WO2018079288A1 - 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法 - Google Patents

流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018079288A1
WO2018079288A1 PCT/JP2017/037042 JP2017037042W WO2018079288A1 WO 2018079288 A1 WO2018079288 A1 WO 2018079288A1 JP 2017037042 W JP2017037042 W JP 2017037042W WO 2018079288 A1 WO2018079288 A1 WO 2018079288A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
fluid
base block
fluid control
flow path
base
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/037042
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
英宏 堂屋
Original Assignee
株式会社フジキン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社フジキン filed Critical 株式会社フジキン
Priority to US16/344,235 priority Critical patent/US11091837B2/en
Priority to KR1020197014791A priority patent/KR20190075100A/ko
Priority to JP2018547547A priority patent/JP6917068B2/ja
Priority to CN201780065862.4A priority patent/CN109891138B/zh
Publication of WO2018079288A1 publication Critical patent/WO2018079288A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K27/00—Construction of housing; Use of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Definitions

  • the present invention relates to a fluid control device in which fluid devices including a fluid control device are integrated, and a product manufacturing method using the fluid control device.
  • various fluid control devices such as open / close valves, regulators, and mass flow controllers are integrated and stored in boxes to supply accurately measured process gas to the process chamber.
  • a fluid control device called a gas system is used.
  • the integrated gas system housed in a box is called a gas box.
  • an installation block hereinafter referred to as a base block
  • a base block in which a flow path is formed is arranged along the longitudinal direction of the base plate instead of the pipe joint, and a plurality of fluids are placed on the base block. Integration is realized by installing various fluid devices such as joint blocks to which control devices and pipe joints are connected (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • the fluid control device is miniaturized and integrated as much as possible and installed closer to the process chamber to which the fluid is supplied.
  • the size of the processing object is increasing, such as an increase in the diameter of the semiconductor wafer, and it is necessary to increase the supply flow rate of the fluid supplied from the fluid control device into the process chamber.
  • the width of the base block is required to be 10 mm or less.
  • the fluid control device is a first and second base block disposed on an upstream side and a downstream side along a predetermined direction, and includes a top surface, a bottom surface facing the top surface, and the top surface.
  • First and second base blocks that extend toward the bottom surface side and define an upstream end surface and a downstream end surface that face each other in the predetermined direction;
  • a first fluid and a second fluid installed on the top surfaces of the first and second base blocks, respectively, each having a body defining a fluid flow channel and two flow channel ports of the fluid flow channel on the bottom surface of the body.
  • Each of the first and second base blocks is An upstream channel and a downstream channel formed by separating the upstream side and the downstream side in the predetermined direction; An upstream screw hole and a downstream screw hole that are formed on the upstream side and the downstream side in the predetermined direction, open on the top surface, and extend toward the bottom surface side;
  • the upstream channel and the downstream channel are a first channel extending from a channel opening opened on the upper surface toward the bottom surface, and an upstream in the predetermined direction connected to the first channel and the base block.
  • the upstream screw hole and the downstream screw hole of the first and second base blocks are arranged so that at least a part thereof overlaps the corresponding second flow path when viewed from above, and the corresponding Closed above the second flow path, Due to the fastening force of fastening bolts that pass through the bodies of the first and second fluid devices and screw into the upstream screw holes and the downstream screw holes of the first and second base blocks, respectively.
  • the first and second base blocks and the bodies of the first and second fluid devices are connected to each other, and the first and second fluid blocks are respectively faced to the flow path ports on the upper surface of the base block.
  • a seal member disposed around a corresponding channel opening of the body of the device is pressed between the first and second base blocks and the body of the first and second fluid devices;
  • Each of the first and second base blocks has a protruding tube portion protruding in the predetermined direction from the upstream end surface and the downstream end surface,
  • Each of the protruding pipe portions communicates with the corresponding second flow path,
  • the protruding pipe part on the downstream end face of the first base block and the protruding pipe part on the upstream end face of the second base block are connected in an airtight or liquid tight manner.
  • the first and second base blocks do not have a through hole for allowing the fastening member to pass therethrough.
  • the method for producing a product according to the present invention provides control of the process gas in a production process of a product such as a semiconductor device, a flat panel display, or a solar panel that requires a process step using a process gas in a sealed chamber. Any one of the fluid control devices described above is used.
  • the surfaces of the respective members are specified using terms such as “upper surface”, “lower surface”, “bottom surface”, “side surface”, “end surface”, etc. It is used to specify the relative position of each surface, not to specify the absolute position.
  • the term “upper surface” is not used to determine the relationship between the upper and lower sides.
  • a specific surface is determined as “upper surface”, other “bottom surface”, “lower surface”, “side surface” and the like are relative to each other. These terms are used.
  • terms such as “upward” and “downward” are used to determine relative directions and are not used to determine absolute directions such as “vertically upward”. Absent.
  • the base block since the base block has the above-described configuration, the cross-sectional area of the flow path can be ensured while the base block is significantly narrowed, so that further downsizing and integration can be achieved without reducing the fluid supply flow rate.
  • a fluid control device that has been converted into a fluid is obtained.
  • the fluid device does not straddle between the base blocks, so that the sealing performance between the base block and various fluid devices is ensured, and the dimensions of the base block, particularly the width dimension, are greatly increased. It can be narrowed.
  • the fluid control device can be greatly reduced in size and integrated, the fluid control device can be brought as close as possible to the vicinity of the processing chamber, and as a result, the responsiveness of the fluid control is improved. Can improve the quality of products in various manufacturing processes.
  • FIG. 1B is a top view of the fluid control device of FIG. 1A.
  • FIG. 1B is a front view of the fluid control device of FIG. 1A.
  • FIG. 1D is a front view in which only the base block is taken as a cross section in FIG.
  • the top view of base block 10B Sectional drawing along the longitudinal direction of the base block 10B.
  • the top view of base block 10C Sectional drawing along the longitudinal direction of 10 C of base blocks.
  • FIG. 3 is an external perspective view of a base block 30.
  • FIG. 3 is a top view of the base block 30.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the base block 30 along the longitudinal direction.
  • the front view of base block assembly BA. The front view of the on-off valve 110.
  • FIG. The bottom view of the on-off valve 110 of FIG. 6A.
  • the figure which shows the assembly procedure following FIG. The figure which shows the assembly procedure following FIG. 8A.
  • the figure which shows the assembly procedure following FIG. 9A The figure which shows the assembly procedure following FIG. 8B or FIG. 9B.
  • the figure which shows the assembly procedure following FIG. 10A. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 1A to 6B are perspective views showing the appearance of the fluid control device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1C is a top view of the fluid control device of FIG. 1A
  • FIG. 1D is the fluid control device of FIG.
  • FIG. 1E is a front view including a partial cross section in which only the base block is a cross section in FIG. 1D.
  • 2A to 2C show the structure of the base block 10B
  • FIGS. 3A to 3C show the structure of the base block 10C
  • FIGS. 4A to 4C show the structure of the base block 30
  • FIG. 5 shows the structure of the base block assembly BA.
  • 6A and 6B show the structure of the on-off valve 110 described later.
  • the fluid control device 1 includes a base plate 500 and three fluid control assemblies A1, A2, and A3 installed on the base plate 500.
  • the base plate 500 includes a support portion 501 formed on both sides in the width direction W1 and W2 by bending a metal plate, and an installation surface 502 formed at a constant height from the support portion 501.
  • the fluid control assemblies A1, A2 and A3 are fixed on the installation surface 502 via three holding members 200 extending in the longitudinal directions G1 and G2, which will be described later.
  • the structure of the holding member 200 will be described later.
  • W1 in the width directions W1 and W2 indicates the front side
  • W2 indicates the back side
  • G1 in the longitudinal directions G1 and G2 as predetermined directions of the present invention indicates the upstream side
  • G2 indicates the downstream direction.
  • the fluid control assembly A1 includes a plurality of base blocks 30, 10A to 10D, 30 arranged from the upstream side to the downstream side along the longitudinal direction G1, G2, and upstream of the base blocks 30, 10A to 10D and 30.
  • the fluid control assembly A2 has the same configuration as the fluid control assembly A1.
  • the fluid control assembly A3 is provided with a joint block 135 in which a communication pipe 136 is connected instead of the mass flow controller 130 on the base block 10C.
  • the “fluid device” of the present invention refers to a pressure gauge provided in a flow path, although it does not perform fluid control, such as a fluid control device or pressure gauge used for fluid control for controlling the flow of fluid consisting of gas or liquid.
  • the device includes various devices such as a joint block, includes a body that defines a fluid flow path, and has at least two flow path openings that open at the bottom surface of the body.
  • fluid devices include, but are not limited to, on-off valves (two-way valves), regulators, pressure gauges, on-off valves (three-way valves), mass flow controllers, and the like.
  • a process gas such as ammonia gas is introduced into the three fluid control assemblies A1 to A3 of the fluid control apparatus 1 through the introduction pipe 151 of the fluid control assembly A1, and hydrogen gas or the like is introduced through the introduction pipe 151 of the fluid control assembly A2.
  • Process gas is introduced, and a purge gas such as nitrogen gas is introduced through the introduction pipe 151 of the fluid control assembly A3.
  • the three on-off valves (three-way valves) 120 are connected to each other through a communication pipe 300 so that a purge gas can be introduced into the flow path of the process gas.
  • the joint block 135 to which the communication pipe 136 is connected is provided in the middle of the flow path instead of the mass flow controller 130 because the mass flow controller 130 is not required for the purge gas flow path.
  • the supply pipe section 400 connects the connection pipe 161 connected to the three joint blocks 160 with the discharge pipe 162 and is connected to a processing chamber (not shown) to supply the processing gas.
  • a plurality of base blocks 30, 10A to 10D, 30 arranged from the upstream side to the downstream side along the longitudinal direction G1, G2 are connected to each other to form a base block assembly BA as shown in FIG. .
  • the base blocks 10A to 10D individually support the above-described various fluid devices 110 to 140, and also serve to provide a flow path that connects the flow paths between adjacent devices of the fluid devices 110 to 140.
  • the dimensions of the base block assembly BA shown in FIG. 5 are a width of about 10 mm and a height of about 20 mm, and a total length of about 300 mm, but are not limited thereto.
  • the base blocks 30 and 30 at the upstream end and the downstream end have the same size and structure.
  • the base blocks 10A to 10D constitute the first and second base blocks of the present invention. Specifically, the base blocks 10A and 10B, 10B and 10C, and 10C and 10D correspond to the present invention. There is a relationship between the first base block and the second base block. Since these basic blocks 10A to 10D have the same basic structure, the structure of the basic blocks 10B and 10C will be described in detail with reference to FIGS. 2A to 3C.
  • FIG. 2A to 2C show the structure of the base block 10B.
  • FIG. 2A is an external perspective view
  • FIG. 2B is a top view
  • FIG. 2C is a cross-sectional view cut along the longitudinal direction.
  • the base block 10B is a metal member such as a stainless alloy, and includes a top surface 10a composed of a flat surface facing each other, a bottom surface 10b composed of a plane, two side surfaces 10c, 10d orthogonal to the top surface 10a and the bottom surface 10b, and a bottom surface, respectively. It has an end face 10e1 on the upstream side in the longitudinal direction orthogonal to 10b and an end face 10e2 on the downstream side in the longitudinal direction perpendicular to the upper surface 10a.
  • FIG. 10e1 on the upstream side in the longitudinal direction orthogonal to 10b
  • an end face 10e2 on the downstream side in the longitudinal direction perpendicular to the upper surface 10a.
  • the base block 10B includes an upstream channel 12 and a downstream channel 13 that are formed separately on the end surface 10e1 side and the end surface 10e2 side.
  • the upstream flow path 12 is connected to the first flow path 12c extending from the flow path port 12a opened at the upper surface 10a toward the bottom surface 10b, and to the end surface 10e1 connected to the first flow path 12c inside the base block 10B.
  • the downstream flow path 13 is connected to the first flow path 13c inside the base block 10B and extends toward the end face 10e2 from the flow path opening 13a that opens at the upper face 10a toward the bottom face 10b.
  • a second flow path 13d As described above, as can be seen from the cross-sectional view of FIG.
  • the upstream flow path 12 and the downstream flow path 13 are substantially L-shaped.
  • a holding portion 15 for holding a gasket GK which will be described later, is formed around the flow path ports 12a and 13a.
  • a material for forming the gasket GK is formed on the bottom surface of the holding portion 15 in order to deform a part of the gasket GK.
  • an annular projection 16 that has been hardened to have a sufficiently higher hardness is formed concentrically with the channel openings 12a and 13a.
  • a screw hole 10h1 is formed between the end surface 10e1 in the longitudinal direction and the flow passage port 12a.
  • the screw hole 10h1 is opened at the upper surface 10a and is engaged with a fastening bolt 50 as a fastening member.
  • the base block 10B is formed with a screw hole 10h2 that opens at the upper surface 10a and is screwed with a fastening bolt 50 as a fastening member, near the end surface 10e2 between the end surface 10e2 in the longitudinal direction and the flow path port 13a.
  • the fastening bolt 50 used for each base block is an M5 bolt with a head, but is not limited thereto.
  • the base block 10B has a protruding tube portion 10p1 protruding from the end surface 10e1 in the longitudinal direction, and a protruding tube portion 10p2 protruding from the end surface 10e2 in the longitudinal direction.
  • the protruding tube portion 10p1 communicates with the above-described second flow path 12d, and the flow path port 12b is defined by the annular tip surface 10p1e.
  • the protruding tube portion 10p2 communicates with the above-described second flow path 13d, and the flow path port 13b is defined by the annular tip surface 10p2e.
  • the screw hole 10h1 is closed above the second flow path 12d, and is disposed so as to overlap the second flow path 12d when the base block 10B is viewed from the top surface 10a side (see FIG. 2B).
  • the screw hole 10h2 is closed above the second flow path 13d, and is disposed so as to overlap the second flow path 13d when the base block 10B is viewed from the top surface 10a side (see FIG. 2B).
  • the base block 10B is not formed with a through hole through which the fastening bolt passes. This also applies to the other base blocks 10A, 10C, 10D, and 30.
  • the second flow paths 12d and 13d are arranged to be biased toward the bottom surface 10b between the top surface 10a and the bottom surface 10b of the base block 10B.
  • the screw holes 10h1 and 10h2 are formed at positions overlapping the flow paths 12d and 13d in a top view, and the base block 10B is formed by not forming a through hole through which the fastening bolt is passed through the base block 10B.
  • the base block 10B is formed by not forming a through hole through which the fastening bolt is passed through the base block 10B.
  • it can be formed in a very narrow width such as 10 mm.
  • the fastening bolt 50 to be screwed into the screw holes 10h1 and 10h2 has a fastening force necessary to ensure the sealing performance.
  • One having a diameter and length to obtain can be selected. If the screw hole depth can be secured, the second flow paths 12d and 13d do not have to be biased toward the bottom surface 10b.
  • the space for the flow paths 12 and 13 is not limited by the through holes by not forming the through holes that allow the fastening bolts to pass through the base block 10B, the cross-sectional areas of the flow paths 12 and 13 are also secured. it can.
  • the base block 10B has been described as an example in which the basic shape is a rectangular parallelepiped shape, but other shapes may be employed. The same applies to other base blocks.
  • the first flow paths 12c and 13c may be drilled in a direction perpendicular to the upper surface 10a of the base block 10B to form a blind hole.
  • the second flow path 12d may be connected to the first flow path 12c by drilling a hole in the longitudinal direction through the protruding tube portion 10p1 of the end surface 10e1 of the base block 10B.
  • the second flow path 13d may be connected to the first flow path 13c by drilling a hole through the protruding tube portion 10p2 of the end face 10e2 of the base block 10B. According to such a method, processing is easier than processing a so-called V-shaped flow path.
  • the processing method of the flow path of the other base block is the same.
  • the protruding tube portions 10p1 and 10p2 can be formed by cutting out from a block-shaped material, or the tube can be joined to the end face by welding.
  • FIG. 3A to 3C show the structure of the base block 10C.
  • FIG. 3A is an external perspective view
  • FIG. 3B is a top view
  • FIG. 3C is a cross-sectional view taken along the longitudinal direction.
  • the basic structure of the base block 10C is the same as that of the base block 10B described above.
  • the flow path 12 of the base block 10C is formed from the end face 10e1 on the upstream side in the longitudinal direction
  • the flow path 13 is formed from the end face 10e2 on the downstream side in the longitudinal direction.
  • Screw holes 10h3 and 10h4 that open at the bottom surface 10b and extend toward the upper surface 10a are formed at two locations between the flow channel 12 and the flow channel 13.
  • These screw holes 10h3 and 10h4 are screw holes for attaching the base block 10C to the holding member 200, which will be described later.
  • the tip portions of the screw holes 10h3 and 10h4 facing the upper surface 10a are closed inside the base block 10C.
  • FIG. 4A to 4C show the structure of the base block 30.
  • the base block 30 is used at the upstream end and the downstream end of the base block assembly BA shown in FIG.
  • the base block 30 is a metal member such as a stainless alloy, similar to the above-described base blocks 10A to 10D.
  • the base block 30 has an upper surface 30a composed of a plane facing each other, a bottom surface 30b composed of a plane, and an upper surface 30a and a bottom surface 30b.
  • the two side surfaces 30c and 30d are orthogonal to each other, and the upper surface 30a and the bottom surface 30b and the end surfaces 30e1 and 30e2 that are orthogonal to the side surfaces 30c and 30d are opposed to each other.
  • the base block 30 includes a flow path 32.
  • the flow path 32 includes a first flow path 32c extending from a flow path port 32a that opens at the upper surface 30a toward the bottom surface 30b, and a base.
  • the block 30 has a second flow path 32d connected to the first flow path 32c and extending toward the end face 30e1, and the flow path 32 is substantially L-shaped as can be seen from the cross-sectional view of FIG. 4C. Yes.
  • the second flow path 32d is arranged to be biased toward the bottom surface 30b between the top surface 30a and the bottom surface 30b.
  • a protruding tube portion 30p is formed to protrude, the protruding tube portion 30p communicates with the second flow channel 32d, and the annular tip surface 30pe of the protruding tube portion 30p opens the flow channel port 32b of the flow channel 32.
  • a holding portion 35 for holding a gasket GK which will be described later, is formed around the flow path port 32a. The bottom surface of the holding portion 35 is more than the material for forming the gasket GK in order to deform a part of the gasket GK.
  • An annular projecting portion 36 subjected to a curing process for sufficiently increasing the hardness is formed concentrically with the flow path port 32a.
  • the base block 30 is formed with a screw hole 30h1 that opens on the upper surface 30a on the end surface 30e1 side with respect to the flow path port 32a and extends toward the bottom surface 30b.
  • the screw hole 30h1 is blocked above the second flow path 32d. As shown in FIG. 4B, it is formed at a position overlapping with the flow path 32d in a top view. If the depth of the screw hole 30h1 can be sufficiently secured, the second flow path 32d does not have to be biased toward the bottom surface 30b.
  • the base block 30 is formed with a through hole 30h penetrating from the upper surface 30a toward the bottom surface 30b on the end surface 30e2 side with respect to the flow path port 32a.
  • a screw hole 30h2 having the same diameter as the screw hole 30h1 is formed on the upper surface 30a side of the through hole 30h, and a screw hole 30h3 having a smaller diameter than the screw hole 30h2 is formed on the bottom surface 30b side.
  • the screw hole 30h3 is for fixing the base block 30 to a holding member 200 described later.
  • the base block assembly BA includes a protruding tube portion 30p of the base block 30, a protruding tube portion 10p1 of the base block 10A, a protruding tube portion 10p2 of the base block 10A, a protruding tube portion 10p1 of the base block 10B, and a base.
  • the part 30p is butt-welded in an airtight or liquid-tight manner via the welding material WL.
  • the insertion welding which inserts and welds a joint with an internal diameter larger than each projecting pipe part outer diameter to two projecting pipe parts is also possible.
  • a screw is cut on the outer periphery of one protruding tube portion, a union nut is provided on the other protruding tube portion, and a union nut is attached to one protruding tube portion while a gasket is interposed between the two protruding tube portions. It is also possible to connect the protruding tube portions in an airtight or liquid tight manner by screwing them into the outer peripheral screws.
  • FIGS. 1A to 1C are views showing an on-off valve (two-way valve) 110 as a fluid device, where FIG. 6A is a front view and FIG. 6B is a bottom view.
  • the on-off valve (two-way valve) 110 has a body 111, and the width of the body 111 is aligned with the width of the base block assembly BA (see FIGS. 1A to 1C), for example, about 10 mm. However, it is not limited to this.
  • the body 111 defines flow paths 112 and 113.
  • the flow paths 112 and 113 communicate with each other inside an on-off valve (two-way valve) 110 and are opened and closed by a built-in control valve (not shown).
  • Flange portions 111f are formed on both side portions in the longitudinal direction of the body 111, and through holes 111h for the fastening bolts 50 are formed in the flange portions 111f.
  • the channels 112 and 113 have channel ports 112a and 113a that open at the bottom surface 111b, respectively, and a holding portion 114 for holding the gasket GK is formed around the channel ports 112a and 113a.
  • a projection 115 similar to the annular projection 16 formed on the base block 10B is formed on the bottom surface of the holding portion 114.
  • the body 111 of the on-off valve (two-way valve) 110 is illustrated, the body 121 of the on-off valve (three-way valve) 120, the body 131 of the mass flow controller 130, and the on-off valve (two-way) are other fluid devices.
  • the body 141 of the valve 140 is also aligned with the width of the base block assembly BA.
  • These bodies 121, 131, 141 have two flow passage openings on the bottom surface and are provided with flange portions in which through holes for the fastening bolts 50 are formed, and a holding portion and an annular shape for holding the gasket GK. Protrusions are provided. Detailed description of these fluid devices will be omitted.
  • the protruding pipe portions between the base block 30, the base block 10A, the base block 10B, the base block 10C, the base block 10D, and the base block 30 are airtight by butt welding.
  • a necessary number of base block assemblies BA are prepared by liquid-tight connection.
  • the base block assembly BA is attached to the holding member 200.
  • the holding member 200 is formed by processing a metal plate.
  • the opposing wall portions 200a and 200b that face each other along the longitudinal direction, the holding portion 200c that connects the opposing wall portions 200a and 200b, and both ends in the longitudinal direction.
  • the long holes 200h3 and 200h4 are formed at positions corresponding to the screw holes 30h3 formed in the upstream and downstream base blocks 30, respectively, and the through holes 200h5 and 200h6 are screw holes 10h3 and 10h4 formed in the base block 10C. It is formed in the position corresponding to.
  • the base block assembly BA is fixed to the holding member 200 by screwing the M4 fastening bolts 60 into the respective screw holes from the back side of the holding portion 200c of the holding member 200 through the long holes 200h3, 200h4 and the through holes 200h5, 200h6. .
  • the various fluid devices 110 to 140 are installed in the base block assembly BA held by the holding member 200.
  • a gasket GK is disposed as a seal member.
  • the fastening bolts 50 are screwed into the screw holes of the base blocks of the base block assembly BA through the bodies 111 to 141, so that the bodies 111 to 141 of the various fluid devices 110 to 140 are connected to the corresponding base blocks 10A to 10D.
  • the gasket GK between the bodies 111 to 141 and the base blocks 10A to 10D is pressed by the fastening force of each fastening bolt 50.
  • the fluid control assemblies A1 to A3 are assembled.
  • the gasket GK include a gasket made of metal or resin.
  • the gasket include a soft gasket, a semimetal gasket, and a metal gasket. Specifically, the following are preferably used.
  • FIGS. 9A and 9B show an alternative assembly procedure for the assembly procedure described in FIGS. 8A and 8B.
  • the base block assembly BA assembled with the various fluid devices 110 to 140 is attached to the holding member 200. Secure to. This provides fluid control assemblies A1-A3 similar to those obtained with the procedure of FIGS. 8A and 8B.
  • the assembled fluid control assemblies A1 to A3 are fixed by screwing the fastening bolts 60 into the screw holes 503 at desired positions on the installation surface 502 of the base plate 500.
  • the fluid control assemblies A1 to A3 are juxtaposed to the installation surface 502 of the base plate 500.
  • the joint block 150 is installed in the base block 30 at the upstream end of the fluid control assemblies A1 to A3
  • the communication pipe 300 is installed in the three on-off valves (three-way valves) 120
  • the supply pipe 400 is installed on the base block 30 at the downstream end. Thereby, the fluid control apparatus 1 is formed.
  • the screw holes 10h1 and 10h2 of the base blocks 10A to 10D are formed at positions overlapping the flow paths 12d and 13d in the top view, and the base blocks 10A to 10D and the base block 30 are formed.
  • a through hole through which the fastening bolt passes is not formed. For this reason, the dimension of the base block, in particular, the width can be drastically reduced while ensuring the maximum cross-sectional area of the fluid flow path.
  • the base plate 500 of the present embodiment has a maximum of five fluids. It is possible to install a control assembly. That is, the fluid control assembly can be installed between the fluid control assembly A1 and the fluid control assembly A2, and between the fluid control assembly A2 and the fluid control assembly A3.
  • a fluid device including a body formed with is also an object of the present invention.
  • the base block assembly BA is attached to the base plate 500 via the holding member 200.
  • the present invention is not limited to this, and the base block assembly BA can be directly attached to the base plate 500.
  • a semiconductor manufacturing apparatus 1000 shown in FIG. 11 is a system for executing a semiconductor manufacturing process by an atomic layer deposition method (ALD), 600 is a process gas supply source, 700 is a gas box, and 710 is a tank. , 800 represents a processing chamber, and 900 represents an exhaust pump.
  • ALD atomic layer deposition method
  • 600 is a process gas supply source
  • 700 is a gas box
  • 710 is a tank
  • 800 represents a processing chamber
  • 900 represents an exhaust pump.
  • a processing gas supplied from a gas box 700 is temporarily stored in a tank 710 as a buffer in order to stably supply a processing gas, and provided in the vicinity of the processing chamber 800.
  • the valve 720 is opened and closed at a high frequency to supply the processing gas from the tank to the processing chamber in a vacuum atmosphere.
  • the ALD method is one of chemical vapor deposition methods, and two or more kinds of processing gases are alternately flowed on the substrate surface one by one under film forming conditions such as temperature and time, and atoms on the substrate surface. It is a method of depositing a film by a single layer by reacting, and since it can be controlled by a single atomic layer, a uniform film thickness can be formed and a film can be grown very densely as a film quality. . In the semiconductor manufacturing process by the ALD method, it is necessary to precisely adjust the flow rate of the processing gas, and it is also necessary to secure the flow rate of the processing gas to some extent by increasing the diameter of the substrate.
  • the gas box 700 is a box in which the fluid control device 1 in which the various fluid control devices described in the above embodiments are integrated is supplied in a box in order to supply the accurately measured process gas to the processing chamber 800.
  • the tank 710 functions as a buffer that temporarily stores the processing gas supplied from the gas box 700.
  • the processing chamber 800 provides a sealed processing space for forming a film on a substrate by the ALD method.
  • the exhaust pump 900 evacuates the processing chamber 800.
  • Fluid control apparatus 10A, 10B, 10C, 10D Base block 10a Upper surface 10b Bottom surface 10c, 10d Side surface 10e1, 10e2 End surface 10h1, 10h2, 10h3, 10h4 Screw hole 12 Upstream channel 12a, 12b Channel port 12c First channel 12d 2nd flow path 13 Downstream flow path 13c 1st flow path 13d 2nd flow path 13a, 13b Flow path port 15 Holding part 16 Projection part 30 Base block 30a Upper surface 30b Bottom surface 30c, 30d Side surface 30e1, 30e2 End surface 30h Through hole 30h1, 30h2, 30h3 Screw hole 50, 60 Fastening bolt 110 Open / close valve (two-way valve) 111 Body 111b Bottom surface 111f Flange portion 111h Through hole 112, 113 Flow path 112a, 113a Flow path port 114 Holding section 115 Projection section 120 Open / close valve (3-way valve) 121 body 130 mass flow controller 131 body 135 joint block 136 communication

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Valve Housings (AREA)
  • Rigid Pipes And Flexible Pipes (AREA)

Abstract

【課題】流体の供給流量を減少させることなく、より一層の小型化、集積化された流体制御装置を提供することにある。 【解決手段】ベースブロック１０Ｂ，１０Ｃと、ベースブロック１０Ｂ，１０Ｃの上面にそれぞれ設置される流体用機器１２０，１３０と、を有し、ベースブロック１０Ｂ，１０Ｃの各々は、長手方向に突出する突出管部１０ｐ２，１０ｐ１を有し、突出管部１０ｐ２，１０ｐ１の各々は、対応する第２流路１３ｄと連通しており、ベースブロック１０Ｂの下流側端面の突出管部１０ｐ２とベースブロック１０Ｃの上流側端面の突出管部１０ｐ１とは、気密又は液密に溶接材料ＷＬにより接続されている。

Description

流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法
　本発明は、流体制御機器を含む流体用機器が集積化された流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法に関する。
　半導体製造プロセス等の各種製造プロセスにおいては、正確に計量したプロセスガスをプロセスチャンバに供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体制御機器を集積化してボックスに収容した集積化ガスシステムと呼ばれる流体制御装置が用いられている。この集積化ガスシステムをボックスに収容したものがガスボックスと呼ばれている。
　上記のような集積化ガスシステムでは、管継手の代わりに、流路を形成した設置ブロック(以下、ベースブロックと呼ぶ)をベースプレートの長手方向に沿って配置し、このベースブロック上に複数の流体制御機器や管継手が接続される継手ブロック等の各種流体用機器を設置することで、集積化を実現している(例えば、特許文献１、２参照)。
特開平１０－２２７３６８号公報 特開２００８－２９８１７７号公報
　各種製造プロセスにおけるプロセスガスの供給制御には、より高い応答性が求められており、そのためには流体制御装置をできるだけ小型化、集積化して、流体の供給先であるプロセスチャンバのより近くに設置する必要がある。
　半導体ウエハの大口径化等の処理対象物の大型化が進んでおり、これに合わせて流体制御装置からプロセスチャンバ内へ供給する流体の供給流量も増加させる必要がある。
　流体制御装置の小型化、集積化を進めていくには、流体制御機器の小型化を進展させるだけでなく、小型化された流体制御機器が設置されるベースブロックの寸法も小さくする必要がある。次世代の流体制御装置では、ベースブロックの幅として１０ｍｍ以下が要求されている。
　しかしながら、流体制御機器は、ベースブロックとの間で確実なシールが必要であるため、シールに必要な締め付け力を得るための締結ボルトのためのスペースを要する。また、ベースブロックをベースプレートへ固定するためには、締結ボルトを貫通する貫通孔のスペースも必要となる。さらに、特許文献２に開示されているように、ベースブロック間を締結ボルトで連結する場合には、締結ボルトのためのさらなるスペースが必要となる。このため、流体流路の断面積を確保しつつベースブロックの寸法を大幅に縮小化することは容易ではなかった。
　本発明の一の目的は、流体の供給流量を減少させることなく、より一層の小型化、集積化された流体制御装置を提供することにある。
　本発明の他の目的は、ベースブロックとこれに連結される各種流体用機器との間のシール性能を確実に確保しつつ、ベースブロックの寸法、特に幅寸法が大幅に狭小化された流体制御装置を提供することにある。
　本発明に係る流体制御装置は、所定方向に沿って上流側と下流側とに配置される第１および第２のベースブロックであって、上面と、前記上面に対向する底面と、前記上面から前記底面側に向けて延びるとともに前記所定の方向において互いに対向する上流側端面および下流側端面とをそれぞれ画定する第１および第２のベースブロックと、
　流体流路を画定するボディを有し当該ボディの底面に前記流体流路の流路口を２つ有する、前記第１および第２のベースブロックの上面にそれぞれ設置される第１および第２の流体用機器と、を有し、
　前記第１および第２のベースブロックの各々は、
　前記所定方向の上流側と下流側とで分離して形成された上流側流路および下流側流路と、
　前記所定方向の上流側と下流側とに形成され、前記上面で開口しかつ前記底面側に向けて延びる上流側ネジ穴および下流側ネジ穴と、を有し、
　前記上流側流路および下流側流路は、前記上面で開口する流路口から前記底面に向けて延びる第１流路と、前記第１流路と前記ベースブロック内部で接続され前記所定方向の上流側端面または下流側端面に向けて延びる第２流路とをそれぞれ有し、
　前記第１および第２のベースブロックの上流側ネジ穴および下流側ネジ穴は、上面視において、少なくとも一部が対応する前記第２流路と重複するように配置されているとともに、対応する前記第２流路の上方で閉塞し、
　前記第１および第２の流体用機器のボディを貫通して前記第１および第２のベースブロックの前記上流側ネジ穴および下流側ネジ穴にそれぞれ螺合する締結ボルトの締結力により、前記第１および第２のベースブロックと前記第１および第２の流体用機器のボディとがそれぞれ連結されるとともに、前記ベースブロックの上面の流路口とそれぞれ突き合わされた前記第１および第２の流体用機器のボディの対応する流路口との周囲に配置されたシール部材が前記第１および第２のベースブロックと前記第１および第２の流体用機器のボディとの間で圧せられ、
　前記第１および第２のベースブロックの各々は、前記上流側端面および下流側端面から前記所定方向に突出する突出管部を有し、
　前記突出管部の各々は、対応する前記第２流路と連通しており、
　前記第１のベースブロックの下流側端面の突出管部と前記第２のベースブロックの上流側端面の突出管部とは、気密又は液密に接続されている、ことを特徴とする。
　上記構成において、前記第１および第２のベースブロックは、締結部材を貫通させるための貫通孔を有していない、ことを特徴とする。
　本発明の製品製造方法は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置、フラットパネルディスプレイ、ソーラーパネル等の製品の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項１～４のいずれかに記載の流体制御装置を用いたことを特徴とする。
　なお、本明細書では、「上面」、「下面」、「底面」、「側面」、「端面」等の用語を用いて、各部材の有する面を特定しているが、これらの用語は、各面の相対的な位置を特定するために用いられるのであって、絶対的な位置を特定するために使用されるわけではない。例えば、「上面」という用語は、上下の関係を決めるために用いられるわけではなく、特定の面を「上面」と決めると、他の「底面」、「下面」、「側面」等を相対的に定義できるので、これらの用語を使用している。「上方向」や「下方向」等の用語も同様に、相対的な方向を決めるためのものであって、「鉛直上方向」等の絶対的な方向を決めるために用いられているわけではない。
　本発明によれば、ベースブロックを上記構成とすることで、ベースブロックを大幅に狭小化しつつ流路断面積を確保できるので、流体の供給流量を減少させることなく、より一層の小型化、集積化がされた流体制御装置が得られる。
　本発明によれば、流体用機器がベースブロック間をまたぐことがないので、ベースブロックと各種流体用機器との間のシール性能を確実に確保しつつ、ベースブロックの寸法、特に幅寸法を大幅に狭小化することができる。
　本発明によれば、流体制御装置を大幅に小型化、集積化することができるので、流体制御装置を処理チャンバの近傍に可能な限り近づけることができ、この結果、流体制御の応答性を高めることができ、各種製造プロセスにおける製品の品質を改善できる。
本発明の第１の実施形態に係る流体制御装置の正面側から見た外観斜視図。 図１Ａの流体制御装置の背面側から見た外観斜視図。 図１Ａの流体制御装置の上面図。 図１Ａの流体制御装置の正面図。 図１Ｄにおいてベースブロックのみを断面にした、一部に断面を含む正面図。 ベースブロック１０Ｂの外観斜視図。 ベースブロック１０Ｂの上面図。 ベースブロック１０Ｂの長手方向に沿った断面図。 ベースブロック１０Ｃの外観斜視図。 ベースブロック１０Ｃの上面図。 ベースブロック１０Ｃの長手方向に沿った断面図。 ベースブロック３０の外観斜視図。 ベースブロック３０の上面図。 ベースブロック３０の長手方向に沿った断面図。 ベースブロックアセンブリＢＡの正面図。 開閉弁１１０の正面図。 図６Ａの開閉弁１１０の底面図。 図１Ａの流体制御装置の組立手順を示す図。 図７に続く組立手順を示す図。 図８Ａに続く組立手順を示す図。 図７に続く他の組立手順を示す図。 図９Ａに続く組立手順を示す図。 図８Ｂ又は図９Ｂに続く組立手順を示す図。 図１０Ａに続く組立手順を示す図。 本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略構成図。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面においては、機能が実質的に同様の構成要素には、同じ符号を使用することにより重複した説明を省略する。
　図１Ａ～図６Ｂを参照して本発明の一実施形態に係る流体制御装置について詳細に説明する。図１Ａ，図１Ｂは本発明の第１の実施形態に係る流体制御装置の外観を示す斜視図、図１Ｃは、図１Ａの流体制御装置の上面図、図１Ｄは、図１Ａの流体制御装置の正面図、図１Ｅは、図１Ｄにおいてベースブロックのみを断面にした一部断面を含む正面図である。図２Ａ～２Ｃはベースブロック１０Ｂの構造、図３Ａ～３Ｃはベースブロック１０Ｃの構造、図４Ａ～４Ｃはベースブロック３０の構造、図５はベースブロックアセンブリＢＡの構造をそれぞれ示している。図６Ａおよび６Ｂは、後述する開閉弁１１０の構造を示している。
　図１Ａ～図１Ｅに示すように、流体制御装置１は、ベースプレート５００と、ベースプレート５００に設置された３つの流体制御アセンブリＡ１，Ａ２，Ａ３を有する。ベースプレート５００は、金属製のプレートを曲げ加工して幅方向Ｗ１，Ｗ２の両側部に形成された支持部５０１と、支持部５０１から一定の高さに形成される設置面５０２を有する。流体制御アセンブリＡ１，Ａ２，Ａ３は後述する長手方向Ｇ１，Ｇ２に延在する３つの保持部材２００を介して設置面５０２上に固定されている。保持部材２００の構造については後述する。なお、幅方向Ｗ１，Ｗ２のＷ１は正面側、Ｗ２は背面側を示し，本発明の所定方向としての長手方向Ｇ１，Ｇ２のＧ１は上流側、Ｇ２は下流側の方向を示している。
　流体制御アセンブリＡ１は、長手方向Ｇ１，Ｇ２に沿って上流側から下流側に向けて配置された複数のベースブロック３０，１０Ａ～１０Ｄ，３０と、これらベースブロック３０，１０Ａ～１０Ｄおよび３０の上流側から下流側に向けて順に設けられた、導入管１５１が接続された継手ブロック１５０、開閉弁（２方弁）１１０、開閉弁（３方弁）１２０、マスフローコントローラ１３０、開閉弁（２方弁）１４０、接続管１６１が接続された継手ブロック１６０とを有する。
　流体制御アセンブリＡ２は、流体制御アセンブリＡ１と同様の構成である。
　流体制御アセンブリＡ３は、ベースブロック１０Ｃ上にマスフローコントローラ１３０の代わりに連通管１３６が接続された継手ブロック１３５が設けられている。
　なお、本発明の「流体用機器」とは、ガスや液体からなる流体の流れを制御する流体制御に使用される流体制御機器や圧力計等の流体制御はしないが流路に設けられる圧力計、継手ブロック等の各種機器を含み、流体流路を画定するボディを備え、このボディの底面で開口する少なくとも２つの流路口を有する機器である。具体的には、流体用機器には、開閉弁(２方弁)、レギュレータ、プレッシャーゲージ、開閉弁（３方弁）、マスフローコントローラ等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。
　流体制御装置１の３つの流体制御アセンブリＡ１～Ａ３には、例えば、流体制御アセンブリＡ１の導入管１５１を通じてアンモニアガス等のプロセスガスが導入され、流体制御アセンブリＡ２の導入管１５１を通じて水素ガス等のプロセスガスが導入され、流体制御アセンブリＡ３の導入管１５１を通じて、窒素ガス等のパージガスが導入される。
　３つの開閉弁（３方弁）１２０は、連通管３００で互いに接続されており、パージガスをプロセスガスの流路に導入できるようになっている。
　上記した連通管１３６が接続された継手ブロック１３５は、パージガスの流路にはマスフローコントローラ１３０が不要なので、マスフローコントローラ１３０の代わりに流路の途中に設けられている。
　供給管部４００は、３つの継手ブロック１６０に接続された接続管１６１を排出管１６２で接続するとともに、処理ガスを供給するべく図示しない処理チャンバに接続されている。
　長手方向Ｇ１，Ｇ２に沿って上流側から下流側に配置された複数のベースブロック３０，１０Ａ～１０Ｄ，３０は、図５に示すように、互いに接続されてベースブロックアセンブリＢＡを構成している。
　ベースブロック１０Ａ～１０Ｄは、上記した各種流体用機器１１０～１４０をそれぞれ単独で支持するとともに、流体用機器１１０～１４０の隣り合う機器間の流路同士を連通させる流路を提供する役割を担う。
　図５に示した上記ベースブロックアセンブリＢＡの寸法は、幅が１０ｍｍおよび高さが２０ｍｍ程度であり、全長が３００ｍｍ程度であるが、これに限定されるわけではない。
　ベースブロックアセンブリＢＡを構成する複数のベースブロックのうち、上流側端部と下流側端部のベースブロック３０,３０は寸法および構造が同様である。ベーススブロック１０Ａ～１０Ｄは、本発明の第１および第２のベースブロックを構成しており、具体的には、ベーススブロック１０Ａと１０Ｂ、１０Ｂと１０Ｃ、１０Ｃと１０Ｄとが、本発明の第１のベースブロックと第２のベースブロックとの関係にある。これらベーススブロック１０Ａ～１０Ｄは、基本構造は同様であるので、本明細書では、ベーススブロック１０Ｂおよび１０Ｃの構造について図２Ａ～図３Ｃを参照して詳細に説明することとする。
　図２Ａ～図２Ｃは、ベースブロック１０Ｂの構造を示しており、図２Ａは外観斜視図、図２Ｂは上面図、図２Ｃは長手方向に沿って切断した断面図である。
　ベースブロック１０Ｂは、ステンレス合金等の金属製の部材であり、互いに対向する平面からなる上面１０ａおよび平面からなる底面１０ｂ、上面１０ａおよび底面１０ｂに対してそれぞれ直交する２つの側面１０ｃ，１０ｄ、底面１０ｂに直交する長手方向の上流側の端面１０ｅ１、上面１０ａに直交する長手方向の下流側の端面１０ｅ２を有する。
　図２Ｃ等から分かるように、ベースブロック１０Ｂは、端面１０ｅ１側と、端面１０ｅ２側とで分離して形成された上流側流路１２および下流側流路１３とを備えている。
　上流側流路１２は、上面１０ａで開口する流路口１２ａから底面１０ｂに向けて延びる第１流路１２ｃと、ベースブロック１０Ｂの内部で第１流路１２ｃと接続され端面１０ｅ１に向けて延びる第２流路１２ｄとを有する。
　下流側流路１３は、上面１０ａで開口する流路口１３ａから底面１０ｂに向けて延びる第１流路１３ｃと、ベースブロック１０Ｂの内部で第１流路１３ｃと接続されかつ端面１０ｅ２に向けて延びる第２流路１３ｄとを有する。
　上記したように、図２Ｃの断面図からわかるように、上流側流路１２および下流側流路１３は略Ｌ形状をしている。
　流路口１２ａ，１３ａの周囲には、後述するガスケットＧＫを保持するための保持部１５が形成され、この保持部１５の底面には、ガスケットＧＫの一部を変形させるためにガスケットＧＫの形成材料よりも硬度を十分に高くする硬化処理をした円環状の突起部１６が流路口１２ａ，１３ａと同心状に形成されている。
　ベースブロック１０Ｂには、長手方向の端面１０ｅ１と流路口１２ａとの間に、上面１０ａで開口し、締結部材としての締結ボルト５０が螺合するネジ穴１０ｈ１が形成されている。また、ベースブロック１０Ｂは、長手方向の端面１０ｅ２と流路口１３ａとの間の端面１０ｅ２側寄りには、上面１０ａで開口し、締結部材としての締結ボルト５０が螺合するネジ穴１０ｈ２が形成されている。各ベースブロックに使用される締結ボルト５０には、頭部付きのＭ５のボルトが用いられるが、これに限定されるわけではない。
　ベースブロック１０Ｂは、端面１０ｅ１からは、突出管部１０ｐ１が長手方向に突出して形成され、端面１０ｅ２からは、突出管部１０ｐ２が長手方向に突出して形成されている。突出管部１０ｐ１は、上記した第２流路１２ｄと連通しており、円環状の先端面１０ｐ１ｅにより流路口１２ｂを画定している。突出管部１０ｐ２は、上記した第２流路１３ｄと連通しており、円環状の先端面１０ｐ２ｅにより流路口１３ｂを画定している。
　ネジ穴１０ｈ１は、第２流路１２ｄの上方で閉塞しているとともに、ベースブロック１０Ｂを上面１０ａ側から見た上面視において（図２Ｂ参照）、第２流路１２ｄと重複するように配置されている。
　ネジ穴１０ｈ２は、第２流路１３ｄの上方で閉塞しているとともに、ベースブロック１０Ｂを上面１０ａ側から見た上面視において（図２Ｂ参照）、第２流路１３ｄと重複するように配置されている。
　ベースブロック１０Ｂは、締結ボルトを貫通させる貫通孔が形成されていない。この点は、他のベースブロック１０Ａ，１０Ｃ，１０Ｄおよび３０も同様である。
　図２Ｃから明らかなように、第２流路１２ｄ、１３ｄは、ベースブロック１０Ｂの上面１０ａと底面１０ｂとの間で底面１０ｂ側に偏倚して配置されている。
　上記のように、ネジ穴１０ｈ１，１０ｈ２を上面視において流路１２ｄ，１３ｄと重複する位置に形成するとともに、ベースブロック１０Ｂに締結ボルトを貫通させる貫通孔を形成しないことで、ベースブロック１０Ｂを、例えば１０ｍｍといった非常に狭い幅に形成することが可能となる。さらに、第２流路１２ｄ、１３ｄを底面１０ｂ側に偏倚して配置することで、ネジ穴１０ｈ１および１０ｈ２に螺合させる締結ボルト５０として、シール性能を確実に確保するのに必要な締結力を得るための直径および長さを有するものを選択できる。なお、ネジ穴深さを確保できる場合には、第２流路１２ｄ、１３ｄを底面１０ｂ側に偏倚させなくともよい。
　さらに、ベースブロック１０Ｂに締結ボルトを貫通させる貫通孔を形成しないことで、流路１２，１３のためのスペースが貫通孔により制限されることがないので、流路１２，１３の断面積も確保できる。
　なお、ベースブロック１０Ｂは基本的形状が直方体形状の場合を例に挙げたが他の形状を採用することもできる。他のベースブロックについても同様である。
　ここで、上記したベースブロック１０Ｂの流路の加工方法について説明する。
　第１流路１２ｃ，１３ｃは、ベースブロック１０Ｂの上面１０ａに垂直な方向にドリルで穴を穿ち、ブラインドホールを形成すればよい。第２流路１２ｄは、ベースブロック１０Ｂの端面１０ｅ１の突出管部１０ｐ１を通じて長手方向にドリルで穴を穿ち第１流路１２ｃと接続すればよい。第２流路１３ｄは、ベースブロック１０Ｂの端面１０ｅ２の突出管部１０ｐ２を通じてドリルで穴を穿ち第１流路１３ｃと接続すればよい。このような方法によれば、いわゆるＶ状流路を加工するよりも加工が容易である。なお、他のベースブロックの流路の加工方法も同様である。なお、突出管部１０ｐ１，１０ｐ２は、ブロック状の材料から削り出して形成することも可能であるし、溶接で管を端面に接合することもできる。
　図３Ａ～図３Ｃは、ベースブロック１０Ｃの構造を示しており、図３Ａは外観斜視図、図３Ｂは上面図、図３Ｃは長手方向に沿って切断した断面図である。
　ベースブロック１０Ｃの基本的構造は、上記したベースブロック１０Ｂと同様である。
　図３Ｃに示すように、ベースブロック１０Ｃの流路１２は、長手方向の上流側の端面１０ｅ１よりに形成され、流路１３は、長手方向の下流側の端面１０ｅ２よりに形成され、長手方向において流路１２と流路１３との間の２カ所には、底面１０ｂで開口し上面１０ａに向けて延びるネジ穴１０ｈ３，１０ｈ４が形成されている。これらのネジ穴１０ｈ３，１０ｈ４は、後述する、保持部材２００にベースブロック１０Ｃを取り付けるためのネジ穴である。ネジ穴１０ｈ３，１０ｈ４の上面１０ａに向かう先端部は、ベースブロック１０Ｃの内部で閉塞している。
　図４Ａ～４Ｃに、ベースブロック３０の構造を示す。
　ベースブロック３０は、図５に示したベースブロックアセンブリＢＡの上流側端部と下流側端部に使用される。このベースブロック３０は、上記したベースブロック１０Ａ～１０Ｄと同様に、ステンレス合金等の金属製の部材であり、互いに対向する平面からなる上面３０ａおよび平面からなる底面３０ｂ、上面３０ａおよび底面３０ｂに対してそれぞれ直交する２つの側面３０ｃ，３０ｄ、上面３０ａ，底面３０ｂおよび側面３０ｃ，３０ｄに直交する互いに対向する端面３０ｅ１，端面３０ｅ２を有する。
　図４Ｃ等からわかるように、ベースブロック３０は、流路３２を備えており、この流路３２は、上面３０ａで開口する流路口３２ａから底面３０ｂに向けて延びる第１流路３２ｃと、ベースブロック３０の内部で第１流路３２ｃと接続され端面３０ｅ１に向けて延びる第２流路３２ｄとを有し、流路３２は、図４Ｃの断面図からわかるように、略Ｌ形状をしている。また第２流路３２ｄは、上面３０ａと底面３０ｂとの間で底面３０ｂ側に偏倚して配置されている。
　一方の端面３０ｅ１からは、突出管部３０ｐが突出して形成され突出管部３０ｐは第２流路３２ｄと連通し、突出管部３０ｐの円環状の先端面３０ｐｅは流路３２の流路口３２ｂを画定している。
　流路口３２ａの周囲には、後述するガスケットＧＫを保持するための保持部３５が形成され、この保持部３５の底面には、ガスケットＧＫの一部を変形させるためにガスケットＧＫの形成材料よりも硬度を十分に高くする硬化処理をした円環状の突起部３６が流路口３２ａと同心状に形成されている。
　ベースブロック３０には、流路口３２ａに対して端面３０ｅ１側の上面３０ａで開口し底面３０ｂに向けて延びるネジ穴３０ｈ１が形成され、ネジ穴３０ｈ１は第２流路３２ｄの上方で閉塞するとともに、図４Ｂに示すように、上面視において流路３２ｄと重複する位置に形成されている。なお、ネジ穴３０ｈ１の深さが十分に確保できる場合には、第２流路３２ｄは底面３０ｂ側に偏倚させなくてもよい。
　また、ベースブロック３０には、流路口３２ａに対して端面３０ｅ２側で上面３０ａから底面３０ｂに向けて貫通する貫通孔３０ｈが形成されている。貫通孔３０ｈの上面３０ａ側には、ネジ穴３０ｈ１と同じ直径のネジ穴３０ｈ２が形成され、底面３０ｂ側には、ネジ穴３０ｈ２よりも小径のネジ穴３０ｈ３が形成されている。ネジ穴３０ｈ３は、後述する保持部材２００にベースブロック３０を固定するためのものである。
　図５に示すように、ベースブロックアセンブリＢＡは、ベースブロック３０の突出管部３０ｐとベースブロック１０Ａの突出管部１０ｐ１、ベースブロック１０Ａの突出管部１０ｐ２とベースブロック１０Ｂの突出管部１０ｐ１、ベースブロック１０Ｂの突出管部１０ｐ２とベースブロック１０Ｃの突出管部１０ｐ１、ベースブロック１０Ｃの突出管部１０ｐ２とベースブロック１０Ｄの突出管部１０ｐ１、ベースブロック１０Ｄの突出管部１０ｐ２とベースブロック３０の突出管部３０ｐが、溶接材料ＷＬを介して気密又は液密に突き合わせ溶接されている。
　なお、本実施形態では、突き合わせ溶接を用いた場合を例示するが、各突出管部外径よりも大きい内径を持つ継ぎ手を２つの突出管部に挿入して溶接する差し込み溶接も可能である。
　また、溶接ではなく、一方の突出管部の外周にネジを切り、他方の突出管部にユニオンナットを設け、２つの突出管部の間にガスケットを介在させつつユニオンナットを一方の突出管部の外周ネジにねじ込むことで、突出管部間を気密又は液密に接続することも可能である。
　図６Ａおよび図６Ｂは、流体用機器としての開閉弁(２方弁)１１０を示す図であって、図６Ａは正面図、図６Ｂは底面図である。
　開閉弁(２方弁)１１０は、ボディ１１１を有し、このボディ１１１の幅は、ベースブロックアセンブリＢＡの幅と整合しており（図１Ａ～図１Ｃ参照）、例えば、１０ｍｍ程度であるが、これに限定されるわけではない。
　ボディ１１１は、流路１１２，１１３を画定する。この流路１１２，１１３は、開閉弁(２方弁)１１０の内部で連通しており、内蔵された図示しない制御バルブにより開閉されるようになっている。
　ボディ１１１の長手方向の両側部には、フランジ部１１１ｆがそれぞれ形成され、フランジ部１１１ｆには、締結ボルト５０のための貫通孔１１１ｈが形成されている。
　流路１１２，１１３は、底面１１１ｂで開口する流路口１１２ａ，１１３ａをそれぞれ有し、流路口１１２ａ，１１３ａの周囲にはガスケットＧＫを保持するための保持部１１４が形成されている。保持部１１４の底面には、ベースブロック１０Ｂに形成された円環状の突起部１６と同様の突起部１１５が形成されている。
　なお、開閉弁(２方弁)１１０のボディ１１１を例示したが、他の流体用機器である、開閉弁（３方弁）１２０のボディ１２１，マスフローコントローラ１３０のボディ１３１、開閉弁（２方弁）１４０のボディ１４１も、ベースブロックアセンブリＢＡの幅と整合している。そして、これらのボディ１２１，１３１，１４１は、底面に２つの流路口をもち、締結ボルト５０のための貫通孔が形成されたフランジ部を備え、ガスケットＧＫを保持するための保持部および円環状の突起を備えている。これらの流体用機器の詳細説明は省略する。
　次に、図７～１０Ｂを参照して、本実施形態に係る流体制御装置の組立手順について説明する。
　まず、図７に示すように、ベースブロック３０と、ベースブロック１０Ａと、ベースブロック１０Ｂと、ベースブロック１０Ｃと、ベースブロック１０Ｄと、ベースブロック３０との間の各突出管部を突き合わせ溶接により気密又は液密に接続して、ベースブロックアセンブリＢＡを必要な本数準備する。
　次いで、図８Ａに示すように、保持部材２００にベースブロックアセンブリＢＡを取り付ける。保持部材２００は、金属板を加工成形したものであり、長手方向に沿って対向する対向壁部２００ａ，２００ｂと、対向壁部２００ａ，２００ｂの間を連結する保持部２００ｃと、長手方向の両端部に形成された取付け部２００ｄ１，２００ｄ２と、取付け部２００ｄ１，２００ｄ２に形成された貫通孔２００ｈ１，２００ｈ２と、保持部２００ｃの長手方向の両端部に形成された長孔２００ｈ３，２００ｈ４と、保持部２００ｃの長手方向の中途部の２カ所に形成された貫通孔２００ｈ５，２００ｈ６とを有する。長孔２００ｈ３，２００ｈ４は、上流側と下流側のベースブロック３０にそれぞれ形成されたネジ穴３０ｈ３に対応する位置に形成され、貫通孔２００ｈ５，２００ｈ６はベースブロック１０Ｃに形成されたネジ穴１０ｈ３，１０ｈ４に対応する位置に形成されている。Ｍ４の締結ボルト６０を保持部材２００の保持部２００ｃの裏面側から、長孔２００ｈ３，２００ｈ４、貫通孔２００ｈ５，２００ｈ６を通じて各ネジ穴にねじ込むことで、ベースブロックアセンブリＢＡが保持部材２００に固定される。
　次いで、図８Ｂに示すように、保持部材２００に保持されたベースブロックアセンブリＢＡに、各種流体用機器１１０～１４０を設置する。このとき各種流体用機器１１０～１４０のボディ１１１～１４１の底面に開口した流路口と、これに対応するベースブロックアセンブリＢＡの各ベースブロックの上面１０ａに形成された流路口との周囲には、シール部材としてガスケットＧＫが配置される。そして、締結ボルト５０を各ボディ１１１～１４１を通じてベースブロックアセンブリＢＡの各ベースブロックのネジ穴にねじ込むことにより、各種流体用機器１１０～１４０のボディ１１１～１４１が対応するベースブロック１０Ａ～１０Ｄに連結されるとともに、ボディ１１１～１４１とベースブロック１０Ａ～１０Ｄの間のガスケットＧＫは各締結ボルト５０の締結力により圧せられる。これにより、流体制御アセンブリＡ１～Ａ３が組み立てられる。
　ガスケットＧＫとしては、金属製又は樹脂製などのガスケットを挙げることが出来る。
ガスケットしては、軟質ガスケット、セミメタルガスケット、メタルガスケットなどが挙げられる。具体的には、以下のものが好適に使用される。
（１）軟質ガスケット
・ゴムＯリング
・ゴムシート(全面座用)
・ジョイントシート
・膨張黒鉛シート
・ＰＴＦＥシート
・ＰＴＦＥジャケット形
（２）セミメタルガスケット
・うず巻形ガスケット(Ｓｐｉｒａｌ－ｗｏｕｎｄ　ｇａｓｋｅｔｓ)
・メタルジャケットガスケット
（３）メタルガスケット
・金属平形ガスケット
・メタル中空Ｏリング
・リングジョイント
　図９Ａおよび図９Ｂは、図８Ａおよび図８Ｂで説明した組立手順の代替の組立手順を示している。
　図９Ａに示すように、ベースブロックアセンブリＢＡに各種流体用機器１１０～１４０を組み付けたのち、図９Ｂに示すように、各種流体用機器１１０～１４０が組み付けられたベースブロックアセンブリＢＡを保持部材２００に固定する。これにより、図８Ａおよび図８Ｂの手順で得られるのと同様の流体制御アセンブリＡ１～Ａ３が得られる。
　次いで、組立てられた流体制御アセンブリＡ１～Ａ３を図１０Ａに示すように、ベースプレート５００の設置面５０２の所望の位置に締結ボルト６０をネジ孔５０３にねじ込んで固定する。これにより、流体制御アセンブリＡ１～Ａ３は、ベースプレート５００の設置面５０２に並列される。
　次いで、図１０Ｂに示すように、流体制御アセンブリＡ１～Ａ３の上流側端部のベースブロック３０に継手ブロック１５０を設置し、３つの開閉弁（３方弁）１２０に連通管３００を設置し、下流側端部のベースブロック３０に供給管部４００を設置する。これにより、流体制御装置１が形成される。
　以上のように、本実施形態では、各ベースブロック１０Ａ～１０Ｄのネジ穴１０ｈ１，１０ｈ２を上面視において流路１２ｄ，１３ｄと重複する位置に形成するとともに、ベースブロック１０Ａ～１０Ｄおよびベースブロック３０に締結ボルトを貫通させる貫通孔を形成しない。このため、流体流路の断面積を最大限確保しつつ、ベースブロックの寸法、特に、幅を飛躍的に狭小化することができる。
　なお、上記実施形態では、３本の流体制御アセンブリＡ１～Ａ３をベースプレート５００の設置面５０２上に間隔を置いて配置した場合を例示したが、本実施形態のベースプレート５００は最大で５本の流体制御アセンブリを設置することが可能である。すなわち、流体制御アセンブリＡ１と流体制御アセンブリＡ２との間、および、流体制御アセンブリＡ２と流体制御アセンブリＡ３との間にも流体制御アセンブリを設置可能である。
　上記実施形態では、流体用機器のボディには２つの流路口を画定する場合を例示したが、本発明はこれに限定されるわけではなく、例えば、底面に３つの流路口（図示せず）が形成されたボディを含む流体用機器も本発明の対象である。
　上記実施形態では、保持部材２００を介してベースブロックアセンブリＢＡをベースプレート５００に取り付ける構成としたが、これに限定されるわけではなく、ベースブロックアセンブリＢＡをベースプレート５００に直接取り付けることも可能である。
　次に、図１１を参照して、上記した流体制御装置１の適用例について説明する。
　図１１に示す半導体製造装置１０００は、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　法）による半導体製造プロセスを実行するためのシステムであり、６００はプロセスガス供給源、７００はガスボックス、７１０はタンク、８００は処理チャンバ、９００は排気ポンプを示している。
　基板に膜を堆積させる処理プロセスにおいては、処理ガスを安定的に供給するためにガスボックス７００から供給される処理ガスをバッファとしてのタンク７１０に一時的に貯留し、処理チャンバ８００の直近に設けられたバルブ７２０を高頻度で開閉させてタンクからの処理ガスを真空雰囲気の処理チャンバへ供給する。
　ＡＬＤ法は、化学気相成長法の１つであり、温度や時間等の成膜条件の下で、２種類以上の処理ガスを１種類ずつ基板表面上に交互に流し、基板表面上原子と反応させて単層ずつ膜を堆積させる方法であり、単原子層ずつ制御が可能である為、均一な膜厚を形成させることができ、膜質としても非常に緻密に膜を成長させることができる。
　ＡＬＤ法による半導体製造プロセスでは、処理ガスの流量を精密に調整する必要があるとともに、基板の大口径化等により、処理ガスの流量をある程度確保する必要もある。
　ガスボックス７００は、正確に計量したプロセスガスを処理チャンバ８００に供給するために、上記実施形態で説明した各種の流体制御機器を集積化した流体制御装置１をボックスに収容したものである。
　タンク７１０は、ガスボックス７００から供給される処理ガスを一時的に貯留するバッファとして機能する。
　処理チャンバ８００は、ＡＬＤ法による基板への膜形成のための密閉処理空間を提供する。
　排気ポンプ９００は、処理チャンバ８００内を真空引きする。
　１　流体制御装置
　１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ　ベースブロック
　１０ａ　上面
　１０ｂ　底面
　１０ｃ，１０ｄ　側面
　１０ｅ１，１０ｅ２　端面
　１０ｈ１，１０ｈ２，１０ｈ３，１０ｈ４　ネジ穴
　１２　上流側流路
　１２ａ，１２ｂ　流路口
　１２ｃ　第１流路
　１２ｄ　第２流路
　１３　下流側流路
　１３ｃ　第１流路
　１３ｄ　第２流路
　１３ａ，１３ｂ　流路口
　１５　保持部
　１６　突起部
　３０　ベースブロック
　３０ａ　上面
　３０ｂ　底面
　３０ｃ，３０ｄ　側面
　３０ｅ１，３０ｅ２　端面
　３０ｈ　貫通孔
　３０ｈ１，３０ｈ２，３０ｈ３　ネジ穴
　５０，６０　締結ボルト
　１１０　開閉弁（２方弁）
　１１１　ボディ
　１１１ｂ　底面
　１１１ｆ　フランジ部
　１１１ｈ　貫通孔
　１１２，１１３　流路
　１１２ａ，１１３ａ　流路口
　１１４　保持部
　１１５　突起部
　１２０　開閉弁（３方弁）
　１２１　ボディ
　１３０　マスフローコントローラ
　１３１　ボディ
　１３５　継手ブロック
　１３６　連通管
　１４０　開閉弁（２方弁）
　１４１　ボディ
　１５０　継手ブロック
　１５１　導入管
　１６０　継手ブロック
　１６１　接続管
　１６２　排出管
　２００　保持部材
　３００　連通管
　４００　供給管部
　５００　ベースプレート
　５０１　支持部
　５０２　設置面
　５０３　ネジ孔
　６００　プロセスガス供給源
　７００　ガスボックス
　７１０　タンク
　７２０　バルブ
　８００　処理チャンバ
　９００　排気ポンプ
　１０００　半導体製造装置
　Ａ１，Ａ２，Ａ３　流体制御アセンブリ
　ＢＡ　ベースブロックアセンブリ
　Ｇ１　長手方向(上流側)
　Ｇ２　長手方向(下流側)
　ＧＫ　ガスケット
　Ｗ１　幅方向（正面側）
　Ｗ２　幅方向（背面側）
　ＷＬ　溶接材料

Claims (7)

  1. 　所定方向に沿って上流側と下流側とに配置される第１および第２のベースブロックであって、上面と、前記上面に対向する底面と、前記上面から前記底面側に向けて延びるとともに前記所定の方向において互いに対向する上流側端面および下流側端面とをそれぞれ画定する第１および第２のベースブロックと、
    　流体流路を画定するボディを有し当該ボディの底面に前記流体流路の流路口を２つ有する、前記第１および第２のベースブロックの上面にそれぞれ設置される第１および第２の流体用機器と、を有し、
    　前記第１および第２のベースブロックの各々は、
    　前記所定方向の上流側と下流側とで分離して形成された上流側流路および下流側流路と、
    　前記所定方向の上流側と下流側とに形成され、前記上面で開口しかつ前記底面側に向けて延びる上流側ネジ穴および下流側ネジ穴と、を有し、
    　前記上流側流路および下流側流路は、前記上面で開口する流路口から前記底面に向けて延びる第１流路と、前記第１流路と前記ベースブロック内部で接続され前記所定方向の上流側端面または下流側端面に向けて延びる第２流路とをそれぞれ有し、
    　前記第１および第２のベースブロックの上流側ネジ穴および下流側ネジ穴は、上面視において、少なくとも一部が対応する前記第２流路と重複するように配置されているとともに、対応する前記第２流路の上方で閉塞し、
    　前記第１および第２の流体用機器のボディを貫通して前記第１および第２のベースブロックの前記上流側ネジ穴および下流側ネジ穴にそれぞれ螺合する締結ボルトの締結力により、前記第１および第２のベースブロックと前記第１および第２の流体用機器のボディとがそれぞれ連結されるとともに、前記ベースブロックの上面の流路口とそれぞれ突き合わされた前記第１および第２の流体用機器のボディの対応する流路口との周囲に配置されたシール部材が前記第１および第２のベースブロックと前記第１および第２の流体用機器のボディとの間で圧せられ、
    　前記第１および第２のベースブロックの各々は、前記上流側端面および下流側端面から前記所定方向に突出する突出管部を有し、
    　前記突出管部の各々は、対応する前記第２流路と連通しており、
    　前記第１のベースブロックの下流側端面の突出管部と前記第２のベースブロックの上流側端面の突出管部とは、気密又は液密に接続されている、ことを特徴とする流体制御装置。
  2. 　前記第１および第２のベースブロックは、締結部材を貫通させるための貫通孔を有していない、ことを特徴とする請求項１に記載の流体制御装置。
  3. 　前記第２流路は、前記上面と底面との間で当該底面側に偏倚して配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の流体制御装置。
  4. 　前記第１および第２のベースブロックを含む流体流路を画定する複数のベースブロックが互いに接続されて形成されるベースブロックアセンブリを有し、
    　前記ベースブロックアセンブリの各々に流体用機器がそれぞれ単独で設置され、
    　前記ベースブロックアセンブリを構成するベースブロックのいずれもが締結部材を貫通させるための貫通孔を有していない、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の流体制御装置。
  5. 　プロセスガスの流量制御に請求項１～４のいずれかに記載の流体制御装置を用いたことを特徴とする流量制御方法。
  6. 　密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置、フラットパネルディスプレイ、ソーラーパネル等の製品の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項１～４のいずれかに記載の流体制御装置を用いたことを特徴とする製品製造方法。
  7. 　処理チャンバにプロセスガスを供給するための流体制御装置を有し、
    　前記流体制御装置は、請求項１～４のいずれかに記載の流体制御装置を含む、
    ことを特徴とする半導体製造装置。
     
