CN109976053A - 显示装置用基板以及显示装置 - Google Patents

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wiring
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auxiliary
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Abstract

本发明是一种抑制信号钝化的产生的显示装置用基板以及显示装置。阵列基板(11B)具备：像素电极(17)；源极布线(19)，其以夹着像素电极(17)的形式至少配置一对并对像素电极(17)供给信号；作为第一辅助电容部的辅助电容布线(33)，其以与源极布线(19)交叉的方式延伸而分别横穿像素电极(17)以及一对源极布线(19)，并经由第一层间绝缘膜(28)而与源极布线(19)重叠，经由第二层间绝缘膜(30)而与像素电极(17)重叠；作为第二辅助电容部的辅助电容电极(34)，其相对于辅助电容布线(33)而配置于在源极布线(19)的延伸方向上远离的位置并经由第二层间绝缘膜(30)而与像素电极(17)重叠，并与至少一根源极布线(19)成为非重叠；以及辅助电容连接部(35)，其将辅助电容布线(33)与辅助电容电极(34)连接。

Description

显示装置用基板以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置用基板以及显示装置。
背景技术
以往，作为液晶显示装置的一个例子而公知有下述专利文献1所记载的装置。专利文献1所记载的液晶显示装置具备：分别对并设的各像素供给视频信号的漏极信号线、和预防该漏极信号线的断线的断线预防布线，该断线预防布线以能够对该漏极信号线的断线处位置的各端供给视频信号的方式彼此连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-13517号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
根据上述的专利文献1所记载的液晶显示装置，通过在漏极信号线连接有断线预防布线，从而即使在漏极信号线产生了断线的情况下，也能够通过将断线预防布线作为分支电路发挥功能，从而能够对相对于漏极信号线的信号供给侧而相反一侧的断线的漏极信号线供给视频信号。然而，液晶显示装置有时具备辅助电容布线，该辅助电容布线用于对基于供给于漏极信号线的视频信号而充电的像素电极的电位进行保持。该辅助电容布线与栅极信号线并行并且延伸而以在中途横穿漏极信号线以及像素电极的形式布设形成。因此，在相互交叉的漏极信号线与辅助电容布线之间产生寄生电容，恐怕以此为起因而在向漏极信号线传送的视频信号产生钝化。特别是若液晶显示装置大型化/高清晰化，则存在漏极信号线与辅助电容布线的交叉位置数量增加的趋势，因此更容易产生视频信号的钝化。
本发明是基于上述那样的状况而完成的，其目的在于抑制信号钝化的产生。
解决问题的手段
本发明的显示装置用基板具备：像素电极；信号布线，其以夹着上述像素电极的形式至少配置一对并对上述像素电极供给信号；第一辅助电容部，其以与上述信号布线交叉的方式延伸而分别横穿上述像素电极以及一对上述信号布线，并经由上述信号布线而与第一层间绝缘膜重叠，经由第二层间绝缘膜而与上述像素电极重叠；第二辅助电容部，其相对于上述第一辅助电容部而配置于在上述信号布线的延伸方向上远离的位置并经由上述第二层间绝缘膜而与上述像素电极重叠，并与至少一根上述信号布线成为非重叠；辅助电容连接部，其将上述第一辅助电容部与上述第二辅助电容部连接。
这样，像素电极通过被供给传送于信号布线的信号而以规定的电位充电。由辅助电容连接部连接的第一辅助电容部以及第二辅助电容部通过在与经由第二层间绝缘膜而重叠的像素电极之间形成静电电容，从而能够保持充电的像素电极的电位。第一辅助电容部通过以与信号布线交叉的方式延伸而横穿夹着像素电极的一对信号布线，从而能够接受来自信号供给源的电位的供给。另一方面，第二辅助电容部能够经由辅助电容连接部而从第一辅助电容部接受电位的供给。而且，第二辅助电容部与一对信号布线中的至少一根成为非重叠，因此若假设与成为第二辅助电容部横穿一对信号布线的配置的情况相比，能够减少可在与信号布线之间产生的寄生电容。由此，向信号布线传送的信号难以产生钝化，因此特别是在实现大型化、高清晰化等上优选。
发明效果
根据本发明，能够抑制信号钝化的产生。
附图说明
图1是表示构成本发明的第一实施方式的液晶显示装置的液晶面板、柔性基板以及印刷电路基板的连接结构的概略俯视图。
图2是示意性地示出液晶面板的显示区域的辅助电容主干布线以及辅助电容布线等的连接结构的俯视图。
图3是示意性地示出液晶面板的显示区域的布线结构的俯视图。
图4是液晶面板的图3的A-A线剖视图。
图5是将液晶面板的显示区域的TFT以及辅助电容布线附近放大的俯视图。
图6是将液晶面板的显示区域的TFT以及辅助电容电极附近放大的俯视图。
图7是图5的B-B线剖视图。
图8是图6的C-C线剖视图。
图9是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的第三金属膜的图案的俯视图。
图10是图5的D-D线剖视图。
图11是图6的E-E线剖视图。
图12是图6的F-F线剖视图。
图13是示意性地示出本发明的第二实施方式的液晶面板的显示区域的布线结构的俯视图。
图14是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的透明电极膜的图案的俯视图。
图15是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的第三金属膜的图案的俯视图。
图16是示意性地示出本发明的第三实施方式的液晶面板的显示区域的布线结构的俯视图。
图17是图16的G-G线剖视图。
图18是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的透明电极膜的图案的俯视图。
图19是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的第三金属膜的图案的俯视图。
图20是示意性地示出本发明的第四实施方式的液晶面板的显示区域的布线结构的俯视图。
图21是示意性地示出本发明的第五实施方式的液晶面板的显示区域的布线结构的俯视图。
图22是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的透明电极膜的图案的俯视图。
图23是表示构成液晶面板的阵列基板中具备的第三金属膜的图案的俯视图。
图24是表示构成本发明的第六实施方式的液晶面板的阵列基板中具备的第三金属膜的图案的俯视图。
图25是示意性地示出液晶面板的显示区域的辅助电容主干布线以及辅助电容布线等的连接结构的俯视图。
