CN109835870B - 一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构 - Google Patents

一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构 Download PDF

Info

Publication number
CN109835870B
CN109835870B CN201910124346.5A CN201910124346A CN109835870B CN 109835870 B CN109835870 B CN 109835870B CN 201910124346 A CN201910124346 A CN 201910124346A CN 109835870 B CN109835870 B CN 109835870B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
mems device
processing circuit
asic processing
packaging method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910124346.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109835870A (zh
Inventor
马盛林
龚丹
邱奕翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen University
Original Assignee
Xiamen University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen University filed Critical Xiamen University
Priority to CN201910124346.5A priority Critical patent/CN109835870B/zh
Publication of CN109835870A publication Critical patent/CN109835870A/zh
Priority to TW108135933A priority patent/TWI700756B/zh
Priority to US16/740,633 priority patent/US11130674B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109835870B publication Critical patent/CN109835870B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/00238—Joining a substrate with an electronic processing unit and a substrate with a micromechanical structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0006—Interconnects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0271—Resonators; ultrasonic resonators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/07—Interconnects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0118—Processes for the planarization of structures
    • B81C2201/0125—Blanket removal, e.g. polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0156—Lithographic techniques
    • B81C2201/0159—Lithographic techniques not provided for in B81C2201/0157
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/032—Gluing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/05—Aligning components to be assembled
    • B81C2203/052—Passive alignment, i.e. using only structural arrangements or thermodynamic forces without an internal or external apparatus
    • B81C2203/054—Passive alignment, i.e. using only structural arrangements or thermodynamic forces without an internal or external apparatus using structural alignment aids, e.g. spacers, interposers, male/female parts, rods or balls
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0785—Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
    • B81C2203/0792—Forming interconnections between the electronic processing unit and the micromechanical structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构，首先在ASIC处理电路IC圆片的正面形成一层再布线层，紧接着在再布线层涂敷一层有机物，光刻刻蚀图形化形成微腔阵列；然后将MEMS器件的正面电极焊盘层与微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构；将MEMS器件背面硅衬底层减薄抛光至所需厚度，光刻图形化刻蚀暴露出MEMS器件正面电极焊盘层、再布线层的电学接触区；最后，制作金属连接件连接电极焊盘层以及电学接触区。本发明降低了MEMS器件的整体体积、成本，实现芯片倒装键合、提高成品率。

Description

一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构
技术领域
本发明属于微机电系统(MEMS)领域，更具体的涉及一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构。
背景技术
AlN MEMS器件是一种采用ALN为压电材料的传感器或者执行器，不断朝小型化集成化的方向发展，在要求缩小尺寸、增加性能的同时，还必须降低成本。采用ALN材料不仅有好的导热能力，较高的介电常数，还能与CMOS工艺兼容；AlN MEMS器件不仅具有较高的电学特性、较好的机械性能和光学传输特性，制作工艺简单且成本较低，从而广泛应用于工业、医学等。目前产业化商业化应用包括薄膜体声波谐振器、超声波传感器、压电换能器等。
对于紧密复杂的ALN MEMS器件，需要保护器件内部的可动部件，保证器件的高性能指标。为了避免长时间接触复杂的工作环境，后续的集成封装也显得格外重要。目前主要的集成封装技术方案有:美国InvenSense公司提出了一种MEMS-IC单片集成式的MEMS圆片级真空封装的技术方案，采用薄膜体声波器件、超声波传感器等作为衬底，ASIC信号处理IC堆叠其上并且通过其体内的TSV互连实现信号引出；近年来企业以及研究机构多数采用的是Post-CMOS单片集成技术，广泛用于后续的量产化制造，在正常的IC工艺流程结束后，通过MEMS微机械加工进行MEMS器件的制作，实现单片集成MEMS系统；1960年IBM公司开发了倒装芯片封装技术，一般是在芯片的正面制作焊点阵列作为输入、输出端子并以倒扣方式焊接于封装基板上，采用下填充有机物稳固焊接键合过程。
然而，基于TSV技术的圆片级真空封装技术复杂度高、对IC设计影响大，ASIC与MEMS芯片的面积需要保持一致，而IC技术按比例缩小的速度要远超过MEMS技术，要求两者的芯片面积保持一致会导致芯片面积浪费以及成本提高。Post-CMOS单片集成技术虽然对CMOS工艺要求低，但在高温加工ALN MEMS器件时会对CMOS电路产生较大的影响。倒装芯片技术无法将AlN MEMS器件形成闭合空腔结构。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术中的上述缺陷，提出一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构，用于使MEMS器件实现闭合空腔结构并且能够与ASIC处理电路IC圆片实现电气互联。
本发明采用如下技术方案：
一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在ASIC处理电路IC圆片上光刻图形化沉积一层再布线层；
2)在该再布线层上旋涂一层有机物作为键合层，并光刻形成有微腔阵列；
3)将MEMS器件正面的电极焊盘层与该微腔阵列对准并键合，以形成闭合空腔结构；
4)将键合后的MEMS器件背面的硅衬底层减薄抛光至所需厚度；
5)将MEMS器件光刻图形化以使电极焊盘层形成外凸的连接部，在键合层上开孔露出再布线层的电学接触区；
6)在连接部和键合层上制作金属连接件，以使该电极焊盘层与电学接触区电连接。
所述MEMS器件为超声波传感器、体声波传感器或压电储能器。
所述MEMS器件依次包括所述硅衬底层、氧化层、下电极层、压电层、上电极层、表面钝化层和所述电极焊盘层。
所述再布线层为Al层或Cu层或Al/Cu层。
所述键合层为苯并环丁烯或BCB层。
所述闭合空腔结构为真空的闭合空腔结构。
步骤4)中，所述所需厚度为小于等于10um。
所述电极焊盘层为Al层或Cu层或Al/Cu层。
所述金属连接件为焊盘或引线或焊球。
一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成结构，包括ASIC处理电路IC圆片和MEMS器件，其特征在于，还包括再布线层、键合层和金属连接件；该再布线层位于该ASIC处理电路IC圆片的表面并设有电学接触区；该键合层位于再布线层表面，其设有微腔阵列和开孔，该开孔与电学接触区对应；该MEMS器件的电极焊盘层与键合层的微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构，该电极焊盘层设有外凸的连接部；该金属连接件与连接部、电学接触区电性连接。
由上述对本发明的描述可知，与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明的方法，不仅能够使MEMS器件形成闭合空腔结构、与ASIC处理电路IC圆片之间形成电气互联，避免了ASIC与MEMS芯片的面积不一致导致的集成封装问题，还降低了MEMS器件的整体体积、成本，实现芯片倒装键合、提高成品率。对于未来走向集成封装，后续的测试及其应用提供了便利。
2、本发明采用有机物(优选BCB)键合技术，键合温度温度低，热学、化学、力学稳定性好，与集成电路工艺兼容性好。
附图说明
图1为封装结构图；
图2为本发明方法流程图(再布线层)；
图3为本发明方法流程图(键合层)；
图4为本发明方法流程图(键合)；
图5为本发明方法流程图(减薄抛光)；
图6为本发明方法流程图(连接部)；
其中：100为ASIC处理电路IC圆片，200为MEMS器件，210为硅衬底层，220为氧化层，230为下电极层，240为压电层，250为上电极层，260为表面钝化层，270为电极焊盘层，300为再布线层，400为键合层，410为微腔阵列，500为金属连接件。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其具体比例可依照设计需求进行调整。文中所描述的图形中相对元件的上下关系，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，对应的，以元件在上一面为正面、在下一面为背面以便于理解，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。
本发明提出的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装结构，参见图1，包括ASIC处理电路IC圆片100、MEMS器件200、再布线层300、键合层400和金属连接件500等。该再布线层300位于该ASIC处理电路IC圆片100的表面并设有电学接触区，该再布线层300为Al层或Cu层或Al/Cu层。该键合层400位于再布线层300表面，其设有微腔阵列410和开孔，该开孔与电学接触区对应。该键合层400为苯并环丁烯或BCB层等有机物。
该MEMS器件200的电极焊盘层270与键合层400的微腔阵列410对准键合形成闭合空腔结构，该电极焊盘层270设有外凸的连接部，该闭合空腔结构为真空的闭合空腔结构，电极焊盘层270为Al层或Cu层或Al/Cu层等。该金属连接件500与连接部、电学接触区电性连接，该金属连接件500为焊盘或引线或焊球等。
MEMS器件200为多层薄膜叠层结构阵列，依次包括硅衬底层210(厚度大致为200-500um不等)、氧化层220、下电极层230(Mo、Al、Cu等的一种)、压电层240(AlN，厚度0.1-5μm)、上电极层250(Mo、Al、Cu等的一种)、表面钝化层260(SiO2)以及电极焊盘层270(Al、Cu、Al/Cu等的一种)。该MEMS器件200不限于此，其可为超声波传感器、体声波传感器或压电储能器等。
优选的，封装后的硅衬底层210厚度不大于10μm，下电极层230采用Mo,压电材料层采用AlN，厚度0.1-5μm。上电极采用Al，表面钝化层260采用氧化层220，电极焊盘层270采用铝。ASIC处理电路IC为配合MEMS器件200的信号处理电路。
参见图2，本发明还提出一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其可采用芯片级或晶圆级封装方式，主要包括如下步骤：
1)首先在ASIC处理电路IC圆片100，上制作一层再布线层300，以将MEMS器件200的电极焊盘层270再布局，并为后续堆叠其上的器件设置电学接触区。如图2所示。
2)在再布线层300之上通过旋涂制作一层有机物构成键合层400，并在该键合层400上光刻形成有微腔阵列410，如图3。
3)对于MEMS器件200，以圆片对圆片或芯片对圆片方式将MEMS器件200的电极焊盘层270与微腔阵列410对准并在真空条件下键合，形成闭合空腔结构，如图4。
4)将键合至ASIC处理电路IC圆片100的MEMS器件200的硅衬底层210减薄抛光至所需硅厚度，以保证MEMS器件200的工作性能，如图5。
5)采用刻蚀暴露出MEMS器件200正面电极焊盘层270的局部形成外凸的连接部，且在键合层400上开孔露出再布线层300的电学接触区，MEMS器件200的硅衬底层210可以采用深度反应离子(DRIE)刻蚀，氧化层220、键合层400可以采用反应离子刻蚀(RIE)，如图6。
6)在连接部和键合层400上制作金属连接件500，以使该电极焊盘层270与电学接触区电连接。该金属连接件500可为图形化的AI电极，其可以是焊盘或引线或焊球，如图1。
另外，在制作该金属连接件500前，先制作介质层进行电学隔离，介质层采用氧化硅、氮化硅等无机介质或聚酰亚胺PI、BCB等有机介质。
上述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。

