CN101221331B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置，包括：第一基板；第二基板，面向第一基板并包括公共电极；以及液晶层，位于第一和第二基板之间，该第一基板包括：相互交叉的数据线和栅极线；以及像素电极，该像素电极弯折至少一次并包括相互分离的第一子像素电极和第二子像素电极，该第一子像素电极沿数据线的方向延伸，该第二子像素电极包括位于该第一子像素电极右侧上的第一部分和位于该第一子像素电极左侧上的第二部分，以及该数据线包括穿过第一部分的第一数据线和穿过第二部分的第二数据线。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置，且更具体而言涉及通过改进的像素电极而具有更佳可视度的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置包括：第一基板，其中形成有薄膜晶体管；第二基板，与该第一基板相对排列；以及液晶层，介于该第一基板和第二基板之间。垂直配向(VA)模式液晶显示装置通过使用形成于像素电极和公共电极上的畴分隔部(domain division part)而提供了改善的视角。由畴分隔部形成的边缘场被用于控制液晶分子的方向，使得视角改善。
在常规垂直配向(VA)模式装置中，使用透明导电材料的屏蔽电极形成于数据线的上部内以防止像素电极和数据线之间的耦合电容。像素电极和屏蔽电极由于形成于同一层内而应隔开。因此，像素电极的面积减小，这降低了液晶显示装置的开口率。
发明内容
在本发明的示例性实施例中，液晶显示装置包括：第一基板，具有相互交叉的数据线和栅极线；以及
多个像素电极，每个像素电极弯折至少一次且包括沿该数据线的方向延伸的第一子像素电极，每个像素电极还包括具有位于该第一子像素电极右侧上的第一部分和位于该第一子像素电极左侧上的第二部分的第二子像素电极，该第一子像素电极和该第二子像素电极相互分离；该数据线交替地穿过子像素电极中的第一和第二子像素电极。
根据本发明的示例性实施例，第一基板还包括电连接该像素电极的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括电连接第一数据线和第二数据线之一和该第一子像素电极的第一薄膜晶体管；以及电连接该第一数据线和第二数据线的另一个和该第二子像素电极的第二薄膜晶体管。
根据本发明的示例性实施例，施加到该第一子像素电极的数据电压高于施加到该第二子像素电极的数据电压。
根据本发明的示例性实施例，该液晶显示装置以120Hz的频率被驱动。
根据本发明的示例性实施例，该数据线和该第一子像素电极相互隔开。
根据本发明的示例性实施例，该数据线沿该像素电极的边缘弯折。
根据本发明的示例性实施例，该第一基板还包括位于该数据线和该像素电极之间的有机膜。
根据本发明的示例性实施例，该第二子像素电极围绕该第一子像素电极。
根据本发明的示例性实施例，该第一子像素电极具有弯曲形状，且该第二子像素电极还包括形成于该第一子像素电极的上部上的第三部分以及形成于该第一子像素电极的上部上的第四部分。
根据本发明的示例性实施例，该像素电极沿该数据线的方向弯折三次。
根据本发明的示例性实施例，该第一子像素电极和该像素电极沿该数据线的方向弯折三次。
根据本发明的示例性实施例，该第一子像素电极和该像素电极每一个具有弯曲形状。
根据本发明的示例性实施例，该液晶显示装置还包括第二基板，该第二基板面向该第一基板并包括公共电极；以及液晶层，位于该第一和第二基板之间，其中像素电极切除图案(excision pattern)形成于该像素电极上，畴分隔部形成于该公共电极内，以及该液晶层形成为垂直配向模式。
根据本发明的示例性实施例，该液晶显示装置还包括第二基板，该第二基板面向该第一基板并包括公共电极；以及液晶层，位于该第一和第二基板之间，其中该公共电极内的该畴分隔部的一部分延伸以交叠该数据线。
在本发明的示例性实施例中，液晶显示装置包括：绝缘基板；形成于该绝缘基板上并彼此交叉的数据线和栅极线；形成于该数据线和该栅极线上的钝化膜；以及形成于该钝化膜上的像素电极，包括相互分离并电连接不同数据线的第一子像素电极和第二子像素电极，像素电极沿该数据线的方向弯折至少一次，且该第二子像素电极交叠该数据线。
根据本发明的示例性实施例，施加到该第一子像素电极的数据电压高于施加到该第二子像素电极的数据电压。
