CN1485667A - 液晶显示装置用基板及具有该基板的液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子设备的显示单元等使用的液晶显示装置及其使用的液晶显示装置用基板，其目的是提供一种可以简化制造工艺、获得良好显示质量的液晶显示装置及其使用的液晶显示装置用基板。其具有：通过绝缘膜相互交叉地形成在基板上的栅极总线12和漏极总线14；以及像素电极16，其被配置成通过电介质层覆盖栅极总线12和漏极总线14中的至少一方的状态，并与栅极总线12和漏极总线14之间形成寄生电容。

Description

液晶显示装置用基板及具有该基板的液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种电子设备的显示单元等使用的液晶显示装置及其所用的液晶显示装置用基板。
背景技术
有源矩阵型液晶显示装置一般具有：TFT基板，其在每个象素中形成有用作开关元件的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)；和形成有滤色器(CF：Color Filter)等的对置基板。
TFT基板具有通过绝缘膜相互交叉的栅极总线和漏极总线。在两总线的交叉位置附近形成有TFT。在被配置成矩阵状的多个象素区域中分别形成象素电极。
TFT基板使用分档器，例如通过分块曝光方式来形成图案。分块曝光方式为：例如将形成TFT阵列等重复图案的显示区域分成多个曝光区域，使用同一掩模依次对每个曝光区域进行曝光。在两个曝光区域相邻的交界处，使各曝光区域的端部相互重合。但是，在分块曝光时如果每次闪光(shot)时产生错位(X-Y方向的错位或转动方向的错位)，会使得在交界处的每次闪光中的其中一方被曝光的区域增加。这样，将感光部分通过显影而溶解的正型抗蚀剂用作光致抗蚀剂时，形成于交界处的布线和电极等的宽度将变窄。反之，使用感光部分通过显影而残留的负型抗蚀剂时，形成于交界处的布线和电极等的宽度将变宽。
图22表示以往的TFT基板的结构。图23是沿图22的X-X线切断后的TFT基板的截面图。如图22及图23所示，在TFT基板102的玻璃基板110上形成相互并列地向图22的左右方向延伸的多个栅极总线112。在栅极总线112上的整个基板面上形成绝缘膜130。并形成通过绝缘膜130与栅极总线112交叉，并相互并列地向图22的上下方向延伸的多个漏极总线114。在漏极总线114上形成保护膜132。在保护膜132上形成由透明感光性树脂等构成的涂层(平坦化膜)134。
在涂层134上由栅极总线112和漏极总线114包围的区域形成象素电极116。形成象素电极116的区域成为象素区域。在栅极总线112和漏极总线114的交叉位置附近形成TFT120。TFT120的栅电极电连接栅极总线112。TFT120的漏电极121电连接漏极总线114。TFT120的源电极122通过接触孔124电连接象素电极116。
在TFT基板102上横穿象素区域的多个存储电容总线118并列形成在栅极总线112上。在存储电容总线118上的每个象素区域形成存储电容电极(中间电极)119。存储电容电极119通过接触孔126电连接象素电极116。
在漏极总线114和象素电极116之间产生规定的寄生电容，该象素电极116通过电介质层即保护膜132和涂层134形成在漏极总线114的两侧端部附近。同样，在漏极总线112和象素电极116之间产生规定的寄生电容，该象素电极116通过电介质层即绝缘膜130、保护膜132和涂层134形成在栅极总线112的两侧端部附近。
图24A至图24C表示TFT基板102的其他区域的截面结构。图24A表示在漏极总线114和象素电极116之间产生相对错位(重合错位)的TFT基板102。如图24A所示，象素电极116相对漏极总线114偏向图的右侧。所以，和图23所示截面进行比较，右侧象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变长，左侧象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变短。
图24B、图24C表示在象素电极116形成图案时，每次闪光时产生错位后的TFT基板102的交界处的截面结构。如图24B所示，象素电极116由于每次闪光的错位而形成图的左右方向宽度变宽的状态。因此，象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变短。另外，如图24C所示，象素电极116由于每次闪光的错位而形成图的左右方向宽度变窄的状态。因此，象素电极116端部和漏极总线114端部之间的距离变长。
这样，如果象素电极116和漏极总线114的距离不同，将使得产生于象素电极116和漏极总线114之间的寄生电容不同。在显示区域内，如果产生寄生电容不同于其他的区域，则该区域的显示特性将变得不同。例如，在左右方向相邻的两个曝光区域的交界处的寄生电容不同时，可目视到交界处形成在显示画面的上下方向延伸的直线状显示斑点。另外，如果每个曝光区域的寄生电容不同时，可目视到在每个曝光区域的显示特性不同的显示斑点。
为了解决上述问题，有进一步加厚形成由感光性树脂构成的涂层134的膜厚的方法。图25是表示加厚形成涂层134膜厚的TFT基板102的结构的截面图。如图25所示，如果加厚形成涂层134的膜厚，象素电极116端部和漏电极114端部之间的距离变长，所产生的寄生电容变小。如果加厚形成涂层134的膜厚，使所产生的寄生电容小到可以被忽视的程度，则即使产生错位等时，也看不到上述的显示斑点。
这种构成可以使象素电极116重叠形成在漏极总线114和栅极总线112上，所以能提高数值孔径(例如，参考专利文献1和2)。另外，也可以形成象素电极116使其覆盖漏极总线114、栅极总线112和TFT120(例如，参考专利文献3)。
图26表示以往的MVA(Multi-domain Vertical A1ignment：多区域垂直排列)模式液晶显示装置使用的液晶显示装置用基板的结构。如图26所示，TFT基板102具有线状突起140、141，该线状突起140、141用作限制负介电各向异性的液晶取向的取向限制用结构件。线状突起140在存储电容总线118和存储电容电极119上向图的左右方向延伸形成。线状突起141在象素区域的大约中央部位向图的上下方向延伸形成。线状突起140、141由抗蚀剂等形成。
专利文献1
特开平11-148078号公报(第4-6页、附图1)
专利文献2
特开平9-152625号公报(第8-10页、附图1)
专利文献3
特开平9-138423号公报(第2-4页、附图1)
树脂的介电常数一般为3～4，为了使所产生的寄生电容小到可以被忽视的程度，需要将涂层134的膜厚加厚形成为3～5μm左右。因此，将涂层134开口并形成接触孔时，所需要的曝光能量变大，曝光时间变长。所以，具有TFT基板102的制造工艺变复杂，降低生产率的问题。另外，产生形成图案时清晰度降低和发生显影残余等问题。
另一方面，具有取向限制用结构件的液晶显示装置因形成于象素区域内的线状突起141而降低了数值孔径，所以产生液晶显示装置的显示亮度降低的问题。为了维持显示亮度需要提高背照光亮度，产生增加液晶显示装置的消耗电力的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以简化制造工艺、能获得良好显示质量的液晶显示装置及其使用的液晶显示装置用基板。
上述目的是通过下述液晶显示装置用基板实现的，该液晶显示装置用基板的特征是，具有：基板，其和相对配置的对置基板一起夹持液晶；第1及第2总线，其通过绝缘膜相互交叉地形成在所述基板上；和象素电极，其被配置成通过电介质层覆盖所述第1或第2总线中的其中一方，并且与所述第1或第2总线之间形成寄生电容。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置的概略结构的图。
图2是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板的结构的图。
图3A及图3B是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板的结构的截面图。
图4是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的图。
图5是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的工序截面图。
图6是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的图。
图7是表示本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的工序截面图。
图8是表示本发明的第2实施方式的液晶显示装置用基板的结构的图。
图9是表示本发明的第2实施方式的液晶显示装置用基板的结构变形示例的图。
图10是表示本发明的第2实施方式的液晶显示装置用基板的结构变形例的截面图。
图11是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的结构的图。
图12是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的结构的截面图。
图13是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的图。
图14是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的工序截面图。
图15是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的图。
图16是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的工序截面图。
图17是表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的结构变形示例的图。
图18A及图18B表示本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板的结构变形例的截面图。
图19是表示本发明的第4实施方式的液晶显示装置用基板的结构的图。
图20是表示本发明的第4实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法的图。
图21是表示本发明的第5实施方式的液晶显示装置用基板的结构的图。
图22是表示以往的液晶显示装置用基板的结构的图。
图23是表示以往的液晶显示装置用基板的结构的截面图。
图24A至图24C是表示以往的液晶显示装置用基板的问题点的截面图。
图25是表示以往的液晶显示装置用基板的其他结构的截面图。
图26是表示以往的液晶显示装置用基板的另一其他结构的图。
具体实施方式
第1实施方式
使用图1至图7说明本发明的第1实施方式的液晶显示装置用基板及具有该基板的液晶显示装置。图1表示本实施方式的液晶显示装置的概略结构。如图1所示，液晶显示装置的结构为：将在每个象素区域形成有象素电极和TFT等的TFT基板2和形成有公共电极等的对置基板4对置粘贴，在它们之间封入液晶。在两基板2、4的对置面形成将液晶分子取向为规定方向的取向膜。
在TFT基板2设置着安装有驱动多个栅极总线的驱动IC的栅极总线驱动电路80，和安装有驱动多个漏极总线的驱动IC的漏极总线驱动电路82。两驱动电路80、82根据从控制电路84输出的规定信号，向规定的栅极总线或漏极总线输出扫描信号和数据信号。
在与TFT基板2的元件形成面相反的一侧的表面上粘贴有偏光板87。在偏光板87的与TFT基板2相反的一侧，配置有例如由线状一次光源和面状导光板构成的背照光单元88。另一方面，在与对置基板4的公共电极形成面相反的一侧的表面上粘贴有偏光板86。
图2表示本实施方式的TFT基板的结构。图3A是沿图2的A-A线切断后的TFT基板的截面图，图3B是沿图2的B-B线切断后的TFT基板的截面图。如图2至图3B所示，本实施方式的液晶显示装置具有在TFT基板2上形成CF层的CF-on-TFT结构。在TFT基板2的玻璃基板10上形成相互并列地向图2的左右方向延伸的多个栅极总线12。在栅极总线12上的整个基板面上形成绝缘膜30。在绝缘膜30上形成通过绝缘膜30与栅极总线12交叉，并相互并列地向图2的上下方向延伸的多个漏极总线14。在漏极总线14上的整个基板面上形成保护膜32。
在保护膜32上形成红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)中任一颜色的CF树脂层。在CF树脂层R、G、B上形成由透明感光性树脂等构成的树脂绝缘膜涂层34。在涂层34上，例如形成由ITO(Indium Tin Oxide：氧化锡铟)等透光性电极材料构成的象素电极16，使其覆盖栅极总线12和漏极总线14。象素电极16被配置成沿垂直于基板面方向看时，其大约中心部位重叠在漏极总线14上。形成有象素电极16的区域成为象素区域。在象素电极16与栅极总线12及漏极总线14之间产生规定的寄生电容。