图26是表示构成本发明的第七实施方式的液晶面板的阵列基板中具备的第三金属膜的图案的俯视图。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
根据图1～图12对本发明的第一实施方式进行说明。在本实施方式中，针对液晶显示装置10进行例示。此外，各附图的一部分附图示出X轴、Y轴以及Z轴，并描绘为各轴向成为在各附图中示出的方向。另外，上下方向以图4、图7、图8、图10～图12为基准，并且将同图上侧设为表侧并且将同图下侧设为背侧。
如图1所示，液晶显示装置10具有：液晶面板(显示装置)11，其能够显示图像；和背光源装置(未图示)，其为相对于液晶面板11而配置于背侧并向液晶面板11照射用于显示的光的外部光源。在本实施方式中，液晶面板11的画面尺寸例如为70英寸左右，并且分辨率为“7680×4320”，相当于所谓的8K分辨率。而且，液晶显示装置10至少具备：与液晶面板11的端部连接的多个柔性基板14、和与多个柔性基板14的一部分连接的印刷电路基板13。可以说，柔性基板14以及印刷电路基板13通过分别相对于液晶面板11直接或间接连接，从而构成一个模块部件，与液晶面板11一起构成“液晶面板模块(显示面板模块)”。此外，在液晶面板11与柔性基板14的连接位置、和柔性基板14与印刷电路基板13的连接位置分别夹设有未图示的ACF(Anisotropic Conductive Film)。
如图1所示，液晶面板11作为整体而成为长方形(矩形状)。液晶面板11的板面(显示面)中的中央侧成为能够显示图像的显示区域(有源区域)AA，其外周侧成为俯视时呈框状(边框状)的非显示区域(非有源区域)NAA。此外，图1中，点划线表示显示区域AA的外形，比该点划线靠外侧的区域成为非显示区域NAA。液晶面板11至少具有玻璃制的一对基板11A、11B，其中表侧(正面侧)成为CF基板(对置基板)11A，背侧(背面侧)成为阵列基板(显示装置用基板、有源矩阵基板、TFT基板)11B。此外，在两基板11A、11B的外表面侧分别贴附有未图示的偏振板。柔性基板14由合成树脂材料(例如聚酰亚胺系树脂等)构成并构成为在具有绝缘性以及可挠性的薄片状的基材上形成多根布线图案。柔性基板14中包含：与液晶面板11的非显示区域NAA亦即长边侧的端部连接的多个源极侧柔性基板14A、和与液晶面板11的非显示区域NAA亦即短边侧的端部连接的多个栅极侧柔性基板14B。源极侧柔性基板14A相对于液晶面板11的一个(图1的上侧)长边侧的端部在X轴方向上以多个(在本实施方式中六个)隔开间隔排列的形式连接。各源极侧柔性基板14A与在阵列基板11B的长边侧的端部设置的源极侧端子部(未图示)连接。源极侧端子部在各源极侧柔性基板14A的安装区域中沿着X轴方向多个隔开间隔分别配置。多个源极侧端子部与从显示区域AA引出的源极布线19连接。在各源极侧柔性基板14A分别安装有对源极布线19供给图像信号的源极驱动器(显示驱动部)12A。另一方面，栅极侧柔性基板14B相对于液晶面板11的两短边侧的端部而在Y轴方向上隔开间隔而以每多个(在本实施方式中每四个)排列的形式分别连接。各栅极侧柔性基板14B与在阵列基板11B的两短边侧的各端部设置的栅极侧端子部(未图示)连接。栅极侧端子部在各栅极侧柔性基板14B的安装区域上沿着Y轴方向而多个隔开间隔分别配置。多个栅极侧端子部与从显示区域AA引出的栅极布线18连接。在各栅极侧柔性基板14B分别安装有对栅极布线18供给扫描信号的栅极驱动器(显示驱动部)12B。在阵列基板11B的非显示区域NAA，如图2所示，设置有连接有后述的辅助电容布线33的辅助电容主干布线(信号供给源)15。辅助电容主干布线15使非显示区域NAA的长边部沿着Y轴方向延伸，从图1所示的各驱动器12A、12B的某一个，或者不经由各驱动器12A、12B而经由柔性基板14从印刷电路基板13供给基准电位。
在阵列基板11B的显示区域AA的内表面侧，如图3所示，作为开关元件的TFT(薄膜晶体管)16以及像素电极17多个以矩阵状(行列状)排列设置。呈格子状的栅极布线(扫描布线)18以及源极布线(信号布线、数据线)19以包围TFT16以及像素电极17的周围的方式配置。栅极布线18相对配置于下层侧而沿着X轴方向几乎以直线状延伸，相对于此，源极布线19相对配置于上层侧而沿着Y轴方向几乎以直线状延伸。TFT16具有：与栅极布线18连接的栅电极16A、与源极布线19连接的源电极16B、与像素电极17连接的漏电极16C、以及与源电极16B以及漏电极16C连接的沟道部16D。而且，TFT16基于向栅极布线18供给的扫描信号而被驱动。这样，向源极布线19供给的图像信号的电位经由沟道部16D而向漏电极16C供给，进而像素电极17以图像信号的电位被充电。另外，TFT16相对于像素电极17而在X轴方向上向图3所示的左右偏向。TFT16成为相对于像素电极17向左侧偏向的部分和相对于像素电极17向右侧偏向的部分在Y轴方向上交替反复排列的配置，以之字形状(锯齿状)平面配置。此外，对TFT16的详细构成，后面详细地进行说明。像素电极17在由每一对栅极布线18以及源极布线19围起的纵长的大体方形的区域配置。像素电极17在Y轴方向上从两侧被一对栅极布线18夹着，并且在X轴方向上从两侧被一对源极布线19夹着。
如图4所示，液晶面板11具有：在一对基板11A、11B之间被夹持的液晶层(媒介)11C、和在一对基板11A、11B中的面临液晶层11C的最内表面设置的一对取向膜11D、11E。液晶层11C包括垂直取向的液晶分子(媒介)，相对于此，一对取向膜11D、11E成为使液晶层11C所包含的液晶分子几乎垂直取向的垂直取向膜。换句话说，对于本实施方式的液晶面板11而言，显示模式是常黑的VA(Vertical Alignment)模式，更详细而言，成为以区分像素电极17的多个晶畴为单位而液晶分子的取向不同的4D-RTN(4-Domain Reverse TwistedNematic)模式。在本实施方式中，如图3所示，一个像素电极17被区分为合计八个晶畴，区分的晶畴沿着X轴方向每两个排列，沿着Y轴方向每四个排列。此外，图3中，用点划线图示八个晶畴的分界线。具体而言，取向膜11D、11E成为通过对其表面进行光取向处理而能够对液晶分子赋予取向限制力的光取向膜，光取向处理与上述的多个晶畴对应。即，例如对于CF基板11A侧的取向膜11D而言，在制造过程中相对于沿着Y轴方向排列的四个晶畴而沿着X轴方向照射取向处理光(偏振光紫外线)，其照射方向在Y轴方向上在相邻的晶畴相差180°。另一方面，对于阵列基板11B侧的取向膜11E而言，在制造过程中相对于沿着X轴方向排列的两个晶畴而沿着Y轴方向照射取向处理光，其照射方向在X轴方向上相邻的晶畴相差180°。通过进行这样的光取向处理的一对取向膜11D、11E而将配置于各晶畴的液晶分子取向限制为不同朝向，从而视角特性平均化，进而能够获得良好的显示。此外，关于上述的晶畴分割构造，能够应用例如国际公开第2006/132369号公报、国际公开第2010/079703号公报等所记载的技术。
在CF基板11A的显示区域AA的内表面侧，如图4所示，至少设置有彩色滤光片20以及遮光部21。彩色滤光片20设置为呈现蓝色(B)、绿色(G)以及红色(R)三色。呈现彼此不同的颜色的彩色滤光片20沿着栅极布线18(X轴方向)反复排列多个，并且它们沿着源极布线19(Y轴方向)延伸，从而作为整体而以条纹状排列。这些彩色滤光片20成为俯视时与阵列基板11B侧的各像素电极17重叠的配置。对于该液晶面板11而言，沿着X轴方向排列的蓝色、绿色以及红色的彩色滤光片20、和与各彩色滤光片20对置的三个像素电极17分别构成三色像素部。而且，构成能够进行由沿着X轴方向相邻的蓝色、绿色以及红色的三色像素部规定的灰度的彩色显示的显示像素。此外，像素部的X轴方向的排列间距例如为70μm左右(具体而言67μm)，Y轴方向的排列间距例如为200μm左右(具体而言201μm)。在彩色滤光片20的内表面侧(上层侧)层叠形成有外涂层膜(平坦化膜)22，进一步在其内表面侧依次层叠形成有对置电极23以及取向膜11E。对置电极23由至少在显示区域AA中以实体状设置的透明电极膜构成，相对于所有的像素电极17而隔着液晶层11C对置。通过在对置电极23供给基准电位，从而在与由TFT16充电的像素电极17之间产生电位差。基于该电位差使液晶层11C的液晶分子的取向状态变化，由此能够按每个像素部进行规定的灰度显示。
对TFT16以及像素电极17的结构详细地进行说明。如图3所示，TFT16作为整体而成为沿着X轴方向延伸的横长形状，并成为相对于成为连接对象的像素电极17而在Y轴方向图3所示的下侧相邻的配置。如图5以及图6所示，TFT16具有由栅极布线18的一部分(与源极布线19交叉的交叉部附近)构成的栅电极16A。栅电极16A成为沿着X轴方向延伸的横长形状，基于向栅极布线18供给的扫描信号来驱动TFT16，由此控制源电极16B与漏电极16C之间的电流。TFT16具有由源极布线19的一部分(与栅极布线18交叉的交叉部附近)构成的源电极16B。源电极16B配置于TFT16的X轴方向的一端侧而其几乎整个区域与栅电极16A重叠并且连接于沟道部16D。TFT16具有：在与源电极16B之间隔开了间隔的位置换句话说在TFT16的X轴方向的另一端侧配置的漏电极16C。漏电极16C大体沿着X轴方向延伸，其一端侧与源电极16B成为对置状而与栅电极16A重叠并且连接于沟道部16D，相对于此，另一端侧连接于像素电极17。像素电极17配置为与漏电极16C的几乎整个区域重叠，并且与在栅极布线18中的一对源极布线19之间被夹着的部分几乎重叠。此外，栅极布线18中的与后述的像素接触孔32重叠的部分被切口。对于沟道部16D而言，整个区域与栅电极16A重叠并且大体沿着X轴方向延伸，其一端侧与源电极16B连接，另一端侧与漏电极16C连接。
此处，参照图7对在阵列基板11B的内表面侧层叠形成的各种膜进行说明。如图7所示，在阵列基板11B从下层侧(玻璃基板侧)依次层叠形成有第一金属膜24、栅极绝缘膜25、半导体膜26、第二金属膜27、第一层间绝缘膜28、第三金属膜29、第二层间绝缘膜(绝缘膜)30、透明电极膜31、取向膜11E。第一金属膜24、第二金属膜27以及第三金属膜29分别通过成为由从铜、铝等中选择的一种金属材料构成的单层膜或者由不同种类的金属材料构成的层叠膜、合金从而具有导电性以及遮光性。第一金属膜24构成栅极布线18、TFT16的栅电极16A等。第二金属膜27构成源极布线19、TFT16的源电极16B以及漏电极16C、辅助电容主干布线15等。第三金属膜29构成后述的辅助电容布线33等。栅极绝缘膜25、第一层间绝缘膜28以及第二层间绝缘膜30分别由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)等无机材料构成。栅极绝缘膜25使下层侧的第一金属膜24、上层侧的半导体膜26以及第二金属膜27保持为绝缘状态。第一层间绝缘膜28使下层侧的半导体膜26以及第二金属膜27、上层侧的第三金属膜29保持为绝缘状态。第二层间绝缘膜30使下层侧的第三金属膜29、上层侧的透明电极膜31保持为绝缘状态。在第一层间绝缘膜28以及第二层间绝缘膜30中的像素电极17与漏电极16C的重叠位置开口形成用于将两者连接的像素接触孔32。半导体膜26由作为材料例如使用了氧化物半导体的薄膜构成，构成成为TFT16的沟道部16D等。透明电极膜31由透明电极材料(例如ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等)构成，构成像素电极17等。
此处，如图3以及图9所示，对于本实施方式的阵列基板11B而言，通过相对于像素电极17经由第二层间绝缘膜30而重叠，并在与像素电极17之间形成静电电容(辅助电容)，从而设置用于保持对像素电极17充电的电位的辅助电容布线(第一辅助电容部)33以及辅助电容电极(第二辅助电容部)34。辅助电容布线33以与源极布线19交叉的方式沿着X轴方向延伸，至少分别横穿像素电极17以及夹着像素电极17的一对源极布线19，从而能够接受来自作为信号供给源的辅助电容主干布线15的基准电位(电位)的供给。辅助电容布线33俯视时相对于至少一部分横穿的像素电极17经由第二层间绝缘膜30而重叠，俯视时相对于源极布线19经由第一层间绝缘膜28而重叠。辅助电容电极34配置于相对于辅助电容布线33而在Y轴方向(源极布线19的延伸方向)上远离的位置。辅助电容电极34俯视时相对于像素电极17经由第二层间绝缘膜30而重叠，但与夹着该像素电极17的一对源极布线19非重叠。而且，在阵列基板11B设置有用于将这些辅助电容布线33与辅助电容电极34连接的辅助电容连接部35。辅助电容电极34能够经由辅助电容连接部35而从辅助电容布线33接受基准电位的供给。根据这样的结构，由辅助电容连接部35连接的辅助电容布线33以及辅助电容电极34通过在与经由第二层间绝缘膜30而重叠的像素电极17之间形成静电电容，从而能够保持由TFT16充电的像素电极17的电位。而且，辅助电容电极34成为与一对源极布线19非重叠，因此若假设与辅助电容电极成为横穿一对源极布线19的配置的情况相比，则能够减少在与源极布线19之间产生的寄生电容。由此，向源极布线19传送的图像信号难以产生钝化，因此特别是在实现大型化、高清晰化等上优选。
如图2所示，辅助电容布线33遍及整个显示区域AA而以与栅极布线18并行的方式延伸，其两端部在非显示区域NAA中相对于作为信号供给源的辅助电容主干布线15分别连接。由此，辅助电容布线33能够从与两端部连接的辅助电容主干布线15接受共用电位的供给。而且，辅助电容布线33中，多根在Y轴方向上隔开间隔地排列配置，同时在Y轴方向相邻的彼此经由配置于它们之间的辅助电容电极34以及辅助电容连接部35而连接。换句话说，在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线33通过在Y轴方向上它们之间配置的一个辅助电容电极34和两个辅助电容连接部35而相互连接。若这样，则在使与辅助电容布线33、辅助电容电极34以及辅助电容连接部35相关的显示区域AA的电位分布均匀化方面优选。
