CN109891138A - 流体控制装置和使用该流体控制装置的制品制造方法 - Google Patents

流体控制装置和使用该流体控制装置的制品制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在不使流体的供给流量减少的前提下进一步小型化、集成化的流体控制装置。具有基块(10B、10C)和分别设置于基块(10B、10C)的上表面的流体用设备(120、130)，基块(10B、10C)分别具有沿着长度方向突出的突出管部(10p2、10p1)，突出管部(10p2、10p1)分别与对应的第2流路(13d)连通，基块(10B)的下游侧端面的突出管部(10p2)与基块(10C)的上游侧端面的突出管部(10p1)利用焊接材料(WL)气密或液密地连接。

Description

流体控制装置和使用该流体控制装置的制品制造方法
技术领域
本发明涉及一种流体控制装置和使用该流体控制装置的制品制造方法，该流体控制装置集成有包括流体控制设备的流体用设备。
背景技术
在半导体制造工艺等各种制造工艺中，为了将准确地计量了的工艺气体供给至工艺室，而使用被称作集成化气体系统的流体控制装置，该集成化气体系统是使开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备集成化并将它们收纳于盒而成的。将该集成化气体系统收纳于盒而成的部件被称作气体盒。
在上述那样的集成化气体系统的情况下，代替管接头，将形成有流路的设置块(以下，称作基块)沿着底板的长度方向配置，并且在该基块上设置多个流体控制设备、连接管接头的接头块等各种流体用设备，从而实现集成化(例如，参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10－227368号公报
专利文献2：日本特开2008－298177号公报
发明内容
发明要解决的问题
各种制造工艺中的工艺气体的供给控制被期望具有更高的响应性，为此，需要使流体控制装置尽可能小型化、集成化，并且设置于离作为流体的供给目的地的工艺室更近的位置。
随着半导体晶圆的大口径化等处理对象物的大型化，需要相应地使从流体控制装置向工艺室内供给的流体的供给流量也增大。
随着流体控制装置的小型化、集成化，不仅需要使流体控制设备小型化，还需要减小供小型化了的流体控制设备设置的基块的尺寸。在下一代流体控制装置中，基块的宽度被要求为10mm以下。
但是，对于流体控制设备而言，需要与基块之间具有可靠的密封，因此需要供用于得到密封所需要的紧固力的紧固螺栓用的空间。并且，为了向底板固定基块，还需要供紧固螺栓贯穿的贯通孔的空间。而且，如专利文献2所公开的那样，在利用紧固螺栓连结基块之间的情况下，需要供紧固螺栓用的另外的空间。因此，难以确保流体流路的截面积并且大幅度地缩小基块的尺寸。
本发明的一目的在于提供一种在不使流体的供给流量减少的前提下进一步小型化、集成化的流体控制装置。
本发明的另一目的在于提供一种可靠地确保基块同与其连结的各种流体用设备之间的密封性能并且使基块的尺寸、特别是宽度尺寸大幅度地窄小化的流体控制装置。
用于解决问题的方案
本发明的流体控制装置的特征在于，
该流体控制装置具有：
第1基块和第2基块，该第1基块和第2基块沿着规定方向配置在上游侧和下游侧，各自划分出上表面、与所述上表面相对的底面、自所述上表面朝向所述底面侧延伸并且在所述规定方向上彼此相对的上游侧端面和下游侧端面；以及
第1流体用设备和第2流体用设备，该第1流体用设备和该第2流体用设备具有划分出流体流路的主体部，且在该主体部的底面具有两个所述流体流路的流路口，所述第1流体用设备和所述第2流体用设备分别设置于所述第1基块的上表面及所述第2基块的上表面，
所述第1基块和所述第2基块各自具有：
上游侧流路和下游侧流路，该上游侧流路和该下游侧流路以分离开的方式形成于所述规定方向的上游侧和下游侧；以及
上游侧螺纹孔和下游侧螺纹孔，该上游侧螺纹孔和该下游侧螺纹孔形成于所述规定方向的上游侧和下游侧，在所述上表面开口并且朝向所述底面侧延伸，
