CN204179109U - 一种新型的发光单元 - Google Patents

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李宏浩
李宗涛
丁鑫锐
吴灿标
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Abstract

本实用新型提供了一种新型的发光单元,包括一线路板,设于线路板上表面的陶瓷基板,安装于所述陶瓷基板上的倒装芯片以及电性连接线路板和倒装芯片电极的锡膏层;所述陶瓷基板包括设置于其两侧的半封闭通孔以及设置于陶瓷基板上表面的两金属层。所述陶瓷基板单面覆金属层,陶瓷基板底部免蒸金属层,降低了成本,提高了LED的散热效果;所述锡膏层电连接倒装芯片电极和线路板,降低了的热阻并提高了LED的导热导电性能,提高LED的可靠性。

Description

一种新型的发光单元
技术领域
本实用新型涉及LED封装领域,尤其涉及一种倒装芯片的LED封装。
背景技术
近年来随着金丝引线键合的成本越来越高,使得倒装芯片变得更具吸引力。目前倒装芯片为了达到良好的固晶效果,实现髙导热性,解决芯片与固晶基板的应力适配问题,主要采用髙导热的陶瓷基板。陶瓷基板采用双面镀铜镀银,形成的顶层电路与底部电极通过过孔镀铜连接,成本高以及散热效果差。封装后的LED用锡膏表面贴装时,利用锡膏将LED通过陶瓷基板的底部电极与电路板连接导通,增大了LED的热阻。
LED封装内部芯片与外部引脚的连接确立了芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入、输出的重要作用,是整个后端封装过程的关键,而LED封装成本也已成为制约半导体工业发展的瓶颈之一。因此,想大范围的推广LED,进一步降低倒装芯片的LED封装成本,提高倒装芯片的LED导热导电性能,成为业界尚待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中的缺点与不足,提供一种基板单面镀金属层的LED封装技术,该倒装芯片的 导热导电性能,且降低LED封装成本。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
本实用新型提供的一种新型的发光单元,包括一线路板,设于线路板上表面的陶瓷基板,安装于所述陶瓷基板的倒装芯片以及电性连接线路板和倒装芯片电极的锡膏层;所述陶瓷基板包括设置于其两侧的半封闭通孔以及设置于陶瓷基板上表面的两金属层;所述锡膏层分别位于半封闭通孔内。
优选地,所述陶瓷基板为单面覆金属层的陶瓷基板,所述两金属层为单独隔开的镀铜镀银层。
优选地,所述半封闭通孔的数量至少为两个。
优选地,所述半封闭通孔的形状是半封闭圆形,半封闭矩形或本封闭菱形。
优选地,所述半封闭通孔面积占金属层面积的1/10到1/2之间。
优选地,所述半封闭通孔面积占金属层面积的1/5到1/3之间。
优选地,所述倒装芯片电极露于陶瓷基板两侧的半封闭通孔之上,所述锡膏层位于半封闭通孔内并电性连接倒装芯片电极和线路板。
优选地,所述倒装芯片电极完全覆盖在半封闭通孔和金属层上。
优选地,在所述线路板上设置封装胶体,所述封装胶体完全覆盖倒装芯片和陶瓷基板上并形成半球形,半椭圆形或方块状。
与现有技术比较,本实用新型的倒装芯片的LED封装结构采用基板单面镀铜镀银,底部免蒸金属电极的技术,降低生产成本。锡膏灌注于基板边缘所设置的半封闭通孔中,形成电性连接部,陶瓷基板起导热,载体和表面贴装定位的作用,本实用新型的倒装芯片的LED封装结构提高了LED导热导电性能,且降低了LED的热阻。
附图说明
图1为本实用新型的一种新型的发光单元的剖视示意图。
图2为本实用新型的陶瓷基板俯视图。
具体实施方式
本实用新型提供了新型的发光单元,为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将结合附图进一步说明阐述本实用新型的具体实施方式。
本实用新型提供了一种新型的发光单元,如图1所示,包括一线路板1,设于线路板1上表面的陶瓷基板2,安装于所述陶瓷基板2的倒装芯片4以及电性连接线路板1、陶瓷基板2和倒装芯片4的锡膏层6;其中,所述陶瓷基板2包括设置与其两侧的半封闭通孔5以及设置于陶瓷基板2上表面的两金属层3;所述锡膏层6分别位于半封闭通孔5内,并分别连接芯片电极和线路板1,从而实现倒装芯片4、和线路板1的电性连接。
所述陶瓷基板2单面镀金属层3, 其中,金属层3位于陶瓷基板2上表面以及金属层3为单独隔开的两镀铜镀银层。
所述陶瓷基板2底部免蒸金属层以及锡膏层,直接连接线路板1,可降低成本,增强LED的散热效果。
所述陶瓷基板2边缘处各形成至少一个半封闭通孔5,其中,半封闭通孔5具有不同的半封闭形状,半封闭通孔5可为半封闭圆形,半封闭矩形或本封闭菱形。所述半封闭通孔5占陶瓷基板2顶部金属层3总面积的                                                之间,优选地,半封闭通孔5占金属层3面积的之间。所述半封闭通孔5位于陶瓷基板2相对两侧边缘处,所述陶瓷基板2形成“工”字型,如图2所示。本实用新型并不限于上述实施例方式。
所述倒装芯片4的两电极完全覆盖在相应的金属层3和半封闭通孔5上。
所述锡膏6灌注于半封闭通孔5内,其中,锡膏6将倒装芯片4的两电极分别与线路板1连接,形成电性连接,优选地,锡膏6与金属层3和陶瓷基板2连接。
在所述线路板1上设置封装胶体7,所述封装胶体7完全覆盖陶瓷基板2、倒装芯片4和锡膏层6,其中,封装胶体7为环氧树脂或硅胶,封装胶体灌注到线路板1上后形成半球形,半椭圆形或方块状。
本实用新型提供的一种新型的发光单元,其有益效果在于:
1、本实用新型提供的陶瓷基板采用单面镀铜镀银,减少底部镀铜镀银,降低生产成本,增强LED的散热效果。
2、本实用新型提供的半封闭通孔,利用锡膏灌注到半封闭通孔中,实现倒装芯片与线路板的直接电极导通,降低LED的热阻,同时提高了LED的导热导电性能,增强LED的散热效果,提高LED的可靠性。
以上对本实用新型进行了详细介绍,文中应用具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以对本实用新型进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种新型的发光单元,包括一线路板,设于线路板上表面的陶瓷基板,安装于所述陶瓷基板的倒装芯片以及电性连接线路板和倒装芯片电极的锡膏层;所述陶瓷基板包括设置于其两侧的半封闭通孔以及设置于陶瓷基板上表面的两金属层;所述锡膏层分别位于半封闭通孔内。
2.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述陶瓷基板为单面覆金属层的陶瓷基板,所述两金属层为单独隔开的镀铜镀银层。
3.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述半封闭通孔的数量至少为两个。
4.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述半封闭通孔的形状是半封闭圆形,半封闭矩形或半封闭菱形。
5.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述半封闭通孔面积占金属层面积的1/10到1/2之间。
6.根据权利要求5所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述半封闭通孔面积占金属层面积的1/5到1/3之间。
7.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述倒装芯片电极露于陶瓷基板两侧的半封闭通孔上,所述锡膏层位于半封闭通孔内并电性连接倒装芯片电极和线路板。
8.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,所述倒装芯片电极完全覆盖在半封闭通孔和金属层上。
9.根据权利要求1所述的一种新型的发光单元,其特征在于,在所述线路板上设置封装胶体,所述封装胶体完全覆盖倒装芯片和陶瓷基板上并形成半球形,半椭圆形或方块状。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449942A (zh) * 2016-11-28 2017-02-22 贵州万泰弘发科技股份有限公司 Led倒装晶片陶瓷基板模组及其制备方法

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