Claims (10)

1.一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在ASIC处理电路IC圆片上光刻图形化沉积一层再布线层；
2)在该再布线层上旋涂一层有机物作为键合层，并光刻形成有微腔阵列；
3)将MEMS器件正面的电极焊盘层与该微腔阵列对准并键合，以形成闭合空腔结构；
4)将键合后的MEMS器件背面的硅衬底层减薄抛光至所需厚度；
5)将MEMS器件光刻图形化以使电极焊盘层形成外凸的连接部，在键合层上开孔露出再布线层的电学接触区；
6)在连接部和键合层上制作金属连接件，以使该电极焊盘层与电学接触区电连接。
2.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述MEMS器件为超声波传感器、体声波传感器或压电储能器。
3.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述MEMS器件依次包括所述硅衬底层、氧化层、下电极层、压电层、上电极层、表面钝化层和所述电极焊盘层。
4.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述再布线层为Al层或Cu层或Al/Cu层。
5.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述键合层为苯并环丁烯。
6.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述闭合空腔结构为真空的闭合空腔结构。
7.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，步骤4)中，所述所需厚度为小于等于10um。
8.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述电极焊盘层为Al层或Cu层或Al/Cu层。
9.如权利要求1所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法，其特征在于，所述金属连接件为焊盘或引线或焊球。
10.一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成结构，包括ASIC处理电路IC圆片和MEMS器件，其特征在于，采用权利要求1至9中任一所述的一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法制作，还包括再布线层、键合层和金属连接件；该再布线层位于该ASIC处理电路IC圆片的表面并设有电学接触区；该键合层位于再布线层表面，其设有微腔阵列和开孔，该开孔与电学接触区对应；该MEMS器件的电极焊盘层与键合层的微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构，该电极焊盘层设有外凸的连接部；该金属连接件与连接部、电学接触区电性连接。
CN201910124346.5A 2019-02-19 2019-02-19 一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构 Active CN109835870B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910124346.5A CN109835870B (zh) 2019-02-19 2019-02-19 一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构
TW108135933A TWI700756B (zh) 2019-02-19 2019-10-03 微機電系統元件與特殊應用處理電路晶片之積體封裝方法和結構
US16/740,633 US11130674B2 (en) 2019-02-19 2020-01-13 Integrated package structure for MEMS element and ASIC chip and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910124346.5A CN109835870B (zh) 2019-02-19 2019-02-19 一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109835870A CN109835870A (zh) 2019-06-04
CN109835870B true CN109835870B (zh) 2020-12-11

Family

ID=66884775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910124346.5A Active CN109835870B (zh) 2019-02-19 2019-02-19 一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11130674B2 (zh)
CN (1) CN109835870B (zh)
TW (1) TWI700756B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113539853B (zh) * 2021-07-16 2023-01-13 芯知微(上海)电子科技有限公司 一种晶圆级封装方法及其封装结构
CN113526453B (zh) * 2021-07-16 2024-04-19 芯知微(上海)电子科技有限公司 一种mems封装结构及其制作方法
CN115178314A (zh) * 2022-08-08 2022-10-14 深圳市麦科思技术有限公司 一种微机电系统微流体装置及其制作方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7250353B2 (en) * 2005-03-29 2007-07-31 Invensense, Inc. Method and system of releasing a MEMS structure
US7608534B2 (en) * 2004-06-02 2009-10-27 Analog Devices, Inc. Interconnection of through-wafer vias using bridge structures
CN102050418A (zh) * 2010-09-30 2011-05-11 北京大学 一种三维集成结构及其生产方法
CN104022097A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 Nxp股份有限公司 具有不锈钢引线框的ic封装
CN105102952A (zh) * 2012-10-02 2015-11-25 罗伯特·博世有限公司 Mems压力传感器组件
CN105452153A (zh) * 2013-06-25 2016-03-30 美国亚德诺半导体公司 使用有源电路封装的mems器件中用于屏蔽与偏置的装置和方法
CN106082104A (zh) * 2015-04-29 2016-11-09 台湾积体电路制造股份有限公司 用于双压mems器件的密封和屏蔽的方法
CN106115608A (zh) * 2016-05-31 2016-11-16 苏州希美微纳系统有限公司 针对射频mems器件应用的横向互连低温圆片级封装方法
CN106241726A (zh) * 2015-06-12 2016-12-21 台湾积体电路制造股份有限公司 Mems封装技术
CN106927419A (zh) * 2017-03-14 2017-07-07 苏州希美微纳系统有限公司 用于射频微机电系统的圆片级封装结构及其封装方法
CN107814351A (zh) * 2017-11-03 2018-03-20 苏州希美微纳系统有限公司 适用于射频mems的键合封装构造及其方法
CN109319730A (zh) * 2018-09-27 2019-02-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电连接方法及半导体结构

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040063237A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Chang-Han Yun Fabricating complex micro-electromechanical systems using a dummy handling substrate
US20130278610A1 (en) * 2012-04-19 2013-10-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Topped-post designs for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators
WO2014020387A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Soitec Methods of forming semiconductor structures including mems devices and integrated circuits on opposing sides of substrates, and related structures and devices
US8729646B2 (en) * 2012-08-09 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS devices and methods for forming the same
US9114977B2 (en) * 2012-11-28 2015-08-25 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
US10726231B2 (en) * 2012-11-28 2020-07-28 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
KR20150060468A (ko) * 2013-11-26 2015-06-03 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
US10155656B2 (en) * 2015-10-19 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Inter-poly connection for parasitic capacitor and die size improvement
US10068853B2 (en) * 2016-05-05 2018-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated fan-out package and method of fabricating the same
US10322928B2 (en) * 2016-11-29 2019-06-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-layer sealing film for high seal yield
US10189705B1 (en) * 2017-10-25 2019-01-29 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Monolithic integration of MEMS and IC devices

