KR20210116815A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210116815A
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light emitting
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김웅식
변진수
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 제2 전극 상에 배치되고 발광층과 중첩하며 제1 굴절률을 갖는 고굴절률 부재, 고굴절률 부재와 발광층 사이에 배치되고 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 저굴절률 부재, 저굴절률 부재와 발광층 사이에 배치되는 캡핑 부재 및 제1 기판과 대향하고 고굴절률 부재 상에 배치되는 제2 기판을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 출광 효율이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 장치는 광을 방출하는 발광 소자 및 상기 발광 소자 상에 배치되는 상부 구조물을 포함한다. 예를 들어, 상기 상부 구조물은 봉지 기판, 편광판, 윈도우 등일 수 있다. 상기 발광 소자는 다양한 경로로 광을 방출하며, 사용자는 상기 상부 구조물을 상기 상부 구조물의 수직 방향으로 투과하는 상기 광을 시인할 수 있다. 따라서, 상기 상부 구조물을 상기 수직 방향으로 투과하는 상기 광의 비율이 증가할수록, 상기 표시 장치의 출광 효율이 향상될 수 있다.
본 발명의 목적은 출광 효율이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하며, 제1 굴절률을 갖는 고굴절률 부재, 상기 고굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 저굴절률 부재, 상기 저굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되는 캡핑 부재 및 상기 제1 기판과 대향하고, 상기 고굴절률 부재 상에 배치되는 제2 기판을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 고굴절률 부재는 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖고, 상기 제2 기판은 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 고굴절률 부재는 상기 제2 기판과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면과 반대되며 상기 제1 면의 단면의 길이보다 짧은 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측면을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 저굴절률 부재는 상기 고굴절률 부재의 상기 제2 면 및 상기 측면과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 저굴절률 부재는 상기 발광층과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 발광층은 상기 고굴절률 부재의 상기 제2 면 및 상기 측면과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 발광층의 단면의 길이는 상기 제1 면의 상기 단면의 길이보다 짧고, 상기 제2 면의 상기 단면의 길이보다 길 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하지 않는 복수의 보조 부재들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 보조 부재들 각각의 형상은 상기 고굴절률 부재와 동일한 형상일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 보조 부재들은 상기 고굴절률 부재와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 복수의 보조 부재들 각각의 크기는 상기 고굴절률 부재의 크기보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 고굴절률 부재는 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 고굴절률 부재는 실록산계 수지를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 캡핑 부재는 무기 물질을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하며, 제1 굴절률을 갖는 저굴절률 부재, 상기 저굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는 고굴절률 부재 및 상기 제1 기판과 대향하고, 상기 저굴절률 부재 상에 배치되는 제2 기판을 포함하고, 상기 저굴절률 부재는 상기 제2 기판과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면과 반대되며 상기 제1 면의 단면의 길이보다 긴 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측면을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 고굴절률 부재는 상기 저굴절률 부재의 상기 제2 면 및 상기 측면과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 저굴절률 부재는 상기 발광층과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 고굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되는 캡핑 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 저굴절률 부재는 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖고, 상기 제2 기판은 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 가질 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하며, 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖는 고굴절률 부재, 상기 고굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되고, 1 내지 1.4 사이의 굴절률을 갖는 저굴절률 부재 및 상기 제1 기판과 대향하고, 상기 고굴절률 부재 상에 배치되며, 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖는 제2 기판을 포함하고, 상기 고굴절률 부재는 상기 제2 기판과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면과 반대되며 상기 제1 면의 단면의 길이보다 짧은 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측면을 포함하며, 상기 측면은 상기 제1 면에 대하여 60도 내지 75도 사이의 각도를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 발광층 상에 배치되는 굴절층을 포함함으로써, 상기 발광층에서 방출되는 광이 제2 기판을 상기 제2 기판의 수직 방향으로 통과할 수 있도록 상기 광을 굴절시킬 수 있다. 그에 따라, 상기 표시 장치의 출광 효율이 향상될 수 있다. 또한, 상기 굴절층은 고굴절률 부재, 상기 고굴절률 부재를 둘러싸는 저굴절률 부재 및 캡핑 부재를 포함함으로써, 상기 고굴절률 부재의 아웃개싱이 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다. 그에 따라, 상기 발광층이 손상되지 않을 수 있어, 상기 표시 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 장치에 포함된 굴절층의 일 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 3의 표시 장치에 포함된 굴절층의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 3의 표시 장치에 포함된 굴절층의 또 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7 내지 도 11은 도 4의 굴절층을 포함하는 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12 내지 도 15는 도 6의 굴절층을 포함하는 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(10)는 제1 기판(100), 제2 기판(700), 인쇄 회로 기판(120), 연성 필름(130) 및 데이터 구동부(140)를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 상기 표시 영역(DA)에서는 영상이 표시될 수 있으며, 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)을 평면 상에서 둘러쌀 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 복수의 발광 소자들(300a, 300b, 300c)이 배치될 수 있다. 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)은 소정 거리 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)은 제1 발광소자(300a), 제2 발광소자(300b) 및 제3 발광소자(300c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광 소자들(300a, 300b, 300c)은 제1 방향(D1)을 따라 배치될 수 있다. 상기 제1 발광소자(300a)는 적색 광을 방출할 수 있고, 상기 제2 발광소자(300b)는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 상기 제3 발광소자(300c)는 청색 광을 방출할 수 있다.
또한, 상기 표시 영역(DA)에는 상기 발광소자들(300a, 300b, 300c)을 구동하기 위한 게이트 배선들 및 데이터 배선들이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 배선들은 상기 제1 방향(D1)을 따라 연장할 수 있으며, 상기 데이터 배선들은 상기 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)을 따라 연장할 수 있다. 상기 발광소자들(300a, 300b, 300c)은 상기 게이트 배선들과 상기 데이터 배선들이 교차하는 영역들에 형성될 수 있다.
상기 비표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부 및 패드가 배치될 수 있다.
상기 게이트 구동부는 상기 게이트 배선들을 통해 게이트 신호를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 구동부는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있고, 상기 비표시 영역(NDA)의 일측 또는 양측에 실장될 수 있다.
상기 데이터 구동부(140)는 상기 데이터 배선들을 통해 데이터 전압을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 구동부(140)는 구동 칩(driver chip)으로 형성될 수 있고, COF(chip on film) 방식으로 상기 연성 필름(130)에 실장될 수 있다.
상기 인쇄 회로 기판(120)에는 구동 칩들로 형성된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 상기 인쇄 회로 기판(120)에는 타이밍 제어부가 실장될 수 있다. 상기 타이밍 제어부는 상기 게이트 구동부 및 상기 데이터 구동부(140)를 제어할 수 있다.
상기 인쇄 회로 기판(120)은 상기 연성 필름(130)에 부착될 수 있고, 상기 연성 필름(130)을 통해 상기 제1 기판(100)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 인쇄 회로 기판(120)은 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB) 또는 연성 인쇄 회로 기판(flexible printed circuit board; FPCB)일 수 있다.
상기 연성 필름(130)은 상기 패드와 상기 인쇄 회로 기판(120)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 연성 필름(130)은 이방성 도전 필름(anisotropic conducting film)을 이용하여 상기 패드 및 상기 인쇄 회로 기판에 부착될 수 있다. 상기 연성 필름(130)에는 복수의 배선들이 배치될 수 있고, 상기 배선들을 통해 상기 인쇄 회로 기판(120)은 상기 패드와 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 비표시 영역(NDA)에는 실링 부재(SL)가 배치될 수 있다. 상기 실링 부재(SL)는 상기 표시 영역(DA)을 평면 상에서 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 상기 실링 부재(SL)를 통해 상기 제1 기판(100)은 상기 제2 기판(700)과 합착될 수 있다. 또한, 상기 실링 부재(SL)는 외부로부터 상기 표시 장치(10)의 내부로 이물 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 기판(700)은 상기 제1 기판(100)과 대향할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 기판(700)은 봉지 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 등일 수 있고, 상기 제2 기판(700)은 유리 기판, 플라스틱 기판, 봉지 필름 등일 수 있다.
상기 제2 기판(700)은 상기 제1 기판(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 기판들(100, 700)은 유리 기판들일 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(700)은 상기 제1 기판(100)의 형상과 실질적으로 동일한 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(700)은 상기 제1 기판(100)의 면적보다 작은 면적을 가질 수 있으며, 그에 따라 상기 제1 기판(100)의 일부가 상기 제2 기판(700)에 의해 커버되지 않을 수 있다. 그러나, 상기 제1 기판(100) 및 제2 기판(700)의 물질들, 형상들 및 면적들은 이에 한정되지 않는다.
도 3은 도 1의 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3의 표시 장치에 포함된 굴절층의 일 예를 설명하기 위한 단면도이다. 예를 들어, 도 4는 도 3의 A 영역을 확대한 확대도일 수 있다.
도 3 및 4를 참조하면, 상기 표시 장치(10)는 상기 제1 기판(100), 구동 소자층(200), 발광 소자층, 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 캡핑 부재(500), 굴절층(600), 상기 제2 기판(700), 기능층(800) 및 윈도우(900)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자층은 발광 소자들(300a, 300b, 300c) 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다. 상기 굴절층(600)은 저굴절률 부재(610), 고굴절률 부재(620), 제1 보조 부재(630a) 및 제2 보조 부재(630b)를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(100) 상에는 버퍼층(110)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 상기 제1 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 구동 소자층(200)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 구동 소자층(200)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 상기 구동 소자층(200)을 균일하게 형성할 수 있다.
상기 구동 소자층(200)은 상기 게이트 신호 및 상기 데이터 전압을 제공받아 상기 발광 소자층을 구동시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 소자층(200)은 박막 트랜지스터(TFT) 및 복수의 절연층들을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브 패턴(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 절연층들은 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD) 및 비아 절연층(VIA)을 포함할 수 있다.
상기 액티브 패턴(ACT)은 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(ACT)은 실리콘 반도체 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 및 드레인 영역들에는 이온이 주입될 수 있다.
상기 게이트 절연층(GI)은 상기 액티브 패턴(ACT)을 덮으며, 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(GI)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 게이트 절연층(GI)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 게이트 절연층(GI)은 동일한 두께를 가지고 상기 액티브 패턴(ACT)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(GI)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)에 상기 게이트 신호가 제공될 수 있고, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다.
상기 층간 절연층(ILD)은 상기 게이트 전극(GE)을 덮으며, 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연층(ILD)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 층간 절연층(ILD)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 층간 절연층(ILD)은 동일한 두께를 가지고 상기 게이트 전극(GE)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 소스 영역과 접촉할 수 있고, 상기 드레인 전극(DE)은 상기 액티브 패턴(ACT)의 상기 드레인 영역과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 발광 부재를 구동시키기 위한 전압은 상기 소스 전극(SE)으로 제공된 후, 상기 액티브 패턴(ACT)을 통해 상기 드레인 전극(SE)으로 전달될 수 있다.
상기 비아 절연층(VIA)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 덮으며, 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 비아 절연층(VIA)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 비아 절연층(VIA)은 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴(polyacryl)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 비아 절연층(VIA)은 동일한 두께를 가지고 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다.
상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c) 각각은 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광 소자(300a)는 제1 전극(310a), 제1 발광층(320a) 및 제2 전극(330)을 포함할 수 있다. 상기 제2 발광 소자(300b)는 제1 전극, 제2 발광층 및 상기 제2 전극(330)을 포함할 수 있다. 상기 제3 발광 소자(300c)는 제1 전극, 제3 발광층 및 상기 제2 전극(330)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광 소자들(300a, 300b, 300c)의 제1 전극들은 서로 이격될 수 있다.
상기 제1 전극(310a)은 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(310a)은 상기 비아 절연층(VIA)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 접촉할 수 있다. 상기 제1 전극(310a)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(310a)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 및 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 전극(310a)은 반사 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(310a)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt) 등을 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(310a)의 상면의 일부를 노출시키는 개구를 포함할 수 있다. 상기 개구에는 발광층들 중 어느 하나가 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 발광층들(320a, 320b, 320c)이 배치되는 구역을 정의할 수 있다. 또한, 상기 화소 정의막(PDL)은 차광 부재로 기능할 수도 있다. 이를 위해, 상기 화소 정의막(PDL)은 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 발광층들 중 어느 하나는 상기 개구 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광층(320a)은 제1 개구 내에 배치될 수 있고, 상기 제2 발광층은 상기 제1 개구와 이격하는 제2 개구 내에 배치될 수 있으며, 상기 제3 발광층은 제1 및 제2 개구들과 이격하는 제3 개구 내에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 영역(DA)은 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 상기 발광 영역(EA)은 상기 발광층들이 배치되는 영역들일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 영역(EA)은 상기 제1 발광층(320a)이 배치되는 영역일 수 있다. 또는, 상기 발광 영역(EA)은 상기 개구에 의해 상기 제1 전극(310a)의 상면이 노출되는 영역일 수 있다. 상기 비발광 영역(NEA)은 상기 발광층들이 배치되지 않는 영역일 수 있다. 또는, 상기 비발광 영역(NEA)은 상기 화소 정의막(PDL)이 잔존하는 영역일 수 있다.
상기 제2 전극(330)은 상기 발광층들 및 상기 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(330)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(330)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 및 이들의 합금 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 전극(330)은 투명 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(330)은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
상기 충진층(400)은 상기 제2 전극(330) 상에 배치될 수 있다. 상기 충진층(400)의 내부에는 충진재가 충진될 수 있다. 예를 들어, 상기 충진재는 공기, 유기 고분자, 수지(resin) 등일 수 있다. 상기 충진층(400)은 상기 표시 장치(10)의 고온 안정성 및 충격 흡수성을 향상시킬 수 있다.
상기 실링 부재(SL)는 상기 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 실링 부재(SL)의 일면은 상기 제1 기판(100)에 부착되고, 상기 실링 부재(SL)의 타면은 상기 제2 기판(700)에 부착될 수 있다. 상기 실링 부재(SL)는 상기 충진충(400) 내부에 충진된 상기 충진재가 누설되지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 실링 부재(SL)는 외부로부터 상기 표시 장치(10)의 내부로 이물 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
상기 캡핑 부재(500)는 상기 굴절층(600)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 일 실시에에서, 상기 제2 기판(700)의 하부에 상기 굴절층(600)이 형성된 후, 상기 굴절층(600)의 측면 및 하면에 상기 캡핑 부재(500)가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 캡핑 부재(500)는 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기 물질을 포함할 수 있다. 또는, 상기 캡핑 부재(500)는 Alq3 등의 유기 금속 착제를 포함할 수 있다.
상기 캡핑 부재(500)는 상기 굴절층(600)의 상기 저굴절률 부재(610)가 누설되지 않도록 할 수 있다. 또한, 상기 캡핑 부재(500)는 광의 보강 간섭을 유도하여, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 캡핑 부재(500)는 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 제2 보조 부재(630b)의 아웃개싱(outgasing)이 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 대하여는, 이후에 자세히 설명하기로 한다.
상기 저굴절률 부재(610)는 상기 캡핑 부재(500) 상에 배치되며, 상기 캡핑 부재(500)에 의해 지지될 수 있다. 또한, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b)를 둘러싸며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 캡핑 부재(500)에 의해 정의되는 공간의 내부에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 제1 발광층(320a)과 중첩할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 캡핑 부재(500)에 의해 정의되는 공간의 내부에 선택적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 화소 정의막(PDL)과 중첩하고, 상기 제1 발광층(320a)과 중첩하지 않을 수 있다.
상기 저굴절률 부재(610)는 저굴절률 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(610)는 공기를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(610)는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 제2 보조 부재(630b)의 아웃개싱이 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 고굴절률 부재(620)는 상기 저굴절률 부재(610) 상에 배치되며, 상기 저굴절률 부재(610)에 의해 커버될 수 있다. 또한, 상기 고굴절률 부재(620)는 상기 제2 기판(700)의 하면과 접촉할 수 있다. 상기 고굴절률 부재(620)는 각각의 상기 발광 부재들(620a, 620b, 620c)과 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(620)는 상기 제2 기판(700)과 접촉하는 제1 면(621), 상기 제1 면(621)과 반대되며 상기 제1 면(621)의 단면의 길이보다 짧은 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면(622) 및 상기 제1 면(621)과 상기 제2 면(622)을 연결하는 측면(623)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 고굴절률 부재(620)는 단면 상 역사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 고굴절률 부재(620)를 둘러싸기 위해, 상기 제2 면(622) 및 상기 측면(623)과 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 발광층(320a)은 상기 고굴절률 부재(620)의 상기 제2 면(622) 및 상기 측면(623)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 발광층(320a)의 단면의 길이는 상기 제1 면(621)의 단면의 길이(621l)보다 짧고, 상기 제2 면(622)의 단면의 길이(622l)보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 고굴절률 부재(620)는 상기 제1 발광층(320a)의 가장자리에서 방출되는 광을 굴절시킬 수 있으므로, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율이 더욱 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(620)는 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 고굴절률 부재(620)는 경화성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(620)는 실록산(siloxane)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acryl)계 수지, 메타크릴(methacryl)계 수지, 아크릴레이트(acrylate)계 수지, 메타크릴레이트(methacrylate)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 보조 부재들(630a, 630b)은 상기 고굴절률 부재(620)를 평면 상에서 둘러싸며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 보조 부재들(630a, 630b)의 형상들 각각은 상기 고굴절률 부재(620)의 형상과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 보조 부재(630a)는 역사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 상기 고굴절률 부재(620)와 소정 거리 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제2 보조 부재(630b)는 역사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 상기 고굴절률 부재(620) 및 상기 제1 보조 부재(630a)와 소정 거리 이격하여 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 보조 부재들(630a, 630b)은 상기 고굴절률 부재(620)와 함께 형성될 수 있다. 그에 따라 상기 제1 및 제2 보조 부재들(630a, 630b)은 상기 고굴절률 부재(620)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 표시 장치(10)는 상기 제1 발광 부재(320a)에서 방출되는 광이 굴절될 수 있는 상기 제1 및 제2 보조 부재들(630a, 630b)을 더 포함함으로써, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율이 더욱 향상될 수 있다.
상기 고굴절률 부재(620) 및 상기 제1 및 제2 보조 부재들(630a, 630b)이 유기 물질을 포함하는 경우, 아웃개싱이 발생될 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(620)의 내부에 포함된 탄소가 상기 고굴절률 부재(620)의 외부에 존재하는 산소 등에 노출될 경우, 상기 탄소는 상기 산소와 결합하여 기체(예를 들어, CO2)형태로 상기 고굴절률 부재(620)를 이탈할 수 있다. 상기 아웃개싱에 의해 형성된 상기 기체가 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)에 도달하여 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)을 손상시킬 수 있다. 그러나, 상기 저굴절률 부재(610) 및 상기 캡핑 부재(500)가 상기 고굴절률 부재(620)를 둘러싸도록 배치함으로써, 상기 아웃개싱에 의해 형성된 상기 기체가 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)에 도달하지 않을 수 있다. 그에 따라, 상기 표시 장치(10)는 상기 아웃개싱에 의한 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)의 손상을 방지할 수 있다.
상기 제2 기판(700)은 상기 굴절층(600) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 기판(700)의 하면에 상기 굴절층(600)이 형성된 후, 상기 제2 기판(700)은 상기 제1 기판(100)과 합착될 수 있다.
상기 기능층(800)은 상기 제2 기판(700) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 기능층(800)은 편광층, 감지 패널, 평탄화층 등을 포함할 수 있다. 상기 편광층은 광을 편광시킬 수 있으며, 외광을 차단하여 상기 표시 장치(10)의 시인성을 향상시킬 수 있다. 상기 감지 패널은 사용자의 터치 및/또는 접근을 감지할 수 있으며, 상기 표시 장치(10)가 상기 사용자의 조작에 따른 영상을 표시하도록 할 수 있다. 상기 평탄화층은 실질적으로 평평한 상면을 가질 수 있으며, 상기 표시 장치(10)의 전체적인 높이를 보상할 수 있다.
상기 윈도우(900)는 상기 기능층(800) 상에 배치될 수 있다. 상기 윈도우(900)는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있으며, 외부의 충격으로부터 상기 표시 장치(10)를 보호할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(620)는 제1 굴절률을 가질 수 있고, 상기 저굴절률 부재(610)는 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(620)는 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 가질 수 있고, 상기 저굴절률 부재(610)는 1 내지 1.4 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 상기 제2 기판(700)은 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 기판(700)의 굴절률은 상기 고굴절률 부재(620)의 굴절률과 동일할 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 발광 부재(320a)에서 방출되는 광(L)은 상기 캡핑 부재(500), 상기 저굴절률 부재(610) 및 상기 고굴절률 부재(620)를 따라 외부로 방출될 수 있다. 이 경우, 상기 광(L)은 상기 캡핑 부재(500), 상기 저굴절률 부재(610) 및 상기 고굴절률 부재(620)에 의해 굴절될 수 있으며, 상기 제2 기판(700)을 상기 제2 기판(700)의 수직 방향(예를 들어, 제3 방향(D3))으로 통과할 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 면(621)은 7um 내지 11um 사이의 단면 길이(621l)를 갖고, 상기 제2 면(622)는 6um 내지 8um 사이의 단면 길이(622l)를 가질 수 있다. 또한, 상기 측면(623)은 2um 내지 3um 사이의 단면 길이(623l)를 가질 수 있고, 상기 측면(623)은 상기 제1 면(621)에 대하여 60도 내지 75도 사이의 각도(θ)를 가질 수 있다.
도 5는 도 3의 표시 장치에 포함된 굴절층의 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다. 예를 들어, 도 5는 도 3의 A 영역을 확대한 확대도일 수 있다.
도 3 및 5를 참조하면, 상기 표시 장치(10)는 상기 제1 기판(100), 상기 구동 소자층(200), 상기 발광 소자층, 상기 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 상기 캡핑 부재(500), 굴절층(600-1), 상기 제2 기판(700), 상기 기능층(800) 및 상기 윈도우(900)를 포함할 수 있다. 다만, 상기 제1 기판(100), 상기 구동 소자층(200), 상기 발광 소자층, 상기 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 상기 캡핑 부재(500), 상기 제2 기판(700), 상기 기능층(800) 및 상기 윈도우(900)는 도 3 및 4를 참조하여 설명한 상기 제1 기판(100), 상기 구동 소자층(200), 상기 발광 소자층, 상기 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 상기 캡핑 부재(500), 상기 제2 기판(700), 상기 기능층(800) 및 상기 윈도우(900)와 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 상기 굴절층(600-1)에 대하여 설명하기로 한다.
상기 굴절층(600-1)은 상기 저굴절률 부재(610), 상기 고굴절률 부재(620), 제1 보조 부재(640a), 제2 보조 부재(640b), 제3 보조 부재(640c) 및 제4 보조 부재(640d)를 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제4 보조 부재들(640a, 640b, 640c, 640d)은 상기 고굴절률 부재(620)를 평면 상에서 둘러싸며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 보조 부재들(640a, 640b, 640c, 640d)의 형상들 각각은 상기 고굴절률 부재(620)의 형상과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 보조 부재(640a)는 역사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 상기 고굴절률 부재(620)와 소정 거리 이격하여 배치될 수 있다. 상기 제2 보조 부재(640b)는 역사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 상기 고굴절률 부재(620) 및 상기 제1 보조 부재(640a) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3 보조 부재(640c)는 역사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 상기 고굴절률 부재(620) 및 상기 제4 보조 부재(640d) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제4 보조 부재(640d)는 역사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 상기 고굴절률 부재(620)와 소정 거리 이격하여 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 보조 부재들(640a, 640b, 640c, 640d)은 상기 고굴절률 부재(620)와 함께 형성될 수 있다. 그에 따라 상기 제1 내지 제4 보조 부재들(640a, 640b, 640c, 640d)은 상기 고굴절률 부재(620)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 보조 부재들(640a, 640b, 640c, 640d) 각각의 크기는 상기 고굴절률 부재(620)의 크기보다 작을 수 있다. 상기 표시 장치(10)는 상기 제1 발광층(320a)에서 방출되는 광이 굴절될 수 있는 상기 제1 내지 제4 보조 부재들(640a, 640b, 640c, 640d)을 더 포함함으로써, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율이 더욱 향상될 수 있다.
도 6은 도 3의 표시 장치에 포함된 굴절층의 또 다른 예를 설명하기 위한 단면도이다. 예를 들어, 도 6은 도 3의 A 영역을 확대한 확대도일 수 있다.
