CN109813835B

CN109813835B - 测定废电路板中金和银含量的方法

Info

Publication number: CN109813835B
Application number: CN201711176487.9A
Authority: CN
Inventors: 项建峰; 袁鹏程
Original assignee: China Nerin Engineering Co Ltd
Current assignee: China Nerin Engineering Co Ltd
Priority date: 2017-11-22
Filing date: 2017-11-22
Publication date: 2021-10-26
Anticipated expiration: 2037-11-22
Also published as: CN109813835A

Abstract

本发明公开了测定废电路板中金和银含量的方法，包括：将废电路板样品进行破碎和风选，对得到的待测金属样进行熔炼，得到金属锭和炉渣；将金属锭进行打磨并分组，得到第一待测样、第二待测样；将炉渣和破碎风选得到的待测非金属样分别进行研磨，得到第三待测样和第四待测样；分别对第一至第四待测样进行熔炼处理，然后于一定温度下进行灰吹，得到第一至第四处理后样；利用硝酸对第一至第四处理后样进行分金，分离出金，对剩余分金后液，以硫酸铁铵为指示剂，硫氰酸钾为标准滴定液滴定，得到银；采用银补正系数法对银的含量进行补正；计算并分别获得废电路板中金和银含量。采用该方法可以快速高效的测定不同废电路板中金和银的含量。

Description

测定废电路板中金和银含量的方法

技术领域

本发明属于冶金技术领域，具体而言，本发明涉及测定废电路板中金和银含量的方法。

背景技术

当前国内市场有关废电路板(waste printed circuit board,WPCB)的交易没有一个成熟可循的市场规则和环境，交易价格往往是通过买卖双方之间的协议来达成。这种无序、简单、甚至有些混乱交易模式，具有随意性、盲目性和无程序性。事实上WPCB是具有很高的经济价值，其金属品位相当于普通矿物中金属品位几十倍，甚至上百倍。因此这种模式体现不出WPCB的市场价值，急需建立一套完整、合理的WPCB的检验标准来检测出其中有价元素的准确品位。通过品位来对其交易价值合理定位，规范交易行为，引领市场逐渐走向程序化、正规化和制度化。

由于WPCB其成分和构造的差别非常大，市场上所回收的WPCB是以不同类别物料混合状态存在，成分呈现出复杂性和不均匀性，也正因如此，目前还没有制定出有关WPCB中金和银的分析标准，迫切需要兼具便捷与高效的WPCB中金和银含量的测定方法。作为一种成分复杂的原料，采用传统的火试金方法测定其金和银必然存在着诸多困难，急需一种能准确测定不同WPCB中金量和银量的分析方法。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出测定废电路板中金和银含量的方法。该方法简便、快捷、适用性广，能够应用于不同的废电路板，并准确高效的测定废电路板、特别是成分复杂的废旧废电路板(WPCB)中金和银的含量。

根据本发明的一个方面，本发明提出了一种测定废电路板中金和银含量的方法，包括：

(1)将废电路板样品进行破碎和风选，以便得到待测金属样和待测非金属样；

(2)将所述待测金属样进行熔炼，以便得到金属锭和炉渣；

(3)将所述金属锭进行打磨并分组，以便得到第一待测样、第二待测样；

(4)将所述炉渣和所述待测非金属样分别进行研磨，以便得到第三待测样和第四待测样；

(5)向所述第一待测样和所述第二待测样中分别加入一定配比的无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅，表层覆盖5mm厚的氯化钠，并进行第一熔炼处理；

向所述第三待测样中加入无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅，表层覆盖5mm厚的氯化钠，并进行第二熔炼处理；

向所述第四待测样中加入无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、硝酸钾以及氧化铅，表层覆盖5mm厚的氯化钠，并进行第二熔炼处理；