根据本发明的示例性实施例，该数据线沿该像素电极的边缘弯折。
根据本发明的示例性实施例，该第一基板还包括位于该数据线和该像素电极之间的有机膜。
根据本发明的示例性实施例，该第二子像素电极围绕该第一子像素电极。
根据本发明的示例性实施例，该液晶显示装置以120Hz的频率被驱动。
根据本发明的示例性实施例，该第一子像素电极具有弯曲形状。
根据本发明的示例性实施例，该像素电极沿该数据线的方向弯折三次。
根据本发明的示例性实施例，该数据线包括：电连接该第一子像素电极的第一数据线；以及
电连接该第二子像素电极的第二数据线，该第一子像素电极位于该第一数据线和该第二数据线之间。
附图说明
本发明的上述和/或其他方面将通过结合附图进行的对示例性实施例的下述描述而显而易见且更容易理解，附图中：
图1为示出本发明的液晶显示装置的等效电路图；
图2为说明根据本发明的改善液晶显示装置可视度的原理的图；
图3至图5为示出根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置的布置平面图；
图6为沿图3的VI-VI线截取的剖面图；
图7为沿图3的VII-VII线截取的剖面图；
图8为沿图3的VIII-VIII线截取的剖面图；
图9为示出根据本发明第二示例性实施例的液晶显示装置的剖面图；
图10为示出根据本发明第三示例性实施例的液晶显示装置的剖面图；
图11为示出根据本发明第四示例性实施例的液晶显示装置的布置平面图；
图12为示出根据本发明第五示例性实施例的液晶显示装置的布置平面图；
图13为示出根据本发明第六示例性实施例的液晶显示装置的布置平面图；以及
图14为示出根据本发明第七示例性实施例的液晶显示装置的布置平面图。
具体实施方式
下文中，膜(或层)形成于(或位于)另一膜(或层)的“上部”上的情形应理解为，第三膜(或层)可存在于该两层膜(或层)之间和/或该两层膜(或层)可相互邻接。
图1为示出根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置的等效电路图。在图1中，示出了在数据线DL1和DL2的延伸方向上的两个相邻像素P1和P2。像素P1、P2每一个连接到相应栅极线GL且每个像素都连接到数据线DL1和DL2，每个像素包含两个薄膜晶体管T1、T2。
在上像素P1中，第一薄膜晶体管T1与第一数据线DL1和栅极线GL连接，且第二薄膜晶体管T2与第二数据线DL2和栅极线GL连接。
薄膜晶体管T1和T2连接到同一栅极线GL，且被同时驱动。薄膜晶体管T1和T2分别连接到不同数据线DL1和DL2，并因此输出不同信号。
液晶电容器Clc1和Clc2及存储电容器Cst1和Cst2与薄膜晶体管T1或T2中相应的一个相连。液晶电容器Clc1和Clc2形成于像素电极PE1及PE2与公共电极CE之间，且该维持电容器Clc1和Clc2形成于像素电极PE1及PE2与存储电极线SL之间。
第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2彼此分离。
下像素P2具有类似于上像素P1的结构。连接到第一数据线DL1的第一薄膜晶体管T1与第二子像素电极PE2连接，以及连接到第二数据线DL2的第二薄膜晶体管T2与第一子像素电极PE1连接。
也就是说，数据线DL1和DL2每一个将其数据电压施加到交替的子像素电极PE1和PE2。
根据本发明的液晶显示装置的可视度得到改善，这将以上像素P1为实例来描述。
第一数据电压通过第一薄膜晶体管T1施加到第一像素电极PE1，以及不同于第一数据电压的第二数据电压通过第二薄膜晶体管T2施加到第二像素电极PE2。也就是说，在单个像素内形成了两个畴，这两个畴被分别施加了不同的数据电压。
如图2所示，具有高亮度的高畴与第一子像素电极PE1相对应地形成，具有低亮度的低畴与第二子像素电极PE2相对应地形成。
因此，在像素中存在具有分别不同的伽玛曲线的多个畴。前侧和横侧的亮度和颜色相互补偿，由此改善横向可视度。
将参考图3至8描述根据本发明第一示例性实施例的液晶显示装置。参考图6至8，具体而言，参考图6，液晶显示装置1包括第一基板100、形成为与第一基板100相对的第二基板200、以及位于第一和第二基板100和200之间的液晶层300。
