CN109972181A - 一种高密度引线框架压板电镀模具 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高密度引线框架压板电镀模具，包括自下而上依次设置的底板，阳极板，面板和铝模，所述阳极板套设在底板上并通过螺丝固定，所述面板通过螺丝固定在底板上，所述铝模粘附在面板上，所述面板底部靠近阳极板的面上设有加强筋，所述加强筋使面板与阳极板之间形成循环腔，所述阳极板上开设有上水孔和回水孔，所述底板和面板上开设有与上水孔配合的通孔。本发明能够提高电镀密度，增强模具的抗变形能力，电镀液循环更加充分，电镀后镀层外观一致性更好。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路芯片加工制造技术领域，尤其涉及一种高密度引线框架压板电镀模具。
背景技术
引线框架是一种用来作为集成电路芯片载体，并借助于键合丝使芯片内部电路引出端(键合点)通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。随着半导体件高集成电路化、高密实封装化的发展，半导体封装方式受表面安装技术的影响在向薄型化、小型化方向发展，引线框架小封装尺寸产品越来越多，现有的引线框架压板电镀模具，受加工难度限制，只能满足封装尺寸3X3mm以上常规引线框架电镀，电镀密度较低，所以绝大部分小封装尺寸引线框架必须使用湿菲林电镀，但是湿菲林电镀相对于压板电镀效率低且成本高，同时，模具在使用过程中由于受力常常会发生变形，从而降低电镀位置的精度，且现有的引线框架压板电镀模具电镀效果不好，电镀后镀层外观一致性较差。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种高密度引线框架压板电镀模具，能够提高电镀密度，增强模具的抗变形能力，电镀液循环更加充分，电镀后镀层外观一致性更好。
本发明采用的技术方案如下：
一种高密度引线框架压板电镀模具，包括自下而上依次设置的底板，阳极板，面板和铝模，所述阳极板套设在底板上并通过螺丝固定，所述面板通过螺丝固定在底板上，所述铝模粘附在面板上，所述面板底部靠近阳极板的面上设有加强筋，所述加强筋使面板与阳极板之间形成循环腔，所述阳极板上开设有上水孔和回水孔，所述底板和面板上开设有与上水孔配合的通孔。
优选地，所述铝模通过硅胶粘附在面板上。在铝模和面板之间的间隙中注入硅胶，抽真空烘烤，使铝模和面板粘附在一起。
优选地，所述每个上水孔周围设有4个回水孔，且上水孔的孔径大于回水孔的孔径。上水孔喷射的电镀液经引线框架电镀后余液通过面板和铝模上的通孔倒流回阳极板上，并通过阳极板上的回水孔回流到电镀液储存槽内。
优选地，所述底板，面板和铝模上开设的与上水孔配合的通孔孔径大于上水孔的孔径，确保电镀液能够顺利上水和回流。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1.本发明通过在面板底部设置加强筋，可以解决模具在使用过程中受力变形问题，增大面板抗形变能力，确保产品电镀位置的精确度。
2.本发明通过在面板底部设置加强筋，从而将面板与加强筋接触之外的部分大幅减薄，使面板和阳极板之间有足够空间从而形成循环腔，这样在电镀时，电镀液在模具内有足够的循环空间，有效避免上水快，回水慢，镀层烧焦和上水慢，回水快，出现镀不上银的情况发生，同时电解液循环更加充分，可以提高电镀后镀层外观的一致性。
3.本发明中，由于电镀液在面板和阳极板之间的循环腔充分循环，可以适当提高电镀电流，使电镀电流密度得到有效地提高，从而可以电镀高密度的产品。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1是本发明的结构示意图；
图2是铝模的结构示意图；
图3是面板的结构示意图；
图4是底板的结构示意图；
图5是阳极板的结构示意图。
图中标记为：1-底板，2-阳极板，3-面板，4-加强筋，5-铝模，6-上水孔，7-回水孔，8-循环腔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种高密度引线框架压板电镀模具，包括自下而上依次设置的底板1，阳极板2，面板3和铝模5，所述阳极板2套设在底板1上并通过螺丝固定，所述面板3通过螺丝固定在底板1上，所述铝模5粘附在面板3上，所述面板3底部靠近阳极板2的面上设有加强筋4，所述加强筋4使面板3与阳极板2之间形成循环腔8，所述阳极板2上开设有上水孔6和回水孔7，所述底板1和面板3上开设有与上水孔6配合的通孔。
实施例2
在实施例1的基础上，所述铝模5通过硅胶粘附在面板3上。通过在铝模5和面板3之间的间隙中注入硅胶，抽真空烘烤，使铝模5和面板3粘附在一起。
实施例3
在实施例1的基础上，所述每个上水孔6周围设有4个回水孔7，且上水孔6的孔径大于回水孔7的孔径。上水孔6喷射的电镀液经引线框架电镀后余液通过面板3和铝模5上的通孔倒流回阳极板2上，并通过阳极板2上的回水孔7回流到电镀液储存槽内。
实施例4
在实施例1的基础上，所述底板1，面板3和铝模5上开设的与上水孔6配合的通孔孔径大于上水孔6的孔径，确保电镀液能够顺利上水和回流。
Claims (4)
1.一种高密度引线框架压板电镀模具，其特征在于，包括自下而上依次设置的底板(1)，阳极板(2)，面板(3)和铝模(5)，所述阳极板(2)套设在底板(1)上并通过螺丝固定，所述面板(3)通过螺丝固定在底板(1)上，所述铝模(5)粘附在面板(3)上，所述面板(3)底部靠近阳极板(2)的面上设有加强筋(4)，所述加强筋(4)使面板(3)与阳极板(2)之间形成循环腔(8)，所述阳极板(2)上开设有上水孔(6)和回水孔(7)，所述底板(1)，面板(3)和铝模(5)上开设有与上水孔(6)配合的通孔。
2.根据权利要求1所述的一种高密度引线框架压板电镀模具，其特征在于，所述铝模(5)通过硅胶粘附在面板(3)上。
3.根据权利要求1所述的一种高密度引线框架压板电镀模具，其特征在于，所述每个上水孔(6)周围设有4个回水孔(7)，且上水孔(6)的孔径大于回水孔(7)的孔径。
4.根据权利要求1所述的一种高密度引线框架压板电镀模具，其特征在于，所述底板(1)，面板(3)和铝模(5)上开设的与上水孔(6)配合的通孔孔径大于上水孔(6)的孔径。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114059134A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 东莞奥美特科技有限公司 | 高密度多排框架电镀装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102181895A (zh) * | 2011-05-24 | 2011-09-14 | 厦门永红科技有限公司 | 半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺 |
| CN102191521A (zh) * | 2011-05-24 | 2011-09-21 | 厦门永红科技有限公司 | 引线框架的电镀装置 |
| CN202157130U (zh) * | 2011-05-24 | 2012-03-07 | 厦门永红科技有限公司 | 引线框架的电镀装置 |
| CN103469289A (zh) * | 2013-09-27 | 2013-12-25 | 铜陵丰山三佳微电子有限公司 | 集成电路引线框架片式电镀夹具 |
| CN204138798U (zh) * | 2014-10-11 | 2015-02-04 | 昆山一鼎电镀设备有限公司 | 一种选择性电镀条镀模 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102181895A (zh) * | 2011-05-24 | 2011-09-14 | 厦门永红科技有限公司 | 半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺 |
| CN102191521A (zh) * | 2011-05-24 | 2011-09-21 | 厦门永红科技有限公司 | 引线框架的电镀装置 |
| CN202157130U (zh) * | 2011-05-24 | 2012-03-07 | 厦门永红科技有限公司 | 引线框架的电镀装置 |
| CN103469289A (zh) * | 2013-09-27 | 2013-12-25 | 铜陵丰山三佳微电子有限公司 | 集成电路引线框架片式电镀夹具 |
| CN204138798U (zh) * | 2014-10-11 | 2015-02-04 | 昆山一鼎电镀设备有限公司 | 一种选择性电镀条镀模 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114059134A (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-18 | 东莞奥美特科技有限公司 | 高密度多排框架电镀装置 |
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