JP2005539375A

JP2005539375A - 共通の平面にマニホルド接続を有するモジュール式基板ガスパネル

Info

Publication number: JP2005539375A
Application number: JP2004531639A
Authority: JP
Inventors: ブ，キム・ンゴク
Original assignee: Celerity Inc
Current assignee: Celerity Inc
Priority date: 2002-08-27
Filing date: 2003-08-26
Publication date: 2005-12-22
Also published as: AU2003262953A8; US20040129324A1; US7225835B2; US7334605B2; TW200419630A; CN100396980C; WO2004021412A3; EP1543544A2; WO2004021412A2; KR20060017577A; CN1682054A; TWI244669B; US20060011247A1; AU2003262953A1

Abstract

ガスパネルは、第１のガススティック、第２のガススティック、および第１のマニホルドを含む。第１のガススティックは、共通の平面に形成された第１の複数のポートを含む第１の流路を有し、第２のガススティックは、共通の平面に形成された第２の複数のポートを含む第２の流路を有する。第１のマニホルドの第１および第２のポートは共通の平面に形成され、第１のポートは第１のガススティックの第１の複数のポートのうち１つに流体的に接続され、第２のポートは第２のガススティックの第２の複数のポートのうち１つに流体的に接続される。断熱および振動絶縁装着アセンブリを用いて、第１および第２のガススティックを装着プレートに装着し得る。

Description

発明の背景
発明の分野
本発明は流体分配システムに向けられ、より特定的には、構成要素と流体流路との間の接続が共通の平面に形成される流体分配システムに向けられる。

関連技術の説明
流体分配システムは、半導体装置の製造、製薬化合物の製造などを含むさまざまな適用例で用いられている。これらの適用例の多くにおいて、流体分配システムのサイズはコストに劇的に影響を及ぼし得る。たとえば、半導体装置の製造においては、流体分配システムまたはそのある部分がクリーンルームなどの極めて清浄な環境に収容されることが典型的である。さらに、半導体の製造で用いられる流体の多くが有毒である、反応性が高い、またはその両者であるため、そのような流体分配システムはしばしば特別な封じ込めおよび通気機器を必要とする。そのようなシステムにとって、流体分配システムのサイズのいかなる低減も有利である。

発明の要約
この発明の１つの実施例に従うと、流体の分配を可能にするためのシステムが設けられる。このシステムは、第１の表面に形成される第１の基板ポートおよび第２の基板ポート、ならびに第１の方向に延在し、かつ第１の基板ポートを第２の基板ポートに流体的に接続（fluidly connect）する第１の流体通路を含む基板本体を有する基板と、マニホルドとを備える。マニホルドは、第１の表面に形成される第１のマニホルドポートと、第１の表面を横断する第２の表面に形成される第２のマニホルドポートと、第１のマニホルドポートを第２のマニホルドポートに流体的に接続する流体通路とを含むマニホルド本体を有する。基板は、第２の方向に延在し、かつ基板本体の第１の表面に形成されるチャネルをさらに含み、このチャネルは、基板本体の第１の表面とマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するようにマニホルドを位置決めするように適合される。

この発明の別の実施例に従うと、基板が設けられ、基板は、基板本体と、基板本体の第１の表面に形成される第１のポートおよび第２のポートと、基板本体に形成され、第１の方向に延在し、第１のポートを第２のポートに流体的に接続する第１の流体通路と、チャネルとを備える。チャネルは、基板本体の第１の表面に形成され、第１の方向とは異なる第２の方向に延在する。チャネルは、基板本体の第１の表面とマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように、マニホルド本体の第１の表面に形成される第１のポートと、マニホルド本体の第２の表面に形成される第２のポートと、マニホルドの第１のポートをマニホルドの第２のポートに流体的に接続する流体通路とを含むマニホルド本体を有するマニホルドを位置決めするように適合される。

この発明のさらなる実施例に従うと、第１のガススティック、第２のガススティック、および第１のマニホルドを備えるガスパネルが設けられる。第１のガススティックは、共通の平面に形成される第１の複数のポートを含む第１の流路を有し、第２のガススティックは、共通の平面に形成される第２の複数のポートを含む第２の流路を有する。第１のマニホルドの第１および第２のポートは共通の平面に形成され、第１のポートは第１のガススティックの第１の複数のポートのうち１つに流体的に接続され、第２のポートは、第２
のガススティックの第２の複数のポートのうち１つに流体的に接続される。

この発明の別の実施例に従うと、マニホルドが設けられる。マニホルドは、基板本体を有する基板で受けられるように適合され、基板本体は、基板本体の第１の表面に形成される第１および第２の基板ポートと、第１の方向に延在し、かつ第１および第２の基板ポートを流体的に接続する第１の基板流体通路と、第２の方向に延在し、基板本体の第１の表面に形成されるチャネルとを含む。マニホルドは、マニホルド本体と、マニホルド本体の第１の表面に形成される少なくとも１つの第１のマニホルドポートと、マニホルド本体の第１の表面を横断するマニホルド本体の第２の表面に形成される第２のマニホルドポートと、マニホルド本体に形成され、第２の方向に延在し、少なくとも１つの第１のマニホルドポートを第２のマニホルドポートに流体的に接続するマニホルド流体通路とを備える。マニホルド本体は、基板本体の第１の表面とマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するようにチャネル内に位置決めされるように寸法決めされる。

この発明の別の局面に従うと、装着アセンブリが設けられる。１つの実施例に従うと、装着アセンブリは第１および第２の部材ならびに第１の固定具を備える。第１の部材は本体を有し、この本体は、その両面に、第１の方向に面する第１の表面と、第１の方向とは反対の第２の方向に面する第２の表面とを含む。第２の表面は、その周に隣接して配設される溝を含む外側部分と、外側部分から第２の方向に延在する中央部分とを有する。第２の部材は本体を有し、この本体は、その両面に、第１の方向に面する第１の表面と第１の方向とは反対の第２の方向に面する第２の表面とを含む。第２の表面は、中央部分と、中央部分から延在し、かつその周に隣接して配設される溝を含む外側部分とを有する。第２の部材の本体は、第１の表面から本体を通り第２の表面の中央部分を通って延在する通し孔をさらに含む。第１の固定具は、第２の部材の本体の通し孔内で受けられ、かつ本体第１の部材の第２の表面の中央部分と係合するように寸法決めされるねじ切りされたシャンクを有する。

別の実施例に従うと、第１の表面と第１の表面に平行な第２の表面とを有するプレートに流体分配基板を装着するための装着アセンブリが設けられる。装着アセンブリは、第１および第２の装着部材と、第１および第２の固定具とを備える。第１の装着部材はプレートの第１の表面に隣接して配設され、これは雌ねじを切られた通し孔を有する。第１の固定具は、第１の装着部材の雌ねじを切られた通し孔と係合し、基板を第１の装着部材に硬く取付ける雄ねじを切られたシャンクを有する。第２の装着部材はプレートの第２の表面に隣接して配設され、これも通し孔を有する。第２の固定具は第１の装着部材の雌ねじを切られた通し孔と係合し、第１の装着部材に第２の装着部材を硬く取付ける雄ねじを切られたシャンクを有する。装着アセンブリは熱および振動について基板をプレートから分離するための手段をさらに備える。

この発明の別の局面に従うと、装着プレートを通って装着プレートの第１の表面から装着プレートの第２の表面に延在する孔を有する装着プレートに基板を取付ける方法が提供される。この方法は、孔に隣接する第１の表面上に上側マウントサブアセンブリを位置決めし、孔に上側サブアセンブリの中央部分を通すステップと、上側マウントサブアセンブリの中央部分が下側マウントサブアセンブリの中央部分内に配設されるように、孔に隣接する第２の表面上に下側マウントサブアセンブリを位置決めするステップと、下側マウントサブアセンブリを上側マウントサブアセンブリに固定するステップと、基板を上側マウントサブアセンブリに固定するステップとを備える。

添付の図面を縮尺どおりに描くことを意図していない。図面において、さまざまな図に図示される各々の同一のまたはほぼ同一の構成要素は同じ参照番号で表わされる。明瞭性
のため、すべての図面ですべての構成要素が標識付けられ得るわけではない。

詳細な説明
この発明は、その適用において、以下の説明で述べられるまたは図面に図示される構造の詳細および構成要素の配置に限定されるものではない。この発明は、その他の実施例およびさまざまな態様で実施または実践されることが可能である。また、本明細書中で用いられる表現および用語は説明の目的のためのものであり、限定的とみなされるべきではない。本明細書中の「含む」、「備える」または「有する」、「含有する」、「係る」、およびその変形の使用は、この後に列挙される項目およびその均等物ならびに付加的な項目を包含することを意味する。

図１は、この発明の１つの実施例に従う流体分配パネルの平面図である。図１に図示される流体分配パネルは、共通マニホルドに１つまたは複数の異なる処理流体を選択的に与えるのに用い得る。たとえば、流体分配パネルを用いて、共通マニホルドに１つのまたは複数の異なる処理流体を選択的に与え得る。ここで共通マニホルドは、それ自体が流体システムの他の部分または流体処理ツールに流体的に結合され得る。

この発明は、本明細書中では主に半導体プロセス適用例のためのガス状流体の分配について説明されるが、この発明はそのように限定されるのではなく、液体もしくはスラリーなどの他の処理流体、またはガス、液体もしくはスラリーの組合せに用いてもよいことを理解されたい。さらにこの発明は半導体プロセス適用例に限定されるものではなく、化学的適用例、製薬適用例などにも使用してもよい。したがって、この発明は以後、半導体プロセス適用例で用いるためのプロセスガスの分配を行なうシステムを参照して説明されるが、この発明はそのように限定されるものではないことを理解されたい。

概観すると、図１に図示される流体分配パネル１００は、複数のガススティックＡ−Ｌを含む。その各々は、プロセスガスをプロセスガス供給源（図示せず）から受け、かつプロセスガスまたはパージガスなどの別のガスをプロセスツールまたはガスシステムの別の部分に与えるように適合される。ガススティックＡ−Ｌの各々は、第１の方向（図１の下から上）に延在しかつ共通の平面に形成される複数のポートを含む流路を設ける。バルブ、浄化器、フィルタ、圧力変換器、圧力調整器、スクラバー（moisture scrubber）、マスフローコントローラなど（図示せず）のさまざまな流体処理装置が各々それぞれのガススティックの隣接するポートに封止固定され、流路に沿ってプロセスガスまたはその他のガスを通す。複数のポートを含む第１の共通マニホルド１１０は、ガススティックのうち各々の流路に位置決めされて、プロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれかがガススティックの各々によって第２の共通マニホルド１２０へ与えられるようにする。第２の共通マニホルドも複数のポートを含み、第２の共通マニホルドは、ガススティックのうち各々の流路の端に位置決めされて、１つ以上のプロセスガスまたはその他のガスをプロセスツールまたはガスシステムのさらなる部分に与える。共通マニホルドのうち各々のポートは流路のポートの共通平面内で整列されるので、高さが低くなったガスパネルを得ることができる。そのようなガスパネルをしばしば用いるクリーンルーム環境ではスペースが貴重であるので、これは有利である。さらに、流路の各々を共通マニホルドに流体的に結合するのに必要なシールの数は、基板とマニホルドとが異なる高さで間隔をあけられるガスパネルよりも減少する。さらに、１つ以上の基板の２つのポートをマニホルドのポートに流体的に結合するのに基板を用いる場合、気密封止（leak tight seal）を達成するのに必要な固定具の数を、従来の設計の６つ以上の固定具に対して、４つに減少させることができる。この発明のこれらおよびその他の局面は、添付の図面を参照して詳細に説明される。

図１に示されるように、ガスパネル１００は、各々が共通のベース１０に装着される複
数のガススティックＡ−Ｌを含む。図面には特定的な装着構成を図示していないが、ベースの上からまたはベースの下から周知の多数の方法のいずれを用いてガススティックを共通のベース１０に装着してもよい。ガススティックＡ−Ｌの各々は、典型的にはアレンボルトなどのねじ切りされた固定具を用いて共通のベース１０に固定される１構成要素位置基板（one component position substrate）６０および２構成要素位置基板７０を含む。基板６０、７０の各々は典型的に、意図される流体の使用に好適な、３１６ステンレススチールなどのステンレススチール、ハスタロイ（hastalloy）またはその他の材料のブロックから形成される。基板６０、７０の各々は、マニホルド２０、２５、３０、３５および４０の一部（図９に最も明確に見られる）を受けるように形成されるチャネル６９、７９（図９、図１０、図１１、図１２および図１３に最も明確に見られる）を有する。マニホルド部２０、２５、３０、３５および４０の各々も典型的に、ステンレススチールまたはその他の好適な材料の細長いブロックから形成され、ともに接続されて共通マニホルド１１０、１２０を形成する。たとえば、マニホルド部２０、２５、３０、３５および４０がステンレススチールから形成される場合、マニホルド部は従来の態様で突合せ溶接されて共通マニホルド１１０、１２０を形成し得る。図１に図示される実施例では、ガススティックＡ−Ｌの各々の２構成要素基板７０は、（導管８５を介して与えられる）パージガスをそれぞれのガススティックの流路に選択的に与えるのに用いられるマニホルド部（たとえば、ガススティックＡのマニホルド部３５）を受ける。１構成要素基板６０の各々も、ガススティックＡ−Ｌの各々に共通である共通出口を設けるように用いられ、かつ図１に示されるようにガス処理システムの別の部分９０またはプロセスツールに接続され得るマニホルド部（たとえばガススティックＡのマニホルド部２０）を受ける。図示される実施例では、ガス処理システムの部分９０は、その全体が本明細書中に引用により援用される米国特許第６，３９４，１３８号Ｂ１に記載の複数の相互接続雄基板および雌基板によって形成される。

使用において、各々のガススティックＡ−Ｌは、１対の固定具（図示せず）によってベース１０に固定されるフランジ５０によりプロセスガス供給源に接続される。相補のフランジ（図示せず）は典型的に、フランジ５０とプロセスガス供給源からプロセスガスを提供する導管とに接続される。図８に最もはっきり見られるように、フランジ５０は、（相補のフランジを介した）プロセスガス供給源への接続のためのトップポート５１と、フランジ５０のトップポート５１および基板７０の入口ポート７１に接続されるサイドポート５２とを含む。プロセスガスは、基板７０の内部流体通路（たとえば図１１を参照）を通って基板７０（図１０、図１１）の上面に形成される出口ポート７２へ流れる。２ポートバルブまたはその他の流体処理構成要素（図示せず）が、出口ポート７２と、同様に基板７０の上面に形成されかつ基板７０とともにシールを形成する入口ポート７３との上に位置決めされる。金属ガスケットまたはその他のタイプの封止部材（図示せず）を典型的に用いてポート７２、７３および基板７０の上面のその他のポートのまわりに気密封止を設ける。たとえば、図１に示される実施例では、基板の上面に形成されるポート（およびマニホルド部に形成されるポート）の各々は、環状Ｃ字形状シールを受けるように適合される（番号をふられていないが、図９、図１０、図１１、図１２および図１３に示される）端ぐりを含む。これに代えて、その全体が本明細書中に引用により援用される米国特許第５，８０３，５０７号および米国特許第６，１４２，５３９号に記載のものなどの他のタイプの環状シールを、基板およびマニホルド部の適切に構成されたポートとともに用いてもよい。記載の実施例では、２ポートバルブは、プロセスガスがさらにガススティックに沿って流れるのを選択的に可能にする。

入口ポート７３から、プロセスガスは次に、（図１１に示される）基板７０の本体に形成されるＶ字形状のチャネルを通って、基板７０の上面に同様に形成される出口ポート７４へ流れる。基板７０は、共通マニホルド１１０の一部を受けるのに用いられるチャネル７９を含む。図１に図示される実施例では、たとえば、ガススティックＡの基板７０は、
マニホルド部３５の上面に形成される２つのポート３７、３９（図９）と、上面を横断するマニホルド部３５の表面に形成される別のポート３６とを有する２位置マニホルド部３５を受ける。マニホルド部３５の横断面に形成されるポート３６は別のマニホルド部（たとえば図１および図９のマニホルド部４０）に流体的に接続され、これらはともに共通マニホルド１１０の一部を形成する。基板７０のチャネル７９は、マニホルド部３５の上面に形成されるポート３７、３９のうち１つが基板７０の上面の共通の平面で出口ポート７４および基板７０のチャネル７９の他方側の入口ポート７６と整列されるようにマニホルド部３５を位置決めするように適合される。さらに詳細に後述されるように、チャネルおよびマニホルド部は各々、基板７０の上面に形成されるポート７４、７６とマニホルド部３５の上面のポート（たとえば３７、３９）のうち１つとを整列させるための手段を含んでもよい。

図示される実施例では、３ポートバルブ（図示せず）は、基板７０のポート７４および７６ならびにマニホルド部３５の上面のポート３７、３９のうち１つの上に位置決めされ、複数の固定具（図示せず）によって基板７０に固定される。複数の固定具は、基板７０のチャネル７９の各々の側に少なくとも１つのボア、好ましくは２つのボアを含む基板７０の上面のボアで受けられる。有利には、バルブとともに気密シールを形成するには固定具が４つだけ（チャネルの７９の各々の側に２つずつ）必要であるが、従来の設計では伝統的に各ポートごとに２つの固定具が必要であり、すなわちポートが３つの場合に気密シールを達成するには合計６つの固定具が必要であった。チャネル７９の各々の側で受けられる固定具は、ガスケット（図示せず）またはその他の封止部材とともに、基板のポート７４、７６およびマニホルド部３５の上面のポート３７または３９の間で漏れのないシール（leak free seal）を形成する。３ポートバルブは、共通マニホルド１１０によって導かれるプロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれか１つが、基板７０の入口ポート７６を基板７０の出口ポート７８に接続するＶ字形状のチャネル（図１１を参照）を介して与えられるようにする。図示された実施例では、マスフローコントローラ（図示せず）の入口ポートは基板７０の出口ポート７８に流体的に接続され、プロセスガスまたは他のガスのいずれかを、マスフローコントローラの出口ポートを介して１構成要素位置基板６０の入口ポート６１に与える。マスフローコントローラは基板７０と基板６０との橋渡しをする。

図１２および図１３に最もよく図示されるように、１構成要素位置基板６０は、Ｖ字形状の通路によって接続される、基板６０の上面に形成される入口ポート６１および出口ポート６２を含む。基板６０の上面には少なくとも１つのボア、好ましくは２つのボアが形成されて、マスフローコントローラの出口ポートを基板６０の入口ポート６１に封止固定する。

基板６０は、共通マニホルド１２０の一部を受けるのに用いられるチャネル６９も含む。図１の図示される実施例では、たとえば、ガススティックＡの基板６０は、マニホルド部２０の上面に形成されるポート２２（図９）と上面を横断するマニホルド部２０の対向面に形成される１対のポート２１、２３とを有する１位置マニホルド部２０を受ける。マニホルド部２０の横断面に形成されるポート２１、２３の一方は、他のマニホルド部を介して他のガススティックＢ−Ｌの出口ポート６２に流体的に接続される別のマニホルド部（たとえば図１のマニホルド部４０）に流体的に接続され、ポート２１、２３の他方は、プロセスツールまたはガスシステムの別の部分９０のいずれかに流体的に接続される導管８０に流体的に接続される。

基板６０のチャネル６９は、上面に形成されるポート２２が基板６０の上面の共通平面において基板６０の出口ポート６２と整列するようにマニホルド部２０を位置決めするように適合される。以下にさらに詳述されるように、チャネル６９およびマニホルド部２０
は各々、基板６０の上面に形成される出口ポート６２とマニホルド部２０の上面に形成されるポート２２とを整列させるための手段を含んでもよい。

図示される実施例では、２ポートバルブ（図示せず）は、基板６０のポート６２およびマニホルド部２０の上面のポート２２の上に位置決めされ、複数の固定具（図示せず）によって基板６０に固定される。基板６０のチャネル６９の各々の側に少なくとも１つのボア、好ましくは２つのボアを含む基板６０の上面のボアで複数の固定具が受けられる。チャネル６９の各々の側で受けられる固定具は、ガスケット（図示せず）またはその他の封止部材とともに、基板６０のポート６２およびマニホルド部２０の上面のポート２２の間で漏れのないシールを形成する。２ポートバルブにより、プロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれか１つが共通マニホルド１２０へ、かつ共通マニホルドからシステムの別の部分９０へ与えられるようになる。

図９は、この発明の実施例に従うガスパネルを形成するのに用い得る多数のマニホルド部２０、２５、３０、３５および４０を図示する。マニホルド部２０、２５、３０、３５および４０は、その各々が細長いブロックから形成されるマニホルド本体を含み、かつマニホルド本体の上面に形成される少なくとも１つのポートおよびマニホルド本体の上面を横断するマニホルド本体の表面に形成される少なくとも１つのポートを含む点で類似している。さらに、マニホルド部の各々は、マニホルド本体の上面に形成されるポートまたは複数のポートを基板６０、７０の上面に形成される１つ以上のポートと整列させるための手段を含む。図示される実施例では、マニホルド部の各々は、マニホルド本体の横断面に形成され、かつポートのいずれかの側の横断面上で互いに間隔をあけられた１対の溝を含み、この溝は、マニホルド本体の上面のポートと基板のポートまたは複数のポートとを整列させるのに用いられる。代替的に溝を１つだけ用いてもよく、またその全体が本明細書中に引用により援用される公開米国出願番号ＵＳ２００２／００００２５６Ａ１に図示されるものなどの、当業者には公知の他の整列手段を用いることができることを理解されたい。

図９に示されるように、マニホルド部２０は、マニホルド本体の上面に形成される単一のポート２２と、マニホルド本体の上面を横断するマニホルド本体の対向面に形成される１対のポート２１、２３とを含む。マニホルド本体の縦方向の軸に沿って形成される内部流体通路は、横断面に形成されるポート２１、２３の各々に上面ポート２２を接続する。

マニホルド部２５はマニホルド部２０と同様であるが、しかしながら、マニホルド部２５は、マニホルド本体の横断面に形成されるポート２６は１つしか含まない。マニホルド部２５は典型的に、隣接するマニホルド部の相互接続によって形成される共通流体マニホルド１１０、１２０を終端するのに用いられる。

マニホルド部３０は、マニホルド本体の対向する横断面に形成される１対のポート３１、３３を含む点でマニホルド部２０と同様である。しかしながら、マニホルド部３０は、マニホルド本体の上面に形成される２つのポート３２、３４を含む。ポート３１、３２、３３および３４の各々は、マニホルド本体の縦方向の軸に沿ってマニホルド本体に形成される内部流体通路と連通する。マニホルドの上面に形成されるポート３２、３４の各々は、マニホルド本体の各々の側に形成される複数の整列溝によって囲まれる。マニホルド部３０は、第１のガススティックおよび第２のガススティックの流路の一部を別のマニホルド部に流体的に接続して、これにより共通マニホルド１１０、１２０とするのに用いられ得る。

別のマニホルド部３５は、マニホルド本体の上面に形成される１対のポート３７、３９と、マニホルド本体の横断面に形成される単一のポート３６とを含む。マニホルド部３５
は、共通マニホルド１１０、１２０を終端するのに用い得るという点でマニホルド２５と同様である。しかしながら、マニホルド部３５は、２つのガススティックの流体流路の一部をたとえば図１に図示されるものなどの共通マニホルド１１０、１２０に接続するのに用いられる。

マニホルド部は、マニホルド本体の上面に形成される３つのポート４１、４２、４３と、上面を横断するマニホルド本体の対向面に形成される１対のポート４７、４９とを含む３位置マニホルド部４０も含む。マニホルド部４０の側面の各々は、マニホルド本体の各々の側面に形成され、かつポート４１、４２および４３の各々に隣接して位置決めされる複数対の溝を含み、これら溝は、それぞれの基板のポートとマニホルド部４０のポートとを整列させるのに用いられ得る。

本明細書中では多数の異なるマニホルド部２０、２５、３０、２５および４０が説明されるが、この発明は図示される実施例に限定されるものではないことを理解されたい。たとえば、マニホルド本体の上面に４つ以上のポートが形成され、マニホルド本体の横断面に単一のポートのみが形成され、またはマニホルド本体の対向する横断面に２つのポートが形成されるマニホルド部を用いてもよい。マニホルド部の上面に形成されるポートは環状Ｃ字形のシールを受けるように適合される端ぐりを含むものとして図示されるが、これとともに標準的な流体処理構成要素を用い得るように代替的に異なるポート構成を用いてもよいことをさらに理解されたい。さらに、マニホルドの上面に形成されるすべてのポートが同じタイプの封止構成を有する必要はなく、１つのポートで１つのタイプのシールを用いてもよく、一方、別のポートで別のタイプのシールを用いてもよい。

図９、図１０、図１１、図１２および図１３に示されるように、基板のチャネル６９、７９内でマニホルド部を整列させるのに用い得る整列溝は、基板６０および７０のチャネルのうち各々の側面に形成されてもよい。使用において、マニホルド部は、チャネル６０、７０およびマニホルド部の整列溝がほぼ整列されるようにチャネル６９、７９の中に挿入され、次にチャネル６９、７９内でマニホルドを正確に整列させるように整列溝の各対の中に整列ピン６７、７７を上から挿入する。整列ピン６７、７７はいずれの好適な材料から作られてもよいが、万一何らかの漏れが起った場合でもチャネル内のマニホルド部の整列が乱れないように、用いられる処理流体に対して不活性である材料から形成されるのが好ましい。

整列ピン６７、７７の各々は、整列ピンが基板およびマニホルド部の溝の中に挿入された際に、基板およびマニホルドのポートとその上に固定される流体構成要素との間の封止に干渉するのを避けるように、整列ピンの上面が基板およびマニホルド部の上面よりも高くならないような長さを有する。図面には示されないが、チャネルの側面の溝は、整列ピンの長さがチャネルの深さよりも大きくてもよいが完全に挿入された際に基板の上面よりも依然として低くなっているように、チャネル６９、７９のベースの中へ延在し得る。

図１１および図１３に図示されるように、基板６０、７０の各々はチャネルのベースに形成される開口６５、７５を含み得、この開口は、チャネルの中に挿入された後にマニホルド部を取外すのに用いられ得る。たとえば、ねじ回しなどの剛性部材を基板の下から挿入し、チャネルからマニホルド部を取り外すのに用いてもよい。これに代えて、ねじ切りされた部材が開口６５、７５に徐々に挿入されてマニホルド部を取外し得るように、チャネルのベースの開口６５、７５にねじ山が切られてもよい。

図１０、図１１および図１２の各々にも示されるように、基板６０、７０の上面の少なくとも１つのポートは、基板の上面に形成されるリークポート（leak port）９５を含んでもよい。典型的に、リークポート９５は、流体構成要素が流体的に接続されるポートの
各々の対の間に設けられる。

本明細書中に説明される実施例では、共通マニホルド１１０、１２０の各々は、ガス処理システムの別の部分９０に流体的に接続される。本発明はこの図示される構成に限定されるものではないことを理解されたい。たとえば、共通マニホルド１１０は代わりに、フランジ５０によって直接に別のガス供給源に流体的に接続されてもよい。さらに、基板６０、７０の各々は単一のチャネル６９、７９がその中に形成されたものとして示されるが、これに代えて、さまざまな流体をガススティックＡ−Ｌの各々に導入し得る、または代替的にガススティックのうち１つ以上に導入し得るように複数のチャネルを設けてもよい。さらに、ガススティックＡ−Ｌの各々において２ポートバルブ、３ポートバルブ、およびマスフローコントローラを用いる特定の構成が説明されたが、この発明はそのように限定されるものではないことを理解されたい。これにより、この発明の教示に従うと、２つよりも多くの構成要素ステーションを単一の基板上に設けてもよい。たとえば、基板７０は、フィルタ、圧力変換器もしくは圧力調整器または従来から提供される他のさまざまな流体処理構成要素を受けるように適合された１つ以上のさらなる構成要素ステーションを含んでもよい。さらに、基板の各々に装着される流体構成要素が各々のガススティックにおいて同じである必要はない。無数の異なる構成要素の組合せが容易に企図され得る。

さらに、この発明は主に端ぐり型のシールを利用する流体処理構成要素の観点で説明されたが、ガスパネルが広範な市販のおよび／または標準的な構成要素を収容できるように、フェースマウント（face mounted）構成要素、カートリッジ装着構成要素などの他のタイプの流体処理構成要素を用いてもよいことを理解されたい。さらに、基板６０、７０をベース１０に装着するための特定的な構成が示されていないが、いずれの数の装着方法を用いてもよいことを理解されたい。

図１４から図２８は、この発明の別の実施例に従う流体分配パネルを図示する。図１−図１３について上述された実施例と同様に、図１４から図２８の実施例は、基板の上面に形成されるポートと、共通マニホルドの上面または共通マニホルドの部分に形成されるポートとが共通の平面で整列するようにする。この目的のため、基板の多くは、基板の上面に形成され、かつマニホルド部を受け得るチャネルを含む。しかしながら、マニホルド部およびチャネルの側面に形成される溝に嵌合する整列ピン（たとえば図９−図１３の整列ピン６７および７７）を用いるよりもむしろ、図１４から図２８の実施例は、基板およびマニホルド部のポートを整列させるための異なる手段を用いる。たとえば、図２２に図示されるように、マニホルド部の上面のポートと基板の上面の１つ以上のポートとを整列させるために、相補の整列柱２８１および整列孔２８２をチャネルのベースおよびマニホルド部のベースに設けてもよい。整列柱は、示されるようにマニホルド部のベースに整列孔が形成された状態でチャネルのベースに形成されてもよく、これに代えて、整列柱は、チャネルのベースに整列孔が形成された状態でマニホルド部のベースに形成されてもよい。

図１−図１３の実施例と図１４−図２８の実施例との間の別の相違点は、バルブまたはフィルタなどのガス処理構成要素のマウンティング（mounting）を用いて共通の平面でポートの整列を固定させるよりもむしろ、図１４−図２８の実施例は機械的な固定具を用いて、共通の平面内でマニホルド部および基板の上面を固定することである。さらに詳細に後述されるように、基板のチャネル内でマニホルド部を固く装着することにより、作製された流路は、ショックまたは振動によって生じる漏れの影響を実質的により受けにくくなる。

図１−図１３の実施例と図１４−図２８の実施例との間のさらなる相違点は、図１４−図２８の実施例では、構成要素基板（およびその他の構成要素）の各々が、パネルのベースに固く取付けられ得る装着プレートに弾力的に装着されることである。特に、フローテ
ィングマウント（floating mount）を用いてさまざまな構成要素を装着プレートに取付ける。フローティングマウントは、３つの直交する方向にその動きが限定され、大きな引張り強さおよびせん断強度を与え、構成要素を装着プレートおよびベースから熱的に切り離し（これによりまずベースの熱質量（thermal mass）を加熱または冷却しなくても構成要素を効果的に加熱または冷却できるようになる）、かつ振動の減衰を与えるものである。図１４−図２８の実施例のこれらおよびその他の局面を以下に詳細に説明する。

図１４に図示される流体分配パネル２００は複数のガススティックＡ−Ｌを含む。ガススティックの各々は、プロセスガス供給源（図示せず）からプロセスガスを受け、かつプロセスガスおよび／またはパージガスなどの別のガスをガスシステムの別の部分またはプロセスツールに与えるように適合される。ガススティックＡ−Ｌの各々は、第１の方向（図１４の上から下）に延在し、かつ共通の平面に形成される複数のポートを含む流路を設ける。バルブ、浄化器、フィルタ、圧力変換器、圧力調整器、スクラバ、マスフローコントローラなど（図示せず）などのさまざまな流体処理装置が各々それぞれのガススティックの隣接するポートに封止固定され、流路に沿ってプロセスガスまたは他のガスを通す。複数のポートを含む第１の共通マニホルド２１１０は、複数のガススティック（すなわちガススティックＡ−Ｆ）の流路の中に位置決めされて、プロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれかがガススティックの各々によって第２の共通マニホルド２１２０に与えられるようにする。第２の共通マニホルド２１２０も複数のポートを含み、ガススティックＡ−Ｅのうち各々の流路の端に位置決めされて、１つ以上のプロセスガスまたは他のガスをプロセスツールまたはガスシステムのさらなる部分（たとえば混合基板４１０）に与える。複数のポートを含む第３の共通マニホルド２１３０は、１つ以上のガススティックＨ−Ｌからプロセスガスを受け、それらのプロセスガスまたはプロセスガスの組合せをプロセスツールまたはガスシステムのさらなる部分（たとえば混合基板４１０）に与えるように位置決めされる。図１について上述された流体分配パネルと同様に、共通マニホルドのうち各々のポートは流路のポートの共通平面内で整列されるので、高さが低くなったガスパネルを得ることができる。

図１４に示されるように、ガスパネル２００は複数のガススティックＡ−Ｌを含む。図１で説明された流体分配パネルとは対照的に、ガススティックの各々が共通のベース（たとえば図１のベース１０）に直接に固く装着されるよりもむしろ、図１４のガススティックＡ−Ｌの各々は、（図２６および図２７についてさらに詳細に後述される）フローティングマウントを用いて装着プレート２１０に弾力的に装着される。フローティングマウントは次に、ベース（図示せず）または他の剛性構造に装着される。図１４の説明される実施例では、装着プレート２１０は、図１５および図６に図示される態様で折り曲げられる一片のシート状金属から形成され得る。より詳細に後述されるように、装着プレート２１０は図１のベース１０よりもかなり熱質量が低い。これにより、ガススティックを形成する基板を通って延在する孔５００（たとえば図１５を参照）に挿入される加熱または冷却スティックを用いて効果的な態様でガススティックＡ−Ｌのうち１つ以上を加熱または冷却し得る。ガススティックをさらに熱的に分離するため、代替的に、熱伝導性よりもむしろ、プラスチックなどの断熱性の剛性材料から装着プレート２１０を作製してもよい。

ガススティックＡ−Ｅの各々は、アレンボルトなどのねじ切りされた固定具を典型的には用いて装着プレート２１０に弾力的に固定される１構成要素位置基板２６０および２構成要素位置基板２７０を含む。基板２６０、２７０の各々は、典型的に、意図される流体とともに用いるのに好適な、３１６ステンレススチールなどのステンレススチール、ハスタロイ、または他の材料のブロックから形成される。基板２６０、２７０の各々は、マニホルド２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５（図２１および図２２に最も明確に見られる）の一部を受けるようにその中に形成されるチャネル２６９、２７９（図２２および図２３に最も明確に見られる）を有する。マニホルド部２２０、２
２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５の各々も典型的にステンレススチールまたは他の好適な材料の細長いブロックから形成され、ともに接続されて共通マニホルド２１１０、２１２０および２１３０を形成する。たとえば、マニホルド部がステンレススチールから形成される場合、マニホルド部は、従来の態様でともに突合わせ溶接されて、共通マニホルド２１１０、２１２０および２１３０を形成し得る。

図１４に図示される実施例では、ガススティックＡ−Ｆのうち各々の２構成要素位置基板２７０は、（パージガス入口２０１から導管２８５および基板インサート４３５Ａを介して与えられる）パージガスをそれぞれのガススティックの流路に選択的に与えるのに用いられるマニホルド部（たとえばガススティックＡのマニホルド部２２０）を受ける。１構成要素位置基板２６０の各々も、ガススティックＡ−Ｅの各々に共通である共通出口を設けるように用いられ、かつ図１４に示されるようにプロセスツールまたはガス処理システムの別の部分に接続され得るマニホルド部（たとえばガススティックＡのマニホルド部２３５）を受ける。図示される実施例では、プロセスガスもしくは複数のガスまたはパージガスは、共通マニホルド２１２０に流体的に接続される左側（left-handed）基板インサート４２０を介して混合入口基板４１０へ、次に別のインサート４３５Ｂを介して混合出口基板４１５へ、次にガス出口２０２へ与えられる。

他のプロセスガスは、ガススティックＧ−Ｌの入口２０３を介して受けられ、（チャネルを含まない）１構成要素位置基板４０５を介して、共通マニホルド２１３０に流体的に接続される他の１構成要素位置基板２６０に与えられ得る。ガススティックＧ−Ｌの中に図示される１構成要素位置基板４０５は典型的に、パージガスへのアクセスを必要としない不活性、非毒性および／または非反応性プロセスガスを受けるのに用いられるであろう。示されるように、ガススティックＧ−Ｌの１つ以上からプロセスガスが右側（right-handed）基板インサート４２５を介して混合入口基板４１０へ、次に別のインサート４３５Ｃを介して混合出口基板４１５へ、次にガス出口２０２へ与えられる。

使用において、各々のガススティックＡ−Ｌは、図示される実施例ではねじ切りされた継手（coupling）を有するガス入口２０３によってプロセスガス供給源に接続される。ガススティックＡ−Ｆについて、プロセスガスは、入口ポート２７１へ（たとえば図２３を参照）、基板２７０の内部流体通路を通って、基板２７０の上面に形成される出口ポート２７２へ流れる。２ポートバルブまたは他の流体処理構成要素（図示せず）は、出口ポート２７２と基板２７０の上面に同様に形成される入口ポート２７３との上に位置決めされ、基板２７０とともにシールを形成する。金属ガスケットまたは他のタイプの封止部材（図示せず）を典型的に用いて、ポート２７２、２７３および基板２７０の上面の他のポートのまわりに気密シールを設ける。図１に示される実施例と同様に、基板２７０の上面に形成されるポートの各々（およびマニホルド部に形成されるポート）は、環状Ｃ字形状シールを受けるように適合される端ぐりを含み得る。これに代えて、米国特許第５，８０３，５０７号および米国特許第６，１４２，５３９号に記載のもののような他のタイプの環状シールを基板およびマニホルド部の適切に構成されたポートとともに用いてもよい。説明された実施例では、２ポートバルブは、プロセスガスがガススティックＡ−Ｆに沿ってさらに流れるのを選択的に可能にする。

入口ポート２７３から、プロセスガスは次に、（図２３に示される）基板２７０の本体に形成されるＶ字形状のチャネルを通って、基板２７０の上面に同様に形成される出口ポート２７４に流れる。基板２７０は、共通マニホルド２１１０の一部を受けるのに用いられるチャネル２７９を含む。図１４の図示される実施例では、たとえば、ガススティックＡの基板２７０は、マニホルド部２２０の上面に形成される単一のポート２２２（図２１）および上面を横断するマニホルド部２２０の対向面に形成される１対のポート２２１、２２３を有する１位置マニホルド部２２０を受ける。マニホルド部２２０の横断面に形成
されるポート２２１、２２３は、導管２８５および別のマニホルド部（たとえば図１４および図２３のマニホルド部２４０）に流体的に接続され、ともに共通マニホルド２１１０の一部を形成する。基板２７０のチャネル２７９は、上面に形成されるポート２２２が、基板２７０の上面の共通平面で出口ポート２７４および基板２７０のチャネル２７９の他方側の入口ポート２７６と整列されるようにマニホルド部２２０を位置決めするように適合される。

バルブまたはフィルタなどのガス処理構成要素または装置の装着を用いて共通の平面でポートの整列を固定する２構成要素位置基板７０に対して、２構成要素位置基板２７０は、チャネル２７９のいずれかの側に配設される１対の固定具２０５を用いて基板のチャネル２７９内にマニホルド部を固く装着する。各々の固定具２０５は、図２３に図示されるようにチャネルの側壁に形成される装着用凹部２９０で受けられる。装着用凹部２９０は一般的に外向きアーチの形状であり、雌ねじを切られた孔２９１で終端し、シェルフまたはエッジ２９２を含む。装着用凹部２９０のエッジ２９２は、（図２６に示される固定具３１５と同様の構造の）固定具２０５の頭部の下側エッジの止めとして働く。各々のマニホルド部２２０、２２５、２３０、２４０、２５５および２６５は、相補の凹部２９５（図２１および図２２を参照）を含む。これにより、固定具２０５が挿入されると、固定具２０５の頭部の下側エッジは基板２７０のチャネル２７９の底部に対してマニホルドをしっかりと押える。一般的に、装着用凹部２９０の各々は１８０度を超える範囲に及び、マニホルド部の相補の凹部２９５は１８０度未満の範囲に及ぶ。整列されると、凹部２９０、２９５は実質的に完全な円を形成する。固定具２０５の最上部およびエッジ２９２の深さは、固定具２０５の最上部が基板２７０の上面よりも上に突出したり、シールと干渉したりしないように寸法決めされる。一般的に、チャネル２７９の対向側面に位置する１対の固定具２０５は、基板２７０のチャネル２７９内でしっかりとマニホルド部を押えるのに十分である。

図示される実施例では、典型的に３ポートバルブ（図示せず）が基板の２７０のポート２７４および２７６ならびにマニホルド部２２０の上面のポート２２２の上に位置決めされ、複数の固定具（図示せず）によって基板２７０に固定される。複数の固定具は、基板２７０のチャネル２７９の各々の側に少なくとも１つのボア、好ましくは２つのボアを含む基板２７０の上面のボアで受けられる。チャネル２７９の各々の側で受けられる固定具は、ガスケット（図示せず）または他の封止部材とともに、基板のポート２７４、２７６とマニホルド部２２０の上面のポート２２２との間で漏れのないシールを形成する。３ポートバルブにより、共通マニホルド２１１０によって導かれるプロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれか１つが、基板２７０の入口ポート２７６を基板２７０の出口ポート２７８に（図２３を参照）接続するＶ字形状のチャネルによって与えられるようになる。図示される実施例では、マスフローコントローラ（図示せず）の入口ポートは典型的に基板２７０の出口ポート２７８に流体的に接続され、マスフローコントローラの出口ポートを介して、プロセスガスまたは他のガスのいずれかを１構成要素位置基板２６０（図２３を参照）の入口ポート２６１へ与える。マスフローコントローラは、ガススティックＡ−Ｅの各々において基板２７０と基板２６０との橋渡しをする。

ガススティックＧ−Ｌについて、ガス入口２０３で受けられたプロセスガスは、１構成要素位置基板４０５の入口ポート４０６（図２３を参照）に向けて流れ、次に基板４０５の内部流体通路を通って基板４０５の上面に形成される出口ポート４０７へ流れる。２ポートバルブまたは他の流体処理構成要素（図示せず）は典型的に、出口ポート４０５および基板４０５の上面に同様に形成される入口ポート４０８の上に位置決めされ、基板４０５とともにシールを形成する。金属ガスケットまたは他のタイプの封止部材（図示せず）を用いてポート４０７、４０８および基板４０５の上面の他のポートのまわりに気密シールを設けてもよい。基板４０５の上面に形成されるポート４０７、４０８および４０９の
各々は、環状Ｃ字形状シールを受けるように適合される端ぐりを含んでもよいが、代替的に他のタイプの環状シールを用いてもよい。２ポートバルブは、プロセスガスがガススティックＧ−Ｌに沿ってさらに流れるのを選択的に可能にする。１構成要素位置基板４０５はチャネル（たとえばチャネル２６９）を含んでおらず、以前に注記したように、パージングを必要としないプロセスガスを受けるのに用いられてもよい。

基板４０５の入口ポート４０８から、プロセスガスは次に、基板４０５（図２３）の本体に形成されるＶ字形状のチャネルを通って、基板４０５の上面に同様に形成される出口ポート４０９へ流れる。ガススティックＨ−Ｌの各々について、マスフローコントローラ（図示せず）の入口ポートは典型的に基板４０５の出口ポート４０９に流体的に接続され、マスフローコントローラの出口ポートを介して、プロセスガスを１構成要素位置基板２６０（図２３）の入口ポート２６１に与える。マスフローコントローラはガススティックＧ−Ｌの各々において基板４０５と基板２６０との橋渡しをする。

図２２および図２３に最もよく図示されるように、１構成要素位置基板２６０は、入口ポート２６１と、内部Ｖ字形状通路によって接続され、基板２６０の上面に形成される出口ポート２６２とを含む。基板２６０の上面には少なくとも１つのボア、好ましくは２つのボアが形成され、マスフローコントローラの出口ポートを基板２６０の入口ポート２６１に封止固定する。

基板２６０は、共通マニホルド２１２０および２１３０の一部を受けるように用いられるチャネル２６９を含む。図１４の図示される実施例では、たとえば、ガススティックＡの基板２６０は、マニホルド部２３５の上面に形成される１対のポート２３７、２３９（図２１）と、上面を横断するマニホルド部２３５の表面に形成されるポート２３６とを有する２位置マニホルド部２３５を受ける。マニホルド部２３５の横断面に形成されるポート２３６は、他のマニホルド部を介して他のガススティックＣ−Ｅの出口ポート２６２に流体的に接続される別のマニホルド部（たとえば図１４のマニホルド部２４０）に流体的に接続される。基板２６０のチャネル２６９は、上面に形成されるポート２３７、２３９（すなわちポート２３７）の１つが基板２６０の上面の共通の平面で基板２６０の出口ポート２６２と整列するようにマニホルド部２３５を位置決めするように適合される。

バルブまたはフィルタなどのガス処理構成要素または装置のマウンティングを用いて共通の平面でポートの整列を固定する１構成要素位置基板６０とは対照的に、１構成要素位置基板２６０は、チャネル２６９のいずれかの側に配設される１対の固定具２０５を用いて、基板２６０のチャネル２６９内でマニホルド部を固く装着する。この点において、１構成要素位置基板２６０は２構成要素位置基板２７０と同様である。なぜなら、各々の固定具２０５は、図２３に図示されるようにチャネル２６９の側壁に形成される装着用凹部２９０で受けられるからである。装着用凹部２９０は雌ねじを切られた孔２９１で終端し、固定具２０５の頭部の下側エッジの止めとして働くシェルフまたはエッジ２９２を含む。各々のマニホルド部２２０、２２５、２３０、２４０、２５５および２６５は相補の凹部２９５（図２１および図２２を参照）を含む。これにより、固定具２０５が挿入されると、固定具２０５の頭部の下側エッジが基板２６０のチャネル２６９の底部に対してマニホルド部をしっかりと押える。固定具２０５の最上部およびエッジ２９２の深さは、固定具２０５の最上部が基板２６０の上面よりも上に突出したり、シールと干渉したりしないように寸法決めされる。２構成要素位置基板２７０と同様に、チャネル２６９の対向側面に位置する１対の固定具２０５は、基板２６０のチャネル２６９内でしっかりとマニホルド部を押えるのに十分である。

図示される実施例では、２ポートバルブ（図示せず）は、基板２６０のポート２６２およびマニホルド部（たとえばマニホルド部２３５）の上面のポート（たとえばポート２３
９）の上に位置決めされ、複数の固定具（図示せず）によって基板２６０に固定される。複数の固定具は、基板２６０のチャネル２６９の各々の側に少なくとも１つのボア、好ましくは２つのボアを含む基板２６０の上面のボアで受けられる。チャネル２６９の各々の側で受けられる固定具は、ガスケット（図示せず）または他の封止部材とともに、基板２６０のポート２６２とマニホルド部の上面のポートとの間で漏れのないシールを形成する。２ポートバルブにより、プロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれか１つが共通マニホルド２１２０へ、および共通マニホルドからシステムの別の部分へ与えられるようになる。

ガススティックＦおよびＧはガススティックＡ−ＥおよびＨ−Ｌと共通のある構成要素を共有するが、多様な構成を許容し得る流体分配システムを作製するのにどのように他の構成要素を用い得るかを図示する。たとえば、ガススティックＦは、２構成要素位置基板２７０、１構成要素位置Ｔ字状スロット付基板４３０、および左側基板インサート４２０を含む。２構成要素位置基板２７０はガス入口２７１でプロセスガス供給源からプロセスガスを受け、内部流体通路を介して、基板２７０の上面に形成される出口ポート２７２へそのプロセスガスを与える。２ポートバルブまたは他の流体処理構成要素（図示せず）は、出口ポート２７２および基板２７０の上面に同様に形成される入口ポート２７３の上に位置決めされ、基板２７０とともにシールを形成する。入口ポート２７３から、プロセスガスは次に、（図２３に示される）基板２７０の本体に形成されるＶ字形状のチャネルを通って、基板２７０の上面に同様に形成される出口ポート２７４へ流れる。基板２７０は、マニホルド２１１０の一部を受けるのに用いられるチャネル２７９を含む。図１４の図示された実施例では、たとえば、ガススティックＦの基板２７０は、上面に形成される１対のポート２３７、２３９（図２１）と上面を横断するマニホルド部２３５の表面に形成される単一のポート２３６とを有する２位置マニホルド部２３５を受ける。基板２７０のチャネル２７９は、上面に形成されるポート２３７が、基板２７０の上面の共通の平面で出口ポート２７４および基板２７０のチャネル２７９の他方側の入口ポート２７６と整列されるようにマニホルド部２３５を位置決めするように適合される。