图4说明第一基板100的像素电极161和第二基板200的公共电极切除图案252之间的布局关系。图5说明第一基板100的像素电极161和第二基板200的黑矩阵221之间的布局关系。
首先，下文参考图3和6描述第一基板100。
栅极布线形成于第一绝缘基板111上。栅极布线可以是金属单层或金属多层。栅极布线包括横向延伸的栅极线121、与栅极线121连接的栅电极122a和122b、以及与栅极线121平行延伸并穿过像素中心部分的存储电容器线123。
包括氮化硅(SiNx)等的栅极绝缘膜131覆盖第一绝缘基板111上的栅极布线。
包括非晶硅等半导体材料的半导体层132形成于栅电极122a和122b的栅极绝缘膜131的上部上。由掺杂了高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅或硅化物等制成的欧姆接触层133形成于半导体层132的上部上。欧姆接触层133从源电极142和漏电极143之间的沟道部分移除。
数据布线形成于欧姆接触层133和栅极绝缘膜131上。数据布线也可以是金属单层或金属多层。该数据布线包括：数据线141，沿纵向形成并跨过栅极线121而由此形成像素；源电极142，为数据线141的分支并部分延伸到欧姆接触层133的上部；以及漏电极143，与源电极142分离并部分地延伸到与源电极142相对的欧姆接触层133的上部。
参考图3，第一薄膜晶体管T1包括栅电极122a、源电极142a和漏电极143a，以及第二薄膜晶体管T2包括栅电极122b、源电极142b和漏电极143b。
数据线141包括第一数据线141a和第二数据线141b。第一薄膜晶体管T1与穿过像素右侧的第一数据线141a连接，第二薄膜晶体管T2与穿过像素左侧的第二数据线141b连接。
由氮化硅等制成的钝化膜151形成于数据布线上以及未被数据布线覆盖的半导体层132上。钝化膜151可以由诸如氮化硅的无机材料形成，或者由有机材料形成。此外，钝化膜151可以由包含有机材料制成的第一膜和无机材料制成的第二膜的双层形成。
有机膜152形成于钝化膜151上。有机膜152厚于栅极绝缘膜131和钝化膜151，且可以使用旋转涂敷、裂隙涂敷、丝网印刷等形成。有机膜152可包括BCB(苯并环丁烯)系列、烯烃系列、丙烯酸树脂系列、聚酰亚胺(polyimidepolyimide)系列、氟树脂等之一。
露出漏电极143a和143b的接触孔171a和171b以及对应于存储电容器线123并露出钝化膜151的开口172(见图7)形成于有机膜152内。钝化膜151也从接触孔171a和171b移除。
在本发明的其他示例性实施例中，有机膜151可以省略。
参考图7，像素电极161通过开口172接近存储电容器线123，且有机膜152不存在于像素电极161和存储电容器线123之间。存储电容器Cst形成于被施加了像素电压的像素电极161和被施加了公共电压的存储电容器线123之间。
开口172设于存储电容器线123上以移除有机膜152，该有机膜152由于较厚且具有低的介电常数，故有机膜152易于使得难以在像素电极161和存储电容器线123之间形成存储电容器。
回来参考图3和6，像素电极161形成于有机膜152上。像素电极161是由透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)制成。像素电极161沿数据线141的方向延伸，并弯折三次。
像素电极161包括第一子像素电极161a和第二子像素电极161b，该第一和第二子像素电极通过像素电极分离图案162彼此分离。第一子像素电极161a为弯曲形状，并位于像素的中心。第二子像素电极161b围绕第一子像素电极161a。
第二子像素电极161b具有比第一子像素电极161a更宽的区域。与第一子像素电极161a相比，存储电容器线123覆盖更多的第二子像素电极161b，因为与具有宽区域的第二子像素电极161b相对应的畴需要更大的存储电容器Cst。
参考图5，第二子像素电极161b包括：第一部分1611，位于第一子像素电极161a的右侧；第二部分1612，位于第一子像素电极161a的左侧；第三部分1613，位于第一子像素电极161a的上侧；以及第四部分1614，位于第一子像素电极161a的下侧。
回来参考图3和6，像素电极切除图案163形成于第一子像素电极161a和第二子像素电极161b上。像素电极切除图案163的一部分平行于像素电极分离图案162，像素电极切除图案163的其余部分平行于栅极线121。
第一子像素电极161a通过接触孔171b连接第二薄膜晶体管T2的漏电极143b，以及第二子像素电极161b通过接触孔171a连接第一薄膜晶体管T1的漏电极143a。
像素电极分离图案162和像素电极切除图案163将液晶层300连同稍后描述的公共电极切除图案252划分成多个子畴。本发明中的子畴指的是由在倾斜方向上纵向延伸的切除图案162、163和252所围绕的区域。
下面参考图6描述第二基板200。
黑矩阵221形成于第二绝缘基板211上。黑矩阵221可由其中添加了黑色素的光致抗蚀剂有机材料形成。炭黑、氧化钛等用作该黑色素。
参考图5，黑矩阵221包括：形成于薄膜晶体管T1和T2上方的第一部分221a、沿像素边缘形成的第二部分221b、以及形成于存储电容器线123上方的第三部分221c。
回来参考图6，滤色器231形成于第二绝缘基板211和黑矩阵221上。滤色器231可包括分别不同颜色例如红、绿、蓝色的子层。
覆膜241形成于滤色器231上。覆膜241提供平坦表面。覆膜241可以省略。
公共电极251形成于覆膜241的上部上。公共电极251是由诸如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)的透明导电材料制成。公共电极251将电压直接施加到液晶层300以及第一基板100的像素电极161。
公共电极切除图案252形成于公共电极251上。如图4所示，公共电极切除图案252的一部分与像素电极分离图案162平行地延伸，且公共电极切除图案252的其他部分与栅极线121平行地延伸。
公共电极切除图案252也称为畴分隔部。在其他示例性实施例中，突起可用做畴分隔部，这种情况下公共电极251可以不图案化。
切除图案162、163和252围绕的区域为子畴。参考图4和5，第一子像素电极161a、第一部分1611和第二部分1612分别划分为四个子畴，且第三部分1613和第四部分1614分别划分为六个子畴。每个子畴在相对于栅极线121的倾斜方向上纵向延伸。
图案162、163和252不限于这些示例性实施例，而可以形成为各种形状。
参考图8，液晶层300位于第一基板100和第二基板200之间。液晶层300具有垂直配向(VA)模式，且在不施加电压的状态下，液晶分子的长轴配向为垂直的。
如果电场施加到液晶分子，液晶分子相对于电场垂直地取向，因为晶体具有负的介电常数各向异性(permittivity anisotropy)。在不存在切除图案162、163和252时，因为液晶分子的取向未确定，所以液晶分子沿不同方向杂乱或无序地排列，且在不同取向之间的边界上产生旋转位移线(disclinationline)。
当电压施加到液晶层300时，切除图案162、163和252形成边缘场，并确定液晶分子的取向。上述液晶显示装置1具有出色的开口率，这将参考图3和8描述。
数据线141不位于像素电极161的外部，而是形成为交叠像素电极161，且更具体而言，数据线141形成为交叠像素电极161的第二子像素电极161b。
此外，第一数据线141a穿过第三部分1613、第一部分1611和第四部分1614，且第二数据线141b穿过像素电极161的第三部分1613、第二部分1612和第四部分1614。
数据线141沿像素电极161的边缘弯折。第一数据线141a和第二数据线141b彼此面对，且第一子像素电极161a夹置于第一数据线141a和第二数据线141b之间。
根据本发明的一个方面，由于数据线141位于像素电极161内，因此无需形成屏蔽电极，由此增大开口率。
数据线141的大部分交叠对开口率没有贡献的公共电极切除图案252。因此，尽管数据线141形成于像素电极161的区域内，由于数据线141引起的开口率的减小可忽略。
然而，由于数据线141交叠像素电极161，诸如串扰的电气干扰会发生。
不同数据电压施加于第一子像素电极161a和第二子像素电极161b。施加于覆盖数据线141的第二子像素电极161b的数据电压低于施加于第一子像素电极161a的数据电压。也就是说，第一子像素电极161a变为高亮度的高畴，第二子像素电极161b变为低亮度的低畴。
低数据电压意味着数据电压和公共电压之间的差值小。相反，高数据电压意味着数据电压和公共电压之间的差值大。
数据线141不交叠数据电压高的第一子像素电极161a，而交叠数据电压低的第二子像素电极161b。因此，数据线141和像素电极161之间电容的形成被抑制，数据线141和像素电极161之间不存在太多的串扰。
形成于数据线141和第一子像素电极161a之间的有机膜152也减小了其间的电气干扰。由于有机膜152具有小的介电常数和大的厚度，形成于数据线141和第二子像素电极161b之间的电容减小。
根据第一示例性实施例的液晶显示装置，可以以60Hz或更高的频率被驱动，例如120Hz至180Hz的频率。该频率是指每条栅极线121每秒被驱动的次数，即，每秒每条栅极线121被驱动而被施加栅极开启电压的次数。
更高的频率改善显示质量。然而，这会增大像素电极161和数据线141之间的电气干扰，对显示质量产生负面影响。
根据第一示例性实施例，数据线141交叠第二子像素电极161b，且数据线141和第二子像素电极161b之间的电气干扰不大，如上所述。因此，即使频率增大，对显示质量的影响仍被最小化。
接下来，参考图8描述每个子畴。
参考图8，属于高畴的子畴的宽度d1和属于低畴的子畴的宽度d2几乎相同。优选但非必须地，每个子畴的宽度d1或d2为20μm至25μm。
如果每个子畴的宽度d1或d2小于20μm，则开口率减小，且如果每个子畴的宽度d1或d2大于25μm，则位于子畴中心的液晶层300的响应速度减小。
每个子畴的宽度d1或d2根据液晶显示装置1的分辨率和尺寸来确定。液晶显示装置1的尺寸约为70英寸且分辨率为1080×1920时，每个子畴的宽度d1或d2为20μm至25μm。
参考图9，下面描述根据本发明第二示例性实施例的液晶显示装置。
在第二示例性实施例中，属于高畴的子畴的宽度d1大于属于低畴的子畴的宽度d2。例如，属于高畴的子畴的宽度d1可以约为24.4μm，而属于低畴的子畴的宽度d2可以约为21.5μm。
参考图10，下面描述根据本发明第三示例性实施例的液晶显示装置。
在第三示例性实施例中，存储电容器辅助层144形成于存储电容器线123上。存储电容器辅助层144可由与数据线141相同的层形成。
存储电容器辅助层144通过开口172电连接像素电极161。钝化膜151和有机膜152已经从开口172移除。
存储电容器线123和存储电容器辅助层144彼此面对，栅极绝缘膜131夹置于存储电容器线123和存储电容器辅助层144之间。
在第三示例性实施例中，存储电容器Cst包括栅极绝缘膜131，该栅极绝缘膜131设置于被施加数据电压的存储电容器辅助层144和通过像素电极161连接到公共电压的存储电容器线123之间。
参考图11，下面描述根据本发明第四示例性实施例的液晶显示装置。
像素电极161沿数据线141的方向纵向延伸，并弯折三次。
第一子像素电极161a也沿数据线141的方向纵向延伸，并也弯折三次。第二子像素电极161b围绕第一子像素电极161a。
数据线141穿过被施加低数据电压的第二子像素电极161b。
参考图12，下面描述根据本发明第五示例性实施例的液晶显示装置。
像素电极161沿数据线141的方向纵向延伸，并具有弯折一次的弯曲形状。
第一子像素电极161a也沿数据线141的方向纵向延伸，并也具有弯折一次的弯曲形状。第二子像素电极161b围绕第一子像素电极161a。
数据线141穿过被施加低数据电压的第二子像素电极161b。
在上述示例性实施例中，第二子像素电极161b围绕第一子像素电极161a，但是本发明不限于此，这将通过第六和第七示例性实施例来描述。
参考图13，下面描述根据本发明第六示例性实施例的液晶显示装置。
像素电极161沿数据线141的方向纵向延伸，并弯折三次。
第一子像素电极161a也沿数据线141的方向纵向延伸，并也弯折三次。第二子像素电极161b形成为围绕第一子像素电极161a，但是不形成于第一子像素电极161a的上部上。
数据线141穿过被施加低数据电压的第二子像素电极161b。
在可选示例性实施例中，第二子像素电极161b可以不形成于第一子像素电极161a的下部上。这种情况下，第二子像素电极161b的一部分形成于第一子像素电极161a的上部上。
参考图14，下面描述根据本发明第七示例性实施例的液晶显示装置。
像素电极161沿数据线141的方向纵向延伸，并形成为弯折一次的弯曲形状。
第一子像素电极161a也沿数据线141的方向纵向延伸，并也形成为弯折一次的弯曲形状。第二子像素电极161b形成为围绕第一子像素电极161a，但是不形成于第一子像素电极161a的上部上。
