JP6896400B2 - エレクトロクロミック装置、それを用いた光学フィルタ、レンズユニット、撮像装置、窓材及びエレクトロクロミック素子の駆動方法 - Google Patents

エレクトロクロミック装置、それを用いた光学フィルタ、レンズユニット、撮像装置、窓材及びエレクトロクロミック素子の駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、エレクトロクロミック装置、それを用いた光学フィルタ、レンズユニット、撮像装置、窓材及びエレクトロクロミック素子の駆動方法に関する。
電気化学的な酸化還元反応により、物質の吸収波長及び吸光度等の光学特性が変化する化合物を、エレクトロクロミック(以降、「エレクトロクロミック」を「EC」と記載する場合がある)材料という。このEC材料を利用したEC素子は、表示装置、可変反射率ミラー、可変透過窓等に応用されている。
EC素子には、還元により着色するアノード性EC材料と酸化により着色するカソード性EC材料とを含む溶液をEC層とするものがあり、これは相補型のEC素子と呼ばれる。相補型EC素子を長時間駆動すると、電極内の電位分布の影響によりアノード性EC材料とカソード性EC材料とがEC層内部で分離するセグリゲーションという現象が発生することがある。セグリゲーションが発生すると、EC層を消色状態にしたい場合に、EC材料の消色応答性が低下し、消色するのに時間がかかる恐れがある。
このようなセグリゲーションに対し、特許文献1には、EC溶液にポリマーマトリクスを加えることにより、EC溶液を高粘度化することが記載されている。特許文献1では、EC溶液を高粘度化することにより、EC溶液に含まれるEC材料及びEC材料の酸化還元反応に関与する酸化還元物質等の物質の移動を低減し、セグリゲーションの発生を低減する。
また、非特許文献1には、カソード性のEC材料としてアニオン種が長くて大きいものを用いることによって、EC層におけるアニオン種の移動によって生じる密度勾配を小さくしてセグリゲーションを低減するEC素子が記載されている。
特開平9−120088号公報
A. Michaelis他、「Adv. Mater.」、Vol. 13、(2001)、p.1825−1828.
しかしながら、特許文献1のようにEC溶液を高粘度化すると、着色に要する時間及び消色に要する時間が長くなり、EC素子の応答性が低下する恐れがある。EC素子の応答性には、EC溶液に含まれるEC材料の電極表面上への拡散速度が影響するためである。
また、EC層に含まれるアニオン種の長さ及び大きさは、EC層に含まれるEC材料の長さ、大きさ及び濃度等に依存するものであり、非特許文献1の方法では、使用するEC材料の自由度が低下する。
上述の課題に鑑み、本発明は、EC素子におけるセグリゲーションを低減することを目的とする。
本発明の一側面としてのエレクトロクロミック装置は、アノード電極、カソード電極、前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟まれ、少なくとも一部に有効光線領域を有するエレクトロクロミック層、前記アノード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のアノード端子と第二のアノード端子、及び、前記カソード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のカソード端子と第二のカソード端子、を有し、前記エレクトロクロミック層が、低い光透過率及び高い光透過率に変化する透過型のエレクトロクロミック装置であって、前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第一のアノード端子と前記第一のカソード端子とが第一の端子ペアを構成し、前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第二のアノード端子と前記第二のカソード端子とが第二の端子ペアを構成しているエレクトロクロミック素子と、前記第一の端子ペア及び前記第二の端子ペアに電圧を印加することにより、前記有効光線領域を通過する光を調光する駆動手段と、を有し、前記駆動手段は、前記第一の端子ペアに電圧を印加する第一の印加期間の少なくとも一部と、前記第二の端子ペアに電圧を印加する第二の印加期間の少なくとも一部とが重ならないようにすることを特徴とする。
本発明の一側面としてのエレクトロクロミック装置によれば、EC素子におけるセグリゲーションを低減することができる。
第一の実施形態のエレクトロクロミック装置の構成を説明する断面模式図。 第一の実施形態のエレクトロクロミック素子の端子及び低抵抗配線の配置を説明する図。 第二の実施形態において、エレクトロクロミック素子に印加する駆動パルスの一例を示した図。 (a)駆動周波数とデューティ比に対するサイクル平均電圧との関係を説明するグラフ。(b)駆動周波数とサイクル平均電圧に対するエレクトロクロミック素子の光学濃度との関係を説明するグラフ。 第三の実施形態の撮像装置の構成の一例を説明する断面模式図。 第一の実施形態において、エレクトロクロミック素子に印加する駆動パルスの一例を示した図。 第二の実施形態において、エレクトロクロミック素子に印加する駆動パルスの別の一例を示した図。
以下、図面を参照して本発明のエレクトロクロミック素子(以降、「エレクトロクロミック」を「EC」と記載する場合がある)の構成について、実施形態を例示して説明する。ただし、各実施形態に記載されている構成、相対配置等は特に記載がない限り、本発明の範囲を限定する趣旨のものではない。
(第一の実施形態)
本実施形態のエレクトロクロミック装置(EC装置)100の構成について、図1を参照して説明する。図1は、EC装置100の構成を説明する断面模式図である。
EC装置100は、EC素子110と駆動手段120とを有する。
[EC素子]
EC素子110は、アノード電極(第一の電極)2aが形成されている基板1aと、カソード電極(第二の電極)2bが形成されている基板1bと、第一の電極2aと第二の電極2bとの間に挟まれているエレクトロクロミック層(EC層)4を有する。また、EC素子110は、複数の低抵抗配線5a、5bと、第一のアノード端子(アノード電極取出部)A1と、第二のアノード端子A2と、第一のカソード端子(カソード電極取出部)C1と、第二のカソード端子C2と、を有する。なお、以降の説明では、第一のアノード端子A1を「A1端子」、第二のアノード端子A2を「A2端子」、第一のカソード端子C1を「C1端子」、第二のカソード端子C2を「C2端子」と呼ぶ。なお、EC素子110は、電極2a、2bと電極2a、2bの間に配置されているEC層4とを少なくとも有していればよく、基板1a、1bを有していなくてもよい。
一対の基板1a、1bは、第一の電極2aと第二の電極2bとが対向するように配置され、ギャップ制御粒子(不図示)を含むシール3を介して貼り合わされている。第一の電極2aと第二の電極2bとの間には、少なくとも一種類のEC材料を含有する溶媒からなるEC媒体が充填され、EC層4が形成される。
EC層4は、1種類以上のアノードEC材料と1種類以上のカソードEC材料とを含む。電極1a、1bの間に電圧を印加することで、EC材料は電気化学的反応を起こす。なお、EC層4は、1種類以上のアノードEC材料と1種類以上のカソードEC材料とを含む構成に限らず、1種類以上のカソードEC材料又は1種類以上のカソードEC材料の一方を含み、他方を含まない構成でもよい。その場合、EC層4は、EC層4に含まれないアノード性EC材料又はカソード性EC材料に代わり、酸化還元反応は起こるがその反応によって着色しない電気化学活性な化合物を含むことが好ましい。そして、EC材料が反応する電極と対向する電極において該電気化学活性な化合物が電子の授受を行うような構成とすることが好ましい。
EC材料としては、有機EC材料を用いることが好ましい。一般に有機EC材料は、電圧が印加されていない状態で中性状態を取り、可視光領域に吸収を持たない。このような消色状態において、有機EC素子は高い光透過率を示す。両電極間に電圧を印加すると有機EC材料中で電気化学反応が起き、中性状態から酸化状態(カチオン)あるいは還元状態(アニオン)となる。有機EC材料は、カチオンあるいはアニオンの状態で可視光領域に吸収を有すようになり、着色する。
このような着色状態において、有機EC素子は低い光透過率を示すため、これを用いてEC層4の有効光線領域6(以下、「領域6」と呼ぶ)を通過する光を調光する。また、ビオロゲン誘導体のように、初期状態で透明なジカチオン構造を形成し、一電子還元でラジカル種を形成して着色する材料も使用される。なお、本明細書における「EC層における有効光線領域」とは、EC層4内の領域で、EC素子110が取り込む光が通過する領域である。
以下では、EC素子110の光透過率をEC素子110の吸光度に置き換えて議論する。透過率と吸光度は、−LOG(透過率)=(吸光度)の関係を有し、透過率が1/2になる毎に吸光度は約0.3ずつ増大する。
EC素子110の各構成について説明する。
一対の基板1a、1bは、透明な基板を用いることが好ましい。なお、ここで言う「透明」とは、EC素子110が取り込む光の透過率が50%以上100%以下、より好ましくは70%以上100以下、さらに好ましくは90%以上100%以下であることを示す。なお、本明細書における「EC素子が取り込む光」とは、EC素子の使用対象となる波長領域における光のことである。例えば、EC素子を可視光領域の撮像装置の光学フィルタとして使用するのであれば可視光領域の光のことをいい、赤外線領域の撮像装置の光学フィルタとして使用するのであれば赤外線領域の光をいう。
基板1a、1bは、具体的には、光学ガラス、石英ガラス、白板ガラス、青板ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、化学強化ガラス等を用いることができ、特に透明性や耐久性の点から無アルカリガラスを用いることができる。また、透明な高分子化合物、無色又は有色の透明性樹脂を基板1a、1bとして用いることもできる。透明性樹脂としては、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンナフタレート、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート等が挙げられる。
基板1a、1bは、第一の電極2a又は第二の電極2bとして用いられる導電膜が配置されている。基板1a、1bの表面、基板1a、1bと電極2a、2bとの界面及び電極2a、2bとEC層4との界面の反射を低減して素子透過率を向上するための不図示の反射防止層、インデックスマッチング層等をさらに有していてもよい。
第一の電極2a及び第二の電極2bは、少なくとも一方が透明電極であることが好ましい。ここで言う「透明」とは、EC素子110が取り込む光の透過率が50%以上100%以下であることを示す。第一の電極2a及び第二の電極2bの少なくとも一方が透明電極であることにより、EC素子110の外部より効率的に光を取り込んでEC材料の分子と相互作用させることにより、EC材料の光学特性を出射光に反映させることができる。
第一の電極2a及び第二の電極2bとしては、基板1a、1b上に透明導電性酸化物を成膜してなる層、又は分散されたカーボンナノチューブ等の導電層、透明な基板1a、1b上に部分的に金属線が配置された透明電極等を用いることができる。
透明導電性酸化物は、例えば、スズドープ酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、酸化スズ、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、ニオビウムドープ酸化チタン(TNO)等が挙げられる。これらの中でも、FTO又はITOが好ましい。
第一の電極2a、第二の電極2bのそれぞれの膜厚は、10nm以上10000nm以下であることが好ましい。特に、膜厚10nm以上10000nm以下の範囲で形成したFTO又はITOを第一の電極2a及び第二の電極2bとして用いれば、高透過性と化学的安定性とを両立することが可能となる。
なお、第一の電極2a、第二の電極2bのそれぞれが透明導電性酸化物を含む場合、各電極2a、2bは、一層の透明導電性酸化物から構成される電極層でもよいし、透明導電性酸化物のサブレイヤーが積み重なってなる積層電極層であってもよい。第一の電極2a及び第二の電極2bのそれぞれを積層電極層とすれば、導電性及び透明性を向上することができる。
シール3としては、化学的に安定で、気体及び液体を透過しにくく、EC材料の酸化還元反応を阻害しない材料であることが好ましい。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を用いることができることができるが、前述したエレクトロクロミック媒体の充填法、すなわち素子プロセスによって適宜好適な材料が選択される。シール3にセルギャップ制御粒子を混練して、一対の基板1a、1b間の間隔を規定するスペーサとしての機能を持たせてもよい。
シール3がスペーサとしての機能を有さない場合は、別途スペーサを配置して電極間距離を保持させてもよい。係る場合に用いられるスペーサの素材としては、シリカビーズ、ガラスファイバー等の無機材料、又は、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリジビニルベンゼン、フッ素ゴム、エポキシ樹脂等の有機材料を用いることができる。
EC層4は、少なくとも一種類のEC材料と溶媒とを含むEC媒体を有する。EC媒体には、さらに支持電解質や増粘剤等他の有益剤を添加してもよい。EC媒体の充填方法としては、基板1a、1bに一対の孔を形成して、その孔を通してEC媒体を充填する方法、又はシールパターンによって形成したEC素子110側面の充填孔から真空注入する方法がある。また、一対の基板1a、1bの貼り合わせと同時に真空中で充填する方法等があり、いずれも好適に使用することができる。
EC材料とは、酸化還元反応によって着色する化合物であり、酸化反応によって着色するものをアノード性EC材料、還元反応によって着色するものをカソード性EC材料と言う。
EC材料としては、酸化還元により可視光透過率が変化する化合物を好適に使用することができる。また、本実施形態で用いられるEC材料は、低分子有機化合物及び高分子有機化合物を含む有機化合物であることが好ましい。特に、分子量が2000以下の低分子有機化合物で、且つ、電極における酸化反応又は還元反応により消色体から着色体に変化する化合物を用いることが好ましい。
EC材料としては、チオフェン類化合物、フェナジン類化合物、ビピリジニウム塩類化合物等の有機化合物を好適に用いることができる。EC材料として用いることができる高分子有機化合物の具体例としては、ピリジニウム塩を含む高分子化合物が挙げられ、その具体例としては、ビオロゲン系の高分子化合物が挙げられる。
なお、本実施形態では、EC材料としてアノード性EC材料とカソード性EC材料とを含む相補型のEC素子を用いるが、それに限らず少なくともどちらか一方を有していればよい。また、EC層4に含まれるアノード性EC材料又はカソード性EC材料は、1種類でもよいし複数種類でもよい。
アノード性のEC材料としては、例えば、芳香環を有するアミン類(例えば、フェナジン誘導体、トリアリルアミン誘導体)、チオフェン誘導体、ピロール誘導体、チアジン誘導体、トリアリルメタン誘導体、ビスフェニルメタン誘導体、キサンテン誘導体、フルオラン誘導体、及びスピロピラン誘導体等が挙げられる。これらの中でも、低分子チオフェン誘導体(例えば、モノチオフェン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、チエノアセン誘導体)、又は、低分子の芳香環を有するアミン類(例えばフェナジン誘導体、トリアリルアミン誘導体)を、用いることが好ましい。これらのアノード性のEC材料は、中性状態では紫外領域に吸収ピークを有し、可視光領域には吸収を有さず、可視光領域の透過率が高い消色状態を取る。
カソード性のEC材料としては、ビオロゲン等のピリジン系化合物、及びキノン化合物等が挙げられる。
溶媒としては、エレクトロクロミック材料や支持電解質等の有益剤を溶解するものであれば特に限定されないが、極性が大きいものを好ましく用いることができる。具体的には水や、メタノール、エタノール、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジメチルスルホキシド、ジメトキシエタン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、プロピオンニトリル、ベンゾニトリル、ジメチルアセトアミド、メチルピロリジノン、ジオキソラン等の有機極性溶媒が挙げられる。
支持電解質としては、イオン解離性の塩であり、かつ溶媒に対して良好な溶解性を示すものであれば限定されないが、電子供与性を有する電解質を好ましく用いることができる。例えば、各種のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩などの無機イオン塩や4級アンモニウム塩や環状4級アンモニウム塩などがあげられる。具体的にはLiClO、LiSCN、LiBF、LiAsF、LiCFSO、LiPF、LiI、NaI、NaSCN、NaClO、NaBF、NaAsF、KSCN、KCl等のLi、Na、Kのアルカリ金属塩等や、(CH)4NBF、(C)4NBF、(n−C)4NBF、(n−C)4NPF、(C)4NBr、(C)4NClO、(n−C)4NClO等の4級アンモニウム塩および環状4級アンモニウム塩等が挙げられる。
EC媒体の粘性を高める増粘剤としては、例えばシアノエチルポリビニルアルコール、シアノエチルプルラン、及びシアノエチルセルロースから選ばれる少なくとも1種を好適に使用することができる。これらは、CR−V(シアノエチルポリビニルアルコール:軟化温度20〜40℃、誘電率18.9)、CR−S(シアノエチルプルラン:軟化温度90〜100℃、誘電率18.9)、CR−C(シアノエチルセルロース:軟化温度200℃以上、誘電率16)、CR−M(シアノエチルプルランとシアノエチルポリビニルアルコールの混合物:軟化温度40〜70℃、誘電率18.9)として、信越化学工業製から入手することが可能である。これらの増粘剤は、広い温度範囲にわたって高粘性化と高イオン導電性とが可能な添加剤である。
複数の低抵抗配線5a、5bは、第一の電極2a、第二の電極2bの抵抗より低い抵抗を有しており、給電端子である端子A1、A2、C1、C2から電極2a、2bに供給する電圧の面内分布を低減するために形成される。低抵抗配線5a、5bのそれぞれの面抵抗は、第一の電極2a、2bの抵抗よりも低く、具体的には、第一の電極2a、2bの抵抗の1/100未満、さらに好ましくは1/500未満であることが好ましい。低抵抗配線5a、5bとしては、真空成膜によって形成した薄膜銀配線や、スクリーン印刷やインクジェット塗布等によって形成した厚膜銀配線を好適に使用することができる。
複数の低抵抗配線5aは、第一の電極2aに配置されており、A1端子及びA2端子が、それぞれ異なる低抵抗配線5aを介して第一の電極2aの互いに対向する端部に接続している。また、複数の低抵抗配線5bは、第二の電極2bに配置されており、C1端子及びC2端子が、それぞれ異なる低抵抗配線5bを介して第二の電極2bの互いに対向する端部に接続している。EC素子110における低抵抗配線5a、5b及びA1端子、A2端子、C1端子、C2端子の配置について、図2(a)を参照して説明する。図2(a)は、EC素子110の低抵抗配線5a、5b及び端子A1、A2、C1、C2の配置の一例を示す模式図である。
図2(a)に示すように、本実施形態のEC素子110の形状は、略長方形である。なお、EC素子110の形状はこれに限らず、その用途に応じて変更することが好ましく、例えばEC素子110を撮像装置のNDフィルタとして用いる場合、撮像素子の形状に合わせて長方形形状のEC素子を用いることが好ましい。
第一の電極2aは、第一の電極2aの2つの長辺側のそれぞれに低抵抗配線5aが配置されており、2つの低抵抗配線5aの一方がA1端子と接続しており、他方がA2端子と接続している。第二の電極2bも同様に、第二の電極2bの2つの長辺側のそれぞれに低抵抗配線5bが配置されており、2つの低抵抗配線5bの一方がC1端子と接続しており、他方がC2端子と接続している。
低抵抗配線5a、5bのそれぞれは、EC層4の領域6と重ならないように配置される。また、第一の電極2a、第二の電極2bのそれぞれの面内における長辺方向での電位降下を低減するために、低抵抗配線5a、5bが長辺に沿って配置することが好ましい。第一の電極2a、第二の電極2bのそれぞれの長辺方向における電位降下を低減することにより、電位分布によるセグリゲーションを低減することができる。なお、第一の電極2a、第二の電極2bのそれぞれの面内における長辺方向での電位降下は、10mV程度とすることが好ましい。
A1端子とC1端子とは、領域6を挟んで互いに対向するように配置されている。また、A2端子とC2端子とは、領域6を挟んで互いに対向するように配置されている。本明細書では、異なる電極に接続されており、領域6を挟んで互いに対向するように配置されているアノード端子とカソード端子とを端子ペアと呼ぶ。以降の説明では、A1端子とC1端子とを第一の端子ペアA1−C1、A2端子とC2端子とを第二の端子ペアA2−C2と呼ぶことがある。
駆動手段120は、第一の端子ペアA1−C1及び第二の端子ペアA2−C2に駆動パルスを印加することによりEC素子110に通電して駆動する。領域6を挟んで互いに対向している端子ペア間に電圧(駆動電圧)を印加するように構成すれば、EC素子110の吸光度を変更又は維持するために端子ペア間に駆動電圧を印加すると、電流がEC層4を通って流れる。そのため、EC層4内での濃度むらを低減することができる。
[駆動手段]
駆動手段120は、端子A1、A2、C1、C2を介して第一の電極2a及び第二の電極2bと接続されており、EC素子110を駆動する制御手段である。駆動手段120は、端子A1、A2、C1、C2及び低抵抗配線5a、5bを介して、EC素子110を駆動するための駆動電圧を電極2a、2bに印加する。このとき、EC素子の電極2a、2bには、駆動電圧を印加される印加期間と、駆動電圧が印加されない休止期間とを含む駆動パルスが印加される。駆動手段120は、駆動電圧を出力する駆動電源126と、第一の端子ペアA1−C1への駆動パルスPの印加と第二の端子ペアA2−C2への駆動パルスPの印加とを切り替える切替手段127としてのスイッチ回路を有することが好ましい。また、駆動手段120は、不図示の電源及びレギュレーター等の周辺装置、及び電気化学反応で生じる電流又は電荷を測定するための回路機構等を含んでいてもよい。
A1端子、A2端子、C1端子及びC2端子のそれぞれは、駆動手段120の駆動電源126と接続している。駆動手段120は、第一の端子ペアA2−C2間及び第二の端子ペアA2−C2間に駆動パルスを交互に印加することによりEC装置100を駆動し、EC層4の吸光度を制御する。また、駆動手段120は、第一の端子ペアA1−C1に印加される駆動パルスP及び第二の端子ペアA2−C2に印加される駆動パルスPのそれぞれのパルス幅を変調して、デューティ比を制御する。なお、以降の説明では、第一の端子ペアA1−C1をチャンネル1、第二の端子ペアA2−C2をチャンネル2と呼ぶことがある。
なお、駆動手段120は、アナログ回路でなくてもよく、切替手段127の機能を少なくとも有するCPU等のコンピュータを用いることもできる。その場合、駆動手段120は、端子ペアのそれぞれに印加する駆動パルスのデューティ比、印加のタイミング及び駆動電圧の大きさ等を制御する。また、EC素子1を組み込んだ装置を制御するCPU等のコンピュータが駆動手段120の機能を有していてもよい。
[EC素子の駆動]
本実施形態の駆動手段120を用いたEC素子110の駆動について説明する。EC素子110を目標の吸光度に変更する又は目標の吸光度を維持する場合、駆動手段120は、チャンネル1とチャンネル2とに交互に駆動パルスを印加することにより、EC素子110を駆動する。
例えば、図6(a)に示したように、駆動手段120は、チャンネル1に第一の駆動パルスPを印加し、チャンネル2に第二の駆動パルスPが印加されるように制御する。その場合、EC素子1全体では、第一の駆動パルスPと第二の駆動パルスPとを足し合わせた駆動パルスPが印加されているとみなすことができる。そのため、それぞれの駆動パルスP、Pのデューティ比を調整することにより、EC素子1に印加される駆動パルスPのデューティ比を調整し、EC素子110の吸光度を制御することができる。
なお、駆動パルスは、EC材料の酸化還元反応が起こる駆動電圧VONを印加する印加期間tと、駆動電圧VONを印加した休止期間とを含む。このとき、EC素子110には、駆動周波数f=1/T、デューティ比D=t/Tで波高値EONの電圧波形が印加されている。ここで、EC素子110を駆動する駆動パルスの駆動周波数をf、1周期をT、パルス幅(印加期間)をtとし、デューティ比は、印加期間と休止期間とを1周期とした場合に、1周期における印加期間の割合である。
EC素子110の駆動周波数fとEC素子110の吸光度との関係について説明する。
図4(a)は、駆動周波数fを100Hzから100kHzまで変えて駆動した場合のデューティ比に対するサイクル平均電圧との関係を示すグラフである。図4(b)は、駆動周波数fを100Hzから100kHzまで変えて駆動した場合の、サイクル平均電圧に対するEC素子110の光学濃度を示したグラフである。光学濃度は、光の吸収度合を対数で表示したものである。
図4(a)から、サイクル平均電圧は駆動周波数fによらず、デューティ比によって一意に決まることが分かる。また図4(b)から、光学濃度は駆動周波数fによらず、サイクル平均電圧によって一意に決まることが分かる。つまり、光学濃度は駆動周波数fによらず、デューティ比によって一意に決まるといえる。これを換言すると、EC素子110の吸光度は、駆動周波数fによらず、デューティ比によって一意に決まるといえる。
駆動周波数fが100Hz以下の場合、1サイクル内で透過率変動幅が大きくなるため好ましくなく、駆動周波数fが100kHz以上ではEC素子110の容量成分によって電圧が追従しにくくなる。したがって、駆動周波数fは、100Hzより大きく100kHzより小さい範囲であることが好ましく、動画撮影装置(撮像装置)の可変NDフィルタとして用いる場合には、10kHzより大きく100kHzより小さい範囲であることがより好ましい。
図6(a)に示した、チャンネル1及びチャンネル2に印加する駆動パルスの一例について説明する。チャンネル1に印加される駆動パルスPと、チャンネル2に印加される駆動パルスPとは、同じ形状の駆動パルスであるが、位相がπずれている。すなわち、それぞれの周期T、T及びデューティ比D(=t/T)、D(=t/T)は等しい2つの駆動パルスが、各駆動パルスにおける駆動電圧の印加期間t、tが重ならないように印加される。このように構成することにより、EC素子110には、2つの駆動パルスP、Pを足し合わせた周期T、デューティ比t/Tの駆動パルスPが印加される。
なお、1つの端子ペアに駆動電圧EONを印加している間、別の端子ペアは開放状態である。すなわち、1つの端子ペアに駆動電圧EONを印加している間、別の端子ペアの電位は開放電位Eopenであり、さらに言えば駆動パルスの休止期間においては全ての端子が開放電位Eopenとなる。
上述にように駆動パルスP、Pを印加した場合の、各端子ペア間における電圧を図6(b)、図6(c)に示した。チャンネル1を選択して駆動電圧EONを印加したとき、A2端子は開放電位であるが、A1端子とA2端子との間での電圧降下をΔ/2と表せば、A2端子の電圧はEON−Δ/2となる。同様に、C2端子は開放電位であるが、C1端子とC2端子との間での電圧降下がΔ/2なので、C2端子の電圧はEON+Δ/2となる。よって、チャンネル1に駆動電圧EONを印加している第一の印加期間tでは、チャンネル2の電圧はEON−Δとなる。同様に、チャンネル2に駆動電圧EONを印加している第二の印加期間tでは、チャンネル1の電圧はEON−Δとなる。
このように本実施形態では、吸光度を変更又は維持する場合に、駆動手段120は第一の印加期間tと第二の印加期間tとが重ならないように制御している。そのため、駆動手段120は、チャンネル1への駆動電圧の印加とチャンネル2への駆動電圧の印加とを切り替える切替手段127を有する。
なお、本明細書における「第一の印加期間と第二の印加期間とが重ならない」は、第一の印加期間tと第二の印加期間tとが時間的に離れている場合を含むと定義する。さらに、本明細書における「第一の印加期間と第二の印加期間とが重ならない」は、第一の印加期間tの終わりと第二の印加期間tの開始とが同時の場合、及び第二の印加期間tの終わりと第一の印加期間tの開始とが同時の場合を含む、と定義する。
なお、駆動手段120は、これに限らず、チャンネル1に駆動電圧VONを印加する第一の印加期間tの少なくとも一部と、チャンネル2に駆動電圧VONを印加する第二の印加期間tの少なくとも一部と、が重ならないように制御してもよい。この場合、第一の印加期間tの一部と第二の印加期間tの一部とが重なる重複期間があることになる。重複期間が長いと、電流がA1端子とC2端子との間及びA2端子とC1端子との間を流れて、領域6を流れにくくなるため、濃度ムラが発生する恐れがある。そのため、重複期間は、濃度ムラが発生しない程度に短いことが好ましく、より好ましくは電圧の立ち上がり時間である1ms以上1000ms以下、さらに好ましくは第一の印加期間tと第二の印加期間tとが重ならないことである。
従来のEC素子は、1つの端子ペアを有しており、1つの端子ペアに駆動パルスを印加する。これは、本実施形態のEC装置100において、例えば第一の端子ペアA1−C1間にのみ駆動パルスを印加することとみなせる。その場合、端子ペアのうち、アノード端子近傍でアノード材料が強く着色し、カソード端子近傍ではカソード材料が強く着色するセグリゲーション(色分離)が生じることがある。これは、低抵抗配線を設けていても電極上に電位分布が発生するためであると考えられる。電極上の電位分布は、特に端子と接続している低抵抗配線から離れる方向において大きくなり、例えばアノード電極では、アノード端子が接続されている低抵抗配線から離れるほど電位が低くなる。
本実施形態では、A1端子及びA2端子のそれぞれと領域6を挟んで対向する位置に、C1端子及びC2端子を配置し、第一の印加期間tの少なくとも一部と第二の印加期間tの少なくとも一部とが重ならないように駆動パルスを印加する。このような構成にすることにより、第一の電極2aでは、A1端子側の電位が高い場合とA2端子側の電位が高い場合とが交互に発生する。第二の電極2bについても同様に考えることができ、結果として電位分布によるセグリゲーションを低減することができる。すなわち、本実施形態のEC装置100では、チャンネル1に加えて、電位分布によって発生するセグリゲーションを相殺する位置にチャンネル2を配置する。そして、チャンネル1への駆動パルスの印加とチャンネル2への駆動パルスの印加とを切り替えることにより、セグリーションの発生を低減している。
なお、本実施形態では、EC素子110の形状を長方形とし、端子ペアを2つ設けているが、EC素子110の構成をこれに限定するものではなく、EC素子110の形状は、円形、楕円形、多角形等に適宜変更できる。また、EC素子110は、端子ペアの数は2つの限らず、複数有していてもよい。例えば、EC素子110がN個(Nは2以上の整数)の端子ペアを有している場合、各端子に駆動電圧を印加する印加期間の少なくとも一部が重ならないように電圧を印加する。このとき、N個の端子ペアのそれぞれに印加する駆動パルスの形状は同じであっても異なっていてもよいが、位相が2π/Nラジアンの整数倍異なる同一形状の駆動パルスを印加することが好ましい。
複数の端子ペアを有するEC素子110の一例を、図2(b)を参照して説明する。図2(b)に示したEC素子110は、略円形形状である。
EC素子110が略円形形状である場合、略円形形状の第一の電極2a、第二の電極2bの円外周に沿ってN個の低抵抗配線5a、5bを配置することが好ましい。Nは2以上の整数であり、EC素子110のサイズや、EC媒体の抵抗と電極2a、2bの抵抗との比等を考慮して選択する。図2(b)に示したように、低抵抗配線5a、5bをそれぞれ4つ配置した場合、一方の電極2aには4つのアノード端子A1〜A4が接続され、他方の電極2bには4つのカソード端子C1〜C4が接続される。このとき、アノード端子A1〜A4のそれぞれとカソード端子C1〜C4のそれぞれとは、有効光線領域を挟んで互いに対向する位置に配置される。
この場合、例えば、4つの端子ペアA1−C1、A2−C2、A3−C3、A4−C4のそれぞれには、上述の順で駆動電源126から順繰りに駆動パルスが印加される。すなわち、駆動手段120は、4つの端子ペアA1−C1、A2−C2、A3−C3、A4−C4のそれぞれに駆動電圧を印加する期間が互いに重ならないように、駆動パルスを印加する。これにより、EC素子110の電圧分布によるセグリゲーションの発生を従来よりも低減することができる。
本実施形態のEC装置によれば、EC素子におけるセグリゲーションを低減することができる。また、本実施形態のEC装置では、EC素子の応答性を低下させる要因となるEC溶液の高粘度化を行わずに、セグリゲーションの低減することができる。
(第二の実施形態)
本実施形態のEC装置について説明する。本実施形態では、EC素子110を駆動する際の駆動パルスの印加方法が第一の実施形態と異なる。その他の構成は第一の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
第一の実施形態では、吸光度を変更又は維持する場合において、図6(a)に示したように、第一の端子ペアA1−C1(チャンネル1)と第二の端子ペアA2−C2(チャンネル2)とに交互に駆動電圧を印加していた。すなわち、駆動手段120は、第一の印加期間tと第二の印加期間tとが交互になるように制御していた。
それに対し、本実施形態では、図3(a)に示すように、チャンネル1にn個の電圧パルス列を印加する工程と、チャンネル2にn個の電圧パルスを印加する工程と、を交互に行う。すなわち、本実施形態では、チャンネル1への駆動電圧の複数回の印加と、チャンネル2への駆動電圧の複数回の印加と、を交互に行う。ここで、nは2以上の整数である。なお、チャンネル1に印加する駆動パルス列の数とチャンネル2に印加する駆動パルス列の数とは同じであっても異なっていてもよい。第一の駆動パルスPの周期Tと第二の駆動パルスPの周期Tとは、同じである。本実施形態の駆動手段120は、二つのチャンネルを同時に選択して駆動電圧を印加しないように制御する。
第一の実施形態でも述べたように、チャンネル1を選択して駆動電圧EONを印加している間、他のチャンネルの端子は開放電位であり、さらに言えば電圧パルスの休止時間においては全ての端子が開放電位Eopenとなる。そのため、例えば、チャンネル1を選択して駆動電圧EONを印加した場合、開放電位となっている端子A2、C2の電圧は、それぞれE−Δ/2、E+Δ/2となる。よって、このときチャンネル2の電圧はEON−Δとなる。そのため、各チャンネルの電圧は、図3(b)、図3(c)に示すようになり、チャンネルの切替周波数fchはfch=1/nTとなる。
EC素子110の駆動周波数f、及びチャンネル間の切替周波数fchについて説明する。チャンネル間の切替中は上述したように、EC素子110の吸光度は、駆動パルスのデューティ比によって一意に決まるといえる。また、駆動周波数fは、100Hzより大きく100kHzより小さい範囲であることが好ましく、動画撮影装置(撮像装置)の可変NDフィルタとして用いる場合は10kHzより大きく100kHzより小さい範囲であることがより好ましい。
また、チャンネルの切り替え周波数fchは、100Hz以下では1サイクル内で透過率変動幅が大きくなってしまう。よって、チャンネルの切替周波数fchは、100Hz<fch≦fの範囲であることが好ましい。なお、第一の実施形態の印加方法は、切替周波数fchと駆動周波数fとが等しい(fch=f)駆動パルスを印加するものである。
EC素子に駆動パルスの印加方法は上述の方法に限定されず、例えば、駆動手段120は、図7に示したように、第一の印加期間tと第二の印加期間tとが連続するように駆動パルスを印加するように制御してもよい。図7(a)に各チャンネルに印加される駆動パルスP、Pの波形及びEC素子110に印加される駆動パルスPの形状を示した。また、各端子ペア間における電圧を図7(b)、図7(c)に示した。
その場合、1周期Tのうち、第一の印加期間tと第二の印加期間tとを合わせた期間がEC素子110への駆動電圧の印加期間tとなる。このとき、第一の駆動パルスPの周期Tと第二の駆動パルスPの周期Tとは、同じである。
なお、第一の印加期間tの一部と第二の印加期間tの一部とが重複している重複期間を有していてもよい。その場合は、1周期Tのうち、第一の印加期間tと第二の印加期間tとを足した期間から重複期間を引いたものが印加期間tとなる。なお、重複期間は、駆動電圧の立ち上げり時間以下であり、10μs以下であることが好ましい。
本実施形態のEC装置によれば、EC素子におけるセグリゲーションを低減することができる。また、本実施形態のEC装置では、EC素子の応答性を低下させる要因となるEC溶液の高粘度化を行わずに、セグリゲーションの低減することができる。
(第三の実施形態)
上述の各実施形態に係るEC素子及びEC装置は、光学フィルタ、レンズユニット、撮像装置、窓材等に用いることができる。
本実施形態の光学フィルタは、上述の各実施形態のいずれかに記載のEC装置を有し、駆動手段120としてEC素子に接続されている能動素子を有する。能動素子は、増幅素子、スイッチング素子(切替部)が挙げられ、より具体的には、トランジスタやMIM素子等が挙げられる。トランジスタは、活性領域にInGaZnOなどの酸化物半導体を有していてもよい。
本実施形態に係るレンズユニットは、複数のレンズを含む撮像光学系と、上述の実施形態のいずれかに記載のEC装置を有する光学フィルタと、を有する。本実施形態の光学フィルタは、EC装置により撮像光学系に入射する光、又は撮像光学系を通過した光の光量を調整することができる。光学フィルタは、撮像光学系のレンズの光軸上に設けられることが好ましい。また、光学フィルタは、撮像光学系に含まれるレンズ間またはレンズの外側のいずれに設けられていてもよい。
本実施形態に係る撮像装置の構成について、図5を参照して説明する。図5は、本実施形態の撮像装置の構成の一例を説明する模式図である。
本実施形態の撮像装置は、レンズユニット10と、撮像ユニット11とを有し、レンズユニット10はマウント部材(不図示)を介して撮像ユニット11に着脱可能に接続されている。撮像ユニット11内には、光学フィルタ9が配置されている。
レンズユニット10は、複数のレンズあるいはレンズ群12〜15と、開口絞り16と、を有するユニットであり、開口絞り16より撮像素子18側でフォーカシングを行うリアフォーカス式のズームレンズである。レンズユニット10は、物体側より順に正の屈折力の第一のレンズ群12、負の屈折力の第二のレンズ群13、正の屈折力の第三のレンズ群14、正の屈折力の第四のレンズ群15、の4つのレンズ群を有する。そして、レンズユニット10は、第二のレンズ群13と第三のレンズ群14と、の間に開口絞り16を有する。第二のレンズ群13と第三のレンズ群14との間隔を変化させて変倍を行い、第四のレンズ群15の一部のレンズ群を移動させてフォーカスを行う。
撮像ユニット11は、ガラスブロック17と撮像素子18とを有する。ガラスブロック17と撮像素18との間に光学フィルタ9が配置されている。
ガラスブロック17はローパスフィルタやフェースプレートや色フィルタ等のガラスブロックである。撮像素子18は、レンズユニット10を通過した光を受光するセンサ部であって、CCDやCMOS等の撮像素子を使用できる。また、フォトダイオードのような光センサであってもよく、光の強度あるいは波長の情報を取得し出力するものを適宜利用可能である。
撮像装置の各部材は、4つのレンズ群12〜15、開口絞り16、及び光学フィルタ9を通過した光が撮像素子に受光されるように配置されている。撮像素子が受光する光の光量は、開口絞り16及び光学フィルタ9を用いて調整を行うことができる。
本実施形態の撮像装置は、一例として、撮像ユニット11内のガラスブロック17と撮像素子18との間に、光学フィルタ9が配置されている。しかし、撮像装置の構成はこれに限定されず、例えば、第二のレンズ群13と第三のレンズ群14との間等のレンズ群間に配置されてもよいし、レンズユニット10の外側に配置されていてもよい。光学フィルタ9を配置する位置は、光学フィルタの面積を小さくするために、光の収束する位置に配置することが好ましい。
また、本実施形態の撮像装置は、レンズユニット10の形態も適宜選択可能であり、リアフォーカス式の他、絞りより前でフォーカシングを行うインナーフォーカス式であってもよく、その他方式であってもよい。また、ズームレンズ以外にも魚眼レンズやマクロレンズなどの特殊レンズも適宜選択可能である。また、レンズユニット10が着脱可能な撮像装置も本実施形態の範囲に含まれる。その場合、撮像装置が光学フィルタを有しており、レンズユニットを取り付けた際にレンズユニットと撮像素子との間に光学フィルタが配置されるよう設けることが好ましい。
このような撮像装置は、光量調整と撮像素子の組合せを有する製品などがあげられ、例えば、カメラ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話やスマートフォン、PC、タブレットなどの撮像部位であってもよい。
上述の実施形態のいずれかのEC装置を、光学フィルタ、レンズユニット及び撮像装置に用いれば、EC装置を用いて光量を低減することができる。その際、上述の各実施形態のEC装置により、C装置の電極の電圧分布によるセグリゲーションを従来よりも低減できるため、光学フィルタの精度を向上することが可能となる。また、本実施形態の撮像装置によれば、撮像素子のゲインを下げることなく、光量を低減することができる。
本実施形態の光学フィルタ、レンズユニット及び撮像装置によれば、EC素子におけるセグリゲーションを低減することができる。そのため、セグリゲーションによる機能の低下を低減することができる。また、EC素子の応答性を低下させる要因となるEC溶液の高粘度化を行わずにセグリゲーションの低減することができるため、応答性の高い光学フィルタ、レンズユニット及び撮像装置を提供することができる。
(第四の実施形態)
上述の各実施形態のEC装置は、窓材に用いることができる。本実施形態の窓材は、一対の基板と、一対の基板の間に配置されているEC素子110と、EC素子110に接続されている能動素子(駆動手段)120と、を有する。一対の基板を透過する光の光量をEC素子110により調整することができる。この窓材を、窓枠などと組み合わせれば窓になる。窓材は例えば、自動車の窓、飛行機の窓、建材の窓等に用いることができる。
なお、EC素子を用いた窓材においても、EC素子は必ずしも基板1a、1b及びスペーサ3を有していなくてもよく、一対の電極と一対の電極間に挟まれているEC層を有していればよい。
上述の実施形態のいずれかのEC装置を、窓材に用いることにより、EC装置の電極の電圧分布によるセグリゲーションを従来よりも低減することができる。そのため、本実施形態の窓材によれば、セグリゲーションによる機能の低下を低減することができる。また、EC素子の応答性を低下させる要因となるEC溶液の高粘度化を行わずに、セグリゲーションの低減することができるため、応答性の高い窓材を提供することができる。
[実施例]
以下、本発明のエレクトロクロミック素子の実施例について説明する。
(実施例1)
本実施例では、第一の実施形態のEC装置100を作成し、その特性評価を行った。
EC素子110は、厚さ0.7mmのガラス基板(Corning社製EAGLE−XG)上に、電極2a、2bとしてのシート抵抗10Ω/□のITO透明電極を形成し、これを一対の基板1a、1bとして使用した。
本実施例のEC素子110は長方形形状であるため、EC素子110の各基板1a、1bのそれぞれの長辺に沿って一対の低抵抗配線5a、5bを領域6外に形成した。低抵抗配線5a、5bは、銀ナノ粒子ペーストを使用したスクリーン印刷によって、シート抵抗6.6mΩ/□(膜厚5μm)の銀厚膜を形成した。このとき銀厚膜とITO電極のシート抵抗比は1/1000以下であった。
ギャップ制御粒子(積水化学工業社製ミクロパール−SP(直径50μm))と熱硬化型エポキシ樹脂(三井化学製ストラクトボンドHC−1850)を混練し、一方の基板1aにエレクトロクロミック媒体注入用の開口部があるシールパターンを描画塗布した。シールパターンの描画には、ディスペンサ装置を使用した。そして、基板1aとの基板1bと貼り合わせて電極間隙50μmの空のセルを作製した。
次に、アノード性EC材料と、カソード性EC材料と、シアノエチル化ポリマーとしてシアノエチルプルランと、を炭酸プロピレン溶媒に溶解したEC媒体を作製した。アノード性EC材料としては下記構造式(1)で表されるフェナジン類化合物を用い、カソード性EC材料としては下記構造式(2)で表されるビピリジニウム塩類化合物を用いた。アノード性EC材料およびカソード性EC材料のそれぞれの濃度は100mM、シアノエチルプルランの添加量は溶媒に対し30重量%とした。
Figure 0006896400
Figure 0006896400
開口部を有する上述の空のセルに、真空注入法により上述のEC媒体を充填し、開口部を紫外線硬化型エポキシ樹脂により封止した。さらに低抵抗配線にはリード線をハンダ付けして、駆動手段120を接続し、2チャンネルで電圧印加できるEC装置100を作製した。
(素子評価)
本実施例のEC素子を加熱装置上に水平に設置して駆動し、EC装置100の電気化学的及び光学的な特性評価と外観観察を行った。
EC素子110を80℃まで加熱し、電圧掃波高値0.7V(デューティ比90%)、駆動周波数26kHz、チャンネル間の切り替え周波数100Hzで1時間着色させた後に、端子間を短絡接地して消色させて応答速度を確認した。このとき透過率が99%まで復帰する時間は約2秒であった。また、同様の駆動をしながら素子の外観観察をしたところ、着色時にセグリゲーションは見られず、消色過程においても顕著な色分離は観察されなかった。
(比較例1)
比較例1では、実施例1のEC素子110が有する2つのチャンネルのうち1つのチャンネルのみに駆動パルスを印加する従来の駆動方法を行った。
EC素子110を80℃まで加熱し、チャンネル1に、電圧掃波高値0.7V(デューティ比90%)、駆動周波数26kHzの駆動パルスを印加して1時間着色させた後に、端子間を短絡接地して消色させて応答速度を確認した。このとき透過率が99%まで復帰する時間は約150秒であった。また、同様の駆動をしながらEC素子の外観観察をしたところ、着色時にセグリゲーションが見られた。また、消色過程では、着色時よりも明確な色分離が観察された。
(実施例2)
本実施例のEC装置は、EC素子の構成が実施例1と異なる。本実施例のEC素子は、基板1a、1b及び電極2a、2bとして実施例1と同じITO透明電極を用いたが、一対の低抵抗配線をEC素子110の長辺に沿ってスパッタリングによって形成した。形成された低抵抗配線は、シート抵抗16mΩ/□(膜厚1.2μm)の銀薄膜である。なお、本実施例のEC素子は、低抵抗配線である銀薄膜の密着性を向上するために、膜厚50nmのチタン薄膜が銀薄膜と電極2a、2bとの間に形成されている。銀薄膜とITO電極のシート抵抗比は、1/625であった。
(素子評価)
実施例2のEC素子を加熱装置上に水平に設置して、EC装置の電気化学的及び光学的な特性評価と外観観察を行った。
EC素子110を80℃まで加熱し、電圧掃波高値0.7V(デューティ比90%)、駆動周波数100Hz、チャンネル間の切り替え周波数100Hzで1時間着色させた後に、端子間を短絡接地して消色させて応答速度を確認した。このとき、透過率が99%まで復帰する時間は約3秒であった。また、同様の駆動をしながら素子の外観観察をしたところ、着色時にセグリゲーションは見られず、消色過程においても顕著な色分離は観察されなかった。
(比較例2)
実施例2のEC素子で銀(/チタン)薄膜の銀膜厚を(A)800nm、(B)200nm、(C)0として素子を作製し、実施例2と全く同じ駆動を行った。このとき各素子水準に対する消色応答時間の結果を表1に示した。
Figure 0006896400
同じの駆動を行ったときの素子外観については、実施例2及び比較例2(A)では着色時と消色時の顕著なセグリゲーションは観察されなかった。それに対し、比較例2(B)では素子長手方向に僅かなセグリゲーションが観察され、比較例2(C)では着色時においても素子長手方向に顕著なセグリゲーションが観察された。
(比較例3)
上述の各実施例では、2つのチャンネルに交互に駆動パルスを印加して、第一の印加期間tと第二の印加期間tとが重ならないようにしていた。それに対し、本比較例では、チャンネル1とチャンネル2に同一形状の駆動パルスを同位相で印加し、2つのチャンネルに同時に駆動電圧を印加する。このとき、2つのチャンネルのうち一方のチャンネルに印加される駆動パルスの駆動電圧と、他方のチャンネルに印加される駆動パルスの駆動電圧とは、等しいものとする。
本比較例では、実施例1のEC装置100において、EC素子110を80℃まで加熱し、2つのチェンネルに電圧掃波高値0.7V(デューティ比90%)、駆動周波数100Hzの駆動パルスを同位相で印加して1時間着色させた。その後、端子間を短絡接地して消色させて応答速度を確認した。その結果、透過率が99%まで復帰する時間は約30秒であった。また、同様の駆動をしながらEC素子の外観観察をしたところ、着色時に、低抵抗配線5a、5b側は強く着色し、有効光線領域の中央部の着色が薄くなり、低抵抗配線5a、5b側と中央部とでセグリゲーションが見られた。また、消色過程では着色時よりも明確な色分離が観察された。
実施例1では、電流は、A1端子側とC1端子側との間又はA2端子側とC2端子側との間をEC層4の領域6を通って流れていた。それに対し、本比較例では、チャンネル1とチャンネル2に同位相の駆動パルスを印加すると、チャンネル1とチャンネル2とに同時に駆動電圧が印加される。そのため、第一の電極2a、2bよりもEC層4の方が電流が流れやすいと、電流は、A1端子側とC2端子側との間及びA2端子側とC1端子側との間を流れて領域6を通って流れない。その結果、低抵抗配線5a、5b側におけるEC材料の反応量が多くなり、上述にように低抵抗配線5a、5b側と中央部とでセグリゲーションが発生したと考えられる。
(比較例4)
実施例1で第一の端子ペアA1−C1とチャンネル1、第二の端子ペアA2−C2をチャンネル2として交互に駆動電圧を印加していた。それに対し、本比較例では、A1端子とC2端子との間(チャンネル3)及びA2端子とC1端子との間(チャンネル4)に交互に駆動電圧を印加する。
本比較例では、EC素子110を80℃まで加熱し、電圧掃波高値0.7V(デューティ比90%)、駆動周波数26kHz、チャンネル3とチャンネル4との間の切替周波数100Hzで1時間着色した。その後、端子間を短絡接地して消色させて応答速度を確認した。このとき透過率が99%まで復帰する時間は約135秒であった。また、同様の駆動をしながらEC素子の外観観察をしたところ、着色時に、低抵抗配線5a、5b側は強く着色し、有効光線領域の中央部の着色が薄くなり、低抵抗配線5a、5b側と中央部とでセグリゲーションが見られた。また、消色過程では着色時よりも明確な色分離が観察された。
実施例1では、電流は、A1端子側とC1端子側との間又はA2端子側とC2端子側との間をEC層4の領域6を通って流れていた。それに対し、本比較例では、チャンネル1とチャンネル2に同位相の駆動パルスを印加すると、チャンネル1とチャンネル2とに同時に駆動電圧が印加される。そのため、第一の電極2a、2bよりもEC層4の方が電流が流れやすいと、電流は、A1端子側とC2端子側との間及びA2端子側とC1端子側との間を流れ、領域6を通って流れない。その結果、低抵抗配線5a、5b側におけるEC材料の反応量が相対的に多くなり、上述にように低抵抗配線5a、5b側と中央部とでセグリゲーションが発生したと考えられる。
100 エレクトロクロミック装置
110 エレクトロクロミック素子
2a アノード電極(第一の電極)
2b カソード電極(第二の電極)
4 エレクトロクロミック層
6 有効光線領域
120 駆動手段
A1 第一のアノード端子
A2 第二のアノード端子
C1 第一のカソード端子
C2 第二のカソード端子

Claims (22)

  1. アノード電極、
    カソード電極、
    前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟まれ、少なくとも一部に有効光線領域を有するエレクトロクロミック層、
    前記アノード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のアノード端子と第二のアノード端子、及び、
    前記カソード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のカソード端子と第二のカソード端子、を有し、
    前記エレクトロクロミック層が、低い光透過率及び高い光透過率に変化する、透過型のエレクトロクロミック装置であって、
    前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第一のアノード端子と前記第一のカソード端子とが第一の端子ペアを構成し、前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第二のアノード端子と前記第二のカソード端子とが第二の端子ペアを構成しているエレクトロクロミック素子と、
    前記第一の端子ペア及び前記第二の端子ペアに電圧を印加することにより、前記有効光線領域を通過する光を調光する駆動手段と、を有し、
    前記駆動手段は、前記第一の端子ペアに電圧を印加する第一の印加期間の少なくとも一部と、前記第二の端子ペアに電圧を印加する第二の印加期間の少なくとも一部とが重ならないようにする
    ことを特徴とするエレクトロクロミック装置。
  2. 前記駆動手段は、前記第一の印加期間と前記第二の印加期間とが重ならないように制御する
    ことを特徴とする請求項1に記載のエレクトロクロミック装置。
  3. 前記第一の印加期間において前記第二の端子ペアは開放状態であり、前記第二の印加期間において前記第一の端子ペアは開放状態である
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載のエレクトロクロミック装置。
  4. 1つ又は複数の端子ペアを更に有し、
    前記1つ又は複数の端子ペアは、前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されているアノード端子とカソード端子とをする
    ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  5. Nを2以上の整数とすると、前記エレクトロクロミック素子は、前記第一の端子ペアと前記第二の端子ペアとを含むN個の端子ペアを有し、
    前記駆動手段は、前記N個の端子ペアのそれぞれに、位相が2π/Nラジアンの整数倍異なる同一形状の駆動パルスを印加する
    ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  6. 前記駆動手段は、前記第一の端子ペアへの複数回の電圧の印加と、前記第二の端子ペアへの複数回の電圧の印加とを交互に行うように制御する
    ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  7. 前記駆動手段は、前記第一の印加期間と前記第二の印加期間とが、交互になるように制御する
    ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  8. 前記駆動手段は、前記第一の端子ペアに印加される駆動パルス及び前記第二の端子ペアに印加される駆動パルスのそれぞれのパルス幅の変調を行い、
    前記駆動パルスは、電圧の印加期間と休止期間とを含む
    ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  9. 前記駆動手段は、前記エレクトロクロミック層の着色状態における吸光度を下げる場合は、前記第一の端子ペア及び前記第二の端子ペアを短絡接地する
    ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  10. 前記アノード電極は、前記第一のアノード端子及び前記第二のアノード端子のそれぞれと接する前記アノード電極の抵抗より低い抵抗を有する2つの低抵抗配線を有し、
    前記カソード電極は、前記第一のカソード端子及び前記第二のカソード端子のそれぞれと接する前記カソード電極の抵抗より低い抵抗を有する2つの低抵抗配線を有する
    ことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  11. 前記アノード電極及び前記カソード電極のそれぞれは、長方形であり、
    前記アノード電極の前記2つの低抵抗配線のそれぞれは、前記アノード電極の長辺に沿って配置されており、
    前記カソード電極の前記2つの低抵抗配線のそれぞれは、前記カソード電極の長辺に沿って配置されている
    ことを特徴とする請求項10に記載のエレクトロクロミック装置。
  12. 前記アノード電極及び前記カソード電極のそれぞれは、円形又は楕円形であり、
    前記アノード電極の前記2つの低抵抗配線のそれぞれは、前記アノード電極の外周に沿って配置されており、
    前記カソード電極の前記2つの低抵抗配線のそれぞれは、前記カソード電極の外周に沿って配置されている
    ことを特徴とする請求項10に記載のエレクトロクロミック装置。
  13. アノード電極、
    カソード電極、
    前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟まれ、少なくとも一部に有効光線領域を有するエレクトロクロミック層、
    前記アノード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のアノード端子と第二のアノード端子、及び、
    前記カソード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のカソード端子と第二のカソード端子、を有し、
    前記エレクトロクロミック層が、低い光透過率及び高い光透過率に変化する、透過型のエレクトロクロミック装置であって、
    前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第一のアノード端子と前記第一のカソード端子とが第一の端子ペアを構成し、前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第二のアノード端子と前記第二のカソード端子とが第二の端子ペアを構成しているエレクトロクロミック素子と、
    前記第一の端子ペアへの電圧の印加と前記第二の端子ペアへの電圧の印加とを切り替える切替手段と、を有する
    ことを特徴とするエレクトロクロミック装置。
  14. 前記エレクトロクロミック層と前記アノード電極及び前記エレクトロクロミック層と前記カソード電極との間に配された反射防止層を有することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  15. 前記エレクトロクロミック層が、フェナジン誘導体、トリアリルアミン誘導体、チオフェン誘導体、ピロール誘導体、チアジン誘導体、トリアリルメタン誘導体、ビスフェニルメタン誘導体、キサンテン誘導体、フルオラン誘導体、スピロピラン誘導体、ピリジン系化合物、及びキノン化合物の少なくともいずれかを有することを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  16. 前記エレクトロクロミック層が、チオフェン類化合物、フェナジン類化合物、ビピリジニウム塩類化合物の少なくもといずれかを有することを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  17. 金属の析出及び溶解を伴わずに、光透過率を変化させることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置。
  18. 請求項1から17のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置を有する光学フィルタと、
    複数のレンズを有する撮像光学系と、を有することを特徴とするレンズユニット。
  19. 複数のレンズを有する撮像光学系と、
    請求項1から17のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置を有する光学フィルタと、
    前記光学フィルタを透過した光を受光する撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。
  20. 複数のレンズを有する撮像光学系を取り付け可能な撮像装置であって、
    請求項1から17のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置を有する光学フィルタと、
    前記光学フィルタを透過した光を受光する撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。
  21. 一対の基板と、
    請求項1から17のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置と、を有し、
    前記エレクトロクロミック装置の前記エレクトロクロミック素子は、前記一対の基板の間に配置されており、
    前記エレクトロクロミック装置により前記一対の基板を透過する光の光量を調整することを特徴とする窓材。
  22. エレクトロクロミック素子の駆動方法であって、
    前記エレクトロクロミック素子は、アノード電極、カソード電極、前記アノード電極と前記カソード電極との間に挟まれ、少なくとも一部に有効光線領域を有するエレクトロクロミック層、前記アノード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のアノード端子と第二のアノード端子、及び前記カソード電極の互いに対向する端部にそれぞれ接続されている第一のカソード端子と第二のカソード端子、を有し、前記エレクトロクロミック層が、低い光透過率及び高い光透過率に変化する、透過型のエレクトロクロミック装置であって、
    前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第一のアノード端子と前記第一のカソード端子とが第一の端子ペアを構成し、前記有効光線領域を挟んで互いに対向して配置されている前記第二のアノード端子と前記第二のカソード端子とが第二の端子ペアを構成しており、
    前記第一の端子ペアに第一の電圧を印加する第一のステップと、
    前記第二の端子ペアに第二の電圧を印加する第一のステップと、を有し、
    前記エレクトロクロミック層の吸光度を変更又は維持する場合、前記第一のステップで電圧を印加する第一の印加期間の少なくとも一部と前記第二のステップで電圧を印加する第二の印加期間の少なくとも一部とが重ならないことを特徴とする駆動方法。
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