CN109962175B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109962175B
CN109962175B CN201811581897.6A CN201811581897A CN109962175B CN 109962175 B CN109962175 B CN 109962175B CN 201811581897 A CN201811581897 A CN 201811581897A CN 109962175 B CN109962175 B CN 109962175B
Authority
CN
China
Prior art keywords
encapsulation film
display device
layer
organic
inorganic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811581897.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109962175A (zh
Inventor
金雄植
朴埈亨
金敏佑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Priority to CN202410060347.9A priority Critical patent/CN117881229A/zh
Publication of CN109962175A publication Critical patent/CN109962175A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109962175B publication Critical patent/CN109962175B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示装置，包括：包括器件对应部和桥的基层，桥位于器件对应部周围并将器件对应部彼此连接；位于基层上并具有暴露桥中的至少一个的至少一部分的开口的无机绝缘层；填充开口的有机层；位于有机层上的导线；位于器件对应部上的显示器件；以及封装膜，封装膜中的每一个都具有岛的形式以对应于器件对应部中的相应一个，封装膜中的每一个包括：覆盖显示器件中的相应一个的第一无机封装膜，位于第一无机封装膜上的有机封装膜，以及覆盖有机封装膜并在有机封装膜外侧接触第一无机封装膜的第二无机封装膜。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年12月26日递交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2017-0180120号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开的各方面涉及显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括提供在基板上的显示单元。显示装置的至少一部分可以被配置为可折叠或可拉伸，使得显示装置在被使用时变形为具有各种形状。
然而，在根据现有技术的一般显示装置中，由于折叠或拉伸，在显示器件或在连接到显示器件的导线中可能出现缺陷。
发明内容
本公开实施例的各方面旨在一种显示装置，尽管基板变形也防止其中的显示器件被损坏，并且提高了光效率。
另外的方面被部分地阐明在随后的描述中，并且部分地根据这些描述显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。
根据本公开的一个或多个实施例，提供了一种显示装置，包括：包括器件对应部和桥的基层，桥位于器件对应部周围并且将器件对应部彼此连接；无机绝缘层，位于基层上，并具有暴露桥中的至少一个的至少一部分的开口；填充开口的有机层；位于有机层上的导线；位于器件对应部上的显示器件；以及封装膜，封装膜中的每一个具有岛的形状以与器件对应部中的相应一个相对应，封装膜中的每一个包括：覆盖显示器件中的相应一个的第一无机封装膜；位于第一无机封装膜上的有机封装膜；和覆盖有机封装膜并在有机封装膜的外侧接触第一无机封装膜的第二无机封装膜。
在一些实施例中，有机封装膜的至少一部分具有凸透镜形状。
在一些实施例中，第一无机封装膜的面向有机封装膜的表面比第二无机封装膜的背离第一无机封装膜的表面更疏水。
在一些实施例中，显示装置进一步包括设置在第一无机封装膜和有机封装膜之间的疏水涂层。
在一些实施例中，器件对应部中的每一个具有四边形形状，并且桥中的相应一个连接到器件对应部中的每一个的每一侧。
在一些实施例中，桥中的每一个具有曲线部分，并且曲线部分与器件对应部中的相应一个邻近。
在一些实施例中，曲线部分具有均匀的曲率半径。
在一些实施例中，基层进一步包括连接到器件对应部的边缘的外围区域以及形成在外围区域和桥之间的狭缝。
在一些实施例中，狭缝中的每一个包括曲线部分。
在一些实施例中，显示装置进一步包括位于器件对应部上并且电连接到显示器件的薄膜晶体管，其中导线包括与包括在薄膜晶体管的源电极和漏电极中的材料相同的材料。
在一些实施例中，有机层覆盖无机绝缘层的边缘。
根据本公开的一个或多个实施例，提供了一种显示装置，包括：包括器件对应部和桥的基层，桥位于器件对应部周围并且将器件对应部彼此连接；无机绝缘层，位于基层上，并具有暴露桥中的至少一个的至少一部分的开口；填充开口的有机层；位于有机层上的导线；显示器件组，显示器件组中的每一个位于器件对应部中的相应一个上，其中显示器件组中的每一个包括多个显示器件；和封装膜，封装膜中的每一个具有岛的形式以与器件对应部中的相应一个相对应，封装膜中的每一个包括：覆盖显示器件组中的相应一个的第一无机封装膜；位于第一无机封装膜上的有机封装膜；和覆盖有机封装膜并在有机封装膜的外侧接触第一无机封装膜的第二无机封装膜。
在一些实施例中，多个显示器件中的每一个包括有机发光器件，有机发光器件包括：像素电极；位于像素电极上并包括发射层的中间层；位于中间层上的对电极，并且在显示器件组中的一个中包括的多个显示器件中，对电极彼此成整体以形成单个对电极，单个对电极具有与器件对应部中的相应一个相对应的岛的形式。
在一些实施例中，对电极连接到导线中的至少一个。
在一些实施例中，封装膜中的每一个的有机封装膜与显示器件组中的相应一个相对应。
附图说明
从以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解，附图中：
图1是根据本公开示例性实施例的有机发光显示装置的框图；
图2是包括在图1的有机发光显示装置中的基板的平面图；
图3是包括在图1的有机发光显示装置中的基层的平面图；
图4是沿着图3中的线IV-IV'截取的图1的有机发光显示装置的一部分的截面图；
图5是器件对应部(即图3的基层的一部分)、以及连接到器件对应部的桥的部分的平面图；
图6是沿图5中的线VI-VI'截取的截面图；
图7是沿图5中的线VII-VII'截取的截面图；
图8是沿图5中的线VIII-VIII'截取的截面图；
图9-图10是根据本公开另一个示例性实施例的有机发光显示装置的部分的截面图；
图11是根据本公开另一个示例性实施例的有机发光显示装置的一部分的截面图；
图12-图14是根据本公开示例性实施例的位于有机发光显示装置中的器件对应部上的子像素的布置的平面图；
图15是根据本公开另一个示例性实施例的有机发光显示装置的基层的平面图；并且
图16是图15的部分A的放大平面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出。在这方面，目前的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的各方面。
在附图中，相同的附图标记始终指代相同的元件，并且不再重复重叠的描述。
图1是根据本公开示例性实施例的有机发光显示装置1的框图。图2是包括在图1的有机发光显示装置1中的基板100的平面图。
如图1所示，根据当前实施例的有机发光显示装置1可以包括显示单元(例如，显示器)300和驱动单元(例如，驱动器)400。
