CN109421179A - 加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供加工方法，与以往相比能够不对被加工物赋予冲击而对被加工物进行分割。本发明的加工方法具有：激光加工步骤，沿着分割预定线(2)对被加工物(1)实施激光加工；以及分割步骤，在实施了激光加工步骤之后，对被加工物(1)的厚度方向的一部分进行切削而进行分割，因此与使用断开装置等的以往的加工方法相比，能够减小对被加工物(1)的冲击，能够将被加工物(1)良好地分割成各个芯片。另外，在分割步骤中，仅利用切削刀具(26)对被加工物(1)的厚度方向的一部分进行切削即可，因此与利用切削刀具(26)在厚度方向上将被加工物(1)完全切断的情况相比，能够提高加工进给速度，提高芯片的生产率。

Description

加工方法
技术领域
本发明涉及被加工物的加工方法，将被加工物分割成各个芯片。
背景技术
晶片等被加工物在由其正面的格子状的分割预定线划分的区域分别形成有器件，通过沿着分割预定线进行分割而分割成具有器件的各个芯片。作为将被加工物分割成各个芯片的方法，采用如下的方法：对被加工物实施激光加工而形成分割起点，然后对被加工物赋予外力而对被加工物进行分割。
作为激光加工的例子，例如有如下的加工方法：对被加工物照射脉冲激光光线，从而形成由细孔和对细孔进行盾构的非晶质构成的盾构隧道(参照下述的专利文献1)。另外，作为其他激光加工的例子，还有如下的加工方法：照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束而在被加工物的内部形成改质层(参照下述的专利文献2)。并且，在对被加工物实施激光加工之后，例如使用断开装置对被加工物赋予外力而进行分割(参照下述的专利文献3和4)。
专利文献1：日本特开2014-221483号公报
专利文献2：日本特许第3408805号公报
专利文献3：日本特开2009-148982号公报
专利文献4：日本特开2013-38434号公报
但是，在断开装置中，从被加工物的上方使刀具(按压部件)下降并与被加工物碰撞而利用该冲击进行分割，因此当在不适当的条件下进行断开时，有可能使被加工物破损，从而更加迫切期望不对被加工物赋予冲击的分割方法。
发明内容
本发明的目的在于提供加工方法，与以往相比能够不对被加工物赋予冲击而对被加工物进行分割。
本发明是设定有分割预定线的被加工物的加工方法，其中，该加工方法具有如下的步骤：激光加工步骤，沿着该分割预定线照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束而对被加工物实施激光加工；以及分割步骤，在实施了该激光加工步骤之后，利用切削刀具沿着该分割预定线对被加工物的厚度方向的一部分进行切削，由此沿着该分割预定线对被加工物进行分割，该分割步骤按照如下的方式实施：利用沿着该分割预定线的延伸方向延伸的支承部对该分割预定线的两侧进行支承，并且不对该分割预定线的正下方进行支承。
优选在上述分割步骤中，在具有吸引保持面的保持工作台上隔着支承治具而将被加工物载置在该吸引保持面上，所述支承治具具有大于等于被加工物的尺寸并且具有比该吸引保持面小的尺寸，在被加工物的被保持面上粘贴有带，该带具有比该吸引保持面大的尺寸，在由隔着该支承治具而载置在该保持工作台上的被加工物所粘贴的该带覆盖着该吸引保持面的状态下，利用该保持工作台对被加工物进行吸引保持。
另外，优选在上述分割步骤中，利用治具台直接对被加工物进行吸引保持，所述治具台包含对被加工物进行支承的支承面并形成有与所述分割预定线对应的槽，并且在由该槽划分的各区域中形成有对被加工物进行吸引的吸引孔。
优选上述切削刀具的前端的剖面形状为V形状。
本发明的加工方法具有：激光加工步骤，沿着该分割预定线照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束而对被加工物实施激光加工；以及分割步骤，利用切削刀具对被加工物的厚度方向的一部分进行切削，由此进行分割，该分割步骤按照如下的方式实施：利用沿着分割预定线的延伸方向延伸的支承部对分割预定线的两侧进行支承，并且不对分割预定线的正下方进行支承，因此，与以往的加工方法相比，能够减小对被加工物的冲击，能够将被加工物良好地分割成各个芯片。另外，在分割步骤中，仅利用切削刀具对被加工物的厚度方向的一部分进行切削即可，与利用切削刀具在厚度方向上将被加工物完全切断的情况相比，能够提高加工进给速度，提高芯片的生产率。
在上述分割步骤中，在具有吸引保持面的保持工作台上隔着支承治具而利用保持工作台对被加工物进行吸引保持，所述支承治具具有大于等于被加工物的尺寸并且具有比吸引保持面小的尺寸，因此能够减小分割时对被加工物的冲击，能够将被加工物良好地分割成各个芯片。
另外，构成为在上述分割步骤中，利用治具台直接对被加工物进行吸引保持，所述治具台包含对被加工物进行支承的支承面并形成有与上述分割预定线对应的槽，并且在由槽划分的各区域中形成有对被加工物进行吸引的吸引孔，因此即使是未粘贴带的被加工物，也能够减小分割时对被加工物的冲击，能够将被加工物良好地分割成各个芯片。
在上述切削刀具的前端的剖面形状为V形状的情况下，在实施分割步骤时，即使在被加工物的厚度方向上切入的深度较浅，也能够在厚度方向上高效地对激光加工后的被加工物进行分割。
附图说明
图1是示出被加工物的一例的立体图。
图2是示出激光加工装置的一例的结构的立体图。
图3是示出激光加工步骤的剖视图。
图4是实施了激光加工步骤的第1例之后的被加工物的局部放大剖视图。
图5是对聚光透镜的数值孔径、被加工物的折射率、数值孔径除以折射率而得的值之间的关系性进行说明的说明图。
图6是实施了激光加工步骤的第2例之后的被加工物的局部放大剖视图。
图7是示出切削装置的一例的结构的立体图。
图8是示出切削刀具的结构的局部放大剖视图。
图9是示出分割步骤的第1例中的隔着支承治具将被加工物载置于保持工作台的状态的立体图。
图10是示出分割步骤的第1例的局部放大剖视图。
图11的(a)是示出切削刀具的第2例的放大剖视图。图11的(b)是示出切削刀具的第3例的放大剖视图。
图12是示出治具台的结构的立体图。
图13是示出固定于治具基座的状态的治具台的结构的剖视图。
图14是示出分割步骤的第2例的剖视图。
标号说明
1：被加工物；2：分割预定线；3：框架；4：带；5：细孔；6：开口；7：变质区域；8：改质层；9：裂纹；10：激光加工装置；100：装置基座；101：侧壁；11：保持工作台；11a：保持面；12：框架保持单元；120：框架载置台；121：夹持部；13：加工进给单元；130：滚珠丝杠；131：电动机；132：导轨；133：X轴基座；14：分度进给单元；140：滚珠丝杠；141：电动机；142：导轨；143：Y轴基座；15：激光束照射单元；150：壳体；151：聚光器；152：聚光透镜；16：拍摄单元；17：升降单元；170：滚珠丝杠；171：电动机；172：导轨；173：升降板；20：切削装置；200：装置基座；21：保持工作台；21a：保持面；22：框架保持单元；23：加工进给单元；230：滚珠丝杠；231：电动机；232：导轨；233：X轴基座；24：分度进给单元；240：滚珠丝杠；241：电动机；242：导轨；243：可动基台；25：切削单元；250：主轴；251：壳体；26、27、28：切削刀具；29：升降单元；290：电动机；30：拍摄单元；40：支承治具；41：支承部；42：槽；50：治具台；51：支承面；52：吸引孔；53：槽；54：治具基座；55：吸引路；56、56a：阀；57、57a：吸引源；58：吸引孔。
具体实施方式
1被加工物
图1所示的被加工物1是矩形板状的被加工物的一例，在其上表面1a设定有格子状的分割预定线2而形成有图案。被加工物1的与上表面1a相反的一侧的下表面例如成为粘贴有带4的被保持面1b。被加工物1的材质例如由包含石英玻璃、硼硅酸玻璃在内的各种玻璃、LT/LN(钽酸锂/铌酸锂)、SiC(碳化硅)、Si(硅)、GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)、蓝宝石、陶瓷等形成。被加工物1不限于矩形板状，也可以为圆形板状。
本实施方式所示的被加工物1将被加工物1的被保持面1b粘贴在带4上，该带4将中央具有开口的环状的框架3的开口封住而粘贴，从而被加工物1借助带4与框架3成为一体而被支承。对于带4没有特别限定，例如使用在由聚烯烃或聚氯乙烯等构成的基材层层叠有粘接层的2层构造的扩展片材。本实施方式所示的被加工物1设定有分割预定线2，但也可以是未设定分割预定线2、未形成图案的被加工物。
2加工方法
图2所示的激光加工装置10是用于实施后述的激光加工步骤的激光加工装置的一例。激光加工装置10具有装置基座100，在装置基座100上具有：能够旋转的保持工作台11，其对被加工物1进行保持；加工进给单元13，其将保持工作台11在加工进给方向(X轴方向)上进行加工进给；以及分度进给单元14，其将保持工作台11在分度进给方向(Y轴方向)上进行分度进给。
保持工作台11的上表面成为对被加工物1进行保持的保持面11a。在保持工作台11的周缘配设有多个对上述框架3进行保持的框架保持单元12。框架保持单元12具有：载置框架3的框架载置台120；以及夹持部121，其按住载置于框架载置台120的框架3的上表面。
加工进给单元13具有：滚珠丝杠130，其在X轴方向上延伸；电动机131，其与滚珠丝杠130的一端连接；一对导轨132，它们与滚珠丝杠130平行地延伸；以及X轴基座133，其能够在X轴方向上移动。在X轴基座133的一个面上支承有保持工作台11，一对导轨132与X轴基座133的另一个面滑动接触，滚珠丝杠130与形成在X轴基座133的中央部的螺母螺合。通过电动机131进行驱动的滚珠丝杠130进行转动，从而X轴基座133沿着导轨132在X轴方向上移动，能够将保持工作台11在X轴方向上进行加工进给。
分度进给单元14具有：滚珠丝杠140，其在Y轴方向上延伸；电动机141，其与滚珠丝杠140的一端连接；一对导轨142，它们与滚珠丝杠140平行地延伸；以及Y轴基座143，其能够在Y轴方向上移动。在Y轴基座143的一个面上借助加工进给单元13对保持工作台11进行支承，一对导轨142与Y轴基座143的另一个面滑动接触，滚珠丝杠140与形成在Y轴基座143的中央部的螺母螺合。通过电动机141进行驱动的滚珠丝杠140进行转动，从而Y轴基座143沿着导轨142在Y轴方向上移动，能够将保持工作台11在Y轴方向上进行分度进给。
在装置基座100的Y轴方向后部侧竖立设置有在Z轴方向上延伸的侧壁101。在侧壁101的前方具有：激光束照射单元15，其对被加工物1实施激光加工；以及升降单元17，其使激光束照射单元15在Z轴方向上升降。激光束照射单元15具有：壳体150，其在Y轴方向上延伸；以及聚光器151，其配设在壳体150的前端。在壳体150的内部收纳有振荡器，其振荡出对于被加工物1具有透过性的波长的激光束。在聚光器151的内部内置有用于对由振荡器振荡出的激光束进行会聚的聚光透镜(未图示)。
在壳体150的前端且在与聚光器151相邻的位置，配设有对要照射激光束的区域(分割预定线2)进行检测的拍摄单元16。拍摄单元16例如是内置有CCD图像传感器的相机。拍摄单元16从上方对保持工作台11所保持的被加工物1进行拍摄并进行图案匹配等图像处理，从而能够对分割预定线2进行检测。
升降单元17具有：滚珠丝杠170，其在Z轴方向上延伸；电动机171，其与滚珠丝杠170的一端连接；一对导轨172，它们与滚珠丝杠170平行地延伸；以及升降板173，其对激光束照射单元15进行支承。在升降板173的一个面上固定有壳体150，一对导轨172与升降板173的另一个面滑动接触，滚珠丝杠170与形成在升降板173的中央部的螺母螺合。通过电动机171进行驱动的滚珠丝杠170进行转动，从而使升降板173沿着导轨172在Z轴方向上移动，使聚光器151上下移动，能够将激光束的聚光位置调整为期望的位置。
(激光加工步骤的第1例)
接着，使用激光加工装置10，沿着分割预定线2照射对于被加工物1具有透过性的波长的激光束而对被加工物1实施激光加工。例如使用具有球面像差的聚光透镜，在由聚光透镜会聚的激光束产生了纵向像差的状态下对被加工物照射激光束。激光加工步骤的第1例例如设定为下述加工条件1来实施。
[加工条件1]
被加工物1的材质：石英玻璃
被加工物1的厚度：500μm
波长：1064nm的脉冲激光
平均输出：2W
重复频率：10kHz
加工进给速度：100mm/s
如图3所示，若将粘贴有带4的被加工物1的被保持面1b侧载置于保持工作台11的保持面11a，并且将框架3载置于框架载置台120，则利用夹持部121压住框架3的上表面而进行固定。接着，利用图2所示的加工进给单元13使保持工作台11在X轴方向上移动，利用拍摄单元16对要进行激光加工的分割预定线2进行检测。然后，当通过分度进给单元14进行了聚光器151与分割预定线2的Y轴方向的对位，则通过升降单元17使聚光器151向接近被加工物1的方向下降，将激光束LB的聚光点的位置定位成在被加工物1的厚度方向上延伸。
一边通过图2所示的加工进给单元13将保持工作台11以规定的加工进给速度(100mm/s)在X轴方向上进行加工进给，一边利用激光束照射单元15沿着图1所示的分割预定线2从被加工物1的上表面1a侧照射对于被加工物1具有透过性的波长(1064nm)的激光束LB，从而沿着分割预定线2形成多个在激光束LB的照射方向上延伸的图4所示的细孔5。图示的例子中的细孔5是在被加工物1的被保持面1b上形成有开口6、从上表面1a朝向被保持面1b缩径的微细的孔。通过在被加工物1的内部形成细孔5，在实施后述的分割步骤时，仅通过从上表面1a侧施加比较小的外力，便容易将细孔5的扩径的那一侧(形成有开口6的被保持面1b侧)扩展，能够良好地对被加工物1进行分割。
在细孔5的周围，围绕细孔5而形成有发生了变质的变质区域7。沿着分割预定线2的延伸方向间歇地重复进行激光束LB的照射所实现的细孔5的形成而形成多个细孔5。在相邻的细孔5之间，在一部分形成有裂纹。这样，若沿着图1所示的所有分割预定线2形成多个由细孔5和围绕细孔5的变质区域7构成的盾构隧道，则激光加工步骤的第1例结束。细孔5例如为在第1例中，将被加工物1的加工进给速度设定为100mm/s、将激光束LB的重复频率设定为10kHz，从而按照10μm间距沿着分割预定线S形成细孔5。另外，在第1例中，为了便于说明，在图4中示意性示出细孔5和变质区域7而清晰地进行了图示，但实际上通过加工而形成的细孔5和变质区域7并不清晰、不明显。
在上述激光加工步骤的第1例中，为了在被加工物1的内部形成良好的盾构隧道，优选例如如图5所示，将聚光透镜152的数值孔径(NA)除以被加工物1的折射率(N)而得的值(S＝NA/N)例如设定为0.05～0.2的范围。这里，对数值孔径(NA)、折射率(N)、数值孔径(NA)除以折射率(N)而得的值(S＝NA/N)之间的关系性进行说明。通过了聚光透镜152的激光束LB按照相对于光轴O具有角度θ的方式会聚，此时的sinθ为聚光透镜的数值孔径(NA)(N＝sinθ)。当通过聚光透镜152会聚的激光束LB照射至被加工物1时，激光束LB从角度θ折射成角度α而会聚于聚光点P。相对于光轴O的角度α根据被加工物1的折射率(N)而不同，该折射率(N)是sinθ除以sinα而得的值(N＝sinθ/sinα)，因此数值孔径(NA)除以折射率(N)而得的值(S＝NA/N)为sinα。因此，将sinα设定为0.05～0.2的范围(0.05≤sinα≤0.2)即可。
接着，对要将数值孔径(NA)除以折射率(N)而得的值(S＝NA/N)设定为0.05～0.2的范围的根据进行说明。具体而言，对于厚度为500μm、由石英玻璃构成的被加工物1(折射率(N)：1.45)，将聚光透镜152的数值孔径(NA)例如分别设定为0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4，在上述加工条件1下形成盾构隧道，并判定其优劣。在数值孔径(NA)为0.05的情况下，数值孔径(NA)除以被加工物1的折射率(N)而得的值(S＝NA/N)为0.035，确认到在被加工物1的内部所形成的盾构隧道不良。另外，在将数值孔径(NA)分别设定为0.3、0.35、0.4的情况下，数值孔径(NA)除以被加工物1的折射率(N)而得的值(S＝NA/N)为0.207、0.241、0.276，盾构隧道不良，特别是在数值孔径(NA)为0.35、0.4的情况下，确认到会产生空隙。另一方面，在将数值孔径(NA)分别设定为0.05、0.1、0.15、0.2、0.25的情况下，数值孔径(NA)除以被加工物1的折射率(N)而得的值(S＝NA/N)为0.069、0.103、0.138、0.172，确认到在被加工物1的内部形成良好的盾构隧道。因此，若为数值孔径(NA)设定为0.1～0.25的范围的聚光透镜152，则数值孔径(NA)除以折射率(N)而得的值(S＝NA/N)为0.05～0.2的范围，因此能够确认到能够形成良好的盾构隧道。在激光加工步骤的第1例中，在激光束LB中产生纵向像差、激光束LB的聚光点P在被加工物1的厚度方向上延伸的状态下对被加工物1照射激光束LB。每当对被加工物1照射1脉冲的激光束LB，则形成一个细孔5，因此仅将保持工作台11进行1次加工进给，便能够形成在被加工物1的厚度方向上延伸的变质区域7。另外，在第1例中，除了如上述那样使用具有球面像差的聚光透镜152以外，也可以通过在聚光透镜的上游侧或下游侧配设透镜而生成球面像差，也可以从振荡器振荡出自身具有规定的扩展角的激光束LB并利用聚光透镜进行会聚。
(激光加工步骤的第2例)
在上述激光加工步骤的第1例中，在被加工物1的内部形成了盾构隧道，但不限于该情况，也可以如图6所示那样在被加工物1A的内部形成改质层8。在第1例的形成盾构隧道的情况下，使用具有球面像差的聚光透镜152，但在第2例中，进行在被加工物1A的内部形成改质层8的加工，因此使用不具有球面像差的聚光透镜。即，激光加工步骤的第2例使用与上述激光加工装置10不同的光学系统的激光加工装置(未图示)来进行。激光加工步骤的第2例例如设定为下述加工条件2来实施。
[加工条件2]
被加工物1的材质：石英玻璃
被加工物1的厚度：500μm
波长：1064nm的脉冲激光
平均输出：0.2W
重复频率：80kHz
加工进给速度：200mm/s
虽未进行图示，使聚光器向接近被加工物1A的方向下降，将激光束的聚光点的位置定位于接近被加工物1A的被保持面1b侧的规定的深度。一边将保持工作台以规定的加工进给速度(200mm/s)在X轴方向上进行加工进给，一边沿着分割预定线2从被加工物1的上表面1a侧照射对于被加工物1A具有透过性的波长(1064nm)的激光束，从而如图6所示那样在被加工物1A的内部沿着分割预定线2的延伸方向形成强度降低的改质层8。从改质层8的端部起在被加工物1A的厚度方向上产生裂纹9。另外，预先按照裂纹9达到被加工物1A的被保持面1b的方式调整激光束的输出即可。
对于形成在被加工物1A的内部的改质层8的数量没有特别限定，可以为1层，也可以为2层以上。因此，当要在被加工物1A的内部形成多个改质层8的情况下，使聚光器上升，将激光束的聚光点的位置从被加工物1A的被保持面1b侧向上表面1a侧隔开均等的间隔而将激光束的聚光点定位于更靠上表面1a侧的位置来照射激光束，从而在被加工物1A的内部形成2层以上的改质层8。另外，也可以对保持工作台进行多次加工进给而形成多层改质层8，也可以在使激光束分支而将聚光点的位置定位于多个部位的状态下对保持工作台进行加工进给而形成多层改质层8。若在被加工物1A的内部沿着所有分割预定线2的延伸方向形成了改质层8，则激光加工步骤的第2例结束。
图7所示的切削装置20是用于实施后述的分割步骤的切削装置的一例。切削装置20具有装置基座200，在装置基座200上具有：能够旋转的保持工作台21，其具有对被加工物1进行吸引保持的吸引保持面21a；加工进给单元23，其将保持工作台21在X轴方向上进行加工进给；切削单元25，其对被加工物1实施切削加工；以及分度进给单元24，其将切削单元25在Y轴方向上进行分度进给。在保持工作台21的周缘配设有对框架3进行保持的框架保持单元22。
加工进给单元23具有：滚珠丝杠230，其在X轴方向上延伸；电动机231，其与滚珠丝杠230的一端连接；一对导轨232，它们与滚珠丝杠230平行地延伸；以及X轴基座233，其能够在X轴方向上移动。在X轴基座233的一个面上旋转自如地支承着保持工作台21，一对导轨232与X轴基座233的另一个面滑动接触，滚珠丝杠230与形成在X轴基座233的中央部的螺母螺合。通过电动机231进行驱动的滚珠丝杠230进行转动，从而X轴基座233沿着导轨232在X轴方向上移动，能够将保持工作台21在X轴方向上进行加工进给。
分度进给单元24具有：滚珠丝杠240，其在Y轴方向上延伸；电动机241，其与滚珠丝杠240的一端连接；一对导轨242，它们与滚珠丝杠240平行地延伸；以及剖面为大致L字形状的可动基台243。在可动基台243的上部，借助升降单元29支承有切削单元25。另一方面，一对导轨242与可动基台243的下部滑动接触，滚珠丝杠240与形成在可动基台243的中央部的螺母螺合。通过电动机241进行驱动的滚珠丝杠240进行转动，从而可动基台243沿着导轨242在Y轴方向上移动，能够将切削单元25在Y轴方向上进行分度进给。
升降单元29至少具有：未图示的滚珠丝杠，其在Z轴方向上延伸；以及电动机290，其与滚珠丝杠的一端连接，电动机290进行驱动，从而滚珠丝杠进行转动，能够使切削单元25在Z轴方向上升降。在保持工作台21的加工进给的路径上配设有拍摄单元30，其对要对被加工物1进行分割的区域(分割预定线2)进行检测。拍摄单元30例如是内置有CCD图像传感器的相机，通过从上方对保持工作台21所保持的被加工物1进行拍摄并进行图案匹配等图像处理，能够对分割预定线2进行检测。
切削单元25至少具有：主轴250，其具有Y轴方向的轴心；主轴壳体251，其将主轴250支承为能够旋转；以及切削刀具26，其具有安装在主轴250的前端的环状的切刃。切削单元25构成为通过使主轴250旋转而使切削刀具26以规定的速度旋转。
切削刀具26的切刃是利用树脂或金属等结合材料结合金刚石或立方氮化硼等磨粒而形成的，如图8所示，其前端部分具有削尖成锐角的刃尖260，前端部分的剖面形状例如形成为V形状。切削刀具26的前端角度261优选设定为30°～60°的范围。这样，根据前端部分形成为V形状的切削刀具26，形成有细孔5的被加工物1的分割性提高。即，当使切削刀具26的刃尖260沿着分割预定线2切入时，即使被加工物1的厚度方向上的切入深度较浅，也能够将细孔5的开口6侧扩展，能够高效地在厚度方向上对被加工物1进行分割。
(分割步骤的第1例)
在实施了激光加工步骤之后，在切削装置20中，通过切削刀具26沿着分割预定线2对被加工物1的厚度方向的一部分进行切削，从而对被加工物1进行分割。例如，一边隔着图9所示的支承治具40利用保持工作台21对被加工物1进行保持，一边实施分割步骤的第1例。在本实施方式中，说明对在激光加工步骤的第1例中进行了激光加工的被加工物1进行分割的情况。
支承治具40形成为矩形板状，其具有：支承部41，其为了对被加工物1的分割预定线2的两侧进行支承而沿着分割预定线2的延伸方向延伸；以及槽42，其形成在与分割预定线2对应的位置。“分割预定线2的两侧”是指被加工物1中的未形成分割预定线2的部分，是夹着分割预定线2的一对外侧1c。
槽42是不对分割预定线2的正下方进行支承的间隙，在图示的例子中，槽42仅在一个方向上延伸而形成。支承治具40例如由橡胶、聚氨酯等柔软部件构成，在被加工物1的分割时，支承治具40容易相对于吸引保持面21a沉入，能够缓和对于被加工物1的冲击。在这样构成的支承治具40中，能够利用支承部41对被加工物1的分割预定线2的两侧(一对外侧1c)进行支承并且不对被定位于两个支承部41之间的槽42的分割预定线2的正下方进行支承而将被加工物1保持于保持工作台21。
另外，优选支承治具40具有大于等于被加工物1的尺寸且具有比保持工作台21的吸引保持面21a小的尺寸。本实施方式所示的支承治具40为与被加工物1大致相同的尺寸，在分割时能够按照不使被加工物1破损的方式进行支承。另外，支承治具40的尺寸及形状根据要分割的被加工物1的尺寸或形状进行适当变更即可。
当利用保持工作台21对借助带4而与框架3成为一体的被加工物1进行吸引保持时，在将支承治具40载置于保持工作台21的吸引保持面21a上之后，从粘贴在被加工物1的被保持面1b上的带4侧将被加工物1载置于支承治具40上。此时，将分割预定线2的外侧1c定位于支承部41，并且将槽42定位于分割预定线2的正下方。
接着，在由载置于支承治具40上的被加工物1所粘贴的带4覆盖着吸引保持面21a的状态下，利用保持工作台21对被加工物1进行吸引保持。具体而言，当未图示的吸引源的吸引力经由吸引保持面21a而作用于支承治具40时，如图10所示，位于支承部41之间的槽42的正上方的带4因吸引力而从被加工物1的被保持面1b剥离，成为仿照槽42的形状而粘贴的状态。即，位于槽42的正上方的细孔5的开口6露出，被加工物1成为没有任何支承的状态。带4也可以粘贴于被保持面1b，当利用切削刀具26对被加工物1进行切削时，在槽42的正上方的部分没有任何支承的状态下，被加工物1的分割性进一步提高。优选将夹着槽42的两个支承部41之间的距离H设定为通过分割被加工物1而形成的芯片尺寸的1/5～1/6左右。
通过图7所示的拍摄单元30对分割预定线2进行检测，进行分割预定线2与切削刀具26的对位。接着，一边利用加工进给单元23将保持工作台21以规定的加工进给速度在X轴方向上进行加工进给，一边使切削刀具26旋转，同时通过升降单元29使切削刀具26从被加工物1的上表面1a按照规定的切入深度L切入，对被加工物1的厚度方向的一部分进行切削。在切削刀具26的图8所示的前端角度261例如设定为60°的情况下，切入深度L优选设定为被加工物1的厚度的1/5左右(100μm左右)。通过这样对被加工物1的厚度方向的一部分进行切削，从而细孔5的扩径的开口6侧扩展，位于槽42的上方的部分被向下方按压，无法耐受外力的被加工物1被分割。另外，切削刀具26的前端角度261越成为锐角，被加工物1的分割性越提高，但切削刀具26的磨损量会增大，因此根据被加工物1的材质适当调整前端角度261及切入深度L即可。
若利用切削刀具26沿着在被加工物1的一个方向上延伸的分割预定线2进行了切削，则暂时将被加工物1从支承治具40取下并使其旋转90°，将槽42定位于未切削的分割预定线2的正下方之后，将被加工物1重新载置于支承治具40上。之后，与上述同样地，在由载置于支承治具40上的被加工物1所粘贴的带4覆盖着吸引保持面21a的状态下，利用保持工作台21对被加工物1进行吸引保持，同时沿着分割预定线2进行与上述同样的切削，将被加工物1分割成各个芯片。支承治具40的槽42也可以与格子状的分割预定线2相对应地形成为格子状。在该情况下，沿着在被加工物1的一个方向上延伸的分割预定线2进行了切削之后，使保持工作台21旋转90°从而改变未切削的分割预定线2的朝向，沿着分割预定线2进行与上述同样的切削即可。
本实施方式所示的切削刀具26的前端部分的剖面形状为V形状，但并不限于该形状。例如也可以如图11的(a)所示使用如下的切削刀具27来实施分割步骤：该切削刀具27具有向一个面倾斜的锥状的外周面270，该切削刀具27的前端部分的剖面形状形成为V字的单侧形状。另外，也可以如图11的(b)所示使用具有前端部分的形状为平直的刃尖280的切削刀具28来实施分割步骤。优选将使用该切削刀具28实施分割步骤时的切入深度设定为被加工物1的厚度的1/2左右(250μm左右)。
(分割步骤的第2例)
在分割步骤中，例如也可以使用图12所示的治具台50来实施。治具台50包含对被加工物1进行支承的支承面51，并形成有与分割预定线2相对应的槽52，并且在由槽52划分的各区域中形成有对被加工物1进行吸引的吸引孔53。治具台50固定于图13所示的治具基座54上。在治具基座54的内部形成有与吸引孔53连通的吸引路55。吸引路55经由阀56而与吸引源57连接。通过将阀56打开，能够通过吸引孔53对支承面51作用吸引力。另外，在治具基座54中形成有用于吸引保持治具台50的吸引孔58。吸引孔58经由阀56a而与吸引源57a连接。通过将阀56a打开，能够通过吸引孔58对治具基座54的上表面作用吸引力而对治具台50进行吸引保持。这样，与治具基座54一体地构成的治具台50作为直接对被加工物1进行吸引保持的保持工作台发挥功能。
在使用治具台50实施分割步骤的情况下，如图14所示，将沿着分割预定线2形成有细孔5的被加工物1从被保持面1b侧载置于治具台50。此时，将细孔5的开口6定位于治具台50的槽52的上方侧。接着，将阀56打开，通过吸引路55使吸引孔53与吸引源57连通，对治具台50的支承面51作用吸引力。由此，利用治具台50直接对被加工物1进行吸引保持。在分割步骤的第2例中，能够利用治具台50直接对被加工物1进行吸引保持，因此可以不使用上述带4。
与分割步骤的第1例同样地，一边使切削刀具26例如向箭头A方向旋转，一边使切削刀具26从被加工物1的上表面1a按照规定的切入深度切入，对被加工物1的厚度方向的一部分进行切削。细孔5的扩径的开口6侧扩展，位于槽52的上方的部分被向下方按压，无法耐受外力的被加工物1被分割。并且，沿着所有分割预定线2进行与上述同样的切削，将被加工物1分割成各个芯片。
这样，在本发明的加工方法中，具有通过对被加工物1的厚度方向的一部分进行切削从而进行分割的分割步骤，因此与使用断开装置等的以往的加工方法相比，能够减小对被加工物1的冲击，能够将被加工物1良好地分割成各个芯片。另外，在分割步骤中，仅利用切削刀具26对被加工物1的厚度方向的一部分进行切削即可，因此与利用切削刀具26在厚度方向上将被加工物1完全切断的情况相比，能够提高加工进给速度，提高芯片的生产率。
在分割步骤的第1例中，在具有吸引保持面21a的保持工作台21上，隔着具有大于等于被加工物1的尺寸且具有比吸引保持面21a小的尺寸的支承治具40而利用保持工作台21对被加工物1进行吸引保持，因此能够减小分割时对被加工物1的冲击，能够将被加工物1良好地分割成各个芯片。
另外，在分割步骤的第2例中，构成为利用治具台50直接对未粘贴带4的被加工物1进行吸引保持，因此能够减小分割时对被加工物1的冲击，能够将被加工物1良好地分割成各个芯片。

Claims (4)

1.一种加工方法，是设定有分割预定线的被加工物的加工方法，其中，
该加工方法具有如下的步骤：
激光加工步骤，沿着该分割预定线照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束而对被加工物实施激光加工；以及
分割步骤，在实施了该激光加工步骤之后，利用切削刀具沿着该分割预定线对被加工物的厚度方向的一部分进行切削，由此沿着该分割预定线对被加工物进行分割，
该分割步骤按照如下的方式实施：利用沿着该分割预定线的延伸方向延伸的支承部对该分割预定线的两侧进行支承，并且不对该分割预定线的正下方进行支承。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其中，
在所述分割步骤中，在具有吸引保持面的保持工作台上隔着支承治具而将被加工物载置在该吸引保持面上，所述支承治具具有大于等于被加工物的尺寸并且具有比该吸引保持面小的尺寸，
在被加工物的被保持面上粘贴有带，该带具有比该吸引保持面大的尺寸，
在由隔着该支承治具而载置在该保持工作台上的被加工物所粘贴的该带覆盖着该吸引保持面的状态下，利用该保持工作台对被加工物进行吸引保持。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其中，
在所述分割步骤中，利用治具台直接对被加工物进行吸引保持，所述治具台包含对被加工物进行支承的支承面并形成有与所述分割预定线对应的槽，并且在由该槽划分的各区域中形成有对被加工物进行吸引的吸引孔。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的加工方法，其中，
所述切削刀具的前端的剖面形状为V形状。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112975653A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 何宽 一种用于椭圆环形光学玻璃的加工装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102654348B1 (ko) * 2022-04-07 2024-04-04 (주)이오테크닉스 홈 형성 장치 및 홈 형성 방법

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5417408A (en) * 1992-10-27 1995-05-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holding apparatus for holding a wafer
US5445559A (en) * 1993-06-24 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated Wafer-like processing after sawing DMDs
WO2004048058A1 (ja) * 2002-11-22 2004-06-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 基板分断方法およびその方法を用いたパネル製造方法
CN102555083A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 株式会社迪思科 分割方法
CN102693942A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN103786271A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 三星钻石工业股份有限公司 积层脆性材料基板的裂断装置及其裂断方法
CN104859062A (zh) * 2014-02-21 2015-08-26 株式会社迪思科 晶片的加工方法
US20150367450A1 (en) * 2013-01-31 2015-12-24 Ams Ag Dicing method
JP2017054956A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ 被加工物の支持治具
JP2017056740A (ja) * 2016-12-16 2017-03-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層セラミックス基板のスクライブ装置
CN107017188A (zh) * 2016-01-27 2017-08-04 株式会社迪思科 分割治具和晶片的分割方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4846411B2 (ja) 2006-03-30 2011-12-28 株式会社ディスコ 半導体パッケージ用治具
JP2009148982A (ja) 2007-12-20 2009-07-09 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置
JP2013038434A (ja) 2012-09-13 2013-02-21 Daitron Technology Co Ltd ブレーキング装置
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6430759B2 (ja) 2014-09-24 2018-11-28 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2016082162A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6407066B2 (ja) * 2015-03-06 2018-10-17 株式会社ディスコ 光デバイスチップの製造方法
JP6556066B2 (ja) 2016-02-09 2019-08-07 株式会社ディスコ 切削装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5417408A (en) * 1992-10-27 1995-05-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holding apparatus for holding a wafer
US5445559A (en) * 1993-06-24 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated Wafer-like processing after sawing DMDs
WO2004048058A1 (ja) * 2002-11-22 2004-06-10 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 基板分断方法およびその方法を用いたパネル製造方法
CN102555083A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 株式会社迪思科 分割方法
CN102693942A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN103786271A (zh) * 2012-10-29 2014-05-14 三星钻石工业股份有限公司 积层脆性材料基板的裂断装置及其裂断方法
US20150367450A1 (en) * 2013-01-31 2015-12-24 Ams Ag Dicing method
CN104859062A (zh) * 2014-02-21 2015-08-26 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2017054956A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 株式会社ディスコ 被加工物の支持治具
CN107017188A (zh) * 2016-01-27 2017-08-04 株式会社迪思科 分割治具和晶片的分割方法
JP2017056740A (ja) * 2016-12-16 2017-03-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層セラミックス基板のスクライブ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112975653A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 何宽 一种用于椭圆环形光学玻璃的加工装置

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