CN109545972B - 一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法 - Google Patents

一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109545972B
CN109545972B CN201811404337.3A CN201811404337A CN109545972B CN 109545972 B CN109545972 B CN 109545972B CN 201811404337 A CN201811404337 A CN 201811404337A CN 109545972 B CN109545972 B CN 109545972B
Authority
CN
China
Prior art keywords
perovskite
layer
solar cell
fto glass
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811404337.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109545972A (zh
Inventor
张敬敬
马建峰
葛祖荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Taijie Construction Engineering Co ltd
Original Assignee
Renesola Jiangsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesola Jiangsu Ltd filed Critical Renesola Jiangsu Ltd
Priority to CN201811404337.3A priority Critical patent/CN109545972B/zh
Publication of CN109545972A publication Critical patent/CN109545972A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109545972B publication Critical patent/CN109545972B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,涉及太阳能电池技术领域,包括自下而上层叠设置的FTO玻璃衬底、TiO2致密层、钙钛矿吸收层、界面修饰层、空穴传输层和对电极。本发明在钙钛矿与有机空穴传输层Spiro‑OMeTAD的界面填加界面修饰层,选用十二烷基磺酸钠作为界面修饰材料,一方面由于它具有长的烷基链,能极大溶解在异丙醇等没有对钙钛矿薄膜溶解破坏的溶剂中,并能在钙钛矿薄膜的表面形成一层交叉网状结构来增强其疏水性,另一方面,由于其分子末端磺酸钠基团的带电性又增强分子极性,降低了分子在氯苯中的溶解性的同时,易于与钙钛矿表面形成偶极距,有利于电荷界面的提取,提升了钙钛矿太阳能电池的效率稳定性。

