CN109716178A - 光波长转换部件及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够同时实现高荧光强度和高颜色均质性的光波长转换部件及发光装置。在光波长转换部件(1)中，A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少一种元素，A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素，B：Al、Ga，并且，陶瓷烧结体的剖面的20μm见方的范围内的A3B5O12：Ce结晶粒子N个之中，存在于Al2O3结晶粒子内的个数为a个，与其他的A3B5O12：Ce结晶粒子不相接而存在于Al2O3结晶粒界的个数为b个，与一个以上的其他的A3B5O12：Ce结晶粒子相接且存在于Al2O3结晶粒界的个数为c个，各个数对整体的比例a/N、b/N、c/N分别为X、Y、Z时，各比例满足下述的范围：0％≤X≤25％，9％≤Y≤45％，48％≤Z≤90％。

Description

光波长转换部件及发光装置
技术领域
本发明涉及能够对光的波长进行转换的光波长转换部件及具备该光波长转换部件的发光装置。
背景技术
以往，以发光二极管(LED：Light Emitting Diode)、半导体激光器(LD：LaserDiode)为光源的白色的照明设备中，将蓝色LED、蓝色LD与作为蓝色的补色的黄色的荧光体组合而得到白色的照明设备成为主流。
作为该荧光体的材质，已知有树脂系、玻璃系、陶瓷系，但是近年来，由于光源的高输出化而荧光体处于高温化的倾向，耐久性高的陶瓷系荧光体的开发不断进展。
例如，作为所述陶瓷系荧光体，多使用由化学式A3B5O12表示的石榴石型的陶瓷。特别是钇铝石榴石(YAG：Y3Al5O12)通过添加铈(Ce)元素作为活化剂而表现出黄色的荧光。
另外，在下述的在先技术(专利文献1～3)中，提出了通过使YAG：Ce或Lu3Al5O12：Ce(LuAG：Ce)在导热性优异的氧化铝(Al2O3)中分散析出而提高耐久性等的陶瓷复合体。
具体而言，在所述专利文献1～3中，以Al2O3/A3B5O12：Ce的体积比率来控制颜色不均和导热率的平衡。例如，在专利文献1中，将YAG：Ce量设为整体的22～55vol％，在小于22vol％时，蓝色光的透过增多，产生颜色不均，在比55vol％多时，导热率下降，耐久性下降。
另外，在专利文献2中，LuAG：Ce量为25～95vol％。此外，在专利文献3中，A3B5O12：Ce量为20～25vol％。而且，在该专利文献3中，为了抑制烧制时Ce的挥发而含有0.5～5vol％的CeAl11O18作为Ce供给源。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5088977号公报
专利文献2：日本专利第5153014号公报
专利文献3：日本专利第5740017号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在上述在先技术中，特别是为了不控制结晶组织地使石榴石系的荧光成分在Al2O3中析出，而以体积比率来避免引起颜色不均，换言之得到高的颜色均质性。因此，会损害荧光强度、透光性等本来的作为荧光体的重要的特性，成为无法发挥出充分的荧光特性的状态。
另外，专利文献3的CeAl11O18由于不是一并具有荧光性、透光性，因此包含于烧结体中而成为进一步损害上述的荧光特性的主要原因。本发明鉴于所述课题而作出，其目的在于提供能够同时实现高荧光强度和高颜色均质性的光波长转换部件及发光装置。
用于解决课题的方案
(1)本发明的第一方面涉及由以Al2O3结晶粒子和用化学式A3B5O12：Ce表示成分的结晶粒子为主成分的多结晶体即陶瓷烧结体构成的光波长转换部件。
该光波长转换部件中，A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少一种元素：
A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素
B：Al、Ga。
而且，陶瓷烧结体的剖面的20μm见方的范围内的A3B5O12：Ce结晶粒子N个之中，存在于Al2O3结晶粒子内的个数为a个，与其他的A3B5O12：Ce结晶粒子不相接而存在于Al2O3结晶粒界的个数为b个，与一个以上的其他的A3B5O12：Ce结晶粒子相接且存在于Al2O3结晶粒界的个数为c个，各个数相对于全体的比例a/N、b/N、c/N分别为X、Y、Z时，各比例满足下述的范围：
0％≤X≤25％
9％≤Y≤45％
48％≤Z≤90％。
这样，本第一方面的光波长转换部件具备上述的结构，因此从后述的实验例可知，能够实现高荧光强度和高颜色均质性(即颜色不均少)。以下，进行详细说明。
符合所述X的A3B5O12：Ce结晶粒子完全进入到Al2O3结晶粒子内，因此能够抑制Ce的挥发。由此，不会产生Ce的浓度差，表现出无颜色不均的稳定的荧光性。
在此，当X比25％多时，在Al2O3结晶粒界单独存在的A3B5O12：Ce结晶粒子的比例(Y)减少，抑制Al2O3的粒生长的效应所谓束缚效应不再起作用，Al2O3进行粒生长，透过性降低，结果是荧光强度下降。需要说明的是，当X比1％少时，存在颜色不均增多的倾向。
由于所述Y处于上述范围而束缚效应作用于Al2O3，能抑制Al2O3的粒生长。结果是，能得到足以取出荧光的透光性。
在此，当Y小于9％时，无法充分发挥束缚效应，引起Al2O3的粒生长，结果是透过性不足，因此荧光强度下降，进而由于粒子的粗大化而容易产生颜色不均。另一方面，当Y比45％多时，Al2O3/A3B5O12：Ce粒界处的光分散增多，透光性下降，因此结果是荧光强度下降。
在所述A3B5O12：Ce/A3B5O12：Ce粒界中，未引起光分散，因此通过使所述Z处于上述范围而具有取出充分的荧光这一程度的透光性。在此，当Z小于48％时，引起与透光性不足相伴的荧光强度的下降。另一方面，当Z比90％多时，透光性过高，因此激励光的透过量增多，产生颜色不均。而且，难以形成Al2O3结晶粒子彼此的连结通路，导热率下降。
因此，通过使所述X、Y、Z的范围成为上述的范围，能够实现高荧光强度和高颜色均质性。而且，本第一方面的光波长转换部件通过上述的结构而具有高导热性，因此即使在光源为高输出化的情况下，也能够抑制热量的影响，例如防止光的消失。
此外，该光波长转换部件是陶瓷烧结体，因此具有如下优点：强度高，而且，即使在从光源反复照射光的情况下，性能也难以劣化，而且，耐候性也优异。
(2)在本发明的第二方面中，陶瓷烧结体中占据的A3B5O12：Ce结晶粒子的比例为5～50vol％。在本第二方面中，A3B5O12：Ce结晶粒子的比例为5～50vol％，因此根据后述的实验例可知，具有能得到充分的荧光强度的优点。
(3)在本发明的第三方面中，Ce的比例相对于A3B5O12的A而为10.0mol％以下，但是不包含0。在本第三方面中，Ce的比例相对于A3B5O12的A而为10.0mol％以下，但是不包含0，因此根据后述的实验例可知，具有能得到充分的荧光强度的优点。
(4)在本发明的第四方面中，Al2O3结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～10μm，A3B5O12：Ce结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～5μm。在本第四方面中，Al2O3结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～10μm，所述A3B5O12：Ce结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～5μm，因此根据后述的实验例可知，具有能得到充分的荧光强度和适度的透光性的优点。
这是指在上述的平均结晶粒径的情况下容易实现包含第一方面的所述X、Y、Z的比例的结晶粒状态。
(5)本发明的第五方面是具备第一方面～第四方面的任一光波长转换部件的发光装置。
利用本第五方面的发光装置(详细而言为光波长转换部件)转换了波长的光(即荧光)具有高荧光强度和高颜色均质性。需要说明的是，作为发光装置的发光元件，可以使用例如LED、LD等公知的元件。
<以下，说明本发明的各结构>
·所述“光波长转换部件”是具有上述的结构的陶瓷烧结体，在各结晶粒子的粒界可以包含构成各结晶粒子的成分的一部分等、不可避免杂质。
·所述“主成分”表示所述结晶粒子在光波长转换部件中存在最多量(体积)。
·所述“A3B5O12：Ce”表示在A3B5O12中的A的一部分固溶置换Ce的情况，通过具有这样的构造而该化合物表现出荧光特性。
·所述“光波长转换部件的剖面”是光透过的部分中的至少1个部位的剖面。需要说明的是，例如在观察多个部位(例如5个部位)的剖面时，可以采用其平均的值满足X、Y、Z的值。而且，在各剖面中，在多个部位(例如5个部位)求出X、Y、Z的情况下，可以采用其平均值。
·需要说明的是，为了使所述X、Y、Z为上述范围，如后所述，需要将分散剂量、烧制条件设为适当的条件。例如，当烧制温度过低时，X减少，因此不优选。而且，当分散剂量过多时，Y减少，当分散剂量过少时，Z增多，因此需要设为适当的条件。
附图说明
图1是实施方式的光波长转换部件的组织的概略图。
图2是表示将发光装置沿厚度方向剖切所得的剖面的剖视图。
具体实施方式
接下来，说明本发明的光波长转换部件及发光装置的实施方式。
[1.实施方式]
[1-1.光波长转换部件的结构]
首先，说明实施方式的光波长转换部件。如图1所示，实施方式的光波长转换部件1(参照图2)是例如板状的陶瓷烧结体，由以Al2O3结晶粒子和通过化学式A3B5O12：Ce表示的成分的结晶粒子(以下有时也记为A3B5O12：Ce结晶粒子)为主成分的多结晶体构成。
在该光波长转换部件1中，A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少1种元素：
A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素
B：Al、Ga。
而且，陶瓷烧结体的剖面的20μm见方的范围的A3B5O12：Ce结晶粒子N个之中，将存在于Al2O3结晶粒子内的个数设为a个，将与其他的A3B5O12：Ce结晶粒子不相接而存在于Al2O3结晶粒界的个数设为b个，将与1个以上的其他的A3B5O12：Ce结晶粒子相接且存在于Al2O3结晶粒界的个数设为c个，将各个数相对于全体的比例a/N、b/N、c/N分别设为X、Y、Z时，各比例满足下述的范围：
0％≤X≤25％
9％≤Y≤45％
48％≤Z≤90％。
需要说明的是，在图1中，相当于a(因而X)的结晶粒子即Al2O3结晶粒子内的A3B5O12：Ce结晶粒子由Ka表示。而且，相当于b(因而Y)的结晶粒子即单独存在于Al2O3粒界的A3B5O12：Ce结晶粒子由Kb表示。此外，相当于c(因而Z)的结晶粒子即在Al2O3粒界处与一个以上的A3B5O12：Ce结晶粒子相接的A3B5O12：Ce结晶粒子由Kc表示。
另外，在本实施方式中，作为陶瓷烧结体中所占的A3B5O12：Ce结晶粒子的比例，可以采用5～50vol％。此外，在本实施方式中，Ce的比例相对于A3B5O12的A可以采用10.0mol％以下，但是不包含0。
此外，在本实施方式中，Al2O3结晶粒子的平均结晶粒径可以采用0.3～10μm，A3B5O12：Ce结晶粒子的平均结晶粒径可以采用0.3～5μm。
[1-2.发光装置的结构]
如图2所示，发光装置3具备：例如氧化铝等的箱状的陶瓷制的封装体(容器)5；配置在容器5的内部的例如LD等发光元件7；及以覆盖容器5的开口部9的方式配置的板状的光波长转换部件1。
在该发光装置3中，从发光元件7放射的光透过光波长转换部件1，并且该光的一部分在光波长转换部件1的内部被进行波长转换而发光。即，在光波长转换部件1中，发出与从发光元件7放射的光的波长不同的波长的荧光。
[1-3.效果]
接下来，说明实施方式的效果。
本实施方式的光波长转换部件1如上所述规定X、Y、Z的比例等，因此能够实现高荧光强度和高颜色均质性。
另外，本实施方式的光波长转换部件1具有高导热性，因此即使在光源进行了高输出化的情况下，也能够抑制热量的影响，例如防止光的消失。
此外，本实施方式的光波长转换部件1由于是陶瓷烧结体，因此具有如下优点：强度高，而且即使在从光源反复照射光的情况下性能也难以劣化，此外，耐候性也优异。
另外，在A3B5O12：Ce结晶粒子的比例为5～50vol％的情况下，具有能得到充分的荧光强度的优点。
此外，在Ce的比例相对于A3B5O12的A而为10.0mol％以下，但是不包含0时，具有能得到充分的荧光强度的优点。
而且，在Al2O3结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～10μm、A3B5O12：Ce结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～5μm时，具有能得到充分的荧光强度和适度的透光性的优点。
因此，在具备所述光波长转换部件1的发光装置3中，发挥能够产生具有高荧光强度和高颜色均质性的荧光这样的效果。
[2.实施例]
接下来，说明具体的各实施例。
<实施例1>
按照下述表1及表2所示的条件，制作了No.1～9的陶瓷烧结体的试料。需要说明的是，各试料中的No.1～9是本发明的范围内的试料。
具体而言，对于各试料，以使陶瓷烧结体(即构成光波长转换部件的陶瓷烧结体)中的YAG(Y3Al5O12)的比例成为21vol％的方式，而且，以使Ce浓度相对于YAG中的Y成为1mol％的方式，称量了Al2O3(平均粒径0.3μm)、Y2O3(平均粒径1.2μm)、CeO2(平均粒径1.5μm)。
将其与纯水和预定量的分散剂(相对于原料粉末以固体物换算计为2wt％)一起投入到球磨机中，进行了12hr粉碎混合。将得到的浆料进行干燥、造粒，使用该造粒物制作了成形体。并且，将该成形体在常压下的大气中，以烧制温度1450℃～1750℃、保持时间3～20小时进行了烧制。由此，得到了No.1～9的陶瓷烧结体的试料(例如板状的试料)。
需要说明的是，作为分散剂，可以使用例如聚羧酸系分散剂的圣诺普科(Sannopco)公司制SN dispersant5468、日本油脂株式会社制malialimAKM-0531。
接下来，对于得到的陶瓷烧结体，与后述的其他的实施例同样，研究了下述的特性(a)～(f)。其结果记载在下述表2中。
(a)相对密度
关于得到的陶瓷烧结体的相对密度，通过阿基米德法测定密度，并通过将测定出的密度换算成相对密度的方法来算出。
(b)平均结晶粒径
对试料(样品)进行了镜面研磨后，以1300℃进行了热蚀刻。利用扫描型电子显微镜观察蚀刻面(即进行SEM观察)，得到了陶瓷烧结体中的任意的部位的5000倍的图像。需要说明的是，作为任意的部位，在试料为例如矩形形状的板状的情况下，可列举光透过的部分即从厚度方向观察(俯视观察下)的中心的位置。
并且，在所述位置处的图像(例如参照图1)中的20μm见方中引出任意的线，通过截距法求出了Al2O3结晶粒子与A3B5O12：Ce结晶粒子的平均结晶粒径。
(c)粒子个数比例X、Y、Z
与所述(b)同样，对样品进行了镜面研磨后，以1300℃进行了热蚀刻。对蚀刻面进行SEM观察，得到了陶瓷烧结体中的任意的部位的5000倍的图像。对于图像中的20μm见方中的粒子个数a、b、c进行计数，算出了比例X、Y、Z。对于任意的5个视野进行相同的处理，求出了X、Y、Z的平均值。需要说明的是，关于该研磨后的表面相当于本发明的剖面。
(d)荧光强度
对于加工成13mm见方×厚度0.5mm的样品，将具有465nm的波长的蓝色LD光通过透镜聚光至0.5mm宽度进行照射，通过透镜使透过的光聚集，通过功率传感器测定了其发光强度。此时，照射的输出密度成为40W/mm2。需要说明的是，其强度通过将YAG：Ce单结晶体的强度设为100时的相对值进行了评价。
(e)颜色不均
颜色不均(即颜色变动)通过基于照度计的色度变动测定进行了评价。对于加工成20mm见方×厚度0.5mm的样品，将具有465nm的波长的蓝色LD光通过透镜聚光而形成为0.5mm宽度，对于将其照射而从相反面透过来的光，通过色彩照度计测定了色度。
在样品的照射面(样品面)的中央，设定18mm见方的区域，在该区域内以3mm间隔进行照射，评价了其色度(X方向)的变动(ΔX)。在此，变动(ΔX)是色度(X方向)的偏差的最大值。
需要说明的是，色度是利用国际照明委员会(CIE)在1931年制定的国际显示法，以CIE-XYZ表色系表示的色度。即，是由将表色上的3原色进行数值化而在xy坐标空间中表示颜色的xy色度图(所谓CIE色度图)表示的色度。
(f)导热率
对于加工成10mm见方×厚度2mm的样品，测定了导热率。具体的制作方法遵照JISR1611。
并且，关于如上所述对于各试料得到的结果中的荧光强度、颜色不均、导热率，通过下述的评价基准能够评价。需要说明的是，其他的实施例也能够同样评价。
关于荧光强度，可认为110以上优选，100以上且小于110稍稍优选，小于100不优选。关于颜色不均，可认为ΔX<0.02优选，0.02≤ΔX<0.06稍稍优选，0.06≤ΔX不优选。
关于导热率，可认为20W/m·K以上优选，小于20W/m·K不优选。以下，关于本实施例1，说明基于所述评价基准的评价等。
在实施例1的任一试料中，相对密度都为99％以上而充分地致密化。而且，可知Al2O3的平均结晶粒径(在表2中记为Al2O3粒径)处于0.3～10μm的范围内，A3B5O12：Ce(YAG：Ce)的平均结晶粒径(在表2中记为A3B5O12粒径)处于0.3～5μm的范围内。
并且，X、Y、Z处于本发明的范围内的No.3～9成为了荧光强度、颜色不均、导热率都良好的结果。而且，处于本发明的范围内的No.1～2(但是烧制温度比其他的试料低)与其他的No.3～9相比颜色不均大。
<实施例2>
通过与实施例1同样的制造方法，如下述表1及表2所示，制作陶瓷烧结体的试料(No.10～15的试料)，同样地进行了评价。
但是，在调合时，使分散剂量在1.8～5wt％的范围内变化，而且使烧制时间在5～20小时的范围内变化。需要说明的是，各试料中的No.11～14是本发明的范围内的试料，No.10、15是本发明的范围外(比较例)的试料。
其结果是，在任一试料中，相对密度都为99％以上而充分地致密化。而且可知，除了No.10之外，Al2O3的平均结晶粒径处于0.3～10μm的范围内，A3B5O12：Ce(YAG：Ce)的平均结晶粒径处于0.3～5μm的范围内。而且，从下述表2可知，X、Y、Z处于本发明的范围内的No.11～14成为了荧光强度、颜色不均、导热率都良好的结果。另一方面，Y少的No.10的Al2O3的平均结晶粒径为11μm而稍稍变得粗大，荧光强度稍稍降低，颜色不均增大。而且，在Y多而且Z少的No.15中，成为了低于100的低荧光强度。
<实施例3>
通过与实施例1同样的制造方法，如下述表1及表2所示，制作陶瓷烧结体的试料(No.16～20的试料)，同样进行了评价。
但是，在调合时使分散剂量在0～1.5wt％的范围内变化。需要说明的是，各试料中的No.16～19是本发明的范围内的试料，No.20是本发明的范围外(比较例)的试料。
其结果是，在任一试料中，相对密度都为99％以上而充分地致密化。而且可知，Al2O3的平均结晶粒径处于0.3～10μm，A3B5O12：Ce(YAG：Ce)的平均结晶粒径处于0.3～5μm。
另外，从下述表2可知，X、Y、Z处于本发明的范围内的No.16～19成为了荧光强度、颜色不均、导热率都良好的结果。另一方面，Y少且Z多的No.20的荧光强度稍低，颜色不均增大，而且导热率降低。
<实施例4>
通过与实施例1同样的制造方法，如下述表1及表2所示，制作陶瓷烧结体的试料(No.21～28的本发明的范围的试料)，同样进行了评价。
但是，以使陶瓷烧结体中的A3B5O12：Ce量(YAG：Ce量)成为1～60vol％的方式使原料混合比变化。其结果是，在任一试料中，相对密度都为99％以上而充分地致密化。而且可知，Al2O3的平均结晶粒径处于0.3～10μm的范围内，A3B5O12：Ce(YAG：Ce)的平均结晶粒径处于0.3～5μm的范围内。
另外，从下述表2可知，YAG：Ce量处于预定的范围(即5～50vol％)的No.23～27成为了荧光强度、颜色不均、导热率都良好的结果。另一方面，YAG：Ce量少的No.21、22的荧光强度稍稍降低，颜色不均稍稍增大。而且，YAG：Ce量多的No.28的荧光强度稍低，导热率也降低。
<实施例5>
通过与实施例1同样的制造方法，如下述表1及表2所示，制作陶瓷烧结体的试料(No.29～38的本发明的范围的试料)，同样进行了评价。
但是，以使烧结体的A3B5O12(YAG)中的相对于Y的Ce浓度成为0～15mol％的方式使原料混合比变化。
其结果是，在任一试料中，相对密度都为99％以上而充分地致密化。而且可知，Al2O3的平均结晶粒径处于0.3～10μm的范围内，A3B5O12：Ce(YAG：Ce)的平均结晶粒径处于0.3～5μm的范围内。
另外，从下述表2可知，Ce浓度处于预定的范围(即10.0mol％以下(但是不包含0))的No.30～37成为了荧光强度、颜色不均、导热率都良好的结果。另一方面，不包含Ce的No.29无法一起测定荧光强度、颜色不均。而且，Ce浓度高的No.38的荧光强度稍稍降低。
<实施例6>
通过与实施例1同样的制造方法，如下述表1及表2所示，制作陶瓷烧结体的试料(No.39～59的本发明的范围的试料)，同样进行了评价。
但是，在调合时，不仅使用Y2O3粉末，而且使用Lu 2O3(平均粒径1.3μm)或Yb2O3(平均粒径1.5μm)、Gd2O3(平均粒径1.5μm)、Tb2O3(平均粒径1.6μm)、Ga2O3(平均粒径1.3μm)这各粉末的一个以上，以能够合成预定的A3B5O12：Ce的方式使混合比变化。
其结果是，在任一试料中，相对密度都为99％以上而充分地致密化。而且可知，Al2O3的平均结晶粒径处于0.3～10μm的范围内，A3B5O12：Ce(YAG：Ce)的平均结晶粒径处于0.3～5μm的范围内。
在全部的陶瓷烧结体中，成为了荧光强度、颜色不均、导热率都良好的结果。
[表1]
[表2]
[3.其他的实施方式]
本发明不受所述实施方式的任何限定，在不脱离本发明的范围内当然能以各种形态实施。
(1)例如，在所述实施例中，作为烧制方法，使用了大气中的常压烧制法，但是除此之外，通过真空气氛烧制法、还原气氛烧制法、热冲压(HP)法、热等静压加压(HIP)法或将它们组合而成的烧制方法，也能够制作出具有同等性能的样品。
(2)作为所述光波长转换部件、发光装置的用途，可列举荧光体、光波长转换设备、头灯、照明、投影机等光学设备等各种用途。
(3)需要说明的是，也可以使多个结构要素分担上述实施方式中的1个结构要素具有的功能，或者使1个结构要素发挥多个结构要素具有的功能。而且，可以省略上述实施方式的结构的一部分。而且，可以将上述实施方式的结构的至少一部分相对于其他的实施方式的结构进行附加、置换等。需要说明的是，根据权利要求书的范围记载的语句而确定的技术思想包含的一切形态是本发明的实施方式。
附图标记说明
1…光波长转换部件
3…发光装置
7…发光元件。

Claims (5)

1.一种光波长转换部件，由以Al2O3结晶粒子和用化学式A3B5O12：Ce表示成分的结晶粒子为主成分的多结晶体即陶瓷烧结体构成，所述光波长转换部件的特征在于，
所述A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少一种元素，
A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素
B：Al、Ga
并且，所述陶瓷烧结体的剖面的20μm见方的范围内的所述A3B5O12：Ce结晶粒子N个之中，存在于所述Al2O3结晶粒子内的个数为a个，与其他的所述A3B5O12：Ce结晶粒子不相接而存在于Al2O3结晶粒界的个数为b个，与一个以上的其他的所述A3B5O12：Ce结晶粒子相接且存在于所述Al2O3结晶粒界的个数为c个，各个数相对于全体的比例a/N、b/N、c/N分别为X、Y、Z时，各比例满足下述的范围：
0％≤X≤25％
9％≤Y≤45％
48％≤Z≤90％。
2.根据权利要求1所述的光波长转换部件，其特征在于，
所述陶瓷烧结体中占据的所述A3B5O12：Ce结晶粒子的比例为5～50vol％。
3.根据权利要求1或2所述的光波长转换部件，其特征在于，
所述Ce的比例相对于所述A3B5O12的A而为10.0mol％以下，但是不包含0。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光波长转换部件，其特征在于，
所述Al2O3结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～10μm，所述A3B5O12：Ce结晶粒子的平均结晶粒径为0.3～5μm。
5.一种发光装置，其特征在于，具备权利要求1～4中任一项所述的光波长转换部件。
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