(6)待所述第一熔炼处理、第二熔炼处理完成后，开炉门通风，并于一定温度下进行灰吹，以便分别得到第一至第四处理后样；

(7)利用硝酸对所述第一至第四处理后样进行分金，以便分别分离出金，剩余分金后液；

(8)以硫酸铁铵为指示剂，硫氰酸钾为标准滴定液滴定所述分金后液，得到银；

(9)采用银补正系数法，对银的含量进行补正；

(10)计算并分别获得所述废电路板中金和银含量。

根据本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法至少具有如下优点：(1)简便、快捷、且适用性广，可以应用于不同的废电路板；(2)发现了测定废电路板中金量和银量所需的最佳硅酸度和熔炼温度，进而可以准确高效的测定废电路板中金和银的含量；(3)能够有效解决现有火试金法中铅扣粘渣严重、渣中残留铅粒及铅扣易脆等问题；(4)采用直接火试金法-硫氢酸钾滴定法以及银补正系数法，进而可以进一步提高检测结果的准确度和精确度。由此，通过采用本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法，不仅可以高效且准确地分析废电路板、特别是成分复杂的废旧废电路板中金和银的含量，还可以为废电路板(WPCB)行业标准、企业标准的制定以及市场交易提供理论和数据的支持，进而有效填补废电路板中金和银分析方法的空白。

另外，根据本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法还可以具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，步骤(5)中，向5重量份的所述第一待测样和5重量份的所述第二待测样中分别加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、15重量份的二氧化硅、2.5-2.8重量份的面粉以及200重量份的氧化铅。由此，可以显著提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

在本发明的一些实施例中，步骤(5)中，向10重量份的所述第三待测样中加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅、1.8重量份的面粉以及200重量份的氧化铅。由此，可以显著提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

在本发明的一些实施例中，向10重量份的所述第四待测样中加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅、11.5重量份的硝酸钾以及200重量份的氧化铅。由此，可以显著提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

在本发明的一些实施例中，步骤(5)中，所述第一熔炼处理的温度是在1100摄氏度下保温15-20分钟完成的。由此，以使第一待测样和第二待测样能够充分熔融。

在本发明的一些实施例中，步骤(5)中，所述第二熔炼处理的温度是在1150摄氏度下保温15-20分钟完成的。由此，可以使第三待测样和第四待测样能够充分熔融。

在本发明的一些实施例中，步骤(6)中，所述灰吹是在840-855摄氏度下进行的。由此，可以使金和银能够与铅以及其它金属杂质有效分离。

在本发明的一些实施例中，步骤(8)中，向所述分金后液中加入1ml的所述硫酸铁铵溶液，用0.005mol/L的硫氰酸钾标准滴定液滴定至所述分金后液呈浅红色即为终点。由此，可以使分金液中的银离子刚好反应完全。

在本发明的一些实施例中，步骤(9)中，所述银补正系数法为纯银回收率补正系数，当合粒质量为0-1000μg时，补正系数k值为1.080；当合粒质量为1000-1500μg时，补正系数k值为1.059；当合粒质量为1500-3000μg时，补正系数k值为1.054；当合粒质量为3000-4500μg时，补正系数k值为1.049；当合粒质量大于4500μg时，补正系数k值为1.041。由此，可以进一步提高测定得到的废电路板中银含量的准确率。

附图说明

图1是根据本发明一个实施例的硅酸度及熔炼温度对熔炼处理的影响。

图2是根据本发明一个实施例的不同合粒质量对应的银补正系数。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，下面描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

(1)将废电路板样品进行破碎和风选，以便得到待测金属样和待测非金属样；(2)将待测金属样进行熔炼，以便得到金属锭和炉渣；(3)将金属锭进行打磨并分组，以便得到第一待测样、第二待测样；(4)将炉渣和待测非金属样分别进行研磨，以便得到第三待测样和第四待测样；(5)向第一待测样和第二待测样中分别加入一定配比的无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅，表层覆盖5mm厚的氯化钠，并进行第一熔炼处理；向第三待测样中加入无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅，表层覆盖5mm厚的氯化钠，并进行第二熔炼处理；向第四待测样中加入无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、硝酸钾以及氧化铅，表层覆盖5mm厚的氯化钠，并进行第二熔炼处理；(6)待第一熔炼处理、第二熔炼处理完成后，开炉门通风，并于一定温度下进行灰吹，以便分别得到第一至第四处理后样；(7)利用硝酸对第一至第四处理后样进行分金，以便分别分离出金，剩余分金后液；(8)以硫酸铁铵为指示剂，硫氢酸钾为标准滴定液滴定分金后液，得到银；(9)采用银补正系数法，对银的含量进行补正；(10)计算并分别获得废电路板中金和银含量。

根据本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法至少具有如下优点：(1)简便、快捷、且适用性广，可以应用于不同的废电路板；(2)发现了测定废电路板中金量和银量所需的最佳硅酸度和熔炼温度，进而可以准确高效的测定废电路板中金和银的含量；(3)能够有效解决现有火试金法中铅扣粘渣严重、渣中残留铅粒及铅扣易脆等问题；(4)采用直接火试金法-硫氢酸钾滴定法以及银补正系数法，进而可以进一步提高检测结果的准确度和精确度。由此，通过采用本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法，不仅可以高效且准确地分析废电路板、特别是成分复杂的废旧废电路板中金和银的含量，还可以为废电路板(WPCB)行业标准以、企业标准的制定以及市场交易提供理论和数据的支持，进而有效填补废电路板中金和银分析方法的空白。

下面对本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法进行详细描述。

根据本发明的具体实施例，可以按照取样比例随机抽取废电路板样品，并对所抽取废电路板样品进行两级破碎后再通过风选将其中的金属和非金属进行有效分离，得到待测金属样和待测非金属样。

根据本发明的具体实施例，第一和第二待测试样中不含塑料或含塑料较少，第三和第四待测样含有大量废电路板板中的塑料。

根据本发明的具体实施例，为了能够快速、准确地测定废电路板中金和银的含量，发明人做了大量实验并发现，当对第一至第四待测样进行熔炼处理时，若硅酸度过小或者过大时，都容易出现铅扣沾渣、渣中残留铅粒及铅扣易脆等问题，本发明中分别控制第一至第二待测样在进行熔炼处理时的硅酸度为0.50、第三至第四待测样在进行熔炼处理时的硅酸度为0.62-0.63时，可以有效避免出现铅扣沾渣、渣中残留铅粒及铅扣易脆的现象，进而显著提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。根据本发明的一个具体实施例，可以优选对第一至第二待测样进行熔炼处理时的硅酸度为0.50、第三至第四待测样进行熔炼处理时的硅酸度为0.63。由此，可以进一步提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(5)中，可以向5重量份的第一待测样和5重量份的第二待测样中分别加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、15重量份的二氧化硅、2.5-2.8重量份的面粉以及200重量份的氧化铅。发明人发现，在相同的测定条件下，控制碳酸钠、氧化铅、二氧化硅和硼砂的质量比为40：200：15：10时，不仅可以使第一和第二待测试样在进行第一熔炼处理时的硅酸度满足0.50左右，还可以进一步提高对第一待测样和第二待测样进行第一熔炼处理的效率和效果，进而显著提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，可以优选第一待测样与无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅的质量比为5：40：10：15：2.8：200，第二待测样与无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅的质量比为5：40：10：15：2.5：200。由此，可以进一步提高对第一和第二待测样进行第一熔炼处理的效率和效果，进而进一步提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(5)中，可以向10重量份的第三待测样和10重量份的第四待测样中分别加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅以及200重量份的氧化铅。发明人发现，第三待测试样和第四待测试样中塑料含量较高，采用现有的配料方法进行熔炼处理得不到合理的铅扣，发明人经过大量实验发现，通过控制第三待测样和第四待测样与无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅以及氧化铅的质量比各自独立地为10：40：10：25：200，可以使第三和第四待测试样在进行第二熔炼处理时的硅酸度满足0.62-0.63，并显著提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(5)中，可以优选向10重量份的第三待测样中加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅、1.8重量份的面粉以及200重量份的氧化铅。本发明中通过控制第三待测样与无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、面粉以及氧化铅的质量比为10：40：10：25：1.8：200，不仅可以使第三待测样在进行第二熔炼处理时的硅酸度可以满足0.62-0.63，还可以进一步提高对第三待测样进行第二熔炼处理的效率和效果，进而可以进一步提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(5)中，可以优选向10重量份的第四待测样中加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅、11.5重量份的硝酸钾以及200重量份的氧化铅。由此，可以进一步提高对第四待测样进行第二熔炼处理的效率和效果。本发明中通过控制第四待测样与无水碳酸钠、硼砂、二氧化硅、硝酸钾以及氧化铅的质量比为10：40：10：25：11.5：200，不仅可以使第四待测样在进行第二熔炼处理时的硅酸度可以满足0.62-0.63，还可以进一步提高对第四待测样进行第二熔炼处理的效率和效果，进而可以进一步提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

此外，发明人还发现，进行熔炼处理时，若熔炼温度过低，铅扣与渣较难分离，容易出现铅扣沾渣、渣中残留铅粒等现象，而当熔炼温度过高时，试样中银的损失进一步的加大。本发明中通过控制第一熔炼处理的温度为1100摄氏度，第二熔炼处理的温度为1130-1170摄氏度，可以显著提高对第一至第四待测样进行熔炼处理的效率和效果，并进一步提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(5)中，第一熔炼处理的温度可以优选在1100摄氏度下保温15-20分钟完成。由此，可以使第一待测样和第二待测样能够充分熔融，进而能够进一步提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(5)中，第二熔炼处理的温度可以优选在1150摄氏度下保温15-20分钟完成。由此，可以使第三待测样和第四待测样能够充分熔融，进而能够进一步提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(6)中，灰吹可以在840-855摄氏度下进行。发明人发现，通过采用上述灰吹条件可以进一步提高灰吹的效率，使金和银能够与铅以及其它金属杂质有效分离，进而能够进一步提高测定废电路板中金和银含量的效率和最终测得的金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(8)中，可以向分金后液中加入1ml的硫酸铁铵溶液，用0.005mol/L的硫氢酸钾标准滴定液滴定至分金后液呈浅红色即为终点。由此，可以使分金液中的银离子充分沉淀，进而进一步提高最终测得的废电路板中金和银含量的准确度和精确度。

根据本发明的具体实施例，步骤(9)中，银补正系数法可以为纯银回收率补正系数，当合粒质量为0-1000μg时，补正系数k值为1.080；当合粒质量为1000-1500μg时，补正系数k值为1.059；当合粒质量为1500-3000μg时，补正系数k值为1.054；当合粒质量为3000-4500μg时，补正系数k值为1.049；当合粒质量大于4500μg时，补正系数k值为1.041。由此，可以进一步提高测定得到的废电路板中银含量的准确率。

根据本发明的具体实施例，采用本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法测定废电路板试样中金和银的含量时，金和银的回收率分别为96.21-103.22％和94.87-99.33％，对废电路板试样中金和银的相对标准偏差分别为1.41-4.35％和1.57-2.86％。由此，本发明上述实施例的测定废电路板中金和银含量的方法的准确度和精密度均能满足生产分析的要求。

实施例1

1、测定废电路板中金和银的含量

(1)制样

待测样：按照取样比例随机抽取废电路板样品，经两级破碎后再通过风选将其中的金属和非金属进行有效分离，金属样品入炉熔融后浇铸成金属锭，并收集炉渣，对金属锭进行布点钻样收集样屑，打磨制备成第一待测样和第二待测样；对炉渣进行研磨筛分制备成第三待测样；对非金属样品进行研磨筛分制备成第四待测样。

空白样：氧化铅。

(2)配料

第一至第四待测试样：

将筛分后的第一待测试样、第二待测试样各称取5g(即试样的质量m₀，精确到0.001g)于两个不同的试金坩埚，其中试金坩埚中分别预先加入40g无水碳酸钠，10g硼砂，15g二氧化硅，向第一待测试样中加入2.8g面粉和200g氧化铅，搅拌均匀，覆盖约5mm厚的氯化钠；向第二待测试样加入2.5g面粉和200g氧化铅，搅拌均匀，覆盖约5mm厚的氯化钠。

将筛分后的第三待测样和第四待测样各称取10g(即试样的质量m₀，精确到0.001g)于两个不同的试金坩埚，其中试金坩埚中分别预先加入40g无水碳酸钠，10g硼砂，25g二氧化硅，向第三待测样中加入1.8g面粉和200g氧化铅，搅拌均匀，覆盖约5mm厚的氯化钠；向第四待测样中加入11.5g硝酸钾和200g氧化铅，搅拌均匀，覆盖约5mm厚的氯化钠。

空白样：称取40g无水碳酸钠、10g硼砂、15g二氧化硅、3.5g面粉、200g氧化铅于试金坩埚中，搅拌均匀，覆盖约5mm厚的氯化钠。

(3)熔炼处理

将盛放有第一待测试样、第二待测试样和空白样的坩埚置于900℃的试金电炉中进行第一熔炼处理，在30-40min内升温至1100℃并保温20min出炉。

将盛放有第三待测样、第四待测样的坩埚置于900℃的试金电炉中进行第二熔炼处理，在30-40min内升温至1150℃并保温20min出炉。

分别将熔融物倒入已预热过的铸铁模中，冷却后，将铅扣和熔渣分离，铅扣锤成立方体并称量，铅扣质量应为35-45g，否则应重新调整配料和熔融。

(4)灰吹

分别对熔炼处理得到的第一至第四待测试样和空白的铅扣进行灰吹。

将铅扣分别放入已在900℃下预热30min的灰皿中，关闭炉门约2min，待铅液表面黑色膜脱去，打开炉门，使炉温尽快降至840-855摄氏度。关小炉门并保持此炉温进行灰吹，当合粒出现闪光点后，将灰皿移至炉门口冷却约1min后取出，用镊子夹出合粒至瓷坩埚中。

(5)分金

分别对灰吹得到的第一至第四待测试样和空白样的合粒进行分金。

向盛放有合粒的瓷坩埚中加15mL乙酸(1+3)加热微沸约5min取下，用温水洗涤合粒3次，弃去洗涤液。将瓷坩埚烤干，冷却至室温，在微量天平上称量，得合粒质量m₁。

将合粒砸扁成薄片状(厚度约0.2-0.3mm)，放回瓷坩埚中，加入15mL热硝酸(1+7)，于低温电热板上加热，保持近沸使银溶解。待反应停止后继续加热约5min，取下稍冷，用倾泻法小心将溶液倒入100mL瓷坩埚中，用温水冲洗坩埚2次，洗涤液一并倒入烧杯中。往瓷坩埚中再加入15mL热硝酸(1+1)，于低温电热板上加热至近沸，保持15-20min，使银完全溶解。取下稍冷，用倾泻法小心将溶液倒入上述100mL瓷坩埚中，用温水冲洗瓷坩埚和金粒3次，洗涤液合并于上述瓷坩埚中。保留瓷坩埚中的分金溶液用于滴定银量。

将装有金粒的瓷坩埚置于高温电炉板上，进行灼烧退火。冷却至室温后，将金粒放在天平上称量，得金粒质量m₂，其中空白样合粒中金粒的质量为m₃，按式(1)计算第一至第四待测样品中的金含量，精确至小数点后两位。

Au(g/t)＝(m₂－m₃)/m₀ 式(1)

式中：m₀——待测试料的质量，单位为克(g)；

m₂——待测样合粒中的金粒质量，单位为微克(μg)；

m₃——空白样合粒中金粒的质量，单位为微克(μg)；

(6)测银含量

在盛有分金液的瓷坩埚中加入1ml硫酸铁铵溶液，用硫氢酸钾标准滴定溶液滴定至溶液呈浅红色即为终点记录滴定时消耗标液的体积V₁，按式(2)计算第一至第四待测样品中的银含量，精确至小数点后一位。

Ag(g/t)＝(c×V₁×M×1000－m₄)×k/m₀ 式(2)

式中：m₀——待测试料的质量，单位为克(g)；

m₄——空白样合粒中银的质量，单位为微克(μg)；

c——硫氢酸钾标准滴定溶液的实际浓度，单位为摩尔每升(mol/L)；

V₁——滴定分金液所消耗硫氢酸钾标准滴定溶液的体积，单位为毫升(ml)；

M——银的摩尔质量，单位为克每摩尔(g/mol)，为107.868；

k——银的补正系数(当合粒质量m₁为0-1000μg时，补正系数k值为1.080；当m₁为1000-1500μg时，补正系数k值为1.059；当m₁为1500-3000μg时，补正系数k值为1.054；当m₁为3000-4500μg时，补正系数k值为1.049；当m₁大于4500μg时，补正系数k值为1.041)。

2、考察不同因素对测定结果的影响

(1)考察废电路板中共存元素对测定结果的干扰性

废电路板中的干扰元素及其含量范围如表1所示，对于火试金方法来说，主要干扰元素Cu、Sn、Ni、Sb使铅扣中含杂质较高，同时易形成镍扣、锡扣而残留在渣中，并且灰吹后的合粒含杂也较高，不容易聚团而散落在灰皿中，严重影响铅扣的成型以及合粒质量，且一部分锡会进入铅扣中，在灰吹时铅扣中的锡会形成二氧化锡盖住融铅表面，使灰吹停止。为此，本实施例中选用含共存元素最高的第一待测样和第二待测样，采用YS/T521.2-2009粗铜化学分析方法中的湿法处理除杂。其中，在相同测定条件下，采用湿法(浓硫酸湿法除杂)和干法(未除杂)测量得到的金银含量如表2所示。

由表2可以看出，不用浓硫酸先期处理分离杂质元素得到的金银结果与用浓硫酸处理分离杂质元素得到的结果相近，都在允许误差之内，可以表明在该含量杂质元素的情况下不影响试样中金银含量的准确测定。

表1废电路板中的共存元素及其含量

共存元素

Cu

Pb

Sn

Ni

Sb

Bi

Zn

含量范围

≤70％

≤10％

≤11.5％

≤2.3％

≤0.7％

≤0.2％

≤9.8％

表2采用湿法和干法测量得到的废电路板中的金银含量

(2)考察配料比和熔炼温度对测定结果的影响

火试金的配料是以硅酸度来表示的，本实施例采用在不同的硅酸度下的配料来分析试验的金银含量，来确定硅酸度对测定结果的影响。通过对粗铜、阳极铜、碲化铜等实验报告可以看出，硅酸度从0.25到1.00之间对结果基本没有影响，但硅酸度值过小时熔渣对坩埚腐蚀较严重，因此，我们对含铜量较高的第一待测样和第二待测样采用硅酸度不高的渣型，选择0.50硅酸度，随着温度升高，金银含量损失会增大，因此，确定第一和第二待测样的熔炼温度为1100℃；而针对含塑料较高的第三和第四待测样，研究不同硅酸度和熔炼温度对熔炼处理的影响，熔炼结果分别如图1和表3所示，图1和表3表明，硅酸度对于含有较多塑料的试样有较大影响。在0.47的硅酸度下，提高熔炼温度有助于改善铅扣的质量，对此，在1150℃熔炼温度下，我们进一步的提高硅酸度到0.63，且改变不同配料比例保持硅酸度在0.63左右，从表3和图1中序号为3-6的实验组可以看到，铅扣无粘渣且渣中无残留铅粒。在此硅酸度下我们进一步改变熔炼温度，从表3和图1中3-5的实验组可以看到，随着熔炼温度的提高，得到的铅扣质量越好，然而考虑到在1170℃高温条件下金银损失会增大，因此，我们确定熔炼温度在1150℃左右；进一步，提高硅酸度到0.77的情况下，从表3和图1中6-7的实验组可以看到，渣中出现了少量铅粒。综上所述，对于第三和第三待测样，得到良好铅扣的条件为硅酸度为0.63左右，熔炼温度在1150℃左右。

表3硅酸度及熔炼温度对第三待测样熔炼处理的影响

(3)考察银补正方法对测定结果的影响

火试金分析金银一般有两种补正方法，一种是熔渣灰皿二次试金补正，一种是回收率系数补正，本方法测定过程采用回收率系数补正，

在回收率补正试验中，对于试金分析来说，不管是在熔炼阶段，还是灰吹阶段，银在高温下都有一定的损失，不同品位的试样其损失程度都有所不同。鉴于此，有必要对试金全流程做银的补正系数，以得到更为可靠的银含量结果。图2为加入不同银含量作为不同试样中的银品位，模拟不同试样银的品位在熔炼、灰吹过程中银的损失情况。