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7608534B2 (en) * 2004-06-02 2009-10-27 Analog Devices, Inc. Interconnection of through-wafer vias using bridge structures
US7250353B2 (en) * 2005-03-29 2007-07-31 Invensense, Inc. Method and system of releasing a MEMS structure
CN102050418A (zh) * 2010-09-30 2011-05-11 北京大学 一种三维集成结构及其生产方法
CN105102952A (zh) * 2012-10-02 2015-11-25 罗伯特·博世有限公司 Mems压力传感器组件
CN104022097A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 Nxp股份有限公司 具有不锈钢引线框的ic封装
CN105452153A (zh) * 2013-06-25 2016-03-30 美国亚德诺半导体公司 使用有源电路封装的mems器件中用于屏蔽与偏置的装置和方法
CN106082104A (zh) * 2015-04-29 2016-11-09 台湾积体电路制造股份有限公司 用于双压mems器件的密封和屏蔽的方法
CN106241726A (zh) * 2015-06-12 2016-12-21 台湾积体电路制造股份有限公司 Mems封装技术
CN106115608A (zh) * 2016-05-31 2016-11-16 苏州希美微纳系统有限公司 针对射频mems器件应用的横向互连低温圆片级封装方法
CN106927419A (zh) * 2017-03-14 2017-07-07 苏州希美微纳系统有限公司 用于射频微机电系统的圆片级封装结构及其封装方法
CN107814351A (zh) * 2017-11-03 2018-03-20 苏州希美微纳系统有限公司 适用于射频mems的键合封装构造及其方法
CN109319730A (zh) * 2018-09-27 2019-02-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电连接方法及半导体结构

Also Published As

Publication number Publication date
TWI700756B (zh) 2020-08-01
US20200262700A1 (en) 2020-08-20
TW202032683A (zh) 2020-09-01
CN109835870A (zh) 2019-06-04
US11130674B2 (en) 2021-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109835870B (zh) 一种mems器件与asic处理电路ic的集成封装方法和结构
US8508039B1 (en) Wafer scale chip scale packaging of vertically integrated MEMS sensors with electronics
JP4722702B2 (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
US11407636B2 (en) Inter-poly connection for parasitic capacitor and die size improvement
US8569090B2 (en) Wafer level structures and methods for fabricating and packaging MEMS
JP3186941B2 (ja) 半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
CN105967137B (zh) 为晶圆级芯片尺寸封装件(wlcsp)应用缓解焊接偏移的结构和方法
US8922026B2 (en) Chip package and fabrication method thereof
US7833830B2 (en) 3D interconnect with protruding contacts
KR101632249B1 (ko) 멀티 다이 패키지 구조들
US7297613B1 (en) Method of fabricating and integrating high quality decoupling capacitors
CN113014223B (zh) 一种声表器件的微型化叠层多芯片封装结构及其制备方法
CN114823391A (zh) 一种晶圆级系统封装结构及方法
WO2020133756A1 (zh) Mems器件及其制造方法
CN100470769C (zh) 半导体封装体及其制造方法
CN210133882U (zh) Mems器件
CN114823390A (zh) 晶圆级系统封装方法及封装结构
CN210133881U (zh) Mems器件
US20220348454A1 (en) Inter-poly connection for parasitic capacitor and die size improvement
TWI804009B (zh) 分隔式微機電系統麥克風結構及其製造方法
KR100634419B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
CN114823382A (zh) 一种晶圆级系统封装结构及方法
CN114823393A (zh) 晶圆级系统封装方法及封装结构
CN114823379A (zh) 一种晶圆级系统封装结构及方法
TW202120423A (zh) 感測器配置及製造感測器配置之方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant