2011-04-08 | 2016-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、电子设备以及照明装置 |
US9847379B2 (en) | 2011-04-08 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic appliance, and lighting device comprising a light-emitting element having optimized optical path length |
CN106252524B (zh) * | 2011-04-08 | 2018-04-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、电子设备以及照明装置 |
US10431632B2 (en) | 2011-04-08 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic appliance, and lighting device |
CN105845705A (zh) * | 2015-02-02 | 2016-08-10 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN108123056A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 乐金显示有限公司 | 具有反射区的显示装置 |
CN108123056B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-10-25 | 乐金显示有限公司 | 具有反射区的显示装置 |
US10600849B2 (en) | 2016-11-29 | 2020-03-24 | Lg Display Co., Ltd. | Display device having a reflecting area |
CN110164911A (zh) * | 2018-07-10 | 2019-08-23 | 上海视涯信息科技有限公司 | 一种顶发射式微腔oled显示装置 |
US11183668B2 (en) | 2018-07-10 | 2021-11-23 | Seeya Optronics Co., Ltd. | Top-emission type micro cavity OLED display device |
CN109166982A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置 |
US10862063B2 (en) | 2018-08-31 | 2020-12-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescent device, display panel and display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011090923A (ja) | 2011-05-06 |
US20110095675A1 (en) | 2011-04-28 |
US8304977B2 (en) | 2012-11-06 |
JP5418144B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102054936A (zh) | 发光装置及电子设备 | |
CN101257037B (zh) | 显示装置 | |
CN101582440B (zh) | 发光装置及电子设备 | |
CN105161513B (zh) | Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法 | |
CN101267701B (zh) | 显示装置、显示装置驱动方法以及电子设备 | |
US8033675B2 (en) | Light emitting device and electronic device | |
CN103915471B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
KR101116825B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
US8716931B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
TWI699022B (zh) | 發光裝置、顯示設備以及照明設備 | |
CN101394697B (zh) | 发光装置及电子设备 | |
US11296152B2 (en) | Array substrate with color conversion luminescence layers, manufacturing method thereof, display panel, and display apparatus | |
CN108493350B (zh) | 一种有机发光显示面板及其显示装置 | |
US10205126B2 (en) | Light emission device including light extraction plane and a plurality of reflection interfaces, display apparatus including the light emission device, and illumination apparatus including the light emission device | |
JPWO2006028089A1 (ja) | 発光デバイスおよびその製造方法 | |
JP2006012579A (ja) | カラー有機elディスプレイ及びその製造方法 | |
CN101257035B (zh) | 顶部发光有机电致发光显示器 | |
CN108389978B (zh) | 一种有机发光显示面板及其有机发光显示装置 | |
US10797268B2 (en) | Light-emitting device | |
JP2013058446A (ja) | 表示装置 | |
JP2012256503A (ja) | 発光装置および電子機器 | |
JP4962441B2 (ja) | 発光装置および電子機器 | |
KR102023943B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN106887446A (zh) | 有机发光显示器件及显示装置 | |
JP2012248434A (ja) | 発光装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110511 |