도 3 및 6을 참조하면, 상기 표시 장치(10)는 상기 제1 기판(100), 상기 구동 소자층(200), 상기 발광 소자층, 상기 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 상기 캡핑 부재(500), 굴절층(600-2), 상기 제2 기판(700), 상기 기능층(800) 및 상기 윈도우(900)를 포함할 수 있다. 다만, 상기 제1 기판(100), 상기 구동 소자층(200), 상기 발광 소자층(300), 상기 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 상기 캡핑 부재(500), 상기 제2 기판(700), 상기 기능층(800) 및 상기 윈도우(900)는 도 3 및 4를 참조하여 설명한 상기 제1 기판(100), 상기 구동 소자층(200), 상기 발광 소자층(300), 상기 충진층(400), 상기 실링 부재(SL), 상기 캡핑 부재(500), 상기 제2 기판(700), 상기 기능층(800) 및 상기 윈도우(900)와 실질적으로 동일하므로, 이하에서는 상기 굴절층(600-2)에 대하여 설명하기로 한다.
상기 굴절층(600-2)은 고굴절률 부재(650) 및 저굴절률 부재(660)를 포함할 수 있다.
상기 고굴절률 부재(650)는 상기 캡핑 부재(500) 상에 배치되며, 상기 캡핑 부재(500)에 의해 지지될 수 있다. 또한, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 저굴절률 부재(660)를 둘러싸며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 캡핑 부재(500)에 의해 정의되는 공간의 내부에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c) 및 상기 화소 정의막(PDL)과 중첩할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 캡핑 부재(500)에 의해 정의되는 공간의 내부에 선택적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 화소 정의막(PDL)과 중첩하고, 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)과 중첩하지 않을 수 있다.
상기 저굴절률 부재(660)는 상기 고굴절률 부재(650) 상에 배치되며, 상기 고굴절률 부재(650)에 의해 커버될 수 있다. 또한, 상기 저굴절률 부재(660)는 상기 제2 기판(700)의 하면과 접촉할 수 있다. 상기 저굴절률 부재(660)는 각각의 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)과 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(660)는 상기 제2 기판(700)과 접촉하는 제1 면(661), 상기 제1 면(661)과 반대되며 상기 제1 면(621)의 단면의 길이보다 긴 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면(662) 및 상기 제1 면(661)과 상기 제2 면(662)을 연결하는 측면(663)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 저굴절률 부재(660)는 단면 상 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 저굴절률 부재(660)를 둘러싸기 위해, 상기 제2 면(662) 및 상기 측면(663)과 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(650)는 고굴절률 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(650)는 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride), 폴리클로로스티렌(polychloro styrene), 폴리디클로로스티렌(polydichloro styrene), 폴리페닐메틸실레인(polyphenylmethyl silane), 폴리술폰 수지(polysulfone resin), 폴리스티렌설파이드(polystyrene sulfide), 페놀포말데하이드 수지(phenol formaldehyde resin) 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(660)는 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 저굴절률 부재(660)는 경화성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(620)는 실록산(siloxane)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acryl)계 수지, 메타크릴(methacryl)계 수지, 아크릴레이트(acrylate)계 수지, 메타크릴레이트(methacrylate)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(660)는 상기 도 4를 참조하여 설명한 상기 고굴절률 부재(620)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 저굴절률 부재(660)는 제1 굴절률을 가질 수 있고, 상기 고굴절률 부재(650)는 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절률 부재(660)는 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 가질 수 있고, 상기 고굴절률 부재(650)는 1.6 내지 1.7 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 상기 제2 기판(700)은 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 기판(700)의 굴절률은 상기 저굴절률 부재(660)의 굴절률과 동일할 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 발광 부재(320a)에서 방출되는 광(L)은 상기 캡핑 부재(500), 상기 고굴절률 부재(650) 및 상기 저굴절률 부재(660)를 따라 외부로 방출될 수 있다. 이 경우, 상기 광(L)은 상기 캡핑 부재(500), 상기 고굴절률 부재(650) 및 상기 저굴절률 부재(660)에 의해 굴절될 수 있으며, 상기 제2 기판(700)을 상기 제2 기판(700)의 수직 방향(예를 들어, 상기 제3 방향(D3))으로 통과할 수 있다. 따라서, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율이 향상될 수 있다.
도 7 내지 도 11은 도 4의 굴절층을 포함하는 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3, 4 및 7을 참조하면, 제2 기판(700) 상에 고굴절층(620')이 형성될 수 있다. 상기 고굴절층(620')은 유기 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 고굴절층(620')은 경화성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절층(620')은 실록산(siloxane)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acryl)계 수지, 메타크릴(methacryl)계 수지, 아크릴레이트(acrylate)계 수지, 메타크릴레이트(methacrylate)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 등을 포함할 수 있다.
도 3, 4 및 8을 참조하면, 상기 고굴절층(620')을 패터닝하여 고굴절률 부재(620), 제1 보조 부재(630a) 및 제2 보조 부재(630b)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절층(620')의 상부에 마스크(M)가 배치될 수 있고, 상기 마스크(M)는 투과 영역(Ma) 및 비투과 영역(Mb)을 포함할 수 있다. 상기 투과 영역(Ma)은 자외선을 투과시킬 수 있으며, 상기 비투과 영역(Mb)은 상기 자외선을 투과시키지 않을 수 있다. 상기 고굴절층(620')이 포지티브형 포토레지스트(positive photoresist) 물질을 포함하는 경우, 상기 투과 영역(Ma)이 상기 고굴절층(620')의 제거 영역과 중첩하도록 상기 마스크(M)를 배치할 수 있다. 그에 따라, 상기 자외선에 노출된 상기 고굴절층(620')은 제거될 수 있다. 반면, 상기 자외선에 노출되지 않은 상기 고굴절층(620')은 잔존하여 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b)를 형성할 수 있다.
또한, 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b)를 고온에 노출시킬 수 있다. 그에 따라, 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b)는 경화될 수 있다. 또한, 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b)에 대해 플라즈마 처리(plasma treatment) 공정을 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리 공정은 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2),산소(O2),사플루오르화탄소(CF4)등의 비활성 기체를 이용하여 수행할 수 있으며, 상기 플라즈마 처리 공정에 의해 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b)의 아웃개싱을 방지할 수 있다.
도 3, 4 및 9를 참조하면, 상기 고굴절률 부재(620), 상기 제1 보조 부재(630a) 및 상기 제2 보조 부재(630b) 상에 저굴절률 부재(610)가 형성될 수 있다. 이후, 상기 저굴절률 부재(610) 상에 캡핑 부재(500)가 형성될 수 있다. 상기 캡핑 부재(500)는 상기 저굴절률 부재(610)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
도 3, 4 및 10을 참조하면, 상기 굴절층(600) 및 상기 캡핑 부재(500)가 형성된 상기 제2 기판(700)을 제1 기판(100)과 합착시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 기판(100) 상에는 상술한 박막 트랜지스터(TFT), 절연층들 및 발광 소자층이 형성될 수 있다. 상기 제2 기판(700)과 상기 제1 기판(100)이 서로 합착됨에 따라, 상기 충진층(400)이 정의될 수 있다.
도 3, 4 및 11을 참조하면, 상기 제2 기판(700)의 상부에 상술한 기능층(800) 및 윈도우(900)가 형성될 수 있다. 상기 기능층(800)은 편광층, 감지 패널, 평탄화층 등을 포함할 수 있으며, 상기 윈도우(900)는 유리로 형성되어 외부의 충격으로부터 상기 표시 장치(10)를 보호할 수 있다.
도 12 내지 도 15는 도 6의 굴절층을 포함하는 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3, 6 및 12를 참조하면, 제2 기판(700) 상에 저굴절층(660')이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 저굴절층(660')은 상기 도 4를 참조하여 설명한 상기 고굴절률 부재(620)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절층(660')은 실록산(siloxane)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 포토레지스트(photoresist), 아크릴(acryl)계 수지, 메타크릴(methacryl)계 수지, 아크릴레이트(acrylate)계 수지, 메타크릴레이트(methacrylate)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 등을 포함할 수 있다.
도 3, 6 및 13을 참조하면, 상기 고굴절층(660')을 패터닝하여 저굴절률 부재(660)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 저굴절층(660')의 상부에 마스크(M)가 배치될 수 있고, 상기 마스크(M)는 투과 영역(Ma) 및 비투과 영역(Mb)을 포함할 수 있다. 상기 투과 영역(Ma)은 자외선을 투과시킬 수 있으며, 상기 비투과 영역(Mb)은 상기 자외선을 투과시키지 않을 수 있다. 상기 저굴절층(660')이 네거티브형 포토레지스트(negative photoresist) 물질을 포함하는 경우, 상기 비투과 영역(Ma)이 상기 저굴절층(660')의 제거 영역과 중첩하도록 상기 마스크(M)를 배치할 수 있다. 그에 따라, 상기 자외선에 노출되지 않은 상기 저굴절층(660')은 제거될 수 있다. 반면, 상기 자외선에 노출된 상기 저굴절층(660')은 잔존하여 상기 저굴절률 부재(660)를 형성할 수 있다.
도 3, 6 및 14를 참조하면, 상기 저굴절률 부재(660) 상에 고굴절률 부재(650)가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 고굴절률 부재(650)는 굴절률이 높은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 고굴절률 부재(650)는 폴리비닐클로라이드(poly vinyl chloride), 폴리클로로스티렌(poly chloro styrene), 폴리디클로로스티렌(poly dichloro styrene), 폴리페닐메틸실레인(poly phenyl methyl silane), 폴리술폰 수지(poly sulfone resin), 폴리스티렌설파이드(poly styrene sulfide), 페놀포말데하이드 수지(phenol formaldehyde resin) 등을 포함할 수 있다. 이후, 상기 고굴절률 부재(650) 상에 캡핑 부재(500)가 형성될 수 있다. 상기 캡핑 부재(500)는 상기 고굴절률 부재(650)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
도 3, 6 및 15를 참조하면, 상기 굴절층(600) 및 상기 캡핑 부재(500)가 형성된 상기 제2 기판(700)을 제1 기판(100)과 합착시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 기판(100) 상에는 상술한 박막 트랜지스터(TFT), 절연층들 및 발광층(300)이 형성될 수 있다. 상기 제2 기판(700)과 상기 제1 기판(100)이 서로 합착됨에 따라, 상기 충진층(400)이 정의될 수 있다.
이후, 상기 제2 기판(700)의 상부에 상술한 기능층(800) 및 윈도우(900)가 형성될 수 있다. 상기 기능층(800)은 편광층, 감지 패널, 평탄화층 등을 포함할 수 있으며, 상기 윈도우(900)는 유리로 형성되어 외부의 충격으로부터 상기 표시 장치(10)를 보호할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(10)는 상기 발광층(300) 상에 배치되는 상기 굴절층(600, 600-1 또는 600-2)을 포함함으로써, 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)에서 방출되는 상기 광(L)이 상기 제2 기판(700)을 상기 제2 기판(700)의 수직 방향(예를 들어, 상기 제3 방향(D3))으로 통과할 수 있도록 상기 광(L)을 굴절시킬 수 있다. 그에 따라, 상기 표시 장치(10)의 출광 효율이 향상될 수 있다. 또한, 상기 표시 장치(10)는 상기 고굴절률 부재(620)를 둘러싸는 저굴절률 부재(610) 및 캡핑 부재(500)를 포함함으로써, 상기 고굴절률 부재(620)의 아웃개싱이 외부로 배출되는 것을 방지할 수 있다. 그에 따라, 상기 발광 소자들(300a, 300b, 300c)이 손상되지 않을 수 있어, 상기 표시 장치(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 표시 장치 100 : 제1 기판
DA : 표시 영역 NDA : 비표시 영역
EA : 발광 영역 NEA : 비발광 영역
200 : 구동 소자층 PDL : 화소 정의막
300a, 300b, 300c : 제1 내지 제3 발광 소자
500 : 캡핑 부재 600, 600-1, 600-2 : 굴절층
610 : 저굴절률 부재 620 : 고굴절률 부재
630a, 630b : 제1 및 제2 보조 부재
640a, 640b, 640c, 640d : 제1 내지 제4 보조 부재
650 : 고굴절률 부재 660 : 저굴절률 부재

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하며, 제1 굴절률을 갖는 고굴절률 부재;
    상기 고굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 저굴절률 부재;
    상기 저굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되는 캡핑 부재; 및
    상기 제1 기판과 대향하고, 상기 고굴절률 부재 상에 배치되는 제2 기판을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 고굴절률 부재는 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖고,
    상기 제2 기판은 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 고굴절률 부재는
    상기 제2 기판과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면과 반대되며 상기 제1 면의 단면의 길이보다 짧은 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 저굴절률 부재는 상기 고굴절률 부재의 상기 제2 면 및 상기 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서, 상기 저굴절률 부재는 상기 발광층과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제3 항에 있어서, 상기 발광층은 상기 고굴절률 부재의 상기 제2 면 및 상기 측면과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 발광층의 단면의 길이는
    상기 제1 면의 상기 단면의 길이보다 짧고, 상기 제2 면의 상기 단면의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하지 않는 복수의 보조 부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 보조 부재들 각각의 형상은 상기 고굴절률 부재와 동일한 형상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 보조 부재들은 상기 고굴절률 부재와 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제8 항에 있어서, 상기 복수의 보조 부재들 각각의 크기는 상기 고굴절률 부재의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 고굴절률 부재는 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 고굴절률 부재는 실록산계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서, 상기 캡핑 부재는 무기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하며, 제1 굴절률을 갖는 저굴절률 부재;
    상기 저굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는 고굴절률 부재; 및
    상기 제1 기판과 대향하고, 상기 저굴절률 부재 상에 배치되는 제2 기판을 포함하고,
    상기 저굴절률 부재는 상기 제2 기판과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면과 반대되며 상기 제1 면의 단면의 길이보다 긴 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 고굴절률 부재는 상기 저굴절률 부재의 상기 제2 면 및 상기 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서, 상기 저굴절률 부재는 상기 발광층과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 고굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되는 캡핑 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제15 항에 있어서, 상기 저굴절률 부재는 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖고,
    상기 제2 기판은 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치되고, 상기 발광층과 중첩하며, 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖는 고굴절률 부재;
    상기 고굴절률 부재와 상기 발광층 사이에 배치되고, 1 내지 1.4 사이의 굴절률을 갖는 저굴절률 부재; 및
    상기 제1 기판과 대향하고, 상기 고굴절률 부재 상에 배치되며, 1.5 내지 1.6 사이의 굴절률을 갖는 제2 기판을 포함하고,
    상기 고굴절률 부재는 상기 제2 기판과 접촉하는 제1 면, 상기 제1 면과 반대되며 상기 제1 면의 단면의 길이보다 짧은 길이를 갖는 단면을 갖는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 측면을 포함하며,
    상기 측면은 상기 제1 면에 대하여 60도 내지 75도 사이의 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4541531B2 (ja) 2000-11-22 2010-09-08 大日本印刷株式会社 光照射による屈折率変化材料層を設けたｅｌ素子
JP3951893B2 (ja) 2002-11-11 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 表示体、表示パネル及び表示装置
KR101042707B1 (ko) 2008-11-19 2011-06-20 한국전자통신연구원 복합기능 마이크로렌즈 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101560411B1 (ko) 2009-06-08 2015-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
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KR102360089B1 (ko) 2014-08-05 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102189819B1 (ko) 2014-09-01 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180005323A (ko) * 2016-07-05 2018-01-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102367247B1 (ko) * 2017-07-04 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
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