CN109597260B - 电化学光学装置 - Google Patents
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Abstract
电化学光学装置具有:第1基板,配置有相互在电气上分离的多个电极;第2基板,配置有相互在电气上分离的多个电极,多个电极中的各电极与第1基板上配置的多个电极中的各电极对置配置;多个反应/离子传导层,配置在第1基板的多个电极中的各电极和第2基板的多个电极中的各电极之间;以及多个导通材料,配置在第1、第2基板之间、且多个反应/离子传导层之间,对应于多个反应/离子传导层各自的配置位置,在相同方向上以电气方式串联连接包含电极和反应/离子传导层而划定的多个电化学光学元件区域,关于相互邻接的电化学光学元件区域,使一个元件区域的第1基板侧电极和另一个元件区域的第2基板侧电极电连接,多个电化学光学元件区域被拼接。
Description
技术领域
本发明涉及具有多个电化学光学元件区域、例如能够用于显示器装置的电化学光学装置。
电化学光学元件是指如下元件:具有利用一对电极夹持反应层、离子传导层(两者也可以是共通的)的构造,通过对电极之间施加电压,在电极与反应层之间产生氧化还原反应,能够使光学特性变化,例如包含电致变色(electrochromic;EC)元件、电化学发光(electrochemiluminescence;ECL)元件。电致变色元件例如包含电沉积(electrodeposition;ED)元件。
背景技术
在进行大面积显示的电致变色元件中,容易产生由于电流密度的失衡而引起的显示不均。并且,响应速度变慢。因此,有时使用拼接(tiling)。
图7是示出使用拼接的电致变色显示器装置50的概略剖视图(例如参照专利文献1)。
电致变色显示器装置50具有相互对置配置的上侧基板51和下侧基板52、配置在上侧基板51上的导电性薄膜53、在下侧基板52上相互分开配置的动作电极54和相反电极55、以及配置在基板51、52之间的电解质层56。在动作电极54与相反电极55之间连接有直流电源57。电解质层56包含电致变色材料。
当通过直流电源57对电极54、55之间施加电压时,例如在箭头方向上形成电流路径(流过电流),在动作电极54正上方区域的导电性薄膜53与电解质层56的边界处产生氧化反应、还原反应中的任意一方。并且,在相反电极55正上方区域的导电性薄膜53与电解质层56的边界处产生氧化反应、还原反应中的另一方。在电致变色显示器装置50中,仅在动作电极54和相反电极55的配置区域内产生由于电致变色材料而引起的外观变化。
但是,当在电沉积元件中采用该结构并进行拼接驱动时,有时产生显示不均。例如,在具有包含银离子的电解质层且用作反射镜器件的电沉积元件的情况下,在动作电极54位置和相反电极55位置,电压施加时的银的析出面不同。即,在动作电极54的位置,在下侧基板52侧析出银,在相反电极55的位置,在上侧基板51侧析出银。银的析出面不是一个基板侧,因此,反射率或色调根据电极54、55的位置而不同,显示品质降低。
这样,以往,例如即使为了改善由于电流密度的失衡而引起的显示不均或较慢的响应速度而使用拼接,有时也很难实现高品质的电化学光学装置。
另外,亮度不均较少且具有高可靠性的电化学发光显示装置的发明等也是公知的(例如参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特表2005-521103号公报
专利文献2:日本特开2009-230073号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于提供高品质的电化学光学装置。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个观点,提供一种电化学光学装置,其具有:第1基板,其在主面配置有相互在电气上分离的多个电极;第2基板,其与所述第1基板大致平行地对置配置,在主面配置有相互在电气上分离的多个电极,该多个电极中的各电极与所述第1基板的主面上配置的所述多个电极中的各电极对置配置;多个反应/离子传导层,它们配置在所述第1基板的所述多个电极中的各电极和与该多个电极中的各电极对置的所述第2基板的所述多个电极中的各电极之间;以及多个导通材料,它们配置在所述第1基板的主面与所述第2基板的主面之间、且所述多个反应/离子传导层之间,对应于所述多个反应/离子传导层各自的配置位置,在相同方向上以电气方式串联连接包含所述第1基板的电极、所述第2基板的电极和所述反应/离子传导层而划定的多个电化学光学元件区域,关于相互邻接的所述电化学光学元件区域,使一个元件区域的所述第1基板侧电极和另一个元件区域的所述第2基板侧电极电连接,所述多个电化学光学元件区域被拼接。