所述上游侧流路和所述下游侧流路各自具有：第1流路，其自在所述上表面开口的流路口朝向所述底面延伸；以及第2流路，其与所述第1流路在所述基块内部连接，并且朝向所述规定方向上的上游侧端面或下游侧端面延伸，
所述第1基块的上游侧螺纹孔和下游侧螺纹孔及所述第2基块的上游侧螺纹孔和下游侧螺纹孔并且配置为在俯视时至少一部分与对应的所述第2流路重叠，并且在对应的所述第2流路的上方被堵塞，
在分别贯穿所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部并与所述第1基块的所述上游侧螺纹孔和所述下游侧螺纹及所述第2基块的所述上游侧螺纹孔和所述下游侧螺纹孔螺纹结合的紧固螺栓的紧固力的作用下，所述第1基块及所述第2基块与所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部分别连结，并且在所述基块的上表面的流路口和与其分别对接的所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部的对应的流路口的周围配置的密封构件被压在所述第1基块及所述第2基块与所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部之间，
所述第1基块和所述第2基块各自具有自所述上游侧端面和所述下游侧端面沿着所述规定方向突出的突出管部，
所述突出管部分别与对应的所述第2流路连通，
所述第1基块的下游侧端面的突出管部与所述第2基块的上游侧端面的突出管部气密或液密地连接。
根据上述结构，其特征在于，所述第1基块和所述第2基块没有供紧固构件贯穿的贯通孔。
本发明的制品制造方法的特征在于，在需要在密闭的室内进行工艺气体的处理工序的半导体装置、平板显示器、太阳能电池板等制品的制造工艺中，将技术方案1～4中任一项所述的流体控制装置用于所述工艺气体的控制。
另外，在本说明书中，利用“上表面”、“下表面”、“底面”、“侧面”、“端面”等用语指定各构件所具有的面，但这些用语用于指定各面的相对位置，并非用于指定绝对位置。例如，“上表面”这个用语并非用于决定上下关系，在将指定的面决定为“上表面”时，能够相对地定义其他的“底面”、“下表面”、“侧面”等，因此使用所述用语。“上方”、“下方”等用语也同样地用于决定相对的方向，并非用于决定“铅垂上方”等绝对的方向。
发明的效果
根据本发明，通过使基块为上述结构，从而能够使基块大幅度地窄小化并且能够确保流路截面积，因此能够得到在不使流体的供给流量减少的前提下进一步小型化、集成化的流体控制装置。
根据本发明，流体用设备不会横跨在基块之间，因此能够可靠地确保基块与各种流体用设备之间的密封性能，并且能够使基块的尺寸、特别是宽度尺寸大幅度地窄小化。
根据本发明，能够使流体控制装置大幅度地小型化、集成化，因此能够使流体控制装置尽可能地靠近处理室的附近，结果，能够提高流体控制的响应性，能够改善各种制造工艺中的制品的品质。
附图说明
图1A是本发明的第1实施方式的流体控制装置的从正面侧看到的外观立体图。
图1B是图1A的流体控制装置的从背面侧看到的外观立体图。
图1C是图1A的流体控制装置的俯视图。
图1D是图1A的流体控制装置的主视图。
图1E是在图1D中仅基块以截面示出的局部含有截面的主视图。
图2A是基块10B的外观立体图。
图2B是基块10B的俯视图。
图2C是基块10B的沿着长度方向的剖视图。
图3A是基块10C的外观立体图。
图3B是基块10C的俯视图。
图3C是基块10C的沿着长度方向的剖视图。
图4A是基块30的外观立体图。
图4B是基块30的俯视图。
图4C是基块30的沿着长度方向的剖视图。
图5是基块组件BA的主视图。
图6A是开闭阀110的主视图。
图6B是图6A的开闭阀110的仰视图。
图7是表示图1A的流体控制装置的组装步骤的图。
图8A是表示继图7之后的组装步骤的图。
图8B是表示继图8A之后的组装步骤的图。
图9A是表示继图7之后的另一组装步骤的图。
图9B是表示继图9A之后的组装步骤的图。
图10A是表示继图8B或图9B之后的组装步骤的图。
图10B是表示继图10A之后的组装步骤的图。
图11是本发明的一实施方式的半导体制造装置的概略结构图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。另外，在本说明书和附图中，对功能实质上同样的构成要素使用相同的附图标记，而省略重复的说明。
参照图1A～图6B详细地说明本发明的一实施方式的流体控制装置。图1A、图1B是表示本发明的第1实施方式的流体控制装置的外观的立体图，图1C是图1A的流体控制装置的俯视图，图1D是图1A的流体控制装置的主视图，图1E是在图1D中仅基块以截面示出的局部含有截面的主视图。图2A～图2C表示基块10B的构造，图3A～图3C表示基块10C的构造，图4A～图4C表示基块30的构造，图5表示基块组件BA的构造。图6A和图6B表示后述的开闭阀110的构造。
如图1A～图1E所示，流体控制装置1具有底板500和设置于底板500的3个流体控制组件A1、A2、A3。底板500具有通过对金属制的板进行弯曲加工而形成于宽度方向W1、W2的两侧部的支承部501以及形成为距支承部501一定高度的设置面502。流体控制组件A1、A2、A3借助沿着后述的长度方向G1、G2延伸的3个保持构件200固定在设置面502上。保持构件200的构造见后述。另外，宽度方向W1、W2中的W1表示正面侧，W2表示背面侧，作为本发明的规定方向的长度方向G1、G2中的G1表示上游侧的方向，G2表示下游侧的方向。
流体控制组件A1具有沿着长度方向G1、G2自上游侧朝向下游侧地配置的多个基块30、10A～10D、30以及自所述基块30、10A～10D、30的上游侧朝向下游侧地依次设置的与导入管151连接的接头块150、开闭阀(二通阀)110、开闭阀(三通阀)120、质量流量控制器130、开闭阀(二通阀)140及与连接管161连接的接头块160。
流体控制组件A2为与流体控制组件A1同样的结构。
流体控制组件A3在基块10C上设有与连通管136连接的接头块135而不是设有质量流量控制器130。
另外，本发明的“流体用设备”是这样的设备：除了包含用于流体控制、即对由气体、液体形成的流体的流动进行控制的流体控制设备之外，还包含压力计等不进行流体控制但设于流路的压力计、接头块等各种设备，包括划分出流体流路的主体部，具有在该主体部的底面开口的至少两个流路口。具体而言，流体用设备包括开闭阀(二通阀)、调节器、压力表、开闭阀(三通阀)以及质量流量控制器等，但并非限定于此。
对于流体控制装置1的3个流体控制组件A1～A3，例如经由流体控制组件A1的导入管151导入氨气等工艺气体，经由流体控制组件A2的导入管151导入氢气等工艺气体，经由流体控制组件A3的导入管151导入氮气等吹扫气体。
3个开闭阀(三通阀)120利用连通管300相互连接，能够将吹扫气体导入工艺气体的流路。
对于上述的连接有连通管136的接头块135，由于吹扫气体的流路不需要质量流量控制器130，因此该连接有连通管136的接头块135代替质量流量控制器130设于流路的中途。
供给管部400利用排出管162与连接于3个接头块160的连接管161连接，并且与未图示的处理室连接以供给处理气体。
沿着长度方向G1、G2自上游侧朝向下游侧地配置的多个基块30、基块10A～10D、基块30如图5所示那样相互连接而构成基块组件BA。
基块10A～10D承担如下这样的作用：分别单独地支承上述的各种流体用设备110～140，并且提供使流体用设备110～140中的相邻的设备之间的流路彼此连通的流路。
对于图5所示的上述基块组件BA的尺寸，宽度为10mm左右，高度为20mm左右，全长为300mm左右，但并非限定于此。
构成基块组件BA的多个基块中的上游侧端部和下游侧端部的基块30、30的尺寸和构造相同。基块10A～10D构成本发明的第1基块和第2基块，具体而言，基块10A和基块10B、基块10B和基块10C、基块10C和基块10D为本发明的第1基块和第2基块的关系。所述基块10A～10D的基本构造相同，因此，在本说明书中，参照图2A～图3C详细地说明基块10B和基块10C的构造。