从图2可以看出，补正系数k值在这几个区间内较为稳定，因此得到的合粒质量区间段k值具有代表性和可靠性。

为了进一步验证得到的校正系数的可靠性，随机选取了生产阶段送来的排放渣作为检测样，采用原子吸收测定银与采用该银的补正系数计算得到的试金结果对比，结果如表4所示，从表4可以发现，试金结果得到的银含量与原子吸收得到的银含量结果精密度很高，验证了其有效性，能满足生产的要求。

在此条件下，我们进一步的选取试样粗铜进行两种补正方法的结果比对，补正结果如表5所示。对比结果表明，两种补正方法金银结果相差较小，都能满足补正实验的要求。

表4采用原子吸收测定银与采用银补正系数计算得到的试金结果对比

表5二次试金补正与回收率系数补正结果对比

方法	Au(g/t)	Ag(g/t)
			二次试金补正	4.46	419.55
回收率系数补正	4.52	413.1

3、验证测定废电路板中金和银含量的方法的可靠性和可行性

对于废电路板试样中第一至第四待测样，由于第一和第二待测样与第三和第四待测样是不同的配料方法，因此在加标回收实验中，选取第一和第二待测样中的第一待测样作为试验样品，选取第三和第四待测样中的第三待测样作为试验样品，第一待测样称取5g样品，第三待测样称取10g样品，加入与样品基本等量的金银标准，按照分析步骤进行分析，计算金、银量和加标回收率，结果如表6所示。由表6可以看出，废电路板中金和银的回收率分别为96.21-103.22％和94.87-99.33％，金、银的加标回收率都较高。由此可以得出，本方法适用于测定废电路板中金量和银量准确度的要求。

按照上述方法对废电路板试样中第一至第四待测样进行了测定，结果见表7。由表7可知，本实验方法测定废电路板试样中金和银的相对标准偏差分别为1.41-4.35％和1.57-2.86％。

表6第一和第三待测样金和银的加标回收率结果

表7采用本实施例的方法测定废电路板试样中金和银的相对标准偏差结果

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims

1.一种测定废电路板中金和银含量的方法，其特征在于，包括：

(2)将所述待测金属样进行熔炼，以便得到金属锭和炉渣；

(7)利用硝酸对所述第一至第四处理后样进行分金，以便分别分离出金和剩余分金后液；

(9)采用银补正系数法，对银的含量进行补正；

(10)计算并分别获得所述废电路板中金和银含量，

其中：

步骤(5)中，向5重量份的所述第一待测样和5重量份的所述第二待测样中分别加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、15重量份的二氧化硅、2.5-2.8重量份的面粉以及200重量份的氧化铅；

步骤(5)中，向10重量份的所述第三待测样中加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅、1.8重量份的面粉以及200重量份的氧化铅；

步骤(5)中，向10重量份的所述第四待测样中加入40重量份的无水碳酸钠、10重量份的硼砂、25重量份的二氧化硅、11.5重量份的硝酸钾以及200重量份的氧化铅；

步骤(9)中，所述银补正系数法为纯银回收率补正系数，当合粒质量为0-1000μg时，补正系数k值为1.080；当合粒质量为1000-1500μg时，补正系数k值为1.059；当合粒质量为1500-3000μg时，补正系数k值为1.054；当合粒质量为3000-4500μg时，补正系数k值为1.049；当合粒质量大于4500μg时，补正系数k值为1.041。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)中，所述第一熔炼处理是在1100摄氏度下保温时间15-20分钟完成的。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)中，所述第二熔炼处理是在1150摄氏度下保温15-20分钟完成的。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，所述灰吹是在840-855摄氏度下进行的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(8)中，向所述分金后液中加入1ml的所述硫酸铁铵溶液，用0.005mol/L的硫氰酸钾标准滴定液滴定至所述分金后液呈浅红色即为终点。