CN108447769A - 晶片生成方法 - Google Patents

晶片生成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108447769A
CN108447769A CN201810088340.2A CN201810088340A CN108447769A CN 108447769 A CN108447769 A CN 108447769A CN 201810088340 A CN201810088340 A CN 201810088340A CN 108447769 A CN108447769 A CN 108447769A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal ingot
peeling layer
chip
monocrystal sic
modification portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810088340.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108447769B (zh
Inventor
平田和也
山本凉兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN108447769A publication Critical patent/CN108447769A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108447769B publication Critical patent/CN108447769B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

提供晶片生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。本发明的晶片生成方法至少由下述工序构成：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的晶片的厚度的深度，对晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；剥离开端形成工序，对于形成有剥离层(22)的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线(LB)，使裂纹(20)生长，形成剥离的开端(23)；以及晶片生成工序，将晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对晶锭(2)赋予具有与晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将晶锭(2)的一部分剥离而生成晶片(34)。

Description

晶片生成方法
技术领域
本发明涉及一种晶片生成方法，其从单晶SiC晶锭生成晶片。
背景技术
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过分割预定线进行划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话、个人计算机等电器设备中。
形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是在单晶SiC晶锭中，其硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。
因此，本申请人提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，从而在切断预定面上形成剥离层，并将晶片从剥离层剥离(参见专利文献2)。然而，将晶片从剥离层剥离是困难的，存在生产效率差的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2016-111143号公报
发明内容
发明所要解决的课题
鉴于上述实际情况所完成的本发明的课题在于提供一种晶片生成方法，其能够高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明提供以下的晶片生成方法。即，一种晶片生成方法，其从单晶SiC晶锭生成晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与c轴垂直的c面，该晶片生成方法至少由下述工序构成：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成；剥离开端形成工序，对于形成有剥离层的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线，使裂纹生长，形成剥离的开端；以及晶片生成工序，将单晶SiC晶锭浸渍于液体中，藉由液体对单晶SiC晶锭赋予具有与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成晶片。
优选的是，与上述单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率为单晶SiC晶锭的固有振动频率的0.8倍。优选的是，该液体为水且设定为可抑制产生气穴的温度。水的温度适宜为0～25℃。优选的是，在该剥离层形成工序中，在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下，在不超过从连续形成的改质部起在c面各向同性地形成的裂纹的宽度的范围，对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成剥离层。优选的是，在该剥离层形成工序中，在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下，在与通过c面和端面形成偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地形成裂纹，在形成该偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，在与形成该偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地依次形成裂纹，形成剥离层。
发明效果
