CN109843800A - 多晶硅的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。本发明的多晶硅的制造方法包括硅析出工序、分离工序、氯化氢除去工序、氢纯化工序、活性炭再生工序及循环工序。

Description

多晶硅的制造方法
技术领域
本发明涉及多晶硅的制造方法。
背景技术
一直以来，已知有各种制造作为半导体或太阳光发电用晶片的原料使用的硅的方法。例如作为其中之一的西门子法为下面那样的方法。首先，对通电加热后的长丝供给氢与三氯硅烷的混合气体。接着，通过化学气相沉积法使硅在长丝上析出而得到多晶硅(也称为polysilicon)。
由利用西门子法得到多晶硅的工序排出的排气以氢作为主要成分，但也包含其它杂质。在该杂质中，除了未反应的三氯硅烷、以及作为反应的副产物的硅烷化合物及氯化氢等以外，还包含在金属硅中作为不可避免的杂质包含的微量的硼等。
在包含这样的杂质的上述排气主要作为氢源被供给至得到上述多晶硅的工序的情况下，会使所得到的多晶硅的品质降低。因此，对上述排气进行纯化，虽然其大部分被循环至上述得到多晶硅的工序，但其一部分经由适当的处理后被废弃。随着多晶硅的制造增加，被废弃的排气的量也增加。因此，期望确立这样的排气的有效的再利用方法。
在专利文献1中公开了一种多晶硅的制造方法，其包括将上述排气通过利用活性炭的吸附塔进行处理，从而将吸附到活性炭上的氯化氢及硅烷化合物进行再利用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-14504号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，上述那样的现有技术关于环境负荷及生产成本仍有进一步改善的余地。
本发明是鉴于上述的问题而进行的，其目的在于提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。
用于解决课题的手段
本申请的发明人们为了解决上述的课题而反复进行了深入研究。其结果发现，在多晶硅的制造方法中，通过使用氯硅烷液将氯化氢除去，能够降低环境负荷及生产成本，最终完成本发明。
即，本发明的一实施方式的多晶硅的制造方法包括：使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序；将从上述硅析出工序排出的排气分离成氯硅烷冷凝液和气体成分A的分离工序；使上述气体成分A与氯硅烷液接触而将氯化氢除去、得到气体成分B的氯化氢除去工序；使上述气体成分B与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去、得到氢气A的氢纯化工序；使与上述气体成分B接触后的活性炭与氢气B接触而再生的活性炭再生工序；及将通过上述活性炭再生工序而得到的气体成分C进行加压后供给至上述分离工序的循环工序。
发明的效果
根据本发明的一实施方式，能够提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一实施方式的多晶硅的制造方法中的气体成分及氯硅烷化合物的路线的图。
具体实施方式
以下对本发明的一实施方式进行说明，但本发明并不限定于此。本发明并不限定于以下说明的各构成，可以在权利要求书中所示的范围内进行各种变更。即，将分别公开于不同的实施方式中的技术特征适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。另外，本说明书中记载的全部专利文献在本说明书中作为参考文献被引用。另外，在本说明书中只要没有特别记载，则表示数值范围的“A～B”是指“A以上(包含A且大于A)且B以下(包含B且小于B)”。
本发明的一实施方式的多晶硅的制造方法(以下，称为本制造方法)包括：使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序；将从上述硅析出工序排出的排气分离成氯硅烷冷凝液和气体成分A的分离工序；使上述气体成分A与氯硅烷液接触而将氯化氢除去、得到气体成分B的氯化氢除去工序；使上述气体成分B与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去、得到氢气A的氢纯化工序；使与上述气体成分B接触后的活性炭与氢气B接触而再生的活性炭再生工序；以及将通过上述活性炭再生工序而得到的气体成分C进行加压后供给至上述分离工序的循环工序。
本制造方法由于包含上述构成，所以具有以下那样的优点。即，具有以下优点等：(1)在氯化氢除去工序中，由于与氯硅烷液接触来进行氯化氢的除去，所以与通过利用活性炭的吸附来进行氯化氢的除去的现有技术相比，杂质(可能包含硼(B)、磷(P)等掺杂剂)的除去率高；(2)(1)的结果是，即使是将气体成分C(包含氢气和氯硅烷化合物)循环至上述分离工序的情况下，也没有上述杂质的蓄积；(3)能够降低为了处理氢气及氯硅烷化合物而使用的苛性钠的量；(4)通过(1)～(3)，变得能够使排气有效地纯化及循环；(5)(4)的结果是，能够提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。
进而，在专利文献1中，将上述排气供给至STC(四氯硅烷)还原工序而进行再利用。但是，在本制造方法中，能够将上述排气供给至上述分离工序而进行再利用。上述分离工序与上述STC还原工序相比运转压力为低压。因此，本制造方法与现有技术相比具有以下优点：在再利用时用于将气体加压的加压设备成为小规模，建设成本变得更廉价。另外，在专利文献1中，通过活性炭来从排气中除去氯化氢。但是，在本制造方法中，与氯硅烷液接触来进行氯化氢的除去。因此，在本制造方法中，能够进一步削减用于将氢纯化的活性炭的容量。
以下，参照图1对本制造方法中包含的各工序进行详细说明。需要说明的是，实线表示液体的氯硅烷化合物，虚线表示气体成分，双重线表示填充有活性炭的吸附塔的切换。
<1.硅析出工序1>
本制造方法具有使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序1。
硅析出工序1中使用的反应装置的构造及反应条件没有特别限制，可以采用公知的反应装置及反应条件。硅析出工序1具体而言例如可以通过西门子法(钟罩法)、熔融析出法(VLD法、Vapor to Liquid Deposition法)等来进行。
西门子法为以下那样的方法。首先，在反应器(钟罩)内设置多晶硅芯线作为加热基材，将该多晶硅芯线通电加热至多晶硅析出温度以上的温度。接着，使含有氯硅烷化合物及氢的原料气体与加热后的多晶硅芯线接触。由此，使多晶硅在该多晶硅芯线的表面析出，得到生长后的多晶硅棒。
在西门子法中，作为通电加热后的多晶硅芯线的温度，只要是多晶硅析出温度以上，则没有特别限制，为了使多晶硅有效地析出，优选为600℃～1250℃，更优选为900℃～1200℃。
如以下那样，熔融析出法有逐次方法及连续方法。逐次方法首先将设置于反应器内的基材加热至多晶硅析出温度以上的高温(例如600℃以上)。接着，通过在上述基材上流通含有氯硅烷化合物及氢的原料气体并使其接触，从而使多晶硅在该基材的表面析出。之后，通过将上述基材维持在多晶硅的熔点以上的高温(例如1450℃～1700℃)，从而使上述析出的多晶硅熔融落下而回收。连续方法首先将设置于反应器内的基材加热至多晶硅的熔点以上的高温(例如1450℃～1700℃)。接着，在上述基材上流通含有氯硅烷化合物及氢的原料气体并使其接触。由此，使多晶硅在该基材的表面析出，并且使其熔融落下而得到多晶硅。
为了使多晶硅有效地析出，硅析出工序1优选通过熔融析出法来进行。
本说明书中，所谓氯硅烷化合物是指包含氯元素和硅元素的化合物。西门子法及熔融析出法中，作为原料气体中含有的氯硅烷化合物，例如均可列举出三氯硅烷、二氯硅烷等。
在硅析出工序1中，作为原料气体中含有的氯硅烷化合物，可将由后述的蒸馏工序11得到的氯硅烷化合物29制成气体状后使用。在原料气体中含有的氯硅烷化合物不足的情况下，对于不足的部分，可供给通过公知的方法而制造的氯硅烷化合物而使用(未图示)。作为可用作氯硅烷化合物的三氯硅烷，一般可以通过金属硅与氯化氢的公知的反应来制造。为了从蒸馏由该反应产生的产物而得到的三氯硅烷中除去硼、磷等杂质，优选将该三氯硅烷进一步进行蒸馏。通过进行蒸馏，能够得到高纯度的三氯硅烷。从得到高纯度的多晶硅的观点出发，硅析出工序1中使用的三氯硅烷的纯度优选为99.9％以上。
在硅析出工序1中，作为原料气体的氢的供给量只要是相对于氯硅烷化合物为过剩量则没有特别限制，为了使多晶硅有效地析出，优选相对于1摩尔氯硅烷化合物设定为3摩尔以上。
在硅析出工序1中，作为原料气体中含有的氢，其大部分可通过氢气A22a来补充，不足部分可使用通过公知的制造方法而得到的氢(未图示)。例如，所述氢可利用电解设备等通过水的电解来制造。具体而言，可以对以无机酸金属盐和/或金属氢氧化物作为电解质的电解质水溶液(即，包含无机酸金属盐和/或金属氢氧化物作为溶质的水溶液)通入电流而将水电解得到氢。为了从通过电解而得到的氢中除去金属杂质，优选将该氢进行水洗，进一步通过雾过滤器。通过水洗及通入雾过滤器，能够得到实质上不含金属杂质的氢。上述氢进一步优选不含氧及水蒸汽那样的气体杂质。氧及水蒸汽的除去方法可以采用在得到工业用氢时已知的公知的方法。从得到高纯度的多晶硅的观点出发，硅析出工序1中使用的氢的纯度优选为99.99vol％以上。
通过使用这些高纯度的三氯硅烷及氢，能够得到纯度为11N以上的高纯度的多晶硅。
<2.分离工序2>
本制造方法具有分离工序2，所述分离工序2将从硅析出工序1排出的排气13分离成氯硅烷冷凝液26和气体成分A14。
在排气13中，至少含有氯硅烷化合物、氢及氯化氢。排气13中包含的氯硅烷化合物包含原料气体中含有的氯硅烷化合物的热分解产物及未反应的氯硅烷化合物，例如包含四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷、单氯硅烷、六氯二硅烷、五氯二硅烷等中的1种以上。排气13中包含的氢包含通过原料气体中含有的氯硅烷化合物的热分解而产生的氢及未反应的氢。排气13中包含的氯化氢为由多晶硅的析出反应副产的氯化氢。排气13中的氯化氢浓度例如为0.1摩尔％～6摩尔％、特别是0.2摩尔％～3摩尔％。
分离工序2中得到的氯硅烷冷凝液26为排气13中所含的各种氯硅烷化合物的混合物。由于在氯硅烷冷凝液26中还进一步包含一些氯化氢，所以优选将氯硅烷冷凝液26供给至氯化氢放出工序4。需要说明的是，氯硅烷冷凝液26可以被供给至后述的氯化氢除去工序3、氯化氢放出工序4等工序，也可以用于本制造方法以外的用途。
另外，分离工序2中得到的气体成分A14包含氢气及氯化氢作为主要成分。气体成分A14进一步以数体积％左右的量含有没有作为氯硅烷冷凝液26冷凝分离、而是残存的氯硅烷化合物，另外虽然极微量但可能包含来自金属硅的硼及磷。
在分离工序2中，首先，优选将排气13冷却。排气13的冷却温度只要是氯硅烷化合物冷凝的温度以下则没有特别限制，可以考虑所使用的冷却装置的冷却能力等而适当决定。存在冷却温度越低则氯硅烷化合物的冷凝效果越高的倾向。在分离工序2中，从将氯硅烷冷凝液26和气体成分A14更高效及有效地分离的观点出发，排气13的冷却温度优选为-10℃以下，更优选为-30℃以下。另外，从生产成本的观点出发，排气13的冷却温度优选超过-60℃。
作为分离工序2中采用的分离方法，只要是能够分离成氯硅烷冷凝液26和气体成分A14则没有特别限制，优选采用冷凝除去法。冷凝除去法是通过将排气13冷却而使氯硅烷化合物冷凝、从而分离成氯硅烷冷凝液26和气体成分A14的方法。
作为在分离工序2中将排气13进行冷却的情况下采用的冷却方法，只要是能够将排气13冷却至上述的冷却温度则没有特别限制，可以采用公知的冷却方法。作为所述冷却方法，具体而言，可列举出使排气13通过冷却后的换热器中而使其冷却的冷却方法、或通过冷凝并冷却后的冷凝物将排气13进行冷却的冷却方法等。这些方法可以分别单独采用、或并用。
分离工序2其次优选在例如耐压容器内、并且高压力下进行。作为分离工序2中的压力，只要是能够将氯硅烷化合物充分除去则没有特别限制，可以考虑所使用的冷凝除去装置的能力等而适当决定。作为该压力，为了提高氯硅烷冷凝液26与气体成分A14的分离效果，优选为400kPaG以上，更优选为500kPaG以上。
在本制造方法中，为了使供给至分离工序2的排气13的压力上升，在分离工序2之前，也可以设置加压机。为了保护该加压机，本制造方法还优选在比加压机更靠上游侧进行预备的氯硅烷冷凝、或设置过滤器等。这些方面作为工业上的工艺设计的常规方法而可以采用。
<3.氯化氢除去工序3>
本制造方法具有氯化氢除去工序3，所述氯化氢除去工序3使气体成分A14与氯硅烷液接触而将氯化氢除去，得到气体成分B15。
氯化氢除去工序3中使用的氯硅烷液为包含氯硅烷化合物的液体，作为该氯硅烷化合物，没有特别限制，例如可列举出三氯硅烷、二氯硅烷、四氯硅烷等。
氯化氢除去工序3中使用的氯硅烷液还可以包含分离工序2中得到的氯硅烷冷凝液26的一部分。从氯化氢的有效除去的观点出发，氯化氢除去工序3中使用的氯硅烷液优选不包含氯化氢。因此，氯化氢除去工序3中使用的氯硅烷液优选为由后述的氯化氢放出工序4得到的放出氯化氢后的氯硅烷液21a。由此，能够将氯硅烷冷凝液26和/或氯硅烷液21a有效地利用。
在氯化氢除去工序3中，通过使气体成分A14中包含的氯化氢与氯硅烷液接触，使该氯化氢吸收到该氯硅烷液中，从而将气体成分A14中包含的氯化氢除去。
在氯化氢除去工序3中，为了从气体成分A14中有效地除去氯化氢，优选使用冷却后的氯硅烷液。为了从气体成分A14中有效地除去氯化氢，所述氯硅烷液的温度优选为-40℃以下，更优选为-50℃以下。
在氯化氢除去工序3中，为了有效地除去氯化氢，与气体成分A14接触的氯硅烷液中包含的氯硅烷化合物的量可基于氯硅烷化合物中包含的硅烷的合计量而适当设定。上述氯硅烷化合物中包含的硅烷的合计量相对于气体成分A14中含有的氯化氢1摩尔优选为130摩尔以上，更优选为140摩尔以上。另外，从运行成本降低的观点出发，上述氯硅烷化合物中包含的硅烷的合计量相对于气体成分A14中含有的氯化氢1摩尔优选为150摩尔以下。
在氯化氢除去工序3中，作为使气体成分A14与氯硅烷液接触的方法，没有特别限制，例如可以采用鼓泡方式、填充塔方式、喷淋方式等公知的方法。另外，氯化氢除去工序3可以通过气液接触塔等公知的设备来进行。
将使气体成分A14与氯硅烷液接触后的气体成分设定为气体成分B15。氯化氢除去工序3中得到的气体成分B15包含氢气作为主要成分。气体成分B15进一步以数体积％左右的量含有氯硅烷化合物，并且包含未被除去而残存的氯化氢。气体成分B15中包含的氯化氢的浓度优选为1ppm以下，更优选为0.1ppm以下。
在氯化氢除去工序3中，优选将与气体成分A14接触而吸收了氯化氢的氯硅烷液20供给至后述的氯化氢放出工序4。由此，能够将吸收了氯化氢的氯硅烷液20有效地进行利用。
<4.氢纯化工序5>
多晶硅的制造方法具有氢纯化工序5，所述氢纯化工序5使气体成分B15与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去，得到氢气A22a及22b。
氢纯化工序5优选通过对活性炭的层或填充有活性炭的吸附塔供给气体成分B15来进行。通过使气体成分B15与活性炭在该吸附塔内接触，从而气体成分B15中的氯硅烷化合物被活性炭吸附除去，能够得到氢气A22a及22b。在氢纯化工序5中使用的吸附塔由于主要吸附氯硅烷化合物，所以有时也称为氯硅烷吸附塔。
作为氢纯化工序5中使用的活性炭，只要是能够从气体成分B15中除去氯硅烷化合物的活性炭则没有特别限制，可以使用公知的活性炭。
氢纯化工序5中使用的活性炭的形状没有特别限制，例如优选具有粒状、蜂窝状或纤维状等形状。它们中，从填充到上述吸附塔中时能够增多每单位体积的填充量的方面出发，更优选粒状的活性炭。作为该活性炭的大小，以粒径计优选为1mm～6mm。
活性炭一般容易吸附空气中的水分。若将吸附了水分的活性炭供于氢纯化工序5，则有时该水分与气体成分B15中的氯硅烷化合物反应而在活性炭上生成硅酸化物。若在活性炭上生成硅酸化物，则会产生配管的堵塞、污染等不良情况，所以不优选。因此，氢纯化工序5中使用的活性炭优选将吸附的水分除去后供于氢纯化工序5。作为水分的除去方法，可列举出减压处理及加热处理中的至少一者。
为了将活性炭中的水分充分除去，上述减压处理可以通过在以绝对压力计优选在1×104Pa以下、更优选在1×103Pa以下的减压度下保持一定时间来进行。
为了将活性炭中的水分充分除去，上述加热处理可以通过在优选80℃～130℃下保持一定时间来进行。为了将活性炭中的水分充分除去，该加热处理优选在不活泼气体的流通下或减压下进行。作为所使用的不活泼气体，例如可列举出氮、氦、氩等。作为在减压下进行时的优选的减压度，与上述减压处理中的减压度相同。
减压处理及加热处理均优选进行至活性炭中的水分被充分除去为止。水分是否被充分除去可以通过测定气氛的露点来确认。为了将活性炭中的水分充分除去，水分的除去优选进行至气氛的露点变成-30℃以下为止，更优选进行至变成-40℃以下为止。
在氢纯化工序5中，作为使气体成分B15与活性炭接触而将氯硅烷化合物吸附除去期间的吸附温度及吸附压力，只要是能够将氯硅烷化合物充分吸附除去的温度及压力则没有特别限制。作为该吸附温度，优选为-30℃～50℃，更优选为-10℃～40℃。作为该吸附压力，优选为1300kPaG以上，更优选为1500kPaG以上。若上述吸附温度及吸附压力为上述范围内，则能够从气体成分B15中将氯硅烷化合物充分地吸附除去。
在氢纯化工序5中，使气体成分B15通过活性炭的层或填充有活性炭的吸附塔内时的速度(即，通过速度)只要是能够将气体成分B15中的氯硅烷化合物充分吸附除去的速度则没有特别限制。上述通过速度只要考虑该吸附塔的能力而适当决定即可。氢纯化工序5中的气体成分B15的上述通过速度以空间速度(SV)计优选为50Hr-1～500Hr-1，更优选为50Hr-1～150Hr-1。
气体成分B15有时包含微量的氯化氢，但该微量的氯化氢在氢纯化工序5中与氯硅烷化合物一起被活性炭吸附。
氢纯化工序5中得到的氢气A22a及22b优选为纯度99.99vol％以上的氢气。另外，氢纯化工序5中得到的氢气A22a及22b中包含的氯硅烷化合物的含量可基于氯硅烷化合物中包含的硅烷的合计量而适当控制。上述氯硅烷化合物中包含的硅烷的合计量优选为3ppm以下，更优选为1ppm以下，进一步优选为0.1ppm以下。通过设定为上述构成，氢纯化工序5中得到的氢气A22a及22b变成高纯度的氢气。
氢纯化工序5中得到的氢气A22a由于为高纯度的氢气，所以可以作为硅析出工序1的原料气体直接进行循环利用。另外，氢气A22b也可以作为后述的活性炭再生工序6中使用的氢气B28使用。氢气A22a还可以作为在由四氯硅烷向三氯硅烷的还原反应中使用的氢、或作为以四氯硅烷为原料的二氧化硅的制造中的氢源使用(未图示)。
本制造方法优选包括将由氢纯化工序5得到的氢气A22a供给至硅析出工序1。根据上述构成，由于将氢气再利用，所以能够提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。
在将由氢纯化工序5得到的氢气A22a供给至硅析出工序1等其它工序的情况下，氢气A22a在被供给至其它的工序之前，也可以被加压。作为将氢气A22a加压的方法，可以采用与后述的循环工序7中将气体成分C(加压前)18加压的方法同样的方法。
<5.活性炭再生工序6>
本制造方法具有活性炭再生工序6，所述活性炭再生工序6使与气体成分B15接触后的活性炭16与氢气B28接触而再生。
在氢纯化工序5中，从气体成分B15除去的氯硅烷化合物被吸附保持在活性炭的层或填充有活性炭的吸附塔中。在活性炭再生工序6中，氯硅烷化合物从在氢纯化工序5中使用的与气体成分B15接触后的活性炭16上脱附，与气体成分B15接触后的活性炭16被再生，能够得到再生活性炭17。再生活性炭17能够在氢纯化工序5中再利用。活性炭再生工序6可以通过使吸附保持有氯硅烷化合物的活性炭中流通作为吹扫气体的氢气B28来进行。其结果是，在从与气体成分B15接触后的活性炭16排出的吹扫排气、即气体成分C(加压前)18中，含有氯硅烷化合物及氢。
另外，在供于氢纯化工序5的气体成分B15包含微量的氯化氢的情况下，在氢纯化工序5中微量的氯化氢与氯硅烷化合物一起被吸附到活性炭中。即，与气体成分B15接触后的活性炭16含有微量的氯化氢。因此，在活性炭再生工序6中得到的气体成分C(加压前)18中有时含有氯化氢。
活性炭再生工序6中的氯硅烷化合物的脱附的条件只要是氯硅烷化合物能够从活性炭脱附的条件则没有特别限制，只要考虑吸附塔的能力等而适当决定即可。氯硅烷化合物从活性炭的脱附通常一边在10℃～300℃及200kPaG以下的操作条件下流通氢一边进行。特别是为了提高氯硅烷化合物的脱附效率，优选在150℃～250℃、100kPaG以下的操作条件下流通氢。使活性炭中流通作为吹扫气体的氢气B28时的速度(空间速度(SV))只要是吸附保持于该活性炭中的氯硅烷化合物能够充分脱附的速度则没有特别限制，只要考虑吸附塔的能力等而适当决定即可。作为该空间速度(SV)，一般而言，为1Hr-1～50Hr-1，优选在1Hr-1～20Hr-1的范围内适当决定。
在活性炭再生工序6中，作为吹扫气体的氢气B28的纯度没有特别限制，可以直接使用可工业获得的氢。然而，在作为吹扫气体的氢气B28中包含杂质的情况下，该杂质有可能在活性炭再生工序6中的氯硅烷化合物脱附时吸附到活性炭上。而且，在将吸附有所述杂质的再生活性炭17在氢纯化工序5中再利用于氯硅烷化合物从气体成分B15的除去的情况下，从活性炭排出的氢气A22a及22b有可能被上述杂质污染。本制造方法中，优选即使是在氢纯化工序5中使气体成分B15与再生活性炭17接触的情况下，由再生活性炭17得到的氢气A22a及22b也不会被再生活性炭17污染。因此，氢气B28优选为高纯度的氢。作为所述氢，可以适宜使用硅析出工序1中使用的氢、或在氢纯化工序5中得到的氢气A22b等。
氢纯化工序5及活性炭再生工序6可以在工业上连续作业。在像这样连续作业的情况下，需要设置多个填充有活性炭的吸附塔，交替地实施使氯硅烷化合物吸附到吸附塔内的活性炭上的氢纯化工序5、和将该活性炭再生的活性炭再生工序6。例如，也可以设置2塔，以1塔进行氢纯化工序5，在其间用另一塔实施活性炭再生工序6。或者，也可以设置3塔以上，将1塔用于氢纯化工序5，将2塔以上用于活性炭再生工序6。进而，也可以设置4塔以上。另外，在多晶硅的生产能力大的情况下，可以设定为每1塔的容量大的塔，也可以将多个塔并列使用。
对设置多个吸附塔而交替地切换氢纯化工序5和活性炭再生工序6且按照氢纯化工序5和活性炭再生工序6连续的方式运用的情况进行说明。这种情况下，对于将各吸附塔的氢纯化工序5与活性炭再生工序6切换的时机，没有特别限定。例如，只要预先设定氢纯化工序5及活性炭再生工序6的时间，在经过一定时间后的阶段由氢纯化工序5向活性炭再生工序6、或由活性炭再生工序6向氢纯化工序5切换即可。氢纯化工序5或活性炭再生工序6的时间考虑吸附塔的容量及对吸附塔供给的气体成分B15的量等而适当决定。
本制造方法优选气体成分C(加压前)18满足以下的式子。
式子：二氯硅烷含量<三氯硅烷含量+四氯硅烷含量
(式中，含量是指气体成分C(加压前)中的各成分在二氯硅烷、三氯硅烷及四氯硅烷的含量的合计中所占的比例(摩尔％))。
<6.循环工序7>
本制造方法具有循环工序7，所述循环工序7将由活性炭再生工序6得到的气体成分C(加压前)18进行加压后供给至分离工序2。
由活性炭再生工序6得到的气体成分C(加压前)18含有氢及氯硅烷化合物，根据情况进一步含有氯化氢。为了将气体成分C(加压前)18供给至分离工序2，需要通过将气体成分C(加压前)18加压的方法来得到气体成分C(加压后)19。因此，循环工序7也可以是将气体成分C(加压前)18加压而得到气体成分C(加压后)19的工序。
在循环工序7中，作为将气体成分C(加压前)18加压的方法，没有特别限制，可以采用公知的加压方法。作为所述加压方法，具体而言，可列举出离心压缩机、轴流压缩机等涡轮压缩机、往复压缩机、隔膜式压缩机、螺杆压缩机、旋转压缩机等容积压缩机等加压方法。
在循环工序7中，气体成分C(加压前)18的加压的压力只要是被加压至能够供给至分离工序2的程度则没有特别限制。通常，若将气体成分C(加压前)18的加压进行至气体成分C(加压后)19的压力成为500kPaG～600kPaG为止则充分。气体成分C(加压前)18通过上述的压缩方法被加压，成为气体成分C(加压后)19，能够供给至分离工序2。
在循环工序7中，作为将气体成分C(加压前)18加压时的压力，只要是能够加压至能够供给至分离工序2的程度的压力则没有特别限制。作为该压力，优选为500kPaG～1000kPaG，更优选为500kPaG～700kPaG。即，气体成分C(加压后)19优选为上述范围的压力。若将气体成分C(加压前)18加压时的压力为上述范围内，则具有能够将气体成分C(加压后)19有效地供给至分离工序2的优点、及加压设备变成小规模而建设成本变得更廉价的优点。
<7.氯化氢放出工序4>
多晶硅的制造方法优选具有氯化氢放出工序4，所述氯化氢放出工序4从在氯化氢除去工序3中吸收了上述氯化氢的氯硅烷液20中放出该氯化氢。根据上述构成，能够分离成氯化氢和氯硅烷液，能够将放出氯化氢后的氯硅烷液21a或21b分别再利用于氯化氢除去工序3或供给至蒸馏系统。
在氯化氢放出工序4中，能够将在氯化氢除去工序3中吸收了上述氯化氢的氯硅烷液20供给至放出塔，从该放出塔的塔顶将气体状的氯化氢作为所放出的氯化氢27回收。
在氯化氢放出工序4中，作为上述放出塔的形式，可以没有特别限制地采用公知的方法。例如，可以使用在底部具有再沸器的填充塔形式或塔式板形式等的放出塔来进行。
在氯化氢放出工序4中，氯化氢的放出条件可以没有任何限制地适用公知的条件，但优选温度为110℃～150℃、及压力为700kPaG～900kPaG。
本制造方法优选包括将由分离工序2得到的氯硅烷冷凝液26供给至氯化氢放出工序4。根据上述构成，能够将由分离工序2得到的氯硅烷冷凝液26中包含的氯化氢作为在氯化氢放出工序4中所放出的氯化氢27回收。另外，通过供给至氯化氢放出工序4，氯硅烷冷凝液26中的氯化氢浓度减少，能够得到更适宜用于后述的蒸馏工序11的氯硅烷化合物。
在氯化氢放出工序4中得到的所放出的氯化氢27以氯化氢作为主要成分，有时包含此外的微量的氢及氯硅烷化合物。
在氯化氢放出工序4中得到的所放出的氯化氢27优选在其它的工序中使用。由此，能够将所放出的氯化氢27有效地利用。
在氯化氢放出工序4中，优选将放出氯化氢后的氯硅烷液21b供给至蒸馏工序11，将蒸馏后的氯硅烷化合物29制成气体状后，作为硅析出工序1的原料气体进行再利用。由此，能够将蒸馏后的氯硅烷化合物29有效地进行利用。
<8.吸收液循环工序>
本制造方法优选进一步包括吸收液循环工序，所述吸收液循环工序将由氯化氢放出工序4得到的放出氯化氢后的氯硅烷液21a的一部分供给至氯化氢除去工序3。根据上述构成，由于将氯硅烷液再利用，所以能够提供环境负担少、生产成本低的多晶硅的制造方法。
优选设置氯硅烷液管线，所述氯硅烷液管线在氯化氢放出工序4中将放出塔的塔底的氯硅烷液、即放出氯化氢后的氯硅烷液21a的一部分循环至氯化氢除去工序3中。通过设置氯硅烷液管线，能够将放出氯化氢后的氯硅烷液21a作为在氯化氢除去工序3中使用的氯硅烷液的一部分或全部使用。由此，能够将放出氯化氢后的氯硅烷液21a有效地进行利用。
<9.蒸馏工序11>
本制造方法优选包含蒸馏工序11，所述蒸馏工序11将放出氯化氢后的氯硅烷液21b蒸馏，将蒸馏后的氯硅烷化合物29供给至硅析出工序1。由此，能够将在蒸馏后得到的氯硅烷化合物29作为硅析出工序1的原料气体再利用。需要说明的是，在将蒸馏后的氯硅烷化合物29供给至硅析出工序1之前，若是需要则也可以具备纯化工序。
本发明的一实施方式也可以为以下那样的构成。
[1]一种多晶硅的制造方法，其特征在于，其包括：使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序；将从上述硅析出工序排出的排气分离成氯硅烷冷凝液和气体成分A的分离工序；使上述气体成分A与氯硅烷液接触而将氯化氢除去、得到气体成分B的氯化氢除去工序；使上述气体成分B与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去、得到氢气A的氢纯化工序；使与上述气体成分B接触后的活性炭与氢气B接触而再生的活性炭再生工序；及将通过上述活性炭再生工序而得到的气体成分C进行加压后供给至上述分离工序的循环工序。
[2]根据[1]所述的多晶硅的制造方法，其进一步包括氯化氢放出工序，所述氯化氢放出工序从在上述氯化氢除去工序中吸收了上述氯化氢的上述氯硅烷液中放出该氯化氢。
[3]根据[2]所述的多晶硅的制造方法，其进一步包括吸收液循环工序，所述吸收液循环工序将由上述氯化氢放出工序得到的放出氯化氢后的上述氯硅烷液的一部分供给至上述氯化氢除去工序。
[4]根据[2]或[3]所述的多晶硅的制造方法，其包括将由上述分离工序得到的上述氯硅烷冷凝液供给至上述氯化氢放出工序。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的多晶硅的制造方法，其包括将由上述氢纯化工序得到的上述氢气A供给至上述硅析出工序。
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的多晶硅的制造方法，其中，上述气体成分C满足以下的式子。
式子：二氯硅烷含量<三氯硅烷含量+四氯硅烷含量
(式中，含量是指各成分在二氯硅烷、三氯硅烷及四氯硅烷的含量的合计中所占的比例(摩尔％))
[7]根据[1]～[6]中任一项所述的多晶硅的制造方法，其中，上述分离工序包括将上述排气冷却至-10℃以下。
实施例
(实施例1)
通过图1中所示的方法，实施本发明。
在硅析出工序1中，通过西门子法进行了多晶硅的析出。在内容积为10m3的钟罩(反应器)内，将倒U字型的多晶硅芯线50组设置到底盘上所设置的电极上。上述钟罩内的温度通过对多晶硅芯线的通电量来调整，以使多晶硅芯线的温度被维持在约1000℃。在上述条件下，向钟罩内，供给氢气A22a、及制成气体状的氯硅烷化合物29作为原料气体，进行了多晶硅的析出。这里，氢气A22a相对于氯硅烷化合物29的摩尔比为7。另外，氯硅烷化合物29的大部分为三氯硅烷。
在硅析出工序1中，从上述钟罩，以24000Nm3/小时的量得到下述表1中所示的组成的排气13。
[表1]
成分 TCS STC DCS 氢 氯化氢 B P
组成 13摩尔％ 6摩尔％ 2摩尔％ 78摩尔％ 1摩尔％ 0.2ppba 10ppba
*TCS：三氯硅烷、STC：四氯硅烷、DCS：二氯硅烷、B：硼、P：磷
上述排气13被送至分离工序2，通过冷却器冷却至-15℃，得到表2中所示的组成的气体成分A14和氯硅烷冷凝液26。
[表2]
上述气体成分A14以20000Nm3/小时的量送至氯化氢除去工序3，这里使用气液接触塔，与氯硅烷液以120m3/小时接触而得到表3中所示的气体成分B15。
[表3]
成分 TCS STC DCS 氢 氯化氢 B P
组成 0.2摩尔％ 0摩尔％ 0.1摩尔％ 99.7摩尔％ 0摩尔％ 0.1ppba 0.1ppba
需要说明的是，上述氯硅烷液使用了由上述氯硅烷冷凝液26所被供给的氯化氢放出工序4得到的放出氯化氢后的氯硅烷液21a。
另一方面，在氯化氢除去工序3中使用后的氯硅烷液作为吸收了氯化氢的氯硅烷液20，被送至氯化氢放出工序4。
接着，上述气体成分B15通过氢纯化工序5中设置的吸附塔(以下，实施例中称为氯硅烷吸附塔)进行了处理。然后，氢纯化工序5中得到的氢气A22a如上述那样被供给至硅析出工序1。这里，在硅析出工序1中氢气不足的情况下，将通过电解设备而制造及纯化后的氢气补充至硅析出工序1。
作为上述氯硅烷吸附塔，将3个填充有活性炭(Chlorsorb(商品名)；Jacobi公司制)的吸附塔并列设置而使用，交替地进行氯硅烷化合物的吸附和脱附。即，结束吸附氯硅烷化合物后的氯硅烷吸附塔(包含与气体成分B接触后的活性炭16)被供至活性炭再生工序6，进行氯硅烷吸附塔中包含的活性炭的再生，得到再生后的氯硅烷吸附塔(包含再生活性炭17)。活性炭再生工序6如下进行：供给作为氢气A22b的由氢纯化工序5得到的氢气A的一部分、将氯硅烷吸附塔内的温度调整至120℃以上、并且对所吸附的氯硅烷化合物进行吹扫。这里，作为氢气，仅使用氢气A22b，没有使用氢气B。作为气体成分C(加压前)18而得到包含氯硅烷化合物的吹扫排气，送至循环工序7并利用压缩机升压后，作为气体成分C(加压后)19被供给至分离工序2。
将上述气体成分C(加压前)18的组成示于表4中。
[表4]
成分 TCS STC DCS 氢 氯化氢 B P
组成 2摩尔％ 0.1摩尔％ 1.4摩尔％ 96摩尔％ 0.5摩尔％ 未检测到 未检测到
如由上述表4表明的那样，在作为吹扫排气的气体成分C(加压前)18中，没有检测到硼(B)及磷(P)。因此，即使将所得到的气体成分C(加压前)18作为氯硅烷化合物源在分离工序2中进行再利用，在氯硅烷化合物的循环体系中也基本不会引起硼及磷的蓄积。
另一方面，在上述氯化氢放出工序4中，除去了氯化氢的氯硅烷液作为氯硅烷液21b，被送至蒸馏工序11。在蒸馏工序11中，作为蒸馏塔的馏出液，得到纯化后的三氯硅烷，该三氯硅烷作为氯硅烷化合物29被制成气体状后被供给至硅析出工序1。这里，在硅析出工序1中氯硅烷化合物不足的情况下，如下面那样将氯硅烷化合物补充到硅析出工序1中。即，将通过金属硅与四氯硅烷的反应而另外制造的氯硅烷化合物供给至上述蒸馏工序11，将蒸馏后的氯硅烷化合物29制成气体状后补充到硅析出工序1中。
另外，在上述氯化氢放出工序4中，还得到所放出的氯化氢27。
上述各表中所示的各组成为运转开始后第10天的测定数据。
(比较例1)
在实施例1中，关于氯化氢除去工序3，将上述气液接触塔变更为氯化氢吸附塔，进行了氯化氢的除去，除此以外与实施例1同样地实施了作业。
作为上述氯化氢吸附塔，使用了填充有活性炭(Chlorsorb(商品名)；Jacobi公司制)的吸附塔。将2个氯化氢吸附塔并列地设置而使用，交替地进行氯化氢的吸附和脱附。即，结束吸附氯化氢后的氯化氢吸附塔被供至活性炭再生工序。在活性炭再生工序中，通过供给由氢纯化工序得到的氢气的一部分，将吸附塔内的温度调整至120℃以上，并且将所吸附的氯化氢进行吹扫来再生。
使用氯化氢吸附塔而除去了氯化氢的气体成分与实施例1同样地通过设置于氢纯化工序中的氯硅烷吸附塔同样地进行了处理。若换而言之，则在比较例1中，填充有活性炭的吸附塔有用于除去氯化氢的氯化氢吸附塔和用于吸附氯硅烷化合物的氯硅烷吸附塔。
在比较例1中，由结束吸附氯硅烷化合物后的氯硅烷吸附塔通过对氯硅烷化合物进行吹扫而得到的包含氯硅烷化合物的吹扫排气(相当于实施例1中的气体成分C(加压前)18)为表5中所示的组成。
[表5]
成分 TCS STC DCS 氢 氯化氢 B P
组成 8摩尔％ 3摩尔％ 1摩尔％ 88摩尔％ 0摩尔％ 0.9ppba 1.3ppba
如由上述表5表明的那样，在氯化氢的除去中使用了活性炭的比较例1中，在包含氯硅烷化合物的吹扫排气中，存在硼(B)及磷(P)。因此，在将该吹扫排气作为氯硅烷化合物源返回至分离工序2的情况下，在氯硅烷化合物的循环体系中，硼(B)及磷(P)的蓄积成为问题。
产业上的可利用性
本制造方法与以往的制造方法相比，由于环境负荷更少、生产成本更低，所以可以为了制造作为半导体或太阳光发电用晶片的原料使用的多晶硅而适当利用。
符号的说明
1 硅析出工序
2 分离工序
3 氯化氢除去工序
4 氯化氢放出工序
5 氢纯化工序
6 活性炭再生工序
7 循环工序
13 排气
14 气体成分A
15 气体成分B
16 与气体成分B接触后的活性炭
18 气体成分C(加压前)
20 吸收了氯化氢的氯硅烷液
21a、21b 放出氯化氢后的氯硅烷液
22a、22b 氢气A
26 氯硅烷冷凝液
28 氢气B

Claims (7)

1.一种多晶硅的制造方法，其特征在于，包括：
使氯硅烷化合物与氢反应而使多晶硅析出的硅析出工序；
将从所述硅析出工序排出的排气分离成氯硅烷冷凝液和气体成分A的分离工序；
使所述气体成分A与氯硅烷液接触而将氯化氢除去、得到气体成分B的氯化氢除去工序；
使所述气体成分B与活性炭接触而将氯硅烷化合物除去、得到氢气A的氢纯化工序；
使与所述气体成分B接触后的活性炭与氢气B接触而再生的活性炭再生工序；及
将通过所述活性炭再生工序而得到的气体成分C进行加压后供给至所述分离工序的循环工序。
2.根据权利要求1所述的多晶硅的制造方法，其进一步包括氯化氢放出工序，所述氯化氢放出工序从在所述氯化氢除去工序中吸收了所述氯化氢的所述氯硅烷液中放出该氯化氢。
3.根据权利要求2所述的多晶硅的制造方法，其进一步包括吸收液循环工序，所述吸收液循环工序将由所述氯化氢放出工序得到的放出氯化氢后的所述氯硅烷液的一部分供给至所述氯化氢除去工序。
4.根据权利要求2或3所述的多晶硅的制造方法，其包括将由所述分离工序得到的所述氯硅烷冷凝液供给至所述氯化氢放出工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的多晶硅的制造方法，其包括将由所述氢纯化工序得到的所述氢气A供给至所述硅析出工序。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的多晶硅的制造方法，其中，所述气体成分C满足以下的式子，
式子：二氯硅烷含量<三氯硅烷含量+四氯硅烷含量
式中，含量是指各成分在二氯硅烷、三氯硅烷及四氯硅烷的含量的合计中所占的比例，所述比例为摩尔％。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的多晶硅的制造方法，其中，所述分离工序包括将所述排气冷却至-10℃以下。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113309975A (zh) * 2021-05-10 2021-08-27 浙江陶特容器科技股份有限公司 一种用于制备半导体多晶硅的甲硅烷-氢气混合气的充装方法及其应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102173996B1 (ko) 2019-05-16 2020-11-04 주식회사 만도 조향 제어 장치와 그 방법, 및 조향 제어 시스템

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101357287A (zh) * 2007-07-31 2009-02-04 中国恩菲工程技术有限公司 从生产多晶硅所产生的尾气中回收氯化氢的方法
CN101791487A (zh) * 2010-03-30 2010-08-04 中国天辰工程有限公司 回收多晶硅生产的尾气中氯化氢的方法
CN102574680A (zh) * 2009-10-14 2012-07-11 信越化学工业株式会社 氢气回收系统以及氢气的分离回收方法
EP2484631A1 (en) * 2009-09-30 2012-08-08 Tokuyama Corporation Method for reusing hydrogen
KR101452354B1 (ko) * 2014-01-24 2014-10-22 한화케미칼 주식회사 폐가스의 정제방법 및 정제장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8241401B2 (en) * 2010-11-02 2012-08-14 Mitsubishi Polycrystalline Silicon America Corporation (MIPSA) Apparatus and method for producing purified hydrogen gas by a pressure swing adsorption processes
US8404205B2 (en) * 2011-01-07 2013-03-26 Mitsubishi Polycrystalline Silicon America Corporation (MIPSA) Apparatus and method for producing polycrystalline silicon having a reduced amount of boron compounds by forming phosphorus-boron compounds
DE102011078676A1 (de) 2011-07-05 2013-01-10 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Produktion von Polysilicium
MY195545A (en) * 2014-01-24 2023-01-31 Hanwha Chemical Corp Purification Method And Purification Apparatus For Off-Gas

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101357287A (zh) * 2007-07-31 2009-02-04 中国恩菲工程技术有限公司 从生产多晶硅所产生的尾气中回收氯化氢的方法
EP2484631A1 (en) * 2009-09-30 2012-08-08 Tokuyama Corporation Method for reusing hydrogen
CN102574680A (zh) * 2009-10-14 2012-07-11 信越化学工业株式会社 氢气回收系统以及氢气的分离回收方法
CN101791487A (zh) * 2010-03-30 2010-08-04 中国天辰工程有限公司 回收多晶硅生产的尾气中氯化氢的方法
KR101452354B1 (ko) * 2014-01-24 2014-10-22 한화케미칼 주식회사 폐가스의 정제방법 및 정제장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113309975A (zh) * 2021-05-10 2021-08-27 浙江陶特容器科技股份有限公司 一种用于制备半导体多晶硅的甲硅烷-氢气混合气的充装方法及其应用

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