CN109484029A - 液体喷出头、液体喷出装置、压电设备以及超声波传感器 - Google Patents

液体喷出头、液体喷出装置、压电设备以及超声波传感器 Download PDF

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Abstract

本发明提供液体喷出头、液体喷出装置、压电设备以及超声波传感器。即使在于高温下对压电元件进行烧成的情况下，也能够抑制振动板与压电元件的剥离。振动板(36)包括氮氧化硅层361。氮氧化硅层(361)为以含有氮氧化硅的方式而形成的层。氧的含量越多则氮氧化硅层(361)的线膨胀系数越减小，而氮的含量越多则氮氧化硅层(361)的线膨胀系数越增大。氮氧化硅层(361)的线膨胀系数大于氧化硅的线膨胀系数＝0.5×10‑6/K，并且接近于第一电极(51)的线膨胀系数＝8.9×10‑6/K。因此，与在振动板(36)的材料中采用氧化硅的情况相比，通过使用包含氮氧化硅层(361)的振动板(36)，从而即使在于高温条件下烧成压电元件(38)的情况下，也能够抑制压电元件(38)与振动板(36)的剥离。

Description

液体喷出头、液体喷出装置、压电设备以及超声波传感器
技术领域
本发明例如涉及一种适合被利用于液体喷出头中的压电设备的结构。
背景技术
一直以来，提出了一种液体喷出头，所述液体喷出头通过由压电元件来使形成压力室的壁面的振动板进行振动，从而从喷嘴喷出压力室内的液体。压电元件包括通过烧成而结晶化的压电体层。在例如专利文献1中，公开了一种具有通过层压多晶硅层、氧化硅层及氮化硅层而被形成的振动板的液体喷出头。
然而，在专利文献1的结构中，由于将压电体层设为致密的结晶体，因此当在高温下烧成压电元件时，会变得易于产生压电元件与振动板的剥离。具体而言，由于压电元件所包括的电极的线膨胀系数与振动板的线膨胀系数的差较大，因此当在高温下进行烧成时，在电极与振动板之间会产生较大的热应力，从而由于该热应力，而使得压电元件与振动板变得易于剥离。
专利文献1：日本特开2016-150471号公报
发明内容
考虑到以上的情况，本发明的优选的方式的目的在于，即使在高温下对压电元件进行烧成的情况下，也能够抑制振动板与压电元件的剥离。
方式1
为了解决以上的课题，本发明的优选的方式所涉及的液体喷出头具备收纳液体的压力室、形成所述压力室的壁面的振动板、以及隔着所述振动板而被设置于与所述压力室相反的一侧处并且使所述振动板进行振动的压电元件，所述振动板包括以含有氮氧化硅的方式而被形成的氮氧化硅层。与氧化硅相比，氮氧化硅的线膨胀系数更接近于压电元件的电极的线膨胀系数。因此，在以上的方式中，由于烧成时的膨胀程度在线膨胀系数接近的量上接近，因此热应力减弱，从而能够抑制压电元件与振动板的剥离。此外，氮氧化硅层可以为氮氧化硅、氮化硅、及氧化硅的固溶体。
方式2
在方式1的优选例(方式2)中，所述振动板包括被层压在所述氮氧化硅层上的由氮化硅形成的氮化硅层。氮化硅的杨氏模量高于氮氧化硅的杨氏模量。而且，振动板的材料力学的中立面(以下仅称为“中立面”)的位置及杨氏模量根据振动板所具有的多个层的各层的杨氏模量及厚度来决定。因此，在以上的方式中，通过对杨氏模量较高的氮化硅层与杨氏模量较低的氮氧化硅层进行组合，并且调节多个层的各层的厚度，从而能够适当地对中立面的位置及杨氏模量进行设定。因此，液体喷出装置的设计者能够容易地实施振动板的中立面的位置及杨氏模量的调节。
方式3
在方式2的优选例(方式3)中，所述氮氧化硅层被层压在由多晶硅形成的多晶硅层与所述氮化硅层之间。在以上的方式中，通过对多晶硅层所产生的压缩应力、与氮化硅层所产生的拉伸应力进行组合，从而液体喷出头的设计者能够容易地实施振动板内的残留应力的调节。
方式4
在方式1至方式3中任一项的优选例(方式4)中，所述振动板包括位于所述压电元件侧的最表层的紧贴层，所述紧贴层被形成于氮氧化硅层的表面上，所述氮氧化硅层以含有所述振动板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。在以上的方式中，对于具有紧贴层的振动板来说，即使在于高温下烧成压电元件的情况下，也能够抑制压电元件与振动板的剥离。
方式5
在方式1至方式3中任一项的优选例(方式5)中，所述压电元件被形成于氮氧化硅层的表面，所述氮氧化硅层以含有所述振动板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。紧贴层有时会在烧成时氧化而扩散到压电元件的电极中，从而无法进行观测。在以上的方式中，即使在紧贴层扩散到电极中从而无法进行观测的情况下，也能够抑制压电元件与振动板的剥离。
方式6
在方式1至方式5中任一项的优选例(方式6)中，所述氮氧化硅层的线膨胀系数在1.0×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下。如果在上述的数值范围内，则氮氧化硅层的线膨胀系数与氧化硅的线膨胀系数相比更接近于压电元件的电极的线膨胀系数。因此，与在振动板的材料中采用氧化硅的情况相比，即使在于高温下烧成压电元件的情况下，以上的方式的振动板也能够抑制振动板与压电元件的剥离。
方式7
在方式1至方式5中任一项的优选例(方式7)中，所述氮氧化硅层的线膨胀系数在1.5×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下。如果在上述的数值范围内，则氮氧化硅层的线膨胀系数与方式6中的氮氧化硅层的线膨胀系数相比更接近于压电元件的电极的线膨胀系数。因此，与方式6中的液体喷出头相比，即使在于高温下烧成压电元件的情况下，以上的方式的振动板也能够抑制振动板与压电元件的剥离。
方式8
在方式1至方式5中任一项的优选例(方式8)中，所述氮氧化硅层所含有的氮的质量相对于氧与所述氮的总计质量的比例在20％以上且在90％以下。虽然，当将氮设为0％、换言之将氧设为100％时，可以获得与压电元件的电极之间的紧贴力，但是杨氏模量会变低，从而为了确保成为目标的位移量，不得不使振动板变厚，作为弹性板的功能就会下降。另一方面，虽然由于当将氮设为100％时，杨氏模量会变高，从而能够使振动板变薄，因此作为弹性板的功能会提高，但这样会使与压电元件的电极之间的紧贴力变弱。因此，由于像以上的方式那样，通过将氮的质量的比例设为在20％以上且在90％以下，从而方式8中的振动板在获得与压电元件的电极之间的紧贴力的同时使杨氏模量提高，从而能够在削减振动板的厚度的同时，充分地确保振动板的位移量，因此，能够提高作为弹性板的功能。
方式9
本发明的优选的方式(方式9)所涉及的液体喷出装置具备以上所例示的任意方式所涉及的液体喷出头。虽然液体喷出装置的优选例为喷出油墨的印刷装置，但是本发明所涉及的液体喷出装置的用途并不被限定于印刷。
方式10
本发明的优选的方式(方式10)所涉及的压电设备具备：振动板，其形成压力室的壁面；压电元件，其隔着所述振动板而被设置于与所述压力室相反的一侧处，并且使所述振动板进行振动，所述振动板具有以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅层。与氧化硅相比，氮化硅的线膨胀系数更接近于压电元件的电极的线膨胀系数。因此，在以上的方式中，由于烧成时的膨胀程度在线膨胀系数接近的量上接近，因此热应力减弱，从而能够抑制压电元件与振动板的剥离。
方式11
本发明的优选的方式(方式10)所涉及的超声波传感器具备方式10所例示的压电设备。根据以上的方式，能够提供一种可抑制压电元件与振动板的剥离的超声波传感器。
附图说明
图1为对本发明的实施方式所涉及的液体喷出装置进行例示的结构图。
图2为液体喷出头的分解立体图。
图3为图2中的III-III线的剖视图。
图4为多个压电设备的俯视图。
图5为图4中的V-V线的剖视图。
图6为以图4的V-V线将实施例1中的振动板切断时的剖视图。
图7为以图4的V-V线将实施例2中的振动板切断时的剖视图。
图8为以图4的V-V线将实施例3中的振动板切断时的剖视图。
图9为以图4的V-V线将比较例中的振动板切断时的剖视图。
图10为表示实施例1、实施例2、实施例3及比较例的评价一览表的图。
图11为表示具备超声波传感器的超声波诊断装置的一个示例的外观图。
图12为超声波传感器中的压电设备的俯视图。
图13为超声波传感器中的压电设备的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来对用于实施本发明的方式进行说明。然而，在各图中，会适当地使各部分的尺寸及比例尺与实际情况有所不同。此外，虽然由于以下所叙述的实施方式为本发明的优选的具体例，而附加有技术上优选的各种限定，但在以下的说明中只要没有特别对本发明进行限定的记载，则本发明的范围并不被限定于这些方式中。
实施方式
图1为对本发明的实施方式所涉及的液体喷出装置100进行例示的结构图。第一实施方式的液体喷出装置100为向介质(喷出对象)12喷出作为液体的例示的油墨的喷墨方式的印刷装置。虽然介质12典型而言为印刷纸张，但是树脂薄膜或布帛等的任意材质的印刷对象也可以作为介质12而被利用。如图1所例示的那样，在液体喷出装置100中设置有贮留油墨的液体容器14。例如，相对于液体喷出装置100可拆装的盒(cartridge)、由挠性的薄膜形成的袋状墨包、或能够补充油墨的油墨罐作为液体容器14而被利用。
如图1所例示的那样，液体喷出装置100具备控制单元20、输送机构22、移动机构24和液体喷出头26。控制单元20例如包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)或FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程逻辑门阵列)等的处理电路以及半导体存储器等的存储电路，从而综合性地对液体喷出装置100的各要素进行控制。输送机构22基于控制单元20的控制而在Y方向(Y1、Y2)上对介质12进行输送。
移动机构24基于控制单元20的控制而使液体喷出头26在X方向(X1、X2)往复。X方向是与介质12被输送的Y方向交叉(典型地为正交)的方向。第一实施方式的移动机构24具备收纳液体喷出头26的大致箱型的输送体242(滑架)、以及固定有输送体242的输送带244。另外，也可以采用将多个液体喷出头26搭载于输送体242上的结构、或将液体容器14与液体喷出头26一起搭载于输送体242上的结构。
液体喷出头26基于控制单元20的控制而将从液体容器14供给的油墨从多个喷嘴(喷出孔)向介质12喷出。各液体喷出头26通过以与由输送机构22进行的介质12的输送和输送体242的反复往复并行的方式向介质12喷出油墨，从而在介质12的表面上形成所需的图像。
图2为液体喷出头26的分解立体图，图3为图2中的III-III线的剖视图(与X-Z平面平行的剖面)。如图2所例示的那样，以下，将与X-Y平面(例如与介质12的表面平行的平面)垂直的方向标记为Z方向(Z1、Z2)。由各液体喷出头26所实施的油墨的喷出方向(典型地为铅直方向)相当于Z方向。另外，在以下的说明中，将X方向的一方侧标记为“X1侧”，并且将其另一方侧标记为“X2侧”。同样地，将Y方向的一方侧标记为“Y1侧”，并且将其另一方侧标记为“Y2侧”，将Z方向的一方侧标记为“Z1侧”，并且将其另一方侧标记为“Z2侧”。
如图2及图3所例示的那样，液体喷出头26在Y方向上具备狭长的大致矩形状的流道基板32。在流道基板32中的Z方向上的Z2侧的面上，设置有压力室基板34、振动板36、多个压电元件38、框体部42以及密封体44。另一方面，在流道基板32中的Z方向上的Z1侧的面上，设置有喷嘴板46和吸振体48。液体喷出头26的各要素示意性地为与流道基板32同样在Y方向上狭长的板状部件，例如利用粘合剂而相互被接合。
如图2所例示的那样，喷嘴板46为形成有在Y方向上排列的多个喷嘴N的板状部件。各喷嘴N为油墨所通过的贯通孔。另外，流道基板32和压力室基板34以及喷嘴板46例如通过由蚀刻等的半导体制造技术而对硅(Si)的单晶基板进行加工而被形成。然而，液体喷出头26的各要素的材料或制造方法是任意的。Y方向也可以换言为多个喷嘴N所排列的方向。