PCT/JP2017/037042 2016-10-24 2017-10-12 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法 WO2018079288A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/344,235 US11091837B2 (en) 2016-10-24 2017-10-12 Fluid control system and product manufacturing method using fluid control system
KR1020197014791A KR20190075100A (ko) 2016-10-24 2017-10-12 유체제어장치 및 이 유체제어장치를 사용한 제품 제조방법
JP2018547547A JP6917068B2 (ja) 2016-10-24 2017-10-12 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法
CN201780065862.4A CN109891138B (zh) 2016-10-24 2017-10-12 流体控制装置和使用该流体控制装置的制品制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-207603 2016-10-24
JP2016207603 2016-10-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018079288A1 true WO2018079288A1 (ja) 2018-05-03

Family

ID=62024125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/037042 WO2018079288A1 (ja) 2016-10-24 2017-10-12 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11091837B2 (ja)
JP (1) JP6917068B2 (ja)
KR (1) KR20190075100A (ja)
CN (1) CN109891138B (ja)
TW (1) TWI671615B (ja)
WO (1) WO2018079288A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021004669A (ja) * 2019-06-27 2021-01-14 株式会社フジキン 流体制御装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018079288A1 (ja) * 2016-10-24 2018-05-03 株式会社フジキン 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法
JP7207761B2 (ja) * 2018-02-28 2023-01-18 株式会社フジキン バルブ装置および流体制御装置
US11492701B2 (en) * 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005539375A (ja) * 2002-08-27 2005-12-22 セレリティ・インコーポレイテッド 共通の平面にマニホルド接続を有するモジュール式基板ガスパネル
JP2008298179A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Fujikin Inc 流体制御装置およびその組立方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS622081A (ja) * 1985-06-10 1987-01-08 エムコ−ル，インコ−ポレイテツド モジユ−ル式ガス取扱装置
JP3605705B2 (ja) * 1995-07-19 2004-12-22 株式会社フジキン 流体制御器
JP3997338B2 (ja) 1997-02-14 2007-10-24 忠弘 大見 流体制御装置
KR19990023751A (ko) 1997-08-21 1999-03-25 나카니시 마사히고 집적화가스제어장치에 있어 매스프로우콘트롤러 접속용 변환연결구
JP2002089798A (ja) * 2000-09-11 2002-03-27 Ulvac Japan Ltd 流体制御装置およびこれを用いたガス処理装置
WO2003038537A1 (en) * 2001-11-01 2003-05-08 The Chicago Faucet Company Apparatus for controlling fluid flow and temperature
US20050000570A1 (en) * 2003-01-17 2005-01-06 Mohammed Balarabe Nuhu Combination manual/pneumatic shut-off valve
JP4677805B2 (ja) * 2005-03-22 2011-04-27 株式会社フジキン 流体制御装置
JP2008298177A (ja) 2007-05-31 2008-12-11 Fujikin Inc 流体制御装置
JP5127304B2 (ja) * 2007-05-31 2013-01-23 株式会社フジキン 流体制御装置
US7806143B2 (en) * 2007-06-11 2010-10-05 Lam Research Corporation Flexible manifold for integrated gas system gas panels
JP4997157B2 (ja) * 2008-03-26 2012-08-08 株式会社フジキン 流体制御装置
JP5789571B2 (ja) * 2012-07-31 2015-10-07 Ckd株式会社 流体継手、流体機器マニホールド
WO2014136557A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 株式会社フジキン 流体制御装置および流体制御装置へのサーマルセンサ設置構造
TWI646278B (zh) 2013-12-05 2019-01-01 Ｃｋｄ股份有限公司 Piping joint, fluid supply control device, and piping connection structure
JP6630483B2 (ja) * 2015-03-31 2020-01-15 株式会社フジキン センサ保持具および流体制御装置
JP6539482B2 (ja) * 2015-04-15 2019-07-03 株式会社フジキン 遮断開放器
WO2017073596A1 (ja) * 2015-10-30 2017-05-04 株式会社フジキン 配管接続構造、配管接続具及び配管の接続方法
CN205235731U (zh) * 2015-12-14 2016-05-18 厦门宇净环保科技有限公司 组合式脱硝装置
CN109563942B (zh) * 2016-06-21 2020-04-10 株式会社富士金 流体控制装置
US10830367B2 (en) * 2016-06-21 2020-11-10 Fujikin Incorporated Fluid control system
KR102177916B1 (ko) * 2016-09-12 2020-11-12 가부시키가이샤 후지킨 유체제어장치, 이것에 사용하는 베이스 블록 및 유체제어장치의 제조 방법
WO2018079288A1 (ja) * 2016-10-24 2018-05-03 株式会社フジキン 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法
WO2018168559A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社フジキン 継手および流体制御装置
US20200248310A1 (en) * 2017-08-31 2020-08-06 Fujikin Incorporated Joint block and manufacturing method thereof
KR102607020B1 (ko) * 2017-09-19 2023-11-29 가부시키가이샤 호리바 에스텍 농도 제어 장치 및 재료 가스 공급 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005539375A (ja) * 2002-08-27 2005-12-22 セレリティ・インコーポレイテッド 共通の平面にマニホルド接続を有するモジュール式基板ガスパネル
JP2008298179A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Fujikin Inc 流体制御装置およびその組立方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021004669A (ja) * 2019-06-27 2021-01-14 株式会社フジキン 流体制御装置
JP7333944B2 (ja) 2019-06-27 2023-08-28 株式会社フジキン 流体制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109891138B (zh) 2020-07-07
US11091837B2 (en) 2021-08-17
CN109891138A (zh) 2019-06-14
TWI671615B (zh) 2019-09-11
JP6917068B2 (ja) 2021-08-11
JPWO2018079288A1 (ja) 2019-09-12
KR20190075100A (ko) 2019-06-28
US20190264326A1 (en) 2019-08-29
TW201823900A (zh) 2018-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018079288A1 (ja) 流体制御装置およびこの流体制御装置を用いた製品製造方法
WO2018047907A1 (ja) 流体制御装置、これに用いるベースブロックおよび流体制御装置の製造方法
US11427911B2 (en) Valve device, fluid control device and semiconductor manufacturing apparatus using the valve device
WO2017221893A1 (ja) 流体制御装置
US11365830B2 (en) Valve device, fluid control device and semiconductor manufacturing apparatus using the valve device
US11320056B2 (en) Valve device
WO2017221891A1 (ja) 流体制御装置
US11397443B2 (en) Fluid control device and semiconductor manufacturing apparatus
JP7376935B2 (ja) 流路アセンブリ、この流路アセンブリを用いたバルブ装置、流体制御装置、半導体製造装置および半導体製造方法
JPH10332020A (ja) ガス制御バルブ
JP2020035291A (ja) 流量制御装置、流量制御方法、流体制御装置、半導体製造装置および半導体製造方法
WO2020137572A1 (ja) 流体制御装置、継手ブロック及び流体制御装置の製造方法
JP2020159477A (ja) バルブ装置、このバルブ装置を用いた流体制御装置および半導体製造装置
TW202106997A (zh) 閥裝置、流體控制裝置及閥裝置的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17863916

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018547547

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197014791

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17863916

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1