Description

一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法。
背景技术
传统太阳能电池在制备工艺、材料来源以及环境污染等方面都受到一定的制约,为了研究传统太阳能电池的替代品,世界各国研究人员在新材料、新工艺、薄膜化及低价等方面进行着不断地探索。如果具备非常高的光电转换效率或者低廉的制备成本,就有机会取代传统太阳能电池成为下一代新型高效太阳电池。
近期,新生代混合有机无机卤素铅钙钛矿(CH3NH3PbX3,X=Cl,Br,I)就具备这两种特性,展现出广阔的应用前景。有机无机卤素铅钙钛矿由于具有出色的光吸收系数、直接带隙、合适的禁带宽度、高的电荷迁移率和较长的电荷扩散长度等优点吸引了众多关注.除此之外,钙钛矿材料组成的元素在地球上含量丰富且容易采用简单的低温溶液法制备。钙钛矿太阳电池获得优异的光伏性能,一方面归因于有机无机卤素钙钛矿优异的光吸收特性,属于直接带隙材料;另一方面,相比其他薄膜多晶半导体材料,有机无机卤素钙钛矿材料作为光吸收材料展现出非常低的非辐射复合速率。
在近十年的时间内,通过优化制备工艺、调控活性层化学组成以及修饰界面等方案,其器件效率迅速增长,目前已认证的效率高达22.7%。然而,钙钛矿材料存在对水、热、光、氧敏感的本征缺陷,导致器件稳定性较低,这也成为制约其商业化生产的根本问题。
对于钙钛矿太阳能电池器件来说,其器件的不稳定性主要来源于有机空穴传输层Spiro-OMeTAD中的添加剂包括双(三氟甲磺酰亚胺)锂的乙腈溶液和4-叔丁基吡啶(t-BP)对钙钛矿化学组分的溶解破坏。而为了阻止溶解破坏,目前报道的解决方法一方面主要包括更换Spiro-OMeTAD中添加剂,使用对钙钛矿没有破坏的添加剂,例如碘诱导还原氧化石墨烯、三氧化钨以及IrCp*Cl(PyPyz)[TFSI]等,另一方面就是开发不需要掺杂的新型有机空穴传输材料,例如四硫富瓦烯、DOR3T-TBDT、并五苯、芘的芳香胺衍生物、二吡咯酮衍生物PDPPDBTE等。但整体上讲,无论是改变添加剂还是发展新型有机空穴传输材料应用,在钙钛矿太阳能器件中都没有取得与Spiro-OMeTAD体系相媲美的器件光电转化率。
发明内容
为了解决以上技术问题,本发明提供一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,包括自下而上层叠设置的FTO玻璃衬底、TiO2致密层、钙钛矿吸收层、界面修饰层、空穴传输层和对电极。
技术效果:本发明在钙钛矿与有机空穴传输层Spiro-OMeTAD的界面填加界面修饰层,选用十二烷基磺酸钠作为界面修饰材料,一方面由于它具有长的烷基链,能极大溶解在异丙醇等没有对钙钛矿薄膜溶解破坏的溶剂中,并能在钙钛矿薄膜的表面形成一层交叉网状结构来增强其疏水性,另一方面,由于其分子末端磺酸钠基团的带电性又增强分子极性,降低了分子在氯苯中的溶解性的同时,易于与钙钛矿表面形成偶极距,有利于电荷界面的提取,提升了钙钛矿太阳能电池的效率稳定性。
本发明的另一目的在于提供一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,包括以下步骤:
S1、FTO玻璃刻蚀与清洗,备用;
S2、在FTO玻璃衬底上制备TiO2致密层;
S3、在TiO2层上制备钙钛矿吸收层:首先,配置质量比为45%的CH3NH3PbI3钙钛矿溶液,将0.575g PbI2和0.2g CH3NH3I溶于1mL DMF中,并在加热台上加热到45℃保温4-5h;然后用移液枪吸取80μL 45%的CH3NH3PbI3钙钛矿溶液滴涂在FTO片子上;其次,设置旋涂仪转速为5000rpm,加速度为5000rpm/s,持续时间为30s,同时,用移液枪吸取250μL氯苯溶液,当启动旋涂仪4-6s后,将移液枪置于FTO玻璃上方1cm处,对准片子中心滴涂氯苯;旋转停止后,将FTO/c-TiO2/CH3NH3PbI3的片子放在加热台上,100℃加热10min进行退火处理,明显观察到片子的颜色逐渐加深变成酒红色;
S4、制备界面修饰层:配置20mg/mL十二烷基磺酸钠的异丙醇溶液,转速为3000rpm,持续时间为30s,厚度为10nm;
S5、制备空穴传输层:将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶解在氯苯中,依次加入双(三氟甲磺酰亚胺)锂(LiTFSI)的乙腈溶液和4-叔丁基吡啶(t-BP),取spiro-OMeTAD的混合溶液滴涂在钙钛矿层上即可;
S6、对电极的制备:用蒸发镀膜机在空穴传输层上蒸镀65-80nm的Au。
前所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,步骤S1,选用方阻为15Ω的FTO玻璃作为基底,用锌粉与稀盐酸进行刻蚀,将工作电极和对电极分开,防止短路;刻蚀后,将FTO玻璃切割成每块5cm×10cm,并用洗涤剂与水冲洗干净后,依次在稀释的洗洁精水溶液、去离子水、乙醇中超声清洗15min;然后将干净的FTO玻璃浸泡在乙醇中备用。
前所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,稀盐酸由37%的盐酸与水按体积比1:9稀释得到。
前所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,洗洁精水溶液由洗洁精与水按体积比1:30稀释得到。