显示单元300可以包括像素PXL以及连接到像素PXL的数据线D1至Dq(D1,D2,D3,D4,…,Dq)和扫描线S1到Sp(S1,S2,S3,S4,…,Sp-1,Sp)。像素PXL可以是一般意义的像素，或者可以是当前实施例中的子像素，并且在下面的实施例及其修改中也是如此。数据信号和扫描信号可以分别通过数据线D1至Dq和扫描线S1至Sp施加到像素PXL。像素PXL可以电连接到电源线ELVDD或电极电源线ELVSS。例如，像素PXL中的每一个可以包括有机发光器件(OLED)，并且可以根据从电源线ELVDD通过OLED流到电极电源线ELVSS的电流，产生与由数据线D1至Dq中的相应一条施加的数据信号相对应的光。
驱动单元400可以包括扫描驱动器410、数据驱动器420和时序控制器450。
扫描驱动器410可以根据扫描驱动器控制信号SCS将扫描信号施加到扫描线S1至Sp。例如，扫描驱动器410可以将扫描信号顺序地施加到扫描线S1到Sp。扫描驱动器410可以直接形成在形成有像素PXL的基板100上，可以直接安装在基板100上，或者可以通过分立的元件(诸如柔性印刷电路板)连接到基板100。
数据驱动器420可以通过从时序控制器450接收数据驱动器控制信号DCS和图像数据DATA来产生数据信号。数据驱动器420可以将如此产生的数据信号施加到数据线D1至Dq。数据驱动器420可以直接形成在形成有像素PXL的基板100上，可以直接安装在基板100上，或者可以通过分立的元件(诸如柔性印刷电路板)连接到基板100。
当扫描信号被施加到扫描线时，从数据线D1至Dq传输的数据信号可以被施加到连接至该扫描线的像素PXL，并且因此，像素PXL可以以与所施加的数据信号相对应的亮度发光。
时序控制器450可以产生用于控制扫描驱动器410和数据驱动器420的控制信号。例如，控制信号可以包括用于控制扫描驱动器410的扫描驱动器控制信号SCS以及用于控制数据驱动器420的数据驱动器控制信号DCS。这里，时序控制器450可以通过使用外部输入信号产生扫描驱动器控制信号SCS和数据驱动器控制信号DCS。例如，外部输入信号可以包括点时钟信号DCLK、数据使能信号DE、垂直同步信号Vsync和/或水平同步信号Hsync。
此外，时序控制器450可以将扫描驱动器控制信号SCS施加到扫描驱动器410，并将数据驱动器控制信号DCS施加到数据驱动器420。时序控制器450可以将从外部源输入的图像数据RGB转换为符合数据驱动器420的规范的图像数据DATA，并将图像数据DATA施加到数据驱动器420。数据使能信号DE可以是限定期间输入有效数据的时间段的信号，其中一个周期可以被设置为水平同步信号Hsync的一个水平时间段。
在图1中，扫描驱动器410、数据驱动器420和时序控制器450被示为分立的部件，然而，在期望时可以将这些部件中的至少一些集成到一起。而且，扫描驱动器410、数据驱动器420和时序控制器450可以以各种合适的方式中的任一种提供，例如玻璃上芯片、塑料上芯片、带载封装和薄膜上芯片。
这些各种部件可以被布置在图2中所示的基板100上。基板100可以包括可以显示图像的有效区AA以及有效区AA周围的非有效区NA。像素PXL位于有效区AA中，并且用于控制像素PXL的诸如驱动单元400的部件可以位于非有效区NA中。非有效区NA可以被理解为非显示区。
基板100是可拉伸的，并且因此可以在一个或多个方向上拉伸或收缩，或者可以是柔性的。基板100可包括具有柔性、可弯曲或可拉伸特性的各种合适的材料，并且例如可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP)等。基板100的配置可以以合适的方式变化。例如，基板100可以具有包括包含聚合物树脂和阻挡层的两层并且包括提供在这两层之间的无机材料(例如，氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等)的多层结构。
图3是可以位于基板100上的基层110的平面图。基层110布置在基板100上，并且包括器件对应部DCP和桥BR。器件对应部DCP是基层110的、显示器件将位于其上的部分。器件对应部DCP中的每一个可以采用岛的形式。桥BR位于器件对应部DCP周围并且将器件对应部DCP彼此连接。
器件对应部DCP可以沿着第一轴(X轴)和与第一轴交叉的第二轴(Y轴)规则地布置。而且，邻近的器件对应部DCP可以通过至少一个桥BR彼此连接。图3仅示出基层110的一部分，并且多个这样的部分可以沿第一轴和第二轴规则地布置。这同样适用于以下实施例及其修改。诸如OLED的显示器件可以位于器件对应部DCP中的每一个之上；并且，用于传输要施加到显示器件的电源、电极电源、扫描信号和/或数据信号的导线可以位于桥BR上。
当基板100被拉伸时，器件对应部DCP之间的距离(例如，间隔)可以增大或减小。然而，即使当器件对应部DCP之间的距离(例如，间隔)改变时，器件对应部DCP中每一个的形状也不会变形或者该形状的变形量可以减少。因此，位于器件对应部DCP上的显示器件也可以不变形或者形状的变形量可以减少。当然，当基板100被拉伸时，连接器件对应部DCP的桥BR可以部分地变形。然而，因为位于桥BR上的导线包括柔性金属材料，所以尽管变形，导线也不会被损坏。
基层110可以由柔性材料形成，使得即使在桥BR变形时，桥BR也不会被损坏。例如，基层110可包括聚合物树脂，例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP)等。
在图3中，器件对应部DCP中的每一个具有近似四边形形状，但不限于此，并且器件对应部DCP的形状可以适当地变化。而且，连接器件对应部DCP的桥BR的形状不限于图3中所示的那些，并且可以适当地改变。
图4是沿着图3中的线IV-IV'截取的图1的有机发光显示装置1的截面图。例如，图4是示出作为显示器件310的有机发光器件以及位于基板100上的基层110的器件对应部DCP上的下层结构的截面图，并且是沿着图3的线IV-IV'截取的截面图。除了显示器件310之外，电连接到显示器件310的薄膜晶体管(TFT)200也可以位于器件对应部DCP上，如图4中所示。在图4中，OLED位于基层110上，作为显示器件310。OLED电连接到TFT 200可以意味着OLED的像素电极320电连接到TFT 200。
TFT 200可以包括半导体层210、栅电极220、源电极230和漏电极240，半导体层210包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了获得半导体层210和栅电极220之间的绝缘，可以在半导体层210和栅电极220之间提供包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层140。另外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的层间绝缘层160可以布置在栅电极220上，并且源电极230和漏电极240可以布置在层间绝缘层160上。包括绝缘材料的栅极绝缘层140和层间绝缘层160可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)方法形成。这也适用于以下实施例及其修改。
可以在TFT 200和基层110之间提供包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层120。缓冲层120可以增加基层110的上表面的平整度或者可以防止或限制杂质从基层110或基层110下方的基板100渗透到TFT 200的半导体层210中。缓冲层120、栅极绝缘层140和/或层间绝缘层160可以统称为无机绝缘层。这也适用于以下实施例及其修改。
钝化层180可以位于TFT 200上。钝化层180可以是包括无机材料的无机绝缘层。用于形成钝化层180的无机材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、和/或聚硅氧烷等。与图4中所示的不同，钝化层180可以具有与钝化层180下方的结构的上表面的形状相对应的弯曲上表面。当期望时，可以省略钝化层180。
平坦化层190可以布置在钝化层180上。例如，如图4所示，当显示器件310被布置在TFT 200上时，平坦化层190可以使TFT 200的上表面基本平坦。平坦化层190可以由诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机材料形成。平坦化层190在图4中是单层，但是可以以合适的方式进行各种修改，并且例如可以包括多层。
显示器件310可以布置在平坦化层190上。显示器件310可以是OLED，其包括例如像素电极320、对电极340和中间层330，中间层330可以包括发射层并被提供在像素电极320和对电极340之间。如图4所示，像素电极320可以通过经形成在平坦化层190和钝化层180中的接触孔(例如，接触开口)接触源电极230和漏电极240中的任一个而电连接到TFT 200。
像素限定层350可以布置在平坦化层190上。像素限定层350可以通过包括与每个子像素相对应的开口(即，暴露像素电极320的至少中心部分的开口)来限定像素。而且，在图4中，像素限定层350增大了像素电极320的边缘与像素电极320上的对电极340的边缘之间的距离，以防止在像素电极320的边缘处发生电弧或减少发生电弧的情况。这样的像素限定层350可以由诸如PI和/或HMDSO等的有机材料形成。
像素电极320可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等的透明导电材料和/或诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、Al、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)等的反射金属。
显示器件310的中间层330可包括低分子量或高分子量材料。当中间层330包括低分子量材料时，中间层330可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以单一或复杂结构堆叠的结构，并且可以通过真空沉积方法形成。当中间层330包括高分子量材料时，中间层330可以包括HTL和EML。这里，HTL可以包括聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)和/或类似物，并且EML可以包括聚苯乙炔(PPV)基或聚芴基高分子量材料和/或类似物。中间层330可以经由丝网印刷或喷墨印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法形成。然而，中间层330不限于此，并且可以具有各种结构中的任何一种。
对电极340布置在中间层330上。对电极340可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和/或Cr等形成的金属膜和/或由ITO、IZO、ZnO和/或氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。
因为显示器件310可能容易被外部湿气或氧气损坏，所以封装膜500可以覆盖显示器件310以保护显示器件310。如图4所示，封装膜500可以包括第一无机封装膜510、有机封装膜530和第二无机封装膜520。具体地，封装膜500可以采用岛的形式(当从平面图观看时)以对应于器件对应部DCP。因此，有机发光显示装置1可以包括彼此间隔开的多个封装膜500。
第一无机封装膜510可以覆盖对电极340，并且包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。当期望时，可以在第一无机封装膜510和对电极340之间提供诸如盖层的其他层。如图4所示，因为第一无机封装膜510沿着其下方的结构形成，所以第一无机封装膜510的上表面不平坦。
有机封装膜530位于第一无机封装膜510上，并且与第一无机封装膜510不同，有机封装膜530的上表面可以形成为具有平坦或均匀的形状。具体地，如图4所示，有机封装膜530的至少一部分可以具有凸出的形状，例如凸透镜形状，使得从显示器件310发射的光的会聚效率增大。有机封装膜530可包括从PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚丙烯、PAR和HMDSO中选择的至少一种材料。
可以使用喷墨印刷方法来形成有机封装膜530。例如，有机封装膜530可以通过经使用喷墨印刷方法在对电极340上的第一无机封装膜510上点滴单体材料然后对单体材料进行固化来简单形成。此时，为了防止或基本上防止点滴的单体材料扩散并且为了在喷墨印刷方法期间保持透镜形状，可以在喷墨印刷方法之前经由等离子体处理等使第一无机封装膜510的上表面疏水化。因此，点滴的单体材料在第一无机封装膜510处的接触角可为约30°至约50°。在这种情况下，第一无机封装膜510的面向有机封装膜530的表面可以比第二无机封装膜520的背离第一无机封装膜510的表面更疏水。在一些示例中，可以通过使用疏水材料在第一无机封装膜510上形成涂层，然后可以经由喷墨印刷方法在涂层上点滴用于形成有机封装膜530的材料。
第二无机封装膜520可以覆盖有机封装膜530，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。第二无机封装膜520可以从有机封装膜530的外侧接触第一无机封装膜510，使得有机封装膜530不暴露于外部。
这样，封装膜500包括第一无机封装膜510、有机封装膜530和第二无机封装膜520，并且可以防止或基本上防止外部杂质(例如湿气或氧气)通过这种多层结构渗透进显示器件310。
基于观看有机发光显示装置1的位置，有机发光显示装置1可以具有不同的截面；然而，除了桥BR之外，基层110的器件对应部DCP上的各种层可以不延伸到器件对应部DCP之外。因此，在图4中，缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160、钝化层180和平坦化层190具有侧表面。而且，封装膜500的第一无机封装膜510覆盖这样的侧表面。当期望时，第二无机封装膜520也可以覆盖这些侧表面，如图4所示。因此，可以有效地防止杂质通过缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160、钝化层180和/或平坦化层190的侧表面渗透到显示器件310中。缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层160、钝化层180和/或平坦化层190可以通过桥BR相对于邻近的器件对应部DCP被连续地连接。
图5是器件对应部DCP(即图3的基层110的一部分)以及连接至器件对应部DCP的第一桥BR1至第四桥BR4的部分的平面图。如图5所示，从平面图看，器件对应部DCP可以具有包含第一侧DCP1至第四侧DCP4的近似四边形形状。结合图4描述的诸如OLED的显示器件可以被布置在器件对应部DCP上。一个子像素可以被布置在一个器件对应部DCP上，或者形成一个像素的多个子像素可以被布置在一个器件对应部DCP上。例如，在后一种情况下，红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素可以一起被布置在一个器件对应部DCP上。
桥可以连接到器件对应部DCP的侧，器件对应部DCP的侧可以是在平面图上被指示为外边缘的部分。例如，如图5所示，第一桥BR1至第四桥BR4可以分别连接至器件对应部DCP的第一侧DCP1至第四侧DCP4。第一桥BR1可以连接到第一侧DCP1的一部分，并且沿第一方向(+X方向)延伸。第一桥BR1可以在连接到第一侧DCP1(即，与器件对应部DCP邻近)的区域处具有曲线部分CA。第二桥BR2可以连接到第二侧DCP2的一部分，并且沿第二方向(-Y方向)延伸。第二桥BR2可以在连接到第二侧DCP2(即，与器件对应部DCP邻近)的区域处具有曲线部分CA。第三桥BR3可以连接到第三侧DCP3的一部分，并且沿第一方向的相反方向(-X方向)延伸。第三桥BR3可以在连接到第三侧DCP3(即，与器件对应部DCP邻近)的区域处具有曲线部分CA。第四桥BR4可以连接到第四侧DCP4的一部分，并且沿第二方向的相反方向(+Y方向)延伸。第四桥BR4可以在连接到第四侧DCP4(即，与器件对应部DCP邻近)的区域处具有曲线部分CA。
用于传输要施加到布置在器件对应部DCP上的像素PXL的电源、电极电源、扫描信号和/或数据信号的导线BL可以被提供在第一桥BR1至第四桥BR4中。提供在第一桥BR1至第四桥BR4中的导线BL的数量可以基于布置在器件对应部DCP上的显示器件的数量而变化，并且还可以基于连接至显示器件的TFT的数量而变化。而且，布置在第一桥BR1至第四桥BR4上的导线BL的数量可以在第一桥BR1至第四桥BR4中相同或不同。
图6是沿图5中的线VI-VI'截取的截面图，图7是沿图5中的线VII-VII'截取的截面图，并且图8是沿图5中的线VIII-VIII'截取的截面图。在下文中，将结合图6至图8描述位于第一桥BR1上的导线BL等的堆叠结构。
如图7所示，位于基层110上的无机绝缘层包括暴露第一桥BR1(即第一桥BR1至第四桥BR4中的至少一个)的至少一部分的开口OA。在图7中，仅示出了一个开口OA，因为仅示出了有机发光显示装置1的一部分；然而，无机绝缘层遍及有机发光显示装置1包括多个开口OA。这里，如上所述，无机绝缘层是缓冲层120、栅极绝缘层140和/或层间绝缘层160的统称。因此，缓冲层120、栅极绝缘层140和/或层间绝缘层160主要位于器件对应部DCP处，并且仅缓冲层120、栅极绝缘层140和/或层间绝缘层160的部分可以位于第一桥BR1处。而且，当缓冲层120的开口、栅极绝缘层140的开口和/或层间绝缘层160的开口具有不同的尺寸时，可以理解，最小的开口限定了无机绝缘层的开口。
根据当前实施例的有机发光显示装置1包括有机层195和导线BL。有机层195填充无机绝缘层的开口OA。而且，导线BL位于这样的有机层195上。这里，导线BL可以位于诸如层间绝缘层160的无机绝缘层上不存在有机层195处。导线BL可以由与位于器件对应部DCP上的TFT 200的源电极230或漏电极240相同的材料形成且与位于器件对应部DCP上的TFT 200的源电极230或漏电极240同时形成。
有机层195可包括具有柔性、可弯曲或可拉伸特性的各种合适材料中的任何一种，例如聚合物树脂，诸如PES、聚丙烯酸酯、PEI、PEN、PET、PPS、PAR、PI、PC、CAP、聚四氟乙烯和苯并环丁烯等。
当如上所述拉伸基板100时，可以增大或减小器件对应部DCP之间的距离(例如，间隔)。然而，即使当器件对应部DCP之间的距离(例如，间隔)改变时，器件对应部DCP中每一个的形状也不会变形或者形状的变形量可以减小。因此，位于器件对应部DCP上的显示器件310也可以不变形或者其变形量也可以减小。当然，当基板100被拉伸时，连接器件对应部DCP的桥BR可以部分地变形。然而，因为位于桥BR上的导线BL包括柔性金属材料，所以尽管变形，导线BL也不会被损坏。
此外，当诸如缓冲层120、栅极绝缘层140和/或层间绝缘层160的无机绝缘层在桥BR处没有开口OA且导线BL位于遍及桥BR的这种无机绝缘层上时，在基板100被拉伸时大的应力被施加到导线BL。具体地，因为无机绝缘层的硬度高于有机层195的硬度，所以无机绝缘层很可能在桥BR处破裂，并且当无机绝缘层破裂时，无机绝缘层上的导线BL也可能破裂，因此很可能是有缺陷的，例如断线。
然而，在根据当前实施例的有机发光显示装置1中，无机绝缘层包括暴露桥BR的至少一部分的开口OA，并且导线BL位于填充无机绝缘层的开口OA的有机层195上。因为无机绝缘层包括桥BR处的开口OA，所以无机绝缘层几乎不会破裂，并且有机层195很少破裂，因为有机层195包括有机材料。因此，可以防止或减少在位于有机层195上的导线BL的区域(位于桥BR上的区域)处发生破裂。这里，因为有机层195的硬度低于无机绝缘层的硬度，所以通过基板100的拉伸产生的应力可以被有机层195吸收，因此可以有效地防止应力集中在导线BL处。
当期望时，导线BL可以由与位于器件对应部DCP上的TFT 200的源电极230或漏电极240不同的材料形成。例如，位于第一桥BR1上的导线BL可以包括比位于器件对应部DCP上的导线或导电层的材料拉的更长的材料，使得尽管基板100变形，导线BL也不会变得有缺陷，例如，不会变得破裂或断线。而且，位于器件对应部DCP上的导线或导电层可以包括具有优异的电或机械特性而不是优异的伸长率的材料，使得电信号的传输效率增加或者制造期间的缺陷率降低。例如，位于器件对应部DCP上的电极或导电层可以包括钼和/或类似物，并且导线BL可以包括铝和/或类似物。
有机层195可以覆盖无机绝缘层的边缘，即，无机绝缘层的开口OA的内侧。因此，导线BL可以不断裂，并且从第一桥BR1到器件对应部DCP的无机绝缘层可以连续。当有机层195不覆盖无机绝缘层的开口OA的内侧时，在形成并图案化导电层以形成导线BL的时候，导电材料可能无法去除，而是可能残留在形成台阶部分的开口OA的内侧。这样，当导电材料残留时，其他导电层可能短路。因此，通过覆盖无机绝缘层的边缘(即，开口OA的具有有机层195的边缘)可以阻挡或显著减少缺陷的发生。
在图6中，导线BL1至BL4布置在有机层195上。位于第一桥BR1上的导线BL1至BL4在第一桥BR1延伸的方向上延伸。导线BL1至BL4可以延伸到器件对应部DCP。延伸到器件对应部DCP的导线BL1到BL4可以位于层间绝缘层160上。从第一桥BR1延伸到器件对应部DCP的导线BL1到BL4可以电连接到位于层间绝缘层160上的电极/导线中的一些，并且也可以电连接到位于栅极绝缘层140上的电极/导线中的一些。导线BL1至BL4可以是例如数据线、扫描线和/或电源线。
平坦化层190可以位于导线BL1至BL4上。平坦化层190可以与器件对应部DCP上的平坦化层190成整体，并且可以保护第一桥BR1上的导线BL1至BL4。第一桥BR1上的平坦化层190可以延伸到器件对应部DCP，如图7所示，并覆盖器件对应部DCP的钝化层180的边缘。器件对应部DCP中的导线BL1至BL4可以由钝化层180保护。
在第一桥BR1中，对电极340位于平坦化层190上。例如，对电极340可以遍及多个器件对应部DCP而成整体。当期望时，对电极340可以采用与器件对应部DCP相对应的岛的形式，并且位于第一桥BR1上的导线BL可以以岛的形式连接到对电极340以施加电极电源到对电极340。
另外，如图8的截面图所示，在垂直于第一桥BR1的延伸方向的方向上，对电极340可以覆盖有机层195的所有侧表面。因此，可以有效地防止外部杂质渗透到有机发光显示装置1中。当期望时，封装膜也可以位于对电极340的位于第一桥BR1处的一部分上。
第二桥BR2至第四桥BR4的结构可以与以上所述的第一桥BR1的结构相同或相似。位于第二桥BR2至第四桥BR4上的导线BL的数量可以与位于第一桥BR1上的导线BL的数量相同或不同。
如参考图5所述，第一桥BR1至第四桥BR4可以各自具有曲线部分CA。曲线部分CA可以与器件对应部DCP邻近。曲线部分CA可以具有均匀(例如，恒定)或基本均匀的曲率半径，并且缩进到桥BR中。当基板100被拉伸时，桥BR变形，并且此时，桥BR的变形程度可以基于曲线部分CA的曲率半径而变化。
当曲率半径为约15μm至约25μm时，桥BR的最大变形程度可以低。例如，当基板100变形到一定程度时，桥BR的最大变形程度随着曲率半径从约5μm到约20μm增大而减小，并且随着曲率半径从约20μm到约35μm增大而增大。当桥BR的变形程度增大时，施加到包括位于桥BR上的导线BL的结构的应力增加，并且当桥BR的变形程度减小时，施加到包括位于桥BR上的导线BL的结构的应力减小。因此，包括在桥BR中的曲线部分CA的曲率半径可以从约15μm到约25μm。
图9和图10是根据本公开另一个实施例的有机发光显示装置的部分的截面图。图9和图10分别对应于是根据在前实施例的有机发光显示装置的截面图的图7和图8。
参见图9和图10，桥BR上的导线BL可以包括可以是电极电源线ELVSS的导线BL3。暴露导线BL3的上表面的至少一部分的开口部分形成在导线BL3上的平坦化层190中，并且导线接触部分342可以通过开口部分电连接到导线BL3。而且，导线接触部分342电连接到对电极340，从而将对电极340电连接到导线BL3。导线接触部分342位于桥BR上，并且当期望时，导线接触部分342的一部分可以位于器件对应部DCP上。
图11是根据本公开另一个实施例的有机发光显示装置的一部分的截面图。图11对应于是根据在前实施例的有机发光显示装置的截面图的图7。
在参考图7描述的在前实施例中，导线BL延伸通过有机层195到达层间绝缘层160；然而，在当前实施例中，导线BL可以仅存在于有机层195上。在图11中，导线BL3仅位于有机层195上。在这种情况下，暴露位于栅极绝缘层140上的栅极线222的一部分的接触孔(即，接触开口)可以被形成在有机层195和层间绝缘层160中，并且导线BL3可以通过接触孔电连接到栅极线222。栅极线222可以由与栅电极220相同的材料形成并且与栅电极220同时形成。
另外，信号线232可以位于器件对应部DCP上的层间绝缘层160上，并且可以通过形成在层间绝缘层160中并且暴露栅极线222的一部分的接触孔电连接到栅极线222。例如，器件对应部DCP上的信号线232可以通过栅极线222电连接到第一桥BR1上的导线BL3。例如，信号线232可以是数据线，并且在这种情况下，导线BL3也可以被解释为数据线的一部分。在这种情况下，信号线232可以由与源电极230或漏电极240相同的材料形成并且与源电极230或漏电极240同时形成。
然而，可以以合适的方式对本公开进行各种修改，并且信号线232可以不是数据线的一部分，而是可以是扫描线的一部分或电源线的一部分。
图12至图14是根据本公开的一些示例实施例的位于有机发光显示装置中的器件对应部DCP上的子像素的布置的平面图。
一个子像素可以位于一个器件对应部DCP上；然而，本公开的实施例不限于此，并且如图12至图14所示，在一些示例中，多个子像素可以位于一个器件对应部DCP上。当多个子像素位于一个器件对应部DCP上时，子像素可以形成一个像素。例如，包括多个显示器件的显示器件组可以位于一个器件对应部DCP上，其中显示器件组对应于像素。
在图12中，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B位于器件对应部DCP上。在图13中，一个红色子像素R、一个蓝色子像素B和两个绿色子像素G位于器件对应部DCP上。这里，两个绿色子像素G中的每一个可以位于红色子像素R和蓝色子像素B之间。在图14中，一个红色子像素R、一个绿色子像素G、第一蓝色子像素B1和第二蓝色子像素B2位于器件对应部DCP上。这里，第一蓝色子像素B1和第二蓝色子像素B2可以发射具有不同波长的蓝光。
在图12至图14中，一个像素包括红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B；然而，本公开不限于此。例如，像素可以包括发射除了从红色子像素、绿色子像素和/或蓝色子像素发射的光的波长之外的波长的光的子像素。而且，位于器件对应部DCP上的子像素的数量可以变化。
如图12至图14所示，当包括多个显示器件的显示器件组位于器件对应部DCP上时，显示器件中的每一个可以是OLED。而且，对电极可以遍及包括在显示器件组中的多个显示器件而成整体。在这种情况下，整体的对电极可以采用与显示器件组所在的器件对应部DCP相对应的岛的形式。这种采用岛的形式的对电极可以电连接到位于第一桥BR1上的导线BL3，即导线BL中之一，如上面结合图9和图10所述。在这种情况下，导线BL3可以理解为电极电源线。而且，如以上结合图4所述的采用岛的形式的封装膜500可以与包括位于器件对应部DCP上的多个显示器件的显示器件组相对应。例如，采用岛的形式的一个封装膜500可以布置在包括在一个显示器件组中的多个显示器件上。
图15是根据本公开另一个实施例的有机发光显示装置的基层110'的平面图。图16是图15的部分A的放大平面图。图15对应于示出了根据在前实施例的有机发光显示装置的基层110的平面图的图3。
参见图15，根据当前实施例的基层110'进一步包括连接到器件对应部DCP的边缘即第一侧DCP1至第四侧DCP4的外围区域PR，以及形成在外围区域PR和桥BR'之间的狭缝S。狭缝S中的每一个可以包括位于狭缝S末端的曲线部分Sr。在根据当前实施例的有机发光显示装置中，可以通过调节桥BR'的厚度、狭缝S的长度和/或狭缝S的宽度来调节伸长率。
形成在桥BR'和外围区域PR之间的狭缝S可以包括直线部分和曲线部分Sr，如图16所示。直线部分/>可以沿一个方向延伸。曲线部分Sr可以位于直线部分/>的一端，并且可以呈曲线(例如，弯曲)以具有预设的曲率半径。曲线部分Sr的两端之间的角度θ可以基于曲线部分Sr的曲率半径或曲线部分Sr的长度而改变。当基板100被拉伸时，桥BR'变形，并且此时，桥BR'的变形率可以基于曲线部分Sr的两端之间的角度θ而改变。
当曲线部分Sr的两端之间的角度θ改变时，在桥BR'被拉伸时测量的桥BR'的最大变形率发生变化。详细地，当角度θ是0°时(当狭缝S不具有曲线部分时)，桥BR'的最大变形程度高，即桥BR'被很大程度地变形。当角度θ从约0°到约45°增大时，桥BR'的最大变形程度减小。当角度θ从约45°到约90°增大时，桥BR'的最大变形程度近似恒定。
当桥BR'的变形程度增大时，施加到包括位于桥BR'上的导线BL的结构的应力增加；并且另一方面，当桥BR'的变形程度减小时，施加到包括位于桥BR'上的导线BL的结构的应力减小。因此，狭缝S可以包括曲线部分Sr，而曲线部分Sr的两端之间的角度θ在约45°和约90°之间。
根据本公开的一个或多个实施例，可以实现一种显示装置，其中尽管基板变形，但是防止或基本上防止了显示器件被损坏，并且光效率增加。
应该理解的是，本文描述的实施例应该被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似的特征或方面。
可以理解，尽管词语“第一”、“第二”、“第三”等在本文被用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受这些词语的限制。这些词语被用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此，以上所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明构思的精神和范围。
为了易于描述，这里可以使用空间上相对的词语，例如“下面”、“下方”、“下”、“上”和“上面”等，来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征(或其它元件或特征)的关系。可以理解，空间上相对的词语意在除图中描绘的定向之外还包含使用中或操作中器件的不同定向。例如，如果图中的器件翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“下”的元件就会被定向为位于其它元件或特征“上”。因此，示例性词语“下方”和“下”可以包含上和下方的定向。器件可以以其它方式定向(例如，旋转90度或以其它定向)，并且本文使用的空间上相对的描述语言应当进行相应的解释。另外，也可以理解，当提及一层位于两层“之间”时，该层可以是这两层之间仅有的层，也可以存在一个或多个中间层。
本文所使用的术语的目的在于描述特定的实施例，并不意在限制本发明构思。这里所使用的单数形式“一”同样意在包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。进一步可以理解，词语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。本文所使用的词语“和/或”包括所列出的相关联项目中的任意一个和一个或多个的所有组合。
另外，在描述本发明构思的实施例时，“可以”的使用指的是“本发明构思的一个或多个实施例”。而且，词语“示例性”旨在指示例或说明。
可以理解，当提及一元件或层位于另一元件或层“上”、“连接至”、“耦接至”或“邻近于”另一元件或层时，该元件或层可以直接位于其它元件或层上或者直接连接至、耦接至或邻近于其它元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。然而，当提及一元件或层“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接至”、“直接耦接至”或“直接邻近于”另一元件或层时，不存在中间元件或层。
如本文所使用的，词语“基本上”、“约”和类似术语用作近似条件而不是程度条件，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。另外，在该书面描述或权利要求中记载的具体数量或范围还可以包含本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
如本文所使用的，词语“使用”和“被用于”可以分别被认为与词语“利用”和“被用来”同义。
此外，本文所述的任何数值范围旨在包括包含在所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0到10.0”的范围旨在包括所述的最小值1.0和所述的最大值10.0之间的所有子范围(并且包括本数)，即具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，例如2.4至7.6。本文所述的任何最大数值极限旨在包括包含在其中的所有较低数值极限，并且本说明书中所述的任何最小数值极限旨在包括包含在其中的所有较高数值极限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)以明确地叙述包含在本文明确叙述的范围内的任何子范围的权利。所有这种范围旨在本说明书中固有地描述。
显示装置和/或任意其他相关器件或部件，诸如根据本文描述的本发明的实施例的扫描驱动器、数据驱动器和时序控制器可以利用任意合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的适当组合来实施。例如，显示装置的各种部件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分立的IC芯片上。此外，显示装置的各种部件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施，或者形成在同一基板上。此外，显示装置的各种部件可以是在一个或多个计算设备中执行计算机程序指令并与其他系统部件进行交互以执行本文描述的各种功能的一个或多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用标准存储器设备(诸如，例如随机存取存储器(RAM))在计算设备中实施。计算机程序指令还可以存储在其他非暂时性计算机可读介质中，例如CD-ROM或闪存驱动器等。此外，本领域技术人员应该认识到，各种计算设备的功能可以组合或集成到单个计算设备中，或者特定计算设备的功能可以分布在一个或多个其他计算设备上而不脱离本发明的示例性实施例的范围。
虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括：
包括器件对应部和桥的基层，所述桥位于所述器件对应部周围并且将所述器件对应部彼此连接；
无机绝缘层，位于所述基层上，并具有暴露所述桥中的至少一个的至少一部分的开口；
填充所述开口的有机层；
位于所述有机层上的导线；
位于所述器件对应部上的显示器件；和
封装膜，所述封装膜中的每一个具有岛的形式以与所述器件对应部中的相应一个相对应，所述封装膜中的每一个包括：
覆盖所述显示器件中的相应一个的第一无机封装膜；
位于所述第一无机封装膜上的有机封装膜；和
覆盖所述有机封装膜并在所述有机封装膜的外侧接触所述第一无机封装膜的第二无机封装膜。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机封装膜的至少一部分具有凸透镜形状。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机封装膜的面向所述有机封装膜的表面比所述第二无机封装膜的背离所述第一无机封装膜的表面更疏水。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括设置在所述第一无机封装膜和所述有机封装膜之间的疏水涂层。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述器件对应部中的每一个具有四边形形状，并且所述桥中的相应一个连接到所述器件对应部中每一个的每一侧。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述桥中的每一个具有曲线部分，并且所述曲线部分与所述器件对应部中的相应一个邻近。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述曲线部分具有均匀的曲率半径。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基层进一步包括连接到所述器件对应部的边缘的外围区域以及形成在所述外围区域和所述桥之间的狭缝。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述狭缝中的每一个包括曲线部分。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括位于所述器件对应部上并且电连接到所述显示器件的薄膜晶体管，其中所述导线包括与包括在所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的材料相同的材料。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层覆盖所述无机绝缘层的边缘。
12.一种显示装置，包括：
包括器件对应部和桥的基层，所述桥位于所述器件对应部周围并且将所述器件对应部彼此连接；
无机绝缘层，位于所述基层上，并具有暴露所述桥中的至少一个的至少一部分的开口；
填充所述开口的有机层；
位于所述有机层上的导线；
显示器件组，所述显示器件组中的每一个位于所述器件对应部中的相应一个上，其中所述显示器件组中的每一个包括多个显示器件；和
封装膜，所述封装膜中的每一个具有岛的形式以与所述器件对应部中的相应一个相对应，所述封装膜中的每一个包括：
覆盖所述显示器件组中的相应一个的第一无机封装膜；
位于所述第一无机封装膜上的有机封装膜；和
覆盖所述有机封装膜并在所述有机封装膜的外侧接触所述第一无机封装膜的第二无机封装膜。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个显示器件中的每一个包括有机发光器件，所述有机发光器件包括：
像素电极；
位于所述像素电极上并包括发射层的中间层；以及
位于所述中间层上的对电极，并且
其中，在所述显示器件组中的一个中包括的所述多个显示器件中，对电极彼此成整体以形成单个对电极，所述单个对电极具有与所述器件对应部中的相应一个相对应的岛的形式。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述对电极连接到所述导线中的至少一个。
15.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述封装膜中的每一个的所述有机封装膜与所述显示器件组中的相应一个相对应。
CN201811581897.6A 2017-12-26 2018-12-24 显示装置 Active CN109962175B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410060347.9A CN117881229A (zh) 2017-12-26 2018-12-24 显示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0180120 2017-12-26
KR1020170180120A KR102495845B1 (ko) 2017-12-26 2017-12-26 디스플레이 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410060347.9A Division CN117881229A (zh) 2017-12-26 2018-12-24 显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109962175A CN109962175A (zh) 2019-07-02
CN109962175B true CN109962175B (zh) 2024-02-06

Family

ID=66951499

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811581897.6A Active CN109962175B (zh) 2017-12-26 2018-12-24 显示装置
CN202410060347.9A Pending CN117881229A (zh) 2017-12-26 2018-12-24 显示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410060347.9A Pending CN117881229A (zh) 2017-12-26 2018-12-24 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10693091B2 (zh)
KR (2) KR102495845B1 (zh)
CN (2) CN109962175B (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102495845B1 (ko) * 2017-12-26 2023-02-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2019163134A1 (ja) * 2018-02-26 2019-08-29 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN110741489B (zh) * 2018-03-30 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示设备
KR102624297B1 (ko) 2018-10-02 2024-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200058643A (ko) 2018-11-19 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102559089B1 (ko) * 2018-12-19 2023-07-24 엘지디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치
KR20200119452A (ko) 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200128309A (ko) 2019-05-03 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20210003989A (ko) 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210005452A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210008240A (ko) 2019-07-11 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210032600A (ko) 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210036706A (ko) * 2019-09-26 2021-04-05 엘지디스플레이 주식회사 스트레쳐블 표시 장치
KR20210041163A (ko) * 2019-10-04 2021-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN112750363B (zh) * 2019-10-30 2023-04-07 北京小米移动软件有限公司 显示组件、显示模组、制作方法及电子设备
CN110875369A (zh) * 2019-11-27 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 显示背板、显示面板及其制作方法和显示装置
US11744140B2 (en) * 2019-11-28 2023-08-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Flexible display panel and fabrication method thereof
KR20210116815A (ko) 2020-03-17 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210145026A (ko) * 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20220033637A (ko) * 2020-09-09 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220097681A (ko) 2020-12-30 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
TWI830059B (zh) * 2021-09-13 2024-01-21 友達光電股份有限公司 畫素結構及其製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105789257A (zh) * 2016-03-23 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示装置
CN105895823A (zh) * 2015-02-16 2016-08-24 三星显示有限公司 显示设备
CN106601927A (zh) * 2016-12-01 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种显示面板的薄膜封装结构及制备方法
CN107221550A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 三星显示有限公司 显示装置
CN107221549A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 三星显示有限公司 显示设备
CN107240596A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 三星显示有限公司 显示设备
CN107275506A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0845812B1 (en) 1996-11-28 2009-10-28 Casio Computer Co., Ltd. Display apparatus
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20090208754A1 (en) 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20030203210A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
US7621794B2 (en) 2005-11-09 2009-11-24 International Display Systems, Inc. Method of encapsulating an organic light-emitting device
US7535646B2 (en) 2006-11-17 2009-05-19 Eastman Kodak Company Light emitting device with microlens array
KR100863907B1 (ko) 2007-03-06 2008-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100909268B1 (ko) * 2008-08-08 2009-08-18 (주) 엠에이케이 플라즈마 처리를 이용한 잉크젯 인쇄방법 및 잉크젯인쇄장치
KR20120042365A (ko) 2010-10-25 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101676901B1 (ko) 2012-05-10 2016-11-16 주식회사 엘지화학 광학 성능이 우수한 광학 필름 적층체 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102150011B1 (ko) * 2013-06-10 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015069700A (ja) 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6389044B2 (ja) 2013-12-26 2018-09-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、表示装置の製造方法、及び、表示装置の設計方法
KR101561102B1 (ko) 2014-07-01 2015-10-19 주식회사 이녹스 유기전자장치용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재
KR102352283B1 (ko) 2014-11-03 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102282492B1 (ko) * 2015-03-10 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170012707A (ko) * 2015-07-22 2017-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR102474203B1 (ko) * 2015-12-22 2022-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치
KR20180005323A (ko) 2016-07-05 2018-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
CN106252526B (zh) * 2016-09-22 2018-03-16 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
KR20180045968A (ko) * 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019050136A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
KR102462421B1 (ko) * 2017-11-15 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102495845B1 (ko) * 2017-12-26 2023-02-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105895823A (zh) * 2015-02-16 2016-08-24 三星显示有限公司 显示设备
CN107221550A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 三星显示有限公司 显示装置
CN107221549A (zh) * 2016-03-22 2017-09-29 三星显示有限公司 显示设备
CN105789257A (zh) * 2016-03-23 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示装置
CN107240596A (zh) * 2016-03-29 2017-10-10 三星显示有限公司 显示设备
CN107275506A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备
CN106601927A (zh) * 2016-12-01 2017-04-26 Tcl集团股份有限公司 一种显示面板的薄膜封装结构及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190198782A1 (en) 2019-06-27
US10693091B2 (en) 2020-06-23
CN109962175A (zh) 2019-07-02
US11683976B2 (en) 2023-06-20
CN117881229A (zh) 2024-04-12
US20230337514A1 (en) 2023-10-19
KR102495845B1 (ko) 2023-02-06
US11158826B2 (en) 2021-10-26
US20210151698A1 (en) 2021-05-20
KR20230021686A (ko) 2023-02-14
US20200287146A1 (en) 2020-09-10
KR20190078723A (ko) 2019-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109962175B (zh) 显示装置
US11889731B2 (en) Display apparatus
US20200273944A1 (en) Display apparatus
US10528170B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11839103B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11678549B2 (en) Organic light emitting display device
KR102416038B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20220415973A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20190288234A1 (en) Display device including a barrier layer
US20200127220A1 (en) Display apparatus and mask for manufacturing the same
US10540029B2 (en) Display device with overlapping touch sensor improving touch performance by decreasing coupling capacitance generated between power supply line and outer lines
US20190296099A1 (en) Display device
US11251258B2 (en) Display apparatus
US10825874B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20200365665A1 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR20200040966A (ko) 디스플레이 장치
US20220231256A1 (en) Display apparatus and manufacturing the same
US20230320152A1 (en) Display apparatus
US20220069033A1 (en) Display apparatus
US20240011913A1 (en) Method of determining abnormality of display manufacturing facility

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant