CN109427624B - 基板干燥方法和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，该基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。

Description

基板干燥方法和基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板干燥方法和基板处理装置。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence：场致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，用处理液对半导体晶片等的基板的表面进行处理。对基板一张一张地进行处理的单张式的基板处理装置具备：旋转卡盘，将基板保持为几乎水平，且使该基板旋转；以及喷嘴，用于向由该旋转卡盘旋转的基板的表面供给处理液。
在典型的基板处理工序中，向由旋转卡盘保持的基板供给药液。然后，向基板供给冲洗液，由此，将基板上的药液置换为冲洗液。然后，进行用于从基板上排除冲洗液的旋转干燥工序。在旋转干燥工序中，通过使基板高速旋转，甩掉附着于基板的冲洗液使其去除(干燥)。一般的冲洗液是去离子水。
为了抑制或防止在旋转干燥工序中产生图案倒塌，提出了日本特开2010-199261号公报所示的升华干燥技术。在日本特开2010-199261号公报中，通过向基板的表面供给超低温(约-60℃)的氮气，在基板的表面形成冻结膜。通过在形成冻结膜后，还继续供给超低温的氮气，使基板的表面的冻结膜所含的水成分升华，由此，在基板的表面不产生液相的情况下，使基板的表面干燥。
在日本特开2010-199261号公报的方法中，存在有必要向基板持续供给超低温(约-60℃)的氮气而需要相应的设备，此外，运行成本变得很大的担忧。
本申请的发明人进行了以下研究：将具有升华性且凝固点低的溶剂(作为一例，具有环状结构的氟类有机溶剂(凝固点约20.5℃)、叔丁基醇(凝固点约25℃)等)作为升华剂使用，向基板的表面供给这些液体的升华剂，并且将具有比升华剂的凝固点低的温度的液体作为用于使升华剂的溶剂固化(冻结)的调温用流体向基板的背面供给。具体来说，本申请发明人将具有约5℃～约15℃的液温的冷水作为调温用液体向基板的背面供给。然后，通过向基板的背面供给冷水使升华剂冷却，由此，使具有环状结构的氟类有机溶剂或叔丁基醇等的升华剂固化，从而在基板的表面形成升华剂膜。然后，通过使升华剂膜升华，使基板的表面干燥。
但是，在该方法中存在以下担忧：在基板的背面产生的水雾绕到基板的表面侧，使水混入固化后的升华剂膜中。若水混入升华剂膜中，则存在阻碍升华剂的升华的担忧。不仅如此，由于水在基板的表面液化，因此还存在促进图案倒塌的担忧。即，要求在固化后的升华剂膜中没有混入水。因此，要求一边防止混入水，一边良好地形成固体状的升华剂膜。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于，提供一种基板干燥方法和基板处理装置，能够一边防止混入水，一边良好地形成固体状的升华剂膜，由此，能够良好地实现升华干燥。
本发明提供一种基板干燥方法，使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
根据该方法，在基板的表面配置升华剂的液膜。此外，向基板的背面供给具有比升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体。在基板的表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体。由此，伴随高蒸汽压液体的气化从基板夺走气化热使升华剂的液膜所含的升华剂冷却，使升华剂的液膜固化。由此，能够一边防止混入水，一边良好地形成固体状的升华剂膜。
此外，在升华工序中，伴随升华剂膜的升华夺走升华热，使升华剂膜维持为凝固点(融点)以下。因此，能够防止升华剂膜所含的升华剂融解。由此，能够良好地实现升华干燥。
此外，由于高蒸汽压液体不含水，因此能够向基板的背面整个区域供给高蒸汽压，而与液体基板的背面是否呈现疏水性无关。由此，由于能够在基板的整个区域内进行气化冷却，因此能够在基板的面内使升华剂均匀地冷却。由此，能够使升华剂的液膜所含的升华剂良好地固化。
在本发明的一实施方式中，向所述基板的背面供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。
根据该方法，向基板的背面供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。因此，通过向基板供给高蒸汽压液体，基板的表面上的升华剂不会立即被冷却至该升华剂的凝固点以下。因此，能够将在基板的表面配置升华剂的液膜和向基板供给高蒸汽压液体并行地进行，由此，能够缩短整个处理的期间。
此外，能够以比较高的液温使用高蒸汽压液体。根据高蒸汽压液体的种类(例如，在将凝固点约20.5℃的、具有环状结构的氟类有机溶剂作为升华剂采用的情况下)，能够以常温使用高蒸汽压液体。该情况下，可以不使用高蒸汽压液体的温度调整用的单元，从而能够实现降低成本。
在本发明的一实施方式中，所述升华剂液膜配置工序包括：升华剂供给工序，向所述基板的所述表面供给升华剂；薄化工序，通过在不供给升华剂的情况下使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，使供给的升华剂在所述基板的所述表面变薄。
根据该方法，借助由基板的旋转产生的离心力，能够使升华剂在基板的表面扩散。由此，能够在基板的表面良好地形成适当薄的厚度的升华剂，并且能够在基板的面内使升华剂的液膜的厚度均匀化。
在本发明的一实施方式中，所述高蒸汽压液体供给工序与所述薄化工序并行地执行。
根据该方法，由于将使升华剂扩大和向基板供给高蒸汽压液体并行地进行，因此能够缩短整个处理的期间。
在本发明的一实施方式中，所述基板干燥方法还包括高温液体供给工序，所述高温液体供给工序与所述升华剂液膜配置工序并行执行，在所述高温液体供给工序中，向所述基板的所述背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。
根据该方法，与在基板的表面配置升华剂的液膜并行，向基板的背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。因此，能够对向基板的表面供给的升华剂加热，从而能够防止该升华剂被立即固化。因此，能够在基板的表面良好地形成升华剂的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述高温液体包含所述高蒸汽压液体。
根据该方法，能够一边更可靠地防止在基板的表面的升华剂的液膜中混入水，一边对向基板的表面供给的升华剂加热。
在本发明的一实施方式中，所述高温液体包含水。
根据该方法，由于作为高温液体使用水，因此与将高蒸汽压液体作为高温液体使用的情况比较，能够实现降低成本。
在本发明的一实施方式中，所述方法还包括：基板旋转工序，与所述升华剂液膜配置工序和所述气化冷却工序中的至少一个并行执行，在该基板旋转工序中，使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，以及高速旋转工序，与所述升华工序并行，使所述基板以比所述基板旋转工序快的速度以规定的旋转轴线为中心旋转。
根据该方法，在升华工序中使基板高速旋转。借助该高速旋转，升华剂膜与其周围的环境气体的接触速度増大。由此，能够促进升华剂膜的升华，因此，能够在短时间内使升华剂膜升华。
本发明提供一种基板处理装置，其中，包括：基板保持单元，保持在表面具有图案的基板；旋转单元，用于使由所述基板保持单元保持的基板以规定的旋转轴线为中心旋转；升华剂供给单元，用于向所述基板的所述表面供给液体的升华剂；以及高蒸汽压液体供给单元，用于向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体。
根据该结构，向基板的表面供给升华剂。由此，在基板的表面形成升华剂的液膜。此外，向基板的背面供给具有比升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体。
在基板的表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体。由此，通过伴随高蒸汽压液体的气化从基板夺走气化热使升华剂的液膜所含的升华剂冷却，使升华剂的液膜固化。由此，能够一边防止混入水，一边良好地形成固体状的升华剂膜。因此，能够使升华剂的液膜所含的升华剂良好地固化。
在本发明的一实施方式中，向所述基板的背面供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。
根据该结构，向基板的背面供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。因此，由于向基板供给高蒸汽压液体，因此基板的表面上的升华剂不会立即被冷却至该升华剂的凝固点以下。因此，能够将在基板的表面配置升华剂的液膜和向基板供给高蒸汽压液体并行地进行，由此，能够缩短正处理的时间。
此外，能够以比较高的液温使用高蒸汽压液体。根据高蒸汽压液体的种类(例如，在将凝固点约为20.5℃的、具有环状结构的氟类有机溶剂作为升华剂采用的情况下)，能够以常温使用高蒸汽压液体。该情况下，由于可以不使用高蒸汽压液体的温度调整用的单元，因此能够实现降低成本。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还可以包括控制装置，所述控制装置对所述旋转单元、所述升华剂供给单元和所述高蒸汽压液体供给单元进行控制，所述控制装置执行升华剂液膜配置工序、高蒸汽压液体供给工序、气化冷却工序和升华工序，在所述升华剂液膜配置工序中，通过所述旋转单元和所述升华剂供给单元在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜，在所述高蒸汽压液体供给工序中，通过所述高蒸汽压液体供给单元向所述基板的所述背面供给高蒸汽压液体，在所述气化冷却工序中，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜，以及在所述升华工序中，通过所述旋转单元使所述升华剂膜升华。
根据该结构，在基板的表面配置升华剂的液膜。此外，向基板的背面供给具有比升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体。在基板的表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体。由此，通过伴随高蒸汽压液体的气化从基板夺走气化热使升华剂的液膜所含的升华剂冷却，使升华剂的液膜固化。由此，能够一边防止混入水，一边良好地形成固体状的升华剂膜。
此外，在升华工序中，伴随升华剂膜的升华夺走升华热，将升华剂膜维持为凝固点(融点)以下。因此，能够防止升华剂膜所含的升华剂融解。由此，能够良好地实现升华干燥。
此外，由于高蒸汽压液体不含水，因此能够向基板的整个背面区域供给高蒸汽压液体，而与基板的背面是否呈现疏水性无关。由此，由于能够在基板的整个区域内进行气化冷却，因此能够在基板的面内使升华剂均匀地冷却。由此，能够使升华剂的液膜所含的升华剂良好地固化。
在本发明的一实施方式中，所述控制装置在所述升华剂液膜配置工序中执行升华剂供给工序和薄化工序，在所述升华剂供给工序中，通过所述升华剂供给单元向所述基板的所述表面供给升华剂，在所述薄化工序中，通过所述旋转单元在不供给升华剂的情况下使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，使供给的升华剂在所述基板的所述表面变薄。
根据该结构，借助由基板的旋转产生的离心力，能够使升华剂在基板的表面扩散。由此，能够在基板的表面良好地形成适当薄的厚度的升华剂，并且使升华剂的液膜的厚度在基板的面内均匀化。
在本发明的一实施方式中，所述控制装置与所述薄化工序并行地执行所述高蒸汽压液体供给工序。
根据该结构，由于将使升华剂扩大和向基板供给高蒸汽压液体并行地进行，因此能够缩短整个处理的时间。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括高温液体供给单元，所述高温液体供给单元用于向所述基板的所述背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。然后，所述控制装置还可以与所述升华剂液膜配置工序并行地执行高温液体供给工序，在所述高温液体供给工序中，通过所述高温液体供给单元向所述基板的所述背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。
根据该结构，与向基板的表面供给升华剂并行，向基板的背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。因此，能够对向基板的表面供给的升华剂进行加热，从而能够防止该升华剂被立即固化。因此，能够在基板的表面良好地形成升华剂的液膜。
在本发明的一实施方式中，所述高温液体包含所述高蒸汽压液体。
根据该结构，能够一边更可靠地防止在基板的表面的升华剂的液膜中混入水，一边对向基板的表面供给的升华剂进行加热。
在本发明的一实施方式中，所述高温液体包含水。
根据该结构，由于作为高温液体使用税，因此与将高蒸汽压液体作为高温液体使用的情况比较，能够实现降低成本。
在本发明的一实施方式中，所述控制装置还执行基板旋转工序和高速旋转工序，所述基板旋转工序与所述升华剂液膜配置工序和所述气化冷却工序中的至少一个并行执行，在所述基板旋转工序中，使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，所述高速旋转工序与所述升华工序并行执行，在所述高速旋转工序中，使所述基板以比所述基板旋转工序快的速度以规定的旋转轴线为中心旋转。
根据该结构，在升华工序中使基板高速旋转。借助该高速旋转，升华剂膜与其周围的环境气体的接触速度增大。由此，能够促进升华剂膜的升华，因此，能够在短时间内使升华剂膜升华。
可通过参照附图和下面说明的实施方式，明确本发明中的所述或其他目的、特征及效果。
附图说明
图1是从上方观察本发明的一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2是用于说明所述基板处理装置所具备的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图3是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图4是放大表示使用所述基板处理装置的处理对象的基板的表面的剖视图。
图5是用于说明在所述处理单元中执行的第一基板处理例的内容的流程图。
图6是用于说明图5所示的升华干燥工序的流程图。
图7A～7D是表示执行所述升华干燥工序时的基板的周边的状态的示意图。
图8A、图8B是用于说明第二基板处理例的升华剂供给工序和第三基板处理例的升华剂供给工序的示意性图。
图9是表示本发明的变形例的图。
具体实施方式
图1是从上方观察本发明的一实施方式的基板处理装置1的示意图。基板处理装置1是对硅晶片等的基板W一张一张地进行处理的单张式的装置。在实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包括：多个处理单元2，用处理液和冲洗液对基板W进行处理；装载埠LP，载置收容在处理单元2中处理的多张基板W的基板收容器C；分度器机械手IR和基板搬运机械手CR，在装载埠LP和处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，对基板处理装置1进行控制。分度器机械手IR在基板收容器C和基板搬运机械手CR之间搬运基板W。基板搬运机械手CR在分度器机械手IR和处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有相同的结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解性的剖视图。
处理单元2包括：箱形的腔室4；旋转卡盘(基板保持单元)5，在腔室4内将一张基板W保持为水平的姿势，使基板W以通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转；升华剂供给单元，向由旋转卡盘5保持的基板W的上表面(基板W的表面Wa(参照图4等))供给液体的升华剂；高蒸汽压液体供给单元，向由旋转卡盘5保持的基板W的下表面(基板W的背面Wb)供给具有比水高的蒸汽压(即，比升华剂高的蒸汽压)且不包含水的高蒸汽压液体的一例的IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)；遮断部件6，与由旋转卡盘5保持的基板W的上表面相对，将基板W的上方的空间与其周围的环境气体进行遮断；下面喷嘴7，向由旋转卡盘5保持的基板W的下表面(基板W的背面Wb(参照图7A等))的中央部喷出处理液；以及筒状的处理杯8，包围旋转卡盘5的侧方。
腔室4包括收容旋转卡盘5等的箱型的间隔壁11。
作为旋转卡盘5，采用了在水平方向上夹持基板W并将基板W保持为水平的夹持式的旋转卡盘。具体来说，旋转卡盘5包括：旋转马达(旋转单元)12；下旋转轴13，与该旋转马达12的驱动轴成为一体；以及圆板状的旋转基座14，大致水平地安装于下旋转轴13的上端。
旋转基座14包括具有比基板W的外径大的外径的水平的圆形的上表面14a。在上表面14a的周缘部配置有多个(三个以上。例如六个)夹持构件15。在旋转基座14的上表面周缘部，在与基板W的外周形状对应的圆周上隔开适当的间隔例如等间隔地配置多个夹持构件15。
遮断部件6包括：遮断板17；上旋转轴18，能够与遮断板17一体旋转；以及上面喷嘴19，在上下方向上贯通遮断板17的中央部。遮断板17包括：圆板部20，水平地配置；以及筒状部21，沿着圆板部20的外周缘设置。圆板部20是具有与基板W几乎相同直径或及其以上直径的圆板状。圆板部20在其下表面具有与基板W的上表面整个区域相对的圆形的基板相对面20a。在基板相对面20a的中央部形成有在上下方向上贯通圆板部20的圆筒状的贯通孔20b。贯通孔20b被圆筒状的内周面划分出来。
筒状部21可以是圆锥台状。如图2所示，筒状部21可以从圆板部20的外周缘向外方扩展的方式向下方延伸。此外，如图2所示，筒状部21的壁厚可以随着接近筒状部21的下端减小。
上旋转轴18能够以通过遮断板17的中心铅垂地延伸的旋转轴线A2(与基板W的旋转轴线A1一致的轴线)为中心旋转地设置。上旋转轴18是圆筒状。上旋转轴18的内周面形成于以旋转轴线A2为中心的圆筒面上。上旋转轴18的内部空间与遮断板17的贯通孔20b连通。上旋转轴18被在遮断板17的上方水平延伸的支撑臂22支撑为能够相对支撑臂22旋转。
在实施方式中，上面喷嘴19作为中心轴喷嘴发挥作用。上面喷嘴19配置于旋转卡盘5的上方。上面喷嘴19由支撑臂22支撑。上面喷嘴19不能相对支撑臂22旋转。上面喷嘴19与遮断板17、上旋转轴18和支撑臂22一同升降。上面喷嘴19在其下端部形成有与由旋转卡盘5保持的基板W的上表面中央部相对的喷出口19a。
遮断板17与包括电动马达等的结构的遮断板旋转单元26连接。遮断板旋转单元26使遮断板17和上旋转轴18相对支撑臂22以旋转轴线A2为中心旋转。此外，支撑臂22与包括电动马达、滚珠螺杆等的结构的遮断部件升降单元27连接。遮断部件升降单元27使遮断部件6(遮断板17和上旋转轴18)和上面喷嘴19与支撑臂22一同在铅垂方向上升降。
遮断部件升降单元27使遮断板17在遮断位置(图2中用双点划线图示。一同参照图7A等)和退避位置(图2中用实线图示)之间升降，所述遮断位置是基板相对面20a接近由旋转卡盘5保持的基板W的上表面且筒状部21的下端的高度比基板W的高度低的位置，退避位置是比遮断位置向上方退避较大的位置。遮断部件升降单元27能够在遮断位置、接近位置(图2中用虚线图示)和退避位置保持遮断板17。遮断位置是在基板相对面20a和基板W的上表面之间形成遮断空间28(参照图7B等)的位置。遮断空间28没有与其周围的空间完全隔离，但是气体不会从其周围的空间流入遮断空间28。即，遮断空间28实质上与其周围的空间遮断。接近位置是比退避位置稍微靠近上方的位置。在遮断板17配置于接近位置的状态下，遮断板17的基板相对面20a和基板W之间的空间没有与其周围的空间遮断。
升华剂供给单元包括：上面喷嘴19；以及升华剂单元31，向上面喷嘴19供给液体的升华剂。升华剂单元31包括：升华剂配管32，与上面喷嘴19连接；升华剂阀33，安装在升华剂配管32上。向升华剂配管32供给的升华剂是具有升华性且凝固点低的溶剂，作为一例，可以例示出具有环状结构的氟类有机溶剂(凝固点约为20.5℃)、叔丁基醇(凝固点约为25℃)等的溶剂。向升华剂配管32供给的升华剂是具有比凝固点稍微高的温度的液体升华剂。在将具有环状结构的氟类有机溶剂作为升华剂采用的情况下，向升华剂配管32提供常温(约23℃～约25℃)的升华剂。在将叔丁基醇作为升华剂采用的情况下，向升华剂配管32提供温度调整为约30℃的升华剂。通过打开升华剂阀33，向上面喷嘴19供给液体的升华剂，由此，从喷出口19a向下方喷出液体升华剂。在将具有环状结构的氟类有机溶剂作为升华剂使用的情况下，可以不使用高蒸汽压液体的温度调整用的单元，由于能够在常温下使用，因此能够实现降低成本。
上面喷嘴19与酸性药液供给单元34、碱性药液供给单元35、冲洗液供给单元36、有机溶剂供给单元37和气体供给单元38连接。
酸性药液供给单元34包括：酸性药液配管41，与上面喷嘴19连接；以及酸性药液阀42，安装在酸性药液配管41上。向酸性药液配管41提供的酸性药液例如可以例示含有氢氟酸(HF)、盐酸、硫酸、磷酸、硝酸中的至少一种的药液。在实施方式中，采用氢氟酸(HF)作为酸性药液。通过打开酸性药液阀42，向上面喷嘴19供给酸性药液，由此，从喷出口19a向下喷出酸性药液。
碱性药液供给单元35包括：碱性药液配管43，与上面喷嘴19连接；以及碱性药液阀44，安装在碱性药液配管43上。向碱性药液配管43提供的碱性药液例如可以例示含有氨和羟基中的至少一种的药液。在实施方式中，采用SC1(含有NH4OH和H2O2的液体)作为碱性药液。通过打开碱性药液阀44，向上面喷嘴19供给碱性药液，由此，从喷出口19a向下喷出碱性药液。
冲洗液供给单元36包括：冲洗液配管45，与上面喷嘴19连接；以及冲洗液阀46，安装在冲洗液配管45上。向冲洗液配管45提供的冲洗液例如是去离子水(DIW)，但并不局限于DIW，可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水和稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的任一种。通过打开冲洗液阀46，向上面喷嘴19供给冲洗液，由此，从喷出口19a向下喷出冲洗液。
有机溶剂供给单元37是用于供给作为具有比重比空气大且表面张力比水小的低表面张力液体的有机溶剂的单元。有机溶剂供给单元37包括：有机溶剂配管47，与上面喷嘴19连接；以及有机溶剂阀48，安装在有机溶剂配管47上。向有机溶剂配管47提供的有机溶剂例如是IPA(isopropyl alcohol)，作为这种有机溶剂，除了IPA之外，例如还可以例示甲醇、乙醇、丙酮、EG(乙二醇)和HFE(氢氟醚)。此外，作为有机溶剂，除了仅由单体成分构成的情况之外，也可以是与其他成分混合的液体。例如，可以是IPA和丙酮的混合液，也可以是IPA和甲醇的混合液。
气体供给单元38包括：气体供给配管49，与上面喷嘴19连接；以及气体阀50，开闭气体供给配管49。向气体供给配管49提供的气体是被除湿的气体，尤其是被除湿的非活性气体。非活性气体例如包含氮气或氩气。通过打开气体阀50，向上面喷嘴19供给气体，由此，从喷出口19a向下喷出气体。
高蒸汽压液体供给单元包括下面喷嘴7和向下面喷嘴7供给高蒸汽压液体的一例的IPA(isopropyl alcohol)的高蒸汽压液体单元51。
下面喷嘴7具有与由旋转卡盘5保持的基板W的下表面的中央部相对的一个喷出口7a。喷出口7a向铅垂上方喷出液体。喷出的液体向由旋转卡盘5保持的基板W的下表面的中央部几乎垂直地入射。下面喷嘴7与下面供给配管52连接。下面供给配管52贯穿由铅垂地配置的中空轴构成的下旋转轴13的内部。
高蒸汽压液体单元51包括：高蒸汽压液体配管53，与下面供给配管52连接；以及高蒸汽压液体阀54，安装在高蒸汽压液体配管53上。向高蒸汽压液体配管53提供的高蒸汽压液体是具有比水高的蒸汽压(比升华剂高的蒸汽压)(即，沸点比水低)且不含水的液体。高蒸汽压液体例如是溶剂，更具体来说是IPA(isopropyl alcohol)。作为这种高蒸汽压液体(溶剂)，除了IPA之外，例如可以例示甲醇、乙醇、丙酮和HFE(氢氟醚)。此外，作为高蒸汽压液体，除了仅由单体成分构成的情况之外，还可以是与其他成分混合的液体。例如，可以是IPA和丙酮的混合液，也可以是IPA和甲醇的混合液。
向高蒸汽压液体配管53供给的高蒸汽压液体的温度是比向升华剂配管32供给的升华剂(溶剂)的凝固点高数℃的温度。在作为向升华剂配管32供给的升华剂使用具有环状结构的氟类有机溶剂的情况下，向下面供给配管52提供常温的高蒸汽压液体。在将叔丁基醇作为升华剂使用的情况下，向下面供给配管52提供具有约30℃的液温的高蒸汽压液体。
若打开高蒸汽压液体阀54，则经由高蒸汽压液体配管53和下面供给配管52向下面喷嘴7供给高蒸汽压液体。下面喷嘴7从喷出口7a在几乎铅垂方向上向上喷出被供给的高蒸汽压液体，从下面喷嘴7喷出的高蒸汽压液体向由旋转卡盘5保持的基板W的下表面中央部几乎垂直地入射。
处理杯8配置于比由旋转卡盘5保持的基板W靠近外侧(从旋转轴线A1远离的方向)的位置。处理杯8包括：多个杯61～63(第一～第三杯61～63)，包围旋转基座14的周围；多个挡板64～66(内挡板64、中挡板65和外挡板66)，接收向基板W的周围飞散的处理液(药液、冲洗液、有机溶剂、疏水化剤等)；以及挡板升降单元67(参照图5)，使多个挡板64～66单独地升降。处理杯8配置于比由旋转卡盘5保持的基板W的外周靠近外侧(从旋转轴线A1远离的方向)的位置。
各杯61～63是圆筒状，包围旋转卡盘5的周围。从内侧数的第二个即第二杯62配置于比第一杯61靠近外侧的位置，最外侧的第三杯63配置于比第二杯62靠近外侧的位置。第三杯63例如与中挡板65成为一体，与中挡板65一同升降。各杯61～63形成有向上开放的环状的槽。
第一杯61的槽与排液配管76连接。导向第一杯61的槽的处理液通过排液配管76输送至机外的废液设备。
第二杯62的槽与回收配管77连接。导向第二杯62的槽的处理液(主要是药液)通过回收配管77输送至机外的回收设备，在该回收设备中被回收处理。
第三杯63的槽与回收配管78连接。导向第三杯63的槽的处理液(例如有机溶剂)通过回收配管78输送至机外的回收设备，在该回收设备中被回收处理。
各挡板64～66是圆筒状，包围旋转卡盘5的周围。各挡板64～66包括：圆筒状的引导部68，包围旋转卡盘5的周围；以及圆筒状的倾斜部69，从引导部68的上端朝向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)倾斜上方延伸。各倾斜部69的上端部构成挡板64～66的内周部，具有比基板W和旋转基座14大的直径。三个倾斜部69在上下方向上重叠，三个引导部68同轴地配置。三个引导部68(挡板64～66的引导部68)分别能够进出对应的杯61～63内。即，处理杯8能够折叠，通过挡板升降单元67使三个挡板64～66中的至少一个升降，使处理杯8展开和折叠。另外，倾斜部69的截面形状可以是如图2所示的直线状，此外，例如可以形成平滑地凸出的圆弧的方式延伸。
各挡板64～66由挡板升降单元67驱动，且在上位置(各倾斜部69的上端部位于比基板W的上表面靠近上方的位置)和下位置(各倾斜部69的上端部位于比基板W的上表面靠近下方的位置)之间升降。
向基板W供给处理液(酸性药液、碱性药液、冲洗液、有机溶剂、升华剂、高蒸汽压液体等)和使基板W干燥，在任一挡板64～66与基板W的周端面相对的状态下进行。例如为了实现最外侧的外挡板66与基板W的周端面相对的状态(图7D所示的状态。以下有时称为“第三挡板相对状态”)，将内挡板64和中挡板65配置于下位置，将外挡板66配置于上位置。在第三挡板相对状态中，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的全部处理液由外挡板66接收。
此外，为了实现从内侧数第二个即中挡板65与基板W的周端面相对的状态(图7A等所示的状态。以下有时称为“第二挡板相对状态”)，将内挡板64配置于下位置，将中挡板65和外挡板66配置于上位置。在第二挡板对状态中，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的全部处理液由中挡板65接收。
此外，为了实现最内侧的内挡板64与基板W的周端面相对的状态(未图示。以下，有时称为“第一挡板相对状态”)，将三个挡板64～66全部配置于上位置。在第一挡板相对状态中，从处于旋转状态的基板W的周缘部排出的全部处理液由内挡板64接收。
例如，后述的HF工序S3(参照图5)、冲洗工序S4(参照图5)、SC1工序S5(参照图5)、冲洗工序S6(参照图5)、置换工序S7(参照图5)和升华干燥工序S8(参照图5)，在三个挡板64～66中的任一个与基板W的周端面相对的状态下进行。因此，向基板W供给处理液时向基板W的周围飞散的处理液通过内挡板64、中挡板65和外挡板66中的任一个导向任一个杯61～63。
图3是用于说明基板处理装置1的主要部分的电结构的框图。
控制装置3例如使用微型计算机构成。控制装置3具有CPU等的运算单元、固定存储器器件、硬盘驱动器等的存储单元和输入输出单元。存储单元存储有运算单元执行的程序。
此外，控制装置3与作为控制对象的、旋转马达12、遮断部件升降单元27、遮断板旋转单元26、挡板升降单元67等连接。控制装置3根据预先规定的程序，对旋转马达12、遮断部件升降单元27、遮断板旋转单元26、挡板升降单元67等的动作进行控制。
此外，控制装置3根据预先规定的程序，开闭升华剂阀33、酸性药液阀42、碱性药液阀44、冲洗液阀46、有机溶剂阀48、气体阀50、高蒸汽压液体阀54。
以下，说明对在器件形成面即表面Wa形成有图案100的基板W进行处理的情况。
图4是放大表示使用基板处理装置1的处理对象的基板W的表面Wa的剖视图。处理对象的基板W例如是硅晶片，在其图案形成面即表面Wa形成有图案100。图案100例如是细微图案。图案100如图4所示，可以是行列状地配置具有凸形状(柱状)的结构体101的图案。该情况下，将结构体101的线宽W1例如设置为3nm～45nm左右，将图案100的间隙W2例如设置为10nm～数μm左右。图案100的膜厚T例如是0.2μm～1.0μm左右。此外，图案100可以例如高宽比(膜厚T相对线宽W1的比)是例如5～500左右(典型地是5～50左右)。
此外，图案100可以是将由细微的沟槽形成的线状的图案重复排列的图案。此外，图案100可以是在薄膜设置细微孔(空隙(void)或小孔(pore))而成的图案。
图案100例如包括绝缘膜。此外，图案100可以包括导体膜。更具体来说，图案100由层积多个膜的层积膜形成，而且可以包括绝缘膜和导体膜。图案100可以是由单层膜构成的图案。绝缘膜可以是硅氧化膜(SiO2膜)或硅氮化膜(SiN膜)。此外，导体膜可以是为了实现低电阻化而导入了杂质的非晶硅膜，也可以是金属膜(例如TiN膜)。
此外，图案100可以是亲水性膜。作为亲水性膜可以例示TEOS膜(硅氧化膜的一种)。
图5是用于说明在处理单元2中执行的第一基板处理例的内容的流程图。参照图1～5，说明第一基板处理例。
未处理的基板W(例如直径300mm的圆形基板)通过分度器机械手IR和基板搬运机械手CR从基板收容器C向处理单元2搬入，搬入到腔室4内，基板W以其表面Wa(参照图4等)朝向上方的状态交至旋转卡盘5，由旋转卡盘5保持基板W(图5的S1：搬入基板W)。该状态下，基板W的背面Wb(参照图7A等)朝向下方。向腔室4搬入基板W，在遮断板17退避至退避位置的状态下，且挡板64～66配置于下位置的状态下进行。
在基板搬运机械手CR退避至处理单元2外后，控制装置3控制旋转马达12使旋转基座14的旋转速度上升至规定的液体处理速度(在约10～1200rpm的范围内，例如约300rpm)，使其维持为液体处理速度(图5的S2：开始旋转基板W)。
此外，控制装置3控制遮断部件升降单元27，使遮断板17从退避位置下降并配置于接近位置。
此外，控制装置3控制挡板升降单元67，通过使内挡板64、中挡板65和外挡板66上升至上位置，使内挡板64与基板W的周端面相对(实现第一挡板相对状态)。
若基板W的旋转达到液体处理速度，则接着，控制装置3执行向基板W的表面Wa供给作为酸性药液的一例的HF的HF工序S3(参照图5)。具体来说，控制装置3打开酸性药液阀42。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出HF。向基板W的表面Wa供给的HF受到由基板W的旋转产生的离心力向基板W的周缘部移动。由此，用HF对基板W的表面Wa的整个区域进行处理。
向基板W的周缘部移动的HF从基板W的周缘部向基板W的侧方排出。从基板W的周缘部排出的HF由内挡板64的内壁接收，沿着内挡板64的内壁流下，经由第一杯61和排液配管76输送至机外的废液处理设备。
若从开始喷出HF经过预先规定的期间，控制装置3关闭酸性药液阀42，停止从上面喷嘴19喷出HF。由此，结束HF工序S3。
接着，控制装置3执行用于将基板W上的HF置换为冲洗液来从基板W上排除药液的冲洗工序S4(参照图5)。具体来说，控制装置3一边维持处理杯8的第一挡板相对状态，一边打开冲洗液阀46。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出冲洗液。向基板W的表面Wa供给的冲洗液受到由基板W的旋转产生的离心力向基板W的周缘部移动。由此，用冲洗液洗掉附着在基板W上的HF。
从基板W的周缘部排出的冲洗液从基板W的周缘部向基板W的侧方排出。从基板W的周缘部排出的冲洗液由内挡板64的内壁接收，沿着内挡板64的内壁流下，经由第一杯61和排液配管76输送至机外的废液处理设备。若从打开冲洗液阀46经过预先规定的期间，则控制装置3关闭冲洗液阀46。由此，结束冲洗工序S4。
接着，控制装置3执行向基板W的表面Wa供给作为碱性药液的一例的SC1的SC1工序S5(参照图5)。具体来说，控制装置3打开碱性药液阀44。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出SC1。向基板W的表面Wa供给的SC1受到由基板W的旋转产生的离心力向基板W的周缘部移动。由此，用SC1对基板W的表面Wa的整个区域进行处理。
向基板W的周缘部移动的SC1从基板W的周缘部向基板W的侧方排出。从基板W的周缘部排出的SC1由内挡板64的内壁接收，沿着内挡板64的内壁流下，经由第一杯61和排液配管76输送至机外的废液处理设备。
从开始喷出SC1经过预先规定的期间，则控制装置3关闭碱性药液阀44，停止从上面喷嘴19喷出SC1。由此，结束SC1工序S5。
接着，控制装置3执行用于将基板W上的SC1置换为冲洗液来从基板W上排除药液的冲洗工序S6(参照图5)。具体来说，控制装置3一边维持处理杯8的第一挡板相对状态，一边打开冲洗液阀46。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出冲洗液。向基板W的表面Wa供给的冲洗液受到由基板W的旋转产生的离心力向基板W的周缘部移动。由此，用冲洗液洗掉附着在基板W上的SC1。
从基板W的周缘部排出的冲洗液从基板W的周缘部向基板W的侧方排出。从基板W的周缘部排出的冲洗液由内挡板64的内壁接收，沿着内挡板64的内壁流下，经由第一杯61和排液配管76输送至机外的废液处理设备。若从打开冲洗液阀46经过预先规定的期间，则控制装置3关闭冲洗液阀46。由此，结束冲洗工序S6。
接着，控制装置3执行置换工序S7(参照图5)。置换工序S7是将基板W上的冲洗液置换为表面张力比冲洗液(水)低的有机溶剂(该例中为IPA)的工序。控制装置3通过控制挡板升降单元67，使内挡板64和中挡板65下降至下位置，使外挡板66与基板W的周端面相对(实现第三挡板相对状态)。
此外，控制装置3打开有机溶剂阀48。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出IPA。向基板W的表面Wa供给的IPA受到由基板W的旋转产生的离心力在基板W的表面Wa的整个区域扩散。由此，在基板W的表面Wa的整个区域，将附着于该表面Wa的冲洗液置换为有机溶剂。在基板W的表面Wa移动的有机溶剂从基板W的周缘部向基板W的侧方排出。从基板W的周缘部排出的有机溶剂由外挡板66的内壁接收，沿着外挡板66的内壁流下，经由第三杯63和回收配管78输送至回收设备。
若从打开有机溶剂阀48经过预先规定的期间，则控制装置3关闭有机溶剂阀48。由此，结束置换工序S7。
此外，在结束置换工序S7后，控制装置3执行升华干燥工序S8(参照图5)。在升华干燥工序S8中，向基板W的表面Wa供给液体的升华剂，在基板W的表面Wa形成使图案100浸渍的厚度的液膜后，使其固化来形成升华剂膜。然后，通过使基板W高速旋转，使升华剂膜所含的升华剂升华。该情况下，由于基板W高速旋转时在基板W的表面Wa的图案100之间不存在液相，因此能够一边使图案倒塌的问题缓和，一边使基板W干燥。接着，详述升华干燥工序S8。
若在升华干燥工序S8中从开始高速旋转经过预先规定的期间，则控制装置3控制旋转马达12使旋转卡盘5停止旋转(图5的S9：停止旋转基板W)。此外，控制装置3控制挡板升降单元67，使外挡板66下降，使全部的挡板从基板W的周端面向下方退避。
然后，基板搬运机械手CR进入处理单元2，向处理单元2外搬出处理完的基板W(图5的S10：搬出基板W)。搬出的基板W从基板搬运机械手CR交至分度器机械手IR，通过分度器机械手IR容纳于基板收容器C。
图6是用于说明图5所示的升华干燥工序S8的流程图。图7A～7D是表示执行升华干燥工序S8时的基板W的周边的状态的示意图。
升华干燥工序S8包括：升华剂液膜配置工序T10，在基板W的表面Wa配置液体的升华剂的液膜81；高蒸汽压液体供给工序，向基板W的背面Wb供给具有比水高的蒸汽压(比升华剂高的蒸汽压)且不含水的高蒸汽压液体；以及气化冷却工序T3，通过在基板W的表面Wa配置升华剂的液膜81后停止向背面Wb供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热以使升华剂的液膜81所含的升华剂冷却。在气化冷却工序T3中，使升华剂的液膜81所含的升华剂固化，从而在基板W的表面Wa形成固体状的升华剂膜82。升华干燥工序S8还包括使升华剂膜82升华的升华工序T4。
升华剂液膜配置工序T10包括：升华剂供给工序T1，向基板W的表面Wa供给升华剂；以及薄化工序T2，通过在不供给升华剂的情况下使基板W以旋转轴线A1为中心旋转，使供给的升华剂在基板W的表面Wa薄地扩散(变薄)。
在升华干燥工序S8中，若在固化后的升华剂膜82中混合有水，则存在阻碍升华剂的升华的担忧。不仅如此，由于水在基板W的表面液化，因此存在促进图案倒塌的担忧。因此，有必要以在升华剂的液膜81和固化后的升华剂膜82中不会混入水的方式，在从基板W的表面Wa尽可能排除水分的状态下(即，将基板W的表面Wa保持为低湿度)进行升华干燥工序S8。因此，在遮断空间28(参照图7A等)中，进行升华干燥工序S8。
在开始升华干燥工序S8(升华剂供给工序T1)时，控制装置3控制遮断部件升降单元27，使遮断板17从接近位置下降至遮断位置。由此，在基板相对面20a和基板W的表面Wa之间形成遮断空间28。此外，控制装置3通过控制挡板升降单元67，使内挡板64下降至下位置，使中挡板65与基板W的周端面相对(实现第二挡板相对状态)。
然后，控制装置3执行升华剂供给工序T1。具体来说，控制装置3一边将基板W的旋转维持为液体处理速度，一边打开升华剂阀33。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出液体的升华剂。向基板W的表面Wa供给的升华剂受到由基板W的旋转产生的离心力向基板W的周缘部移动。由此，如图7A所示，形成覆盖基板W的表面Wa的整个区域的升华剂的液膜80。
此外，在升华剂供给工序T1中，控制装置3与向基板W的表面Wa供给升华剂并行，从下面喷嘴7的喷出口7a向基板W的背面Wb的中央部供给高蒸汽压液体(高温液体)。该高蒸汽压液体具有凝固点比向基板W的表面Wa供给的升华剂高数℃的液温。由于向基板W的背面Wb供给具有这种液温的高蒸汽压液体，因此能够防止立即固化。此外，因此，能够在基板的表面良好地形成升华剂的液膜。
此外，由于作为用于这种防止固化的液体(高温液体)使用高蒸汽压液体(即，IPA)，因此能够一边可靠地防止在基板W的表面Wa的升华剂的液膜80中混入水，一边对向基板W的表面Wa供给的升华剂进行加热。
若经过升华剂的液膜80覆盖基板W的表面Wa的整个区域程度的时间，则控制装置3关闭升华剂阀33。由此，结束升华剂供给工序T1。
接着，控制装置3执行薄化工序T2。一边关闭升华剂阀33(即，在停止从上面喷嘴19供给升华剂的状态下)，一边使基板W以液体处理速度(约300rpm)旋转。在薄化工序T2中，借助由基板W的旋转产生的离心力，能够使升华剂在基板W的表面Wa扩散。薄化后的升华剂的液膜81的厚度例如约10μm。由此，能够在基板W的表面Wa良好地形成适当薄的厚度的升华剂的液膜81，并且能够使升华剂的液膜81的厚度在基板W的面内均匀化。
此外，在薄化工序T2中，控制装置3从下面喷嘴7的喷出口7a向基板W的背面Wb的中央部供给高蒸汽压液体。该高蒸汽压液体具有凝固点(FP)比向基板W的表面Wa供给的升华剂高数℃的液温(TIPA)(TIPA＞FP)。因此，由于向基板W供给高蒸汽压液体，因此基板W的表面Wa上的升华剂的液膜81不会被立即冷却至该升华剂的凝固点以下。在薄化工序T2中向向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液体，与在升华剂供给工序T1中向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液体连续进行。
由于高蒸汽压液体是不含水的溶剂，因此能够使高蒸汽压液体遍布基板W的背面Wb整个区域，而与基板W的背面Wb是否呈现疏水性无关。由此，能够形成覆盖基板W的背面Wb整个区域的高蒸汽压液体的液膜84。
若从打开升华剂阀33经过预先规定的期间，则控制装置3关闭高蒸汽压液体阀54。由此，停止向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液。由此，结束薄化工序T2。
接着，控制装置3执行气化冷却工序T3。在该气化冷却工序T3期间，使基板W以液体处理速度继续旋转。
在停止向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液后，在基板W的背面Wb中具有高蒸汽压的高蒸汽压液体的气化被促进。在基板W的背面Wb中随着高蒸汽压液体气化，背面Wb被夺走气化热。由此基板W被冷却，使在基板W的基板W的表面Wa形成的升华剂的液膜81所含的升华剂也被冷却。伴随这样的冷却，升华剂的液膜81所含的升华剂温度降低至该升华剂的凝固点(FP)以下(更具体来说，比凝固点(FP)低的温度)。由此，使升华剂的液膜81所含的升华剂固化。通过使升华剂的液膜81所含的全部升华剂固化，在基板W的表面Wa形成固体状的升华剂膜82。升华剂膜82的温度Ts比凝固点低(FP＞Ts)。
在该实施方式中，在薄化工序T2形成有覆盖基板W的背面Wb整个区域的高蒸汽压液体的液膜84。因此，由于在气化冷却工序T3中在基板W的整个区域高蒸汽压液体产生气化，而在基板W的整个区域进行气化冷却，因此在基板W的面内使升华剂均匀地冷却。
若从关闭高蒸汽压液体阀54经过预先规定的期间，则结束气化冷却工序T3。
接着，控制装置3执行升华工序T4。控制装置3通过控制挡板升降单元67，使中挡板65下降至下位置，使外挡板66与基板W的周端面相对(实现第三挡板相对状态)。此外，控制装置3使基板W的旋转加速至高速(例如约1500rpm)(比升华剂液膜配置工序T10和气化冷却工序T3高的旋转速度)。此外，控制装置3控制遮断板旋转单元26，使遮断板17以同等的速度向与基板W的旋转相同的方向旋转。随着基板W的高速旋转，升华剂膜82与其周围的环境气体之间的接触速度增大。由此，能够促进升华剂膜82的升华，从而能够在短期间内使升华剂膜升华。
此外，在升华工序T4中，控制装置3打开气体阀50。由此，从上面喷嘴19的喷出口19a向旋转状态的基板W的表面Wa的中央部喷出被除湿的气体。由此，能够一边将遮断空间28保持为低湿度状态，一边进行升华工序T4。
该升华工序T4中，随着升华剂膜82的升华夺走升华热，使升华剂膜82维持为凝固点(融点)以下。因此，能够防止升华剂膜82所含的升华剂融解。由此，能够良好地实现升华干燥。
根据上述的实施方式，在基板W的表面Wa配置升华剂的液膜81。此外，向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液体。在基板W的表面Wa配置升华剂的液膜81后停止供给高蒸汽压液体。由此，伴随高蒸汽压液体的气化从基板W夺走气化热而使升华剂的液膜所含的升华剂冷却，从而使升华剂的液膜81固化。由此，能够一边防止混入水，一边良好地形成固体状的升华剂膜82。
此外，在升华工序T4中，伴随升华剂膜82的升华夺走升华热，将升华剂膜82维持为凝固点(融点)以下。因此，能够防止升华剂膜82所含的升华剂融解。由此，能够良好地实现升华干燥。
此外，由于高蒸汽压液体不含水，因此能够向基板W的背面Wb整个区域供给高蒸汽压液体，而与基板W的背面Wb是否呈现疏水性无关。由此，由于能够在基板W的整个区域内进行气化冷却，因此能够在基板W的面内均匀地冷却升华剂。由此，能够使升华剂的液膜81所含的升华剂良好地进行固化。
此外，向基板W的背面Wb供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。因此，通过向基板W供给高蒸汽压液体，基板W的表面Wa上的升华剂不会被立即冷却至该升华剂的凝固点以下。因此，能够使在基板的表面Wa配置升华剂的液膜和向基板W供给高蒸汽压液体并行，由此，能够缩短整个处理的期间。
图8A是用于说明第二基板处理例的升华剂供给工序的示意性的图。
第二基板处理例和第一基板处理例的区别点在于，与升华剂供给工序T1并行，向基板W的背面Wb供给水，而不是供给高蒸汽压液体(IPA)。
如图2中用虚线所示，处理单元2还可以包括向由旋转卡盘5保持的基板W的背面Wb(基板W的下表面)供给水的水供给单元151。水供给单元151包括：下面喷嘴7；下面供给配管52；水配管152，与下面供给配管52连接；以及水阀153，安装在水配管152上。水供给源向水配管152供给。作为该水，可以列举DIW(去离子水)，但可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)、氨水、脱气水等。
通过打开水阀153，向基板W的背面Wb供给水。水的供给持续至升华剂供给工序T1结束，且在开始薄化工序的时刻(即，在停止向基板W的表面供给升华剂的时刻)停止。
根据第二基板处理例，由于作为用于防止固化的液体(高温液体)使用水，因此与将高蒸汽压液体作为高温液体使用的情况比较，能够实现降低成本。
以上，说明了本发明的一实施方式，但本发明能够以其他方式实施。
例如，可以与升华剂供给工序T1并行，从开始升华剂供给工序T1之前向背面Wb供给用于防止固化的液体(高温液体)。
此外，如图8B所示的第三基板处理例所示，可以与升华剂供给工序T1并行，不向基板W的背面Wb供给用于防止固化的液体(高温液体)。
此外，能够省略薄化工序T2。该情况下，可以与升华剂供给工序T1并行，向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液体，在结束升华剂供给工序T1之后，立即停止向基板W的背面Wb供给高蒸汽压液体(即，立即开始气化冷却工序T3)。
此外，在上述的实施方式中，说明了通过在上下方向上贯通遮断板17的上面喷嘴19供给升华剂，但是可以通过其他喷嘴供给升华剂。该情况下，如图9所示，能够使用能够向侧方放射状地喷出气体的气体喷出喷嘴201供给升华剂。
气体喷出喷嘴201具有在下端具有凸缘部203的圆筒状的喷嘴本体204。在凸缘部203的侧面即外周面环状地朝向外方分别打开有气体喷出口205和气体喷出口206。在喷嘴本体204的下表面配置有中心气体喷出口207。因此，使从中心气体喷出口207喷出的非活性气体形成的放射状气流和从气体喷出口205、206喷出的双层的放射状气流整合，在基板W的上方形成三层的放射状气流。
液喷嘴208在上下方向上贯通喷嘴本体204。在液喷嘴208的下端部形成的喷出口209位于比喷嘴本体204靠近下方的位置。向液喷嘴208供给有液体状的升华剂，由此，从喷出口209向下方喷出升华剂。即使在该情况下，也能够一边从基板W的表面Wa排除水分，一边向基板W的表面Wa供给升华剂。
此外，在前述的实施方式中，说明了基板处理装置1是对由半导体晶片构成的基板W进行处理的装置的情况，基板处理装置可以是对液晶显示装置用基板、有机EL(electroluminescence：场致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等的基板进行处理的装置。
详细地说明了本发明的实施方式，但这些仅是为了明确本发明的技术内容而使用的具体例，本发明不应限定于这些具体例来解釈，本发明的范围仅由附加的权利要求书限定。
本申请与2017年8月31日向日本国专利厅提出的特愿2017-167866号对应，该申请的全部公开通过引用编入于此。

Claims (17)

1.一种基板干燥方法，使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：
升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；
高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；
气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及
升华工序，使所述升华剂膜升华。
2.根据权利要求1所述的基板干燥方法，其中，
向所述基板的背面供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。
3.根据权利要求1或2所述的基板干燥方法，其中，
所述升华剂液膜配置工序包括：
升华剂供给工序，向所述基板的所述表面供给升华剂；
薄化工序，通过在不供给升华剂的情况下使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，使供给的升华剂在所述基板的所述表面变薄。
4.根据权利要求3所述的基板干燥方法，其中，
所述高蒸汽压液体供给工序与所述薄化工序并行地执行。
5.根据权利要求1或2所述的基板干燥方法，其中，
所述基板干燥方法还包括高温液体供给工序，
所述高温液体供给工序与所述升华剂液膜配置工序并行执行，在所述高温液体供给工序中，向所述基板的所述背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。
6.根据权利要求5所述的基板干燥方法，其中，
所述高温液体包含所述高蒸汽压液体。
7.根据权利要求5所述的基板干燥方法，其中，
所述高温液体包含水。
8.根据权利要求1或2所述的基板干燥方法，其中，所述基板干燥方法还包括：
基板旋转工序，与所述升华剂液膜配置工序和所述气化冷却工序中的至少一个并行执行，在所述基板旋转工序中，使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，以及
高速旋转工序，与所述升华工序并行执行，在所述高速旋转工序中，使所述基板以比所述基板旋转工序快的速度并以规定的旋转轴线为中心旋转。
9.一种基板处理装置，其中，包括：
基板保持单元，保持在表面具有图案的基板；
旋转单元，用于使由所述基板保持单元保持的基板以规定的旋转轴线为中心旋转；
升华剂供给单元，用于向所述基板的所述表面供给液体的升华剂；以及
高蒸汽压液体供给单元，用于向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
向所述基板的背面供给的高蒸汽压液体具有比升华剂的凝固点高的液温。
11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括控制装置，
所述控制装置对所述旋转单元、所述升华剂供给单元和所述高蒸汽压液体供给单元进行控制，
所述控制装置执行升华剂液膜配置工序、高蒸汽压液体供给工序、气化冷却工序和升华工序，
在所述升华剂液膜配置工序中，通过所述旋转单元和所述升华剂供给单元在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜，
在所述高蒸汽压液体供给工序中，通过所述高蒸汽压液体供给单元向所述基板的所述背面供给高蒸汽压液体，
在所述气化冷却工序中，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜，以及
在所述升华工序中，通过所述旋转单元使所述升华剂膜升华。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述升华剂液膜配置工序中执行升华剂供给工序和薄化工序，
在所述升华剂供给工序中，通过所述升华剂供给单元向所述基板的所述表面供给升华剂，
在所述薄化工序中，通过所述旋转单元在不供给升华剂的情况下使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，使供给的升华剂在所述基板的所述表面变薄。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置将所述高蒸汽压液体供给工序与所述薄化工序并行地执行。
14.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括高温液体供给单元，所述高温液体供给单元用于向所述基板的所述背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体，
所述控制装置还将高温液体供给工序与所述升华剂液膜配置工序并行地执行，在所述高温液体供给工序中，通过所述高温液体供给单元向所述基板的所述背面供给具有比升华剂的凝固点高的液温的高温液体。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述高温液体包含所述高蒸汽压液体。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述高温液体包含水。
17.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置还执行基板旋转工序和高速旋转工序，
所述基板旋转工序与所述升华剂液膜配置工序和所述气化冷却工序中的至少一个并行执行，在所述基板旋转工序中，使所述基板以规定的旋转轴线为中心旋转，
所述高速旋转工序与所述升华工序并行执行，在所述高速旋转工序中，使所述基板以比所述基板旋转工序快的速度以规定的旋转轴线为中心旋转。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6946474B2 (ja) * 2018-01-29 2021-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥装置、基板乾燥方法および記憶媒体
JP7183094B2 (ja) * 2019-03-26 2022-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7235594B2 (ja) * 2019-05-30 2023-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7194645B2 (ja) * 2019-05-31 2022-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI741635B (zh) * 2019-06-28 2021-10-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP2022104013A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN113915971A (zh) * 2021-12-09 2022-01-11 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种真空闪蒸系统及真空闪蒸方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3503290A1 (de) * 1985-01-31 1986-08-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von justiermarken, eich- und messstrukturen im sub(my)m-bereich fuer die elektronen- und ionenstrahl-schreib- und -messtechnik
JPH08208338A (ja) * 1995-01-31 1996-08-13 Kyocera Corp 耐蝕性部材およびウエハ保持装置
US5879576A (en) * 1996-05-07 1999-03-09 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrates
JP2009174044A (ja) * 2007-12-27 2009-08-06 Canon Anelva Corp 蒸気供給装置を含む基板処理装置
US20100258142A1 (en) 2009-04-14 2010-10-14 Mark Naoshi Kawaguchi Apparatus and method for using a viscoelastic cleaning material to remove particles on a substrate
JP5373429B2 (ja) * 2009-02-25 2013-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥装置および基板乾燥方法
KR101359070B1 (ko) * 2009-03-03 2014-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 구조, 성막 장치 및 원료 회수 방법
JP5643007B2 (ja) 2010-07-05 2014-12-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 表面構造体の乾燥方法
JP5647845B2 (ja) * 2010-09-29 2015-01-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
US9673037B2 (en) 2011-05-31 2017-06-06 Law Research Corporation Substrate freeze dry apparatus and method
KR20130122503A (ko) 2012-04-30 2013-11-07 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
CN103377971A (zh) 2012-04-30 2013-10-30 细美事有限公司 用于清洗基板的装置和方法
US9861335B2 (en) * 2012-09-13 2018-01-09 University Of The Free State Mammographic tomography test phantom
US8898928B2 (en) * 2012-10-11 2014-12-02 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
TWI584370B (zh) 2013-08-27 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium
US20150064911A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium
JP6259299B2 (ja) * 2014-01-30 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2015185713A (ja) 2014-03-25 2015-10-22 株式会社東芝 基板処理装置及び基板処理方法
JP6425517B2 (ja) 2014-11-28 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6502206B2 (ja) 2015-08-07 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6591280B2 (ja) * 2015-12-16 2019-10-16 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7010629B2 (ja) * 2017-08-31 2022-01-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥方法および基板処理装置

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TW201913793A (zh) 2019-04-01
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KR102055069B1 (ko) 2019-12-11
US10921057B2 (en) 2021-02-16
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KR20190024667A (ko) 2019-03-08
JP6966899B2 (ja) 2021-11-17

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