前所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,步骤S2,将干净的FTO玻璃用氮气吹干后,再用紫外臭氧处理30min去除残余溶剂。
前所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,步骤S2,用乙醇将二异丙氧基双乙酰丙酮钛按体积比39:1进行稀释,按每块FTO玻璃需要5mL配置溶液;将紫外臭氧处理后的FTO玻璃放置在程序升温加热台上,当温度升至450℃后,用氧气作为载体进行喷雾热解二异丙氧基双乙酰丙酮钛的稀释溶液;喷完后,在450℃保持30min,等待降温;待温度降到室温后,将其置于浓度为40%的TiCl4水溶液中,在70℃下加热30min;冷却后,用热风枪在450℃下加热15min,冷却后待用。
前所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池制备方法,步骤S4,界面修饰材料十二烷基磺酸钠的异丙醇溶液的质量浓度为0.4%,退火温度为450-600℃,退火时间为40-60min。
本发明的有益效果是:
(1)本发明中用十二烷基磺酸钠作为界面修饰层,可以有效地阻碍Spiro-OMeTAD中的添加剂锂盐和t-Bp 与CH3NH3PbI3薄膜的接触,从而极大地提高了器件稳定性;
(2)本发明中十二烷基磺酸钠作为界面修饰层,在钙钛矿薄膜的表面形成一层交叉网状结构可以增强其疏水功能,使其界面接触角由17.01°增大到90.18°;
(3)本发明中由于十二烷基磺酸钠分子末端磺酸钠基团的带电性又增强分子极性,降低了分子在氯苯中的溶解性,并且易于与钙钛矿表面形成偶极距有利于电荷界面提取,因此,通过界面修饰后的器件整体光伏性能没有下降反而略有提高,电池光电转换效率提升0.5%以上。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的对比器件在光照下的效率衰减图。
具体实施方式
本实施例提供的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,结构如图1所示,包括自下而上层叠设置的FTO玻璃衬底1、TiO2致密层2、钙钛矿吸收层3、界面修饰层4、空穴传输层5和对电极6。
其制备方法,包括以下步骤:
S1、FTO玻璃刻蚀与清洗:选用方阻为15Ω的FTO玻璃作为基底,用锌粉与稀盐酸(37%的盐酸与水按体积比1:9稀释)进行刻蚀,将工作电极和对电极分开,防止短路;刻蚀后,将FTO玻璃切割成每块5cm×10cm,并用洗涤剂与水冲洗干净后,依次在稀释的洗洁精水溶液(洗洁精与水按体积比1:30稀释)、去离子水、乙醇中超声清洗15min;然后将干净的FTO玻璃浸泡在乙醇中备用;
S2、在FTO玻璃衬底上制备TiO2致密层:将干净的FTO玻璃用氮气吹干后,再用紫外臭氧处理30min去除残余溶剂;用乙醇将二异丙氧基双乙酰丙酮钛按体积比39:1进行稀释,按每块FTO玻璃需要5mL配置溶液;将紫外臭氧处理后的FTO玻璃放置在程序升温加热台上,当温度升至450℃后,用氧气作为载体进行喷雾热解二异丙氧基双乙酰丙酮钛的稀释溶液;喷完后,在450℃保持30min,等待降温;待温度降到室温后,将其置于浓度为40%的TiCl4水溶液中,在70℃下加热30min;冷却后,用热风枪在450℃下加热15min,冷却后切割成1.5cm×1.5cm的小块备用;
S3、在TiO2层上制备钙钛矿吸收层:首先,配置质量比为45%的CH3NH3PbI3钙钛矿溶液,将0.575g PbI2和0.2g CH3NH3I溶于1mL DMF中,并在加热台上加热到45℃保温4-5h;然后用移液枪吸取80μL 45%的CH3NH3PbI3钙钛矿溶液滴涂在FTO片子上;其次,设置旋涂仪转速为5000rpm,加速度为5000rpm/s,持续时间为30s,同时,用移液枪吸取250μL氯苯溶液,当启动旋涂仪4-6s后,将移液枪置于FTO玻璃上方1cm处,对准片子中心滴涂氯苯;旋转停止后,将FTO/c-TiO2/CH3NH3PbI3的片子放在加热台上,100℃加热10min进行退火处理,明显观察到片子的颜色逐渐加深变成酒红色;
S4、制备界面修饰层:配置20mg/mL十二烷基磺酸钠的异丙醇溶液,质量浓度为0.4%,退火温度为450-600℃,退火时间为40-60min,转速为3000rpm,持续时间为30s,厚度为10nm;
S5、制备空穴传输层:将72.3mg 2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶解在1mL氯苯中,依次加入17.5μL 520mg/mL双(三氟甲磺酰亚胺)锂(LiTFSI)的乙腈溶液和28.8μL 4-叔丁基吡啶(t-BP),取50μL spiro-OMeTAD的混合溶液滴涂在钙钛矿层上,在4000rpm转速下旋转30s即可;
S6、对电极的制备:用蒸发镀膜机在空穴传输层上蒸镀65-80nm的Au。
参考图2,对比器件在光照下器件的效率衰减较快,尤其是在前20小时内, 效率下降60%左右,原因是在光照下,有机空穴传输层Spiro-OMeTAD 中的添加剂锂盐和t-Bp 向CH3NH3PbI3与spiro-OMeTAD 的界面移动,从而造成对界面处钙钛矿薄膜的分解破坏,而本发明用十二烷基磺酸钠作为界面修饰层可以有效的阻碍Spiro-OMeTAD 中的添加剂锂盐和t-Bp 与CH3NH3PbI3薄膜的接触,从而极大地提高了器件稳定性。
