CN109618428B - 一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法。本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜包括自下而上依次层叠设置的透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层，其中，石墨烯复合层为通过液态胶黏剂将在粗糙处理后的催化衬底上生长的石墨烯薄膜转移至透明基底上时，由液态胶黏剂固化而成的胶黏层和石墨烯薄膜形成的复合层，且胶黏剂层完全复刻所述催化衬底上的粗糙纹路，石墨烯复合层的粗糙度为0.5‑40μm。本发明的石墨烯复合层由于是通过液态胶粘剂将生成在粗糙化处理的衬底上的石墨烯薄膜转移至透明基底上的，使得石墨烯复合层的比表面积和表面粗糙度的明显提高，从而提高了红外发射膜的发射率。

Description

一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及远红外技术领域，具体涉及一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法。
背景技术
众所周知，红外光作为一种不可见光，波长在760nm至1000μm之间，是一种具有强热作用的电磁波；太阳的热量主要就是通过红外线传到地球的。在医学领域，认为8～15μm的远红外线是生物生存必不可少的因素，人们把这一波段称为“生命光波”；这一段波长的电磁波，与人体发射出来的远红外线波长相近，能与生物体内细胞的水分子产生最有效的共振，有效促进动植物的生长。远红外线对于人体，具有扩张毛细血管，促进血液循环，强化新陈代谢，增加组织再生力，提高机体免疫力的作用。
人们很早就开始积极开发各种用于人体理疗保健的远红外产品，例如采用电阻发热的方式，即通过电热转化，将电能转化为热能，形成热源，并在热源外部包裹黑体材料(通常都是非理想黑体，可以是黑色或彩色棉布、化纤等)，通过黑体辐射发射远红外线。然而，这一类的远红外产品普遍存在着结构厚重，能效转化率低等问题。而随着石墨烯的发现，由于其优异的特性，用CVD石墨烯薄膜制造红外线主动发射膜(电能驱动)，具有透明、轻薄的特性，与传统的远红外产品相比，表现出巨大优势。
红外发射率的高低，是评价一款红外发射产品的实际功能优劣的技术指标中，至关重要的参数之一。红外光发射率与材料性质、表面状态等因素有关，表面状态包括表面温度、表面粗糙度等；一般情况下，增加表面粗糙度，会增大表面发射率，即粗糙度与发射率在一定条件下呈线性关系。
由透明CVD石墨烯薄膜制备的红外主动发射膜，与传统的黑体被动辐射材料相比，工作原理存在着明显区别。其功能层仅为一层(或几层)碳原子，透过率很高，主要通过提高CVD石墨烯层二维结构的高低起伏程度，即提高石墨烯的比表面积及透明薄膜的粗糙度，来提高石墨烯红外发射膜在外加电场作用下的主动发射率。
目前，本领域中采用石墨烯制备的红外发射膜时，采用的是传统CVD法制备得到石墨烯薄膜作为红外发射材料。而传统的CVD法中为了降低生长过程中石墨烯产生的缺陷，提高石墨烯质量，需要尽量保证铜箔催化衬底微观尽量平整，并采用各种方法尽量降低其粗糙度，并尽量趋于单晶，然而，采用这种方式制备得到的石墨烯薄膜进一步制备红外发射膜时，其红外发射率并不高。因此，本领域中，通常会采用粒子束刻蚀或者激光刻蚀，或者物理雕刻工艺对基底上的多层石墨烯薄膜进行刻蚀，从而实现石墨烯表面的粗糙化。然而这种方式将多层石墨烯进行粗糙化，不仅费时，又浪费材料，且工艺要求复杂。
发明内容
针对上述存在的技术问题，本发明提供一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其包括自下而上依次层叠设置的透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层，其中，
