CN109560209A - 一种用于空穴注入层的混合物及其有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于空穴注入层的混合物及其有机发光器件，涉及有机光电材料技术领域。该混合物包含3组分，即轴烯化合物、含有咔唑基团的芳香胺类化合物和溶剂。其中，轴烯化合物的取代基选用了一系列缺电子基团，特别是含有氮杂原子，如三嗪基团、嘧啶基团、吡啶基团，这些带有氮杂原子的缺电子基团使得轴烯化合物的缺电子性能更加突出；芳香胺类化合物带有咔唑给电子基团，并且大部分结构中带有氘原子而无氢原子，碳氘键比碳氢键稳定约6～9倍，得到更加稳定的化合物。将所得到的混合物使用湿膜形式制备有机发光器件，尤其是作为有机发光器件中的空穴注入层材料，器件表现出低驱动电压、高效率、高亮度、长寿命的优点，优于现有常用OLED器件。

Description

一种用于空穴注入层的混合物及其有机发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种用于空穴注入层的混合物及其有机发光器件。
背景技术
近年来，有机发光二极管(OLED:Organic Light Emitting Diode)作为一种新型和有前途的显示技术逐渐进入人们的视野。OLED是一种由多层有机薄膜结构形成的电致发光器件，其中的有机薄膜是利用蒸镀、沉积或旋涂工艺在基板上形成的有机发光材料的膜。真空蒸镀方法有许多困难如复杂的过程以及需要大型蒸发装置，因此希望通过湿膜形成有机发光器件。
通常，OLED具有层状或层压结构。例如，典型的OLED具有阳极/有机发光层/阴极多层结构。OLED还可具有各种其它结构，例如阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构或阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极多层结构。
目前，有机电致发光材料的研究已经在学术界和工业界广泛开展，大量性能优良的有机电致发光材料陆续被开发出来，但该技术的产业化进程仍面临许多关键问题，如何设计新的性能更好的材料进行调节，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于空穴注入层的混合物及其有机发光器件，本发明提供的混合物制备方法简单，由该化合物通过湿膜形式制成的有机发光器件表现出高效率、高亮度、长寿命的优点，是性能优良的有机发光材料。
本发明首先提供一种用于空穴注入层的混合物，包含组分(A)、组分(B)以及组分(C)，其特征在于，
所述组分(A)是一种轴烯化合物，其结构式如式I所示：
其中，R选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；
所述组分(B)是一种含有咔唑基团的芳香胺类化合物，其结构式如式II-1或式II-2所示：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；R1-R5独立的选自氢、氘、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基中的一种；
所述组分(C)是一种具有110℃或更高沸点的溶剂，其结构式如式III所示：
其中，X选自氢、卤素、取代或未取代的C1-C10的烷基中的一种，n是1-6的整数。
优选的，所述一种用于空穴注入层的混合物，轴烯化合物中R选自以下结构：
优选的，所述一种用于空穴注入层的混合物，轴烯化合物中R选自以下结构：
优选的，所述一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中R1-R5独立的选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基。
优选的，所述一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中R1-R5全为氢或全为氘。
优选的，所述一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中R1-R5全为氘。
优选的，所述一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
优选的，所述一种用于空穴注入层的混合物，所述溶剂为甲苯、氯苯或二甲苯。
本发明还提供用于空穴注入层的混合物在有机发光器件中的应用。
优选的，所述有机发光器件包括阳极、阴极和有机物层，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述有机物层中的至少一层含有所述的用于空穴注入层的混合物。
优选的，所述用于空穴注入层的混合物用于制备有机发光器件的空穴注入层。
本发明的有益效果：
本发明首先提供一种用于空穴注入层的混合物，该混合物包含3组分，即轴烯化合物、含有咔唑基团的芳香胺类化合物和溶剂。其中，轴烯化合物的取代基选用了一系列缺电子基团，特别是含有氮杂原子，如三嗪基团、嘧啶基团、吡啶基团，这些带有氮杂原子的缺电子基团使得轴烯化合物的缺电子性能更加突出；芳香胺类化合物带有咔唑给电子基团，并且大部分结构中带有氘原子而无氢原子，碳氘键比碳氢键稳定约6～9倍，得到更加稳定的化合物。
将所得到的混合物使用湿膜形式制备有机发光器件，尤其是作为有机发光器件中的空穴注入层材料，制作方法简单，器件表现出低驱动电压、高效率、高亮度、长寿命的优点，优于现有常用OLED器件。上述器件可用于平板显示器、照明光源、手机屏幕、信号灯等应用领域。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。
本发明所述取代的烷基、取代的芳基、取代的杂芳基中，所述取代基独立地选自氘、C1-C10烷基、氰基、硝基、C6-C24芳基或C3-C20杂芳基。优选的，取代基为氘、氰基、甲基、三氟甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、甲氧基、甲硫基、苯氧基、苯硫基、芴基、9,9-二甲基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基，9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、氟基、三苯基硅基、三甲基硅基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、哌啶基、吡啶基、嘧啶基、联苯基、三联苯基、硝基等，但不限于此。
本发明首先提供一种用于空穴注入层的混合物，包含组分(A)、组分(B)以及组分(C)，
所述组分(A)是一种轴烯化合物，其结构式如式I所示：
其中，R选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；
所述组分(B)是一种含有咔唑基团的芳香胺类化合物，其结构式如式II-1或式II-2所示：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；R1-R5独立的选自氢、氘、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基中的一种；
所述组分(C)是一种具有110℃或更高沸点的溶剂，其结构式如式III所示：
其中，X选自氢、卤素、取代或未取代的C1-C10的烷基中的一种，n是1-6的整数。
优选的，所述一种用于空穴注入层的组合物，轴烯化合物中R选自以下结构：
优选的，所述的一种用于空穴注入层的组合物，轴烯化合物中R选自以下结构：
优选的，所述的一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中R1-R5独立的选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基。
优选的，所述的一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中R1-R5全为氢或全为氘。
优选的，所述的一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中R1-R5全为氘。
优选的，一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物中Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种；最优选的，取代基为甲基、乙基、异丙基、叔丁基或环己基。
优选的，所述的一种用于空穴注入层的组合物，所述溶剂为甲苯、氯苯或二甲苯。
最优选的，所述的一种用于空穴注入层的组合物，轴烯化合物选自以下结构中的一种：
最优选的，所述一种用于空穴注入层的组合物，芳香胺类化合物选自以下结构中的一种：
本发明的一种用于空穴注入层的混合物，其中轴烯化合物与芳香胺类化合物的合成简单，本领域人员公知的合成方法即可合成。
本发明还提供混合物在有机发光器件中的应用。所述有机发光器件包括阳极、阴极和有机物层，其中有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述混合物具体可以作为制备有机电致发光器件的空穴注入层。其中，轴烯化合物与芳香胺类化合物的掺杂比例是1:5至1:100，优选于1:5至1:25。
已知的湿膜形成方法包括旋涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶板印刷法、喷墨方法和喷嘴印刷法。在膜形成以后，仅需要通过在真空下的加热和干燥来出去溶剂，并且在高温下膜的性能是没有降低的。
本发明对以下实施例中所采用的原料没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
实施例1：化合物TM8的制备
将NaH(1.6g，16mmol)加入到40mL的乙二醇二甲醚中，冰浴搅拌下，缓慢滴入五氟苯乙腈(4g，20mmol)的10mL乙二醇二甲醚中。撤掉冰浴，反应液逐步升温到室温，并在室温下反应15min。反应液再次冷却到0℃，将四氯环丙烯(0.9g，5mmol)的10mL乙二醇二甲醚溶液缓慢滴加进反应液中。反应液逐步变为暗红色，升温到室温，继续搅拌24h。反应结束后，将反应液倒入1.2L的冰水中，得到的混合液用浓盐酸调节pH值到1(约加入24ml盐酸)，接着用3×50ml氯仿萃取，合并有机相，依次用饱和食盐水、去离子水、碳酸氢钠水溶液洗涤，最后再用去离子水洗涤一次。有机相用无水硫酸钠干燥、浓缩，得到深色粗品。
将4g上述深色粗品溶解到50ml的氯仿中，并向该溶液中加入含2g碳酸钾的50mL水溶液，搅拌条件下，将0.5mL溴加入到混合物中。之后，萃取，有机相经无水硫酸钠干燥后蒸发溶剂，重结晶得到目标产物(2.2g，产率70％)。质谱m/z：651.06(计算值：650.99)。理论元素含量(％)C27H15N3:C,49.79；F,43.76；N,6.45；实测元素含量(％):C,49.77；F,43.77；N,6.46。上述证实获得产物为目标产物1。
实施例2：化合物TM10的制备
将实施例1中的化合物1-2即五氟苯乙腈换成等摩尔的化合物2-2，其他步骤相同，得到化合物10。质谱m/z：800.75(计算值：800.98)。理论元素含量(％)C30F21N3：C,44.97；F,49.79；N,5.24实测元素含量(％)：C,44.98；F,49.77；N,5.25。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例3：化合物1的制备
中间体A1的合成
将三叔丁基膦(3mL的1.0M的甲苯溶液，7.32mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至二-(4-联苯基)胺(58.7g，183mmol)和4-溴-4-碘联苯(65.5g，183mmol)在脱气甲苯(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲烷)进行过滤，并从异丙醇中结晶。得到中间体A1(90.7g，理论值90％)。
质谱m/z：551.13(计算值：551.12)。理论元素含量(％)C36H26BrN：C,78.26；H,4.74；Br,14.46；N,2.54实测元素含量(％)：C,78.25；H,4.74；Br,14.46；N,2.56。上述结果证实获得产物为目标产品。
化合物1的合成
将三叔丁基膦(3mL的1.0M的甲苯溶液，7.32mmol)、醋酸钯(0.4g，1.83mmol)和叔丁醇钠(22.8g，238mmol)添加至中间体A1(100.8g，183mmol)和化合物b(77.6g，187mmol)在脱气甲苯(500mL)中的溶液，并且将该混合物在回流下加热2小时。将该反应混合物冷却至室温，用甲苯稀释并且经由硅藻土过滤。将该滤液用水稀释，并用甲苯提取，并且合并有机相，将其在真空下进行蒸发。将该残余物经由硅胶(庚烷/二氯甲烷)进行过滤，并从异丙醇中结晶。得到化合物1(141.0g，理论值87％)。
质谱m/z：886.42(计算值：886.41)。理论元素含量(％)C66H42D5N3：C,89.36；H,5.91；N,4.74实测元素含量(％)：C,89.37；H,5.91；N,4.72。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例4：化合物10的合成
将实施例1中的化合物a即二-(4-联苯基)胺换成等摩尔的化合物c，其他步骤相同，得到化合物10。质谱m/z：966.45(计算值：966.47)。理论元素含量(％)C72H50D5N3：C,89.40；H,6.25；N,4.34实测元素含量(％)：C,89.42；H,6.24；N,4.34。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例5：化合物35的合成
将实施例1中的化合物a即二-(4-联苯基)胺换成等摩尔的化合物d，化合物b换成等摩尔的化合物e，其他步骤相同，得到化合物35。质谱m/z：900.45(计算值：900.39)。理论元素含量(％)C66H40D5N3O：C,87.97；H,5.59；N,4.66；O,1.78实测元素含量(％)：C,87.99；H,5.58；N,4.67；O,1.78。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例6：化合物50的合成
将实施例1中的化合物a即二-(4-联苯基)胺换成等摩尔的化合物f，化合物b换成等摩尔的化合物g，其他步骤相同，得到化合物50。质谱m/z：916.39(计算值：916.36)。理论元素含量(％)C66H40D5N3S：C,86.43；H,5.49；N,4.58；S,3.50实测元素含量(％)：C,86.43；H,5.47；N,4.58；S,3.52。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例7：化合物56的合成
将实施例1中的化合物a即二-(4-联苯基)胺换成等摩尔的化合物h，化合物b换成等摩尔的化合物i，其他步骤相同，得到化合物56。质谱m/z：881.39(计算值：881.38)。理论元素含量(％)C66H47N3：C,89.87；H,5.37；N,4.76实测元素含量(％)：C,89.85；H,5.39；N,4.76。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例8：化合物73的合成
将实施例1中的4-溴-4-碘联苯换成等摩尔的3-溴-3’-碘-1,1’-联苯，化合物b换成等摩尔的化合物i，其他步骤相同，得到化合物73。质谱m/z：881.35(计算值：881.38)。理论元素含量(％)C66H47N3：C,89.87；H,5.37；N,4.76实测元素含量(％)：C,89.85；H,5.38；N,4.77。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例9：化合物83的合成
将实施例1中的4-溴-4-碘联苯换成等摩尔的3-溴-4’-碘-1,1’-联苯，化合物a和化合物b都换成等摩尔的化合物i，其他步骤相同，得到化合物83。质谱m/z：970.35(计算值：970.40)。理论元素含量(％)C72H50N4：C,89.04；H,5.19；N,5.77实测元素含量(％)：C,89.06；H,5.18；N,5.76。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例10：溶解性测试
将0.001g的组分(A)即轴烯化合物、0.01g的组分(B)即芳香胺类化合物和1mL的组分(C)放入烧瓶中，组分(C)优选为甲苯，搅拌5min后观察瓶中是否有不溶物，结果如表1：
表1
实施例11：电导率测量
在高真空室中，将化合物TM1作为掺杂剂材料，化合物3作为基质材料溶解于甲苯中，通过旋涂方法在玻璃基板上，然后在120℃下进行干燥，以形成膜。掺杂浓度为5mol％，膜厚度为50nm。玻璃基板具有距离为1mm的两个ITO条带作为膜用电极。
将上述混合物如表2中替换，其他条件相同，测定形成膜的电导率，结果如表2所示：
表2
混合物 导电率S/cm 混合物 导电率S/cm
化合物TM1+化合物3 5.3×10<sup>-4</sup> 化合物TM8+化合物3 5.0×10<sup>-4</sup>
化合物TM1+化合物57 5.1×10<sup>-4</sup> 化合物TM8+化合物17 4.2×10<sup>-4</sup>
化合物TM4+化合物3 4.4×10<sup>-4</sup> 化合物TM8+化合物55 4.5×10<sup>-4</sup>
化合物TM4+化合物57 4.9×10<sup>-4</sup> 化合物TM8+化合物57 4.9×10<sup>-4</sup>
化合物TM7+化合物3 5.0×10<sup>-4</sup> 化合物TM8+化合物74 4.9×10<sup>-4</sup>
化合物TM7+化合物17 4.8×10<sup>-4</sup> 化合物TM9+化合物3 5.4×10<sup>-4</sup>
化合物TM7+化合物55 5.1×10<sup>-4</sup> 化合物TM9+化合物55 4.9×10<sup>-4</sup>
化合物TM7+化合物57 4.7×10<sup>-4</sup> 化合物TM9+化合物57 5.2×10<sup>-4</sup>
化合物TM7+化合物74 4.6×10<sup>-4</sup> 化合物TM9+化合物74 5.0×10<sup>-4</sup>
比较例1
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后将处理后的ITO基板进行蒸镀，首先蒸镀一层60nm的2-TNATA作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，之后蒸镀20nm的NPB作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例1：
将10mm×10mm×1mm玻璃基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用plasma处理10分钟。随后在处理后的ITO基板上，旋涂上化合物TM1和化合物3的甲苯溶液(有机物的掺杂比为5mol％)，在120℃下加热和干燥以形成60nm厚膜作为空穴注入层，之后蒸镀20nm的NPB作为空穴传输层，蒸镀速度为0.1nm/s，然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀ADN/DPAVBi，掺杂浓度为2wt％，基质材料的蒸镀速度为0.1nm/s，掺杂材料蒸镀速率为0.002nm/s，蒸镀厚度为35nm，随后蒸镀30nm的Alq3作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀LiF和Al作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例2-37中的空穴注入层如表3列举情况进行替换，其他与应用实施例1制作步骤相同。
测量根据比较例1、应用实施例1-37的每种有机发光二极管的驱动电压、发光效率及寿命，具体数值见表3。
表3
结果表明，与比较例1相比，当使用本发明混合物作为有机发光器件的空穴注入层时，器件表现出更佳的效率、更低的驱动电压和更长的寿命。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种用于空穴注入层的组合物，包含组分(A)、组分(B)以及组分(C)，其特征在于，
所述组分(A)是一种轴烯化合物，其结构式如式I所示：
其中，R选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；
所述组分(B)是一种含有咔唑基团的芳香胺类化合物，其结构式如式II-1或式II-2所示：
其中，Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；R1-R5独立的选自氢、氘、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基中的一种；
所述组分(C)是一种具有110℃或更高沸点的溶剂，其结构式如式III所示：
其中，X选自氢、卤素、取代或未取代的C1-C10的烷基中的一种，n是1-6的整数。
2.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，轴烯化合物中R选自以下结构：
3.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，轴烯化合物中R选自以下结构：
4.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，芳香胺类化合物中R1-R5独立的选自氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基。
5.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，芳香胺类化合物中R1-R5全为氢或全为氘。
6.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，芳香胺类化合物中R1-R5全为氘。
7.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，芳香胺类化合物中Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩恶嗪基、取代或未取代的吩噻嗪基、取代或未取代的吩恶噻基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲啰啉基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的苯并吡咯基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种用于空穴注入层的组合物，其特征在于，所述溶剂为甲苯、氯苯或二甲苯。
9.一种有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件包括阴极、阳极和置于所述两电极之间的一个或多个有机化合物层，所述的有机化合物层含有权利要求1～8任一项所述的一种用于空穴注入层的组合物。
10.根据权利要求9中所述的一种有机发光器件，其特征在于，所述有机化合物层包括空穴注入层，空穴注入层中含有权利要求1～8任一项所述的一种用于空穴注入层的组合物。
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