本发明在钙钛矿与有机空穴传输层Spiro-OMeTAD的界面填加界面修饰层,选用十二烷基磺酸钠作为界面修饰材料,一方面由于它具有长的烷基链,能极大溶解在异丙醇等没有对钙钛矿薄膜溶解破坏的溶剂中,并能在钙钛矿薄膜的表面形成一层交叉网状结构来增强其疏水性,另一方面,由于其分子末端磺酸钠基团的带电性又增强分子极性,降低了分子在氯苯中的溶解性的同时,易于与钙钛矿表面形成偶极距,有利于电荷界面的提取,提升了钙钛矿太阳能电池的效率稳定性。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,其特征在于:
包括自下而上层叠设置的FTO玻璃衬底(1)、TiO2致密层(2)、钙钛矿吸收层(3)、界面修饰层(4)、空穴传输层(5)和对电极(6),
制备方法包括以下步骤:
S1、FTO玻璃刻蚀与清洗,备用;
S2、在FTO玻璃衬底上制备TiO2致密层;
S3、在TiO2层上制备钙钛矿吸收层:首先,配置质量比为45%的CH3NH3PbI3钙钛矿溶液,将0.575g PbI2和0.2g CH3NH3I溶于1mL DMF中,并在加热台上加热到45℃保温4-5h;然后用移液枪吸取80μL 45%的CH3NH3PbI3钙钛矿溶液滴涂在FTO片子上;其次,设置旋涂仪转速为5000rpm,加速度为5000rpm/s,持续时间为30s,同时,用移液枪吸取250μL氯苯溶液,当启动旋涂仪4-6s后,将移液枪置于FTO玻璃上方1cm处,对准片子中心滴涂氯苯;旋转停止后,将FTO/c-TiO2/CH3NH3PbI3的片子放在加热台上,100℃加热10min进行退火处理,明显观察到片子的颜色逐渐加深变成酒红色;
S4、制备界面修饰层:配置20mg/mL十二烷基磺酸钠的异丙醇溶液,转速为3000rpm,持续时间为30s,厚度为10nm;
S5、制备空穴传输层:将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴spiro-OMeTAD溶解在氯苯中,依次加入双(三氟甲磺酰亚胺)锂LiTFSI的乙腈溶液和4-叔丁基吡啶t-BP,取spiro-OMeTAD的混合溶液滴涂在钙钛矿层上即可;
S6、对电极的制备:用蒸发镀膜机在空穴传输层上蒸镀65-80nm的Au;
所述步骤S4,界面修饰材料十二烷基磺酸钠的异丙醇溶液的质量浓度为0.4%,退火温度为450-600℃,退火时间为40-60min。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述步骤S1,选用方阻为15Ω的FTO玻璃作为基底,用锌粉与稀盐酸进行刻蚀,将工作电极和对电极分开,防止短路;刻蚀后,将FTO玻璃切割成每块5cm×10cm,并用洗涤剂与水冲洗干净后,依次在稀释的洗洁精水溶液、去离子水、乙醇中超声清洗15min;然后将干净的FTO玻璃浸泡在乙醇中备用。
3.根据权利要求2所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述稀盐酸由37%的盐酸与水按体积比1:9稀释得到。
4.根据权利要求2所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述洗洁精水溶液由洗洁精与水按体积比1:30稀释得到。
5.根据权利要求1所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述步骤S2,将干净的FTO玻璃用氮气吹干后,再用紫外臭氧处理30min去除残余溶剂。
6.根据权利要求5所述的一种高稳定性钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述步骤S2,用乙醇将二异丙氧基双乙酰丙酮钛按体积比39:1进行稀释,按每块FTO玻璃需要5mL配置溶液;将紫外臭氧处理后的FTO玻璃放置在程序升温加热台上,当温度升至450℃后,用氧气作为载体进行喷雾热解二异丙氧基双乙酰丙酮钛的稀释溶液;喷完后,在450℃保持30min,等待降温;待温度降到室温后,将其置于浓度为40%的TiCl4水溶液中,在70℃下加热30min;冷却后,用热风枪在450℃下加热15min,冷却后待用。
CN201811404337.3A 2018-11-23 2018-11-23 一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法 Active CN109545972B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811404337.3A CN109545972B (zh) 2018-11-23 2018-11-23 一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811404337.3A CN109545972B (zh) 2018-11-23 2018-11-23 一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109545972A CN109545972A (zh) 2019-03-29
CN109545972B true CN109545972B (zh) 2022-12-02

Family

ID=65850447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811404337.3A Active CN109545972B (zh) 2018-11-23 2018-11-23 一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109545972B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190193B (zh) * 2019-06-06 2022-11-15 中节能万润股份有限公司 一种含保护层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN110492000B (zh) * 2019-08-27 2020-11-20 电子科技大学 一种基于海藻酸钠交联光活性层的钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN110492003B (zh) * 2019-09-11 2021-01-22 西北工业大学 金属纳米晶-锚固分子协同钝化钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN111081879B (zh) * 2019-11-19 2023-01-24 西安石油大学 一种钙钛矿光吸收层及其制备方法
CN111689867B (zh) * 2020-06-05 2023-02-10 南京邮电大学 一种空穴传输层材料及其制备方法、钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN112574738B (zh) * 2020-12-17 2022-10-28 扬州大学 提高钙钛矿量子点稳定性的制备方法
CN113193121B (zh) * 2021-04-08 2022-11-29 电子科技大学 基于界面偶极分子修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113644204A (zh) * 2021-08-11 2021-11-12 华侨大学 一种基于胺基化合物界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN119968002B (zh) * 2025-04-08 2025-06-20 南昌大学 提高电荷传输的异质结及其制备方法和钙钛矿太阳能电池

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576930A (zh) * 2015-01-06 2015-04-29 宁波大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105384917A (zh) * 2015-11-10 2016-03-09 华南理工大学 侧链含有磺酸或者磺酸盐的共轭聚合物及其制备的平面倒置有机/无机杂化钙钛矿太阳电池
CN105449104A (zh) * 2015-12-10 2016-03-30 东华大学 一种在空气环境中性能稳定的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105489775A (zh) * 2015-12-21 2016-04-13 成都新柯力化工科技有限公司 一种薄层状钙钛矿结构的光伏材料及其制备方法
CN105609645A (zh) * 2015-12-22 2016-05-25 成都新柯力化工科技有限公司 一种微孔钙钛矿结构的光伏材料及其制备方法
CN105826078A (zh) * 2016-05-16 2016-08-03 电子科技大学 薄带状纳米镍及其制备方法和应用
CN106058061A (zh) * 2016-07-18 2016-10-26 武汉大学 一种疏水性钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
WO2016189802A1 (en) * 2015-05-22 2016-12-01 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Fabrication of stable perovskite-based optoelectronic devices
CN106410046A (zh) * 2016-12-12 2017-02-15 吉林大学 一种含有疏水性电极修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106518691A (zh) * 2016-10-28 2017-03-22 南京工业大学 钙钛矿太阳能电池中一类修饰材料‑三苯胺衍生物的合成及其应用
CN107706309A (zh) * 2017-09-15 2018-02-16 华南师范大学 一种平面钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN107946464A (zh) * 2017-11-13 2018-04-20 河南大学 一种基于钛酸钡界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101692985B1 (ko) * 2015-04-03 2017-01-05 한국과학기술연구원 무기 나노물질 기반 소수성 전하 수송체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유무기 복합 페로브스카이트 태양전지

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576930A (zh) * 2015-01-06 2015-04-29 宁波大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2016189802A1 (en) * 2015-05-22 2016-12-01 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Fabrication of stable perovskite-based optoelectronic devices
CN105384917A (zh) * 2015-11-10 2016-03-09 华南理工大学 侧链含有磺酸或者磺酸盐的共轭聚合物及其制备的平面倒置有机/无机杂化钙钛矿太阳电池
CN105449104A (zh) * 2015-12-10 2016-03-30 东华大学 一种在空气环境中性能稳定的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105489775A (zh) * 2015-12-21 2016-04-13 成都新柯力化工科技有限公司 一种薄层状钙钛矿结构的光伏材料及其制备方法
CN105609645A (zh) * 2015-12-22 2016-05-25 成都新柯力化工科技有限公司 一种微孔钙钛矿结构的光伏材料及其制备方法
CN105826078A (zh) * 2016-05-16 2016-08-03 电子科技大学 薄带状纳米镍及其制备方法和应用
CN106058061A (zh) * 2016-07-18 2016-10-26 武汉大学 一种疏水性钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
CN106518691A (zh) * 2016-10-28 2017-03-22 南京工业大学 钙钛矿太阳能电池中一类修饰材料‑三苯胺衍生物的合成及其应用
CN106410046A (zh) * 2016-12-12 2017-02-15 吉林大学 一种含有疏水性电极修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107706309A (zh) * 2017-09-15 2018-02-16 华南师范大学 一种平面钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN107946464A (zh) * 2017-11-13 2018-04-20 河南大学 一种基于钛酸钡界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109545972A (zh) 2019-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109545972B (zh) 一种高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN113363390A (zh) 一种高效率钙钛矿太阳电池及制备方法
CN111987222A (zh) 基于双钙钛矿材料的太阳能电池及制备方法
CN109728169B (zh) 一种掺杂有功能添加剂的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN108242505B (zh) 大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法
CN111892504B (zh) 一种双氨基有机化合物钝化材料及其应用
CN112864329B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113421976A (zh) 一种l-半胱氨酸盐修饰二氧化锡的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用
CN104393177A (zh) 基于钙钛矿相有机金属卤化物的太阳能电池及其制备方法
CN113421975A (zh) 一种六氟磷酸铵盐修饰二氧化锡的方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用
CN114284440A (zh) 一种双功能离子盐钝化锡基钙钛矿薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法和应用
CN107359249A (zh) 一种一步法喷涂制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN114400291B (zh) 一种有机分子在正置钙钛矿太阳能电池中的应用
CN118119254A (zh) 一种界面修饰层和钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN115394924A (zh) 基于界面修饰层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池
CN115843205B (zh) 一种钙钛矿膜层的制备方法及钙钛矿太阳能电池
CN119968002B (zh) 提高电荷传输的异质结及其制备方法和钙钛矿太阳能电池
CN114574193B (zh) 一种从铅卤钙钛矿材料中提取残余碘化铅的方法
CN114497385B (zh) 一种具有多功能活性位点的界面分子的应用
CN119277885B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN115360307B (zh) 一种钙钛矿薄膜的制备方法
CN114005943A (zh) 一种双面受光的钙钛矿太阳能光伏组件及其制备方法
CN118215377A (zh) 钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿电池及其制备方法、光伏器件
CN117295378A (zh) 一种溶剂辅助快速氧化Spiro-OMeTAD的方法及应用
CN117337058A (zh) 一种3d/0d锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230704

Address after: 361000 room 803, No. 5992, Maqing Road, Haicang District, Xiamen City, Fujian Province

Patentee after: Wu Rongfan

Address before: No. 27, Qingyuan Avenue (East), Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214203

Patentee before: RENESOLA JIANGSU Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230721

Address after: Room 511-4007, 5/F, Building 6, Business Operation Center, Jinjingwan District, Pingtan Comprehensive Experimental Zone, Fuzhou City, 350000, Fujian Province (cluster registration)

Patentee after: Fujian Taijie Construction Engineering Co.,Ltd.

Address before: 361000 room 803, No. 5992, Maqing Road, Haicang District, Xiamen City, Fujian Province

Patentee before: Wu Rongfan

TR01 Transfer of patent right