JP2017056740A - 積層セラミックス基板のスクライブ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】セラミックス基板に金属膜を積層した積層セラミックス基板をスクライブすること。【解決手段】セラミックス基板に金属膜が積層された積層セラミックス基板30の金属膜32,33にパターニングツールを用いてスクライブ予定ラインに沿って溝加工を行うスクライブヘッド26と及び金属膜32又は33の溝32a、又は33aよりセラミックス基板31にスクライブラインを形成するスクライブヘッド24を具備するスクライブ装置。【選択図】図3
Description
本発明はセラミックス基板に金属膜を積層した積層セラミックス基板の分断方法に用いるスクライブ装置に関するものである。
従来セラミックス基板に金属膜を積層した積層セラミックス基板を分断する場合には、ダイシングソー等を用いて分断することが多かった。又特許文献1にはセラミックス基板をスクライブした後に金属層を接合し、エッチングによりスクライブラインの金属層を除去した後ブレイクするセラミックス接合基板の製造方法が提案されている。
前述した特許文献1ではセラミックス基板に金属薄膜を積層する前にスクライブする必要があり、既に積層された積層セラミックス基板を分断するものではないという問題点があった。
又図1(a)に示すようにセラミックス基板101の両面に金属膜102,103を積層した積層セラミックス基板100をスクライブしてブレイクする場合について説明する。まず図1(b)に示すように金属膜102の面にスクライビングホイール104を用いてスクライブを施し、次いで図1(c)に示すようにブレイクバー105を用いて積層セラミックス基板100を分断しようとしても、金属膜102には十分な垂直クラックが形成されておらず、セラミックス基板101、金属膜103には垂直クラックが生じていない。そのためブレイクすることは難しく、分離できなかったり、図1(d)に示すようにスクライブライン通り分離されないという問題点があった。
又他の方法として図2(b)に示すように金属膜102、次いで図2(c)に示すように金属膜103の面にスクライビングホイール104を用いてスクライブを施し、次に図2(d)に示すようにブレイクバー105を用いて積層セラミックス基板100を分断しようとしても、金属膜102,103には十分な垂直クラックが形成されておらず、セラミックス基板101には垂直クラックが生じていない。そのためブレイクすることは難しく、図2(e)に示すようにスクライブライン通り分離されることがないという問題点があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、セラミックス基板に金属膜を積層した積層セラミックス基板を完全に分断し個別化できるようにすることを目的とする。
この課題を解決するために、本発明は、セラミックス基板の両面に金属膜が積層された積層セラミックス基板の分断方法であって、前記積層セラミックス基板のスクライブ予定ラインに沿って一方の金属膜に対してパターニングツールで溝加工を行い、前記積層セラミックス基板のスクライブ予定ラインに沿って他方の金属膜に対してパターニングツールで溝加工を行い、前記いずれか一方の金属膜より金属膜が取り去られた溝に沿って前記セラミックス基板に対してスクライビングホイールを転動させてスクライブを行い、前記積層セラミックス基板のスクライブラインに合わせてブレイクするものに使用できるスクライブ装置である。
この課題を解決するために、本発明は、セラミックス基板の両面に金属膜が積層された積層セラミックス基板の分断方法であって、前記積層セラミックス基板のスクライブ予定ラインに沿って一方の金属膜に対してパターニングツールで溝加工を行い、前記金属膜の面より金属膜が取り去られた溝に沿って前記セラミックス基板に対してスクライビングホイールを転動させてスクライブを行い、前記積層セラミックス基板のスクライブ予定ラインに沿って他方の金属膜に対してパターニングツールで溝加工を行い、前記積層セラミックス基板のスクライブラインに合わせてブレイクするものに使用できるスクライブ装置である。
ここで前記セラミックス基板のスクライブは、スクライビングホイールを用いたスクライブとしてもよい。
この課題を解決するために、本発明の積層セラミックス基板のスクライブ装置は、セラミックス基板に金属膜が積層された積層セラミックス基板の分断に用いられるスクライブ装置であって、スクライブの対象となる積層セラミックス基板を保持するテーブルと、前記テーブルに設置される積層セラミックス基板の面に平行なビームを有するブリッジと、前記ビームに沿って移動自在に設けられ、前記テーブルに保持された積層セラミックス基板のスクライブ予定ラインに沿って表面の金属膜に対してパターニングツールによって溝加工を行う第1のスクライブヘッドと、前記ビームに沿って移動自在に設けられ、前記溝加工された積層セラミックス基板の溝に対してスクライビングホイールを転動させてスクライブを行う第2のスクライブヘッドと、を具備するものである。
このような特徴を有する本発明によれば、セラミックス基板の両面に金属膜を積層した積層セラミックス基板をスクライブ予定ラインに沿って溝加工を行い、上下の同一部分について金属膜を帯状に取り去る。そして取り去った金属膜の溝からセラミックス基板をスクライブし、その後積層セラミックス基板を反転させてブレイクしている。このため両面に金属膜をもつ積層セラミックス基板を所望の形状に完全に分断し個別化することができ、端面精度を向上させることができるという効果が得られる。
又本発明のスクライブ装置は、1台のスクライブ装置で帯状に金属膜を除去することとスクライブとを同時に実現することができるという効果が得られる。
図3は、本発明の実施の形態による積層セラミックス基板の分断に用いられるスクライブ装置の一例を示す概略斜視図である。このスクライブ装置10は、移動台11が一対の案内レール12a、12bに沿って、y軸方向に移動自在に保持されている。ボ−ルネジ13は移動台11と螺合している。ボールネジ13はモータ14の駆動により回転し、移動台11を案内レール12a,12bに沿ってy軸方向に移動させる。移動台11の上面にはモータ15が設けられている。モータ15はテーブル16をxy平面で回転させて所定角度に位置決めするものである。
スクライブ装置10には、移動台11とその上部のテーブル16をまたぐようにブリッジ20がx軸方向に沿って支柱21a,21bにより架設されている。ブリッジ20は横方向にテーブル16の面に平行にビーム22が設けられ、ビーム22の長手方向にリニアモータ23が設けられる。リニアモータ23にはパターニング用の第1のスクライブヘッド24が設けられている。スクライブヘッド24の下端部には、パターニングツール25が取付けられている。このパターニングツール25は、一定の幅で金属膜を剥離するためのツールであり、例えば特開2011−216646号に示された太陽電池の溝加工ツールとして用いられるパターニングツールを用いる。パターニングツール25は、例えば図4(a)に斜視図を示すように円錐台形状のツールであってもよい。又図4(b)に示すように刃先が角柱状のツールであってもよく、更には図4(c)に示すように角柱状の左右を切り欠いた形状のものであってもよい。又ツールの先端だけでなく全体も角柱状であってもよい。スクライブヘッド24には、その内部にそうした昇降動作を可能とする昇降部、例えば空気圧制御を用いるエアーシリンダーやリニアモータによる電動昇降部などが設けられている。
又リニアモータ23にはスクライブ用の第2のスクライブヘッド26が設けられている。スクライブヘッド26はスクライビングホイール27を上下動自在に保持するものである。リニアモータ23はスクライブヘッド24,26をx軸方向に沿って移動させる駆動源である。
図5(a)は分断の対象となる積層セラミックス基板(以下、単に積層基板という)30を示す図である。積層基板30はセラミックス基板31の両面に金属膜32,33を積層した基板である。ここでセラミックス基板31はLTCC基板であってもよく、アルミナや窒化アルミ、チタン酸バリウム、フェライト、窒化珪素等のセラミックス基板であってもよい。又金属膜32,33はニッケル、銀、金、銅及び白金等の薄膜であり、例えば膜厚が10〜20μmとする。このとき金属膜32,33は何らかのパターンが形成されているものであってもよい。
このような積層基板30を所定のパターンで分断する場合に、まず積層基板30を図3のスクライブ装置10のテーブル16に載置する。そして図5(b)に示すようにスクライブを予定するラインに沿って、一定の幅で金属膜32をパターニングツール25で直線的に除去する。この金属膜の除去はスクライブ装置10のスクライブヘッド24をリニアモータ23によって移動させて行う。こうして金属膜32を取り去った積層セラミックス基板30の断面図を図5(c)に示す。この溝32aの幅は例えば25〜200μmの幅とする。
更に図5(d)に示すように、積層基板30を反転させて前述した溝32aと同一部分について金属膜33をパターニングツール25で除去し、溝32aと対称な位置に同一幅の溝33aを形成する。こうすれば図6(e)に示すように、スクライブ予定ラインに沿って両面の金属膜が取り去られたこととなる。
そしていずれか一方の金属膜、ここでは金属膜33の面から帯状の溝33aの内側のセラミックス基板31に対してスクライブを行う。このスクライブについても図3に示すスクライブ装置10を用いて、図6(f)に示すように積層基板30にスクライビングホイール27を一定の荷重で押圧し転動させてクラックを垂直に浸透させるようにスクライブラインS1を形成する。このスクライブに用いるスクライビングホイールは、高浸透のスクライブが可能なものを用いてもよく、通常のものを用いてもよい。例えば日本国特許文献3074143号に示されているように、円周面に所定間隔を隔てて多数の溝を形成し、その間を突起として高浸透型としたスクライビングホイールが提案されている。