发明效果
根据本发明,能够提供高品质的电化学光学装置。
附图说明
图1是示出第1实施例的电化学光学装置中使用的电化学光学元件的概略剖视图。
图2A、图2B分别是示出在电沉积元件10的突出部15、16上的电极11b、12b上配置有导电性双面带17、18的电沉积元件结构的概略剖视图、俯视图。
图3是示出电压施加时的光透射率的表。
图4A是示出第1实施例的电沉积装置的概略剖视图。
图4B是示出第1实施例的电沉积装置的概略俯视图。
图4C是示出第1实施例的电沉积装置中的电流路径的概略剖视图。
图5A~图5C是示出使用引线20使电沉积元件10的一个上侧透明电极11b和另一个下侧透明电极12b电连接的结构的概略剖视图。
图6A是示出第2实施例的电沉积装置的概略剖视图。
图6B是示出第2实施例的电沉积装置的概略俯视图。
图6C是示出第2实施例的电沉积装置中的电流路径的概略剖视图。
图6D是示出第2实施例的电沉积装置的变形例的概略俯视图。
图7是示出使用拼接的电致变色显示器装置50的概略剖视图。
标号说明
10:电沉积元件;11:上侧基板;11a:上侧透明基板;11b:上侧透明电极;12:下侧基板;12a:下侧透明基板;12b:下侧透明电极;13:密封部;14:电解质层;15、16:突出部;17、18:导电性双面带;20:引线;21:焊锡;30a、30b、30c:电沉积元件区域;31:上侧基板;31a:上侧透明基板;31ba、31bb、31bc:上侧透明电极;32:下侧基板;32a:下侧透明基板;32ba、32bb、32bc:下侧透明电极;33A:密封部;33B、33C:含有导电性粒子的密封部;34a、34b、34c:电解质层;35、36:突出部;37、38:导电性双面带;50:电致变色显示器装置;51:上侧基板;52:下侧基板;53:导电性薄膜;54:动作电极;55:相反电极;56:电解质层;57:直流电源。
具体实施方式
图1是示出第1实施例的电化学光学装置中使用的电化学光学元件的概略剖视图。第1实施例的电化学光学装置是使用电沉积元件10的电沉积装置。另外,在本说明书的说明中,使用图示的XYZ坐标系的坐标轴,以此为基准进行说明。
电沉积元件10例如构成为包含大致平行且分开对置配置的上侧基板11和下侧基板12、以及配置在两个基板11、12之间的电解质层(反应/离子传导层)14。
上侧基板11、下侧基板12分别包含上侧透明基板11a和下侧透明基板12a、以及形成在各透明基板11a、12a上的上侧透明电极11b和下侧透明电极12b。透明电极11b、12b是表面平滑的电极,具有相邻的2边在X轴方向、Y轴方向上延伸的矩形的平面形状。上侧透明基板11a和下侧透明基板12a例如是厚度为0.7mm的玻璃基板,上侧透明电极11b和下侧透明电极12b例如由厚度为300nm的ITO(indium tin oxide:氧化铟锡)形成。
在上侧基板11与下侧基板12之间设置有密封部13,划定其内侧区域。电解质层14配置在上侧基板11与下侧基板12之间的密封部13的内侧区域内,包含含有银(银离子)的电沉积材料(例如AgBr)。电解质层14的厚度例如为1μm~500μm,作为一例,为100μm。密封部13例如使用树脂等材料形成。
在电沉积元件10中,电极11b、12b的配置位置在俯视时(从基板11、12法线方向(Z轴方向)观察时)不一致。两个电极11b、12b在基板11、12的面内方向上相互偏移配置。基板11、12分别具有从基板11、12在俯视时重叠的区域相互向相反方向(X轴负方向、X轴正方向)突出的突出部15、16。各电极11b、12b也配置在突出部15、16上,相互向相反方向(X轴负方向、X轴正方向)突出。
电沉积元件10在俯视时例如是X轴方向的长度为67mm、Y轴方向的长度为250mm的矩形状。基板11、12在俯视时重叠的区域例如是X轴方向的长度为61mm、Y轴方向的长度为250mm的矩形状。电解质层14的平面形状是与其近似的尺寸的矩形状。突出部15、16例如是X轴方向的长度为3mm、Y轴方向的长度为250mm的矩形状。
电沉积元件10例如用作反射镜器件,该反射镜器件能够被施加在电极11b、12b之间的直流电压以电气方式切换透明状态和反射镜状态(反射状态)。
在电压未施加时,电沉积元件10处于透明状态。入射到电沉积元件10的光在该电沉积元件10中透射。
通过对电极11b、12b之间施加电压,能够使电沉积元件10成为反射镜状态。作为一例,当使下侧透明电极12b接地而对上侧透明电极11b施加-2.5V的直流电压时,电解质层14中包含的银离子被还原,在上侧透明电极11b(成为负电压侧的电极)附近变化为金属的银,在电极11b上进行析出/堆积,形成银薄膜。银薄膜作为镜面发挥作用,使入射到电沉积元件10的光进行反射。
通过断开电压(0V或开放状态)或者施加反偏置(例如+1V),银薄膜从上侧透明电极11b上消失。施加反偏置时,能够使银迅速消失而使电沉积元件10成为透明状态。
电沉积元件10例如能够用作反射镜器件,该反射镜器件由于直流电压的未施加-施加而可变地实现透明状态和反射镜状态。
例如能够如下所述地制作电沉积元件10。
准备一对带透明电极(电极11b、12b)图案的玻璃基板(基板11a、12a)。在玻璃基板上的透明电极中使用具有平滑性的透明导电膜,作为一例,使用ITO膜。能够通过溅射、CVD、蒸镀等形成透明导电膜。
以使ITO膜(电极11b、12b)对置的方式配置一对玻璃基板(基板11a、12a),来进行单元化。
将间隙控制剂散布在一对基板(基板11、12)中的一方上。另外,通过选择间隙控制剂的直径,例如能够在1μm~500μm的范围内设定电解质层14的厚度(单元间隙)。
在一对基板(基板11、12)中的另一方上,使用密封材料形成主密封图案(一部分欠缺的矩形的密封图案)。例如使用紫外线硬化型的密封材料。另外,也可以在同一基板侧进行间隙控制剂的散布和主密封图案的形成。
进行一对基板(基板11、12)的重合,制作空单元。
接着,将包含电沉积材料的电解液封入一对基板(基板11、12)之间,形成电解质层14。
具体而言,在空单元内,例如使用真空注入法注入包含电沉积材料的电解液后,对注入口进行密封,对密封材料照射紫外线,使密封材料固化,形成密封部13及其内部区域的电解质层14。
包含电沉积材料的电解液由电沉积材料(AgBr等)、介体(TaCl5等)、支持电解质(LiBr等)、溶剂(γ-丁内酯等)等构成。例如,构成为在作为溶剂的γ-丁内酯中添加200mM的AgBr作为电沉积材料,添加800mM的LiBr作为支持电解质,添加30mM的TaCl5作为介体。
在电沉积材料中,例如能够使用包含银的AgBr、AgNO3、AgClO4等。
关于介体,除了TaCl5以外,还能够使用包含Ta的TaBr5、TaI5、包含Ge的GeCl4、GeBr4、GeI4、包含Cu的CuCl2、CuSO4、CuBr2等。
支持电解质促进电沉积材料的氧化还原反应等即可,没有限定,例如,可优选使用锂盐(LiCl、LiBr、LiI、LiBF4、LiClO4等)、钾盐(KCl、KBr、KI等)、钠盐(NaCl、NaBr、NaI等)。支持电解质的浓度例如优选为10mM以上且1M以下,但是没有特别限定。
溶剂能够稳定地保持电沉积材料等即可,没有限定。可使用水或碳酸亚丙酯等极性溶剂、没有极性的有机溶剂、以及离子性液体、离子导电性高分子、高分子电解质等。具体而言,除了γ-丁内酯以外,优选能够使用DMSO(dimethyl sulfoxide:二甲基亚砜)、碳酸亚丙酯、N,N-二甲基甲酰胺、四氢呋喃、乙腈、聚乙烯硫酸、聚苯乙烯磺酸、聚丙烯酸等。
这样,能够制作电沉积元件10。
参照图2A和图2B。在第1实施例的电沉积装置的制作中,在电沉积元件10的突出部15、16上的电极11b、12b上配置具有压缩性的导电性连接材料即导电性双面带17、18。导电性双面带17、18(沿着Y轴方向在电解质层14的配置范围以上的范围内)配置成,覆盖沿着Y轴方向的电解质层14的配置范围。作为导电性双面带17、18,例如使用株式会社寺冈制作所制的导电性铜箔双面带(片电阻值0.02Ω/□)。也可以使用株式会社寺冈制作所制的导电性铝箔双面带(片电阻值0.5Ω/□)。
ITO电极11b、12b的片电阻值例如为5Ω/□左右,与此相对,导电性双面带17、18的片电阻值为0.02Ω/□,是非常小的。因此,能够认为导电性双面带17、18的配置位置的电位相等。因此,当对图2A和图2B所示的电沉积结构的电极11b、12b之间(导电性双面带17、18之间)施加直流电压时,以从X轴正方向侧和X轴负方向侧同时占据电解质层14的区域的方式形成银薄膜(参照图2B的箭头)。