数据线141穿过被施加低数据电压的第二子像素电极161b。
在可选示例性实施例中，第二子像素电极161b可以不形成于第一子像素电极161a的下部上。这种情况下，第二子像素电极161b的一部分形成于第一子像素电极161a的上部上。
像素电极切除图案未示于图11至图14。
尽管已经表示并描述了本发明的数个实施例，但本领域技术人员将会理解，在不背离本发明的原理和精神的前提下可以对这些实施例进行改变，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
如上所述，本发明提供了一种开口率增大的液晶显示装置。

Claims (14)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一基板，具有相互交叉的数据线和栅极线；以及
多个像素电极，每个像素电极弯折至少一次且包括沿所述数据线的方向延伸的第一子像素电极，每个像素电极还包括第二子像素电极，所述第二子像素电极具有位于所述第一子像素电极右侧上的第一部分和位于所述第一子像素电极左侧上的第二部分，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极相互分离；
所述数据线交替地连接到各像素电极的第一子像素电极和第二子像素电极，每个像素的第一子像素电极和第二子像素电极连接到相同的栅极线。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述第一基板还包括电连接所述像素电极的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
电连接第一数据线和第二数据线之一以及所述第一子像素电极的第一薄膜晶体管；以及
电连接所述第一数据线和所述第二数据线中的另一个以及所述第二子像素电极的第二薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其中施加到所述第一子像素电极的数据电压高于施加到所述第二子像素电极的数据电压。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述液晶显示装置以120Hz的频率被驱动。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置，其中所述数据线和所述第一子像素电极相互隔开。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述数据线沿所述像素电极的边缘弯折。
7.如权利要求4所述的液晶显示装置，其中所述第一基板还包括位于所述数据线和所述像素电极之间的有机膜。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置，其中所述第二子像素电极围绕所述第一子像素电极。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置，其中所述第一子像素电极具有弯曲形状，且
所述第二子像素电极还包括：
形成于所述第一子像素电极的上部上的第三部分；以及
形成于所述第一子像素电极的下部上的第四部分。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其中所述像素电极沿所述数据线的方向弯折三次。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中所述第一子像素电极和所述第二子像素电极沿所述数据线的方向弯折三次。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述第一子像素电极和所述第二子像素电极每一个具有弯曲形状。
13.如权利要求9所述的液晶显示装置，还包括：
第二基板，所述第二基板面向所述第一基板并包括公共电极；以及
液晶层，位于所述第一和第二基板之间，
其中像素电极切除图案形成于所述像素电极上，畴分隔部形成于所述公共电极内，以及所述液晶层形成为垂直配向模式。
14.如权利要求13所述的液晶显示装置，其中所述公共电极内的所述畴分隔部的一部分延伸以交叠所述数据线。
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