图2A～图2C表示基块10B的构造，图2A是外观立体图，图2B是俯视图，图2C是沿着长度方向剖断的剖视图。
基块10B是不锈钢合金等金属制的构件，具有彼此相对的由平面形成的上表面10a和由平面形成的底面10b、分别与上表面10a和底面10b正交的两个侧面10c、10d、与底面10b正交的长度方向上的上游侧的端面10e1以及与上表面10a正交的长度方向上的下游侧的端面10e2。
由图2C等可知，基块10B包括以分离开的方式形成在端面10e1侧和端面10e2侧的上游侧流路12和下游侧流路13。
上游侧流路12具有：第1流路12c，其自在上表面10a开口的流路口12a朝向底面10b延伸；以及第2流路12d，其在基块10B的内部与第1流路12c连接，并且朝向端面10e1延伸。
下游侧流路13具有：第1流路13c，其自在上表面10a开口的流路口13a朝向底面10b延伸；以及第2流路13d，其在基块10B的内部与第1流路13c连接，并且朝向端面10e2延伸。
如上述那样，由图2C的剖视图可知，上游侧流路12和下游侧流路13呈大致L形状。
在流路口12a、13a的周围形成有用于保持后述的垫片GK的保持部15，为了使垫片GK的局部变形而进行了使硬度相比垫片GK的形成材料而言足够高的硬化处理的圆环状的突起部16与流路口12a、13a呈同心状形成于该保持部15的底面。
基块10B在长度方向上的端面10e1与流路口12a之间形成有螺纹孔10h1，该螺纹孔10h1在上表面10a开口，与作为紧固构件的紧固螺栓50螺纹结合。并且，基块10B在长度方向上的端面10e2与流路口13a之间的靠端面10e2侧的位置形成有螺纹孔10h2，该螺纹孔10h2在上表面10a开口，与作为紧固构件的紧固螺栓50螺纹结合。各基块所使用的紧固螺栓50使用带头部的M5螺栓，但并非限定于此。
基块10B自端面10e1沿着长度方向突出形成有突出管部10p1，自端面10e2沿着长度方向突出形成有突出管部10p2。突出管部10p1与上述第2流路12d连通，利用圆环状的顶端面10p1e划分出流路口12b。突出管部10p2与上述第2流路13d连通，利用圆环状的顶端面10p2e划分出流路口13b。
螺纹孔10h1配置为在第2流路12d的上方被堵塞并且在对基块10B从上表面10a侧进行观察而看到的俯视图中(参照图2B)与第2流路12d重叠。
螺纹孔10h2配置为在第2流路13d的上方被堵塞并且在对基块10B从上表面10a侧进行观察而看到的俯视图中(参照图2B)与第2流路13d重叠。
基块10B没有形成供紧固螺栓贯穿的贯通孔。在这一方面，其他的基块10A、10C、10D、30也是同样的。
由图2C可知，第2流路12d、13d配置为在基块10B的上表面10a与底面10b之间偏向底面10b侧。
如上述那样，螺纹孔10h1、10h2形成于在俯视时与流路12d、13d重叠的位置，并且在基块10B没有形成供紧固螺栓贯穿的贯通孔，因此能够将基块10B以例如10mm这样的非常窄的宽度形成。而且，将第2流路12d、13d配置为偏向底面10b侧，因此，作为与螺纹孔10h1、10h2螺纹结合的紧固螺栓50，能够选择如下这样的紧固螺栓，即：具有用于得到可靠地确保密封性能所需要的紧固力的直径及长度的紧固螺栓。另外，在能够确保螺纹孔深度的情况下，也可以不使第2流路12d、13d偏向底面10b侧。
此外，在基块10B没有形成供紧固螺栓贯穿的贯通孔，因此供流路12、13用的空间不会因贯通孔而受到限制，因此还能够确保流路12、13的截面积。
另外，列举了基块10B的基本形状为长方体形状的情况为例，但也能够采用其他形状。其他基块也是同样的。
在此，对上述的基块10B的流路的加工方法进行说明。