在栅极总线12和漏极总线14的交叉位置附近形成TFT20。TFT20的栅电极电连接栅极总线12。TFT20的漏电极21电连接漏极总线14。TFT20的源电极22通过将源电极22上的涂层34、CF层及保护膜32开口而形成的接触孔24，电连接象素电极16。
另外，在TFT基板2上，形成与栅极总线12并列的多个存储电容总线18。在存储电容总线18上形成存储电容电极19。存储电容电极19在每个象素区域形成有两个，夹着漏极总线14在两侧各配置一个。存储电容电极19通过将存储电容电极19上的涂层34、CF层及保护膜32开口而形成的接触孔26，电连接象素电极16。
本实施方式形成象素电极16使其覆盖栅极总线12和漏极总线14。因此，即使在象素电极16和漏极总线14之间产生相对错位等时，象素电极16和漏极总线14之间的距离也不会变化。所以，寄生电容不会有波动。另外，即使由于每次闪光时的错位，使得在曝光区域的交界处象素电极16和漏极总线14的宽度不同时，象素电极16和漏极总线14之间的距离也不会变化。所以能够抑制寄生电容的波动。
下面，使用图4至图7说明本实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法。图4及图6表示TFT基板的制造方法。图5及图7是表示TFT基板的制造方法的工序截面图，表示与图3A对应的截面。首先，如图4及图5所示，在玻璃基板10上形成栅极总线12和存储电容总线18。栅极总线12和存储电容总线18，例如可以通过铬(Cr)单层、或铝(Al)/钛(Ti)、Al/钼(Mo)/氮化钼(MoN)、或Ti/Al/Ti层压等来形成。
之后，在栅极总线12和存储电容总线18上的整个基板面上成膜例如氮化硅膜(SiN膜)，形成绝缘膜30。然后，在绝缘膜30上形成例如由非晶硅(a-Si)构成的动作半导体层31。接着，在动作半导体层31上形成例如由SiN膜构成的沟道保护膜23。沟道保护膜23通过将栅极总线12用作掩模的背面曝光而自对准形成。接着，在沟道保护膜23上的整个基板面上顺序成膜n+a-Si及金属层并形成图案，形成TFT20的漏电极21和源电极22。同时，形成漏极总线14和存储电容电极19。该金属层可以使用例如Cr单层、或Al/Ti、Al/Mo/MoN、或Ti/Al/Ti层压等。在漏电极21、源电极22、漏极总线14及存储电容电极19上的整个基板面上成膜例如SiN膜，形成保护膜32。然后，将源电极22上的保护膜32开口并形成接触孔24’，将存储电容电极19上的保护膜32开口并形成接触孔26’。
然后，如图6及图7所示，在保护膜32上依次形成CF层R、G、B。在CF层R、G、B上的整个基板面上形成涂层34。接着，将接触孔24’上的涂层34及CF层R、G、B开口并形成接触孔24，将接触孔26’上的涂层34及CF层R、G、B开口并形成接触孔26。接着，将ITO等透光性电极材料成膜在涂层34上的整个基板面上并形成图案，形成象素电极16使其覆盖栅极总线12和漏极总线14。象素电极16通过接触孔24电连接源电极22，通过接触孔26电连接存储电容电极19。经过以上工序，即完成了图2至图3B所示的TFT基板2。这样，本实施方式的液晶显示装置用基板和以往的液晶显示装置用基板相比，未增加制造工序，也没有增加制造成本。
第2实施方式
下面，使用图8至图10说明本发明的第2实施方式的液晶显示装置用基板。图8表示本实施方式的TFT基板的结构。如图8所示，TFT基板2具有用作取向限制用结构件的多个突起40，例如，用MVA模式构成常黑模式液晶显示装置的其中一个基板。突起40例如由抗蚀剂形成，沿垂直于基板面方向看时，其约呈圆形。突起40例如被配置在栅极总线12与漏极总线14的交叉位置上，和存储电容总线18与漏极总线14的交叉位置上。
本实施方式是在栅极总线12与漏极总线14的交叉位置上，和存储电容总线18与漏极总线14的交叉位置上等对数值孔径没有作用的区域形成突起40。所以，能获得与第1实施方式相同的效果，同时可以实现不降低数值孔径的大视场角的液晶显示装置。另外，突起40也可以形成于对置基板4侧。
本实施方式的液晶显示装置是常黑模式，所以没必要对相邻的象素区域之间进行遮光。因此，可以不在对置基板4侧形成遮光膜，所以能进一步提高数值孔径。另外，在粘贴两基板2、4时，不要求高的定位精度，所以简化了制造工艺。
下面，使用图9和图10说明本实施方式的液晶显示装置用基板的变形示例。图9表示本变形示例的TFT基板的结构，图10表示沿图9的C-C线切断后的TFT基板的截面结构。如图9和图10所示，TFT基板2具有沿图中左右方向延伸的多个线状突起41，和用作取向限制用结构件的沿图中上下方向延伸的多个线状突起42。线状突起41形成于栅极总线12和存储电容总线18上。线状突起42形成于漏极总线14上。本变形示例的线状突起41、42形成于对栅极总线12、漏极总线14和存储电容总线18上的对数值孔径没有作用的区域。所以，能获得和上述实施方式相同的效果。另外，线状突起41、42也可以形成在对置基板4侧。
第3实施方式
下面，使用图11至图18B说明本发明的第3实施方式的液晶显示装置用基板。图11表示本实施方式的TFT基板的结构，图12表示沿图11的D-D线切断后的TFT基板的截面结构。如图11和图12所示，TFT基板2在一个象素内具有由透光性电极材料构成的透明电极15和由光反射性电极材料构成的反射电极17，它构成半透过型液晶显示装置的其中一个基板。一个象素内的透明电极15和反射电极17相互电连接。透明电极15使从设于TFT基板2的里面侧的背照光单元88入射的光透过到表面侧，反射电极17用于反射从TFT基板2的表面侧(对置基板4侧)入射的外部光。
反射电极17配置在象素区域中的图11上方，透明电极15配置在下方。形成反射电极17，使其覆盖栅极总线12、存储电容总线18、漏极总线14和TFT20。反射电极17通过接触孔25电连接TFT20的源电极22。反射电极17还通过接触孔26电连接存储电容电极19(图11及图12中未图示)。
透明电极15形成覆盖漏极总线14的状态。透明电极15通过接触孔25电连接TFT20的源电极22。
根据本实施方式，能获得和第1实施方式相同的效果，同时通过使反射电极17形成为覆盖栅极总线12、存储电容总线18和TFT20的状态，可以高效地配置透明电极15和反射电极17，提高数值孔径。
下面，使用图13至图16说明本实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法。图13和图15表示TFT基板的制造方法。图14和图16是表示TFT基板的制造方法的工序截面图，表示与图12对应的截面。首先，如图13和图14所示，在玻璃基板10上形成栅极总线12和存储电容总线18。
之后，在栅极总线12和存储电容总线18上的整个基板面上成膜例如iN膜，形成绝缘膜30。然后，在绝缘膜30上形成例如由a-Si构成的动作半导体层31。接着，在动作半导体层31上形成例如由SiN膜构成的沟道保护膜23。接着，在沟道保护膜23上的整个基板面上顺序成膜n+a-Si及金属层并形成图案，形成TFT20的漏电极21和源电极22。同时，形成漏极总线14和存储电容电极19。在漏电极21、源电极22、漏极总线14及存储电容电极19上的整个基板面上成膜例如SiN膜，形成保护膜32。然后，在保护膜32上的整个基板面上涂覆例如感光性树脂，形成涂层34。接着，将源电极22上的涂层34及保护膜32开口并形成接触孔25，将存储电容电极19上的涂层34及保护膜32开口并形成接触孔26。
然后，如图15及图16所示，将ITO等透光性电极材料成膜在涂层34上的整个基板面上并形成图案，形成透明电极15使其覆盖漏极总线14。透明电极15通过接触孔25电连接源电极22。
接着，将光反射性电极材料成膜在透明电极15上的整个基板面上并形成图案，形成反射电极17使其覆盖栅极总线12、存储电容总线18及漏极总线14。反射电极17的一部分层压形成在透明电极15的一部分上，一个象素内的两电极16、17相互电连接。反射电极17通过接触孔25电连接源电极22，通过接触孔26电连接存储电容电极19。经过以上工序，即完成了图11和图12所示的TFT基板2。这样，本实施方式的液晶显示装置用基板和以往的液晶显示装置用基板相比，未增加制造工序，也没有增加制造成本。
下面，使用图17至图18说明本实施方式的液晶显示装置用基板的结构的变形示例。图17表示本变形例的TFT的结构。图18A表示沿图17的E-E线切断后的TFT基板的截面结构，图18B表示沿图17的F-F线切断后的TFT基板的截面结构。如图17至图18B所示，TFT基板2在一个象素内具有两个反射电极17a、17b和两个透明电极15a、15b，它构成半透过型液晶显示装置的其中一个基板。
沿垂直于基板面方向看时，反射电极17a、17b被配置成相隔规定间隙夹着漏极总线14的状态。反射电极17a、17b形成为覆盖存储电容总线18的状态。反射电极17a、17b通过连接电极61相互电连接。形成连接电极61的材料和形成反射电极17a、17b的材料相同。反射电极17b通过将反射电极17b上的涂层34及保护膜32开口而形成的接触孔24，与TFT20的源电极22电连接。
虽然未图示，但在存储电容总线18上，在每个象素区域形成两个被配置成相隔规定间隙夹着漏极总线14的存储电容电极19。反射电极17a通过将其中一个存储电容电极19上的涂层34和保护膜32开口而形成的接触孔54，与存储电容电极19电连接。反射电极17b通过将另一个存储电容电极19上的涂层34和保护膜32开口而形成的接触孔55，与存储电容电极19电连接。
透明电极15a形成为覆盖存储电容总线18的状态，在存储电容总线18上电连接反射电极17a。透明电极15b通过连接电极60电连接透明电极15a。本变形示例也能获得和上述实施方式相同的效果。
第四实施方式
下面，使用图19和图20说明本发明的第4实施方式的液晶显示装置。图19表示本实施方式的TFT基板的结构。如图19所示，TFT基板2在一个象素内具有两个透明电极15a、15b和两个反射电极17a、17b，它构成半透过型液晶显示装置的其中一个基板。
透明电极15a形成为覆盖漏电极14的状态，通过接触孔24电连接TFT20的源电极22。反射电极17a形成为覆盖存储电容总线18的状态，通过接触孔50电连接透明电极15a。反射电极17b形成为覆盖存储电容总线18的状态，通过接触孔51电连接透明电极15a。透明电极15b形成为覆盖漏极总线14的状态。另外，透明电极15b通过接触孔52电连接反射电极17a，通过接触孔53电连接反射电极17b。
形成反射电极17a、17b的材料和形成漏极总线14的材料相同，反射电极17a、17b被配置成相隔规定间隙夹着漏极总线14的状态。反射电极17a、17b通过作为电介质层的绝缘膜30与存储电容总线18相对配置，具有作为形成于每个象素区域的存储电容电极的功能。
下面，使用图20说明本实施方式的液晶显示装置用基板的制造方法。形成TFT20的沟道保护膜23之前的工序，和第1及第3实施方式相同，所以省略其说明。在沟道保护膜23上的整个基板面上顺序成膜n+a-Si及金属层并形成图案，形成TFT20的漏电极21和源电极22。同时，形成漏极总线14及反射电极17a、17b。接着，在漏电极21、源电极22、漏极总线14及反射电极17a、17b上的整个基板面上成膜例如SiN膜，形成保护膜32(在图20中未图示)。在保护膜32上的整个基板面上涂覆例如感光性树脂，形成涂层34(在图20中未图示)。将源电极22上的涂层34及保护膜32开口并形成接触孔24。同时，将反射电极1 7a上的涂层34及保护膜32开口并形成接触孔50、52，将反射电极17b上的涂层34及保护膜32开口并形成接触孔51、53。
然后，将ITO等透光性电极材料成膜在涂层34上的整个基板面上并形成图案，形成透明电极15a、15b使其覆盖漏极总线14。透明电极15a通过接触孔50电连接反射电极17a，通过接触孔51电连接反射电极17b。透明电极15b通过接触孔52电连接反射电极17a，通过接触孔53电连接反射电极17b。经过以上工序，即完成图19所示的TFT基板2。
本实施方式用和形成漏极总线14等相同的材料同时形成反射电极17a、17b。所以，根据本实施方式可以获得和第1实施方式相同的效果，同时可以使用与普通透过型液晶显示装置使用的TFT基板2数目相同的光掩模来制造半透过型液晶显示装置的TFT基板2。
第五实施方式
下面，使用图21说明本发明的第5实施方式的液晶显示装置用基板。图21表示本实施方式的TFT基板的结构。如图21所示，TFT基板2在一个象素内具有两个象素电极16a、16b和电连接两象素电极16a、16b之间的连接电极60。
象素电极16a、16b形成为覆盖栅极总线12及存储电容总线18的状态。象素电极16a、16b被配置成沿垂直于基板面方向看时，相隔规定间隙夹着漏极总线14的状态。象素电极16a、16b通过两个连接电极60相互电连接。形成连接电极60的材料和形成象素电极16a、16b的材料相同。
在存储电容总线18上，在每个象素区域内形成两个存储电容电极19a、19b。存储电容电极19a、19b夹着漏极总线14分别被配置在两侧。存储电容电极19a通过接触孔26a电连接象素电极16a，该接触孔26a是通过将存储电容电极19a上的涂层34和保护膜32(在图21中均未图示)开口而形成的。存储电容电极19b通过接触孔26b电连接象素电极16b，该接触孔26b是通过将存储电容电极19b上的涂层34和保护膜32开口而形成的。
TFT20的源电极22通过连接布线62连接不在同一象素内而在图下方邻接的象素中的存储电容电极19b。即，TFT20的栅电极电连接相邻的两个栅极总线12中的图上方侧的栅极总线，同一TFT20的源电极22电连接象素电极16a、16b，象素电极16a、16b被配置成覆盖相邻的两个栅极总线12中的图下方侧的栅极总线的状态。形成连接布线62的材料和形成漏极总线14、漏电极21、源电极22和存储电容电极19a、19b的材料相同。
本实施方式中，象素电极16a、16b形成覆盖用于驱动在图下方邻接的象素的TFT20和栅极总线12的状态。所以，可以获得和第1实施方式相同的效果，同时在向象素电极16a、16b写入规定电位时，不向象素电极16a、16b的下层栅极总线12施加电压，而向在其上方邻接的栅极总线12施加电压。因此，象素电位不受栅极总线12的电场的影响，所以能够防止显示画面上产生闪烁和亮度倾斜等。
本发明并不限定于上述实施方式，也可以进行各种变形。
例如，上述实施方式是以底栅型液晶显示装置用基板为例，但本发明并不限定于此，也可以适用于顶栅型液晶显示装置用基板。
此外，上述实施方式是以沟道保护膜型液晶显示装置用基板为例，但本发明并不限定于此，也可以应用于沟道蚀刻型液晶显示装置用基板。
另外，上述实施方式中，为了降低寄生电容，在保护膜32上形成涂层34。但是，根据本发明，在显示区域内的所有象素中，在栅极总线12或漏极总线14和象素电极16(包括透明电极15和反射电极17)之间产生基本恒定的寄生电容，不会因错位等产生寄生电容的波动。所以，即使不形成涂层34，也不会目视到显示斑点。
如上所述，根据本发明可以简化制造工艺，实现能够获得良好显示质量的液晶显示装置。

Claims (8)

1.一种液晶显示装置用基板，其特征在于，具有：
基板，其和相对配置的对置基板一起夹着液晶；
第1及第2总线，其通过绝缘膜相互交叉地形成在所述基板上；和
象素电极，其被配置成通过电介质层覆盖所述第1或第2总线中至少一方，并与所述第1或第2总线之间形成寄生电容。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，
还具有：限制所述液晶取向的取向限制用结构件，
沿垂直于基板面方向看时，所述取向限制用结构件配置在所述第1或第2总线其中一方上。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，
所述象素电极具有：透明电极，其由透光性材料形成，使从所述基板里面侧入射的光透过到所述基板表面侧；和反射电极，其电连接所述透明电极，由光反射性材料形成，使从所述基板表面侧入射的光反射。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，
所述反射电极具有作为形成于所述每个象素区域的存储电容电极的功能。
5.如权利要求3或4所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，
形成所述反射电极的材料和形成所述第1或第2总线的材料相同。
6.如权利要求1～5中任一项所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，沿垂直于基板面方向看时，所述象素电极被配置成其大约中心部位与所述第1或第2总线重叠。
7.如权利要求1～6中任一项所述的液晶显示装置用基板，其特征在于，
还具有薄膜晶体管，该薄膜晶体管形成于所述第1及第2总线的交叉位置附近，并具有电连接所述第1总线的栅电极、电连接所述第2总线的漏电极和电连接所述象素电极的源电极，
所述栅电极电连接相邻的所述第1总线中的其中一方，
所述源电极电连接所述象素电极，该象素电极被配置成覆盖相邻的所述第1总线中的另一方。
8.一种液晶显示装置，具有一对基板和被封入所述一对基板之间的液晶，其特征在于，
所述基板的其中一方使用权利要求1～7中任一项所述的液晶显示装置用基板。
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