CN109495105A - 一种基于onfi的dll单元电路 - Google Patents
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- 229940044442 onfi Drugs 0.000 title claims abstract 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种基于ONFI的DLL单元电路,包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第四与非门、第五与非门、第六与非门、反相器和延迟单元DEL,所述第一与非门的A端接第一控制端,B端接第一延迟回路端,输出端接第二延迟回路端;所述第二与非门的A端接第一延迟回路端,B端接第二控制端,输出端接所述第三与非门的B端;所述第三与非门的输出端接第四延迟回路端,A端接所述第六与非门的输出端;所述第六与非门的A端接所述第四与非门的输出端,B端接所述第五与非门的输出端。本发明能应用于不同模式和不同传输频率,使一个ONFI控制器可以兼容多种ONFI模式和多种频率。
Description
技术领域
本发明涉及DLL(digital loop locked,数字锁相环)单元。
背景技术
通过ONFI(Open NAND Flash Interface Specification)协议的介绍,可知非整数时钟周期延迟电路设计作为控制器必不可少的一部分,而不同模式的发送信号的时序差别比较大,并且传输频率从10Mhz到400Mhz,给实现非整数时钟周期的延迟电路带来很大难度,现有DLL结构一般很难做到不同模式和不同频率的兼容。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于ONFI的DLL单元电路,能应用于不同模式和不同传输频率,使一个ONFI控制器可以兼容多种ONFI模式和多种频率。
实现上述目的的技术方案是:
一种基于ONFI的DLL单元电路,包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第四与非门、第五与非门、第六与非门、反相器和延迟单元DEL(延迟),其中,
所述第一与非门的A端接第一控制端,B端接第一延迟回路端,输出端接第二延迟回路端;
所述第二与非门的A端接第一延迟回路端,B端接第二控制端,输出端接所述第三与非门的B端;
所述第三与非门的输出端接第四延迟回路端,A端接所述第六与非门的输出端;
所述第六与非门的A端接所述第四与非门的输出端,B端接所述第五与非门的输出端;
所述第四与非门的A端接所述反相器的输出端,B端接第三延迟回路端;
所述第五与非门的B端接所述反相器的输入端和第三控制端;
所述延迟单元DEL的两端分别接所述第四与非门的B端和所述第五与非门的A端。
优选的,当所述第一控制端、第二控制端和第三控制端置1或0。
本发明的有益效果是:本发明通过有效的结构设计,能应用于不同模式和不同传输频率,使一个ONFI控制器可以兼容多种ONFI模式和多种频率。
附图说明
图1是本发明的基于ONFI的DLL单元电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
请参阅图1,本发明的基于ONFI的DLL单元电路,包括第一与非门1、第二与非门2、第三与非门3、第四与非门4、第五与非门5、第六与非门6、延迟单元DEL7和反相器8,其中,
第一与非门1的A端接第一控制端ON,B端接第一延迟回路端start_in,输出端接第二延迟回路端start_out。第二与非门2的A端接第一延迟回路端start_in,B端接第二控制端LB,输出端接第三与非门3的B端。第三与非门3的输出端接第四延迟回路端return_out,A端接第六与非门6的输出端。第六与非门6的A端接第四与非门4的输出端,B端接第五与非门5的输出端。第四与非门4的A端接反相器8的输出端,B端接第三延迟回路端return_in。第五与非门5的B端接反相器8的输入端和第三控制端SLOW。延迟单元DEL 7的两端分别接第四与非门4的B端和第五与非门5的A端。
当需要当前延迟单元的延迟时第二控制端LB置0,第一控制端ON置1,相反的,当不需要当前延迟单元的延迟时第二控制端LB置1,第一控制端ON置0。当系统时钟频率较低时,第三控制端SLOW置1,使用延迟单元DEL 7反的,当系统时钟频率较高时,第三控制端SLOW置0,不使用延迟单元DEL 7。
当N级延迟单元被使能时,初始信号被送到第一级DLL单元的第一延迟回路端start_in,过第二延迟回路端start_out传递到下一级DLL单元的第一延迟回路端start_in,直到最后一级被使能的DLL单元,在最后一级被使能的DLL单元后面就是作为延迟回环的单元,延迟回环单元通过第二与非门2把第一延迟回路端start_in信号传递到最后一级被使能的DLL单元的第三延迟回路端return_in,再把延迟信号由前级所有被使能的DLL单元传递到第一级DLL单元的第四延迟回路端return_out。这样,就构成了N级延迟的电路,实现了N级DLL单元的延迟。
其次,在每一个DLL单元内,无论是被使能还是被回环,DLL单元内的NAND(与非门)都为偶数,这样,无论经过多少级延迟单元延迟信号就保持了相同极性,也就降低了设计的难度。最后,DLL单元的级数可以根据工艺的不同来作选择,只要保证整个DLL的延迟能覆盖不同频率的要求。
以上实施例仅供说明本发明之用,而非对本发明的限制,有关技术领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以作出各种变换或变型,因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴,应由各权利要求所限定。
Claims (2)
1.一种基于ONFI的DLL单元电路,其特征在于,包括第一与非门、第二与非门、第三与非门、第四与非门、第五与非门、第六与非门、反相器和延迟单元DEL,其中,
所述第一与非门的A端接第一控制端,B端接第一延迟回路端,输出端接第二延迟回路端;
所述第二与非门的A端接第一延迟回路端,B端接第二控制端,输出端接所述第三与非门的B端;
所述第三与非门的输出端接第四延迟回路端,A端接所述第六与非门的输出端;
所述第六与非门的A端接所述第四与非门的输出端,B端接所述第五与非门的输出端;
所述第四与非门的A端接所述反相器的输出端,B端接第三延迟回路端;
所述第五与非门的B端接所述反相器的输入端和第三控制端;
所述延迟单元DEL的两端分别接所述第四与非门的B端和所述第五与非门的A端。
2.根据权利要求1所述的基于ONFI的DLL单元电路,其特征在于,当所述第一控制端、第二控制端和第三控制端置1或0。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811641418.5A CN109495105A (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种基于onfi的dll单元电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201811641418.5A CN109495105A (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种基于onfi的dll单元电路 |
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---|---|
CN109495105A true CN109495105A (zh) | 2019-03-19 |
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---|---|---|---|
CN201811641418.5A Pending CN109495105A (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种基于onfi的dll单元电路 |
Country Status (1)
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CN (1) | CN109495105A (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040217795A1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-04 | Ji-Eun Jang | Delay adjusting apparatus providing different delay times by producing a plurality of delay control signals |
KR20060011606A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 계층적 딜레이 제어 구조를 가진 디지털 지연고정루프 |
US20070008023A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Jinn-Shyan Wang | Differential-type delay cell circuit |
US20070132497A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Delay cells and delay line circuits having the same |
EP2131495A1 (fr) * | 2008-06-06 | 2009-12-09 | Tiempo | Circuit asynchrone insensible aux délais avec circuit d'insertion de délai |
US20100321064A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Qualcomm Incorporated | Combinatorial circuit with shorter delay when inputs arrive sequentially and delta sigma modulator using the combinatorial circuit |
CN102664623A (zh) * | 2012-05-09 | 2012-09-12 | 龙芯中科技术有限公司 | 数字延迟装置 |
US20160241224A1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Silicon Motion, Inc. | Digital delay unit and signal delay circuit |
CN105897251A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-08-24 | 西安矽源半导体有限公司 | 一种数字信号隔离器及其方法 |
CN106374916A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-02-01 | 成都信息工程大学 | 时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法 |
CN209072458U (zh) * | 2018-12-29 | 2019-07-05 | 灿芯半导体(上海)有限公司 | 一种基于onfi的dll单元电路 |
-
2018
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040217795A1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-04 | Ji-Eun Jang | Delay adjusting apparatus providing different delay times by producing a plurality of delay control signals |
KR20060011606A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 계층적 딜레이 제어 구조를 가진 디지털 지연고정루프 |
US20070008023A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Jinn-Shyan Wang | Differential-type delay cell circuit |
US20070132497A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Delay cells and delay line circuits having the same |
EP2131495A1 (fr) * | 2008-06-06 | 2009-12-09 | Tiempo | Circuit asynchrone insensible aux délais avec circuit d'insertion de délai |
US20100321064A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Qualcomm Incorporated | Combinatorial circuit with shorter delay when inputs arrive sequentially and delta sigma modulator using the combinatorial circuit |
CN102664623A (zh) * | 2012-05-09 | 2012-09-12 | 龙芯中科技术有限公司 | 数字延迟装置 |
US20160241224A1 (en) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Silicon Motion, Inc. | Digital delay unit and signal delay circuit |
CN105897251A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-08-24 | 西安矽源半导体有限公司 | 一种数字信号隔离器及其方法 |
CN106374916A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-02-01 | 成都信息工程大学 | 时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法 |
CN209072458U (zh) * | 2018-12-29 | 2019-07-05 | 灿芯半导体(上海)有限公司 | 一种基于onfi的dll单元电路 |
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