对于第1流路12c、13c，只要利用钻头沿着与基块10B的上表面10a垂直的方向穿孔而形成盲孔即可。对于第2流路12d，只要利用钻头经由基块10B的端面10e1的突出管部10p1沿着长度方向穿孔并与第1流路12c连接即可。对于第2流路13d，只要利用钻头经由基块10B的端面10e2的突出管部10p2穿孔并与第1流路13c连接即可。采用这样的方法，与加工所谓的V状流路相比，容易加工。另外，其他基块的流路的加工方法也是同样的。另外，突出管部10p1、10p2既能够自块状的材料切割出地形成，也能够通过焊接将管接合于端面而形成。
图3A～图3C表示基块10C的构造，图3A是外观立体图，图3B是俯视图，图3C是沿着长度方向剖断的剖视图。
基块10C的基本的构造与上述的基块10B同样。
如图3C所示，基块10C的流路12形成于长度方向上的靠上游侧的端面10e1的位置，流路13形成于长度方向上的靠下游侧的端面10e2的位置，在长度方向上的流路12与流路13之间的两处位置形成有在底面10b开口且朝向上表面10a延伸的螺纹孔10h3、10h4。所述螺纹孔10h3、10h4是向后述的保持构件200安装基块10C用的螺纹孔。螺纹孔10h3、10h4的朝向上表面10a的顶端部在基块10C的内部被堵塞。
图4A～图4C表示基块30的构造。
基块30在图5所示的基块组件BA的上游侧端部和下游侧端部使用。该基块30与上述的基块10A～10D同样地是不锈钢合金等金属制的构件，具有彼此相对的由平面形成的上表面30a和由平面形成的底面30b、分别与上表面30a和底面30b正交的两个侧面30c、30d、与上表面30a、底面30b和侧面30c、30d正交的彼此相对的端面30e1、端面30e2。
由图4C等可知，基块30包括流路32，该流路32具有：第1流路32c，其自在上表面30a开口的流路口32a朝向底面30b延伸；以及第2流路32d，其在基块30的内部与第1流路32c连接，并且朝向端面30e1延伸，由图4C的剖视图可知，流路32呈大致L形状。另外，第2流路32d配置为在上表面30a与底面30b之间偏向底面30b侧。
自一端面30e1突出形成有突出管部30p，突出管部30p与第2流路32d连通，突出管部30p的圆环状的顶端面30pe划分出流路32的流路口32b。
在流路口32a的周围形成有用于保持后述的垫片GK的保持部35，为了使垫片GK的局部变形而进行了使硬度相比垫片GK的形成材料而言足够高的硬化处理的圆环状的突起部36与流路口32a呈同心状形成于该保持部35的底面。
在基块30形成有螺纹孔30h1，该螺纹孔30h1在上表面30a的相对于流路口32a而言靠端面30e1侧的位置开口，并且朝向底面30b延伸，螺纹孔30h1在第2流路32d的上方被堵塞，并且如图4B所示那样形成于在俯视时与流路32d重叠的位置。另外，在能够充分确保螺纹孔30h1的深度的情况下，也可以不使第2流路32d偏向底面30b侧。
另外，基块30在相对于流路口32a而言靠端面30e2侧的位置形成有自上表面30a朝向底面30b贯穿的贯通孔30h。在贯通孔30h的上表面30a侧形成有直径与螺纹孔30h1的直径相同的螺纹孔30h2，在底面30b侧形成有相比螺纹孔30h2而言为小径的螺纹孔30h3。螺纹孔30h3用于向后述的保持构件200固定基块30。
如图5所示，在基块组件BA中，基块30的突出管部30p与基块10A的突出管部10p1、基块10A的突出管部10p2与基块10B的突出管部10p1、基块10B的突出管部10p2与基块10C的突出管部10p1、基块10C的突出管部10p2与基块10D的突出管部10p1、基块10D的突出管部10p2与基块30的突出管部30p借助焊接材料WL气密或液密地对焊在一起。
另外，在本实施方式中，例示了使用对焊的情况，但也能够采用滑动焊接，即：向内径比各突出管部的外径大的接头插入两个突出管部并进行焊接。
另外，也能够不采用焊接，而是在一突出管部的外周切出螺纹，在另一突出管部设置联管螺母，使两个突出管部之间夹着垫片并且将联管螺母拧于一突出管部的外周螺纹，从而将突出管部之间气密或液密地连接起来。
图6A和图6B是表示作为流体用设备的开闭阀(二通阀)110的图，图6A是主视图，图6B是仰视图。
开闭阀(二通阀)110具有主体部111，该主体部111的宽度与基块组件BA的宽度一致(参照图1A～图1C)，例如，是10mm左右，但并非限定于此。
主体部111划分出流路112、113。该流路112、113在开闭阀(二通阀)110的内部连通，利用内置的未图示的控制阀开闭。
在主体部111的长度方向上的两侧部分别形成有凸缘部111f，在凸缘部111f形成有供紧固螺栓50用的贯通孔111h。
流路112、113分别具有在底面111b开口的流路口112a、113a，在流路口112a、113a的周围形成有用于保持垫片GK的保持部114。在保持部114的底面形成有与形成于基块10B的圆环状的突起部16同样的突起部115。
另外，对开闭阀(二通阀)110的主体部111进行了例示，但作为其他的流体用设备的开闭阀(三通阀)120的主体部121、质量流量控制器130的主体部131、开闭阀(二通阀)140的主体部141也是宽度与基块组件BA的宽度一致。并且，所述主体部121、131、141在底面具有两个流路口，包括形成有供紧固螺栓50用的贯通孔的凸缘部，包括用于保持垫片GK的保持部以及圆环状的突起。省略这些流体用设备的详细说明。
接着，参照图7～图10B对本实施方式的流体控制装置的组装步骤进行说明。
首先，如图7所示，通过对焊将基块30、基块10A、基块10B、基块10C、基块10D、基块30之间的各突出管部气密或液密地连接起来，准备所需根数的基块组件BA。
接着，如图8A所示，向保持构件200安装基块组件BA。保持构件200是通过对金属板进行加工成形而成的，具有沿着长度方向相对的相对壁部200a、200b、连结相对壁部200a、200b之间的保持部200c、形成于长度方向上的两端部的安装部200d1、200d2、形成于安装部200d1、200d2的贯通孔200h1、200h2、形成于保持部200c的长度方向上的两端部的长孔200h3、200h4以及形成于保持部200c的长度方向上的中途部的两处位置的贯通孔200h5、200h6。长孔200h3、200h4形成于与分别形成于上游侧的基块30和下游侧的基块30的螺纹孔30h3相对应的位置，贯通孔200h5、200h6形成于与形成于基块10C的螺纹孔10h3、10h4相对应的位置。通过将M4紧固螺栓60从保持构件200的保持部200c的背面侧经由长孔200h3、200h4、贯通孔200h5、200h6拧于各螺纹孔，而将基块组件BA固定于保持构件200。
接着，如图8B所示，向保持于保持构件200的基块组件BA设置各种流体用设备110～140。此时，于在各种流体用设备110～140的主体部111～141的底面开口的流路口同与其相对应的形成于基块组件BA的各基块的上表面10a的流路口的周围配置垫片GK作为密封构件。之后，将紧固螺栓50经由各主体部111～141拧于基块组件BA的各基块的螺纹孔，从而将各种流体用设备110～140的主体部111～141连结于对应的基块10A～10D，并且主体部111～141与基块10A～10D之间的垫片GK被各紧固螺栓50的紧固力压紧。由此，组装出流体控制组件A1～A3。
作为垫片GK，能够列举出金属制或树脂制等的垫片。
作为垫片，能够列举出软质垫片、半金属垫片、金属垫片等。具体而言，适合使用以下的垫片。
(1)软质垫片
·橡胶O型密封圈
·橡胶片(整面座用)
·接合垫片
·膨胀石墨片
·PTFE片材
·PTFE护套形垫片
(2)半金属垫片
·旋涡形垫片(Spiral-wound gaskets)
·金属护套形垫片
(3)金属垫片
·金属平形垫片
·金属中空O型密封圈
·环接垫片
图9A和图9B表示利用图8A和图8B进行了说明的组装步骤的代替组装步骤。
如图9A所示，向基块组件BA组装各种流体用设备110～140，之后，如图9B所示，向保持构件200固定组装有各种流体用设备110～140的基块组件BA。由此，能够得到与利用图8A和图8B的步骤得到的流体控制组件同样的流体控制组件A1～A3。
接着，如图10A所示，通过将紧固螺栓60拧于螺纹孔503而将组装好的流体控制组件A1～A3固定于底板500的设置面502的期望位置。由此，流体控制组件A1～A3排列于底板500的设置面502。
接着，如图10B所示，向流体控制组件A1～A3的上游侧端部的基块30设置接头块150，向3个开闭阀(三通阀)120设置连通管300，向下游侧端部的基块30设置供给管部400。由此，形成流体控制装置1。
如以上那样，在本实施方式中，各基块10A～10D的螺纹孔10h1、10h2形成于在俯视时与流路12d、13d重叠的位置，并且在基块10A～10D和基块30没有形成供紧固螺栓贯穿的贯通孔。因此，能够最大限度地确保流体流路的截面积，并且能够使基块的尺寸、特别是宽度飞跃性地窄小化。
另外，在上述实施方式中，例示了3个流体控制组件A1～A3隔开间隔地配置在底板500的设置面502上的情况，但本实施方式的底板500最多能够设置5个流体控制组件。即，在流体控制组件A1与流体控制组件A2之间、以及流体控制组件A2与流体控制组件A3之间还能够设置流体控制组件。
在上述实施方式中，例示了在流体用设备的主体部划分出两个流路口的情况，但本发明并非限定于此，例如，包括在底面形成有3个流路口(未图示)的主体部的流体用设备也是本发明的对象。
在上述实施方式中，采用了借助保持构件200将基块组件BA安装于底板500的结构，但并非限定于此，也能够将基块组件BA直接安装于底板500。
接着，参照图11对上述的流体控制装置1的应用例进行说明。
图11所示的半导体制造装置1000是用于执行基于原子层沉积法(ALD：AtomicLayer Deposition法)的半导体制造工艺的系统，附图标记600表示工艺气体供给源，附图标记700表示气体盒，附图标记710表示罐，附图标记800表示处理室，附图标记900表示真空泵。
在使膜沉积于基板的处理工艺中，为了稳定地供给处理气体而将从气体盒700供给来的处理气体暂时储存于作为缓冲器的罐710，使设于处理室800的跟前的阀720以高频率开闭而将来自罐的处理气体供给向真空气氛的处理室。
ALD法是化学气相沉积法之一，是这样的方法：在温度、时间等成膜条件下，使两种以上的处理气体一种一种地在基板表面上交替流动，与基板表面上的原子反应而逐层地沉积膜，能够对单原子层逐层地控制，因此能够形成均匀的膜厚，对于膜质，也能够非常致密地使膜沉积。
在ALD法的半导体制造工艺中，需要精确地调整处理气体的流量，并且由于基板的大口径化等还需要将处理气体的流量确保为一定程度。
气体盒700是为了将准确地计量的工艺气体供给至处理室800而将利用上述实施方式进行了说明的集成有各种流体控制设备的流体控制装置1收纳于盒而成的部件。
罐710作为暂时储存从气体盒700供给来的处理气体的缓冲器发挥作用。
处理室800提供基于ALD法向基板形成膜用的密闭处理空间。
真空泵900用于对处理室800内抽真空。
附图标记说明
1、流体控制装置；10A、10B、10C、10D、基块；10a、上表面；10b、底面；10c、10d、侧面；10e1、10e2、端面；10h1、10h2、10h3、10h4、螺纹孔；12、上游侧流路；12a、12b、流路口；12c、第1流路；12d、第2流路；13、下游侧流路；13c、第1流路；13d、第2流路；13a、13b、流路口；15、保持部；16、突起部；30、基块；30a、上表面；30b、底面；30c、30d、侧面；30e1、30e2、端面；30h、贯通孔；30h1、30h2、30h3、螺纹孔；50、60、紧固螺栓；110、开闭阀(二通阀)；111、主体部；111b、底面；111f、凸缘部；111h、贯通孔；112、113、流路；112a、113a、流路口；114、保持部；115、突起部；120、开闭阀(三通阀)；121、主体部；130、质量流量控制器；131、主体部；135、接头块；136、连通管；140、开闭阀(二通阀)；141、主体部；150、接头块；151、导入管；160、接头块；161、连接管；162、排出管；200、保持构件；300、连通管；400、供给管部；500、底板；501、支承部；502、设置面；503、螺纹孔；600、工艺气体供给源；700、气体盒；710、罐；720、阀；800、处理室；900、真空泵；1000、半导体制造装置；A1、A2、A3、流体控制组件；BA、基块组件；G1、长度方向(上游侧)；G2、长度方向(下游侧)；GK、垫片；W1、宽度方向(正面侧)；W2、宽度方向(背面侧)；WL、焊接材料。