次いで図6(g)に示すように、積層基板30を反転させ、ブレイク装置の一対の支持部材34,35の上面にテープ36を配置し、支持部材34,35の中間にスクライブラインが位置するように積層基板30を配置する。そしてその上部よりスクライブラインS1に沿ってブレイクバー37を押し下げてブレイクする。こうすれば図6(h)に示すように、積層基板をスクライブラインに沿って完全に分断することができ、端面精度を向上させることができる。この積層基板の分断を格子状に行うことによって個別の積層基板チップを形成することができる。尚図6(f)に示すスクライブは溝32aに対して行ってもよく、この場合もブレイクする前に積層セラミックス基板を反転させてブレイクを行う。
この実施の形態では、図5(b)〜図6(f)に示すように金属膜の両面に溝加工を行い、次いで金属の溝よりセラミックス基板に対してスクライブするようにしている。これに代えて一方の面の金属膜に溝加工を行い、その溝からセラミックス基板に対してスクライブを行った後、反転して他方の金属膜に溝加工を行うようにしてもよい。その後のブレイクの工程については同一である。
又この実施の形態では、図6(f)の工程でスクライブ装置を用いてスクライビングホイールを転動させてスクライブを実行しているが、レーザスクライブ装置によってスクライブを行うようにしてもよい。又図6(g)の工程でブレイク装置を用いてブレイクしているが、これに代えて分断する小片の形状が比較的大きい場合には、作業者が直接手で分断するようにしてもよい。この場合にはテープ36は不要となる。
この実施の形態によるクライブ装置は、両面に金属膜を有する積層セラミックス基板について両面の金属膜を剥離しセラミックス基板をスクライブする分断方法に適用できるだけでなく、いずれか一方の面にのみ金属膜を積層した積層セラミックス基板において、一方の金属膜を剥離しセラミックス基板をスクライブする分断方法にも用いることができる。
本発明はセラミックス基板に金属膜を積層した積層基板をパターニングツールとスクライブ装置を用いて容易に分断することができ、微小な積層基板の製造に有効である。
10 スクライブ装置
11 移動台
16 テーブル
20 ブリッジ
22 ビーム
23 リニアモータ
24,26 スクライブヘッド
25 スクライビングホイール
27 パターニングツール
30 積層セラミックス基板
31 セラミックス基板
32,33 金属膜
32a,33a 溝
34,35 支持部材
36 テープ
37 ブレイクバー
11 移動台
16 テーブル
20 ブリッジ
22 ビーム
23 リニアモータ
24,26 スクライブヘッド
25 スクライビングホイール
27 パターニングツール
30 積層セラミックス基板
31 セラミックス基板
32,33 金属膜
32a,33a 溝
34,35 支持部材
36 テープ
37 ブレイクバー
Claims (1)
- セラミックス基板に金属膜が積層された積層セラミックス基板の分断に用いられるスクライブ装置であって、
スクライブの対象となる積層セラミックス基板を保持するテーブルと、
前記テーブルに設置される積層セラミックス基板の面に平行なビームを有するブリッジと、
前記ビームに沿って移動自在に設けられ、前記テーブルに保持された積層セラミックス基板のスクライブ予定ラインに沿って表面の金属膜に対してパターニングツールによって溝加工を行う第1のスクライブヘッドと、
前記ビームに沿って移動自在に設けられ、前記溝加工された積層セラミックス基板の溝に対してスクライビングホイールを転動させてスクライブを行う第2のスクライブヘッドと、を具備する積層セラミックス基板のスクライブ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016244153A JP6316395B2 (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | 積層セラミックス基板のスクライブ装置 |
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JP2016244153A JP6316395B2 (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | 積層セラミックス基板のスクライブ装置 |
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-
2016
- 2016-12-16 JP JP2016244153A patent/JP6316395B2/ja active Active
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