流道基板32为用于形成油墨的流道的板状部件。如图2及图3所例示的那样，在流道基板32上形成有开口部322、供给流道324和连通流道326。开口部322为，以跨及多个喷嘴N而连续的方式而被形成为在俯视观察时(即在从Z方向进行观察时)沿着Y方向的长条状的贯通孔。另一方面，供给流道324及连通流道326为针对每个喷嘴N而独立地形成的贯通孔。此外，如图3所例示的那样，在流道基板32中的Z方向上的Z1侧的表面，形成有跨及多个供给流道324的中继流道328。中继流道328为使开口部322与多个供给流道324连通的流道。
框体部42例如为通过树脂材料的注塑成型而被制造出的结构体，并且被固定于流道基板32中的Z方向上的Z2侧的表面上。如图3所例示的那样，在框体部42中形成有收纳部422和导入口424。收纳部422为与流道基板32的开口部322对应的外形的凹部，导入口424为与收纳部422连通的贯通孔。如根据图3所理解的那样，使流道基板32的开口部322与框体部42的收纳部422相互连通的空间作为液体贮留室(贮液器)R而发挥功能。从液体容器14被供给且通过了导入口424的油墨被贮留在液体贮留室R中。
吸振体48为用于吸收液体贮留室R内的压力变动的要素，例如被形成为包括能够进行弹性变形的挠性薄片部件(可塑性基板)。具体而言，在流道基板32中的Z方向上的Z1侧的表面上设置有吸振体48，以封闭流道基板32的开口部322、中继流道328以及多个供给流道324，从而形成液体贮留室R的底面。
如图2及图3所例示的那样，压力室基板34为形成有对应于相互不同的喷嘴N的多个压力室C的板状部件。多个压力室C沿Y方向进行排列。各压力室C(空腔)为，在俯视观察时沿着X方向的长条状的开口部。X方向上的X1侧的压力室C的端部在俯视观察时与流道基板32的一个供给流道324重叠，X方向上的X2侧的压力室C的端部在俯视观察时与流道基板32的一个连通流道326重叠。
在压力室基板34中的与流道基板32相反一侧的表面上设置有振动板36。振动板36为能够弹性变形的板状部件。另外，也可以通过对于预定的板厚的板状部件中的与压力室C对应的区域，选择性地去除板厚方向的一部分，从而将压力室基板34与振动板36的一部分或全部形成为一体。
如根据图3所理解的那样，流道基板32与振动板36在各压力室C的内侧处以相互隔开间隔的方式而对置。压力室C为，位于流道基板32与振动板36之间且用于向被填充于该压力室C内的油墨施加压力的空间。被贮留在液体贮留室R中的油墨从中继流道328分支到各供给流道324，从而并列地被供给及填充至多个压力室C中。如根据以上的说明所理解的那样，振动板36形成压力室C的壁面(具体而言，作为压力室C的一个面的上表面)。
如图2及图3所例示的那样，在振动板36中的与压力室C相反一侧的表面上，设置有与互不相同的喷嘴N(或压力室C)对应的多个压电元件38。各压电元件38为通过驱动信号的供给而变形的致动器，并且在俯视观察时所述各压电元件38被形成为沿着X方向的长条状。多个压电元件38以对应于多个压力室C的方式而在Y方向上进行排列。当振动板36与压电元件38的变形联动地进行振动时，通过压力室C内的压力变动，从而填充于压力室C中的油墨会通过连通流道326和喷嘴N而被喷出。
图2及图3的密封体44为，对多个压电元件38进行保护并且加强压力室基板34及振动板36的机械强度的结构体，并且例如通过粘合剂而被固定于振动板36的表面上。在密封体44中的与振动板36对置的面上形成的凹部的内侧处，收纳有多个压电元件38。
如图3所例示的那样，在振动板36的表面(或压力室基板34的表面)上，例如接合有配线基板50。配线基板50为，形成有用于将控制单元20或电源电路(省略图示)与液体喷出头26进行电连接的多根配线(省略图示)的安装部件。优选采用例如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷基板)或FFC(Flexible Flat Cable：柔性扁平电缆)等的挠性配线基板50。用于驱动压电元件38的驱动信号从配线基板50而被供给向各压电元件38。
各压电元件38的具体结构将在以下进行详细叙述。图4为多个压电元件38的俯视图。另外，在图4中，也方便地图示出了位于任意一个要素的进深侧的要素的外周边缘(本来被隐藏在近前侧的要素中的部位)。此外，图5为图4中的V-V线的剖视图(沿着压电元件38的长度方向的剖面)。在此，虽然振动板36具有多个层，但是，在图5中，为了避免附图的繁杂化，而省略振动板36内的多个层。
如图4及图5所例示的那样，压电元件38通过第一电极51、压电体层52、第二电极53、保护层54以及第一配线55的层压而被形成。另外，在本说明书中“层压有要素A与要素B”这样的表述并未被限定于要素A与要素B直接接触的结构。也就是说，在要素A与要素B之间存在其他要素C的结构也被包含在“层压有要素A与要素B”这样的概念中。此外，“要素B被形成于要素A的面上”这样的表述也同样地未被限定于要素A与要素B直接接触的结构。也就是说，即使是要素C被形成于要素A的表面且要素B被形成于要素C的表面的结构，只要是要素A与要素B的至少一部分在俯视观察时重叠的结构，则也被包含在“要素B被形成于要素A的面上”这样的概念中。
第一电极51被形成于振动板36的面上。具体而言，第一电极51为，以跨及多个压电元件38(或多个压力室C)而连续的方式在Y方向上延伸的带状共用电极。在第一电极51的Y方向上的端部处，例如从配线基板50被施加有预定的基准电压Vbs。
如图4及图5所例示的那样，在从压力室C的X1侧的端部c1进行观察时，第一电极51中的X方向上的X1侧的端部(周边缘)Ea1位于X2侧处。也就是说，各压力室C的端部c1位于形成有第一电极51的范围的外侧处。
压电体层52被形成于第一电极51的面上。针对每个压电元件38(或每个压力室C)，压电体层52被独立地形成，并且在以俯视观察时与压力室C重叠。也就是说，在X方向上狭长的多个压电体层52以相互隔开间隔的方式而在Y方向上进行排列。压电体层52的材料或制造方法是任意的。例如，可以通过如下方式进行烧成从而形成压电体层52，即，通过溅射法等的公知的成膜技术来形成锆钛酸铅等的压电材料的薄膜，并且通过光刻法等的公知的加工技术来选择性地去除该薄膜。
如图4及图5所例示的那样，在从第一电极51的端部Ea1进行观察时，压电体层52的X方向上的X1侧的端部Eb1位于X方向上的X2侧处。如图4及图5所例示的那样，各压电体层52位于形成有第一电极51的范围的内侧处。
第二电极53被形成于压电体层52的面上。第二电极53为，针对每个压电元件38(或每个压力室C)而被独立形成的独立电极。具体而言，在X方向上延伸的多个第二电极53以相互隔开间隔的方式而在Y方向上排列。第二电极53的材料或制造方法是任意的。例如，可以通过如下方式形成第二电极53，即，通过溅射法等的公知的成膜技术来形成铂(Pt)或铱(Ir)等的导电材料的薄膜，并且通过光刻法等的公知的加工技术来选择性地去除该薄膜。第二电极53位于形成有压电体层52的范围的内侧处。
在从压电体层52的端部Eb1进行观察时，第二电极53中的X方向上的X1侧的端部Ec1位于X方向上的X2侧处。此外，第二电极53在Y方向上也位于压电体层52的内侧处。如根据以上的说明所理解的那样，第二电极53位于形成有压电体层52的范围的内侧处。
本实施方式的压电元件38采用如图5所示的单晶型。压电元件38针对每个压力室C(或每个喷嘴N)而被独立地形成。在X方向上狭长的多个压电元件38以相互隔开间隔的方式而在Y方向上进行排列。压电体层52中的由第一电极51与第二电极53夹持的部分(所谓的有源部)会根据被施加于第一电极51的基准电压Vbs与被供给至第二电极53的驱动信号Vdr的电压差而变形。另外，Z方向也可以换言之为层压有形成压电元件38的多个层的方向。
保护层54为对形成有多个压电元件38的振动板36的表面进行覆盖的绝缘性的覆膜。也就是说，保护层54对第一电极51、压电体层52以及第二电极53进行覆盖。保护层54例如由氧化铝(Al2O3)等的绝缘材料形成。
第一配线55为被形成于保护层54的面上的导电层。第一配线55针对每个压电元件38(或每个压力室C)而被独立地形成。具体而言，在X方向上狭长的多个第一配线55以相互隔开间隔的方式而在Y方向上进行排列。
如图4及图5所例示的那样，第一配线55被形成于压电体层52的端部X1侧处。也就是说，第一配线55在俯视观察时与压电体层52的端部Eb1重叠。具体而言，在从第一电极51的端部Ea1进行观察时，第一配线55中的X方向上的X1侧的端部Ed1位于X方向的X1侧处。如根据以上的说明所理解的那样，第一配线55跨及压电体层52及第二电极53的面上和第一电极51的第二部分S2(未与压电体层52重叠的部分)的面上而连续。另外，虽然在图4中，对第一配线55的宽度大于压电体层52的宽度的结构进行了例示，但是第一配线55的配线宽度是任意的。
第一配线55中的位于压电体层52的面上的端部Ed2侧的部分经由形成于保护层54中的接触孔H1而与第二电极53电连接。此外，在从压电体层52的端部Eb1进行观察时第一配线55中的X方向上的X1侧的部分在俯视观察时以隔着保护层54的方式而与第一电极51的第二部分S2重叠。因此，第一配线55(进而第二电极53)与第一电极51电绝缘。第一配线55中的端部Ed1侧的部分与配线基板50的配线电连接。在以上的结构中，从配线基板50被供给至第一配线55的驱动信号Vdr经由第一配线55而被供给至第二电极53。
第一配线55通过选择性地去除共用的导电层(单层或多个层)而被整体形成。因此，第一配线55通过共用的导电材料而被形成为大致相同的膜厚。例如，第一配线55通过如下方式而被整体形成，即，通过溅射法等的公知的成膜技术来形成金等的低电阻的金属的导电层，并且通过光刻法等的公知的加工技术来选择性地去除该导电层。第一配线55的膜厚比第二电极53的膜厚要厚。例如，为了不过度抑制压电体层52的变形，第二电极53被形成为足够薄的膜厚。另一方面，关于第一配线55，为了充分地减小配线电阻而确保了相应的膜厚。
实施例及比较例
以下，对着眼于振动板36的详细结构的实施例(实施例1～3)进行说明。在图6～图9所例示的实施例1～3中，振动板36的层压结构(具体而言，层压数量或各层的材料)不同。此外，在图9中，图示了应当与实施例进行比较的比较例的结构。实施例1、实施例2、实施例3中的振动板36含有氮氧化硅，与此相对，比较例中的振动板36并不含有氮氧化硅。在实施例1、实施例2、实施例3及比较例中，使第一电极51及第二电极53的材料为铂。此外，在图10中示出了实施例1、实施例2、实施例3及比较例的评价一览表。图10所示的表200示出了对于实施例1、实施例2、实施例3及比较例的各自的振动板36的弹性板功能、紧贴力、制造容易程度以及残留应力控制这样的各评价项目的评价结果。表200中所示的双线圆圈表示实施例1、
实施例2、实施例3及比较例中的最好的评价，单线圆圈表示次于双线圆圈的良好的评价，三角表示最差的评价。此外，由于杨氏模量越高，则能够使振动板36越更薄，因此振动板36的杨氏模量越高，则弹性板功能越成为良好的评价。振动板36内的Z2侧的层的线膨胀系数越接近于第一电极51的线膨胀系数，则紧贴力越成为良好的评价。振动板36越容易制造，则制造容易程度越成为良好的评价。振动板36内产生的残留应力越易于调节，则残留应力控制越成为良好的评价。
此外，在实施例1、实施例2以及实施例3中的振动板36中，示出了振动板36的中立面位于第一电极51内这样的振动板36的各层的厚度。在此，中立面为拉伸应力及压缩应力均未产生的假想面。例如，当中立面位于压电体层52内时，在压电体层52在X方向上收缩时，会在与中立面相比靠Z1侧处产生拉伸应力。而且，产生的拉伸应力与压电体层52的收缩的力会相抵消，从而位移效率会变差。因此，优选为，振动板36的中立面位于第一电极51内。
实施例1
图6为以图4的V-V线将实施例1中的振动板36切断时的剖视图。在图6中，为了避免附图的繁杂化，从而省略了第一配线55及接触孔H1的描绘。
实施例1中的振动板36以从压力室C侧依次层压有硅热氧化层365、氮氧化硅层361以及紧贴层364的方式而形成。此外，在压力室C的壁面(具体而言，振动板36的下表面及压力室基板34的内壁面)上，层压有油墨保护层341。保护层54、第二电极53、压电体层52、第一电极51及形成振动板36的多个层、以及油墨保护层341的各自的杨氏模量及厚度可以被应用于中立面的计算中。
保护层54的厚度例如为30nm。第二电极53的膜厚例如为50nm。压电体层52的膜厚例如为1000nm。第一电极51的膜厚例如为200nm。紧贴层364被形成于氮氧化硅层361的表面上。紧贴层364例如由钛(Ti)通过压电元件38的烧成而氧化的氧化钛(TiO2)来形成。紧贴层364的厚度例如为30nm。
氮氧化硅层361为以含有氮氧化硅的方式而被形成的层。或者，氮氧化硅层361也可以为氮氧化硅、氮化硅(Si3N4)以及氧化硅(SiO2)的固溶体。并不存在该固溶体仅由氮化硅构成的情况，此外，也不存在仅由氧化硅构成的情况。氮氧化硅层361的厚度例如为300nm。硅热氧化层365为由对硅实施热氧化处理而获得的氧化硅形成的层。硅热氧化层365的厚度例如为500nm。油墨保护层341例如为由氧化钽形成的层。油墨保护层341的厚度例如为50nm。
实施例2
图7为以图4的V-V线将实施例2中的振动板36切断时的剖视图。在图7中，为了避免附图的繁杂化，从而省略了第一配线55及接触孔H1的描绘。实施例2中的振动板36以从压力室C侧依次层压有硅热氧化层365、第一氮化硅层362-1、第一氮氧化硅层361-1、第二氮化硅层362-2、第二氮氧化硅层361-2以及紧贴层364的方式而形成。此外，在压力室C的壁面(具体而言，振动板36的下表面及压力室基板34的内壁面)上，层压有油墨保护层341。保护层54、第二电极53、压电体层52、第一电极51及形成振动板36的多个层以及油墨保护层341的各自的杨氏模量及厚度可以被应用于中立面的计算中。
在以下的说明中，存在如下情况：在对同种要素进行区分的情况下，以“第一氮化硅层362-1”、“第二氮化硅层362-2”的方式来使用参照符号，在并不对同种要素进行区分而统称的情况下，仅以“氮化硅层362”的方式来使用参照符号中的共用编号。
保护层54的厚度例如为30nm。第二电极53的膜厚例如为80nm。压电体层52的膜厚例如为1200nm。第一电极51的膜厚例如为160nm。紧贴层364的厚度例如为30nm。
第二氮氧化硅层361-2的厚度例如为200nm。氮化硅层362为由氮化硅形成的层。第二氮化硅层362-2的厚度例如为150nm。第一氮氧化硅层361-1的厚度例如为200nm。第一氮化硅层362-1的厚度例如为150nm。硅热氧化层365的厚度例如为300nm。油墨保护层341的厚度例如为50nm。
实施例2中的振动板36包括被层压于第二氮氧化硅层361-2上的第二氮化硅层362-2、以及被层压于第一氮氧化硅层361-1上的第一氮化硅层362-1。因此，液体喷出装置100的设计者能够通过调节杨氏模量较低的氮氧化硅层361、及杨氏模量较高的氮化硅层362的厚度，从而适当地对振动板36的中立面的位置及杨氏模量进行设定。
实施例3
图8为以图4的V-V线将实施例3中的振动板36切断时的剖视图。在图8中，为了避免附图的繁杂化，从而省略了第一配线55及接触孔H1的描绘。实施例3中的振动板36以从压力室C侧依次层压有硅热氧化层365、第一多晶硅层363-1、第一氮氧化硅层361-1、第一氮化硅层362-1、第二氮氧化硅层361-2、第二氮化硅层362-2、第三氮氧化硅层361-3、第二多晶硅层363-2、第四氮氧化硅层361-4以及紧贴层364的方式而形成。此外，在压力室C的壁面(具体而言，振动板36的下表面及压力室基板34的内壁面)上，层压有油墨保护层341。保护层54、第二电极53、压电体层52、第一电极51及形成振动板36的多个层以及油墨保护层341的各自的杨氏模量及厚度可以被应用于中立面的计算中。
保护层54的厚度例如为30nm。第二电极53的膜厚例如为80nm。压电体层52的膜厚例如为1200nm。第一电极51的膜厚例如为180nm。紧贴层364的厚度例如为30nm。
第四氮氧化硅层361-4的厚度例如为200nm。多晶硅层363为由多晶硅形成的层。第二多晶硅层363-2的厚度例如为100nm。第三氮氧化硅层361-3的厚度例如为50nm。第二氮化硅层362-2的厚度例如为100nm。第二氮氧化硅层361-2的厚度例如为50nm。第一氮化硅层362-1的厚度例如为100nm。第一氮氧化硅层361-1的厚度例如为50nm。第一多晶硅层363-1的厚度例如为100nm。硅热氧化层365的厚度例如为300nm。油墨保护层341的厚度例如为50nm。
在实施例3中的振动板36中，第一氮氧化硅层361-1被层压于第一多晶硅层363-1与第一氮化硅层362-1之间，第三氮氧化硅层361-3被层压于第二多晶硅层363-2与第二氮化硅层362-2之间。液体喷出装置100的设计者通过对多晶硅层363所产生的压缩应力、和氮化硅层362所产生的拉伸应力进行组合，从而能够容易地实施振动板36内的残留应力的调节。
比较例
图9为以图4的V-V线将比较例中的振动板36切断时的剖视图。在图9中，为了避免附图的繁杂化，从而省略了第一配线55及接触孔H1的描绘。比较例中的振动板36由紧贴层364、氧化硅层366、多晶硅层363、氮化硅层362、以及硅热氧化层365而形成。更加具体而言，比较例中的振动板36以从压力室C侧依次层压有硅热氧化层365、第一多晶硅层363-1、第一氧化硅层366-1、第一氮化硅层362-1、第二氧化硅层366-2、第二氮化硅层362-2、第三氧化硅层366-3、第二多晶硅层363-2、第四氧化硅层366-4、以及紧贴层364的方式而形成。
实施例1、实施例2、实施例3以及比较例的评价项目
关于弹性板功能，如表200所示，与比较例中的振动板36相比，由于实施例1、实施例2以及实施例3中的振动板36含有与氧化硅相比杨氏模量较大的氮氧化硅，因此能够形成硬且薄的弹性板。
关于紧贴力，对实施例1、实施例2以及实施例3中的振动板36而言，在表面形成有紧贴层364的氮氧化硅层361的线膨胀系数大于比较例中的氧化硅的线膨胀系数。因此，如表200所示，与比较例中的振动板36相比，实施例1、实施例2以及实施例3中的振动板36的紧贴力较大，从而能够抑制振动板36与压电元件38的剥离。
关于制造容易程度，由于实施例1中的振动板36层数最少，因此最容易制造。更加具体而言，与振动板36的硅热氧化层365相比靠Z2侧的各层通过CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法而成形。例如，RF(Radio Frequency：射频)等离子CVD装置可以被利用于氮氧化硅层361的形成。通过控制原料气体相对于RF等离子CVD装置的成膜室的流量，从而能够形成所需的组成及所需的膜厚的氮氧化硅层361。SiH4、N2O、N2、O2等优选被利用于形成氮氧化硅层361的情况下的原料气体中。在CVD法中，如上文所述，供给含有各层的成分的原料气体。而且，由于层数越少则切换原料气体的次数越少，因此，实施例1中的振动板36最容易制造。
关于残留应力控制，能够通过对第一多晶硅层363-1所产生的压缩应力、和第一氮化硅层362-1所产生的拉伸应力进行组合，从而容易地对实施例3中的振动板36进行残留应力的调节。实施例3中的振动板36以第二氮氧化硅层361-2为中心轴，各层以线对称的方式被层压。具体而言，第一氮化硅层362-1以及第二氮化硅层362-2、第一氮氧化硅层361-1以及第三氮氧化硅层361-3、及第一多晶硅层363-1以及第二多晶硅层363-2以第二氮氧化硅层361-2为中心轴，并以线对称的方式被层压。通过使各层以线对称的方式被层压，从而液体喷出装置100的设计者能够更加容易地实施振动板36内的残留应力的调节。
对通过以线对称的方式被层压从而更加容易地实施振动板36内的残留应力的调节的情况进行说明。在并未以线对称的方式被层压的情况下，存在如下情况，即，由于各层的线膨胀系数的差而产生压缩应力或拉伸应力这样的残留应力，从而会由于残留应力而产生翘曲或变形等。另一方面，在以线对称的方式被层压的情况下，以对称轴为中心，各自产生相反方向的残留应力，从而残留应力相抵，不易产生翘曲或变形等。
此外，由于实施例2中的振动板36也以第一氮氧化硅层361-1为中心轴，第一氮化硅层362-1及第二氮化硅层362-2以线对称的方式被层压，因此，与实施例1中的振动板36相比，液体喷出装置100的设计者能够更加容易地实施振动板36内的残留应力的调节。
实施方式的效果
如图6、图7以及图8所示，实施例1、实施例2以及实施例3中的振动板36包括氮氧化硅层361。氧的含量越多则氮氧化硅层361的线膨胀系数变得越小，氮的含量越多则氮氧化硅层361的线膨胀系数变得越大。氮氧化硅层361的线膨胀系数大于氧化硅的线膨胀系数＝0.5×10-6/K，并且接近于第一电极51的线膨胀系数＝8.9×10-6/K。因此，与在振动板36的材料中采用氧化硅的情况相比，即使在通过使用包括氮氧化硅层361的振动板36而在高温下烧成压电元件38的情况下，也能够抑制压电元件38与振动板36的剥离。高温例如在700度至800度之间。
通过在高温下烧成压电元件38，从而能够使压电元件38成为致密的结晶体。通过使压电元件38成为致密的结晶体，从而能够使压电元件38具有高压电特性。压电特性例如为压电元件38相对于某个电压的位移量，高压电特性表示相对于某个电压的位移量较大。
此外，由于通过使压电元件38成为致密的结晶体，能够抑制由于反复的变形而可能产生的裂纹的产生，因此，能够使压电元件38具有较高的可靠性。并且，由于氮氧化硅的杨氏模量成为239GPa，与此相对，氧化硅的杨氏模量成为75GPa，因此能够形成弹性率较高且更薄的振动板36。
此外，如图7及图8所示，在实施例2及实施例3中的振动板36中，包括被层压于氮氧化硅层361上的氮化硅层362。氮氧化硅的杨氏模量为239GPa，与此相对，氮化硅的杨氏模量为300GPa，氮化硅的杨氏模量大于氮氧化硅的杨氏模量。通过将杨氏模量较高的氮化硅层362与杨氏模量较低的氮氧化硅层361进行组合，并且调节各层的厚度，从而能够适当地对中立面的位置及杨氏模量进行设定。因此，液体喷出装置100的设计者能够容易地实施振动板36的中立面的位置及杨氏模量的调节。
此外，如图8所示，实施例3中的振动板36所包括的氮氧化硅层361被层压于多晶硅层363与氮化硅层362之间。通过将多晶硅层363所产生的压缩应力、与氮化硅层362所产生的拉伸应力进行组合，从而液体喷出装置100的设计者能够容易地实施残留应力的调节。
此外，如图6、图7以及图8所示，实施例1、实施例2以及实施例3中的振动板36包括位于振动板36中的压电元件38侧的最表层的紧贴层364，该紧贴层364被形成于氮氧化硅层361的表面上。由此，对于具有紧贴层364的振动板36来说，即使在于高温下烧成压电元件38的情况下，也能够抑制压电元件38与振动板36的剥离。此外，与不使用紧贴层364的情况相比，通过使用紧贴层364，从而能够进一步加强压电元件38与振动板36的紧贴力。在此，当两个层中含有共用的元素时，两个层的紧贴力会变强。因此，通过使紧贴层364为氧化物，从而能够以使紧贴层364与氮氧化硅层361均为氧化物的方式加强紧贴力。
此外，优选为，氮氧化硅层361的线膨胀系数在1.0×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下。如果在上述的数值范围内，则由于氮氧化硅层361的线膨胀系数大于氧化硅的线膨胀系数＝0.5×10-6/K，因此与氧化硅的线膨胀系数相比，所述氮氧化硅层361的线膨胀系数更接近于第一电极51的线膨胀系数＝8.9×10-6/K。因此，与在振动板36的材料中采用氧化硅的情况相比，对于本实施方式中的振动板36来说，即使在于高温下烧成压电元件38的情况下，也能够抑制振动板36与压电元件38的剥离。
此外，更加优选为，氮氧化硅层361的线膨胀系数在1.5×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下。如果氮氧化硅层361的线膨胀系数在1.5×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下，则由于其更接近于第一电极51的线膨胀系数，因此即使在于高温下烧成压电元件38的情况下，也能够进一步抑制振动板36与压电元件38的剥离。
此外，优选为，氮氧化硅层361中所含有的氮的质量相对于氧与氮的总计质量的比例在20％以上且在90％以下。虽然，当将氮设为0％、换言之将氧设为100％时，可以获得与第一电极51之间的紧贴力，但是杨氏模量会变低，从而为了确保成为目标的位移量，不得不使振动板36变厚，作为弹性板的功能就会下降。此外，虽然由于当将氮设为100％时，杨氏模量会变高，能够使振动板36变薄，因此作为弹性板的功能会提高，但会使与第一电极51之间的紧贴力变弱。
由此，由于通过将氮氧化硅层361中所含有的氮的质量的比例设为在20％以上且在90％以下，从而本实施方式所涉及的振动板36在获得与第一电极51之间的紧贴力的同时使杨氏模量增高，从而能够在削减振动板36的厚度的同时，充分地确保振动板36的位移量，因此，能够提高作为弹性板的功能。
此外，对于氮氧化硅层361的线膨胀系数来说，在氮的质量的比例为0％的情况下的线膨胀系数成为0.5×10-6/K，在氮的质量的比例为100％的情况下的线膨胀系数成为2.5×10-6/K。而且，氮的含量越增多，则氮氧化硅层361的线膨胀系数越增大。因此，通过将氮的质量的比例设为在20％以上且在90％以下，从而能够将氮氧化硅层361的线膨胀系数设定在能够抑制振动板36与压电元件38的剥离的数值范围内。
改变例
以上的各方式可以进行多种多样的改变。具体的改变方式将在以下进行例示。从以下的例示中任意选择的两种以上的方式可以在不相互矛盾的范围内进行适当的合并。另外，在以下所例示的改变例中，对于作用或功能与实施方式等同的要素，沿用在以上的说明中所参照的符号，并且适当地省略各自的详细说明。
(1)虽然在前述的各方式中，紧贴层364被形成在氮氧化硅层361的表面，但是，有时紧贴层364会在烧成时氧化而扩散到第一电极51中，从而无法进行观测。因此，在烧成后，可以在不具有紧贴层364的条件下，在氮氧化硅层361的表面上形成第一电极51。从而，即使在紧贴层364扩散到第一电极51中从而无法进行观测的情况下，也能够抑制压电元件38与振动板36的剥离。此外，虽然在前述的各方式中，紧贴层364的材料为氧化钛，但是并不限定于此，也可以为氧化铱或氧化锡。
(2)虽然在前述的各方式中，对跨及多个压电元件38而连续的带状第一电极51进行了例示，但是第一电极51的平面形状并不被限定于以上的例示中。例如，可以针对每个压电元件38而独立地形成第一电极51。在将第一电极51设为独立电极的结构中，压电体层52被形成在形成有第一电极51的范围的内侧。
(3)压力室C或压电元件38的平面形状并不被限定于前述的各方式的例示中。例如，在利用硅(Si)的单晶基板来作为压力室基板34的结构中，实际上会以压力室C的平面形状来反映结晶面。
(4)虽然在前述的各方式中，对使搭载有液体喷出头26的输送体242往复的串行式的液体喷出装置100进行了例示，但是本发明也能够应用于多个喷嘴N跨及介质12的整个宽度而进行分布的行式的液体喷出装置中。
(5)除了专用于印刷的设备之外，在前述的各方式中所例示的液体喷出装置100还可以被用于传真机装置或复印机等的各种设备中。当然，本发明的液体喷出装置的用途并不被限定于印刷。例如，喷出颜色材料的溶液的液体喷出装置可以作为形成液晶显示装置的彩色过滤器的制造装置来进行利用。此外，喷出导电材料的溶液的液体喷出装置可以作为形成配线基板的配线或电极的制造装置来进行利用。
(6)具备在前述的各方式中所例示的压电元件38和振动板36的压电设备不仅能够应用于液体喷出头26中，也能够应用于超声波传感器、超声波换能器、超声波电机、压力传感器或热电传感器等其他的压电设备中。在这样的其他的压电设备中，也能够抑制压电元件与振动板的剥离。以下，使用图11～图13，对将压电设备应用于超声波传感器中的情况进行说明。
图11为表示具备作为压电设备的一种的超声波传感器60的超声波诊断装置81的结构的图。此外，图12为表示超声波传感器60的一个示例的俯视图，图13为超声波传感器60的行方向(图12中的横向)上的主要部分剖视图。虽然在上述各方式中，对通过可动区域位移而从喷嘴喷射作为液体的一种的油墨的结构进行了例示，但是并不限定于此，还可以将本发明应用于像超声波传感器60那样对可动区域的振动(位移)等进行检测的传感器等中。因此，本发明中的空间并不限定于使液体流通的空间。
图11所示的超声波诊断装置81具备装置终端82和超声波探测器83。装置终端82与超声波探测器83通过电缆84而相互连接。装置终端82与超声波探测器83通过电缆84来发送或接收电信号。超声波探测器83具备主体部85、以及以能够拆装的方式而被安装于该主体部85上的探测头86。而且，在探测头86上设置有超声波传感器60。超声波传感器60从表面(图12中所示的面)朝向测量对象发送声波(超声波)，并且通过接收来自测量对象的反射波，来实施到测量对象为止的距离或测量对象的形状等的检测。超声波传感器60被构成为，在基体61上形成有元件阵列62。元件阵列62通过压电元件38的排列来构成。排列被形成为多行多列的矩阵状。如图13所示，压电元件38由第二电极53、第一电极51及压电体层52构成，并且压电体层52被夹入于第二电极53与第一电极51之间。第二电极53作为在各压电元件38中共用的共用电极而发挥功能，第一电极51作为各压电元件38各自的独立电极而发挥功能。另外，第二电极53及第一电极51的功能可以被互换。也就是说，下部电极也可以共用地被设置于矩阵整体的压电元件38上，另一方面，上部电极也可以独立地被设置在各压电元件38上。此外，涉及到元件阵列62的排列，例如，也可以采用如下这样的结构，即，相邻的列的压电元件38在列方向上的位置相互不同的结构。在这种情况下，可以将偶数列的压电元件38组设为以相对于奇数列的压电元件38组而在列方向上偏离行距的二分之一的方式进行配置的结构。
在基体61上，第一端子阵列68a及第二端子阵列68b分别被形成在压电元件38的列方向上的一端侧和另一端侧处，即从元件阵列62脱离的位置。各端子阵列68a、68b分别由被配置在行方向上的两侧处的一对共用电极端子69、以及被配置在两侧的共用电极端子69之间的多个独立电极端子70构成。共用电极端子69与压电元件38的第二电极53导通，独立电极端子70分别与压电元件38的第一电极51导通。在各端子阵列68a、68b上，电连接有未图示的柔性配线基板，所述未图示的柔性配线基板的一端与超声波诊断装置81的未图示的控制电路进行连接。如后述的那样，通过该柔性配线基板来在控制电路与超声波传感器60之间实施驱动信号Vdr及接收信号VR的发送或接收。
如图13所示，基体61具备基板72及振动板36，且基板72及振动板36处于彼此层压的状态。更加具体而言，振动板36在基板72的一个面上被整面地形成。在该基板72上，与各压电元件38各自对应，通过压力室基板34而划分形成有多个压力室C。也就是说，压力室C相对于基板72而被配置为阵列状，并且在邻接的两个压力室C之间配置有压力室基板34。而且，振动板36中的与压力室C的上部开口相对应的部分作为可动区域78而发挥功能。可动区域78为，振动板36中的、对压力室C的一部分(顶面)进行划分并且能够在基板72的厚度方向上振动(位移)的部分。基板72与振动板36被形成为一体。更加具体而言，通过基板72的母材即硅基板的一个面被热氧化而形成氧化硅膜(SiO2)，此外，从该硅基板的另一个面起至氧化硅膜为止实施各向异性蚀刻处理，从而形成压力室C，并且，剩余的氧化硅膜作为振动板36而发挥功能。另外，在振动板36上层压有未图示的绝缘体膜。并且，以在该可动区域78的表面(与压力室C侧的面相反一侧的面)上依次层压有第一电极51、压电体层52及第二电极53的方式而配置有压电元件38。
加强板76通过粘合剂80而被接合在基体61的背面(与振动板36侧相反一侧的面)上。加强板76在超声波传感器60的背面将压力室C关闭。作为该加强板76，例如可以使用硅基板。
在上述超声波传感器60中，在发射超声波的发射期间(振动期间)，控制电路所输出的驱动信号Vdr会经由独立电极端子70而被供给(施加)至各压电元件38的第一电极51。此外，在接收超声波的反射波(回声)的接收期间(振动期间)，来自压电元件38的接收信号VR经由第一电极51及独立电极端子70而被输出。此外，共用电压VCOM经由共用电极端子69而被供给至各压电元件38的第二电极53。该共用电压VCOM为固定直流电压。当向各压电元件38施加驱动信号Vdr与共用电压VCOM的差电压时，从该压电元件38发射预定频率的超声波。而且，从所有压电元件38分别放射的超声波被合成，从而形成从超声波传感器60的元件阵列面放射的超声波。该超声波以朝向测量对象(例如人体的内部)的方式而被发射。此外，在发射了超声波之后，当从测量对象反射来的反射波被输入至压电元件38时，该压电元件38据此而作为检测用振动部进行振动，从而产生电动势。该电动势作为接收信号VR而被输出至控制电路。作为检测用振动部而发挥功能的压电元件组以使时间不同的方式交替实施声波的发射和反射波的接收。
符号说明
100…液体喷出装置；12…介质；14…液体容器；20…控制单元；22…输送机构；24…移动机构；26…液体喷射头；32……流道基板；34…压力室基板；342…去除部；36…振动板；361…氮氧化硅层；362…氮化硅层；363…多晶硅层；364…紧贴层；365…硅热氧化层；366…氧化硅层；38…压电元件；42…框体部；44…密封体；46…喷嘴板；N…喷嘴；48…吸振体；50…配线基板；51…第一电极；52…压电体层；53…第二电极；54…保护层；80…超声波传感器；C…压力室；R…液体贮留室。

Claims (11)

1.一种液体喷出头，具备：
压力室，其收纳液体；
振动板，其形成所述压力室的壁面；
压电元件，其隔着所述振动板而被设置于与所述压力室相反的一侧处，并且使所述振动板进行振动，
所述振动板包括以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅层。
2.如权利要求1所述的液体喷出头，其中，
所述振动板包括被层压在所述氮氧化硅层上的由氮化硅形成的氮化硅层。
3.如权利要求2所述的液体喷出头，其中，
所述氮氧化硅层被层压在由多晶硅形成的多晶硅层、与所述氮化硅层之间。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，
所述振动板包括位于所述压电元件侧的最表层的紧贴层，
所述紧贴层被形成于氮氧化硅层的表面上，所述氮氧化硅层以含有所述振动板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。
5.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，
所述压电元件被形成于氮氧化硅层的表面上，所述氮氧化硅层以含有所述振动板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。
6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的液体喷出头，其中，
所述氮氧化硅层的线膨胀系数在1.0×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下。
7.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的液体喷出头，其中，
所述氮氧化硅层的线膨胀系数在1.5×10-6/K以上且在2.0×10-6/K以下。
8.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的液体喷出头，其中，
所述氮氧化硅层所含有的氮的质量相对于氧与所述氮的总计质量的比例在20％以上且在90％以下。
9.一种液体喷出装置，具备：
权利要求1至权利要求8中任一项的液体喷出头。
10.一种压电设备，具备：
振动板，其形成压力室的壁面；
压电元件，其隔着所述振动板而被设置于与所述压力室相反的一侧处，并且使所述振动板进行振动，
所述振动板具有以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅层。
11.一种超声波传感器，具备：
权利要求10的压电设备。
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