本发明提供的晶片生成方法至少由下述工序构成：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成；剥离开端形成工序，对于形成有剥离层的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线，使裂纹生长，形成剥离的开端；以及晶片生成工序，将单晶SiC晶锭浸渍于液体中，藉由液体对单晶SiC晶锭赋予具有与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成晶片，因此，能够借助剥离的开端高效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离，因此可实现生产率的提高。
附图说明
图1是端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭的立体图。
图2是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。
图3是示出从上方观察到的改质部和裂纹的示意图。
图4是示出从上方观察到的改质部的示意图。
图5是示出在剥离层形成工序中沿圆周方向连续地形成有改质部的状态的立体图。
图6是在形成有剥离层的外周区域的一部分形成有剥离的开端的单晶SiC晶锭的立体图。
图7是在形成有剥离层的整个外周区域形成有剥离的开端的单晶SiC晶锭的立体图。
图8是示出实施晶片生成工序的状态的主视图(a)和所生成的晶片的立体图(b)。
图9是c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭的主视图(a)、俯视图(b)和立体图(c)。
图10是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。
图11是形成有剥离层的单晶SiC晶锭的俯视图(a)、B-B线截面图。
图12是在形成有剥离层的外周区域的一部分形成有剥离的开端的单晶SiC晶锭的立体图。
具体实施方式
无论单晶SiC晶锭的c轴相对于端面的垂线是否倾斜，均能使用本发明的晶片生成方法，首先，参照图1～图8，对端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭下的本发明的晶片生成方法的实施方式进行说明。
图1所示的圆柱形状的六方晶单晶SiC晶锭2(下文中称为“晶锭2”)具有：圆形状的第一面4(端面)；圆形状的第二面6，其处于第一面4的相反侧；周面8，其位于第一面4和第二面6之间；c轴(<0001>方向)，其从第一面4至第二面6；以及c面({0001}面)，其与c轴垂直。在晶锭2中，c轴相对于第一面4的垂线10不倾斜，垂线10和c轴一致。
在图示的实施方式中，首先，实施剥离层形成工序，在距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成。剥离层形成工序例如可以使用在图2中示出其一部分的激光加工装置12来实施。激光加工装置12具备：卡盘工作台14，其对被加工物进行保持；和聚光器16，其对卡盘工作台14所保持的被加工物照射脉冲激光光线LB。卡盘工作台14利用旋转单元以沿上下方向延伸的轴线为中心进行旋转，并且，利用X方向移动单元在X方向上进退，利用Y方向移动单元在Y方向上进退(均未图示)。聚光器16包含聚光透镜，该聚光透镜用于对由激光加工装置12的脉冲激光光线振荡器所振荡出的脉冲激光光线LB进行会聚，并照射至被加工物(均未图示)。需要说明的是，X方向是图2中箭头X所示的方向，Y方向是图2中箭头Y所示的方向，是与X方向垂直的方向。X方向和Y方向所规定的平面实际上是水平的。
在剥离层形成工序中，首先，使粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)介于晶锭2的第二面6与卡盘工作台14的上表面之间，将晶锭2固定在卡盘工作台14。或者，也可以在卡盘工作台14的上表面上形成多个吸引孔而在卡盘工作台14的上表面上生成吸引力从而对晶锭2进行保持。接着，利用激光加工装置12的拍摄单元(未图示)，从第一面4的上方对晶锭2进行拍摄。接着，根据拍摄单元所拍摄的晶锭2的图像，利用激光加工装置12的X方向移动单元和Y方向移动单元使卡盘工作台14移动，由此对晶锭2和聚光器16在XY平面中的位置进行调整。接着，利用激光加工装置12的聚光点位置调整单元(未图示)使聚光器16升降，将聚光点FP定位在距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度。接着，进行改质部形成加工，一边使晶锭2和聚光点FP相对地移动，一边将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB从聚光器16照射至晶锭2。在图示的实施方式中，如图2所示，在改质部形成加工中，不使聚光点FP移动，而利用X方向移动单元以规定的加工进给速度使卡盘工作台14相对于聚光点FP在X方向进行加工进给。通过改质部形成加工，能够在距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度沿着X方向连续地形成SiC分离成Si和C的直线状的改质部18，并且如图3所示，能够形成从改质部18起沿着c面各向同性地延伸的裂纹20。图3中用双点划线示出以改质部18为中心而形成有裂纹20的区域。参照图4进行说明，将改质部18的直径设为D，将在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔设为L时，在具有D>L的关系(即，在作为加工进给方向的X方向上相邻的改质部18与改质部18重复的关系)的区域，从改质部18起沿着c面各向同性地形成裂纹20。在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔L由聚光点FP与卡盘工作台14的相对速度V、和脉冲激光光线LB的重复频率F所规定(L＝V/F)。在图示的实施方式中，通过调整卡盘工作台14相对于聚光点FP在X方向的加工进给速度V以及脉冲激光光线LB的重复频率F，能够满足D>L的关系。
在剥离层形成工序中，接着改质部形成加工，使晶锭2和聚光点FP在不超过裂纹20的宽度的范围相对地进行转位进给。在图示的实施方式中，在转位进给中，不使聚光点FP移动，而利用Y方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP在Y方向上在不超过裂纹20的宽度的范围按照规定的转位量Li进行转位进给。另外，通过交替地重复改质部形成加工和转位进给，在Y方向上隔着转位量Li的间隔形成多个沿着X方向连续延伸的改质部18，并且使在Y方向上相邻的裂纹20与裂纹20连结。由此，能够在距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度形成用于将晶片从晶锭2剥离的剥离层22，该剥离层22由SiC分离成Si和C的改质部18和从改质部18起在c面各向同性地形成的裂纹20构成。需要说明的是，在剥离层形成工序中，也可以通过交替地重复改质部形成加工和转位进给，在晶锭2的相同部分进行多次(例如4次)改质部形成加工。
在剥离层形成工序的改质部形成加工中，只要使晶锭2和聚光点FP相对地移动即可，例如，也可以如图5所示，不使聚光点FP移动，而利用激光加工装置12的旋转单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP以从上方观察为逆时针(也可以为顺时针)的方式以规定的旋转速度旋转，同时由聚光器16向晶锭2照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB。由此，能够在距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度沿着晶锭2的圆周方向连续地形成SiC分离成Si和C的环状的改质部18，并且能够形成从改质部18起沿着c面各向同性地延伸的裂纹20。如上所述，将改质部18的直径设为D，将在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域，从改质部18起沿着c面各向同性地形成裂纹20，并且，在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔L由聚光点FP与卡盘工作台14的相对速度V、和脉冲激光光线LB的重复频率F所规定(L＝V/F)，在图5所示的情况下，通过调整聚光点FP位置处的卡盘工作台14相对于聚光点FP的圆周速度V以及脉冲激光光线LB的重复频率F，能够满足D>L的关系。
沿着晶锭2的圆周方向以环状进行改质部形成加工的情况下，例如，不使聚光点FP移动而利用X方向移动单元或Y方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP在晶锭2的径向在不超过裂纹20的宽度的范围按照规定转位量Li进行转位进给。并且，通过交替地重复改质部形成加工和转位进给，在晶锭2的径向隔着转位量Li的间隔形成多个沿着晶锭2的圆周方向连续延伸的改质部18，并且使在晶锭2的径向上相邻的裂纹20与裂纹20连结。由此，能够在距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度形成用于将晶片从晶锭2剥离的剥离层22，该剥离层22由SiC分离成Si和C的改质部18和从改质部18起在c面各向同性地形成的裂纹20构成。需要说明的是，在图5所示的情况下，也可以通过交替地重复改质部形成加工和转位进给，在晶锭2的相同部分进行多次(例如4次)改质部形成加工。
参照图6进行说明。在实施剥离层形成工序后，实施剥离开端形成工序，对于形成有剥离层22的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线，使裂纹20生长，形成适当宽度Ls的剥离的开端23。剥离开端形成工序可以使用上述的激光加工装置12来实施。在剥离开端形成工序中，根据在剥离层形成工序中利用激光加工装置12的拍摄单元所拍摄的晶锭2的图像，利用激光加工装置12的X方向移动单元和Y方向移动单元使固定有晶锭2的卡盘工作台14移动，由此将聚光器16定位在形成有剥离层22的晶锭2的外周的上方。聚光点FP的上下方向位置与剥离层形成工序中的聚光点FP的上下方向位置相同，即为距离第一面4相当于要生成的晶片的厚度的深度。接着，进行剥离开端形成加工，一边使晶锭2和聚光点FP相对地移动，一边从聚光器16对晶锭2照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，使裂纹20生长。在图示的实施方式中，在剥离开端形成加工中，不使聚光点FP移动而利用X方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP以规定的加工进给速度在X方向上进行加工进给。
在剥离开端形成工序中，接着剥离开端形成加工，使晶锭2和聚光点FP相对地进行转位进给。在图示的实施方式中，在转位进给中，不使聚光点FP移动而利用Y方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP在Y方向上按照规定转位量Li进行转位进给。剥离开端形成工序的转位进给中的转位量可以与剥离层形成工序的转位进给中的转位量相同。另外，通过交替地重复剥离开端形成加工和转位进给，能够在形成有剥离层22的外周区域的一部分或整个外周区域(在图示的实施方式中，如图6所示，为形成有剥离层22的外周区域的一部分)形成剥离的开端23。剥离的开端23与剥离层22中的其它部分相比，脉冲激光光线LB的照射次数多，强度进一步降低，因此容易发生剥离，是成为剥离的起点的部分。剥离的开端23的宽度Ls(在图示的实施方式中为Y方向上的宽度)可以为10mm左右。需要说明的是，在剥离开端形成工序中，也可以通过交替地重复剥离开端形成加工和转位进给，在晶锭2的相同部分进行多次(例如4次)剥离开端形成加工。另外，剥离开端形成工序也可以在剥离层形成工序之前实施。
在剥离开端形成工序的剥离开端形成加工中，只要使晶锭2和聚光点FP相对地移动即可，例如在上述图5所示的情况下，不使聚光点FP移动，而利用激光加工装置12的旋转单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP以从上方观察为逆时针(也可以为顺时针)的方式以规定的旋转速度旋转，同时由聚光器16向晶锭2照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，也可以使裂纹20生长。
沿着晶锭2的圆周方向以环状进行剥离开端形成加工的情况下，例如，不使聚光点FP移动而利用X方向移动单元或Y方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP在晶锭2的径向按照规定转位量Li进行转位进给。在沿着晶锭2的圆周方向以环状进行剥离开端形成加工的情况下，剥离开端形成工序的转位进给中的转位量也可以与剥离层形成工序的转位进给中的转位量相同。将沿着晶锭2的圆周方向以环状进行剥离开端形成加工而在形成有剥离层22的整个外周区域形成剥离的开端23的情况示于图7。在图7所示的情况下，剥离的开端23的宽度Ls(晶锭2的径向上的宽度)也可以为10mm左右，另外，也可以通过交替地重复剥离开端形成加工和转位进给，在晶锭2的相同部分进行多次(例如4次)剥离开端形成加工。
在实施剥离开端形成工序后，实施晶片生成工序，以剥离层22为界面将晶锭2的一部分剥离而生成晶片。晶片生成工序例如可以使用图8所示的剥离装置24来实施。剥离装置24包含：容纳液体26的液槽28；配置于液槽28内的超声波振动板30；和对超声波振动板30赋予超声波振动的超声波振动赋予单元32。
参照图8继续进行说明，在晶片生成工序中，首先，使距离剥离层22和剥离的开端23近的端面即第一面4朝上，将晶锭2放入液槽28内并浸渍于液体26中，并且放置于超声波振动板30的上表面。接着，从超声波振动赋予单元32向超声波振动板30赋予具有与晶锭2的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波振动。这样，具有与晶锭2的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波从超声波振动板30藉由液体26被赋予至晶锭2。由此，能够以剥离的开端23为起点、以剥离层22为界面高效地将晶锭2的一部分剥离而生成晶片34，因此可实现生产率的提高。
需要说明的是，与晶锭2的固有振动频率近似的频率是指下述频率：在将晶锭2浸渍于液体26中藉由液体26对晶锭2赋予超声波，从而以剥离层22为界面将晶锭2的一部分剥离时，从比晶锭2的固有振动频率低规定量的频率起缓慢地升高超声波的频率时，以剥离的开端23为起点、以剥离层22为界面的晶锭2的一部分开始剥离的频率，其为小于晶锭2的固有振动频率的频率。具体而言，与晶锭2的固有振动频率近似的频率为晶锭2的固有振动频率的0.8倍左右。另外，实施晶片生成工序时的液槽28内的液体26为水，水的温度优选设定为由超声波振动赋予单元32向超声波振动板30赋予超声波振动时可抑制产生气穴的温度。具体而言，水的温度适宜设定为0～25℃，由此，超声波的能量不会转换为气穴，能够有效地对晶锭2赋予超声波的能量。
接着，参照图9～图12，对c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭下的本发明的晶片生成方法的实施方式进行说明。
图9所示的整体为圆柱形状的六方晶单晶SiC晶锭40(下文中称为“晶锭40”)具有：圆形状的第一面42(端面)；圆形状的第二面44，其处于第一面42的相反侧；周面46，其位于第一面42和第二面44之间；c轴(<0001>方向)，其从第一面42至第二面44；以及c面({0001}面)，其与c轴垂直。在晶锭40中，c轴相对于第一面42的垂线48倾斜，通过c面和第一面42形成偏离角α(例如α＝1、3、6度)。在图9中用箭头A表示形成偏离角α的方向。并且在晶锭40的周面46上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面50和第二定向平面52。第一定向平面50与形成偏离角α的方向A平行，第二定向平面52与形成偏离角α的方向A垂直。如图9的(b)所示，在垂线48的方向上观察，第二定向平面52的长度L2比第一定向平面50的长度L1短(L2<L1)。
在图示的实施方式中，首先，实施剥离层形成工序，在距离第一面42相当于要生成的晶片的厚度的深度形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成。剥离层形成工序可以使用上述的激光加工装置12来实施。在剥离层形成工序中，首先，使粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)介于晶锭40的第二面44与卡盘工作台14的上表面之间，将晶锭40固定在卡盘工作台14。或者，也可以在卡盘工作台14的上表面上形成多个吸引孔而在卡盘工作台14的上表面上生成吸引力从而对晶锭40进行保持。接着，利用激光加工装置12的拍摄单元，从第一面42的上方对晶锭40进行拍摄。接着，根据拍摄单元所拍摄的晶锭40的图像，利用激光加工装置12的X方向移动单元、Y方向移动单元和旋转单元使卡盘工作台14移动和旋转，由此将晶锭40的朝向调整为规定的朝向，并且对晶锭40和聚光器16在XY平面中的位置进行调整。在将晶锭40的朝向调整为规定的朝向时，如图10的(a)所示，使第一定向平面50与Y方向一致，并且使第二定向平面52与X方向一致，由此使形成偏离角α的方向A与Y方向一致，并且使与形成偏离角α的方向A垂直的方向与X方向一致。接着，利用激光加工装置12的聚光点位置调整单元使聚光器16升降，将聚光点FP定位在距离第一面42相当于要生成的晶片的厚度的深度。接着，进行改质部形成加工，在与垂直于形成偏离角α的方向A的方向一致的X方向上，一边使晶锭40和聚光点FP相对地移动，一边将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB从聚光器16照射至晶锭40。在图示的实施方式中，如图10所示，在改质部形成加工中，不使聚光点FP移动，而利用X方向移动单元以规定的加工进给速度使卡盘工作台14相对于聚光点FP在X方向进行加工进给。通过改质部形成加工，能够在距离第一面42相当于要生成的晶片的厚度的深度沿着与形成偏离角α的方向A垂直的方向(X方向)连续地形成SiC分离成Si和C的直线状的改质部54，并且如图11所示，能够形成从改质部54起沿着c面各向同性地延伸的裂纹56。如上所述，将改质部54的直径设为D，将在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域，从改质部54起沿着c面各向同性地形成裂纹56，另外在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔L由聚光点FP与卡盘工作台14的相对速度V、和脉冲激光光线LB的重复频率F所规定(L＝V/F)，在本实施方式中，通过调整卡盘工作台14相对于聚光点FP的在X方向上的加工进给速度V以及脉冲激光光线LB的重复频率F，能够满足D>L的关系。
在剥离层形成工序中，接着改质部形成加工，在与形成偏离角α的方向A一致的Y方向上使晶锭40和聚光点FP在不超过裂纹56的宽度的范围相对地进行转位进给。在图示的实施方式中，在转位进给中，不使聚光点FP移动，而利用Y方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP在Y方向上在不超过裂纹56的宽度的范围按照规定的转位量Li’进行转位进给。另外，通过交替地重复改质部形成加工和转位进给，在形成偏离角α的方向A上隔着转位量Li’的间隔形成多个沿着与形成偏离角α的方向A垂直的方向连续延伸的改质部54，并且使在形成偏离角α的方向A上相邻的裂纹56与裂纹56连结。由此，能够在距离第一面42相当于要生成的晶片的厚度的深度形成用于将晶片从晶锭40剥离的剥离层58，该剥离层58由SiC分离成Si和C的改质部54和从改质部54起在c面各向同性地形成的裂纹56构成。需要说明的是，在剥离层形成工序中，也可以通过交替地重复改质部形成加工和转位进给，在晶锭40的相同部分进行多次(例如4次)改质部形成加工。
参照图12进行说明。在实施剥离层形成工序后，实施剥离开端形成工序，对于形成有剥离层58的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线，使裂纹56生长，形成适当宽度Ls’的剥离的开端59。剥离开端形成工序可以使用上述的激光加工装置12来实施。在剥离开端形成工序中，根据在剥离层形成工序中利用激光加工装置12的拍摄单元所拍摄的晶锭40的图像，利用激光加工装置12的X方向移动单元、Y方向移动单元和旋转单元使固定有晶锭40的卡盘工作台14移动和旋转，由此调整形成有剥离层58的晶锭40的朝向，并且将聚光器16定位在晶锭40的外周的上方。关于晶锭40的朝向，与剥离层形成工序同样地，使第一定向平面50与Y方向一致，并且使第二定向平面52与X方向一致，由此使形成偏离角α的方向A与Y方向一致，并且使与形成偏离角α的方向A垂直的方向与X方向一致。另外，聚光点FP的上下方向位置与剥离层形成工序中的聚光点FP的上下方向位置相同，即为距离第一面42相当于要生成的晶片的厚度的深度。接着，进行剥离开端形成加工，一边在与垂直于形成偏离角α的方向A的方向一致的X方向上使晶锭40和聚光点FP相对地移动，一边从聚光器16对晶锭40照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，使裂纹56生长。在图示的实施方式中，在剥离开端形成加工中，不使聚光点FP移动而利用X方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP以规定的加工进给速度在X方向上进行加工进给。
在剥离开端形成工序中，接着剥离开端形成加工，在与形成偏离角α的方向A一致的Y方向上，使晶锭40和聚光点FP相对地进行转位进给。在图示的实施方式中，在转位进给中，不使聚光点FP移动而利用Y方向移动单元使卡盘工作台14相对于聚光点FP在Y方向上按照规定转位量Li’进行转位进给。剥离开端形成工序的转位进给中的转位量可以与剥离层形成工序的转位进给中的转位量相同。另外，通过交替地重复剥离开端形成加工和转位进给，能够在形成有剥离层58的外周区域的一部分或整个外周区域(在图示的实施方式中，如图12所示，为形成有剥离层58的外周区域的一部分)形成剥离的开端59。剥离的开端59与剥离层58中的其它部分相比，脉冲激光光线LB的照射次数多，强度进一步降低，因此容易发生剥离，是成为剥离的起点的部分。剥离的开端59的宽度Ls’(在图示的实施方式中为Y方向上的宽度)可以为10mm左右。需要说明的是，在剥离开端形成工序中，也可以通过交替地重复剥离开端形成加工和转位进给，在晶锭40的相同部分进行多次(例如4次)剥离开端形成加工。另外，剥离开端形成工序也可以在剥离层形成工序之前实施。
在实施剥离开端形成工序后，实施晶片生成工序，以剥离层58为界面将晶锭40的一部分剥离而生成晶片。晶片生成工序可以使用上述的剥离装置24来实施。在晶片生成工序中，首先，使距离剥离层58和剥离的开端59近的端面即第一面42朝上，将晶锭40放入液槽28内并浸渍于液体26中，并且放置于超声波振动板30的上表面。接着，从超声波振动赋予单元32向超声波振动板30赋予具有与晶锭40的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波振动。这样，具有与晶锭40的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波从超声波振动板30藉由液体26被赋予至晶锭40。由此，能够高效地以剥离的开端59为起点、以剥离层58为界面将晶锭40的一部分剥离而生成晶片，因此可实现生产率的提高。
在本实施方式中，与晶锭40的固有振动频率近似的频率也是指下述频率：在将晶锭40浸渍于液体26中藉由液体26对晶锭40赋予超声波，从而以剥离层58为界面将晶锭40的一部分剥离时，从比晶锭40的固有振动频率低规定量的频率起缓慢地升高超声波的频率时，以剥离的开端59为起点、以剥离层58为界面的晶锭40的一部分开始剥离的频率，其为小于晶锭40的固有振动频率的频率。具体而言，与晶锭40的固有振动频率近似的频率为晶锭40的固有振动频率的0.8倍左右。另外，实施晶片生成工序时的液槽28内的液体26为水，水的温度优选设定为由超声波振动赋予单元32向超声波振动板30赋予超声波振动时可抑制产生气穴的温度。具体而言，水的温度适宜设定为0～25℃，由此，超声波的能量不会转换为气穴，能够有效地对晶锭40赋予超声波的能量。
此处，关于与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率和容纳于剥离装置的液槽中的液体的温度，本发明人在下述激光加工条件下进行了实验，基于实验的结果进行说明。
[激光加工条件]
脉冲激光光线的波长：1064nm
重复频率频率F：60kHz
平均输出功率：1.5W
脉冲宽度：4ns
光斑直径：3μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.65
加工进给速度V：200mm/s
[实验1]适当的剥离层的形成
将脉冲激光光线的聚光点定位在距离厚度3mm的单晶SiC晶锭的端面为100μm的内侧，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，形成SiC分离成Si和C的直径的改质部，在加工进给方向以相邻的改质部彼此的重叠率R＝80％连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地形成直径的裂纹。之后，将聚光器进行150μm转位进给，同样地连续形成改质部并形成裂纹，在相当于晶片的厚度的100μm的深度形成剥离层。需要说明的是，改质部彼此的重叠率R由改质部的直径和在加工进给方向上相邻的聚光点彼此的间隔L如下算出。另外，如上所述，在加工进给方向上相邻的聚光点彼此的间隔L由加工进给速度V(本实验中为200mm/s)、和脉冲激光光线的重复频率F(本实验中为60kHz)所规定(L＝V/F)。
R＝(D-L)/D
＝{D-(V/F)}/D
＝[17(μm)-{200(mm/s)/60(kHz)}]/17(μm)
＝[17×10-6(m)-{200×10-3(m/s)/60×103(Hz)}]/17×10-6(m)
＝0.8
[实验2]相对于固有振动频率的超声波的频率依赖性
求出厚度为3mm的上述单晶SiC晶锭的固有振动频率，结果为25kHz。因此，在实验2中，将实验1中形成了剥离层的上述单晶SiC晶锭浸渍于25℃的水中，将所赋予的超声波的输出功率设为100W，将超声波的频率升高为10kHz、15kHz、20kHz、23kHz、25kHz、27kHz、30kHz、40kHz、50kHz、100kHz、120kHz、150kHz，测量以实验1中形成的剥离层为界面将晶片从上述单晶SiC晶锭剥离的时间，验证了频率依赖性。
[实验2的结果]
[实验3]超声波的输出功率依赖性
在实验2中将超声波的输出功率固定为100W，改变超声波的频率，测量晶片从实验1中形成了剥离层的上述单晶SiC晶锭剥离的时间，在实验3中，按照超声波的每个频率将超声波的输出功率升高为200W、300W、400W、500W，测量以实验1中形成的剥离层为界面将晶片从上述单晶SiC晶锭剥离的时间，验证了输出功率依赖性。需要说明的是，下述“NG”与实验2的结果同样地，是指对单晶SiC晶锭开始赋予超声波后经过10分钟后晶片也未从单晶SiC晶锭剥离。
[实验3的结果]
每个输出功率的剥离时间
[实验4]温度依赖性
在实验4中，将浸渍有在实验1中形成了剥离层的上述单晶SiC晶锭的水的温度从0℃起升高，测量以实验1中形成的剥离层为界面将晶片从上述单晶SiC晶锭剥离的时间，验证了温度依赖性。需要说明的是，在实验4中，将超声波的频率设定为25kHz，将超声波的输出功率设定为500W。
[实验4的结果]
由实验2的结果能够确认到：用于以剥离层为界面将晶片从单晶SiC晶锭剥离的超声波的频率依赖于单晶SiC晶锭的固有振动频率(对于本实验中使用的单晶SiC晶锭来说为25kHz)，与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似，为20kHz(单晶SiC晶锭的固有振动频率的0.8倍的频率)。另外，能够确认到：在单晶SiC晶锭的固有振动频率附近20～30kHz(单晶SiC晶锭的固有振动频率的0.8～1.5倍的频率)下，可有效地(以比较短的时间)以剥离层为界面将晶片从单晶SiC晶锭剥离。另外，由实验3的结果能够确认到：即便是超过单晶SiC晶锭的固有振动频率附近的频率20～30kHz，通过提高超声波的输出功率，也能以剥离层为界面有效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。此外，由实验4的结果能够确认到：在容纳于剥离装置的液槽中的液体为水的情况下，若水的温度超过25℃，则超声波的能量会转换为气穴，因此无法以剥离层为界面有效地将晶片从单晶SiC晶锭剥离。
符号说明
2：端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭
4：第一面(端面)
10：垂线
18：改质部
20：裂纹
22：剥离层
23：剥离的开端
26：液体
34：晶片
40：c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭
42：第一面(端面)
48：垂线
54：改质部
56：裂纹
58：剥离层
59：剥离的开端

Claims (6)

1.一种晶片生成方法，其从单晶SiC晶锭生成晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与c轴垂直的c面，
该晶片生成方法至少由下述工序构成：
剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层，该剥离层由SiC分离成Si和C的改质部和从改质部起在c面各向同性地形成的裂纹构成；
剥离开端形成工序，对于形成有剥离层的外周区域的一部分或整个外周区域进一步照射激光光线，使裂纹生长，形成剥离的开端；以及
晶片生成工序，将单晶SiC晶锭浸渍于液体中，藉由液体对单晶SiC晶锭赋予具有与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成晶片。
2.如权利要求1所述的晶片生成方法，其中，与单晶SiC晶锭的固有振动频率近似的频率为单晶SiC晶锭的固有振动频率的0.8倍。
3.如权利要求1所述的晶片生成方法，其中，该液体为水且设定为可抑制产生气穴的温度。
4.如权利要求3所述的晶片生成方法，其中，水的温度为0℃～25℃。
5.如权利要求1所述的晶片生成方法，其中，在该剥离层形成工序中，
在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下，在不超过从连续形成的改质部起在c面各向同性地形成的裂纹的宽度的范围，对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成剥离层。
6.如权利要求1所述的晶片生成方法，其中，在该剥离层形成工序中，
在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下，在与通过c面和端面形成偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地形成裂纹，在形成该偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，在与形成该偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部，从改质部起在c面各向同性地依次形成裂纹，形成剥离层。
CN201810088340.2A 2017-02-16 2018-01-30 晶片生成方法 Active CN108447769B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-027113 2017-02-16
JP2017027113A JP6858586B2 (ja) 2017-02-16 2017-02-16 ウエーハ生成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108447769A true CN108447769A (zh) 2018-08-24
CN108447769B CN108447769B (zh) 2023-06-20

Family

ID=63191135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810088340.2A Active CN108447769B (zh) 2017-02-16 2018-01-30 晶片生成方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6858586B2 (zh)
KR (1) KR102350390B1 (zh)
CN (1) CN108447769B (zh)
TW (1) TWI778007B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110961803A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 株式会社迪思科 金刚石基板生成方法
CN111203652A (zh) * 2018-11-21 2020-05-29 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN111889896A (zh) * 2020-07-02 2020-11-06 松山湖材料实验室 一种超声协同激光的晶锭剥离方法
CN113714650A (zh) * 2021-08-25 2021-11-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片的制造方法
CN113714649A (zh) * 2021-08-25 2021-11-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片的制造方法
CN114932634A (zh) * 2022-04-13 2022-08-23 深圳市米珈来智能装备有限公司 一种晶圆分离的设备以及方法
CN115003450A (zh) * 2020-01-22 2022-09-02 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
CN115971642A (zh) * 2022-12-30 2023-04-18 山东天岳先进科技股份有限公司 一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220009039A1 (en) 2018-10-30 2022-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing apparatus and laser processing method
US11897056B2 (en) 2018-10-30 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device and laser processing method
JP7120904B2 (ja) * 2018-10-30 2022-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7443053B2 (ja) 2019-12-26 2024-03-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置
CN112620973B (zh) * 2020-12-18 2023-04-07 西安晟光硅研半导体科技有限公司 一种碳化硅晶片单向三层双向六级台阶切割工艺
CN116093006B (zh) * 2023-03-06 2023-07-25 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) SiC晶片高低频复合振动加热剥离装置及SiC晶片制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008129982A1 (ja) * 2007-04-19 2008-10-30 Nikon Corporation 基板処理方法及びシステム、並びにデバイス製造方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
US20160136775A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-19 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus, substrate processing apparatus, and substrate cleaning method
JP2016124015A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
CN105899325A (zh) * 2013-10-08 2016-08-24 西尔特克特拉有限责任公司 借助于激光处理和温度诱导的应力的组合的晶片制造法
JP2017150164A (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 フクビ化学工業株式会社 気密保持部材及び気密保持工法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5736282Y2 (zh) * 1976-12-06 1982-08-11
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP2007150164A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Renesas Technology Corp 基板洗浄方法
EP2706561B1 (de) * 2009-09-01 2017-04-05 EV Group GmbH Verfahren zum konzentrischen Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
WO2012097830A1 (de) 2011-01-17 2012-07-26 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum ablösen eines produktsubstrats von einem trägersubstrat
JP2014063920A (ja) * 2012-09-21 2014-04-10 Kurita Water Ind Ltd 洗浄方法および洗浄装置
JP2015223589A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 株式会社ディスコ ＳｉＣ板状ワーク製造方法
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6396853B2 (ja) * 2015-06-02 2018-09-26 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP6552898B2 (ja) * 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008129982A1 (ja) * 2007-04-19 2008-10-30 Nikon Corporation 基板処理方法及びシステム、並びにデバイス製造方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN105899325A (zh) * 2013-10-08 2016-08-24 西尔特克特拉有限责任公司 借助于激光处理和温度诱导的应力的组合的晶片制造法
US20160136775A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-19 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus, substrate processing apparatus, and substrate cleaning method
JP2016100368A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板処理装置、および基板洗浄方法
JP2016124015A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017150164A (ja) * 2016-02-22 2017-08-31 フクビ化学工業株式会社 気密保持部材及び気密保持工法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110961803A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 株式会社迪思科 金刚石基板生成方法
CN110961803B (zh) * 2018-09-28 2022-09-30 株式会社迪思科 金刚石基板生成方法
CN111203652A (zh) * 2018-11-21 2020-05-29 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN111203652B (zh) * 2018-11-21 2022-11-08 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN115003450A (zh) * 2020-01-22 2022-09-02 浜松光子学株式会社 激光加工装置及激光加工方法
CN111889896A (zh) * 2020-07-02 2020-11-06 松山湖材料实验室 一种超声协同激光的晶锭剥离方法
CN111889896B (zh) * 2020-07-02 2022-05-03 松山湖材料实验室 一种超声协同激光的晶锭剥离方法
CN113714650A (zh) * 2021-08-25 2021-11-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片的制造方法
CN113714649A (zh) * 2021-08-25 2021-11-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶片的制造方法
CN113714649B (zh) * 2021-08-25 2023-07-14 深圳市大族半导体装备科技有限公司 晶片的制造方法
CN114932634A (zh) * 2022-04-13 2022-08-23 深圳市米珈来智能装备有限公司 一种晶圆分离的设备以及方法
CN115971642A (zh) * 2022-12-30 2023-04-18 山东天岳先进科技股份有限公司 一种基于激光致裂的碳化硅剥离片及加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI778007B (zh) 2022-09-21
CN108447769B (zh) 2023-06-20
JP2018133484A (ja) 2018-08-23
JP6858586B2 (ja) 2021-04-14
KR102350390B1 (ko) 2022-01-11
TW201835995A (zh) 2018-10-01
KR20180094785A (ko) 2018-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108447769A (zh) 晶片生成方法
CN108447783A (zh) SiC晶片的生成方法
CN108161215A (zh) SiC 晶片的生成方法
CN108145307A (zh) SiC晶片的生成方法
CN111203652B (zh) 晶片的生成方法
CN108372434A (zh) SiC晶片的生成方法
JP7229729B2 (ja) Ｆａｃｅｔ領域の検出方法および検出装置ならびにウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
TWI781306B (zh) 晶圓生成方法以及晶圓生成裝置
TWI748088B (zh) SiC晶圓之生成方法
CN105855734A (zh) 晶片的生成方法
CN107030905A (zh) 晶片生成方法
JP2017071074A (ja) 内部加工層形成単結晶基板の製造方法、および、単結晶基板の製造方法
JP2022025566A (ja) Ｓｉ基板生成方法
CN107717248A (zh) SiC晶片的生成方法
TWI807083B (zh) 半導體基板之加工方法
JP2019186276A (ja) ウエーハの生成方法
CN110071034A (zh) 晶片的生成方法和晶片的生成装置
JP2021168347A (ja) ウエーハの生成方法
JP7210292B2 (ja) ウエーハの生成方法
TWI838421B (zh) 晶圓的生成方法
JP2009279914A (ja) 水晶及びその他脆性材料の切断装置
CN110491784A (zh) 芯片的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant