CN105789257A - 薄膜封装结构及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种薄膜封装结构及显示装置，属于显示器件封装技术领域。包括：包覆在待封装器件外侧的多个膜层，多个膜层包括：交替叠加的无机层和有机层，且多个膜层中，位于多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层；多个膜层中，第一无机层与第一有机层之间形成有辅助铺展层，辅助铺展层的亲疏水性与第一有机层的亲疏水性相同，第一无机层为多个膜层中与待封装器件接触的膜层，第一有机层为与第一无机层接触的有机层。本发明解决了有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差的问题，达到了提高有机层对无机层上的裂纹和缺陷填充的效果。本发明用于显示器件的封装。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件封装技术领域，特别涉及一种薄膜封装结构及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode；简称：OLED)器件具有主动发光、高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点，广泛应用于显示行业。但是，空气中的水、氧气等成分对OLED器件的使用寿命影响很大，因此，通常可以采用薄膜封装结构对OLED器件进行封装，使OLED器件与空气中的水、氧气等成分隔离，从而延长OLED器件的使用寿命，其中，在对OLED器件进行封装时，该OLED器件可以称为待封装器件。
现有技术中，薄膜封装结构包括：包覆在待封装器件外侧的多个膜层，该多个膜层包括交替叠加的无机层和有机层，且该多个膜层中位于该多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层。无机层通常采用SiNx(中文：氮化硅)材料，通过化学气相沉积(英文：ChemicalVaporDeposition；简称：CVD)形成，其主要作用是将待封装器件与外界空气隔离，有机层通常采用丙烯酸酯、环氧树脂等有机材料，通过喷墨打印(英文：Ink-JetPrinting；简称：IJP)工艺形成，其主要作用是填充无机层上的裂纹和缺陷，使得无机层能够更好的对外界空气进行隔离。其中，在喷墨打印工艺中，喷墨打印设备对有机材料进行处理形成喷墨打印墨水(英文：IJPInk)，然后将IJPInk喷到无机层上，IJPInk在无机层上铺展开形成有机层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
SiNx材料为亲水性材料，丙烯酸酯、环氧树脂等有机材料为疏水性材料，因此，采用丙烯酸酯、环氧树脂等有机材料形成的有机层的亲疏水性与采用SiNx材料形成的无机层的亲疏水性不同，IJPInk无法在无机层上有效展开，因此，IJPInk在无机层上的铺展性较差，有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种薄膜封装结构及显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括：
包覆在待封装器件外侧的多个膜层，所述多个膜层包括：交替叠加的无机层和有机层，且所述多个膜层中，位于所述多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层；
所述多个膜层中，第一无机层与第一有机层之间形成有辅助铺展层，所述辅助铺展层的亲疏水性与所述第一有机层的亲疏水性相同，所述第一无机层为所述多个膜层中与所述待封装器件接触的膜层，所述第一有机层为与所述第一无机层接触的有机层。
可选地，所述多个膜层中，除位于所述多个膜层的外侧的无机层之外，每个与有机层接触的无机层远离所述待封装器件的面上形成有所述辅助铺展层，所述辅助铺展层的亲疏水性和与所述辅助铺展层接触的有机层的亲疏水性相同。
可选地，所述有机层的亲疏水性为疏水性，所述辅助铺展层的亲疏水性为疏水性。
可选地，所述辅助铺展层为自组装非极性疏水单分子层。
可选地，所述辅助铺展层的形成材料包括：丙基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、甲氧乙氧基硅烷中的至少一种。
可选地，所述辅助铺展层的形成工艺包括蒸镀和化学气相沉积中的任意一种。
可选地，所述多个膜层为3个膜层。
可选地，所述无机层的形成材料包括氮化硅；
所述有机层的形成材料包括丙烯酸酯和环氧树脂中的至少一种。
可选地，所述待封装器件为OLED器件，
所述OLED器件位于衬底基板的显示区上，所述无机层和所述有机层都将所述显示区覆盖。
可选地，所述衬底基板上形成有柔性基底层，所述OLED器件位于所述显示区在所述柔性基底层的对应区域上，所述无机层和所述有机层都将所述显示区在所述柔性基底层的对应区域覆盖。
第二方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：OLED器件和第一方面所述的薄膜封装结构。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明提供的薄膜封装结构及显示装置，薄膜封装结构包括：包覆在待封装器件外侧的多个膜层，多个膜层包括：交替叠加的无机层和有机层，且多个膜层中，位于多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层；多个膜层中，第一无机层与第一有机层之间形成有辅助铺展层，辅助铺展层的亲疏水性与第一有机层的亲疏水性相同，第一无机层为多个膜层中与待封装器件接触的膜层，第一有机层为与第一无机层接触的有机层。由于辅助铺展层的亲疏水性与第一有机层的亲疏水性相同，因此，形成第一无机层的IJPInk能够在第一无机层上有效展开，IJPInk在第一无机层上的铺展性较好，对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较好，解决了有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差的问题，达到了提高有机层对无机层上的裂纹和缺陷填充的效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种薄膜封装结构的应用场景图；
图2是本发明实施例提供的另一种薄膜封装结构的应用场景图；
图3是本发明实施例提供的再一种薄膜封装结构的应用场景图；
图4是本发明实施例提供的一种衬底基板的俯视图；
图5是本发明实施例提供的在衬底基板上形成柔性基底层后的俯视图；
图6是本发明实施例提供的一种薄膜封装结构的制造方法的方法流程图；
图7是本发明实施例提供的形成有待封装器件的衬底基板的结构示意图；
图8是图6所示实施例提供的一种在形成有待封装器件的衬底基板上形成第一无机层后的结构示意图；
图9是图6所示实施例提供的一种在形成有待封装器件的衬底基板上形成第一无机层后的俯视图；
图10是图6所示实施例提供的一种在形成有第一无机层的衬底基板上形成辅助铺展层后的结构示意图；
图11是图6所示实施例提供的一种在形成有辅助铺展层的衬底基板上形成有机层后的结构示意图；
图12是图6所示实施例提供的一种在形成有辅助铺展层的衬底基板上形成有机层后的俯视图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，其示出的是本发明实施例提供的一种薄膜封装结构00的应用场景图，参见图1，该薄膜封装结构00包括：包覆在待封装器件01外侧的多个膜层，多个膜层包括：交替叠加的无机层001和有机层002，且多个膜层中，位于多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层001，其中，如图1所示，待封装器件01设置在衬底基板02上。
如图1所示，多个膜层中，第一无机层001与第一有机层002之间形成有辅助铺展层003，辅助铺展层003的亲疏水性与第一有机层002的亲疏水性相同，第一无机层001为多个膜层中与待封装器件01接触的膜层，第一有机层002为与第一无机层001接触的有机层。
综上所述，本发明实施例提供的薄膜封装结构，由于无机层与有机层之间形成有辅助铺展层，辅助铺展层的亲疏水性与有机层的亲疏水性相同，因此，形成无机层的IJPInk能够在无机层上有效展开，IJPInk在无机层上的铺展性较好，对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较好，解决了有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差的问题，达到了提高有机层对无机层上的裂纹和缺陷填充的效果。
请参考图2，其示出的是本发明实施例提供的另一种薄膜封装结构00的应用场景图，参见图2，该薄膜封装结构00包括：包覆在待封装器件01外侧的多个膜层，多个膜层包括：交替叠加的无机层001和有机层002，且多个膜层中，位于多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层001。
其中，如图2所示，待封装器件01设置在衬底基板02上。多个膜层中，除位于多个膜层的外侧的无机层001之外，每个与有机层002接触的无机层001远离待封装器件01的面上形成有辅助铺展层003，辅助铺展层003的亲疏水性和与辅助铺展层003接触的有机层002的亲疏水性相同。示例地，辅助铺展层003的极性和与辅助铺展层003接触的有机层002的极性相同，使得辅助铺展层003的亲疏水性和与辅助铺展层003接触的有机层002的亲疏水性相同，可选地，该薄膜封装结构00的所有有机层002的极性相同，使得所有的有机层002的亲疏水性相同，比如，有机层002的亲疏水性为疏水性，辅助铺展层003的亲疏水性为疏水性。
优选地，辅助铺展层003为自组装非极性疏水单分子层。其中，该辅助铺展层003为自组装非极性疏水单分子层可以便于辅助铺展层003的成膜。该辅助铺展层003的形成材料包括：丙基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、甲氧乙氧基硅烷中的至少一种，该辅助铺展层003的形成工艺包括蒸镀和CVD中的任意一种，本发明实施例对此不作限定。
可选地，在本发明实施例中，无机层001的形成材料包括SiNx，有机层002的形成材料包括丙烯酸酯和环氧树脂中的至少一种。无机层001可以采用薄膜封装化学气相沉积(英文：ThinFilmEncapsulationChemicalVaporDeposition；简称：TFECVD)工艺形成，有机层002可以采用IJP工艺形成，本发明实施例对此不作限定。
可选地，在本发明实施例中，待封装器件01可以为OLED器件，该OLED器件位于衬底基板02的显示区上，无机层001和有机层002都将衬底基板02的显示区覆盖。进一步地，请继续参考图2，衬底基板02上形成有柔性基底层03，OLED器件位于衬底基板02的显示区在柔性基底层03的对应区域上，无机层001和有机层002都将衬底基板02的显示区在柔性基底层的对应区域覆盖。其中，该柔性基底层03可以采用聚酰亚胺(英文：Polyimide；简称：PI)形成。
可选地，请参考图3，其示出了多个膜层为3个膜层时薄膜封装结构00的应用场景图，参见图3，衬底基板02上形成有柔性基底层03，该柔性基底层03上形成有待封装器件01，且该待封装器件01位于衬底基板02的显示区(图3中未示出)在柔性基底层03的对应区域上，待封装器件01外侧依次包覆有无机层001、辅助铺展层003、有机层002和无机层001，该无机层001、辅助铺展层003、有机层002和无机层001形成该薄膜封装结构00。
示例地，请参考图4，其示出了本发明实施例提供的一种衬底基板02的俯视图，参见图4，衬底基板02上包括：像素定义层(英文：PixelDefinitionLayer；简称：PDL)区021和显示区022，该PDL区021的面积大于该显示区022的面积，且显示区022位于PDL区021内。其中，该显示区022也即是有效显示区(英文：AtiveArea；简称：AA)。可选地，在本发明实施例中，当该衬底基板02应用于图2时，待封装器件01位于该衬底基板02的显示区022内，无机层001将该衬底基板02的PDL区021覆盖，有机层002将该衬底基板02的显示区022覆盖，由于显示区022位于PDL区021内，因此，无机层001也将该显示区022覆盖，本发明实施例对此不做限定。其中，当待封装器件01为OLED器件时，衬底基板02的显示区022内包括：有机发光二极管电致发光(英文：OrganicLight-EmittingDiodeElectroLuminescence；简称：OLEDEL)区，OLED器件位于该OLEDEL区内。
进一步地，请参考图5，其示出了本发明实施例提供的在衬底基板02上形成柔性基底层03后的俯视图，参见图5，柔性基底层03将衬底基板02覆盖，也即是，柔性基底层03将衬底基板上的PDL区021和显示区022都覆盖，因此，该图中未画出衬底基板，且PDL区021和显示区022都采用虚线表示。可选地，在本发明实施例中，当图5所示的形成有柔性基底层03的衬底基板应用于图2时，待封装器件01位于该衬底基板的显示区022在柔性基底层03的对应区域内，无机层001将衬底基板的PDL区021在柔性基底层03的对应区域覆盖，有机层002将该衬底基板的显示区022在柔性基底层03的对应区域覆盖，由于显示区022位于PDL区021内，因此，无机层001也将该显示区022在柔性基底层03的对应区域覆盖，本发明实施例对此不做限定。
综上所述，本发明实施例提供的薄膜封装结构，由于无机层与有机层之间形成有辅助铺展层，辅助铺展层的亲疏水性与有机层的亲疏水性相同，因此，形成无机层的IJPInk能够在无机层上有效展开，IJPInk在无机层上的铺展性较好，对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较好，解决了有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差的问题，达到了提高有机层对无机层上的裂纹和缺陷填充的效果。
本发明实施例提供的薄膜封装结构，由于有机层能够对无机层上的裂纹和缺陷进行有效填充，因此，该薄膜封装结构能够对空气中的水、氧气等成分进行有效隔离，采用该薄膜封装结构对显示器件进行封装可以延长显示器件的使用寿命。
本发明实施例提供的薄膜封装结构可以对OLED器件进行封装，OLED器件是一种主动发光器件，已经成为全彩及显示照明领域的研究热点，且OLED器件通常采用有机材料形成，有机材料的可挠曲性使得OLED器件能够柔性显示，因此，OLED器件在柔性显示领域的应用也越来越广泛。但是H2O(中文：水)、O2(中文：氧气)对OLED器件的寿命影响较大，因此，封装结构以及工艺的优劣直接影响着OLED器件的产业发展。现有技术中的薄膜封装结构是由交替叠加的无机层和有机层形成的，有机层采用IJPInk形成，无机层采用SiNx形成，IJPInk的极性与SiNx的极性不同，使得有机层的亲疏水性与无机层的亲疏水性不同，导致形成有机层的IJPInk在采用SiNx形成的无机层上的铺展性较差，IJPInk很难完全的填充到无机层的缝隙和缺陷中，造成薄膜封装结构的封装失效。而本发明实施例通过引入与有机层的亲疏水性相同的辅助铺展层，可以有效地改善无机层与有机层的接触界面的界面性质，使得该接触界面的界面性质由亲水性变成疏水性，从而使IJPInk在无机层表面具有很好的铺展性，IJPInk能够更好的填充无机层的裂纹和缺陷中，从而提高封装薄膜结构的隔离效果。
请参考图6，其示出了本发明实施例提供的一种薄膜封装结构的制造方法的方法流程图，本发明实施例以制造图3中所示的薄膜封装结构为例进行说明，图1和图2所示的薄膜封装结构的制造方法可以参考该图6所示的方法。参见图4，该方法包括：
步骤601、在形成有待封装器件的衬底基板上形成第一无机层。
其中，形成有待封装器件01的衬底基板02的结构示意图如图7所示，参见图7，衬底基板02上形成有柔性基底层03，形成有柔性基底层03的衬底基板02上形成有待封装器件01。其中，衬底基板02的俯视图可以如图4所示，形成柔性基底层03后衬底基板的俯视图可以如图5所示，本实施例在此不再赘述。待封装器件01位于衬底基板02的显示区在柔性基底层03的对应区域上。在本发明实施例中，柔性基底层03以及待封装器件01的形成过程可以参考现有技术，本发明实施例在此不再赘述。
请参考图8，其示出了图6所示实施例提供的一种在形成有待封装器件01的衬底基板02上形成第一无机层001后的结构示意图，参见图8，第一无机层001包覆在待封装器件01的外侧。请参考图9，其示出了图6所示实施例提供的一种在形成有待封装器件01的衬底基板02上形成第一无机层001后的俯视图，参见图9，第一无机层将衬底基板的PDL区021在柔性基底层03上的对应区域覆盖，由于柔性基底层03将衬底基板覆盖，且第一无机层将衬底基板的PDL区021在柔性基底层03上的对应区域覆盖，因此，在该图8中衬底基板的PDL区021、显示区022待封装器件01都采用虚线表示。
其中，可以采用TFECVD工艺在形成有待封装器件01的衬底基板02上沉积一层SiNx形成SiNx层，然后采用一次构图工艺对该SiNx层进行处理，使衬底基板02的PDL区在柔性基底层03对应区域的SiNx保留，其他区域的SiNx被去除，得到第一无机层001；或者，还可以采用TFECVD工艺直接在PDL区在柔性基底层03对应区域沉积SiNx得到第一无机层001，本发明实施例对此不作限定。
需要说明的是，在本发明实施例中，当待封装器件01为OLED器件时，可以采用蒸镀工艺形成OLED器件的阴极，在形成OLED器件的阴极后，可以对该OLED器件进行钝化(英文：passivation)处理，在钝化处理结束后方可形成第一无机层001，这样可以对OLED器件进行保护，本发明实施例在此不再赘述。
步骤602、在形成有第一无机层的衬底基板上形成辅助铺展层。
请参考图10，其示出了图6所示实施例提供的一种在形成有第一无机层001的衬底基板02上形成辅助铺展层003后的结构示意图，该辅助铺展层003可以位于衬底基板02的显示区在第一无机层001的对应区域上。
其中，该辅助铺展层003的亲疏水性与待形成且与该辅助铺展层003接触的有机层的亲疏水性相同。示例地，当待形成且与该辅助铺展层003接触的有机层的亲疏水性为疏水性时，该辅助铺展层003的亲疏水性为疏水性。可选地，在本发明实施例中，该辅助铺展层003可以为自组装非极性疏水单分子层，这样可以便于辅助铺展层003的成膜。其中，该辅助铺展层003的形成材料包括：丙基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、甲氧乙氧基硅烷中的至少一种。该辅助铺辰层003的形成工艺包括蒸镀和CVD中的任意一种，示例地，可以以丙基三氯硅烷为材料，采用蒸镀工艺在形成有第一无机层001的衬底基板01上形成该辅助铺展层003。
步骤603、在形成有辅助铺展层的衬底基板上形成有机层。
请参考图11，其示出了图6所示实施例提供的一种在形成有辅助铺展层003的衬底基板02上形成有机层002后的结构示意图，参见图11，有机层002位于辅助铺展层003的外侧，且有机层002还与第一无机层001接触。请参考图12，其示出了图6所示实施例提供的一种在形成有辅助铺展层003的衬底基板02上形成有机层002后的俯视图，参见图12，有机层将衬底基板的显示区022在柔性基底层03上的对应区域覆盖。
其中，可以以丙烯酸酯、环氧树脂等为材料，采用IJP工艺在形成有辅助铺辰层003的衬底基板02上形成有机层002，参见图11可知，有机层002的边缘与第一无机层001接触，由于形成有机层002的IJPInk的极性与SiNx的极性不同，因此，IJPInk的亲疏水性与SiNx的亲疏水性不同，使得IJPInk可以在第一无机层001上有效截止，避免IJPInk外溢现象(IJPInk溢出衬底基板的显示区在第一无机层001上的对应区域)的发生。
步骤604、在形成有有机层的衬底基板上形成第二无机层。
其中，在形成有有机层002的衬底基板02上形成第二无机层后的结构示意图可以参考图3，对应的俯视图与图9相同，且该第二无机层的形成过程可以参考步骤601中第一无机层的过程，本发明实施例在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的薄膜封装结构的制造方法，由于无机层与有机层之间形成有辅助铺展层，辅助铺展层的亲疏水性与有机层的亲疏水性相同，因此，形成无机层的IJPInk能够在无机层上有效展开，IJPInk在无机层上的铺展性较好，对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较好，解决了有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差的问题，达到了提高有机层对无机层上的裂纹和缺陷填充的效果。
本发明实施例提供的薄膜封装结构的制造方法，由于有机层能够对无机层上的裂纹和缺陷进行有效填充，因此，该薄膜封装结构能够对空气中的水、氧气等成分进行有效隔离，采用该薄膜封装结构对显示器件进行封装可以延长显示器件的使用寿命。
本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括：OLED器件和薄膜封装结构，该薄膜封装结构可以为图1至图3任一所示的薄膜封装结构00。
综上所述，本发明实施例提供的显示装置，由于薄膜封装结构的无机层与有机层之间形成有辅助铺展层，辅助铺展层的亲疏水性与有机层的亲疏水性相同，因此，形成无机层的IJPInk能够在无机层上有效展开，IJPInk在无机层上的铺展性较好，对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较好，解决了有机层对无机层上的裂纹和缺陷的填充效果较差的问题，达到了提高有机层对无机层上的裂纹和缺陷填充的效果。
本发明实施例提供的薄膜封装结构中，由于有机层能够对无机层上的裂纹和缺陷进行有效填充，因此，该薄膜封装结构能够对空气中的水、氧气等成分进行有效隔离，采用该薄膜封装结构对显示器件进行封装可以延长显示器件的使用寿命，进而提高显示装置的使用寿命。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构包括：
包覆在待封装器件外侧的多个膜层，所述多个膜层包括：交替叠加的无机层和有机层，且所述多个膜层中，位于所述多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层；
所述多个膜层中，第一无机层与第一有机层之间形成有辅助铺展层，所述辅助铺展层的亲疏水性与所述第一有机层的亲疏水性相同，所述第一无机层为所述多个膜层中与所述待封装器件接触的膜层，所述第一有机层为与所述第一无机层接触的有机层。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述多个膜层中，除位于所述多个膜层的外侧的无机层之外，每个与有机层接触的无机层远离所述待封装器件的面上形成有所述辅助铺展层，所述辅助铺展层的亲疏水性和与所述辅助铺展层接触的有机层的亲疏水性相同。
3.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述有机层的亲疏水性为疏水性，所述辅助铺展层的亲疏水性为疏水性。
4.根据权利要求3所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述辅助铺展层为自组装非极性疏水单分子层。
5.根据权利要求4所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述辅助铺展层的形成材料包括：丙基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、甲氧乙氧基硅烷中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述辅助铺展层的形成工艺包括蒸镀和化学气相沉积中的任意一种。
7.根据权利要求1至6任一所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述多个膜层为3个膜层。
8.根据权利要求1至6任一所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述无机层的形成材料包括氮化硅；
所述有机层的形成材料包括丙烯酸酯和环氧树脂中的至少一种。
9.根据权利要求1至6任一所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述待封装器件为OLED器件，
所述OLED器件位于衬底基板的显示区上，所述无机层和所述有机层都将所述显示区覆盖。
10.根据权利要求9所述的薄膜封装结构，其特征在于，
所述衬底基板上形成有柔性基底层，所述OLED器件位于所述显示区在所述柔性基底层的对应区域上，所述无机层和所述有机层都将所述显示区在所述柔性基底层的对应区域覆盖。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：OLED器件和权利要求1至10任一所述的薄膜封装结构。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160720 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |