CN102914916A - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

根据一个实施例，液晶显示装置包括：第一基板（AR），该第一基板（AR）包括覆盖第一布线线路（G）的层间绝缘膜（12）、在层间绝缘膜上的第二布线线路（S1）和第三布线线路（S2）、以及位于层间绝缘膜上的第二布线线路与第三布线线路之间、与第二布线线路和第三布线线路间隔开的第一电极（PE）；第二基板（CT），该第二基板（CT）包括与第二布线线路和第三布线线路中的每条布线线路都相对的第二电极（CE）、以及第一基板与第二基板之间的液晶层（LQ）。

Description

液晶显示装置

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年8月5日提交的在先日本专利申请No.2011-172041并要求享有其优先权权益，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本文描述的实施例一般地涉及液晶显示装置。

背景技术

近年来，平面显示装置已得到大力发展。由于诸如重量轻、厚度薄和功耗低等有利特征，已特别关注了液晶显示装置等。更具体地，在相应像素中包含开关元件的有源矩阵液晶装置中，关注了使用诸如IPS（板内转换）模式或FFS（边缘场转换）模式等横向电场（包括边缘电场）的结构。这种横向电场模式的液晶显示装置包括形成在阵列基板上的像素电极和对向电极，并且液晶分子由大体上平行于阵列基板的主表面的横向电场转换。

另一方面，已经提出一种技术，其中在形成于阵列基板上的像素电极与形成于对向基板上的对向电极之间产生横向电场或斜电场，由此转换液晶分子。

附图说明

图1是示意性示出根据实施例的液晶显示装置的结构和等效电路的视图。

图2是示意性示出当从对向基板侧观察图1中示出的液晶显示器面板时的像素的结构示例的平面图。

图3是沿着图2中的线A-A获得的示意性截面图，该截面图示出图2中示出的液晶显示器面板的横截面结构。

图4是沿着图2中的线B-B获得的示意性截面图，该截面图示出图2中示出的液晶显示器面板的横截面结构。

图5是沿着图2中的线A-A获得的示意性截面图，该截面图示出图2中示出的液晶显示器面板LPN的另一横截面结构。

图6是沿着图2中的线B-B获得的示意性截面图，该截面图示出图2中示出的液晶显示器面板LPN的另一横截面结构。

图7是示意性示出当从对向基板侧观察图1中示出的液晶显示器面板时的像素的另一结构示例的平面图。

图8是示意性示出当从对向基板侧观察图1中示出的液晶显示器面板时的像素的另一结构示例的平面图。

具体实施方式

通常，根据一个实施例，一种液晶显示装置包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘基板，在所述第一绝缘基板的内侧上、在第一方向上延伸的第一布线线路，覆盖所述第一布线线路的层间绝缘膜，分别在所述层间绝缘膜上、在大体垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布线线路和第三布线线路，电连接到所述第一布线线路和所述第二布线线路的转换元件，位于所述层间绝缘膜上的所述第二布线线路与所述第三布线线路之间的、与所述第二布线线路和所述第三布线线路间隔开的、连接到所述转换元件并且在所述第二方向上延伸的第一电极，以及覆盖所述第二布线线路、所述第三布线线路和所述第一电极的第一配向膜；第二基板，所述第二基板包括第二绝缘基板、在所述第二方向上延伸并且与所述第一电极的两侧上的所述第二布线线路和所述第三布线线路中的每条布线线路都相对的第二电极和覆盖所述第二电极的第二配向膜，所述第二电极在所述第二绝缘基板的与所述第一基板相对的那一侧上；以及液晶层，所述液晶层包括保持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶分子。

根据另一实施例，一种液晶显示装置包括：第一基板，所述第一基板包括线性延伸的第一电极，在大体垂直于所述第一电极的延伸方向的方向上延伸的第一布线线路，在大体平行于所述第一电极的延伸方向的方向上延伸的第二布线线路和第三布线线路，以及电连接到所述第一布线线路和所述第二布线线路的转换元件，所述第一电极位于所述第二布线线路与所述第三布线线路之间、与所述第二布线线路和所述第三布线线路间隔开、连接到所述转换元件并且由不透明布线材料形成；第二基板，所述第二基板包括第二电极，所述第二电极与所述第一电极的两侧上的所述第二布线线路和所述第三布线线路中的每条布线线路都相对并且在大体平行于所述第一电极的延伸方向的方向上延伸；以及液晶层，所述液晶层包括保持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶分子。

根据另一实施例，一种液晶显示装置包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘基板，在所述第一绝缘基板的内侧上、在第一方向上延伸的第一布线线路，覆盖所述第一布线线路的层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上、在大体垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布线线路，以及由与所述层间绝缘膜上的所述第二布线线路相同的材料形成的、与所述第二布线线路间隔开的并且在所述第二方向上延伸的第一电极；第二基板，所述第二基板包括第二绝缘基板、以及在所述第一电极的两侧上、在所述第二方向上延伸的第二电极，所述第二电极在所述第二绝缘基板的与所述第一基板相对的那一侧上；以及液晶层，所述液晶层包括保持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶分子。

现在将参考附图详细地描述实施例。在附图中，由同样的附图标记表示具有相同或相似功能的结构元件，并且省略重复的描述。

图1是示意性示出根据实施例的液晶显示装置的结构和等效电路的视图。

具体地，液晶显示装置包括有源矩阵型液晶显示器面板LPN。该液晶显示器面板LPN包括：作为第一基板的阵列基板AR、作为与该阵列基板AR相对设置的第二基板的对向基板CT和设置在阵列基板AR与对向基板CT之间的液晶层LQ。该液晶显示器面板LPN包括显示图像的有源区ACT。该有源区ACT由以m×n（m和n是正整数）矩阵排列的多个像素PX构成。

该液晶显示器面板LPN在有源区ACT中包括：n条栅极线G（G1至Gn）、n条存储电容线C（C1至Cn）和n条源极线S（S1至Sm）。栅极线G和存储电容线C在第一方向X上延伸。栅极线G和存储电容线C沿着与第一方向X交叉的第二方向Y以一定间隔邻近，并且平行地交替布置。在该示例中，第一方向X和第二方向Y彼此垂直。源极线S与栅极线G和存储电容线C交叉。源极线S沿着第二方向Y大体线性地延伸。不总是需要栅极线G、存储电容线C和源极线S中的每条都线性延伸，而其一部分可以是弯曲的。

在示出的示例中，栅极线G和存储电容线C对应于在第一方向X上线性延伸的第一布线线路，并且源极线S对应于在第二方向Y上线性延伸的第二布线线路。可能存在这种情况，其中：栅极线G和存储电容线C对应于在第二方向Y上线性延伸的第二布线线路，并且源极线S对应于在第一方向X上线性延伸的第一布线线路。

每条栅极线G都被引导至有源区ACT的外部并且连接到栅极驱动器GD。每条源极线S都被引导至有源区ACT的外部并且连接到源极驱动器SD。栅极驱动器GD和源极驱动器SD中的至少一部分形成在例如阵列基板AR上并且连接至包含控制器的驱动IC芯片2。

每个像素PX都包括转换元件SW、像素电极PE和公共电极CE。例如，在存储电容线C与像素电极PE之间形成存储电容CS。存储电容线C电连接至存储电容电压所施加到的电压施加模块VCS。

在本实施例中，液晶显示器面板LPN配置为使得像素电极PE形成在阵列基板AR上，并且公共电极CE的至少一部分形成在对向基板CT上，且通过主要使用在像素电极PE与公共电极CE之间产生的电场来转换液晶层LQ的液晶分子。在像素电极PE与公共电极CE之间产生的电场是稍微倾向由第一方向X与第二方向Y限定的X-Y平面、或阵列基板AR的基板主表面或对向基板CT的基板主表面的斜电场（或大体平行于基板主表面的横向电场）。

转换元件SW由例如n沟道薄膜晶体管（TFT）构成。转换元件SW电连接到栅极线G和源极线S。转换元件SW可以是顶栅极型或底栅极型。此外，转换元件SW的半导体层由例如多晶硅形成，但是也可以由非晶硅形成。

像素电极PE设置在相应的像素PX中，并且电连接到转换元件SW。公共电极CE具有例如公共电势，并且经由液晶层LQ而对多个像素PX的像素电极PE公共地设置。

像素电极PE由不透明布线材料或具有挡光性或反射性的导电材料形成。例如，像素电极PE由选自铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）的金属材料或包括这些元素之一的合金形成。与像素电极PE相似，公共电极CE可以由选自铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）的金属材料或包括这些元素之一的合金形成。

在像素电极PE和公共电极CE中的一个由上述不透明材料形成的情况下，像素电极PE和公共电极CE中的另一个可以由诸如氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）等透光的、导电的材料形成。在像素电极PE和公共电极CE都由上述不透明材料形成的情况下，像素电极PE和公共电极CE可以由不同材料形成。

阵列衬底AR包括用于将电压施加到公共电极CE的供电模块VS。供电模块VS形成在例如有源区ACT的外部。公共电极CE被引导至有源区ACT的外部，并且经由导电构件（未示出）电连接到供电模块VS。

图2是示意性示出当从对向基板侧观察图1中示出的液晶显示器面板LPN时的一个像素PX的结构示例的平面图。图2是X-Y平面中的平面图。

阵列基板AR包括栅极线G1、栅极线G2、存储电容线C1、源极线S1、源极线S2、转换元件SW、像素电极PE和第一配向膜AL1。对向基板CT包括公共电极CE和第二配向膜AL2。

栅极线G1、栅极线G2和存储电容线C1在第一方向X上延伸。源极线S1和源极线S2在第二方向Y上延伸。存储电容线C1位于栅极线G1与栅极线G2之间的大体中点处。具体地，在第二方向Y上的栅极线G1与存储电容线C1之间的距离大体等于在第二方向Y上的栅极线G2与存储电容线C1之间的距离。

在示出的示例中，像素PX对应于由栅极线G1、栅极线G2、源极线S1和源极线S2形成的栅格区，正如图2中的虚线表示的那样。像素PX具有在第二方向Y上的长度大于在第一方向X上的长度的矩形形状。在第一方向X上的像素PX的长度对应于在第一方向X上的源极线S1与源极线S2之间的间距。在第二方向Y上的像素PX的长度对应于在第二方向Y上的栅极线G1与栅极线G2之间的间距。像素电极PE设置在彼此邻近的源极线S1与源极线S2之间。此外，像素电极PE位于栅极线G1与栅极线G2之间。

在示出的示例中，在像素PX中，源极线S1设置在左侧端部，源极线S2设置在右侧端部，栅极线G1设置在上侧端部，并且栅极线G2设置在下侧端部。严格地说，源极线S1设置为在像素PX与左侧的邻近像素之间的界线之上延伸，源极线S2设置为在像素PX与右侧的邻近像素之间的界线之上延伸，栅极线G1设置为在像素PX与上侧的邻近像素之间的界线之上延伸，并且栅极线G2设置为在像素PX与下侧的邻近像素之间的界线之上延伸。存储电容线C1设置在像素PX的大体中央部分处。

在所示出的示例中的转换元件SW电连接到栅极线G1和源极线S1。转换元件SW设置在栅极线G1与源极线S1之间的交叉处。转换元件SW的漏极线形成为沿着源极线S1和存储电容线C1延伸，并且电连接到位于与存储电容线C1重叠的区域处的像素电极PE。转换元件SW设置在与源极线S1和存储电容线C1重叠的区域中，并且大体上不从与源极线S1和存储电容线C1重叠的区域突出出来，因此抑制了用于显示的孔径部分的面积减小。

像素电极PE包括主像素电极PA和子像素电极PB。主像素电极PA和子像素电极PB形成为一体的或连续的，并且彼此电连接。同时，在所示出的示例中，仅示出设置在一个像素PX中的像素电极PE，但是相同形状的像素电极设置在其它像素中，省略对其的描述。

主像素电极PA设置在源极线S1与源极线S2之间。在示出的示例中，子像素电极PB与主像素电极PA的第二方向Y上的中间部分交叉。因此，主像素电极PA在第二方向Y上从与子像素电极PB的交叉处线性地延伸到像素PX的上侧端部的附近以及像素PX的下侧端部的附近。具体地，以十字形形成像素电极PE。此外，主像素电极PA设置在源极线S1与源极线S2之间的大体中间位置处，即在像素PX的中央处。源极线S1与主像素电极PA之间、在第一方向X上的距离大体等于源极线S2与主像素电极PA之间、在第一方向X上的距离。以在第一方向X上具有大体相等宽度的带形形成主像素电极PA。

子像素电极PB与主像素电极PA交叉并且沿着第一方向X延伸。子像素电极PB从与主像素电极PA的交叉处朝源极线S1和源极线S2伸出。在所示出的示例中，子像素电极PB与存储电容线C1相对。具体地，子像素电极PB的整体设置在与存储电容线C1重叠的区域中。子像素电极PB电连接到转换元件SW。以在第二方向Y上具有大体相等宽度的带形形成子像素电极PB，并且所形成的子像素电极PB的宽度大于主像素电极PA的宽度。

公共电极CE包括主公共电极CA。主公共电极CA在X-Y平面中、在大体平行于主像素电极PA的第二方向Y上、在主像素电极PA的两侧上线性地延伸。或者，主公共电极CA与在第二方向Y上延伸并且以大体平行于主像素电极PA延伸的源极线S相对。以在第一方向X上具有大体相等宽度的带形形成主公共电极CA。

在所示出的示例中，两个主公共电极CA在第一方向上以一定距离平行地布置。具体地，主公共电极CA包括：设置在像素PX的左侧端部处的主公共电极CAL，和设置在像素PX的右侧端部处的主公共电极CAR。严格地说，主公共电极CAL设置为在像素PX与左侧的邻近像素之间的界线之上延伸，并且主公共电极CAR设置为在像素PX与右侧的邻近像素之间的界线之上延伸。主公共电极CAL与源极线S1相对，而主公共电极CAR与源极线S2相对。主公共电极CAL和主公共电极CAR在有源区内部或在有源区外部彼此电连接。

注意像素电极PE与主公共电极CA之间的位置关系，像素电极PE和主公共电极CA沿着第一方向X交替地布置。主像素电极PA和主公共电极CA彼此平行地设置。在该情况下，在X-Y平面中，每个主公共电极CA都不与像素电极PE重叠。光可以通过的透射区域形成在像素电极PE与主公共电极CA之间。

一个像素电极PE位于彼此邻近的主公共电极CAL与主公共电极CAR之间。换句话说，主公共电极CAL和主公共电极CAR设置在像素电极PE正上方的位置的两侧上。或者，像素电极PE设置在主公共电极CAL与主公共电极CAR之间。因此，主公共电极CAL、主像素电极PA和主公共电极CAR沿着第一方向X以指定的顺序布置。

在第一方向X上、像素电极PE与公共电极CE之间的距离大体恒定。图2中示出的主像素电极PA位于主公共电极CAL与主公共电极CAR之间的大体中间点处。具体地，在第一方向X上、主公共电极CAL与主公共电极CAR之间的距离大体等于在第一方向X上、主公共电极CAR与主像素电极PA之间的距离。

图3是沿着图2中的线A-A获得的示意性截面图，该截面图示出图2中示出的液晶显示器面板LPN的横截面结构。图4是沿着图2中的线B-B获得的示意性截面图，该截面图示出图2中示出的液晶显示器面板LPN的横截面结构。图3和图4仅示出必须描述的部分。

背光源4设置在构成液晶显示器面板LPN的阵列基板AR的后侧上。各种模式可应用于背光源4。作为背光源4，可以使用：将发光二极管（LED）用作光源的背光源，或者将冷阴极荧光灯管（CCFL）用作光源的背光源。省略对背光源4的详细结构的描述。

通过使用具有透光性的第一绝缘基板10形成阵列基板AR。阵列基板AR在第一绝缘基板10的内侧上包括源极线S1、源极线S2、包括主像素电极PA的像素电极PE、第一绝缘膜11、第二绝缘膜12、第三绝缘膜13和第一配向膜AL1。

转换元件SW的半导体层SC形成在第一绝缘基板10的内表面10A上，并且被第一绝缘膜11覆盖。栅极线G1、栅极线G2和存储电容线C1形成在第一绝缘膜11上，并且被第二绝缘膜12覆盖。源极线S1和源极线S2形成在第二绝缘膜12上，并且被第三绝缘膜13覆盖。具体地，第二绝缘膜12一方面对应于栅极线G1、栅极线G2和存储电容线C1之间的层间绝缘膜，并且另一方面对应于源极线S1和源极线S2。转换元件SW的漏极电极WD形成在第二绝缘膜12上、与半导体层SC接触并且被第三绝缘膜13覆盖。透入漏极电极WD的接触孔CH形成在第三绝缘膜13中。第三绝缘膜13例如由透明树脂材料形成，并且使其表面上的粗糙平滑。

包括主像素电极PA和子像素电极PB的像素电极PE形成在第三绝缘膜13上。像素电极PE位于源极线S1和源极线S2的正上方的位置的内部。子像素电极PB经由形成在第三绝缘膜13中的接触孔CH与漏极电极WD接触。

第一配向膜AL1设置在阵列基板AR的与对向基板CT相对的表面上，并且第一配向膜AL1大体在整个有源区ACT上延伸。第一配向膜AL1覆盖像素电极PE，等等，并且也设置在第三绝缘膜13之上。第一配向膜AL1由表现出水平配向性质的材料形成。

同时，阵列基板AR可以包括公共电极CE的一部分。

通过使用具有透光性的第二绝缘基板20形成对向基板CT。对向基板CT在第二绝缘基板20的内侧，即在其面对阵列基板AR的一侧上包括：黑色矩阵BM、滤色器CF、保护层OC、包括主公共电极CAL和主公共电极CAR的公共电极CE和第二配向膜AL2。

黑色矩阵BM分隔像素PX并且形成与像素电极PE相对的孔径部分AP。具体地，黑色矩阵BM被设置为与布线部分相对，所述布线部分诸如源极线、栅极线、存储电容线和转换元件。在该示例中，黑色矩阵BM包括在第二方向Y上延伸的部分，和在第一方向X上延伸的部分。黑色矩阵BM设置在第二绝缘基板20的与阵列基板AR相对的内表面20A上。

滤色器CF与每个像素PX关联设置。具体地，滤色器CF设置在第二绝缘基板20的内表面20A上的孔径部分AP中，并且滤色器CF的一部分在黑色矩阵BM之上延伸。设置在第一方向X上的邻近像素PX中的滤色器CF具有相互不同的颜色。例如，滤色器CF由以红、蓝和绿三原色着色的树脂材料形成。由以红色着色的树脂材料形成的红色滤色器与红色像素关联设置。由以蓝色着色的树脂材料形成的蓝色滤色器与蓝色像素关联设置。由以绿色着色的树脂材料形成的绿色滤色器与绿色像素关联设置。这些滤色器CF之间的界线位于与黑色矩阵BM重叠的位置处。

保护层OC覆盖滤色器CF。保护层OC减小滤色器CF的表面上的粗糙的影响。保护层OC例如由透明树脂材料形成。

公共电极CE的主公共电极CAL和主公共电极CAR形成在保护层OC的与阵列基板AR相对的那一侧上。主公共电极CAL位于源极线S1之上并且位于黑色矩阵BM之下。主公共电极CAR位于源极线S2之上并且位于黑色矩阵BM之下。在第一方向X上的主公共电极CAL和主公共电极CAR中的每个的宽度都大体等于位于其上的黑色矩阵BM的宽度。在孔径部分AP中，一方面主公共电极CAL与主公共电极CAR之间的区域对应于光可以通过的透射区域，另一方面主像素电极PA也对应于光可以通过的透射区域。

第二配向膜AL2设置在对向基板CT的与阵列基板AR相对的那一表面上，并且第二配向膜AL2大体在整个有源区ACT上延伸。第二配向膜AL2覆盖主公共电极CAL、主公共电极CAR和保护层OC。第二配向膜AL2由表现出水平配向性质的材料形成。

对第一配向膜AL1和第二配向膜AL2进行配向处理（例如，摩擦处理或光配向处理），该配向处理用于对液晶层LQ的液晶分子进行初始配向。第一配向膜AL1对液晶分子进行初始配向的第一配向处理方向PD1平行于第二配向膜AL2对液晶分子进行初始配向的第二配向处理方向PD2。在图2的（A）部分示出的示例中，第一配向处理方向PD1和第二配向处理方向PD2平行于第二方向Y并且是相同的。在图2的（B）部分示出的示例中，第一配向处理方向PD1和第二配向处理方向PD2平行于第二方向Y并且是彼此相反的。

上述阵列基板AR和对向基板CT设置为使得它们的第一配向膜AL1和第二配向膜AL2彼此相对。在该情况下，柱状间隔体设置在阵列基板AR的第一配向膜AL1与对向基板CT的第二配向膜AL2之间，所述柱状间隔体例如由树脂材料形成，以便与阵列基板AR和对向基板CT之一一体化。因此，建立了预定单元间隙，例如2至7μm的单元间隙。在其间建立预定单元间隙的情况下，在有源区ACT的外部由密封剂将阵列基板AR和对向基板CT附接。

液晶层LQ保持在阵列基板AR与对向基板CT之间形成的单元间隙中并且设置在第一配向膜AL1与第二配向膜AL2之间。液晶层LQ包括液晶分子LM。液晶层LQ由具有正（正型）介电常数各向异性的液晶材料构成。

第一光学元件OD1例如由粘合剂附接到阵列基板AR的外表面，即构成阵列基板AR的第一绝缘基板10的外表面10B。第一光学元件OD1位于液晶显示器面板LPN的与背光源4相对的那一侧上，并且控制从背光源4进入液晶显示器面板LPN的入射光的偏振状态。第一光学元件OD1包括具有第一偏振轴（或第一吸收轴）AX1的第一偏光器PL1。同时，诸如光减速板等另一种光学元件可以设置在第一偏光器PL1与第一绝缘基板10之间。

第二光学元件OD2例如由粘合剂附接到对向基板CT的外表面，即构成对向基板CT的第二绝缘基板20的外表面20B。第二光学元件OD2位于液晶显示器面板LPN的显示器表面侧上，并且控制从液晶显示器面板LPN出现的发射光的偏振状态。第二光学元件OD2包括具有第二偏振轴（或第二吸收轴）AX2的第二偏光器PL2。同时，诸如光减速板等另一种光学元件可以设置在第二偏光器PL2与第二绝缘基板20之间。

第一偏光器PL1的第一偏振轴AX1和第二偏光器PL2的第二偏振轴AX2具有正交尼科耳（crossed Nicols）的位置关系。在该情况下，偏光器之一设置为使得其偏振轴平行或垂直于主公共电极CA或主像素电极PA的延伸方向。具体地，当主像素电极PA或主公共电极CA的延伸方向是第二方向Y时，一个偏光器的偏振轴平行于第二方向Y或大体垂直于第二方向Y。

或者，偏光器之一设置为使得其偏振轴平行或垂直于液晶分子的初始配向方向，即第一配向处理方向PD1或第二配向处理方向PD2。当初始配向方向平行于第二方向Y时，一个偏光器的偏振轴平行于第二方向Y或平行于于第一方向X。

在图2的（a）部分中示出的示例中，第一偏光器PL1设置为使得其第一偏振轴AX1垂直于主像素电极PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向（第二方向Y），而第二偏光器PL2设置为使得其第二偏振轴AX2平行于主像素电极PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向。

另外，在图2的（b）部分中示出的示例中，第二偏光器PL2设置为使得其第二偏振轴AX2垂直于主像素电极PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向（第二方向Y），而第一偏光器PL1设置为使得其第一偏振轴AX1平行于主像素电极PA的延伸方向或液晶分子LM的初始配向方向。

接下来，参考图2至图4描述具有上述结构的液晶显示器面板LPN的操作。

具体地，在没有电压施加到液晶层LQ的状态下，即在像素电极PE与公共电极CE之间没有产生电场的状态（OFF时间）下，液晶层LQ的液晶分子LM被配向为使得其主轴位于第一配向膜AL1的第一配向处理方向PD1和第二配向膜AL2的第二配向处理方向PD2上。该OFF时间对应于初始配向状态，并且在OFF时间的液晶分子LM的配向方向对应于初始配向方向。

严格地说，液晶分子LM不总是与X-Y平面平行地配向，并且在许多情况下，使液晶分子LM预倾斜。因此，液晶分子LM的初始配向方向对应于在OFF时间液晶分子LM的主轴正交地投影在X-Y平面上的方向。在以下的描述中，为了简单起见，假设液晶分子LM平行地与X-Y平面配向，并且液晶分子LM在平行于X-Y平面的平面中旋转。

在该情况下，第一配向处理方向PD1和第二配向处理方向PD2中的每个都大体平行于第二方向Y。在OFF时间，液晶分子LM最初配向为使得其主轴大体平行于第二方向Y，如由图2中的虚线所示的那样。具体地，液晶分子LM的初始配向方向平行于第二方向Y（或与第二方向Y成0°）。

当第一配向处理方向PD1和第二配向处理方向PD2彼此平行且相同时，如在所示出的示例中，液晶分子LM在液晶层LQ的横截面中的液晶层LQ的中间部分中大体水平地配向（预倾斜角度大体为0），并且液晶分子LM与这种预倾斜角度配向，使得液晶分子LM在第一配向膜AL1的附近和第二配向膜AL2的附近相对于作为界线的中间部分变为对称的（扩散配向）。在液晶分子LM被扩散配向的状态下，甚至在向基板的法线方向倾斜的方向上，可以由在第一配向膜AL1附近的液晶分子LM和在第二配向膜AL2附近的液晶分子LM进行光学补偿。因此，当第一配向处理方向PD1和第二配向处理方向PD2彼此平行并且相同时，在黑色显示（blackdisplay）的情况下漏光较小，可以是实现高对比度，并且可以改进显示质量。

同时，当第一配向处理方向PD1和第二配向处理方向PD2彼此平行并且相反时，液晶分子LM在液晶层LQ的横截面中、在第一配向膜AL1的附近、在第二配向膜AL2的附近并且在液晶层LQ的中间部分中以大体相等的预倾斜角度配向（水平配向）。

来自背光源4的光的一部分通过第一偏光器PL1并且进入液晶显示器面板LPN。进入液晶显示器面板LPN的光的偏振状态是垂直于第一偏光器PL1的第一偏振轴AX1的线性偏振。当光在OFF时间通过液晶显示器面板LPN时，这种线性偏振的偏振状态几乎不改变。因此，已经通过液晶显示器面板LPN的线性偏振光由第二偏光器PL2吸收，该第二偏光器PL2处于与第一偏光器PL1相关的正交尼科耳的位置关系（黑色显示）。

另一方面，在电压被施加到液晶层LQ的状态下，即在像素电极PE与公共电极CE之间产生电势差的状态（ON时间）下，在像素电极PE与公共电极CE之间产生大体平行于基板的横向电场（或斜电场）。液晶分子LM受到电场影响，并且其主轴在平行于X-Y平面的平面内旋转，如附图中的实线所示。

在图2所示出的示例中，在像素电极PE与主公共电极CAL之间区域的下半部分中的液晶分子LM相对于第二方向Y顺时针方向地旋转，并且在附图中的左下方向上被配向。在像素电极PE与主公共电极CAL之间区域的上半部分中的液晶分子LM相对于第二方向Y逆时针方向地旋转，并且在附图中的左上方向上被配向。在像素电极PE与主公共电极CAR之间区域的下半部分中的液晶分子LM相对于第二方向Y逆时针方向地旋转，并且在附图中的右下方向上被配向。在像素电极PE与主公共电极CAR之间区域的上半部分中的液晶分子LM相对于第二方向Y顺时针方向地旋转，并且在附图中的右上方向上被配向。

如以上已经描述的，在每个像素PX中的像素电极PE与公共电极CE之间产生电场的状态下，液晶分子LM在界线的位置与像素电极PE重叠的情况下在多个方向上配向，并且在相应的配向方向上形成域（domain）。具体地，在一个像素PX中形成多个域。

在这种ON时间，从背光源4入射到液晶显示器面板LPN上的背光的一部分通过第一偏光器PL1并且进入液晶显示器面板LPN。进入液晶显示器面板LPN的光是垂直于第一偏光器PL1的第一偏振轴AX1的线性偏振光。当光通过液晶层LQ时，这种线性偏振光的偏振状态根据液晶分子LM的配向状态而改变。例如，当平行于第一方向X的线性偏振光已经进入液晶显示器面板LPN时，所述光在通过液晶层LQ时，受到由在相对于第一方向X的45°-225°方位方向或135°-315°方位方向上被配向的液晶分子所导致的λ/2（λ是通过液晶层LQ的光的波长）的延迟的影响。因此，已经通过液晶层LQ的光的偏振状态变为平行于第二方向Y的线性偏振。因此，在ON时间，从液晶层LQ发出的光的至少一部分通过第二偏光器PL2（白色显示）。

根据本实施例，像素电极PE由不透明布线材料形成，即由选自铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）的金属材料或包括这些元素之一的合金形成。因此，与像素电极PE和公共电极CE由ITO或IZO形成的情况相比，可以减少铟（In）的使用量。此外，公共电极CE也可以由上述不透明布线材料形成。当像素电极PE和公共电极CE都由不透明布线材料形成时，可以实现无铟结构。

在像素电极PE之上或在公共电极CE之上，由于甚至在ON时间以及OFF时间均几乎不产生横向电场（或不产生足以驱动液晶分子LM的电场），所以液晶分子LM几乎不从初始配向方向偏离，与OFF时间的情况相似。因此，即使像素电极PE和公共电极CE由诸如ITO等透光的、导电的材料形成，也没有多少背光通过这些区域，并且这些区域在ON时间几乎不用于显示。具体地，与像素电极PE和公共电极CE由透明的、导电的材料形成的情况相比，即使像素电极PE和公共电极CE由不透明布线材料形成，如在本实施例中，也可以在ON时间抑制透射率的降低或抑制孔径部分AP的面积的减小。

在像素电极PE和公共电极CE中的至少一个由上述不透明布线材料形成的本实施例中，已经进入液晶显示器面板LPN的线性偏振光大体平行或垂直于像素电极PE或公共电极CE的边缘的延伸方向。因此，由像素电极PE或公共电极CE的边缘反射的线性偏振光的偏振平面几乎不被干扰，并且可以保持在通过作为偏光器的第一偏光器PL1时的偏振平面。因此，在OFF时间，由于已经通过液晶显示器面板LPN的线性偏振光由作为分析器的第二偏振光器PL2充分地吸收，所以可以抑制漏光。具体地，在黑色显示时充分减小透射率，并且可以抑制对比度的减小。此外，由于不需要增大黑色矩阵BM的宽度以便处理像素电极PE或公共电极CE附近的漏光，所以可以抑制孔径部分AP的面积的减小或ON时间的透射率的减小。因此，可以抑制显示质量的下降。

另外，根据本发明，可以在像素电极PE与公共电极CE之间的电极间间隙中获得高透射率。因此，通过增大主像素电极与主公共电极之间的电极间距离，可以充分增大每个像素的透射率。至于像素间距不同的产品规格，则通过改变主像素电极与主公共电极之间的电极间距离可以使用透射率分布的峰值条件。具体地，在本实施例的显示方式中，就从具有相对大像素间距的低分辨率产品规格到具有相对小像素间距的高分辨率产品规格的产品规格而言，通过设置电极间距离、而不必要求精细的电极处理，可以提供具有各种像素间距的产品。因此，可以容易地满足对于高透射率和高分辨的要求。

根据本实施例，在与黑色矩阵BM重叠的区域中，透射率充分降低。其原因是电场不从位于源极线S上的公共电极CE的位置泄漏到像素的外部，并且不期望的横向电场不出现在中间插置黑色矩阵BM的彼此邻近的像素之间，并且因此在与黑色矩阵BM重叠的区域中的液晶分子LM保持初始配向状态，与OFF时间（或黑色显示时间）的情况相似。因此，甚至当滤色器的颜色在邻近像素之间不同时，也可以抑制颜色混合的出现，并且可以抑制颜色再现性的减小或对比度的减小。

当在阵列基板AR与对向基板CT之间发生错误配向时，存在像素电极PE与像素电极PE的两侧上的公共电极CE之间的水平电极间距离出现差异的情况。然而，由于这种错误配向通常发生在全部像素PX中，所以电场分布在像素PX之间没有区别，并且在图像显示器上的影响很小。此外，甚至当在阵列基板AR与对向基板CT之间出现错误配向时，也可以抑制不期望的电场泄漏到邻近像素。因此，甚至当滤色器的颜色在邻近像素之间有区别时，也可以抑制颜色混合的出现，并且可以抑制颜色再现性的减小或对比度的减小。

根据本实施例，主公共电极CA与源极线S相对。具体地，当主公共电极CAL和主公共电极CAR分别设置在源极线S1和源极线S2的正上方时，与主公共电极CAL和主公共电极CAR设置在源极线S1和源极线S2的像素电极PE侧上的情况相比，可以改进像素PX的透射率。

此外，通过将主公共电极CAL和主公共电极CAR分别设置在源极线S1和源极线S2的正上方，可以增大（一方面）像素电极PE与（另一方面）主公共电极CAL和主公共电极CAR之间的电极间距离，并且可以产生接近水平横向电场的横向电场。因此，可以在常规结构中保持作为IPS模式等的优点的宽视角。

根据本实施例，可以在一个像素中形成多个域。因此，可以在多个方向光学补偿视角，并且可以实现宽视角。

上述示例涉及液晶分子LM的初始配向方向平行于第二方向Y的情况。然而，液晶分子LM的初始配向方向可以是与第二方向Y倾斜交叉的倾斜方向D，如在图2中所示。在第二方向Y与初始配向方向D之间形成的角度θ1为大于等于0°并且小于等于45°。出于液晶分子LM的配向控制的角度，期望液晶分子LM的初始配向方向是处于相对于第二方向Y的大于等于0°并且小于等于20°范围内的方向。

上述示例涉及液晶层LQ是由具有正（正型）介电常数各向异性的液晶材料构成的情况。或者，液晶层LQ可以由具有负（负型）介电常数各向异性的液晶材料构成。虽然省略了在负型液晶材料情况下的详细说明，因为介电常数各向异性的正/负状态相反，但是期望上述形成的角度θ1在大于等于45°并且小于等于90°的范围内，优选地在大于等于70°并且小于等于90°的范围内。

接下来，描述本实施例的另一结构示例。

图5是沿着图2中的线A-A获得的示意性截面图，该截面图示出图2中所示出的液晶显示器面板LPN的另一横截面结构。图6是沿着图2中的线B-B获得的示意性截面图，该截面图示出图2中所示出的液晶显示器面板LPN的另一横截面结构。图5和图6仅示出有必要说明的部分。

所示出的结构示例不同于图3和图4中所示出的结构示例，不同之处在于像素电极PE与源极线S1和源极线S2形成在同一层中，并且去除了第三绝缘膜13。

具体地，源极线S1、源极线S2和像素电极PE形成在覆盖栅极线G1、栅极线G2和存储电容线C1的第二绝缘膜12上。像素电极PE位于源极线S1与源极线S2之间并且与源极线S1和源极线S2间隔开。主像素电极PA在第二方向Y上延伸。子像素电极PB经由在第一绝缘膜11和第二绝缘膜12中形成的相对浅的接触孔CH而与半导体层SC接触，并且电连接到转换元件SW。以第一配向膜AL1覆盖源极线S1、源极线S2和像素电极PE。此外，第一配向膜AL1也设置在第二绝缘膜12上。

根据该结构示例，像素电极PE可以由与源极线S相同的材料形成，源极线S形成在与像素电极PE相同的层中。因此，在形成源极线S的步骤中，可以同时形成像素电极PE，并且与图3等中示出的结构示例相比，可以省略单独形成像素电极PE的步骤。此外，在所示出的示例中，可以省略形成第三绝缘膜13的步骤。因此可以降低制造成本。

在图3等中示出的结构示例中，深接触孔CH需要形成在相对厚的第三绝缘膜13中，以便将像素电极PE和漏极电极WD电连接。第三绝缘膜13由具有相对大厚度的树脂材料形成，以便使阵列基板AR的表面平坦化。因此，从形成在第三绝缘膜13的表面上的像素电极PE延伸到漏极电极WD的接触孔CH趋向于变深并且直径变大。在这种接触孔CH的附近，由于接触孔CH的粗糙等所致，液晶分子LM的配向趋向于容易被干扰，并且趋向于在OFF时间容易发生漏光。例如，需要通过在第二方向Y上增大存储电容线C1的宽度来遮挡这种漏光。

另一方面，在图5和图6中示出的结构示例中，像素电极PE经由相对浅的接触孔CH而电连接到转换元件SW的半导体层SC。这种穿透第一绝缘膜11和第二绝缘膜12的接触孔CH具有比形成在第三绝缘膜13中的接触孔小的直径，并且其粗糙对液晶分子LM配向的影响较小。因此，在OFF时间可以抑制漏光，并且可以改进对比度。此外，不需要为了遮挡漏光而不必要地增大存储电容线C1的宽度，并且可以抑制孔径部分AP的面积的减小。

在该结构示例中，第一配向膜AL1的第一配向处理方向PD1平行于大体为矩形像素PX的长边方向（例如第二方向Y）。因此，一些布线线路（例如在第一方向X上延伸的栅极线和存储电容线）和像素电极PE的短边与一个像素中的第一配向处理方向PD1交叉。换句话说，第一配向处理方向PD1既不与其它布线线路（例如在第二方向Y上延伸的源极线）交叉也不与像素电极PE的长边交叉。因此，即使存在由于布线线路和电极的粗糙的原因而未充分执行配向处理的区域，也可以使未充分执行配向处理的区域小于第一配向膜AL1受到其它方向（即与像素PX的长边方向交叉的方向）上的配向处理的情况。具体地，由于沿着与第一配向处理方向PD1交叉的布线线路或像素电极PE的短边出现未充分执行配向处理的区域，所以通过缩短与第一配向处理方向PD1交叉的边的长度，可以减小未充分执行配向处理的区域。另外，在像素PX的长边方向平行于第一方向X的情况下，如果第一配向处理方向PD1平行于第一方向X，则情况相同。

在本实施例中，像素PX的结构不限于图2中所示出的示例。

图7是示意性示出当从对向基板侧观察图1中所示出的液晶显示器面板LPN时的像素PX的另一结构示例的平面图。

该结构示例不同于图2中示出的结构示例，不同之处在于，像素电极PE包括在第一方向X上以一定间隔大体平行布置的多个主像素电极PA，并且除了在像素PX的左侧端部处的主公共电极CAL和像素PX的右侧端部处的主公共电极CAR之外，公共电极CE还包括相邻主像素电极PA之间的主公共电极CAC。

具体地，像素电极PE包括主像素电极PA1、主像素电极PA2和子像素电极PB。主像素电极PA1、主像素电极PA2和子像素电极PB彼此电连接。主像素电极PA1和主像素电极PA2在第一方向X上以一定间隔大体平行地布置。主像素电极PA1和主像素电极PA2在第二方向Y上从子像素电极PB线性地延伸到像素PX的上侧端部附近以及像素PX的下侧端部附近。子像素电极PB沿着第一方向X延伸。子像素电极PB位于与存储电容线C1重叠的区域中，并且电连接到转换元件SW（未示出）。

公共电极CE包括主公共电极CAL、主公共电极CAR和主公共电极CAC。主公共电极CAL、主公共电极CAR和主公共电极CAC彼此电连接。主公共电极CAL、主公共电极CAR和主公共电极CAC在第一方向X上以一定间隔大体平行地布置，并且在第二方向Y上延伸。主公共电极CAL位于主像素电极PA1的左侧，主公共电极CAR位于主像素电极PA2的右侧，并且主公共电极CAC位于主像素电极PA1与主像素电极PA2之间。

在该结构示例中，也可以获得与上述结构示例同样的有利效果。

图8是示意性示出当从对向基板侧观察图1中示出的液晶显示器面板LPN时的像素PX的另一结构示例的平面图。

该结构示例不同于图2中示出的结构示例，不同之处在于像素电极PE和公共电极CE相对于第二方向Y是弯曲的。

具体地，像素电极PE在像素PX的上半部分包括主像素电极PA11和主像素电极PA12，并且在像素PX的下半部分包括主像素电极PA21和主像素电极PA22。主像素电极PA11和主像素电极PA12在第一方向X上以一定间隔大体平行地布置，并且相对于第二方向Y以大约5°至30°顺时针地倾斜。主像素电极PA21和主像素电极PA22在第一方向X上以一定间隔大体平行地布置，并且相对于第二方向Y以大约5°至30°逆时针地倾斜。主像素电极PA11和主像素电极PA21是彼此连续的（其间插置子像素电极PB），并且被电连接。相似地，主像素电极PA12和主像素电极PA22彼此是连续的（其间插置子像素电极PB），并且被电连接。

公共电极CE在像素PX的上半部分中包括主公共电极CAL1、主公共电极CAC1和主公共电极CAR1，并且在像素PX的下半部分中包括主公共电极CAL2、主公共电极CAC2和主公共电极CAR2。主公共电极CAL1、主公共电极CAC1和主公共电极CAR1在第一方向X上以一定间隔大体平行地布置，并且在大体平行于主像素电极PA11和主像素电极PA12的方向上延伸。主公共电极CAL2、主公共电极CAC2和主公共电极CAR2在第一方向X上以一定间隔大体平行地布置，并且在大体平行于主像素电极PA21和主像素电极PA22的方向上延伸。主公共电极CAL1和主像素电极CAL2是彼此连续的并且被电连接。主公共电极CAC1和主像素电极CAC2是彼此连续的并且被电连接。主公共电极CAR1和主像素电极CAR2是彼此连续的并且被电连接。

主公共电极CAL1与主像素电极PA11之间的电极间距离、主公共电极CAC1与主像素电极PA11之间的电极间距离、主公共电极CAC1与主像素电极PA12之间的电极间距离以及主公共电极CAR1与主像素电极PA12之间的电极间距离大体相等。主公共电极CAL2与主像素电极PA21之间的电极间距离、主公共电极CAC2与主像素电极PA21之间的电极间距离、主公共电极CAC2与主像素电极PA22之间的电极间距离以及主公共电极CAR2与主像素电极PA22之间的电极间距离大体相等。

在图7和图8所示出的结构示例中，在一个像素中的主像素电极PA1与主像素电极PA2之间的距离，或在主像素电极PA11与主像素电极PA12之间的距离为10μm至30μm。此外，主像素电极中每个的宽度为2μm至3μm。

在该结构示例中，也可以获得与上述结构示例同样的有利效果。

在图7和图8的结构示例的第一方向X上的主像素电极PA与主公共电极CA之间的电极间距离是在阵列基板上具有像素电极和公共电极的IPS或FFS液晶装置中的电极间距离的至少两倍或更多倍。换句话说，由于在本实施例中的对向基板上设置用于驱动液晶分子LM的公共电极CE，所以阵列基板上的电极间距离变为相邻像素电极PE之间的距离。因此，在本实施例的情况下，阵列基板上的电极之间的距离（像素电极之间的距离）是像素电极与公共电极之间距离的两倍或更多倍。根据实施例的结构示例，与在阵列基板上具有像素电极和公共电极的IPS或FFS液晶装置相比，在一个像素中由于像素电极PE和公共电极CE导致的粗糙区域较小，而平坦区域较大。由于粗糙区域较小而平坦区域较大，所以在配向处理工艺中未进行充分的配向处理的区域变得小于IPS或FFS结构中的区域。

与图5和图6的结构示例相似，配向处理方向与一个矩形像素中的像素电极的短边和布线线路交叉。因此，即使存在未进行充分的配向处理的部分，这种部分的面积变得小于其它配向处理方向情况下的面积。

在本实施例中，像素PX的结构不限于上述示例。

上述示例涉及存储电容线位于子像素电极PB正下方的结构。然而，栅极线可以设置在子像素电极PB的正下方。此外，存储电容线的沉积位置可以不是像素的大体中央部分，并且栅极线的沉积位置可以不是像素的上侧端部或下侧端部。

上述示例涉及像素电极PE包括主像素电极PA和子像素电极PB的情况。然而，如果像素电极PE可以电连接到转换元件SW，则像素电极PE可以不包括子像素电极PB。

上述示例涉及主像素电极PA的延伸方向为第二方向Y的情况。然而，主像素电极PA可以在第一方向X上延伸。在该情况下，主公共电极CA的延伸方向是第一方向X。此外，在该情况下，当沿第一方向X的第一布线线路是栅极线路G时，如在上述示例中，主公共电极CA与栅极线路G相对。然而，当沿第一方向X的第一布线线路是源极线S并且沿第二方向Y的第二布线线路是栅极线G时，主公共电极CA与源极线S相对。

上述示例涉及如下情况：其中关于包括对应于第一电极的主像素电极PA的像素电极PE，设置包括作为位于第一电极两侧上的第二电极的主公共电极CA的公共电极CE。或者，关于包括对应于第一电极的主公共电极CA的公共电极CE，可以设置包括作为位于第一电极两侧上的第二电极的主像素电极PA的像素电极PE。

上述示例涉及公共电极CE在对向基板上包括主公共电极CA的情况，但是实施例不限于这些示例。例如，除了上述主公共电极CA之外，公共电极CE可以包括子共公共电极，所述子共公共电极设置在对向基板CT上并且与栅极线G和存储电容线C相对。子公共电极在第一方向X上延伸并且与主公共电极CA一体形成或与主公共电极CA是连续的。

阵列基板AR可以包括经由绝缘膜而位于源极线S上的第一屏蔽电极。第一屏蔽电极在第二方向Y上延伸，电连接到有源区内或外部的主公共电极CA，并且具有与公共电极CE相同的电势。通过设置第一屏蔽电极，可以屏蔽来自源极线S的不期望的电场。

此外，阵列基板AR可以包括经由绝缘膜而位于栅极线G和存储电容线C上的第二屏蔽电极。第二屏蔽电极在第一方向X上延伸，并且电连接到有源区内或外部的主公共电极CA。通过设置第二屏蔽电极，可以屏蔽来自栅极线G和存储电容线C的不期望的电场。

如以上已经描述的那样，根据本实施例，可以提供能够减少制造成本并且能够抑制显示质量下降的液晶显示装置。

虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅通过示例来介绍并且不旨在限制本发明的范围。实际上，可以以各种其它形式实施在这里描述的新颖实施例；而且，在不脱离本发明精神的情况下可以以在这里描述的实施例的形式进行各种省略、替换和改变。所附权利要求及其等同物旨在覆盖这种落在本发明范围和精神内的形式或改型。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，其特征在于包括：

第一基板，所述第一基板包括：

第一绝缘基板；

在所述第一绝缘基板的内侧上、在第一方向上延伸的第一布线线路；

覆盖所述第一布线线路的层间绝缘膜；

分别在所述层间绝缘膜上、在大体垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布线线路和第三布线线路；

电连接到所述第一布线线路和所述第二布线线路的转换元件；

位于所述层间绝缘膜上的所述第二布线线路与所述第三布线线路之间的、与所述第二布线线路和所述第三布线线路间隔开的、连接到所述转换元件并且在所述第二方向上延伸的第一电极；以及

覆盖所述第二布线线路、所述第三布线线路和所述第一电极的第一配向膜；

第二基板，所述第二基板包括：

第二绝缘基板；

在所述第二方向上延伸并且与所述第一电极的两侧上的所述第二布线线路和所述第三布线线路中的每条布线线路都相对的第二电极，所述第二电极在所述第二绝缘基板的与所述第一基板相对的那一侧上；以及

覆盖所述第二电极的第二配向膜；以及

液晶层，所述液晶层包括保持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶分子。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于所述第一电极由不透明布线材料形成。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于所述第一电极由选自以下金属材料构成的组的金属材料形成：铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）或包括从所述组中选择的一种金属材料的合金。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于所述第一电极由与所述第二布线线路和所述第三布线线路相同的材料形成。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于还包括：

第一偏光器，所述第一偏光器设置在所述第一绝缘基板的外表面上并且包括第一偏振轴；以及

第二偏光器，所述第二偏光器设置在所述第二绝缘基板的外表面上并且包括第二偏振轴，所述第二偏振轴具有与所述第一偏振轴成正交尼科耳的位置关系，

其中所述第一偏振轴大体平行于所述第一方向或所述第二方向。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于在所述第一电极与所述第二电极之间未产生电场的状态下，所述液晶分子的初始配向方向大体平行于所述第二方向。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于在所述第一电极与所述第二电极之间未产生电场的状态下，所述液晶分子在所述第一基板与所述第二基板之间是伸展配向的或均匀配向的。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于所述第二电极由不透明布线材料形成。

9.一种液晶显示装置，其特征在于包括：

第一基板，所述第一基板包括：

线性延伸的第一电极；

在大体垂直于所述第一电极的延伸方向的方向上延伸的第一布线线路；

在大体平行于所述第一电极的延伸方向的方向上延伸的第二布线线路和第三布线线路；以及

电连接到所述第一布线线路和所述第二布线线路的转换元件；

其中，所述第一电极位于所述第二布线线路与所述第三布线线路之间、与所述第二布线线路和所述第三布线线路间隔开、连接到所述转换元件并且由不透明布线材料形成；

第二基板，所述第二基板包括第二电极，所述第二电极与所述第一电极的两侧上的所述第二布线线路和所述第三布线线路中的每条布线线路都相对并且在大体平行于所述第一电极的延伸方向的方向上延伸；以及

液晶层，所述液晶层包括保持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶分子。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于所述第一电极由选自以下金属材料构成的组的金属材料形成：铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）或包括从所述组中选择的一种金属材料的合金。

11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于所述第一电极由与所述第二布线线路和所述第三布线线路相同的材料形成。

12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于还包括：

第一偏光器，所述第一偏光器设置在所述第一基板的外表面上并且包括第一偏振轴；以及

第二偏光器，所述第二偏光器设置在所述第二基板的外表面上并且包括第二偏振轴，所述第二偏振轴具有与所述第一偏振轴成正交尼科耳的位置关系，

其中所述第一偏振轴大体平行于所述第一电极的延伸方向，或大体垂直于所述第一电极的所述延伸方向。

13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于在所述第一电极与所述第二电极之间未产生电场的状态下，所述液晶分子的初始配向方向大体平行于所述第一电极的所述延伸方向。

14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其特征在于在所述第一电极与所述第二电极之间未产生电场的状态下，所述液晶分子在所述第一基板与所述第二基板之间是伸展配向的或均匀配向的。

15.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于所述第二电极由不透明布线材料形成。

16.一种液晶显示装置，其特征在于包括：

第一基板，所述第一基板包括：

第一绝缘基板；

在所述第一绝缘基板的内侧上、在第一方向上延伸的第一布线线路；

覆盖所述第一布线线路的层间绝缘膜；

在所述层间绝缘膜上、在大体垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二布线线路；以及

由与所述层间绝缘膜上的所述第二布线线路相同的材料形成的、与所述第二布线线路间隔开的并且在所述第二方向上延伸的第一电极；

第二基板，所述第二基板包括：

第二绝缘基板；以及

在所述第一电极的两侧上、在所述第二方向上延伸的第二电极，所述第二电极在所述第二绝缘基板的与所述第一基板相对的那一侧上；以及

液晶层，所述液晶层包括保持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶分子。

17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于所述第一电极由选自以下金属材料构成的组的金属材料形成：铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）或包括从所述组中选择的一种金属材料的合金。

18.根据权利要求17所述的液晶显示装置，其特征在于所述第二电极由选自以下金属材料构成的组的金属材料形成：铝（Al）、钛（Ti）、银（Ag）、钼（Mo）、钨（W）、铜（Cu）和铬（Cr）或包括从所述组中选择的一种金属材料的合金。

19.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于还包括：

第一偏光器，所述第一偏光器设置在所述第一绝缘基板的外表面上并且包括第一偏振轴；以及

第二偏光器，所述第二偏光器设置在所述第二绝缘基板的外表面上并且包括第二偏振轴，所述第二偏振轴具有与所述第一偏振轴成正交尼科耳的位置关系，

其中所述第一偏振轴大体平行于所述第一方向或所述第二方向。

20.根据权利要求19所述的液晶显示装置，其特征在于在所述第一电极与所述第二电极之间未产生电场的状态下，所述液晶分子的初始配向方向大体平行于所述第二方向，并且所述液晶分子在所述第一基板与所述第二基板之间是伸展配向的或均匀配向的。

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