所述石墨烯复合层为通过液态胶黏剂将在粗糙化处理后的催化衬底上生长的石墨烯薄膜转移至所述透明基底上时，由所述液态胶黏剂固化而成的胶黏层和所述石墨烯薄膜形成的复合层，且所述胶黏剂层完全复刻所述催化衬底上的粗糙纹路，所述石墨烯复合层的粗糙度为0.5-40μm。
进一步地，所述石墨烯复合层的粗糙度为1-10μm。
更进一步地，所述石墨烯复合层的平均粗糙度为8μm。
其中，所述红外发射膜的红外辐射面功率为1-50W/dm2，法相发射率为 0.85-0.95；优选地，所述红外发射膜的红外辐射面功率为3-15W/dm2。
其中，所述封装层包括自下而上依次层叠设置的光学级胶黏层和抗划伤的加硬层。
其中，所述电极层的正电极和负电极之间的间距从电极的一端到另一端呈阶梯状逐渐增大/减小，或者先呈阶梯状逐渐增大后又呈阶梯状逐渐减小，或先呈阶梯状逐渐减小后又呈阶梯状逐渐增大。具体地，根据实际需求，可以采用直线或曲线的布置方式设计图案，例如正电极和负电极中一个采用直线状，另一个采用曲线状，或者正负电极均采用圆弧、抛物线等等任意非直线的曲线。当然，该电极层也的正负电极也可都采用直线状。所述电极层可采用导电浆料丝网印刷的工艺技术成型。
本发明还提供了一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其包括步骤：
S11，通过高温退火法结合化学微刻蚀法粗糙化生长基底；
S12，在粗糙化的生长基底上采用CVD法制备石墨烯薄膜；
S13，采用液态胶黏剂将步骤S12中制备的石墨烯薄膜转移至透明基底表面，并去除生长基底；
S14，在石墨烯薄膜上布置电极层，并封装得到红外发射膜。
其中，所述步骤S11具体包括步骤：
S111，在生长腔体内以50～200Pa的真空度将催化衬底加热到900～980℃，并通入保护气体，持续加热5～30min；
S112，将所述催化衬底升温到退火温度1000～1080℃，并降低真空度至 20～50Pa，持续退火1～10min；
S113，将退火后的催化衬底浸入刻蚀溶液，于室温下刻蚀1～10min，然后清洗烘干得到粗糙化的生长基底。
其中，所述刻蚀溶液为氧化性酸性水溶液，优选地，浓度为0.1～2wt％的盐酸/双氧水溶液，或硫酸/双氧水溶液，或过硫酸铵水溶液。
其中，封装时采用预切的封装层表面贴合在该石墨烯复合层和电极层上进行封装，且该封装层具体包括光学级胶黏剂和抗划伤加硬层。
其中，该胶黏剂为液态胶黏剂或固态胶黏剂，优选地，该胶黏剂为LOCA 或OCA。
本发明的有益之处在于：
本发明公开了一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其包括透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层，其中，该石墨烯复合层为通过液态胶粘剂将生长在粗糙化的衬底上的石墨烯层复型转移至透明基底上，从而使得石墨烯透明薄膜的比表面积和表面粗糙度的明显提高，进而提高了基于该石墨烯复合层的红外发射膜的发射率。
进一步地，通过在封装层内设置光学级的胶黏层，从而通过液态胶液(如 LOCA)或固态胶(如OCA)充分填平石墨烯粗糙表面的起伏平面，消除了空气孔洞，降低薄膜整体折射率，进而提高透过率。
本发明还公开了一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜制备方法，其通过结合高温退火法和化学微刻蚀法对生长基底进行微观粗糙化，然后在微观粗糙化的生长基底上制备石墨烯薄膜，并用液态胶来复型转移至透明基底上以制备红外发射膜。本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其克服本领域惯性思维，反其道而行之，即采用CVD法制备石墨烯薄膜时，不但不尽量保证铜箔生长衬底的光滑平整，反而刻意粗糙化该铜箔等生长衬底，从而在保持CVD法制备的石墨烯薄膜完整性的同时，提高石墨烯薄膜的比表面积，进而再利用粗糙化的石墨烯薄膜制备高发射率的红外发射膜。
附图说明
图1为本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的一实施例的结构示意图；
图2反应本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的石墨烯的连续二维结构的示意图；
图3a、图3b和图3c分别为本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜中电极层的电极图案的第一、二、三实施例的结构示意图；
图4为本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法的一实施例的流程图；
图5为反应图2中石墨烯薄膜粗糙度的示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明作详细的说明。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
参见图1，为本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的一实施例的结构示意图。具体地，本实施例的该红外发射膜包括自下而上依次层叠设置的透明基底1、石墨烯复合层2、电极层3和封装层4。
本实施例中，该石墨烯复合层2包括胶黏剂层21和石墨烯层22，其中，该石墨烯层22是采用CVD法在经过粗糙化处理后的催化衬底上生长得到的，并通过液态胶黏剂将制备得到的石墨烯层转移至透明基底1上，从而得到由该石墨烯层22和由该液态胶黏剂固化而成的胶黏剂层21构成的石墨烯复合层2，且该胶黏剂层21形成石墨烯复合层2的固化过程中，完全复刻了该催化衬底上的粗糙纹路。本实施例中，该液态胶粘剂包括但不局限于热熔胶、热固化胶、光固化胶(即UV胶)；优选地，采用UV胶，由于UV胶黏度较低，易于填充细小低洼区域，从而能够完全复刻该催化衬底上的粗糙纹路，并且由于其固化速度快，使得转移复型的效率高，从而提高了石墨烯复合层的生成效率。
本实施例中，该石墨烯复合层2的粗糙度范围为0.5-40μm，优选地，粗糙度为1-10μm。在一具体实施例中，该石墨烯复合层的平均粗糙度为8μm，参见图5。
本实施例中，该电极层3的正电极和负电极平行排列，形成对电极。当然，本实施例中的该电极层也可不采用平行排列的对电极，而是采用将梯度电极层，即电极层正电极和负电极之间的间距从电极的一端到另一端呈阶梯状逐渐增大 /减小，或者先呈阶梯状逐渐增大后又呈阶梯状逐渐减小，或先呈阶梯状先逐渐减小后又呈阶梯状逐渐增大。在一具体实施例中，该梯度电极层3的正极和负极中任何一个电极呈直线状，而另一个电极呈正向单曲线状(即曲线的开口方向面向呈直线状的电极)，且正极与负极之间的间距从左至右逐渐增大(当然，该正极和负极逐渐的间距也可以从左至右逐渐减小)：最小间距(即正极与负极的左边端部之间的间距)为40mm，最大间距(即正极与负极的右边端部之间的间距)为45mm，参见图3a。在另一具体实施例中，该正、负极均呈曲线状，且两个曲线的开口方向相同，而该正极和负极之间的间距则间距从左至右逐渐减小(当然，该正极和负极逐渐的间距也可以从左至右逐渐增大)：最小间距 (即正极与负极的右边端部之间的间距)和最大间距(即正极与负极的左边端部之间的间距)分别为35mm和40mm，参见图3b。当然，该呈曲线状的正极和负极的开口也可反向，即两个曲线状的电极相对设置，参见图3c，且正极和负极之间的间距从左至右先逐渐增大再逐渐减小：最小间距(即正极与负极的左和/或右边端部之间的间距)和最大间距(即正极与负极的靠近中部之间的间距) 分别为35mm和40mm。
本实施例中，该石墨烯梯度发热膜的发热温度符合发热区域正负电极间矢量距离与发热温度关系公式：P＝U2/R＝(U2/R□)*(1/Ln)＝K*(Tn-T0)。
其中：P为正负电极间距线矢量功率；U为工作电压；R为正负电极间距线矢量线阻；R□为石墨烯方阻，且为恒定常数；Ln为正负电极不同位置间距；K 为电热转换校正系数；Tn为正负电极不同位置温度；T0为环境温度。
本实施例中，该封装层4包括自下而上依次层叠设置的光学级胶黏层和抗划伤的加硬层。其中，该胶黏层为液态胶黏剂(优选地，采用LOCA)或固态胶 (优选地，采用OCA)，即本实施例中通过液态胶液或固态胶充分填平石墨烯的粗糙表面上的起伏(即连续的二维结构之间的空隙，参见图2)，从而消除了空气孔洞，降低了石墨烯复合层整体的折射率，进而提高了透过率，减小了石墨烯粗糙化对透过率的影响。其中，该加硬层为PET制成的层状结构。
本实施例中，该红外发射膜的红外辐射面功率为1-50W/dm2，优选地，红外辐射面功率为3-15W/dm2；法相发射率为0.85-0.95。
实施例二
为了更清楚的说明本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的结构，下面结合其制备方法进行详细的说明。参见图4，为本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法的一实施例的流程图，具体地，其包括步骤：
S11，粗糙化生长基底/催化衬底。
本实施例中，该生长基底(即催化衬底)采用铜箔，可分别采用高温退火处理，物理机械打磨，化学选择性刻蚀等方法对该铜箔进行粗糙化处理。在一具体实施例中，采用高温退火处理法结合化学微刻蚀法对铜箔进行粗糙化处理，则粗糙化该生长基底的步骤具体包括步骤：
I，在100Pa的真空条件下，在生长腔体内将衬底铜箔加热到940℃，并通入保护气体，持续加热20min。
II，将衬底铜箔升温至退火温度1020℃，并降低真空度至40Pa，持续退火 5min。
本实施例中，采用高温退火处理法粗糙化铜箔，使得多晶铜晶区进一步粗化，提高表面粗糙度；此粗糙化处理方式更简单，更易于CVD法匹配，生产效率更高。
III，将退火后的衬底铜箔浸入刻蚀溶液，与室温条件下刻蚀3min后清洗烘干，得到粗糙化的生长基底。
本实施例中，该刻蚀溶液为盐酸、双氧水混合液，即盐酸/双氧水溶液，两者的浓度比例为1：2，组合浓度为0.6wt％。
S12，在粗糙化的生长基底上采用CVD法制备石墨烯薄膜。
本实施例中，在粗糙化铜箔表面通过CVD法生长石墨烯薄膜，从而能够得到高低起伏的石墨烯层，且其具有较高的比表面积。
S13，采用液态胶黏剂将步骤S12制备得到的石墨烯薄膜转移至透明基底表面，并去除铜箔。
本实施例中，由于胶粘剂是在液态状态下转移石墨烯薄膜，因此，其能够充分填平石墨烯薄膜表面上由于高低起伏(即连续的二维结构)造成的低洼区域，从而当其固化后，能够完全复刻石墨烯及铜箔的微观形貌。具体地，本实施例中该液态胶粘剂包括但不局限于热熔胶、热固化胶、光固化胶(UV胶)；优选的，UV胶，黏度较低，易于填充细小低洼区域，且固化速度快，生产效率高。
在一具体实施例中，采用UV胶将制备的石墨烯薄膜转移至透明基底上，且该UV胶层干膜厚度为20μm，具体地，该UV胶为丙烯酸酯类自由基光固化胶黏剂。
本实施例中，该透明基底选用光学级PET，厚度为50μm，表面硬度3H，表面张力32dyn/cm。
本实施例中，可采用化学刻蚀法、电化学剥离法等去除该铜箔，在一具体实施例中，采用过硫酸铵溶液去除衬底铜箔，得到平均粗糙度为8μm的石墨烯薄膜，参见图5。
S14，采用激光刻蚀和银浆丝网印刷法在石墨烯薄膜上按照预设的电极图案布设电极层，并进行封装得到红外发射膜。
本实施例中，该预设电极图案可以是上述实施例一中电极层的图案，也可以是叉指电极，也可以是曲线等其他图案的电极图案。
本实施例中，采用预切的封装层来进行封装，且该封装层具体包括光学胶黏层和抗划伤加硬层，其中，该光学胶黏层为LOCA，而加硬层则采用PET。
本实施例中制备得到的红外发射膜的红外辐射面功率为6.4W/dm2，法相发射率为0.89。
实施例三
本实施例中的该基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法包括上述实施例二中的各个步骤，相同的步骤采用相同的附图标记，这里不再赘述，然而不同的是：
本实施例中，采用高温退火处理法结合化学微刻蚀法对铜箔进行粗糙化处理时，是在150Pa的真空条件下，在生长腔体内将衬底铜箔加热到950℃，并通入保护气体，持续加热30min；使得衬底铜箔升温至退火温度1080℃，并降低真空度至50Pa，持续退火10min；然后，将退火后的衬底铜箔浸入浓度为2wt％的硫酸/双氧水溶液，与室温条件下刻蚀10min后清洗烘干，得到粗糙化的生长基底。
本实施例中制备得到的用于红外发射膜中该石墨烯复合层的平均粗糙度为 50μm，铜箔过度刻蚀，石墨烯生长质量差，缺陷多，红外热成像仪观察，明显发热不均匀。
实施例四
本实施例中的该基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法包括上述实施例二中的各个步骤，相同的步骤采用相同的附图标记，这里不再赘述，然而不同的是：
本实施例中，采用高温退火处理法结合化学微刻蚀法对铜箔进行粗糙化处理时，是在200Pa的真空条件下，在生长腔体内将衬底铜箔加热到980℃，并通入保护气体，持续加热1min；使得衬底铜箔升温至退火温度1080℃，并降低真空度至50Pa，持续退火10min；然后，将退火后的衬底铜箔浸入浓度为0.1wt％的过硫酸铵水溶液，与室温条件下刻蚀1min后清洗烘干，得到粗糙化的生长基底。
本实施例中制备得到的红外发射膜中该石墨烯复合层的平均粗糙度为 2μm，该红外发射膜的红外辐射面功率为6.1W/dm2，法相发射率为0.85。
实施例五
本实施例中的该基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法包括上述实施例二中的各个步骤，相同的步骤采用相同的附图标记，这里不再赘述，然而不同的是：
本实施例中，采用高温退火处理法结合化学微刻蚀法对铜箔进行粗糙化处理时，是在100Pa的真空条件下，在生长腔体内将衬底铜箔加热到940℃，并通入保护气体，持续加热20min；使得衬底铜箔升温至退火温度1040℃，并降低真空度至40Pa，持续退火5min；然后，将退火后的衬底铜箔浸入浓度为0.4wt％的过硫酸铵水溶液，与室温条件下刻蚀4min后清洗烘干，得到粗糙化的生长基底。
本实施例中制备得到的红外发射膜中该石墨烯复合层的平均粗糙度为 8μm，该红外发射膜的红外辐射面功率为6.4W/dm2，法相发射率为0.88。
实施例六——对比红外发射膜
为了说明本发明的制备方法制备所得的红外发射膜的发射率高，本实施例还提供了一种红外发射膜作为对照样品，其采用传统方法制备基于石墨烯的红外发射膜，具体地，包括步骤：
S21，采用CVD法在未经粗糙化处理的铜箔表面生长石墨烯薄膜。
S22，采用过渡胶层将步骤S21中制备的石墨烯薄膜直接释放到透明基底表面。其中，该过渡胶层采用热塑性树脂，如PMMA，热释胶带等。
本实施例中，该步骤S22具体包括步骤：
S221，在石墨烯薄膜表面依次涂布一层PMMA和一层PA，并成膜得到过渡支撑层。
S222，化学刻蚀，溶解去除铜箔。本实施例中，去除该铜箔的刻蚀液为过硫酸铵溶液，其浓度为5wt％。
S223，将过渡支撑层清洗干净，捞出，使得石墨烯层通过水膜与透明基底贴紧。本实施例中，该透明基底也选用光学级PET，厚度为50μm，表面硬度3H，表面张力32dyn/cm。
S23，充分晾干，溶解去除过渡支撑层。
本实施例中，由于石墨烯薄膜通过水膜与透明基底贴紧，因此，晾干过程中，水膜挥发从而形成毛细管力，使得石墨烯薄膜与透明基底充分贴紧；当晾干之后，采用极性溶剂溶解清除干净过渡支撑层，得到石墨烯直接释放到透明基底表面的结构，且得到的石墨烯透明薄膜的粗糙度很低，平均仅为0.3μm。本实施例中，该极性溶剂为乙酸乙酯，当然，该极性溶液也可采用其它酯类，或酮类、酰胺类等溶剂。
S24，在步骤S23中得到的石墨烯层表面采用激光刻蚀工艺和银浆丝网印刷工艺制备电极层。
S25，在步骤S24得到的结构表面贴合预切的封装层，得到基于石墨烯的红外发射膜。
本实施例中，该封装层包括光学胶黏层和抗划伤加硬层；所述光学胶黏层为OCA；抗划伤层材质与S2中的透明基底PET相同。
本实施例的制备方法制备得到的红外发射膜的红外辐射面功率为 6.1W/dm2，法相发射率为0.84，由此可知，本发明的制备方法制备得到红外发射膜的发射强度明显强于采用传统方法制备得到的红外发射膜的发射强度。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层，其中，
所述石墨烯复合层为通过液态胶黏剂将在粗糙化处理后的催化衬底上生长的石墨烯薄膜转移至所述透明基底上时，由所述液态胶黏剂固化而成的胶黏层和所述石墨烯薄膜形成的复合层，且所述石墨烯复合层的粗糙度为2-40μm。
2.如权利要求1所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述石墨烯复合层的粗糙度为2-10μm，或，所述石墨烯复合层的平均粗糙度为8μm。
3.如权利要求1所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，粗糙化的所述催化衬底是经过退火工艺和化学微刻蚀后得到的。
4.如权利要求1或2或3所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述红外发射膜的红外辐射面功率为1-50W/dm2，法相发射率为0.85-0.95。
5.如权利要求4所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述红外发射膜的红外辐射面功率为3-15W/dm2。
6.如权利要求1或2或3所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜，其特征在于，所述封装层包括自下而上依次层叠设置的光学级胶黏层和抗划伤的加硬层。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
S11，通过高温退火法结合化学微刻蚀法粗糙化催化衬底；
S12，在粗糙化的催化衬底上采用CVD法制备石墨烯薄膜；
S13，采用液态胶黏剂将步骤S12中制备的石墨烯薄膜转移至透明基底表面，并去除生长基底；
S14，在石墨烯薄膜上布置电极层，并封装得到红外发射膜。
8.如权利要求7所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，特征在于，所述步骤S11具体包括步骤：
在生长腔体内以50~200Pa的真空度将催化衬底加热到900~980℃，并通入保护气体，持续加热5~30min；
将所述催化衬底升温到退火温度1000~1080℃，并降低真空度至20~50Pa，持续退火1~10min；
将退火后的所述催化衬底浸入刻蚀溶液，于室温下刻蚀1~10min，然后清洗烘干得到粗糙化的生长基底。
9.如权利要求8所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氧化性酸性水溶液。
10.如权利要求9所述的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜的制备方法，其特征在于，所述氧化性酸性溶液为浓度为0.1~2wt%的盐酸/双氧水溶液，或硫酸/双氧水溶液，或过硫酸铵水溶液。
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