Claims (7)

1.一种流体控制装置，其特征在于，
该流体控制装置具有：
第1基块和第2基块，该第1基块和第2基块沿着规定方向配置在上游侧和下游侧，各自划分出上表面、与所述上表面相对的底面、自所述上表面朝向所述底面侧延伸并且在所述规定方向上彼此相对的上游侧端面和下游侧端面；以及
第1流体用设备和第2流体用设备，该第1流体用设备和该第2流体用设备具有划分出流体流路的主体部，且在该主体部的底面具有两个所述流体流路的流路口，所述第1流体用设备和所述第2流体用设备分别设置于所述第1基块的上表面及所述第2基块的上表面，
所述第1基块和所述第2基块各自具有：
上游侧流路和下游侧流路，该上游侧流路和该下游侧流路以分离开的方式形成于所述规定方向的上游侧和下游侧；以及
上游侧螺纹孔和下游侧螺纹孔，该上游侧螺纹孔和该下游侧螺纹孔形成于所述规定方向的上游侧和下游侧，在所述上表面开口并且朝向所述底面侧延伸，
所述上游侧流路和所述下游侧流路各自具有：第1流路，其自在所述上表面开口的流路口朝向所述底面延伸；以及第2流路，其与所述第1流路在所述基块内部连接，并且朝向所述规定方向上的上游侧端面或下游侧端面延伸，
所述第1基块的上游侧螺纹孔和下游侧螺纹孔及所述第2基块的上游侧螺纹孔和下游侧螺纹孔配置为在俯视时至少一部分与对应的所述第2流路重叠，并且在对应的所述第2流路的上方被堵塞，
在分别贯穿所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部并与所述第1基块的所述上游侧螺纹孔和所述下游侧螺纹及所述第2基块的所述上游侧螺纹孔和所述下游侧螺纹孔螺纹结合的紧固螺栓的紧固力的作用下，所述第1基块及所述第2基块与所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部分别连结，并且在所述基块的上表面的流路口和与其分别对接的所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部的对应的流路口的周围配置的密封构件被压在所述第1基块及所述第2基块与所述第1流体用设备的主体部及所述第2流体用设备的主体部之间，
所述第1基块和所述第2基块各自具有自所述上游侧端面和所述下游侧端面沿着所述规定方向突出的突出管部，
所述突出管部分别与对应的所述第2流路连通，
所述第1基块的下游侧端面的突出管部与所述第2基块的上游侧端面的突出管部气密或液密地连接。
2.根据权利要求1所述的流体控制装置，其特征在于，
所述第1基块和所述第2基块没有供紧固构件贯穿的贯通孔。
3.根据权利要求1或2所述的流体控制装置，其特征在于，
所述第2流路配置为在所述上表面与所述底面之间偏向该底面侧。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的流体控制装置，其特征在于，
该流体控制装置具有基块组件，该基块组件是包括所述第1基块和所述第2基块在内的划分出流体流路的多个基块相互连接而形成的，
在所述基块组件分别单独地设置流体用设备，
构成所述基块组件的基块都没有供紧固构件贯穿的贯通孔。
5.一种流量控制方法，其特征在于，
将权利要求1～4中任一项所述的流体控制装置用于工艺气体的流量控制。
6.一种制品制造方法，其特征在于，
在需要在密闭的室内进行工艺气体的处理工序的半导体装置、平板显示器、太阳能电池板等制品的制造工艺中，将权利要求1～4中任一项所述的流体控制装置用于所述工艺气体的控制。
7.一种半导体制造装置，其特征在于，
该半导体制造装置具有用于向处理室供给工艺气体的流体控制装置，
所述流体控制装置包括权利要求1～4中任一项所述的流体控制装置。
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