这里,在电解质层14的沿着X轴方向的长度较长的情况下,在沿着X轴方向的电解质层14的中央附近不容易形成银薄膜,在电压施加时,电沉积元件结构的光透射(漏光)率增大。
本申请发明人进行潜心研究,调查了实现电压施加时光透射(漏光)率较低的高品质的电沉积装置的条件。
图3示出本申请发明人的实验结果(电压施加时的光透射率)。在本表中,设空气的光透射率(未配置电沉积结构时的光透射率)为1,利用“%”显示电压施加时的光透射率。在图2A和图2B所示的结构中,使电解质层14的X轴方向的长度(上侧、下侧透明电极11b、12b的X轴方向的长度)和电解质层14的厚度不同,照射波长为650nm的光进行调查。
另外,使用波长为650nm的光是因为,越是短波长侧,电沉积元件(反射镜器件)的遮光率越高,如果在波长650nm处能够进行充分遮光,则在可见光区域整体能够进行遮光,视觉上不会看到光泄漏。
可知与电解质层的厚度无关,随着电解质层的X轴方向的长度变长,电压施加时的光透射(漏光)率变高。另外,关于表中的全部电解质层厚度,在电解质层的X轴方向的长度为190mm时,光透射率成为80%,但是,这是由于电压未施加时的电沉积结构的光透射率为80%。即,实验中的光透射率的上限为80%。
并且,可知随着电解质层的厚度变厚,电压施加时的光透射(漏光)率变低。
在电沉积装置中,如果电压施加时的光透射率例如为1%程度以下,则能够维持高品质。
实施例的电沉积装置的电解质层厚度例如为1μm~500μm,因此,本申请发明人考虑这点进行情况划分,根据图3所示的表和通过研究得到的见解,关于电压施加时的光透射率,导出以下结论。
(i)在电解质层的厚度为1μm以上且小于30μm时,如果设电解质层的X轴方向的长度为10mm以下,则能够使电沉积装置成为高品质。
(ii)在电解质层的厚度为30μm以上且小于50μm时,如果设电解质层的X轴方向的长度为20mm以下,则能够使电沉积装置成为高品质。
(iii)在电解质层的厚度为50μm以上且小于70μm时,如果设电解质层的X轴方向的长度为30mm以下,则能够使电沉积装置成为高品质。
(iv)在电解质层的厚度为70μm以上且小于100μm时,如果设电解质层的X轴方向的长度为56.6mm以下,则能够使电沉积装置成为高品质。
(v)在电解质层的厚度为100μm以上且500μm以下时,如果设电解质层的X轴方向的长度为63mm以下,则能够使电沉积装置成为高品质。
图4A是示出第1实施例的电沉积装置的概略剖视图,图4B是概略俯视图。
两图所示的电沉积装置是沿着X轴方向(与突出部15、16的突出方向平行的方向)连结配置3个图2A和图2B所示的电沉积结构而得到的电沉积装置。
在第1实施例的电沉积装置的制作中,准备3个图2A和图2B所示的电沉积结构(配置有导电性双面带17、18的电沉积元件10),以粘接一个电沉积元件10的导电性双面带17和另一个电沉积元件10的导电性双面带18的方式,使3个电沉积元件10相互连结。
在第1实施例的电沉积装置中,相互邻接的电沉积元件10在俯视时在突出部15、16处重合,沿着X轴方向配置。(以使突出部15、16对置的方式连结。)并且,一个元件区域的上侧透明电极11b和另一个元件区域的下侧透明电极12b经由导电性双面带17、18电连接。其结果,3个电沉积元件10在相同方向上以电气方式串联连接。另外,在俯视时,3个电沉积元件10在XY平面内的方向上相互紧密配置,没有间隙地填充配置位置。并且,如后所述,在第1实施例的电沉积装置中,电沉积元件区域(在第1实施例中为电沉积元件10)之间的接缝(电沉积元件区域的连接位置)处的阶梯差(沿着基板11、12的法线方向的偏移量)较小。
在第1实施例的电沉积装置中,使用上下导通材料(导电性双面带17、18)在相同方向上串联连接3个电沉积元件10来进行拼接(在XY平面方向上没有间隙地铺设3个电沉积元件10),但是,在相同方向上串联连接更多的电沉积元件10来进行拼接,能够成为大型的电沉积装置。
关于第1实施例的电沉积装置,在配置在X轴正方向侧端部的电沉积元件10的下侧透明电极12b(导电性双面带18)与配置在X轴负方向侧端部的电沉积元件10的上侧透明电极11b(导电性双面带17)之间,例如电连接直流电源,施加驱动电压来进行驱动。
在图4C中,利用箭头示出使X轴正方向侧端部的电沉积元件10的下侧透明电极12b(导电性双面带18)与直流电源的正极连接、使X轴负方向侧端部的电沉积元件10的上侧透明电极11b(导电性双面带17)与直流电源的负极连接时的电流路径。
在相同方向上串联连接3个电沉积元件10,因此,在各元件10的电解质层14中,从下侧基板12侧朝向上侧基板11侧流过电流。(在电解质层14之间的导电性双面带17、18中,从上侧基板11侧朝向下侧基板12侧流过电流。)因此,在全部3个电沉积元件10中,电解质层14中包含的银离子在上侧透明电极11b附近变化为金属的银,在电极11b上形成银薄膜(反射面)。
在第1实施例的电沉积装置中,在电连接的3个电沉积元件10中,能够使流过电解质层14的电流方向和银的析出基板(形成反射面的基板)所在的一侧统一。能够设银的析出面为一个基板侧(上侧基板11和下侧基板12中的任意一方侧),因此,能够使电沉积装置中的反射率和色调(外观)均匀化。例如,在使用第1实施例的电沉积装置构成拼接显示的显示装置的情况下,外观均匀化,能够以较高的显示品质进行显示。
并且,第1实施例的电沉积装置构成为拼接多个电沉积元件10,因此,例如与在俯视时具有相同面积(大面积)的1个电沉积元件相比,由于电流密度的失衡而引起的显示不均减少,响应速度变快。进而,电解质层14的厚度为100μm,X轴方向的长度为61mm,如参照图3说明的那样,电压施加时的漏光较少。
另外,在第1实施例的电沉积装置中,对3个电沉积元件10进行串联驱动,但是,在3个电沉积元件10中分别设置布线,在相同方向上并联连接3个元件10来进行拼接,也能够使流过电解质层14的电流方向和银的析出基板所在的一侧统一,因此,例如能够使反射率和色调等外观均匀化。
但是,在并联驱动中,需要电沉积元件10的个数对的布线,与此相对,如果像第1实施例的电沉积装置那样进行串联驱动,则与电沉积元件10的个数无关,一对布线即可。即,能够减少布线。
并且,在并联驱动中,需要在拼接边界(相互邻接的电沉积元件10的边界区域)设置布线的空间,因此,拼接边界容易醒目,与此相对,在第1实施例的电沉积装置中,拼接边界较窄而不容易醒目。
进而,在对电流驱动的电沉积元件10进行并联驱动时,流过较大电流,布线电阻的影响也变大,与此相对,在第1实施例的电沉积装置这样的串联驱动的情况下,驱动电压根据电沉积元件10的个数而升高,但是,电流值没有变化,因此,布线电阻的影响较小,容易在驱动电路中使用通用电路。而且,在并联驱动中,在进行全部点亮的情况下需要同步电路,与此相对,在串联驱动中不需要同步电路,因此,能够简化驱动电路。这样,从驱动电路的观点来看是有利的。
参照图5A。作为将先行的从下侧基板12侧向上侧基板11侧流过电解质层14的电流引导至邻接的电沉积元件10的下侧基板12、使流过多个电沉积元件10的电解质层14的电流方向和银的析出基板所在的一侧统一的其他结构,例如考虑使用引线20使相互邻接的元件10的一个上侧透明电极11b和另一个下侧透明电极12b电连接的结构。引线20例如通过焊锡21粘接在一个元件10的上侧透明电极11b的突出部15和另一个元件10的下侧透明电极12b的突出部16上。
但是,在使用引线20以使突出部15、16对置的方式连结2个电沉积元件10的情况下,根据引线20和焊锡21的厚度,例如如图5B所示,在邻接的电沉积元件10之间的接缝(电沉积元件10的连结位置)处产生较大阶梯差(沿着基板11、12法线方向的偏移量),损害电沉积装置的品质。为了消除阶梯差,例如如图5C所示,如果不使突出部15、16对置,则邻接的电沉积元件10之间变宽,损害电沉积装置的品质。
在第1实施例的电沉积装置中,使用具有压缩性的导电性连接材料(导电性双面带17、18)连结相互邻接的电沉积元件10。因此,邻接的电沉积元件10之间的接缝处的阶梯差变小,电沉积装置的品质提高。阶梯差例如能够小于0.5mm。并且,以与单元间隙相等的厚度进行粘接,还能够成为在接缝处没有阶梯差的电沉积装置。
另外,作为导电性连接材料,除了导电带以外,还可使用导电性粘接剂(具有流动性的导电性连接材料)等。例如能够使用Kaken Tech株式会社制的导电性粘接剂TK浆料(体积电阻率0.003Ω·cm、粘度15Pa·s)或Chemtronics株式会社制的导电性环氧粘接剂CW2400(体积电阻率小于0.001Ω·cm)。
通过使用具有压缩性或流动性的导电性连接材料进行拼接,例如在电沉积元件10的单元间隙为100μm以下的情况下,也能够成为阶梯差较小、并且相互邻接的电沉积元件10之间的距离较短、大型且高品质的电沉积装置。
另外,使用具有突出部15、16的电沉积元件10,以在俯视时使突出部15、16重合的方式连结配置多个电沉积元件10也有助于缩短相互邻接的电沉积元件10之间的距离。
在第1实施例中,设突出部15、16的宽度(沿着X轴方向的长度)为3mm,但是,也可以使宽度更窄,作为一例,能够使相互邻接的电沉积元件10的电解质层14之间的距离为2mm以下。
这样,第1实施例的电沉积装置是高品质的电化学光学装置。
图6A、图6B分别是示出第2实施例的电化学光学装置(电沉积装置)的概略剖视图、俯视图。
第1实施例的电化学光学装置构成为,利用导电性双面带17、18相互连结多个电沉积元件10。在相互邻接的电沉积元件10中,一个元件区域的上侧透明电极11b和另一个元件区域的下侧透明电极12b经由导电性双面带17、18(上下导通材料)电连接,其结果是,在相同方向上以电气方式串联连接多个电沉积元件10。与此相对,第2实施例的电沉积装置不是连接单独的电沉积元件而构成的,而是上侧基板31和下侧基板32分别原本针对多个元件区域连续、一体地形成(使用单件的结构)。在相互邻接的电解质层中,一个元件区域的上侧透明电极和另一个元件区域的下侧透明电极经由含有导电性粒子的密封部电连接。其结果是,沿着一个方向(X轴方向)邻接地划定在相同方向上以电气方式串联连接的多个(3个)电沉积元件区域30a、30b、30c。第2实施例的电沉积装置是拼接了3个电沉积元件区域30a、30b、30c而成的电化学光学装置。
第2实施例的电沉积装置例如构成为,包含大致平行且分开对置配置的上侧基板31和下侧基板32、以及配置在两个基板31、32之间的电解质层(反应/离子传导层)34a、34b、34c。
上侧基板31包含上侧透明基板31a和形成在上侧透明基板31a上的上侧透明电极31ba、31bb、31bc。上侧透明电极31ba、31bb、31bc是相互在电气上分离的、表面平滑的电极。同样,下侧基板32包含下侧透明基板32a和形成在下侧透明基板32a上的下侧透明电极32ba、32bb、32bc。下侧透明电极32ba、32bb、32bc是相互在电气上分离的、表面平滑的电极。上侧透明电极31ba、31bb、31bc和下侧透明电极32ba、32bb、32bc具有相邻的2边在X轴方向、Y轴方向上延伸的矩形的平面形状。上侧透明基板31a和下侧透明基板32a例如是厚度为0.7mm的玻璃基板,上侧透明电极31ba、31bb、31bc和下侧透明电极32ba、32bb、32bc例如由厚度为300nm的ITO形成。
在上侧基板31与下侧基板32(上侧透明电极31ba与下侧透明电极32ba)之间设置有密封部33A、33B、33C,它们划定其内侧区域。电解质层34a配置在上侧基板31与下侧基板32(上侧透明电极31ba与下侧透明电极32ba)之间的密封部33A、33B的内侧区域内。电解质层34b配置在上侧基板31与下侧基板32(上侧透明电极31bb与下侧透明电极32bb)之间的密封部33A、33B、33C的内侧区域内。电解质层34c配置在上侧基板31与下侧基板32(上侧透明电极31bc与下侧透明电极32bc)之间的密封部33A、33C的内侧区域内。电解质层34a、34b、34c被密封部33A、33B、33C密封,沿着一个方向(X轴方向)邻接配置。电解质层34a、34b、34c包含含有银(银离子)的电沉积材料(例如AgBr),例如具有1μm~500μm的厚度,作为一例,具有100μm的厚度。密封部33A例如使用树脂等材料形成,构成密封部的外框部分。并且,密封部33B、33C能够构成为包含导电粒子。该含有导电性粒子的密封部33B、33C例如使用包含导电性粒子的树脂等形成,分别配置在电解质层34a、34b的边界、电解质层34b、34c的边界。
密封部33A例如可使用株式会社ThreeBond Holdings制的密封材料(丙烯酸类树脂材料)TB3035B(粘度51Pa·s)形成。含有导电性粒子的密封部33B、33C可在TB3035B中混合10wt%的UNITICA株式会社制的Ag膜包覆玻璃珠(粉体电阻为0.004Ω·cm)来形成。
对应于各电解质层34a、34b、34c各自的配置位置,分别划定包含上侧透明基板31a、下侧透明基板32a、上侧透明电极31ba、31bb、31bc、下侧透明电极32ba、32bb、32bc、电解质层34a、34b、34c的电沉积元件区域30a、30b、30c。
含有导电性粒子的密封部33B使电沉积元件区域30a的下侧透明电极32ba和电沉积元件区域30b的上侧透明电极31bb电连接。含有导电性粒子的密封部33C使电沉积元件区域30b的下侧透明电极32bb和电沉积元件区域30c的上侧透明电极31bc电连接。由此,电沉积元件区域30a、30b、30c在相同方向上以电气方式串联连接。
在第2实施例的电沉积装置中,基板31、32分别在X轴负方向侧端部、X轴正方向侧端部具有从基板31、32在俯视时重叠的区域相互向相反方向(X轴负方向、X轴正方向)突出的突出部35、36。电极31ba、32bc也分别配置在突出部35、36上。
电沉积元件10在俯视时例如是Y轴方向的长度为250mm的矩形状,基板31、32在俯视时重叠的区域例如也是Y轴方向的长度为250mm的矩形状。突出部35、36例如是X轴方向的长度为3mm、Y轴方向的长度为250mm的矩形状。并且,电解质层34a、34b、34c是X轴方向的长度为61mm左右、Y轴方向的长度为250mm左右的矩形状。
在第2实施例的电沉积装置中,在突出部35、36的电极31ba、32bc上配置有与第1实施例相同的导电性双面带37、38。导电性双面带37、38(沿着Y轴方向在电解质层34a、34b、34c的配置范围以上的范围内)配置成,覆盖沿着Y轴方向的电解质层34a、34b、34c的配置范围。
在第2实施例的电沉积装置中,使用3个电沉积元件区域30a、30b、30c,但是,在相同方向上串联连接更多的电沉积元件区域,能够成为大型的电沉积装置。
第2实施例的电沉积装置在电沉积元件区域30c的下侧透明电极32bc(导电性双面带38)与电沉积元件区域30a的上侧透明电极31ba(导电性双面带37)之间例如电连接直流电源,施加驱动电压而进行驱动。
在图6C中,利用箭头示出使电沉积元件区域30c的下侧透明电极32bc与直流电源的正极连接、使电沉积元件区域30a的上侧透明电极31ba与直流电源的负极连接时的电流路径。
在相同方向上串联连接有3个电沉积元件区域30a、30b、30c,因此,在各元件区域30a、30b、30c的电解质层34a、34b、34c中,从下侧基板32侧朝向上侧基板31侧流过电流。(在电解质层34a、34b、34c之间的含有导电性粒子的密封部33B、33C中,从上侧基板31侧朝向下侧基板32侧流过电流。)因此,在全部3个电沉积元件区域30a、30b、30c中,电解质层34a、34b、34c中包含的银离子在上侧透明电极31ba、31bb、31bc附近变化为金属的银,在电极31ba、31bb、31bc上形成银薄膜(反射面)。
第2实施例的电沉积装置能够发挥与第1实施例的电沉积装置相同的效果。进而,与第1实施例的情况相比,能够缩短相互邻接的电沉积元件区域30a、30b、30c的电解质层34a、34b、34c之间的距离。另外,在第2实施例的电沉积装置中,上侧基板31和下侧基板32分别连续、一体地形成,因此,不会产生电沉积元件区域30a、30b、30c之间的接缝阶梯差。
在图6D中示出第2实施例的电沉积装置的变形例。在第2实施例中,使用包含导电性粒子的密封部33B、33C和不包含导电性粒子的密封部33A,但是,还可仅使用包含导电性粒子的密封部。例如如图6D的变形例所示,在Y轴方向的两端部,不将含有导电性粒子的密封部配置在透明电极(ITO电极)上,而将其配置在上侧透明基板(玻璃基板)上和下侧透明基板(玻璃基板)上。
第2实施例的电沉积装置也是高品质的电化学光学装置。
第1、第2实施例的电沉积装置构成为,在一个方向(X轴方向)上配置多个(3个)电沉积元件区域10、30a、30b、30c。例如,通过在X轴方向上配置更多的电沉积元件区域、或/和在Y轴方向上延长各电沉积元件区域的尺寸(电解质层的尺寸),能够实现电沉积装置的大型化。在Y轴方向上延长各电沉积元件区域的尺寸的情况下,通过在覆盖沿着Y轴方向(与电沉积元件区域的配置方向垂直的方向)的电解质层的配置范围的范围内配置导电性双面带(使配置位置实质上成为相同电位的导电体),能够成为高品质的电沉积装置。
另外,通过增大各电沉积元件区域10、30a、30b、30c的电解质层14、34a、34b、34c的X轴方向的尺寸,也可以实现X轴方向的大型化。该情况下,根据电解质层14、34a、34b、34c的厚度,电解质层14、34a、34b、34c的X轴方向的尺寸设为参照图3说明的范围即可。
以上根据实施例说明了本发明,但是,本发明不限于此。
例如,在实施例中,使用电沉积元件区域构成电化学光学装置,但是,能够广泛使用电致变色元件区域(例如电致变色元件)构成电化学光学装置。一般而言,能够使用电化学光学元件区域(例如电化学光学元件)构成电化学光学装置。
并且,在实施例中,例如在电沉积元件10的突出部15、16上的电极11b、12b上配置导电性双面带17、18,以粘接一个电沉积元件10的导电性双面带17和另一个电沉积元件10的导电性双面带18的方式,使电沉积元件10相互连结,但是,也可以仅在电沉积元件10的突出部15上配置例如导电性双面带17的2倍左右的厚度的导电性双面带。该情况下,以粘接配置在一个电沉积元件10的突出部15上的导电性双面带和另一个电沉积元件10的突出部16的下侧透明电极12b的方式,使电沉积元件10相互连结。
除此之外,本领域技术人员知晓能够进行各种变更、改良、组合等。
产业上的可利用性
实施例的电沉积装置例如能够利用于在不使用时成为反射镜的电视机或数字相框等反射镜显示器。并且,能够利用于移动体(汽车等)的窗户的可变反射镜遮光件。
进而,例如,在使用电沉积元件区域构成电沉积装置、该电沉积元件区域能够被施加在上下电极之间的直流电压以电气方式切换透明状态和白色状态的情况下,例如能够利用于可变大型屏幕(存在在会议时使用通常为透明状态的窗户作为投影仪屏幕等的使用方法。)、隐私屏幕(存在根据心情在透明状态和从外部看不到的白色状态之间切换窗户等的使用方法。)。
Claims (7)
1.一种电化学光学装置,其具有:
第1基板,其在主面配置有相互在电气上分离的多个第1电极;
第2基板,其与所述第1基板大致平行地对置配置,在主面配置有相互在电气上分离的多个第2电极,该多个第2电极中的各电极与所述第1基板的主面上配置的所述多个第1电极中的各电极对置配置;
多个反应/离子传导层,它们配置在所述第1基板的所述多个第1电极中的各电极和与该多个第1电极中的各电极对置的所述第2基板的所述多个第2电极中的各电极之间;以及
多个导通材料,它们配置在所述第1基板的主面与所述第2基板的主面之间、且所述多个反应/离子传导层之间,对应于所述多个反应/离子传导层各自的配置位置,在相同方向上以电气方式串联连接包含所述第1基板的第1电极、所述第2基板的第2电极和所述反应/离子传导层而划定的多个电化学光学元件区域,关于相互邻接的所述电化学光学元件区域,使一个元件区域的所述第1基板侧的第1电极和另一个元件区域的所述第2基板侧的第2电极电连接,
所述多个电化学光学元件区域被拼接。
2.根据权利要求1所述的电化学光学装置,其中,
所述多个电化学光学元件区域沿着一个方向配置,
所述多个电化学光学元件区域各自的反应/离子传导层的厚度为1μm以上且500μm以下,
在所述反应/离子传导层的厚度为1μm以上且小于30μm时,所述多个电化学光学元件区域各自的反应/离子传导层的沿着所述一个方向的长度为10mm以下,在所述反应/离子传导层的厚度为30μm以上且小于50μm时,所述多个电化学光学元件区域各自的反应/离子传导层的沿着所述一个方向的长度为20mm以下,在所述反应/离子传导层的厚度为50μm以上且小于70μm时,所述多个电化学光学元件区域各自的反应/离子传导层的沿着所述一个方向的长度为30mm以下,在所述反应/离子传导层的厚度为70μm以上且小于100μm时,所述多个电化学光学元件区域各自的反应/离子传导层的沿着所述一个方向的长度为56.6mm以下,在所述反应/离子传导层的厚度为100μm以上且500μm以下时,所述多个电化学光学元件区域各自的反应/离子传导层的沿着所述一个方向的长度为63mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的电化学光学装置,其中,
所述多个电化学光学元件区域沿着一个方向配置,
在沿着与所述多个电化学光学元件区域的配置方向垂直的方向的、覆盖所述反应/离子传导层的配置范围的范围内,配置有使配置位置实质上成为相同电位的导电体。
4.根据权利要求1或2所述的电化学光学装置,其中,
所述多个电化学光学元件区域沿着一个方向配置,并且分别由一个电化学光学元件构成,
在该一个电化学光学元件中,所述第1基板、第2基板具有从所述第1基板、第2基板在俯视时重叠的区域沿着所述一个方向相互向相反方向突出的突出部,
相互邻接的所述电化学光学元件以使所述突出部对置的方式连结。
5.根据权利要求4所述的电化学光学装置,其中,
所述导通材料是具有压缩性或流动性的导电性连接材料,配置在所述突出部上。
6.根据权利要求5所述的电化学光学装置,其中,
所述导电性连接材料是导电带或导电性粘接剂。
7.根据权利要求1或2所述的电化学光学装置,其中,
所述导通材料是对所述反应/离子传导层进行密封的密封材料的一部分。
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