３ポートバルブ（図示せず）は典型的に、基板２７０のポート２７４および２７６ならびにマニホルド部２３５の上面のポート２３７の上に位置決めされ、複数の固定具（図示せず）によって基板２７０に固定される。チャネル２７９の各々の側で受けられる固定具は、ガスケット（図示せず）または他の封止部材とともに、基板のポート２７４、２７６とマニホルド部２３５の上面のポート２３７との間で漏れのないシールを形成する。３ポートバルブにより、共通マニホルド２１１０によって導かれるプロセスガスまたはパージガスなどの別のガスのいずれか１つが、基板２７０の入口ポート２７６を基板２７０（図２３を参照）の出口ポート２７８に接続するＶ字形状のチャネルによって与えられるようになる。マスフローコントローラ（図示せず）の入口ポートは基板２７０の出口ポート２７８に流体的に接続され、マスフローコントローラの出口ポートを介して、プロセスガスまたは他のガスのいずれかを１構成要素位置Ｔ字状スロット付基板４３０（図２３）の入口ポート４３１へ与える。マスフローコントローラは、ガススティックＦにおいてＴ字状スロット付基板４３０と基板２７０とを橋渡しする。

ガススティックＡ−ＥおよびＨ−Ｌの各々においてと同様に１構成要素位置基板２６０を用いるよりもむしろ、ガススティックＦは、左側または右側基板インサート４２０、４２５（図２４）のいずれかを受けるように適合される１構成要素位置Ｔ字状スロット付基板４３０を用いる。Ｔ字状スロット付基板４３０は、その上面に形成される入口ポート４３１および出口ポート４３２と、１構成要素位置基板２６０と同様の構造のチャネル２６９とを含む。しかしながら、Ｔ字状スロット付基板４３０は、基板４３０の上面に形成され、左側または右側基板インサート４２０、４２５のいずれかをその中に受けるようにするさらなるチャネル２８３も含む。

左側および右側基板インサート４２０、４２５の各々は、Ｖ字形状のチャネルによって接続され、その上面に形成される１対のポート（４２２、４２３および４２７、４２８）を含む。左側および右側基板インサート４２０、４２５（図２４）の各々は、上面を横断する基板インサートの表面に形成されるポート４２１、４２６も含む。ポート４２１、４２６は、Ｖ字形状のチャネルに、したがってポート４２２、４２３および４２７、４２８の各々に内部で流体的に接続され、共通マニホルド２１２０または２１３０に流体的に接続されるマニホルド部（たとえば図１４のマニホルド部２４０）に接続され得る。図１４に図示される実施例では、２ポートバルブ（図示せず）は、基板４３０のポート４３２および基板インサート４２０、４２５のポート４２２、４２７の上に位置決めされて、ガススティックＡ−ＦおよびＧ−Ｌのうち１つ以上から基板インサート４２０、４２５のポート４２３、４２８へ、ならびにそれらから混合入口基板４１０へ、１つ以上のプロセスガスまたはパージガスを選択的に与え得る。典型的に３ポートバルブは、基板インサート４２０、４２５のポート４２３および４２８の上に位置決めされて、混合入口基板４１０または混合出口基板４１５のいずれかへインサート４３５Ｂおよび４３５Ｃを介してプロセスガスを与える。

図２１および図２２は、この発明の実施例に従うガスパネルを形成するのに用い得る多数のマニホルド部２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５を図示する。マニホルド部２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５は、各々がステンレススチールまたはその他の好適な材料の細長いブロックから形成されるマニホルド本体を含み、かつマニホルド本体の上面に形成される少なくとも１つのポートを含む点で、図９について上述されたものと同様である。さらに、マニホルド部の各々は、別のマニホルド部と接続し、上面を横断する表面に形成される少なくとも１つのポートを含む。マニホルド部２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５は図９について上述されたものと実質的に同様であるので、相違点のみを以下に詳細に説明する。

図２１および図２２に図示されるように、マニホルド部２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５の各々は、マニホルド部の横断側面に形成されかつ互いから間隔をあけられる、少なくとも１つ、好ましくは１対の凹部２９５を含む。凹部の各々は外向きのアーチ形状であり、半円に満たない形状を形成する（すなわち１８０°未満の範囲に及ぶ）。好ましくは、マニホルド本体の上面に形成される各々のポートごとに１対の凹部２９５がマニホルド本体の各側面に形成される。その対のうち各々の凹部はポートから等間隔をあけられる。マニホルド本体が対称である場合（たとえばマニホルド部２２０、２４０など）、設けられる凹部の対の数はより少なくてもよく、たとえばマニホルド本体の各々の対向側面上に１対の凹部を配設してもよいことを理解されたい。各々の凹部２９５はエッジ２９６で終端する。図１８および図２０に最も明確に示されるように、凹部の各々は、基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９内でマニホルド部を硬くロックする固定具２０５を受けるように構成される。凹部２９５のエッジ２９６は、（図２６に示される固定具３１５と同様の構造の）固定具２０５の頭部の下側エッジの止めとして働き、固定具２０５が挿入されると、固定具２０５の頭部の下側エッジは、基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９の底部に対してマニホルドをしっかりと押える。固定具２０５の最上部および凹部２９５の深さは、固定具２０５の最上部が基板２６０、２７０の上面の上に突出したり、シールと干渉したりしないように寸法決めされる。一般的に、マニホルド部の両側面およびポートの対向する側上に位置する１対の固定具２０５は、基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９内でしっかりとマニホルド部を押えるのに十分である。上に注記されたように、基板２６０、２７０の各々は相補の装着用凹部２９０を含み、これにより、マニホルド部がチャネル２６９、２７９のベースにおいて整列されると、凹部２９０および２９５はほぼ円形の孔を形成する。

当業者には理解されるように、このような固定具２０５の使用は、基板のポート、マニホルド部のポート、および上からそれらに取付けられる流体処理装置の間での漏れの可能性を防止するように働く。具体的には、基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９の底部に対してマニホルド部をしっかりと押えることにより、マニホルド部は個々の基板２６０、２７０との整列を規定するように働く。マニホルド部が基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９において硬く固着されていなければ、激しいショックまたは振動により、チャネル内のマニホルド部（マニホルド部の厚みは潜在的にチャネル深さよりも小さい）の縦方向の動きを介してガスケット（流体処理装置と基板およびマニホルド部のポートとの間に典型的に配置される変形可能な金属シールであることが多い）がさらに圧迫される可能性があり、このことはショックまたは振動の力がなくなっても漏れとなり得る。

マニホルド部２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５と図９について上述されたものとの間の別の相違点は、マニホルド部の下面の整列孔２８２の存在である。図２２に最も明確に見られるように、各々のマニホルド部は、基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９のベースに形成される相補の整列ピン２８１と嵌り合うように構成される１つ以上の整列孔２８２を含み得る。整列ピン２８１は、チャネル２６９、２７９のベース中にドリルであけられる適切な開口の中に圧入され得るだぼから作られてもよい。圧入構成でだぼを用いることにより、機械加工のコストが実質的に低減され、正確な寸法のだぼを購入することができる。

好ましくは、各々のマニホルド部は、マニホルド部の上面に形成される各々のポートのいずれかの側の、マニホルド部底面の中央に配設される２つの整列孔２８２を含む。図示される実施例では、これらの整列孔２８２は、マニホルド部の側面の凹部２９５とほぼ整列される。整列孔２８２がマニホルド部の底面に形成されるよりはむしろ、代わりに整列ピン２８１が設けられ得、整列孔２８２が基板２６０、２７０のチャネル２６９、２７９のベースに設けられることを理解されたい。整列ピン２８１および整列孔２８２がどこに形成されるかにかかわらず、整列ピン２８１の長さは、マニホルド部の底面がチャネルのベースと位置合わせされるように整列孔よりも短くされるべきであることも理解されたい。

本明細書中では多数の異なるマニホルド部２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２５５および２６５が説明されたが、この発明は図示される実施例に限定されるものではないことを理解されたい。たとえば、マニホルド本体の上面に異なる数のポートが形成されるマニホルド部を用いてもよく、マニホルド本体の横断面に単一のポートのみを有し、またはマニホルド本体の対向する横断面に２つのポートを形成したものを用いてもよい。マニホルド部の上面に形成されるポートは環状Ｃ字形のシールを受けるように適合される端ぐりを含むものとして図示されるが、標準的な流体処理構成要素をともに用い得るように代替的に異なるポート構成を用いてもよいことをさらに理解されたい。さらに、マニホルドの上面に形成されるすべてのポートは、同じタイプのシール構成を有する必要はない。あるタイプのシールをあるポートで用いて、別のタイプのシールを別のポートで用いてもよい。

図２３および図２４に示されるように、基板２６０、２７０、４０５、４１０、４２０、４２５、４３０の上面の少なくとも１つのポートは、基板の上面に形成されるリークポート９５を含み得る。典型的に、リークポート９５は、流体構成要素に流体的に接続されるポートの各対の間に設けられる。さらに、基板２６０、２７０の各々は単一のチャネル２６９、２７９がその中に形成されたものとして示されるが、ガススティックＡ−Ｌの各々にまたは代替的に１つ以上のガススティックにさまざまな流体が導入され得るように、多数のチャネルを代替的に設けてもよい。さらに、ガススティックＡ−Ｌの各々において
２ポートバルブ、３ポートバルブおよびマスフローコントローラを用いる特定の構成が説明されたが、この発明はそのように限定されるものではないことを理解されたい。したがって、この発明の教示に従うと、２つよりも多くの構成要素ステーションを単一の基板上に設けてもよい。たとえば、基板２６０、２７０は、従来から提供されるフィルタ、圧力変換器もしくは圧力調整器またはさまざまな他の流体処理構成要素を受けるように適合される１つ以上の付加的構成要素ステーションを含んでもよい。さらに、基板の各々に装着される流体構成要素が各々のガススティックにおいて同じである必要はない。無数の異なる構成要素の組合せが容易に企図され得る。

この発明の別の局面に従うと、基板をベースに直接に装着するよりもむしろ、図１４−２８の実施例は、ベースに取付けられ得る装着プレートに基板およびその他の構成要素を弾力的に装着するのにフローティングマウントを利用する。フローティングマウントは、動きを３つの直交する方向に限定するので、基板、マニホルド部、流体分配システムの他の部分は、装着プレートの孔の配置における極度の精度を必要とせずに容易に相互接続され得る。フローティングマウントは装着プレートおよびベースから構成要素を熱的に分離もするので、構成要素は従来の技術を用いて効果的に加熱または冷却され得る。さらに、フローティングマウントは、流体分配システムがショックおよび振動をより感じにくくなるようにしつつ、大きな引張り強さおよびせん断強度を与える。この発明のこの局面は、図１４、図１８、図２０、図２３、図２４、図２５、図２６、図２７および図２８について主に説明される。

図２３および図２４に示されるように、さまざまな基板２６０、２７０、４０５、４１０、４１５および４３０の各々は、基板を装着プレート２１０に弾力的に装着するのに用い得る複数の装着開口または孔２６３を含み得る。これらの装着開口２６３の各々は、アレンボルトなどのねじ切りされた固定具３１５を受ける。装着開口２６３の各々は、固定具がフローティングマウント３００に係合されるときに固定具３１５の頭部の底側または下側エッジを受け、かつ基板を装着プレート２１０（図２６）に向けるように構成される窪んだエッジ３１６を有する。エッジ３１６の深さは、図２６に示されるように、固定具３１５がフローティングマウント３００と係合するときに固定具の最上部が基板の上面よりも下になるようなものである。装着プレートのエッジは、図２５に示されるように、流体分配構成要素が装着される装着プレートの領域が、プレートが取付けられるベースから持上げられるように折り曲げられる。

ねじ切りされた固定具３１５はフローティングマウント３００の中で受けられ、これは図２６および図２７に最もよく図示されている。示されるように、フローティングマウント３００は、上側圧力リング３５１、下側圧力リング３５４、上側および下側弾力部材３５２、３５３、ならびにねじ切りされた固定具３５５を含む。上側圧力リング３５１はほぼ円形の形状であり、対向する側上に平坦部を有するほぼ円筒形のシャンク３５６を有する。シャンク３５６のいずれかの側の平坦部は、相補の孔２９９（図２８）が形成される装着プレート２１０の壁と係合する。上側圧力リング３５１の中心およびシャンク３５６を通って延在する雌ねじを切られた通し孔３５８は、固定具３１５のねじ切りされた部分を受ける。上側圧力リング３５１は、環状上側弾力部材３５２を受ける、その下側に形成される環状溝３６１も含む。環状上側弾力部材３５２は、たとえばゴム、ヴァイトン、ネオプレンまたはブナＮなどのエラストマー材料から一般的に形成され、従来のｏリングであってもよい。

下側圧力リング３５４もほぼ円形の形状であり、環状下側弾力部材３５３を受けるその上面の環状の溝３５７を含む。下側圧力リング３５４は、ねじ切りされた固定具３５５の雄ねじを切られた端が通過し得る通し孔３６２も含み、かつ上側圧力リング３５１のシャンク３５６が下側圧力リング３５４内で受けられるようにする軸方向クリアランス孔３６
０を含む。上側および下側圧力リング３５１、３５４はバーストックから機械加工されてもよく、または代替的に、圧力リングを形成する粉末金属法（powdered metal methods）を用いてもよい。

使用において、上側弾力部材３５２は、上側圧力リング３５１と装着プレート２１０との間で上側圧力リング３５１の環状溝３６１の方に向けられ、下側弾力部材３５３は、下側圧力リングと装着プレート２１０との間で下側圧力リング３５４の環状溝３５７の方に向けられる。雄ねじを切られた固定具３５５は、上側圧力リング３５１の雌ねじを切られたシャンク３５６の中で受けられ、かつ上側および下側圧力リングをともに引き寄せるように締め付けられる。シャンク３５６の対向する側上の平坦部は装着プレート２１０の孔２９９の平坦な側壁と係合するので、ねじ切りされた固定具３５５の締め付けの間はフローティングマウント３００の回転が防止される。基板またはその他の構成要素は上側圧力リング３５１の上に置かれ、ねじ切りされた固定具３１５は上から締め付けられる。ここでも、ねじ切りされた固定具３１５の締め付けの間、シャンク３５６の平坦部はフローティングマウントの回転を防止する。上側圧力リング３５１のシャンク３５６と、ねじ切りされた固定具３１５、３５５とは、完全に締め付けられたときにねじ切りされた固定具３１５および３５５の端が互いと接触しないように寸法決めされる。

当業者には理解され得るように、フローティングマウント３００は、流体構成要素および他の構造体を直接にベースに装着する装着技術に対する多数の利点を与える。たとえば、上側および下側弾力部材３５２、３５３は、ショックおよび振動を吸収するように動作し、３つの直交する方向の各々へのわずかな程度の動きしか許さない（すなわち、図１４の平面では左、右および縦方向）。したがって、装着プレートの装着孔２９９は、構成要素および他の構造体が直接に装着プレートに装着される場合に必要であるよりも低い精度で形成され得る。それにもかかわらず、構成要素基板はねじ切りされた固定具を用いてフローティングマウント３００に取付けられ、かつフローティングマウントはねじ切りされた接続部によって形成されるので、マウンティングは実質的な引張り強さおよびせん断強度を有する。

上側および下側弾力部材３５２、３５３は、構成要素を装着プレート２１０から熱的に分離するようにも機能する。これにより、構成要素基板２６０、２７０、４０５、４１０、４１５および４３０の各々は、特定の適用例に所望されるような加熱要素または冷却要素のいずれかを受ける孔５００（図２３および図２４を参照）を含み得る。構成要素基板は装着パネルおよびベースから熱的に分離されるので、基板に加えられる加熱または冷却は、大きなヒートシンクとして作用するプレートおよびベースに容易には伝導されない。

フローティングマウントは構成要素基板２６０、２７０、４０５、４１０、４１５および４３０とともに用いられるものとして説明されたが、これは、装着プレートに取付けられる他の構造体とともに用いられてもよい。たとえば、図１４および図２０は、プロセスガスを供給する導管を支持しかつこの導管を装着プレート２１０に弾力的に装着するのに用いられる支持体３１０を図示する。ねじ切りされた固定具３０５（図２６）は、支持体３１０のベースの孔を通してフローティングマウント３００の中に挿入され得る。一般的に、ねじ切りされた固定具を用いて流体分配システムのベースに取付けられ得るいずれの構成要素または構造体も、軸方向コンプライアンス、振動の減衰または熱的な分離が所望されるフローティングマウント３００とともに用いられてもよい。

この発明の少なくとも１つの実施例のいくつかの局面が以上のように説明されたが、当業者にはさまざまな変更例、修正例および改良例が想到されるであろうことを理解されたい。たとえば、基板７０、２７０および４０５の入口ポート７１、２７１および４０６は基板（図１０、図１１および図２３を参照）の正面側横断面に配設されるものとして図示
されるが、それらは代替的に左または右側横断面のいずれかに配設されて、真っ直ぐな接続部よりもむしろ、処理流体源への直角をなした接続部を形成してもよい。そのような変更例、修正例および改良例はこの開示の一部であることが意図され、この発明の範囲および精神の範囲内にあることが意図される。したがって、以上の説明および図面は例示の目的のためのみのものである。

この発明の１つの実施例に従う流体分配パネルの平面図である。図１の流体分配パネルの側面図である。図２の線３−３に沿った流体分配パネルの一部の断面図である。反時計回りに９０°回転させた図１の流体分配パネルの側面図である。時計回りに約４５°回転させた図１の流体分配パネルの斜視図である。時計回りに約１３５°回転させた図１の流体分配パネルの斜視図である。図５に識別される流体分配パネルの一部の拡大斜視図である。図６に識別される流体分配パネルの一部の拡大斜視図である。図１の流体分配パネルを形成するのに用い得る多数の異なるマニホルドおよび基板の斜視図である。この発明の１つの局面に従う２構成要素位置基板の拡大斜視図である。図１０の２構成要素位置基板の断面図である。この発明の別の局面に従う１構成要素位置基板の拡大斜視図である。図１２に示される１構成要素基板の断面図である。この発明の別の実施例に従う流体分配パネルの平面図である。図１４の流体分配パネルの側面図である。反時計回りに９０°回転させた図１４の流体分配パネルの側面図である。反時計回りに約１３５°回転させた図１４の流体分配パネルの斜視図である。図１７に識別される流体分配パネルの一部の拡大斜視図である。反時計回りに約４５°回転させた図１４の流体分配パネルの斜視図である。図１９に識別される流体分配パネルの一部の拡大斜視図である。図１４の流体分配パネルを形成するのに用い得る多数の異なるマニホルドの拡大斜視図である。図１４の流体分配パネルを形成するのに用い得る多数のさらなるマニホルドおよび１構成要素位置基板の拡大斜視図である。この発明の１つの局面に従うさまざまな基板の拡大斜視図である。図１４の流体分配パネルを形成するのに用い得るさまざまな複数構成要素基板および基板インサートの拡大斜視図である。図１５の線２５−２５に沿った、図１４の流体分配パネルの一部の側面断面図である。この発明の別の局面に従って、装着プレートに流体分配パネルのさまざまな構成要素を装着するのに用い得るフローティング装着アセンブリの拡大図である。さまざまな異なる視点から見た図２６のフローティング装着アセンブリの図である。図２６のフローティング装着アセンブリを受けるのに用い得る装着プレートの孔の平面図である。

Claims

流体の分配を可能にするためのシステムであって、
第１の表面に形成される第１の基板ポートおよび第２の基板ポート、ならびに第１の方向に延在し、かつ前記第１の基板ポートを前記第２の基板ポートに流体的に接続する第１の流体通路を含む基板本体を有する基板と、
第１の表面に形成される第１のマニホルドポート、前記第１の表面を横断する第２の表面に形成される第２のマニホルドポート、および前記第１のマニホルドポートを前記第２のマニホルドポートに流体的に接続する流体通路を含むマニホルド本体を有するマニホルドとを備え、
前記基板は、第２の方向に延在し、かつ前記基板本体の第１の表面に形成されるチャネルをさらに含み、前記チャネルは、前記基板本体の第１の表面と前記マニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように前記マニホルドを位置決めするように適合される、システム。
前記第１の基板ポートは第１の流体構成要素を受けるように適合され、前記第２の基板ポートは前記第１の流体構成要素とは区別される第２の流体構成要素を受けるように適合される、請求項１に記載のシステム。
前記第１および第２の基板ポートは前記チャネルの第１の側に配設され、前記基板本体は、その第１の表面に形成される複数の装着開口をさらに含み、前記複数の装着開口は、前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の装着開口と、前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の装着開口とを含み、前記複数の装着開口は、前記第２の基板ポートおよび前記第１のマニホルドポートと封止係合して前記第２の流体構成要素を装着するように配置される、請求項２に記載のシステム。
前記第１および第２の基板ポートは前記チャネルの第１の側に配設され、前記基板本体は、
前記基板本体の第１の表面に形成され、かつ前記チャネルの第２の側に配設される第３の基板ポートおよび第４の基板ポートと、
前記第１の方向に延在し、前記第３の基板ポートを前記第４の基板ポートに流体的に接続する第２の流体通路とをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
前記基板本体は、その第１の表面に形成される複数の装着開口をさらに含み、前記複数の装着開口は、前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の装着開口と、前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の装着開口とを含み、前記複数の装着開口は、前記第２および第３の基板ポートならびに前記第１のマニホルドポートと封止係合して流体構成要素を装着するように配置される、請求項４に記載のシステム。
前記複数の装着開口は４つ以下の装着開口を含み、前記４つの装着開口は、前記チャネルの第１の側に配設される２つの装着開口と、前記チャネルの第２の側に配設される２つの装着開口とを含む、請求項５に記載のシステム。
前記チャネルおよび前記マニホルド本体のうち少なくとも１つは、前記第１のマニホルドポートと前記第２および第３の基板ポートとを整列させるための手段を含む、請求項５に記載のシステム。
前記第１の基板ポートは第１の流体構成要素を受けるように適合され、前記第２の基板ポートは前記第１の流体構成要素とは区別される第２の流体構成要素を受けるように適合
される、請求項４に記載のシステム。
前記第３の基板ポートは第２の流体構成要素を受けるように適合され、前記第４の基板ポートは前記第１および第２の流体構成要素とは区別される第３の流体構成要素を受けるように適合される、請求項８に記載のシステム。
前記基板本体は、前記基板本体の第１の表面に形成される複数の装着開口をさらに含み、前記複数の装着開口は、前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の装着開口と、前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の装着開口とを含み、前記複数の装着開口は、前記第２および第３の基板ポートならびに前記第１のマニホルドポートと封止係合して前記第２の流体構成要素を装着するように配置される、請求項９に記載のシステム。
前記複数の装着開口は４つ以下の装着開口を含み、前記４つの装着開口は、前記チャネルの第１の側に配設される２つの装着開口と、前記チャネルの第２の側に配設される２つの装着開口とを含む、請求項１０に記載のシステム。
前記基板本体は、
前記基板本体の第１の表面に形成され、かつ前記チャネルの第１の側に配設される第５の基板ポートと、
前記チャネルの第１の側に配設され、かつ前記第１の表面を横断する前記基板本体の第２の表面に形成される第６の基板ポートと、
第１の方向に延在し、かつ前記第５の基板ポートを前記第６の基板ポートに流体的に接続する第３の流体通路とをさらに含む、請求項１０に記載のシステム。
前記第１の流体構成要素は、前記第１および第５の基板ポートに流体的に接続される２ポートバルブを備える、請求項１２に記載のシステム。
前記第２の流体構成要素は、前記第２および第３の基板ポートならびに前記第１のマニホルドポートに流体的に接続される３ポートバルブを備える、請求項１３に記載のシステム。
前記第２の方向は前記第１の方向に垂直である、請求項１４に記載のシステム。
前記チャネルは１対の側壁およびベースを含み、前記チャネルの前記ベースは、前記マニホルドを前記チャネルから取り外すために剛性部材を挿入可能な開口を含む、請求項１に記載のシステム。
前記開口はねじ切りされ、前記マニホルドを前記チャネルから取り外すため、ねじ切りされた剛性部材を受けるように適合される、請求項１６に記載のシステム。
前記基板は第１の基板であり、前記システムはさらに
第２の基板本体を有する第２の基板を備え、前記第２の基板本体は、その第１の表面に形成される第１の基板ポートおよび第２の基板ポートと、第１の方向に延在し、かつ前記第２の基板の前記第１および第２の基板ポートを流体的に接続する第１の流体通路とを含み、
前記第２の基板は、前記第２の基板本体の第１の表面に形成され、第２の方向に延在し、かつ前記第２の基板本体の第１の表面と前記マニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように前記マニホルドを位置決めするように適合されるチャネルをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
前記マニホルドは、前記マニホルド本体の第１の表面に形成され、かつ前記マニホルドの前記流体通路に流体的に接続される第３のマニホルドポートを含む、請求項１８に記載のシステム。
前記第１の基板の前記チャネルは第２の方向に沿って前記第２の基板のチャネルと整列される、請求項１９に記載のシステム。
前記第１の基板の前記第１および第２の基板ポートは前記第１の基板のチャネルの第１の側に配設され、
前記第１の基板本体は、その第１の表面に形成される複数の装着開口をさらに含み、前記複数の装着開口は、前記第１の基板の前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の装着開口と、前記第１の基板の前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の装着開口とを含み、前記複数の装着開口は、前記第１の基板の前記第２の基板ポートおよび前記第１のマニホルドポートと封止係合して第１の流体構成要素を装着するように配置され、
前記第２の基板の前記第１および第２の基板ポートは前記第２の基板の前記チャネルの第１の側に配設され、
前記第２の基板本体は、その第１の表面に形成される複数の装着開口をさらに含み、前記複数の装着開口は、前記第２の基板の前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の装着開口と、前記第２の基板の前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の装着開口とを含み、前記複数の装着開口は、前記第２の基板の前記第２の基板ポートおよび前記第３のマニホルドポートと封止係合して第２の流体構成要素を装着するように配置される、請求項２０に記載のシステム。
前記基板は第１の基板であり、前記マニホルドは第１のマニホルドであり、前記システムはさらに、
第２の基板本体を有する第２の基板を備え、前記第２の基板本体は、その第１の表面に形成された第１の基板ポートおよび第２の基板ポートと、第１の方向に延在し、かつ前記第２の基板の前記第１および第２の基板ポートを流体的に接続する第１の流体通路とを含み、さらに
第２のマニホルド本体を有する第２のマニホルドを備え、前記第２のマニホルド本体は、その第１の表面に形成される第１のマニホルドポートと、前記第２のマニホルド本体の前記第１の表面を横断する前記第２のマニホルド本体の第２の表面に形成される第２のマニホルドポートと、前記第２のマニホルドの前記第１および第２のマニホルドポートを流体的に接続する流体通路とを含み、
前記第２の基板は、前記第２の基板本体の第１の表面に形成され、第２の方向に延在し、かつ前記第２の基板本体の第１の表面と前記第２のマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように前記第２のマニホルドを位置決めするように適合されるチャネルをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
前記第１の基板の前記第１の流体通路は第１の方向に沿って前記第２の基板の前記第１の流体通路と整列される、請求項２２に記載のシステム。
前記第１の基板の前記第１および第２の基板ポートは前記第１の基板の前記チャネルの第１の側に配設され、前記第１の基板は、
前記第１の基板本体の第１の表面に形成され、かつ前記チャネルの第２の側に配設される第３の基板ポートおよび第４の基板ポートと、
前記第１の方向に延在し、かつ前記第３の基板ポートを前記第１の基板の前記第４の基板ポートに流体的に接続する第２の流体通路とをさらに含む、請求項２２に記載のシステ
ム。
前記第１の基板の前記第２の基板ポートは第１の流体構成要素を受けるように適合され、前記第１の基板の前記第４の基板ポートは前記第１の流体構成要素とは区別される第２の流体構成要素を受けるように適合される、請求項２４に記載のシステム。
前記第１の基板本体は、その第１の表面に形成される第１の複数の装着開口をさらに含み、前記第１の複数の装着開口は、前記第１の基板の前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の装着開口と、前記第１の基板の前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の装着開口とを含み、前記第１の複数の装着開口は、前記第１の基板の前記第２および第３の基板ポートおよび前記第１のマニホルドの前記第１のマニホルドポートと封止係合して前記第１の流体構成要素を装着するように配置される、請求項２５に記載のシステム。
前記第１の複数の装着開口は４つ以下の装着開口を含み、前記４つの装着開口は、前記チャネルの第１の側に配設される２つの装着開口と、前記チャネルの第２の側に配設される２つの装着開口とを含む、請求項２６に記載のシステム。
前記第１の基板本体は、その第１の表面に形成され、前記第１の基板のチャネルの第２の側に配設される第２の複数の装着開口をさらに含み、前記第２の複数の装着開口は、前記第１の基板の前記第４の基板ポートと封止係合して前記第２の流体構成要素を装着するように配置され、
前記第２の基板本体は、その第１の表面に形成される第３の複数の装着開口をさらに含み、前記第３の複数の装着開口は、前記第２の基板の前記第１の基板ポートと封止係合して前記第２の流体構成要素を装着するように配置される、請求項２６に記載のシステム。
前記第１の流体構成要素は３ポートバルブを含み、前記第２の流体構成要素はマスフローコントローラを含む、請求項２８に記載のシステム。
第３の基板本体を有する第３の基板をさらに備え、前記第３の基板本体は、その第１の表面に形成された第１の基板ポートおよび第２の基板ポートと、第１の方向に延在し、かつ前記第３の基板の前記第１および第２の基板ポートを流体的に接続する第１の流体通路とを含み、
前記第３の基板は、前記第３の基板本体の第１の表面に形成され、第２の方向に延在し、かつ前記第３の基板本体の第１の表面と前記第１のマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように前記第１のマニホルドを位置決めするように適合されるチャネルをさらに含む、請求項２２に記載のシステム。
第４の基板本体を有する第４の基板をさらに備え、前記第４の基板本体は、その第１の表面に形成された第１の基板ポートおよび第２の基板ポートと、第１の方向に延在し、かつ前記第４の基板の前記第１および第２の基板ポートを流体的に接続する第１の流体通路とを含み、
前記第４の基板は、前記第４の基板本体の第１の表面に形成され、第２の方向に延在し、かつ前記第４の基板本体の第１の表面と前記第２のマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように前記第２のマニホルドを位置決めするように適合されるチャネルをさらに含む、請求項３０に記載のシステム。
前記第２の方向は前記第１の方向に垂直である、請求項３１に記載のシステム。
前記第２の方向は前記第１の方向に垂直である、請求項１に記載のシステム。
前記チャネルおよび前記マニホルド本体のうち少なくとも１つは、前記第１のマニホルドポートと前記第２の基板ポートとを整列させるための手段を含む、請求項１に記載のシステム。
前記チャネルは１対の側壁およびベースを含み、前記１対の側壁のうち少なくとも１つの側壁は少なくとも１つの第１の溝を含み、前記マニホルドは少なくとも１つの第２の溝を含み、前記システムはさらに、
前記第１のマニホルドポートが前記第２の基板ポートと整列されるように前記第１および第２の溝を整列させる少なくとも１つのピンを備える、請求項１に記載のシステム。
前記少なくとも１つのピンは、前記第１および第２の溝に挿入された際に前記共通の平面よりも上に延在しない長さを有する、請求項３５に記載のシステム。
前記第１および第２の基板ポートのうち少なくとも１つは、漏れのないシールが達成されているか否かを検出するための手段を含む、請求項１に記載のシステム。
前記チャネルは１対の側壁およびベースを含み、前記１対の側壁のうち少なくとも１つの側壁は、前記ベースの中へ延在し、かつ第１のエッジを有する少なくとも１つの第１の凹部を含み、前記マニホルドは、前記少なくとも１つの第１の凹部と相補である、第２のエッジで終端する少なくとも１つの第２の凹部を含み、前記システムはさらに、
前記第１および第２のエッジと係合する少なくとも１つの固定具を備える、請求項１に記載のシステム。
前記固定具は、前記第１および第２のエッジと係合した際に前記共通の平面よりも上に延在しない、請求項３８に記載のシステム。
前記マニホルド本体および前記チャネルのうち一方は、ある形状を有する整列開口の対を含み、前記マニホルド本体および前記チャネルのうち他方は、前記整列開口の対と相補の形状を有する整列柱の対を含み、それぞれの開口の深さはそれぞれの整列柱の高さよりも大きい、請求項１に記載のシステム。
前記整列開口の対および前記整列柱の対は、嵌め合わされると、前記第１のマニホルドポートが前記第２の基板ポートと第１の方向で整列するように構成されかつ配置される、請求項４０に記載のシステム。
基板であって、
基板本体と、
前記基板本体の第１の表面に形成される第１のポートおよび第２のポートと、
前記基板本体に形成され、第１の方向に延在し、かつ前記第１の基板ポートを前記第２の基板ポートに流体的に接続する第１の流体通路と、
前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、かつ前記基板本体の第１の表面に形成されるチャネルとを備え、前記チャネルは、前記基板本体の第１の表面とマニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように、マニホルド本体の第１の表面に形成される第１のポート、マニホルド本体の第２の表面に形成される第２のポート、およびマニホルドの第１のポートをマニホルドの第２のポートに流体的に接続する流体通路を含むマニホルド本体を有するマニホルドを位置決めするように適合される、基板。
前記基板の前記第１および第２のポートは前記チャネルの第１の側に配設される、請求項４２に記載の基板。
前記基板本体は、その第１の表面に形成される複数の開口を含み、前記複数の開口は、前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の開口と、前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の開口とを含み、前記少なくとも１つの第１および第２の開口は、前記基板の前記第２のポートおよび前記マニホルドの前記第１のポートと封止係合して流体構成要素を装着するように配置される、請求項４３に記載の基板。
前記少なくとも１つの第１および第２の開口は、前記基板の前記第２のポートおよび前記マニホルドの前記第１のポートと封止係合して２ポートバルブを装着するように配置される、請求項４４に記載の基板。
前記基板は、
前記基板本体の第１の表面に形成され、前記チャネルの第２の側に配設される第３のポートおよび第４のポートと、
前記基板本体に形成され、前記第１の方向に延在し、前記第３のポートを前記第４のポートに流体的に接続する第２の流体通路とをさらに備える、請求項４３に記載の基板。
前記基板本体は、その第１の表面に形成される第１の複数の開口を含み、前記第１の複数の開口は、前記チャネルの第１の側に配設される少なくとも１つの第１の開口と、前記チャネルの第２の側に配設される少なくとも１つの第２の開口とを含み、前記第１の複数の開口は、前記基板の前記第２および第３のポートならびに前記マニホルドの前記第１のポートと封止係合して流体構成要素を装着するように配置される、請求項４６に記載の基板。
前記第１の複数の開口は、前記基板の前記第２および第３のポートならびに前記マニホルドの前記第１のポートと封止係合して３ポートバルブを装着するように配置される、請求項４７に記載の基板。
前記基板は、
前記基板本体の第１の表面に形成され、前記チャネルの第１の側に配設される第５のポートと、
前記チャネルの第１の側に配設され、前記第１の表面を横断する前記基板本体の第２の表面に形成される第６のポートと、
第１の方向に延在し、前記第５のポートを前記第６のポートに流体的に接続する第３の流体通路とをさらに含む、請求項４７に記載の基板。
前記流体構成要素は第１の流体構成要素であり、前記基板本体は、前記基板の第１の表面に形成され、前記第１および第５のポートの付近に配設される第２の複数の開口をさらに含み、前記第２の複数の開口は、前記基板の前記第１および第５のポートと封止係合して第２の流体構成要素を装着するように配置される、請求項４９に記載の基板。
前記第１の複数の開口は、前記基板の前記第２および第３のポートならびに前記マニホルドの前記第１のポートと封止係合して３ポートバルブを装着するように配置され、
前記第２の複数の開口は、前記基板の前記第１および第５のポートと封止係合して２ポートバルブを装着するように配置される、請求項５０に記載の基板。
前記基板本体は、その第１の表面に形成され、前記第４のポートの付近に配設される第３の複数の開口をさらに含み、前記第３の複数の開口は、前記第４のポートに第３の流体構成要素を装着するように配置される、請求項５０に記載の基板。
前記第１の複数の開口は、前記基板の前記第２および第３のポートならびに前記マニホルドの前記第１のポートと封止係合して３ポートバルブを装着するように配置され、
前記第２の複数の開口は、前記基板の前記第１および第５のポートと封止係合して２ポートバルブを装着するように配置され、
前記第３の複数の開口は、マスフローコントローラの入口側および出口側のうち１つを前記第４のポートに装着するように配置される、請求項５２に記載の基板。
前記チャネルは、前記マニホルドの前記第１のポートと前記基板の前記第２および第３のポートとを整列させるための手段を含む、請求項４２に記載の基板。
前記第２の方向は前記第１の方向に垂直である、請求項４２に記載の基板。
前記チャネルは１対の側壁およびベースを含み、前記チャネルの前記ベースは、前記マニホルドを前記チャネルから取り外すために剛性部材を挿入可能な開口を含む、請求項４２に記載の基板。
前記開口はねじ切りされ、かつ前記マニホルドを前記チャネルから取り外すため、ねじ切りされた剛性部材を受けるように適合される、請求項５６に記載の基板。
前記マニホルド本体は、エッジで終端し、前記マニホルド本体の第１の表面に形成される少なくとも１つの第１の凹部を含み、前記チャネルは１対の側壁およびベースを含み、前記１対の側壁のうち少なくとも１つの側壁は、前記ベースの中へ延在し、かつ少なくとも１つの第１の凹部と相補の第１のエッジを有する少なくとも１つの第１の凹部を含む、請求項４２に記載の基板。
前記チャネルは、整列柱および整列開口のうち少なくとも１つを含むベースを有する、請求項４２に記載の基板。
ガスパネルであって、
共通の平面に形成される第１の複数のポートを含む第１の流路を有する第１のガススティックと、
共通の平面に形成される第２の複数のポートを含む第２の流路を有する第２のガススティックと、
第１および第２のポートが共通の平面に形成された第１のマニホルドとを備え、前記第１のポートは前記第１のガススティックの前記第１の複数のポートのうち１つに流体的に接続され、前記第２のポートは前記第２のガススティックの前記第２の複数のポートのうち１つに流体的に接続される、ガスパネル。
第１および第２のポートが共通の平面に形成された第２のマニホルドをさらに備え。前記第２のマニホルドの前記第１のポートは第１のガススティックの前記第１のポートとは区別される前記第１のガススティックの前記第１の複数のポートのうち２つのポートに流体的に接続され、前記第２のマニホルドの前記第２のポートは前記第２のガススティックの前記第１のポートとは区別される前記第２のガススティックの前記第２の複数のポートのうち２つのポートに流体的に接続される、請求項６０に記載のガスパネル。
前記第２のマニホルドは、前記第１の流路または前記第２の流路のいずれかに選択的に与えられ得るパージガスを受けるように適合される、請求項６１に記載のガスパネル。
前記第１および第２のガススティックは各々、前記第１のマニホルドを受けるチャネルを有する第１の基板を含み、前記チャネルは、前記第１および第２のガススティックの前
記１つのポートとともに共通の平面で前記第１のマニホルドの前記第１および第２のポートをそれぞれ位置決めするように適合される、請求項６０に記載のガスパネル。
前記第１および第２のガススティックは各々、前記第１のマニホルドを受けるチャネルを有する第２の基板を含み、前記チャネルは、前記第１および第２のガススティックの前記２つのポートとともに共通の平面で前記第２のマニホルドの前記第１および第２のポートをそれぞれ位置決めするように適合される、請求項６３に記載のガスパネル。
基板本体を有する基板で受けられるように適合されるマニホルドであって、前記基板本体は、その第１の表面に形成される第１および第２の基板ポートと、第１の方向に延在し、かつ前記第１および第２の基板ポートを流体的に接続する第１の基板流体通路と、第２の方向に延在し、前記基板本体の第１の表面に形成されるチャネルとを含み、前記マニホルドは、
マニホルド本体と、
前記マニホルド本体の第１の表面に形成される少なくとも１つの第１のマニホルドポートと、
前記マニホルド本体の第１の表面を横断する、前記マニホルド本体の第２の表面に形成される第２のマニホルドポートと、
前記マニホルド本体に形成され、かつ第２の方向に延在し、前記少なくとも１つの第１のマニホルドポートを前記第２のマニホルドポートに流体的に接続するマニホルド流体通路とを備え、
前記マニホルド本体は、前記基板本体の第１の表面と前記マニホルド本体の第１の表面とが共通の平面で整列するように前記チャネル内に位置決めされるように寸法決めされる、マニホルド。
前記少なくとも１つの第１のマニホルドポートは、前記マニホルド本体の第１の表面に形成される複数の第１のマニホルドポートを含み、前記複数の第１のマニホルドポートの各々は前記マニホルド流体通路に流体的に接続される、請求項６５に記載のマニホルド。
前記マニホルド本体の第１の表面を横断し、前記マニホルド本体の第２の表面に平行な前記マニホルド本体の第３の表面に形成される第３のマニホルドポートをさらに備え、前記第３のマニホルドポートは前記マニホルド流体通路に流体的に接続される、請求項６６に記載のマニホルド。
前記マニホルドは第１のマニホルドであり、前記第１のマニホルドの前記第２のマニホルドポートは第２のマニホルドのマニホルドポートと嵌り合うように適合され、前記第１のマニホルドの前記第３のマニホルドポートは第３のマニホルドのマニホルドポートと嵌り合うように適合され、前記第１、第２および第３のマニホルドは共通のマニホルドを形成する、請求項６７に記載のマニホルド。
前記マニホルド本体の前記第１、第２および第３の表面を横断する前記マニホルド本体の少なくとも１つの側面は、前記複数の第１のマニホルドポートの各々とそれぞれの基板のそれぞれのポートとを整列させるための手段を含む、請求項６８に記載のマニホルド。
前記マニホルド本体の第１の表面を横断し、前記マニホルド本体の第２の表面に平行な前記マニホルド本体の第３の表面に形成される第３のマニホルドポートをさらに備え、前記第３のマニホルドポートは前記マニホルド流体通路に流体的に接続される、請求項６５に記載のマニホルド。
前記マニホルドは第１のマニホルドであり、前記第１のマニホルドの前記第２のマニホ
ルドポートは第２のマニホルドのマニホルドポートと嵌り合って共通のマニホルドを形成するように適合される、請求項６５に記載のマニホルド。
前記第２のマニホルドポートは、処理流体供給源に流体的に接続されるフランジと嵌り合うように適合される、請求項６５に記載のマニホルド。
前記マニホルド本体の前記第１および第２の表面を横断する前記マニホルド本体の少なくとも１つの側面は、前記少なくとも１つの第１のマニホルドポートと前記第１および第２の基板ポートのうち１つとを整列させるための手段を含む、請求項６５に記載のマニホルド。
前記マニホルド本体の前記第１および第２の表面を横断する前記マニホルド本体の少なくとも１つの側面は、前記少なくとも１つの第１のマニホルドポートと前記第１および第２の基板ポートのうち１つとを整列させるためのピンを受けるように適合される少なくとも１つの溝を含む、請求項６５に記載のマニホルド。
前記第１の表面に平行で、かつ前記第２の表面を横断する前記マニホルド本体の第３の表面に形成される整列開口および整列柱のうち少なくとも１つをさらに備える、請求項６５に記載のマニホルド。
前記マニホルド本体の第１の表面に形成されたエッジで終端する少なくとも１つの凹部をさらに備える、請求項６５に記載のマニホルド。
装着アセンブリであって、
本体を有する第１の部材を備え、前記第１の部材の前記本体は、その両面に、第１の方向に面する第１の表面と、第１の方向とは反対の第２の方向に面する第２の表面とを含み、前記第２の表面は、周に隣接して配設された溝を含む外側部分と、前記外側部分から第２の方向に延在する中央部分とを有し、さらに
本体を有する第２の部材を備え、前記第２の部材の前記本体は、その両面に、第１の方向に面する第１の表面と、第１の方向とは反対の第２の方向に面する第２の表面とを含み、前記第２の表面は、中央部分と、前記中央部分から延在し、かつ周に隣接して配設された溝を含む外側部分とを有し、前記第２の部材の前記本体は、第１の表面から本体を通り、第２の表面の中央部分を通って延在する通し孔をさらに含み、さらに
前記第２の部材の前記本体の通し孔内で受けられ、かつ前記本体第１の部材の第２の表面の中央部分と係合するように寸法決めされるねじ切りされたシャンクを有する第１の固定具を備える、装着アセンブリ。
前記第１の部材の前記本体の第２の表面の前記外側部分の溝内に少なくとも部分的に嵌合するように寸法決めされる第１の弾力部材と、
前記第２の部材の前記本体の第２の表面の前記外側部分の溝内に少なくとも部分的に嵌合するように寸法決めされる第２の弾力部材とをさらに備える、請求項７７に記載の装着アセンブリ。
前記第１の部材の前記本体は、前記第２の表面の前記中央部分の雌ねじを切られた孔をさらに含み、前記第１の固定具の前記ねじ切りされたシャンクは、雄ねじを切られ、かつ前記第１の部材の前記本体の第２の表面の前記中央部分の雌ねじを切られた通し孔内で受けられるように寸法決めされる、請求項７８に記載の装着アセンブリ。
前記第１および第２の部材はほぼ円形の形状である、請求項７９に記載の装着アセンブリ。
前記第１の部材の前記本体の第２の表面の前記中央部分は、１対の対向する平坦な側を備えたほぼ円筒形の形状である、請求項８０に記載の装着アセンブリ。
前記第１の部材の前記本体の第２の表面の前記中央部分の前記雌ねじを切られた孔は、前記第１の部材の前記本体を通って前記第１の表面から、前記第１の部材の前記本体の前記第２の表面の前記中央部分を通って延在する、請求項８１に記載の装着アセンブリ。
前記第１および第２の弾力部材はエラストマ材料から形成される、請求項７８に記載の装着アセンブリ。
孔を有する装着プレートに基板を取り付ける方法であって、前記孔は、前記装着プレートを通って前記装着プレートの第１の表面から装着プレートの第２の表面に延在し、前記方法は、
前記孔に隣接する第１の表面上に上側マウントサブアセンブリを位置決めし、前記孔に前記上側サブアセンブリの中央部分を通すステップと、
前記上側マウントサブアセンブリの前記中央部分が下側マウントサブアセンブリの中央部分内に配設されるように、孔に隣接する第２の表面上に下側マウントサブアセンブリを位置決めするステップと、
前記下側マウントサブアセンブリを前記上側マウントサブアセンブリに固定するステップと、
前記基板を前記上側マウントサブアセンブリに固定するステップとを含む、方法。
前記上側マウントサブアセンブリは第１の剛性部材と第１の弾力部材とを備え、前記第１の剛性部材は、前記本体の両側に配設される第１および第２の表面を含む本体を有し、前記第２の表面は、周に隣接して配設される溝を含む外側部分と、前記外側部分から延在し、前記上側マウントサブアセンブリの中央部分を形成する中央部分とを有し、前記上側マウントアセンブリを位置決めするステップは、前記第１の弾力部材が前記第１の剛性部材と前記装着プレートの前記第１の表面との間で溝内に少なくとも部分的に嵌合するように前記上側マウントアセンブリを位置決めするステップを含む、請求項８４に記載の方法。
前記下側マウントアセンブリは第２の剛性部材と第２の弾力部材とを備え、前記第２の剛性部材は、前記本体の両側に配設される第１および第２の表面を含む本体を有し、前記第２の表面は、前記下側マウントアセンブリの中央部分を形成する中央部分と、前記中央部分から延在し、周に隣接して配設される溝を含む外側部分とを有し、
前記下側マウントアセンブリを位置決めするステップは、前記第２の弾力部材が前記第２の剛性部材と前記装着プレートの前記第２の表面との間で溝内で少なくとも部分的に嵌合するように前記下側マウントアセンブリを位置決めするステップを含む、請求項８５に記載の方法。
前記第１の剛性部材の前記第２の表面の前記中央部分は雌ねじを切られた孔を含み、
前記第２の剛性部材の前記本体は、前記第２の剛性部材の前記本体を通って前記第１の表面から前記第２の表面の前記中央部分を通って延在する通し孔を含み、
前記下側マウントサブアセンブリを前記上側マウントサブアセンブリに固定するステップは、第１の固定具の雄ねじを切られたシャンクを、前記第２の剛性部材の前記本体の前記通し孔を通して前記第１の剛性部材の前記第２の表面の前記中央部分の前記雌ねじを切られた孔の中へ通すステップを含む、請求項８６に記載の方法。
前記第１の剛性部材の前記第２の表面の前記中央部分の前記雌ねじを切られた孔は前記
第１の剛性部材の前記本体を通って前記第１の表面へ延在し、
前記基板を前記上側マウントサブアセンブリに固定するステップは、第２の固定具の雄ねじを切られたシャンクを、前記基板を通して前記雌ねじを切られた孔の中へ通すステップを含む、請求項８７に記載の方法。