如图7以及图8所示，辅助电容布线33以及辅助电容电极34均由第三金属膜29构成。换句话说，辅助电容布线33以及辅助电容电极34相互配置于同层，并且配置于与由第一金属膜24构成的栅极布线18不同的层。由此，辅助电容布线33以及辅助电容电极34相对于栅极布线18的配置自由度提高。而且，辅助电容布线33以及辅助电容电极34配置为至少各一部分俯视时与栅极布线18重叠。根据这样的结构，若假设与辅助电容布线以及辅助电容电极成为分别与栅极布线18非重叠且与像素电极17重叠的配置的情况相比，则基于辅助电容布线33以及辅助电容电极34的像素电极17的遮光面积减少，因此在实现像素部的开口率的提高上优选。在辅助电容布线33以及辅助电容电极34、与重叠的栅极布线18之间，至少夹有栅极绝缘膜25以及第一层间绝缘膜28，从而确保两者的绝缘性。如图3以及图9所示，这些辅助电容布线33以及辅助电容电极34在Y轴方向上每多个隔开间隔地排列配置。具体而言，辅助电容布线33以及辅助电容电极34以在Y轴方向上交替反复排列的方式分别配置有多根辅助电容布线33以及多个辅助电容电极34，其排列间隔与像素电极17的长边尺寸相等。因此，辅助电容布线33俯视时与在Y轴方向上从端部数第奇数根或者第偶数根栅极布线18重叠，相对于此，辅助电容电极34以俯视时与第偶数根或者第奇数根栅极布线18重叠的方式分别配置。另外，如图7、图8以及图12所示，辅助电容布线33以及辅助电容电极34与像素接触孔32重叠的部分开口。
而且，如图4所示，与上述的辅助电容布线33以及辅助电容电极34连接的辅助电容连接部35由第三金属膜29构成。换句话说，辅助电容连接部35与辅助电容布线33以及辅助电容电极34配置于同层。若这样，则假设在由与辅助电容布线33以及辅助电容电极34不同层的第二金属膜27构成辅助电容连接部的情况下，需要开口形成接触孔，该接触孔用于与在辅助电容连接部与辅助电容布线33以及辅助电容电极34之间夹设的第一层间绝缘膜28连接，但能够不设置这样的接触孔而将辅助电容连接部35与辅助电容布线33以及辅助电容电极34连接。
如图9所示，辅助电容连接部35配置为整体的平面形状成为点对称。详细而言，辅助电容连接部35由分别与辅助电容布线33以及辅助电容电极34连接的一对第一连接部35A、和将一对第一连接部35A彼此连接的第二连接部35B构成。一对第一连接部35A与源极布线19并行而沿着Y轴方向延伸，各自的延伸长度成为像素电极17的长边尺寸的一半左右。对于一对第一连接部35A而言，延伸方向的一端侧分别与辅助电容布线33以及辅助电容电极34连接，另一端侧与下述的第二连接部35B连接。一对第一连接部35A配置于相对于夹着像素电极17的一对源极布线19而分别在X轴方向上邻接那样的位置。详细而言，如图5以及图6所示，一对第一连接部35A配置为：各一部分分别与像素电极17的各长边部重叠，与像素电极17非重叠的部分夹在像素电极17与源极布线19之间。一对第一连接部35A通过在与相邻的各源极布线19之间几乎隔开相同的间隔(例如各5μm左右的间隔)而配置，从而实现在与源极布线19之间产生的寄生电容的减少、防短路。因此，即使在阵列基板11B的制造时，由透明电极膜31构成的像素电极17的对准相对于由第三金属膜29构成的一对第一连接部35A而在X轴方向(与源极布线19的延伸方向交叉的方向)上向任一侧偏离的情况下，一对第一连接部35A与像素电极17的重叠面积也难以产生变动。因此，可抑制以上述的对准偏离为起因而产生的辅助电容连接部35与像素电极17之间的静电电容值的变动。
如图9所示，第二连接部35B与栅极布线18并行而沿着X轴方向延伸，其延伸长度与像素电极17的短边尺寸相等。第二连接部35B延伸方向的两端部与一对第一连接部35A的另一端侧连接。第二连接部35B在Y轴方向上配置于像素电极17的长边的几乎中央位置。换句话说，如图3所示，第二连接部35B均以与区分像素电极17的多个晶畴的分界线重叠的方式平面配置。像素电极17的晶畴的边界位置具有液晶分子的取向容易产生紊乱而以此为起因容易成为显示灰度局部较低的暗线(暗部)的趋势。第二连接部35B成为与该暗线重叠的配置，从而难以以第二连接部35B为起因而使像素部的开口率降低。
而且，如图3以及图9所示，在阵列基板11B设置有源极重叠布线(信号重叠布线)36，该源极重叠布线36以与源极布线19并行的方式延伸而配置为使其大部分与源极布线19重叠。源极重叠布线36由第三金属膜29构成。换句话说，源极重叠布线36与辅助电容布线33、辅助电容电极34以及辅助电容连接部35配置于同层，并在与由重叠的第二金属膜27构成的源极布线19之间夹设第一层间绝缘膜28。而且，如图10所示，在夹设于源极重叠布线36与源极布线19之间的第一层间绝缘膜28开口形成有用于连接两者的接触孔37。若这样，则源极布线19通过在开口形成于第一层间绝缘膜28的接触孔37穿过而与源极重叠布线36连接从而多线化。由此，源极布线19的布线电阻减少，进而更难以产生信号钝化。该源极重叠布线36为了辅助电容布线33以及辅助电容电极34的设置而利用在阵列基板11B设置的第三金属膜29而设置，从而在实现制造成本的降低上优选。
如图9所示，源极重叠布线36配置为：遍及在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线33之间的范围延伸，其延伸方向的两端部与在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线33邻接。由此，可避免源极重叠布线36与同层的辅助电容布线33短路，并且使其延伸长度(延面距离、形成范围)最大化。对于源极重叠布线36而言，延伸长度成为像素电极17的长边尺寸的2倍左右，并在Y轴方向上在隔着辅助电容电极34的前后延伸。若假设配置为辅助电容电极与源极布线19重叠，则源极重叠布线的延伸长度变短与辅助电容电极的宽度对应的量以及与用于避免与辅助电容电极的短路的间隔对应的量。与此相比，能够使源极重叠布线36的延伸长度变长，因此在实现源极布线19的布线电阻的减少上优选。此外，配置于与源极重叠布线36同层的辅助电容电极34成为与源极布线19非重叠的配置，因此即使源极重叠布线36在Y轴方向上在隔着辅助电容电极34的前后延伸，也可避免与辅助电容电极34短路。另外，源极重叠布线36线中心与源极布线19的线中心几乎一致。
而且，如图10以及图11所示，在夹设于源极重叠布线36与源极布线19之间的第一层间绝缘膜28，除了在源极重叠布线36的Y轴方向的两端部之外还在Y轴方向上夹着辅助电容电极34的两个位置分别设置有接触孔37。换句话说，一根源极重叠布线36实现与通过在Y轴方向上分离的合计四个位置配置的接触孔37而重叠的源极布线19的连接。而且，四个接触孔37配置为与同辅助电容布线33以及辅助电容电极34分别重叠的各栅极布线18邻接，因此除了确保与源极布线19连接的连接可靠性(冗余性)之外，还难以视认以接触孔37为起因的显示品质的恶化。
如以上说明那样本实施方式的阵列基板(显示装置用基板)11B具备：像素电极17；源极布线(信号布线)19，其以夹着像素电极17的形式至少配置一对而对像素电极17供给信号；作为第一辅助电容部的辅助电容布线33，其以与源极布线19交叉的方式延伸而分别横穿像素电极17以及一对源极布线19，并经由第一层间绝缘膜(绝缘膜)28而与源极布线19重叠，经由第二层间绝缘膜(绝缘膜)30而与像素电极17重叠；作为第二辅助电容部的辅助电容电极34，其相对于辅助电容布线33而配置于在源极布线19的延伸方向上远离的位置而经由第二层间绝缘膜30与像素电极17重叠且与至少一根源极布线19非重叠；以及辅助电容连接部35，其将辅助电容布线33与辅助电容电极34连接。
若这样，则像素电极17通过被供给传送于源极布线19的信号从而以规定的电位充电。由辅助电容连接部35连接的辅助电容布线33以及辅助电容电极34通过在与经由第二层间绝缘膜30而重叠的像素电极17之间形成静电电容，从而能够保持已充电的像素电极17的电位。辅助电容布线33通过以与源极布线19交叉的方式延伸而横穿夹着像素电极17的一对源极布线19，从而能够接受来自作为信号供给源的辅助电容主干布线15的电位的供给。另一方面，辅助电容电极34能够经由辅助电容连接部35而从辅助电容布线33接受电位的供给。而且，辅助电容电极34由于与一对源极布线19中的至少一根非重叠，所以若假设与辅助电容电极成为横穿一对源极布线19的配置的情况相比，则能够减少在与源极布线19之间产生的寄生电容。由此，向源极布线19传送的信号难以产生钝化，因此特别是在实现大型化、高清晰化等上优选。
另外，具备以与源极布线19交叉的方式延伸的栅极布线(扫描布线)18，辅助电容布线33以及辅助电容电极34相互配置于同层且与栅极布线18不同的层。若这样，则若假设与将辅助电容布线以及辅助电容电极与栅极布线18配置于同层的情况相比，则辅助电容布线33以及辅助电容电极34相对于栅极布线18的配置自由度变高。
另外，辅助电容布线33配置为至少一部分与栅极布线18重叠。若这样，则若假设与使辅助电容布线成为与栅极布线18非重叠的配置的情况相比，则在实现开口率的提高上优选。
另外，具备：像素电极17沿着源极布线19以及栅极布线18的各延伸方向而以矩阵状排列配置而成的显示区域AA，辅助电容布线33在显示区域AA中在源极布线19的延伸方向上多个隔开间隔排列配置而至少一部分以遍及整个显示区域AA与栅极布线18并行的方式延伸。若这样，则以遍及整个显示区域AA而与栅极布线18并行的方式延伸的辅助电容布线33能够在显示区域AA外从作为信号供给源的辅助电容主干布线15接受信号的供给。
另外，多根辅助电容布线33经由辅助电容电极34以及辅助电容连接部35而彼此连接。若这样，则在使与辅助电容布线33、辅助电容电极34以及辅助电容连接部35相关的显示区域AA的电位分布均匀化上优选。
另外，辅助电容电极34配置为至少一部分与栅极布线18重叠。若这样，则若假设与使辅助电容电极成为与栅极布线18非重叠的配置的情况相比，则在实现开口率的提高上优选。
另外，辅助电容连接部35与辅助电容布线33以及辅助电容电极34配置于同层。若这样，则假设在使辅助电容连接部配置于与辅助电容布线33以及辅助电容电极34不同的层的情况下，需要对用于与在辅助电容连接部与辅助电容布线33以及辅助电容电极34之间夹设的绝缘膜连接的接触孔进行开口形成，但能够不设置这样的接触孔而将辅助电容连接部35与辅助电容布线33以及辅助电容电极34连接。
另外，具备源极重叠布线(信号重叠布线)36，该源极重叠布线36与辅助电容布线33以及辅助电容电极34配置于同层并以与源极布线19并行的方式延伸，并且以至少一部分与源极布线19重叠的方式配置，在夹设于源极布线19与源极重叠布线36之间的第一层间绝缘膜28开口形成有用于将两者连接的接触孔37。若这样，则源极布线19在开口形成于第一层间绝缘膜28的接触孔37通过而与源极重叠布线36连接，因此布线电阻减少，进而难以产生信号钝化。该源极重叠布线36与辅助电容布线33以及辅助电容电极34配置于同层，因此在实现制造成本的降低上优选。
另外，源极重叠布线36在源极布线19的延伸方向上在隔着辅助电容电极34的前后延伸。若这样，若假设与辅助电容电极以与源极布线19重叠的方式配置的情况相比，则能够增长源极重叠布线36的延面距离，因此在实现源极布线19的布线电阻的减少上更优选。与源极重叠布线36配置于同层的辅助电容电极34成为与源极布线19非重叠的配置，因此即使源极重叠布线36在源极布线19的延伸方向上在隔着辅助电容电极34前后延伸，也可避免与辅助电容电极34短路。
另外，栅极布线18在源极布线19的延伸方向上隔开间隔而配置多根，相对于此，辅助电容布线33以及辅助电容电极34配置为至少各一部分分别与栅极布线18重叠，在夹设于源极布线19与源极重叠布线36之间的第一层间绝缘膜28，除了在源极重叠布线36的延伸方向的两端部之外，还在延伸方向上夹着辅助电容电极34的两个位置分别设置有接触孔37。源极重叠布线36与横穿一对源极布线19的辅助电容布线33配置于同层，因此从防短路的观点考虑，可避免延伸方向上的形成范围超过辅助电容布线33。另一方面，为了使源极重叠布线36的延伸方向上的形成范围最大化，优选成为使源极重叠布线36的端部与辅助电容布线33邻接的配置。因此，接触孔37除了在第一层间绝缘膜28中的源极重叠布线36的两端部之外还在夹着辅助电容电极34的两个位置分别设置，从而各接触孔37成为与分别同辅助电容布线33以及辅助电容电极34重叠的各栅极布线18邻接的配置，因此除了可确保与源极布线19的连接可靠性，还难以视认以接触孔37为起因的显示品质的恶化。
另外，第二辅助电容部包括成为与夹着像素电极17的一对源极布线19非重叠的辅助电容电极34。若这样，则第二辅助电容部所含的辅助电容电极34成为与单一的像素电极17重叠的配置，成为与夹着像素电极17的一对源极布线19非重叠，因此若假设与同一根源极布线19重叠的情况相比，则能够进一步减少在与源极布线19之间产生的寄生电容。
另外，辅助电容连接部35配置为平面形状成为点对称。这样，若假设与辅助电容连接部的平面形状成为非点对称的情况相比，则例如可抑制在像素电极17的对准相对于辅助电容连接部35而在与源极布线19的延伸方向交叉的方向上偏离的情况下产生的辅助电容连接部35与像素电极17之间的静电电容值的变动。
另外，本实施方式的液晶面板(显示装置)11具备：上述的阵列基板11B、和与阵列基板11B以对置状配置的CF基板(对置基板)11A。根据这样的结构的液晶面板11，向源极布线19传送的信号难以产生钝化，因此获得优异的显示品质。
＜第二实施方式＞
根据图13～图15对本发明的第二实施方式进行说明。在该第二实施方式中，示出变更了液晶面板的显示模式的方式。此外，针对与上述的第一实施方式相同的构造、作用以及效果，省略重复的说明。
如图13所示，本实施方式的液晶面板成为利用设置于像素电极117的狭缝40而使液晶层所含的液晶分子取向那样的VA模式。详细而言，如图14所示，像素电极117由主干电极部38、和从主干电极部38以放射状延出而并以在之间具有狭缝40的形式排列的多个分支电极部39构成，作为整体而成为鱼骨形。主干电极部38作为整体俯视时成为十字形，并由沿着X轴方向延伸的部分、和沿着Y轴方向延伸的部分构成。分支电极部39沿着相对于X轴方向以及Y轴方向的倾斜方向延伸，其一端侧与主干电极部38连接。分支电极部39沿着主干电极部38的延伸方向而多个隔开几乎相等的间隔(狭缝40的宽度尺寸)排列配置。存在于相邻的分支电极部39间的狭缝40成为与分支电极部39并行的细长的槽状，沿着主干电极部38的延伸方向成为等间距排列。在阵列基板的表面中的与上述的狭缝40重叠的位置形成有部分凹部(没有电极的部分)，形成有与凹部形状对应的电场，因此能够使液晶层所含的液晶分子沿着该凹部以放射状取向。
而且，如图13以及图15所示，辅助电容连接部135配置为与像素电极117中的主干电极部38选择性地重叠。此处，像素电极117的主干电极部38附近具有液晶层所含的液晶分子的取向容易产生紊乱而以此为起因而容易成为显示灰度局部较低的暗线(暗部)的趋势。通过成为辅助电容连接部135与该暗线重叠的配置，从而难以以辅助电容连接部135为起因使像素部的开口率降低。辅助电容连接部135由沿着Y轴方向延伸而其两端部分别相对于辅助电容布线133以及辅助电容电极134连接的部分、和沿着X轴方向延伸的部分构成，整体的平面形状成为与主干电极部38相同的十字形。辅助电容连接部135沿着X轴方向延伸的部分与沿着Y轴方向延伸的部分分别配置于像素电极117的X轴方向以及Y轴方向的几乎中央位置。因此，辅助电容连接部135中的沿着Y轴方向延伸的部分并行而成为从由相同的第三金属膜构成的源极重叠布线136最大限分离的配置。由此，难以产生辅助电容连接部135与源极重叠布线136短路的情况。另外，辅助电容连接部135相对于主干电极部38的几乎整个区域重叠配置，因此在与像素电极117之间产生的静电电容进一步变大。
＜第三实施方式＞
根据图16～图19对本发明的第三实施方式进行说明。在该第三实施方式中，示出从上述的第一实施方式变更了液晶面板211的显示模式的方式。此外，针对与上述的第一实施方式相同的构造、作用以及效果，省略重复的说明。
如图16以及图17所示，本实施方式的液晶面板211成为利用在CF基板211A的对置电极223设置的开口部(切口部)41而使液晶层211C所含的液晶分子取向那样的CPA(Continuous Pinwheel Alignment)模式。此外，在图16中，由双点划线图示出开口部41。详细而言，开口部41在对置电极223中的与像素电极217重叠的位置各设置两个。通过该开口部41而在对置电极223的表面产生凹部。如图18所示，与对置电极223成为对置状的像素电极217由两个子像素电极42、与TFT216的漏电极216C连接的接触部43、将两个子像素电极42彼此连接的第一相连部44、以及将一个子像素电极42与接触部43连接的第二相连部45构成。各子像素电极42俯视时成为带圆角的纵长的方形。接触部43俯视时与TFT216重叠，并且成为与TFT216并行延伸的横长形状。而且，如图16所示，以各像素电极217为单位每两个设置的开口部41俯视时分别配置于与各子像素电极42的中心一致的位置。因此，液晶层所含的液晶分子以上述的开口部41为中心而以放射状取向。
而且，如图16以及图19所示，辅助电容连接部235以沿着像素电极217中的各子像素电极42的外缘部延伸的方式配置，其一部分与各子像素电极42的外缘部重叠。详细而言，辅助电容连接部235以与各子像素电极42的长边侧的两外缘部并行并且与各子像素电极42的同辅助电容布线233以及辅助电容电极234侧相反一侧的短边侧的外缘部并行的形式延伸。此处，像素电极217的各子像素电极42的外缘部附近俯视时距开口部41最远，因此液晶层211C所含的液晶分子的响应最迟，具有以此为起因而在动画显示时容易产生残像等的趋势。辅助电容连接部235成为与容易产生该残像的各子像素电极42的外缘部重叠的配置，从而难以以辅助电容连接部235为起因而使像素部的开口率降低。
＜第四实施方式＞
根据图20对本发明的第四实施方式进行说明。在该第四实施方式中，示出从上述的第三实施方式变更了像素电极317以及开口部341的结构的方式。此外，针对与上述的第三实施方式相同的构造、作用以及效果，省略重复的说明。
如图20所示，本实施方式的像素电极317成为在各子像素电极342的外缘部形成有多个狭缝46的结构。多个狭缝46沿着各子像素电极342的外缘部的周向隔开间隔排列配置，遍及各子像素电极342的几乎整周上均匀地配置。相对于此，开口部341俯视时成为十字形。根据这样的结构，与上述的第三实施方式相比，能够加快液晶层所含的液晶分子的响应。另一方面，以在像素电极317形成狭缝46的量，使在与辅助电容连接部335等之间产生的静电电容变小。换言之，上述的第三实施方式与第四实施方式相比，可较大地确保像素电极217的面积，因此在与辅助电容连接部235等之间产生的静电电容变大(参照图16)。
＜第五实施方式＞
根据图21～图23对本发明的第五实施方式进行说明。在该第五实施方式中，示出从上述的第一实施方式变更了液晶面板的显示模式的方式。此外，针对与上述的第一实施方式相同的构造、作用以及效果，省略重复的说明。
如图21所示，本实施方式的液晶面板成为TN(Twisted Nematic)模式。详细而言，如图22所示，像素电极417俯视时成为纵长的方形。相对于此，辅助电容连接部435以与像素电极417的长边侧的两外缘部并行的形式沿着Y轴方向以直线状延伸，其一部分与像素电极417的长边侧的两外缘部重叠。通过这样使辅助电容连接部435多线化，从而冗余性提高而较高地确保辅助电容布线433以及辅助电容电极434的连接可靠性，并且实现低电阻化。
＜第六实施方式＞
根据图24或者图25对本发明的第六实施方式进行说明。在该第六实施方式中，示出从上述的第一实施方式使辅助电容电极534的一部分成为扩展辅助电容电极47的方式。此外，对与上述的第一实施方式相同的构造、作用以及效果，省略重复的说明。
如图24所示，在本实施方式的阵列基板，除了辅助电容布线533、辅助电容电极534以及辅助电容连接部535之外还设置有扩展辅助电容电极(第二辅助电容部)47。扩展辅助电容电极47与辅助电容电极534同样，具有：通过沿着X轴方向延伸并且与像素电极517的一部分重叠而在与像素电极517之间形成静电电容的功能。另外，扩展辅助电容电极47成为与栅极布线518重叠的配置。但是，扩展辅助电容电极47在配置为与夹着像素电极517的一对源极布线519中的一根重叠这点上，与辅助电容电极534不同。换句话说，扩展辅助电容电极47以隔着源极布线519而跨越相邻的两个像素电极517的形式延伸，横穿上述两个像素电极517且与它们重叠。扩展辅助电容电极47以在X轴方向上与辅助电容电极534相邻的方式配置，可避免在X轴方向上连续地排列两个扩展辅助电容电极47。同样，辅助电容电极534可避免在X轴方向上连续排列两个辅助电容电极534。扩展辅助电容电极47以及辅助电容电极534成为在Y轴方向上相邻的彼此在X轴方向上错开的配置，换句话说成为锯齿状的平面配置。
而且，在本实施方式中，伴随着设置有扩展辅助电容电极47，辅助电容布线533的设置数比第一实施方式减少。具体而言，如图25所示，在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线533之间，沿着X轴方向每多个排列的扩展辅助电容电极47以及辅助电容电极534的行夹设有9个，同时沿着X轴方向多个排列的辅助电容连接部535的行夹设有10个。换言之，扩展辅助电容电极47以及辅助电容电极534的行在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线533之间排列配置有9个，辅助电容连接部535的行在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线533之间排列配置有10个。因此，与如第一实施方式那样辅助电容布线33与辅助电容电极34在Y轴方向上交替排列配置(参照图2)相比，辅助电容布线533的设置数大幅度减少。由此，源极布线519与辅助电容布线533交叉的位置数减少，因此能够实现在与辅助电容布线533之间产生的寄生电容的减少。并且，源极重叠布线536在Y轴方向上排列的辅助电容布线533与扩展辅助电容电极47之间、或者在Y轴方向上相邻的两个扩展辅助电容电极47之间的范围延伸。具体而言，如图24所示，在Y轴方向上分离且X轴方向上的配置一致的两个扩展辅助电容电极47以在之间每夹设两个扩展辅助电容电极47以及辅助电容电极534的方式周期性地配置。因此，源极重叠布线536在上述两个扩展辅助电容电极47之间的范围延伸，其延伸长度成为像素电极517的长边尺寸的三倍左右。这样源极重叠布线536的延面距离比上述的第一实施方式所记载的距离长，因此能够进一步减少源极布线519的布线电阻。另外，扩展辅助电容电极47以及辅助电容电极534如上述那样具有规则性的排列，从而从辅助电容布线533供给的基准电位难以产生钝化，进而难以产生阴影等显示不良。
如以上说明的那样，根据本实施方式，第二辅助电容部包含经由第一层间绝缘膜而与夹着像素电极517的一对源极布线519中的一根重叠的扩展辅助电容电极47。这样，第二辅助电容部所含的扩展辅助电容电极47能够采用隔着一对源极布线519中的一根源极布线519而横穿相邻的像素电极517的配置。伴随着扩展辅助电容电极47的设置而能够减少辅助电容布线533的设置数，因此作为结果，能够实现在辅助电容布线533与源极布线519之间产生的寄生电容的减少。
＜第七实施方式＞
根据图26对本发明的第七实施方式进行说明。在该第七实施方式中，示出从上述的第一实施方式变更了辅助电容电极634以及辅助电容连接部635的配置的方式。此外，针对与上述的第一实施方式相同的构造、作用以及效果，省略重复的说明。
如图26所示，本实施方式的辅助电容布线633配置为：在与Y轴方向上相邻的辅助电容布线633之间夹设有两个辅助电容电极634和三个辅助电容连接部635。因此，源极重叠布线636在两个辅助电容电极634之间的范围延伸，其延伸长度成为像素电极617的长边尺寸的三倍左右。这样源极重叠布线636的延面距离比上述的第一实施方式所记载的距离长，因此能够进一步减少源极布线619的布线电阻。
如以上说明的那样，根据本实施方式，辅助电容布线633在源极布线619的延伸方向上隔开间隔而配置多根，相对于此，辅助电容电极634在源极布线619的延伸方向上排列的两根辅助电容布线633之间，在源极布线619的延伸方向上隔开间隔配置有多根，源极重叠布线636在源极布线619的延伸方向上排列的两根辅助电容布线633之间的范围延伸。这样，可避免源极重叠布线636相对于配置于同层并横穿源极布线619的辅助电容布线633短路。因此，假设与在两根辅助电容布线633之间仅配置一个辅助电容电极的情况相比，则源极重叠布线636的延面距离进一步变长。由此，在实现源极布线619的低电阻化上更优选。
＜其他实施方式＞
本发明不限定于由上述叙述以及附图说明的实施方式，例如以下那样的实施方式也包含于本发明的技术范围。
(1)在上述的各实施方式中，示出辅助电容布线以及辅助电容电极与辅助电容连接部由相同的第三金属膜构成的情况，但也能够使辅助电容布线以及辅助电容电极、与辅助电容连接部由不同的金属膜构成。该情况下，在辅助电容布线以及辅助电容电极、与辅助电容连接部之间夹设的绝缘膜开口形成用于将两者连接的接触孔即可。
(2)除了上述的(1)以外，也能够使辅助电容布线、辅助电容电极以及辅助电容连接部由不同的金属膜构成。另外，也能够使辅助电容布线以及辅助电容连接部、与辅助电容电极由不同的金属膜构成，或使辅助电容布线、与辅助电容电极以及辅助电容连接部由不同的金属膜构成。
(3)在上述的各实施方式中，示出辅助电容布线以及辅助电容电极与栅极布线重叠的配置，但也可以是辅助电容布线以及辅助电容电极中的至少一方与栅极布线非重叠的配置。例如在成为使辅助电容布线与栅极布线重叠的配置，并且成为使辅助电容电极与栅极布线非重叠的配置的情况下，能够配置为使辅助电容电极与像素电极的长边方向的中央部分重叠，但不一定局限于此。另外，第六实施方式、第七实施方式所记载的扩展辅助电容电极也能够成为与栅极布线非重叠的配置。
(4)除了上述的各实施方式以外，辅助电容连接部的具体的布设路径也能够适当地变更。该情况下，优选以与根据显示模式等而产生于像素部的局部的暗部等重叠的方式决定辅助电容连接部的布设路径。
(5)上述的第二实施方式～第四实施方式所记载的结构也能够并用PSA(PolymerSustained Alignment)技术。PSA技术形成在电压无施加时对液晶层所含的液晶分子给予预倾斜的取向维持层。取向维持层通过在对液晶层施加了电压的状态下使与液晶材料预先混合的光聚合性单体光聚合而形成。未由取向维持层施加电压时的液晶分子维持为从基板面的法线方向倾斜了例如2～3°的预倾角和取向方位。
(6)在上述的第三实施方式、第四实施方式中，示出使形成于对置电极的开口部的平面形状成为方形或者十字形的情况，但开口部的平面形状除了这些以外还能够适当地变更。例如，能够使开口部的平面形状成为上述的第二实施方式所记载的像素电极那样的鱼骨形。
(7)在上述的第三实施方式、第四实施方式中，示出在对置电极设置开口部的情况，但也可以是，例如通过在对置电极与取向膜之间设置由电介质形成的突起，从而在CF基板的表面形成凸部。
(8)除了上述的第六实施方式以外，辅助电容布线以及扩展辅助电容电极的具体的配置、在Y轴方向上排列的两根辅助电容布线之间夹设的辅助电容布线以及扩展辅助电容电极的具体的行数等能够适当地变更。
(9)在上述的第七实施方式中，示出配置为在Y轴方向上相邻的两根辅助电容布线之间夹设两个辅助电容电极的情况，但也能够将之间夹设的数量变更为三个以上。这样，能够进一步增长源极重叠布线的延面距离。
(10)在上述的各实施方式中，作为设置于阵列基板的金属膜的材料而例示出导电性优异的铜以及铝，但除此以外也能够使用钛、钼、钨等。
(11)在上述的各实施方式(除去第五实施方式)中，示出液晶面板在无电压施加时成为最低灰度显示(黑显示)的常黑的情况，但除此以外，也可以是，液晶面板在无电压施加时成为最高灰度显示(白显示)的常白。该情况下，作为液晶面板的显示模式，优选TN模式。
(12)除了上述的各实施方式以外，液晶面板的显示模式也可以是IPS模式、FFS模式。该情况下，取代在VA模式等中设置于CF基板侧的对置电极而在阵列基板侧设置共用电极即可。
(13)在上述的各实施方式中，示出阵列基板中TFT以之字形状平面配置的情况，但也可以TFT以矩阵状平面配置。
(14)除了上述的各实施方式以外，液晶面板的具体的画面尺寸、分辨率能够适当地变更。另外，液晶面板的像素部的具体的排列间距也能够适当地变更。
(15)在上述的各实施方式中，示出在阵列基板安装有多个驱动器的情况，但也可以在阵列基板安装一个驱动器。
(16)在上述的各实施方式中，示出构成TFT的沟道部的半导体膜由氧化物半导体构成的情况，但半导体膜也可以由非晶体硅构成。另外，半导体膜也可以是多晶硅，该情况下，优选使TFT成为底栅型。
(17)在上述的各实施方式中，示出液晶面板的平面形状为横长的长方形的情况，但液晶显示装置的平面形状也可以是纵长的长方形、正方形、圆形、半圆形、长圆形、椭圆形、梯形等。
(18)在上述的各实施方式中，针对具备液晶面板的液晶显示装置进行了例示，但也可以是具备其他种类的显示面板(有机EL面板、EPD(微型胶囊型电泳方式的显示器面板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)显示面板等)的显示装置。
附图标记说明
11、211…液晶面板(显示装置)；11A、211A…CF基板(对置基板)；11B…阵列基板(显示装置用基板)；17、117、217、317、417、517、617…像素电极；18、518…栅极布线(扫描布线)；19、519、619…源极布线(信号布线)；28…第一层间绝缘膜(绝缘膜)；30…第二层间绝缘膜(绝缘膜)；33、133、233、433、533、633…辅助电容布线(第一辅助电容部)；34、134、234、434、534、634…辅助电容电极(第二辅助电容部)；35、135、235、435、535、635…辅助电容连接部；36、136、536、636…源极重叠布线(信号重叠布线)；37…接触孔；47…扩展辅助电容电极(第二辅助电容部)；AA…显示区域。

Claims (15)

1.一种显示装置用基板，其特征在于，具备：
像素电极；
信号布线，其以夹着所述像素电极的形式至少配置一对并对所述像素电极供给信号；
第一辅助电容部，其以与所述信号布线交叉的方式延伸而分别横穿所述像素电极以及一对所述信号布线，并经由第一层间绝缘膜而与所述信号布线重叠，经由第二层间绝缘膜而与所述像素电极重叠；
第二辅助电容部，其相对于所述第一辅助电容部而配置于在所述信号布线的延伸方向上远离的位置并经由所述第二层间绝缘膜而与所述像素电极重叠，并与至少一根所述信号布线成为非重叠；以及
辅助电容连接部，其将所述第一辅助电容部与所述第二辅助电容部连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置用基板，其特征在于，
具备以与所述信号布线交叉的方式延伸的扫描布线，
所述第一辅助电容部以及所述第二辅助电容部相互同层且配置于与所述扫描布线不同的层。
3.根据权利要求2所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述第一辅助电容部以其至少一部分与所述扫描布线重叠的方式配置。
4.根据权利要求3所述的显示装置用基板，其特征在于，
具备所述像素电极沿着所述信号布线以及所述扫描布线的各延伸方向以矩阵状排列配置而成的显示区域，
所述第一辅助电容部中，多个所述第一辅助电容部在所述显示区域中且在所述信号布线的延伸方向上隔开间隔地排列配置，且至少一部分以遍及整个所述显示区域与所述扫描布线并行的方式延伸。
5.根据权利要求4所述的显示装置用基板，其特征在于，
多个所述第一辅助电容部经由所述第二辅助电容部以及所述辅助电容连接部而相互连接。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述第二辅助电容部以其至少一部分与所述扫描布线重叠的方式配置。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述辅助电容连接部与所述第一辅助电容部以及所述第二辅助电容部配置于同层。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
具备信号重叠布线，该信号重叠布线与所述第一辅助电容部以及所述第二辅助电容部配置于同层并以与所述信号布线并行的方式延伸，同时该信号重叠布线配置为其至少一部分与所述信号布线重叠，
在夹设于所述信号布线与所述信号重叠布线之间的所述第一层间绝缘膜开口形成有用于将两者连接的接触孔。
9.根据权利要求8所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述信号重叠布线在所述信号布线的延伸方向上夹着所述第二辅助电容部的前后延伸。
10.根据权利要求9所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述扫描布线在所述信号布线的延伸方向上隔开间隔配置有多个，相对于此，所述第一辅助电容部以及所述第二辅助电容部配置为至少各一部分分别与所述扫描布线重叠，
在夹设于所述信号布线与所述信号重叠布线之间的所述第一层间绝缘膜，除了在所述信号重叠布线的所述延伸方向上的两端部之外还在所述延伸方向上夹着所述第二辅助电容部的两个位置分别设置有所述接触孔。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述第一辅助电容部在所述信号布线的延伸方向上隔开间隔而配置有多个，相对于此，所述第二辅助电容部在所述信号布线的延伸方向上排列的两个所述第一辅助电容部之间，在所述信号布线的延伸方向上隔开间隔地排列配置有多个，
所述信号重叠布线在所述信号布线的延伸方向上排列的两个所述第一辅助电容部之间的范围内延伸。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述第二辅助电容部包含与夹着所述像素电极的一对所述信号布线成为非重叠的辅助电容电极。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述第二辅助电容部包含经由所述第一层间绝缘膜而与夹着所述像素电极的一对所述信号布线中的一根重叠的扩展辅助电容电极。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于，
所述辅助电容连接部配置为平面形状成为点对称。
15.一种显示装置，其特征在于，具备：
权利要求1～14中任一项所述的显示装置用基板；和
与所述显示装置用基板以对置状配置的对置基板。
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